7.

3 DISPOSITIVOS
FOTODETECTORES

7.3.1 FOTODIODO P-I-N

Un diodo PIN es un
diodo con una
regin ancha de
semiconductor
intrnseco (i) entre
las zonas tipo P y
tipo N.
https://de.wikipedia.org/wiki/Pin-Diode

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A) PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO
Su principio de funcionamiento es muy
parecido al de un fotodiodo PN
FOTODIODO P-N
Diodo semiconductor de
unin p-n polarizado en
inversa

Figura 7.9

-tension
Vo
produce
despoblamiento en zce.
-W=Wp+Wn.
-Las
impurezas
ionizadas
producen un campo elctrico
zce que impide la difusin de
huecos desde el borde de la
zona p hacia la n.
-Una de las caras externas (p) es
expuesta a radiacin .
-Se procura que el coef.de
reflexin de la discontinuidad
airesemiconductor
sea
pequeo a la longitud de onda.
-La mayor parte de la potencia
optica incidente penetrara en el
detector.

Next Generation Internet (NGI) over Satellite

Si los fotones tienen una energa de hv E g ,cada uno de ellos

podr ser absorbido a costa de ceder su energa a un electrn y as

este pasar de la banda de valencia a la banda de conduccin .

Obtencin de la eficiencia Cuntica en condiciones

ideales

Suponiendo :
Coeficiente de reflexin :R
La amplitud del campo elctrico propagado dentro de un material
semiconductor disminuir exponencialmente
La potencia propagada es :
[7.35[
Esto es posible tomando x=0 en el borde de zce y la zona P volumtrica.

Consideremos que el flujo fotnico efectivo en producir corriente ser el

absorbido en la zce . Esto es , en referencia a la figura 7.9

[7.36]

La eficiencia cuntica n :

[7.37]
El valor mximo de n=1 requiere R=0 y W

La anchura en una unin p-n

polarizada en inversa es del orden de
una fraccin de micra,es decir una
parte significativa de la radiacion no es
absorbida

Por este motivo se desarrollo la

estructura p-i-n

Esta estructura se muestra en

la figura 7.10 , al no disponer
de impurezas ionizables , la
zona intrnseca tiene una
densidad muy baja de
electrones y huecos en
ausencia de radiacin
luminosa incidente.

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[Fig 7.10]

Las ecuacin es a aplicar son las de continuidad en el

semiconductor. En cada punto macroscpico se tiene que :

[7.3
[7.3
8] Aunque el flujo de electrones vaya en sentido contrario al de los9]
huecos , su carga es opuesta y las corrientes de ambos
portadores se suman.
[7.4
0]

En un semiconductor de tipo P se tiene , para los electrones

[7.4
1]

 En un semiconductor en equilibrio la generacin

trmica se compensa exactamente con la
recombinacin , y por consiguiente tendramos
que :

Es necesario conocer las densidades de corriente y , ya

que cada corriente est en general formada por dos
componentes : la corriente de arrastre y la corriente de
[7.42]
difusin .
[7.43
]

La corriente es formada por dos

componentes

Corriente de arrastre
es la originada
por le
movimiento de
las cargas ,
que, bajo la
fuerza de un
campo elctrico
E, adquieren
una cierta
velocidad .
Rgimen de
saturacin

Corriente
de difusin
est causada
por la
tendencia de
cualquier conjunto de
partculas
inhomogneamente
distribuidas en el
espacio a
redistribuirse de
forma homognea
por efecto de la
agitacin trmica.

