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RECRISTALIZACIN:
RECRISTALIZACIN:
Cambio
Cambio del
del tamao
tamao yy forma
forma dede los
los granos
granos con
con el
el objeto
objeto
de
de eliminar
eliminar distorsin
distorsin interna
interna (strain
(strain energy).
energy). Puede
Puede ir ir
acompaado +
acompaado de de cambios
cambios quinmicos/mineralgicos
quinmicos/mineralgicos (i.e.
(i.e.
metamorfismo)
metamorfismo)
"creep": termino general para deformaciones plasticas lentas causada por esfuerzos diferenciales
Formula general para creep: m = exponente del esfuerzo. Depende del material
y del mecanismo de deformacin activo
= K mb (ver arriba)
K = -C.e(Q/kT)
T = Temperatura
k = Constante de Boltzman
C = constante determinado (relaciona temperatura, cambio de
por el material y el volmen y presin)
mecanismo de deformacin
activo Q = energa de activacin
e = ln 1
de mecanismo de
deformacin activo
Cataclasis
Solution-precipitation creep
precipitacin sobre
bordes sub-paralelos
a 1
Plasticidad intra-cristalina
dislocation creep
diffusion creep
subgranos (subgrains) separados por subjuntas
(subgrain boundaries): producidos por ligeras recristalizacin con reduccin del tamao de granos
rotaciones internas de la red cristalina (por rotaciones > 10
definicin hasta 5)
cuarzo
maclas de deformacin
maclas de crecimiento
Defectos puntuales
tomo
intersticial
vacante
tomo
extrao
intersticial
tomo
extrao
sustitucional
Defectos lineales = dislocaciones
aplicacin de un esfuerzo de
cizalla extreno ha resutado en la
creacin de un extra "half-plane"
(medio-plano) de tomos (atomos
negros)
ThisTEMimageshowsdislocationlinesintheinteriorofaquartzgrain
experimentallydeformedbyAlicePost
"ESCALADA" de dislocaciones = "CLIMB"
Durante deformacin hay una competicin entre procesos que generan y que destruyen a las dislocaciones.
Cuando se establece un equilibrio entre ambos procesos, la densidad de dislocaciones permanece constante.
Un aumento la densidad de dislocaciones suele producir un endurecimiento del cristal (work hardening) debido
a que las dislocaciones comienzanan a bloquearse mutuamente formando "maraas" (dislocation tangles) y
pierden movilidad.
formacin de subgranos mediante el proceso de RECOVERY
SUBGRANO SUBGRANO
El posterior sellamiento de la
microfractura mediante crecimiento
syntaxial (heredando la orientacin
cristalografica de las paredes) resulta en
la creacin de una subjunta
Bulging SGR
BULGING
dynamicrecrystallization(Ellemodel)
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KF, Alb, Q, Ms
material inicial
despues de 65% de
deformacin a
800C / 1200 kbar:
intensa
recristalizacin
dinmica con
reduccion del tamao
de granos
Bulging+SGR
despues de recristalizacin
esttica durante 120 horas a
900C (annealing)
no deformado Heavytree quartzite
deformado a Temperatura
relativamente baja:
reduccin del tamao de granos
estereograma
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En realidad hay 4 SISTEMAS DE DESLIZAMIENTO CRISTALOGRAFICO EN CUARZO (SLIP SYSTEMS)
Estas se activan de manera consecutiva con creciente temperatura, de 1 a 4
CUARZO
2. plano rombico
en direccin <a>
3. plano prismatico
1. plano basal en direccin <a>
en direccin <a>
4. plano prismatico
en direccin <c>
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Activacin de distintos planos de deslizamiento en funcin de la temperatura
y su influencia sobre la orientacion de los ejes <c> de cuarzo
dibujos idealizados para deformacin plana (sin deformacin en la direccin Y)
>1
y=1
x>1
creciente temperatura
estereogramas con
X rotado 90
campo de aplastamiento
au
m
en
to
de
de
fo
rm
ac
i
n
K>1
K<1
diagrama de Flinn
(forma del elipsoide
de deformacin)
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alargamiento uni-axial
X>Y=Z
constriccin general
X> (Y>1) >Z
acortamiento general
X> (Y<1) > Z
acortamiento uni-axial
X=Y > Z
Utilizacin de fabricas de cuarzo como indicadores de sentido de cizalla
simetrico asimetrico
foliacin
<c>
foliacin <c>
foliacin (Sm)
Esto cabe esperar en rocas donde la foliacin no coincide con el eje largo del elipse de
deformacin, pero con el plano de cizallamiento (ver tema sobre significado mecanico
de foliaciones)
A parte de el movimiento de dislocaciones que hacen funcionar los sistemas
de deslizamiento cristalograficos, hay dos procesos ms capaces de crear
o aumentar la intensidad de una fabrica de OCP:
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RECRYSTALLIZATION = GROWTH OF UNDEFORMED GRAINS AT THE
EXPENSE OF DEFORMED GRAINS, EITHER DYNAMICALLY OR STATICALLY.
THE PROCESS INVOLVES MIGRATION OF HIGH-ANGLE GRAIN
BOUNDARIES AND CAN CAUSE INCREASE OR DECREASE OF GRAIN SIZE
DEPENING ON STRAIN RATE AND TEMPERATURE.
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