CIENCIA DE LOS MATERIALES

2012 - 2

CRISTALOGRAFIA
DIRECCIONES Y PLANOS CRISTALOGRAFICOS
INDICES DE MILLER PARA PLANOS DE ATOMOS
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DEFECTOS DE RED CRISTALINA: VACANCIAS,
DISLOCACIONES, INTERCARAS
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CRISTALOGRAFIA.- es la ciencia que se dedica al estudio y
resolucin de estructuras cristalinas. La mayora de los minerales
adoptan formas cristalinas cuando se forman en condiciones
favorables. La cristalografa es el estudio del crecimiento, la forma y
la geometra de estos cristales. La disposicin de los tomos en un
cristal puede conocerse por difraccin de los rayos X. La qumica
cristalogrfica estudia la relacin entre la composicin qumica, la
disposicin de los tomos y las fuerzas de enlace entre stos.

Esta relacin determina las propiedades fsicas y qumicas de los

minerales. Cuando las condiciones son favorables, cada elemento o
compuesto qumico tiende a cristalizarse en una forma definida y
caracterstica. La sal tiende a formar cristales cbicos, mientras que
el granate, que a veces forma tambin cubos, se encuentra con ms
frecuencia en dodecaedros. A pesar de sus diferentes formas de
cristalizacin, la sal y el granate cristalizan siempre en la misma
clase y sistema.

MONOCRISTAL Bi
MICROFOTOGRAFIAS CON MICROSCOPIOS ELECTRONICOS.

POLICRISTAL Bi

PROBLEMA

SOLUCION.

PROBLEMA.
Y
SOLUCION

PROBLEMA.
Y
SOLUCION.

SOLUCION.

INDICES DE MILLER PARA PLANOS DE ATOMOS

Para poder identificar unvocamente un sistema de planos
cristalogrficos se les asigna un juego de tres nmeros que reciben el
nombre de ndices de Miller. Los ndices de un sistema de planos
se indican genricamente con las letras (h k l).
Los ndices de Miller son nmeros enteros, que pueden ser
negativos o positivos, y son primos entre s. El signo negativo de un
ndice de Miller debe ser colocado sobre dicho nmero.
Obtencin de los ndices de Miller
1.
Se determinan las intersecciones del plano con los ejes
cristalogrficos. Para poder determinarlas se utiliza como unidad de
medida la magnitud del parmetro de red sobre
cada eje.
2.
Se consiguen los recprocos de las intersecciones.

3.

Se determinan los enteros primos entre s que cumplan con las

mismas relaciones.
4.
Tienen que ser enteros.
NOTA.- El siguiente procedimiento que permite asignar ndices de
Miller, est simplificado y slo sirve para el sistema cbico (con
celda
unitaria
de
dimensiones
a
x
a
x
a
).

Para ilustrar el procedimiento, consideremos la siguiente

superficie /plano:

En este caso la interseccin con el eje x tiene lugar en x=a y la

superficie es paralela a los ejes y, z (consideramos que los corta en
).
Los
cortes
son
a,
,
.

las coordenadas fraccionarias sern: a/a, /a, /a, es decir 1,, .

Los recprocos de 1 y , son 1 y 0, respectivamente, lo que nos
conduce a (100). Por tanto el plano del dibujo es el (100) del
cristal cbico.
Otros ejemplos:
1.-

(110)

cortes: a,a, ; cortes fraccionarios: 1,1, ; ndices de Miller:

(110)

2.-

(111)

cortes: a,a,a ; cortes fraccionarios: 1,1,1 ; ndices de Miller: (111)

Las superficies consideradas hasta ahora (100), (110) y (111) son las
llamadas superfcies de ndice bajo de un cristal cbico (el termino
bajo hace referencia a que los ndices son 0 o 1). Estas superficies
tienen especial importancia, pero hay un nmero infinito de otros
planos que pueden definirse usando los ndices de Miller.

cortes: a/2, a,; cortes fraccionarios: 1/2, 1, ; ndices de Miller:

(210)
(i) en algunos casos los ndices de Miller se multiplican o dividen por
algn factor comn para simplificarlos. Esta operacin genera un
plano paralelo que est a distancia diferente del origen de la celda
particular considerada (ejemplo: (200) se transforma en (100) al
dividir por dos)

(ii) si algunos cortes tienen valores negativos sobre los ejes, el signo
negativo debe aparecer en el ndice de Miller (ejemplo (00-1) se
escribe (001)
(iii) en los cristales hexagonales compactos hay cuatro ejes
pricipales, por tanto deben usarse cuatro ndices de Miller (ejemplo
(0001))

En el sistema cbico el plano (hkl) y el vector [hkl], definido con

respecto al origen, son perpendiculares. Esta caracterstica es nica
del sistema cbico y no se puede aplicar a sistemas de simetra
inferior. La distancia entre planos en el sistema cbico viene dada
por:

Ejemplo:
Determinar los valores de la interseccin con los ejes x, y, z de un
plano cuyos ndices de Miller son (362). Suponiendo que dicho plano
pertenezca a una estructura cristalina cbica de parmetro de red
igual a 3.5 A, calcular la distancia interplanar.

