Circuitos de excitacin y

proteccin.

Dispositivos de potencia

Introduccin

Minimizar las prdidas de potencia en los interruptores

electrnicos.

Prdidas en conduccin
Prdidas en conmutacin.
Solucin: acelerar las transiciones.

Los circuitos de proteccin se disean para alterar la forma de

onda de conmutacin, de forma que se reduzcan las prdidas
de potencia y se proteja el interruptor.

Circuitos de excitacin de transistores bipolares.

Dispositivo controlado por corriente.

Tiempo de puesta en conduccin depende de la rapidez con la
que se inyecte las cargas necesarias en la base del transistor.
Velocidades de conmutacin de entrada se pueden reducir
aplicando inicialmente un pico elevado de corriente de base y
disminuyendo la corriente hasta la necesaria para mantener el
transistor en conmutacin. Igualmente se necesita un pico de
corriente negativa en el apagado.

Esquema

Formulacin.
Cuando la seal pasa a nivel alto
R2 estar cortocircuitada
inicialmente. La corriente de base
inicial ser IB1.
Cuando C se cargue, la corriente
de base ser IB2.
Se necesitar de 3 a 5 veces la
constante de tiempo de carga del
condensador para considerarlo
totalmente cargado.

La seal de entrada pasa a nivel

bajo en el corte y el condensador
cargado proporciona el pico de
corriente negativa.

I B1
IB2

Vi VBE
R1

Vi VBE

R1 R2
R1.R2
.C
R1 R2

RE .C

Forma de onda de la IB

Ejemplo.

Disear un circuito de excitacin de un BJT (TIP31C). Que tenga un

pico de 1A de corriente de base y de 0.2A en conduccin. La tensin
de excitacin es de 0 a 5V, cuadrada, con un ciclo de trabajo del 50%
y una frecuencia de conmutacin de 25Khz.

I B1

Vi VBE 5 1

1A R1 4
R1
R1

IB2

Vi VBE
5 1

0, 2 A R2 16
R1 R2 4 R2
R1.R2
20u
4.16
.
C

.
C

C 1, 25uF

5
4 16
R1 R2

RE .C

Simulacin del ejemplo

Potencias perdidas en ambos casos

Enclavador Baker

Se usa para reducir los tiempos de conmutacin del transistor bipolar.

Mantiene al transistor en la regin de cuasi-saturacin.
Evita que VCE sea muy baja.
Las prdidas son mayores.

VCE VBE nV
. D VDs

Ds

D1

Dn
D0

Vcc

Darlington
Incrementar la Beta del
transistor equivalente, con
el fin de mejorar la
excitacin

Circuitos de excitacin de MOSFET

Es un dispositivo controlado por tensin.

Estado de conduccin se consigue cuando la tensin puerta-fuente
sobrepasa la tensin umbral de forma suficiente.
Corrientes de carga son esencialmente 0.
Es necesario cargar las capacidades de entrada parsitas.
Velocidad de conmutacin viene determinada por la rapidez con que
la carga de esos condensadores pueda transferirse.
Circuito de excitacin debe ser capaz de absorber y generar
corrientes rpidamente para conseguir una conmutacin de alta
velocidad.

Esquema
Vcc
Vcc
Carga
Carga
R

Carga

Vi
Circuito de Control

Totem-Pole
Totem-Pole con Buffer

Ejemplo

Calcular la excitacin de un Mosfet de

potencia que tiene las siguientes
caractersticas:

VTH=2 a 4V.
VGSmx=20V
VDSmx=100V
Capacidades parsitas= las de la
figura.

Se precisa que el Mosfet conmute al

cabo de 50ns o menos. Si la tensin
de excitacin es de 12V y la de
alimentacin es de 100V calcular la
corriente necesaria y la RB que la
limite.

Solucin

Vemos que las capacidades de entrada y salida a ms de 60V es

de 300pF y 50pF respectivamente. Como ambas se tienen que
cargar, necesitaremos:

dVDG
100V 12V
50 pF .
88mA
dt
50ns
dV
12V 2V
I G CGS . GS 300 pF .
60mA
dt
50ns
Total 148mA
I DG CDG .

Circuito propuesto.
RB

12V 4V 54
148mA

50 normalizado
+100V

+12V

Carga

RB

Simulacin.

Esquemas de excitacin con CI

Etapas Push-Pull y medio puente con CI

Circuitos Bootstrap
VCC

Cuando se requiere que el

circuito de excitacin sea
flotante con respecto a la masa
del circuito. Se llaman de
lado alto. Uno de ellos podra
ser el bootstrap.
M1
Vi
T1

RL

M2

Circuitos Bootstrap con CI

VCC

IR2110

Circuitos de Aislamiento de la
excitacin

Muchas veces resulta necesario aislar las excitaciones de dos interruptores

para evitar cortocircuitos o perturbaciones.
Aislamiento ptico: Optoacopladores.
Aislamiento magntico: Transformadores.

1:1

ITr

ID

Forma de onda de salida del

acoplador inductivo.

Optoacopladores

Optoacopladores

Circuitos de proteccin.

Protegen al transistor
reduciendo sus
prdidas de potencia
en la conmutacin.
No reducen las
prdidas totales de
conmutacin.
Protegen al
dispositivo del stress
al que se ve sometido
durante la
conmutacin debido a
las altas tensiones y
corrientes.

IL

Circuito de proteccin de transistor

v
i

DL

IL

Ds

P
v

v
i

i
P

Formulacin.
1 t I Lt
I Lt 2
C 0 t dt 2Ct ..................................0 t t f
f
f

1 t
I t
I
VC t I L dt vc t f L t t f L f ....t f t t x
tf
C
2C
C
VS ..................................................................t t x

Si la corriente del interruptor llega a cero

antes de que el condensador se cargue por
completo la tensin del condensador se
calcula a partir de la primera ecuacin,
saliendo:

I L .t f
2V f

El condensador se elige a veces de

forma que la tensin del interruptor
alcance su valor final al mismo tiempo
que la corriente vale cero

I L .t f
2VS

Formulacin.

Para calcular el valor de la resistencia, sta se elige de forma

que el condensador se descargue antes de que el transistor
vuelva a apagarse. Se necesitan de 3 a 5 intervalos de tiempo
para que se descargue el condensador.

tON
tON 5RC , R
5C
1
W CVS2
2
1
CVS2
1
PR 2
CVS2 f
T
2

Formulacin.

Las prdidas en el transistor varan con el circuito que se aade. La

primera frmula se refiere a las prdidas en el transistor sin circuito
de proteccin.

1
PQ I LVS ts t f f
2
2
tf I t
1 T
L
PQ vQ iQ dt f
0 2Ct
T 0
f

t
I
1

L
tf

I L2t 2f f
dt
24C