LEY DE ACCIN DE Concentracin de masas

en un semiconductor
MASAS
PUEDE PRODUCIRSE 2
SITUACIONES:
1 - Aadir impurezas de tipo n a un semiconductor Intrnseco (sin dopar), para
formar un semiconductor Extrnseco (tipo n), produce que los huecos
disminuyan.

2 Aadir impurezas de tipo p a un semiconductor Intrnseco (sin dopar), para

formar un semiconductor Extrnseco (tipo n), produce que disminuya la cantidad
de electrones libres.
Entonces podemos deducir de estos dos apartados, que esos huecos que
disminuyen y esos electrones que tambin se reducen van directamente ligados
con la energa cintica que les permite moverse.

Pero el tiempo de vida de esos portadores no es infinito y una parte importante

de ellos esta sometida a procesos de recombinacin, mediante los cuales un
electrn pasa a ocupar el nivel correspondiente a un hueco, desapareciendo
tanto el electrn como el hueco y liberando al mismo tiempo energa.
EXPLICACIN MS PROFUNDA
MEDIANTE ECUACIONES QUE RIGEN
ESTA LEY DE ACCIN DE MASAS.
La multiplicacin de las concentraciones de electrones
libres y huecas (una vez determinada la posicin de fermi),
podemos deducir que estas dos concentraciones de
portadores son totalmente independientes respecto del
nivel de fermi (Tambin llamado dopado del
semiconductores) y eso hace que podamos afirmar que
ests concentraciones slo depende de la temperatura su
expresin es:

np =n_i^2

Est ecuacin es la que representa est apartado

concentracin de portadores en un semiconductor (Ley
de accin de masas).
AHORA ENFATIZAREMOS
SOBRE ELLA:

1- Est ecuacin puede ser aplicada tanto en semiconductores Intrnsecos o Extrnsecos.

2- Para que se aplique tenemos que estar en equilibrio trmico.

Est ecuacin es la que representa est apartado concentracin de portadores en un
Si el conductor es(Ley
semiconductor Intrnseco, entonces
de accin de masas).
n = p = n_i (deducimos que las concentracin Intrnseca representa la concentracin de portadores
en un semiconductor Intrnseco en equilibrio trmico)