A partir de los ndices de Miller (362) se obtienen los cortes

fraccionarios 1/3, 1/6, 1/2 y se reducen a fracciones equivalentes con
los nmeros enteros menores posibles (aplicando el mcm= 6),
obtenindose 1/2,1,1/3. Los cortes con los ejes sern, por tanto x=2,
y=1, z=3
La distancia entre estos planos se obtiene a partir de:

DENSIDAD ATOMICA LINEAL

La densidad atmica calculada en una direccin especfica dentro del
cristal se calcula con la relacin:

NOTA.-

DEFECTOS DE RED CRISTALINA: VACANCIAS,

DISLOCACIONES, INTERCARAS
Defecto cristalino.- Un defecto cristalino es cualquier
perturbacin en la periodicidad de la red de un slido cristalino. El
cristal perfecto es un modelo ideal, en el que las diferentes especies
(molculas, iones u tomos) estn colocadas de forma peridica y
regular, extendindose hasta el infinito.

Son estos defectos cristalinos los que dan las propiedades ms

interesantes de la materia, como la deformacin plstica, la
resistencia a la rotura, la conductividad elctrica, el color, la
difusin.

Clasificacin
Segn su dimensin - Se distinguen 4 tipos de defectos:
Puntuales, Defectos lineales, Defectos de superficie y Defectos
volumtricos.
1.- PUNTUALES
de 0 dimensiones, afectan a un punto de red, perturbando nicamente
a los vecinos ms prximos: Vacante o Vacancia. El defecto
vacante es cuando un tomo que se encuentra normalmente en la red
cristalina deja de estarlo, dejando as un espacio vaco, que a veces es
ocupado por un electrn (centro F).

centros F.- Un centro de color, centro F (del alemn Farbenzenter;

farbe: color) o electrn atrapado es un tipo de defecto cristalogrfico
en el que un anin vacante en un cristal se llena con uno o ms
electrones, dependiendo de la carga de los iones desaparecidos en el
cristal. Los electrones en dichos sitios vacantes o huecos tienden a
absorber la luz en el espectro visible de forma que un material que
suele ser transparente se vuelve de color. Este es el origen del
nombre, F-centro, que se origina en el alemn Farbzentrum. Los
centros F son a menudo paramagnticos y por tanto pueden ser
estudiados por tcnicas de resonancia paramagntica electrnica.
Cuanto mayor sea el nmero de centros F, ms intenso es el color
del compuesto.

tomo intersticial
Un tomo intersticial es un defecto puntual de un mineral,
producido por un tomo suplementario se sita en su red cristalina.
Esto provoca una fuerte distorsin en la proximidad del tomo, pero
se atena con la distancia.

En los materiales cermicos, que estn compuestos de una parte

inica y otra covalente, lo normal es que salte el catin, de menor
tamao que el anin: el conjunto formado por el tomo intersticial y
el hueco se conoce como defecto Frenkel.
Defecto Frenkel
El defecto Frenkel es el conjunto formado por un tomo intersticial
y el hueco que ha dejado tras el salto. En el caso de un cristal inico,
los cationes son ms pequeos que los aniones; son predominantes
los defectos Frenkel de los cationes. Este tipo de defectos son los que
confieren movilidad inica al solido.
Este defecto es ilustrado con un ejemplo de cloruro de sodio; los
diagramas son una representacin en 2 dimensiones de lo que ocurre
realmente en 3:

Red de NaCl libre de defectos

2 cationes Na+ han saltado a

posiciones

intersticiales

tomo sustitucional
Se sustituye un tomo de la estructura cristalina por otro. El radio del
tomo no debe ser diferente de un 15% ya sea en mayor o menor
proporcin. Un tomo de mayor radio har que los tomos vecinos
sufran una compresin, y un tomo sustituido de menor radio har
que los tomos vecinos sufran una tensin.

Defecto Schottky
El defecto Schottky es tpico de los materiales cermicos, pues es un
defecto que aparece para mantener la electro neutralidad del material.
Se generan vacantes de iones de signo contrario para anularse de
forma estequiomtrica; con el fin de mantener una carga total neutra.
Cada vacante es un defecto de Schottky por separado.

