2.

- Semiconductores
SEMICONDUCTORES: Materiales que poseen un nivel de conductividad sobre algn punto
entre los extremos de un aislante y un conductor.
COBRE: = 10-6-cm
MICA:

= 1012-cm

SILICIO = 50 x 103-cm

GERMANIO: = 50 -cm

-Alto nivel de pureza

-Existen grandes cantidades en la naturaleza.
-Cambio de caractersticas de conductores a aislante por medio de procesos de dopado o
aplicacin de luz calor.
MATERIALES SEMICONDUCTORES (GERMANIO Y SILICIO):
Estructura atmica: Red cristalina
Enlaces entre tomos: Covalentes
Electrones de valencia: 4

NIVELES DE ENERGA : Mientras ms distante se

encuentre el electrn del ncleo mayor es el estado de
energa, y cualquier electrn que haya dejado su tomo,
tiene un estado de energa mayor que cualquier electrn
en la estructura atmica.

Banda de conduccin
Banda de conduccin
Banda prohibida
Eg > 5 eV

Banda prohibida
Eg = 1.1, 0.67, 1.41 eV

Banda de conduccin
Banda de valencia

Banda de valencia
Banda de valencia

Aislante

Semiconductor

Conductor

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Material Intrinseco

Materiales extrinsecos

Antimonio
Arsnico
Fsoforo

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

TIPO n

Boro
Galio
Indio

TIPO p

2.1 UNION p-n

TIPO p

TIPO n
Io n e s
d o n a d o re s

Io n e s
a c e p t o re s
P o rta d o re s
m a y o rit a rio s

P o rta d o re s
m a y o rit a rio s

P o rta d o re s
m in o rit a rio s

P o rta d o re s
m in o rit a rio s

Tip o p

T ip o n

R e g i n d e
a g o t a m ie n t o

Sin polarizacin

Polarizacin inversa

Polarizacin directa

ID

VT

Is

VD

DIODO
Es un elementos de dos terminales formado por una unin p-n

+
nodo

Ctodo

ID=IS(ekVD/Tk-1)
IS Corriente de saturacin inversa
K 11600/
Tk TC + 273

(=1 para Ge, y =2 para Si)

2.2 Caractersticas del Diodo

Resistencia en cd esttica:
RD=VD/ID
Resistencia que presenta el diodo cuando se aplica un voltaje en dc y pasa una
corriente ID
Resistencia en ac dinmica:
rD=VD / ID=(dID /dVD)-1=26mA /ID
Resistencia que slo se define en una regin, la cual queda limitada por la
seal en ac que se inyectar al diodo.
Resistencia en ac promedio:
rav= VD / ID|punto a punto
Se define como la resistencia determinada por una lnea recta dibujada entre 2
intersecciones establecidas por los valores mximos y mnimos del voltaje de
entrada.

Modelado de diodos
ID

Modelo Ideal:

VD

Modelo Simplificado:

ID

VT
VT

VD

Modelo de segmentos lneales:

VT
rav

ID

rav
VT

Ejemplos

VD

1k

E = RID+VD

1N4001

1.-

ID=IS(ekVD/Tk-1)

2.- VD=0 e ID=0, trazar en la curva del diodo,

interseccin de recta con curva es el punto Q.
3.-Sustituir el diodo por cualquier modelo de
equivalente.

Ejemplos

2.4 Anlisis de circuitos con diodos

Si

Con fuentes de cd.

-Determine el estado del diodo

ID1, ID2, IR, V0.

-Sustituya el equivalente adecuado

-Determine los parmetros restantes de la red.
12V

Si

Ge

Ge

5.6k

2.2K

Si

12V

R3

V R.

V R, I R

3.3K
12V

Si

Si

5.6k
20V

R3

VD1 , VD2, ID, VR.

Ambos casos

4.7K
10V

IR1, IR2,
2.2K

+
V0

E=8V, 0.5

5V

R3=2.2k, 1.2k
VD, ID, V0.

Si

5.6K

Si

Determine VD,, VR, ID.

Si

Si

10V

330

V0
-