Tecnologa Electrnica

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EL DIODO
INTRODUCCION
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulacin de corriente
entre sus terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el
sentido contrario.

Resistencia nula

Resistencia nula

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DIODO DE UNION PN
Actualmente los diodos se fabrican a partir de la unin de dos materiales
semiconductores de caractersticas opuestas, es decir, uno de tipo N y otro de tipo
P. A esta estructura se le aaden dos terminales metlicos para la conexin con el
resto del circuito.

Formacin de la unin PN
Se trata de un monocristal de silicio puro, dividido en dos zonas con una
frontera ntida, definida por un plano. Una zona se dopa con impurezas de tipo P y
la otra de tipo N.

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Zona P > tomos del grupo III ( Boro ).

Zona N > tomos del grupo V ( Fsforo ).
Mecanismo de difusin:
Consiste en llevar partculas de donde hay ms a donde hay menos. El
efecto es que los electrones y los huecos cercanos a la unin de las dos
zonas la cruzan y se instalan en la zona contraria, es decir:
Electrones de la zona N pasan a la zona P.

Huecos de la zona P pasan a la zona N.

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Este movimiento de portadores de carga tiene un doble efecto: en la regin

de la zona P cercana a la unin:
El electrn que pasa la unin se recombina con un hueco. Aparece una
carga negativa
Al pasar el hueco de la zona P a la zona N, provoca un defecto de carga
positiva en la zona P, con lo que tambin aparece una carga negativa.
El mismo razonamiento, aunque con signos opuestos puede realizarse para
la zona N.

Carga positiva en la zona N y negativa en la zona P

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Aparece un campo elctrico desde la zona N a la zona P que se opone al

movimiento de portadores segn la difusin, y va creciendo conforme pasan ms
cargas a la zona opuesta. Al final la fuerza de la difusin y la del campo elctrico
se equilibran y cesa el trasiego de portadores.Finalmente:
Zona P, semiconductora, con una resistencia RP.
Zona N, semiconductora, con una resistencia RN.
Zona de agotamiento (depleccin): No conductora, puesto que no posee
portadores de carga libres. En ella acta un campo elctrico, o bien entre los
extremos acta una barrera de potencial.
Polarizacin directa:

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Polarizacin directa (II):

El potencial aumenta por encima del de barrera desaparece la zona de

depleccin.
1.
2.

Electrones y huecos se dirigen a la unin.

En la unin se recombinan.

La tensin aplicada se emplea en:

1. Vencer la barrera de potencial.
2. Mover los portadores de carga.

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Polarizacin inversa
Tensin positiva a la zona N y negativa a la zona P se retiran portadores
mayoritarios prximos a la unin. Aumenta la anchura de la zona de depleccin.
Como en ambas zonas existen portadores minoritarios, su movimiento hacia la
unin crea una corriente, aunque muy pequea.

Si aumenta mucho la tensin inversa, se produce la rotura por avalancha por

ruptura de la zona de depleccin. No significa la ruptura del componente.

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Caracterstica tensin-corriente
La figura muestra la caracterstica V-I (tensin-corriente) tpica de un diodo real.

Regin de conduccin en polarizacin directa (PD).

Regin de corte en polarizacin inversa (PI).
Regin de conduccin en polarizacin inversa.
En el caso de los diodos de Silicio, VON est sobre los 0,7 V.

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Principales caractersticas comerciales

1. Corriente mxima en directa, IFmax o IFM (DC forward current): Es la corriente continua
mxima que puede atravesar el diodo en directa sin que este sufra ningn dao. Tres
lmites:
Corriente mxima continua (IFM).
Corriente de pico transitoria (Peak forward surge current), en la que se especifica
tambin el tiempo que dura el pico.
Corriente de pico repetitivo (Recurrent peak forward current), en la que se
especifica la frecuencia mxima del pico.
2. Tensin de ruptura en polarizacin inversa (Breakdown Voltage, BV; Peak Inverse
Voltage, PIV): Es la tensin a la que se produce el fenmeno de ruptura por
avalancha.
3. Tensin mxima de trabajo en inversa (Maximun Working Inverse Voltage): Es la
tensin que el fabricante recomienda no sobrepasar para una operacin en inversa
segura.
4. Corriente en inversa, IR (Reverse current): Es habitual que se exprese para diferentes
valores de la tensin inversa
5. Cada de tensin en PD, VF (Forward Voltage): A veces no es 0.7 Volts.

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MODELOS DEL DIODO DE UNION PN

Modelos para seales continuas
Vlido tanto para seales contnuas como para de muy baja frecuencia.

n, es el factor de idealidad. El valor n se ubica dentro del rango entre 1 y 2.

Depende de las dimensiones del diodo, del material semiconductor, de la magnitud
de la corriente directa y del valor de IS.
VT, es el potencial trmico del diodo y es funcin de la constante de Boltzmann
(K), la carga del electrn (q) y la temperatura absoluta del diodo T(K). La siguiente
expresin permite el clculo de VT:

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R es la resistencia combinada de las zonas P y N, de manera que V-IR es la

tensin que se est aplicando en la unin PN, siendo I la intensidad que circula
por el componente y V la tensin entre terminales externos.
IS, es la corriente inversa de saturacin del diodo. Depende de la
estructura, del material, del dopado y fuertemente de la temperatura.

Modelo ideal del diodo de unin PN

Factor de idealidad como la unidad, n=1.
La resistencia interna del diodo es muy pequea. la
cada de tensin en las zonas P y N es muy pequea,
frente a la cada de tensin en la unin PN.

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Modelo lineal por tramos

En inversa, la corriente a travs de la unin es nula.
En directa, la cada de tensin en la unin PN (VON) es constante e
independiente de la intensidad que circule por el diodo.
Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unin PN de silicio. El
potencial trmico a esa temperatura (25 C) es VT=25.7 mV. Tomando como
variable independiente la intensidad I, la ecuacin ideal del diodo queda:

Por ejemplo, para un intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones

0.6 V <VDIODO< 0.77 V.
Estado

BIESTADO

Conduccin
Corte

Modelo

Condicin

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Conduccin o Polarizacin Directa "On. La

tensin es VON para cualquier valor de corriente.
Corte o Polarizacin Inversa "Off", donde la
corriente es nula para cualquier valor de tensin
menor que VON.
Modelo para pequeas seales de alterna
Se aplica:

La corriente:

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Modelo para pequeas seales de alterna

Supongamos que conocemos la amplitud de las oscilaciones de la tensin aplicada
(VD) y queremos conocer la amplitud de las oscilaciones de la corriente (ID). El
mtodo de clculo sera:

Para obtener la solucin al problema

citado de una forma ms simple se
linealiza la curva del diodo en el entorno
del punto de operacin, es decir, se
sustituye dicha curva por la recta que
tiene la misma pendiente en el punto de
operacin, segn se aprecia en la Figura

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Modelo para pequeas seales de alterna

A la derivada de la tensin con respecto a la corriente en el punto de operacin se

le llama resistencia dinmica del diodo rD, y su expresin puede determinarse a
partir del modelo exponencial del diodo, teniendo en cuenta que si VDQ es mayor
que VT puede despreciarse la unidad frente al trmino exponencial:

Aproximacin de Shockley

Aproximacin vlida en la regin de conduccin en polarizacin directa del diodo.

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DIODOS ZENER
Se aprovecha la tensin inversa de ruptura mediante el control de los niveles de
dopado. Se consiguen tensiones de ruptura de 2 200 Voltios y potencias
mximas de entre 0.5 W y 50 W.
El diodo zener se utiliza para trabajar en
la zona de ruptura, ya que mantiene
constante la tensin entre sus
terminales (tensin zener, VZ).
Estabilizacin de tensiones
Corriente mxima en inversa
Tensin Zener
Estado
Conduccin P.D.
Corte
Conduccin P.I.

Modelo
V=VON
I=0
V=VZ

Condicin
I>0
VZ<V<VON
I<0

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EJEMPLO DE APLICACION DEL DIODO: RECTIFICACION

La energa elctrica generada en las centrales de potencia es de tipo alterna
sinusoidal.
En ocasiones es necesario una tensin contnua.

Esquema general de la rectificacin.

Vi: tensin de entrada.

Vo:tensin de salida.
RL: resistencia asociada al aparato o "carga" que se conecta al rectificador.

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ESQUEMA BSICO. RIZADO DE LA ONDA DE SALIDA

VO = Vi -VON
Para Vi< 0 el diodo est en corte = no existe
corriente

Se intenta que esta onda de salida se

parezca lo ms posible a una lnea
horizontal.
Siempre existe desviacin de la ideal. Se
cuantifica por el rizado de la onda de
salida

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EL CONDENSADOR EN LOS RECTIFICADORES

Funcionamiento en vaco

VD 0. El diodo nunca
conducir > C no descarga.

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Funcionamiento en carga
I de carga del Condensador (muy pequea).
Para vi entre 0<wt</2
I de la resistencia

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Mientras el diodo est en corte, la parte derecha del circuito se comporta

independientemente con respecto al generador.

Descarga de C a travs de RL

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Rectificador onda completa

En semiciclo positivo de la seal: VA es mayor que VC: D1 y D3 no conducen

Circuito equivalente

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Rectificador de onda completa

durante los semiciclos negativos
Mejora con filtrado por
condensador