Red de NaCl libre de defectos

Un catin Na+ y un anin Cl- han saltado

2.- DEFECTOS LINEALES (DISLOCACIONES)

Dislocacin (defecto cristalino)
Las dislocaciones son defectos de la red cristalina de dimensin uno,
es decir que afectan a una fila de puntos de la red de Bravais. Las
dislocaciones estn definidas por el vector de Burgers, el cual
permite pasar de un punto de la red al obtenido tras aplicar la
dislocacin al mismo. Las dislocaciones suceden con mayor
probabilidad en las direcciones compactas de un cristal y son
sumamente importantes para explicar el comportamiento elstico de
los metales, as como su maleabilidad, puesto que la deformacin
plstica puede ocurrir por desplazamiento de dislocaciones.
Clasificacin
Se distinguen tres tipos de dislocaciones: Dislocacin de borde,
cua o arista; Dislocacin helicoidales o de tornillo y
Dislocaciones mixtas.

Dislocacin de borde, cua o arista:

Formada por un plano extra de tomos en el cristal, su vector de
Burgers es perpendicular al plano que contiene la dislocacin y
paralelo al plano de deslizamiento. Existe una interaccin fuerte entre
dislocaciones de arista de tal manera que se pueden llegar a aniquilar.

Dislocacin helicoidales o de tornillo:

Se llama as debido a la superficie espiral formada por los planos
atmicos alrededor de la lnea de dislocacin y se forman al aplicar
un esfuerzo cizallante. La parte superior de la regin frontal del
cristal desliza una unidad atmica a la derecha respecto a la parte
inferior. En este caso, el vector de Burgers es paralelo al plano que
contiene la dislocacin y perpendicular al plano de deslizamiento.

Dislocaciones mixtas:
Dislocacin formada por las dos anteriores, una de cua y una
helicoidal.

El vector de Burgers no es ni perpendicular ni paralelo a la

lnea de dislocacin, pero mantiene una orientacin fija en el
espacio. La estructura atmica local en torno a la dislocacin
mixta es difcil de visualizar, pero el vector de Burgers
proporciona una descripcin conveniente y sencilla.

3.- DEFECTOS SUPERFICIALES (PLANARES)

Los defectos superficiales son los lmites o bordes o planos que
dividen un material en regiones, cada una de las cuales tiene la
misma estructura cristalina pero diferente orientacin.
SUPERFICIE EXTERNA.- Las dimensiones exteriores del material
representan superficies en las cuales la red termina abruptamente.
Los tomos de la superficie no estn enlazados al nmero
mximo de vecinos que deberan tener y por lo tanto, esos tomos
tienen mayor estado energtico que los tomos de las posiciones
internas. Los enlaces de esos tomos superficiales que no estn
satisfechos dan lugar a una energa superficial, expresada en unidades
de energa por unidad de rea (J/m2 o Erg/cm2). Adems la superficie
del material puede ser rugosa, puede contener pequeas muescas y
puede ser mucho ms reactiva que el resto del material.
BORDES DE GRANO.- Superficie que separa los granos
individuales de diferentes orientaciones cristalogrficas en materiales
policristalinos.

El lmite de grano es una zona estrecha en la cual los tomos no estn

uniformemente separados, o sea que hay tomos que estn muy
juntos causando una compresin, mientras que otros estn separados
causando tensin.

De cualquier forma los limites de grano son reas de alta energa y

hace de esta regin una mas favorable para la nucleacin y el
crecimiento de precipitados.
MACLAS
Una macla es un tipo especial de lmite de grano en el cual los
tomos de un lado del lmite estn localizados en una posicin que es
la imagen especular de los tomos del otro lado.

Cristales de yeso sin maclar

Macla de yeso
El borde, frontera, o lmite de grano surge como consecuencia del
mecanismo del crecimiento de grano, cristalizacin, cuando dos
cristales que han crecido a partir de ncleos diferentes se
"encuentran".

4.- DEFECTOS VOLUMETRICOS

Los defectos volumtricos o tridimensionales se forman cuando un
grupo de tomos o de defectos puntuales se unen para formar un
vacio tridimensional o poro. De manera inversa, un grupo de tomos
de alguna impureza puede unirse para formar un precipitado
tridimensional. El tamao de un defecto volumtrico puede variar
desde unos cuantos nanmetros hasta centmetros o, en ocasiones,
puede ser mayor. Los defectos tienen un efecto o influencia
considerable en el comportamiento y desempeo de un material. El
concepto de un defecto tridimensional o volumtrico puede ampliarse
a una regin amorfa dentro de un material policristalino.
DEFECTOS TRIDIMENSIONALES
Este tipo de defectos aparece debido a:
-Control inadecuado durante la solidificacin de los metales.
-Inadecuada realizacin de tratamientos trmicos.

-Sobre esfuerzos aplicados a las piezas.

-Mal diseo de piezas mecnicas.
-Mala seleccin de materiales.