El campo Eo es tan elevado que el arrastre de portadores se hace

en rgimen de saturacin : la velocidad de arrastre ya no es lineal
con el campo , sino que alcanza su mximo valor llamado
saturacin , que depende del material

El campo generado por la presencia de

huecos y electrones fotogenerados en la zona
i es despreciable al valor del campo Eo.
Tenemos las ecuaciones:
[7.44]

[7.45]

g en funcin de la potencia .
es el
flujo fotnico que atraviesa una superficie S
situada en la coordenada x.
[7.46]

Se cumplir la

siguiente relacin:

Dividiendo entre

y haciendo

[7.47]

, se obtiene:
[7.48]

Rgimen de potencia
ptica
constante
que:

lo que permite poner

Entonces tenemos
[7.49]
[7.50]

 Debido

a esto el flujo de corriente desde x=0 hasta

x va creciendo , entonces tenmos que
y
cuando x=W. La fotocorriente
generada en la zona intrnseca ser :
[7.51]

cada

par e-h contribuye con una carga e, y no

2e , a la corriente . Un electrn generado en
cualquier punto de la zona i es arrastrado
hacia la derecha hasta que sale de la misma .

 La

contribucin de la zona n a la corriente. De

cada par generado en ella , el hueco se difundir
naturalmente hacia la zona i , al llegar ah ser
barrido por el campo Eo e inyectado en la zona P ,
en cuyo contacto hmico se recombinar
finalmente con un electrn procedente del polo
negativo de la batera .

En

En

la zona N tenemos:

particular ,
, pues es
justo a partir de x=W cuando empieza a
generarse electrones.

 As

tenemos:
[7.52]

Toma

la forma de
[7.53]

Las

condiciones de contorno son p(W)=0 y P()=

.
La solucin para esta ecuacin sera :

[7.54]

Con

[7.55]

 Parmetro

huecos, y

denominado longitud de difusin de

[7.56]

Sustituyendo

[7.54] en [7.55] queda

[7.57]

Podemos escribir la expresin de densidad de

fotocorriente total del diodo, ya que conocemos
todas las corrientes que la atraviesan:
[7.58]

La figura 7.11 representa

la corriente en funcin de
la potencia ptica
incidente. La figura 12
muestra la caracterstica
corriente-tensin de un
fotodiodo. En
polarizacin inversa y sin
iluminacin solo circula la
corriente inversa de
oscuridad .
[Fig 7.11]

La eficiencia cuntica es :

[7.59]

ni es la eficiencia cuntica interna , ni<1 . (para el

silicio alcanza n=0.85)
La respuesta R del fotodetector p-i-n :

[7.60]

En la figura 13 se representa la forma tpica de R en

funcin de lambda para los 3 diodos ms comunes en
el rango de las comunicaciones pticas.

Una forma ideal es

cuando n=1 y su
grfica es una lnea
recta , sin embargo
las dems grficas
son diferentes a
partir de cierto
lambda , hasta en
un momento la
respuesta R
comienza a decrecer
. Esto se debe a que
la energa de los
fotones es menor a
la de la banda
prohibida , lo cual

[Fig 7.12]

B)RESPUESTA EN FRECUENCIA

Empezamos usando las ecuaciones de

continuidad [7.44] [7.45]

Modelamos:

0
t

[7.61]

AHORA APLICAMOS TRANSFORMADA D FOURIER

[7.62]

Sujeto a:

[7.63]

[7.64]

AHORA COMENZAMOS DE NUEVO USANDO LA 4 ECUACIN DE

MAXWELL

[7.65]
El objetivo es encontrar J(w) en funcin de w
Obtenemos el rotacional en ambos costados de la ecuacin:

[7.66]
Modelamos entonces a J
[7.67]
Necesitamos E(x,t) para modelar la corriente de desplazamiento.
Aplicamos entonces 1 ley de maxwell
[7.68]

MODELAMOS ENTONCES A J

Necesitamos E(x,t) para modelar la

corriente de desplazamiento.
Aplicamos entonces 1 ley de maxwell

INTEGRANDO

Derivando con respecto al tiempo y

multiplicando por obtenemos la
corriente de desplazamiento

Usando:

Y HACIENDO USO DE QUE EN LA ZONA I

APROXIMADAMENTE SOLO EXISTEN CORRIENTES
DE ARRASTRE

REEMPLAZANDO EN NUESTRO
MODELO

Obtenemos:
De lo cual deducimos:

AHORA VAMOS A DETERMINAR K(T),

APLICANDO KIRCHOFF EN LA MALLA:

Ingresando E(x,t):

Considerando que: