PLASMONIC COMMUNICATION

QU ES UN PLASMN? Los plasmones son ondas de densidad de electrones (gas de electrones libres), que se crea cuando la luz incide sobre la superficie de un metal en condiciones adecuadas. Estas ondas de densidad se generan a frecuencias pticas y son muy pequeas y rpidas. Pueden codificar una gran cantidad de informacin, ms de lo que es posible para la electrnica convencional. Cuando la ptica externa de una frecuencia especfica golpea una superficie metlica, para que se produzca resonancia, el gas de electrones en la superficie del metal acta como plasmones, y el estudio de este acto de resonancia de gas de electrones (plasmones) junto con la ptica externa se conoce como Plasmnica.

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Las ondas de electrones (seal) se producen en una superficie metlica (alambre metlico muy pequeo en comparacin con las fibras pticas), que llevan una gran cantidad de informacin y se mueven de un punto a otro, pero hasta unos pocos milmetros. La transferencia de datos pticos, como en la fibra ptica, permite un gran ancho de banda, pero requiere "cables" voluminosos (realmente tubos con interiores reflectantes). La transferencia electrnica de datos funciona en las frecuencias inferiores a la fibra ptica, pero slo requiere de cables diminutos. La Plasmnica (a veces llamada luz sobre un alambre), permitira la transmisin de datos a frecuencias pticas a lo largo de la superficie de un alambre de metal pequeo, a pesar del hecho de que los datos viajan en forma de distribuciones de densidad de electrones en lugar de fotones.

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En Plasmonic, el procesamiento de seal se realiza sobre surface plasmon-polariton (SPP) en vez de fotones. Los SPP son ondas electromagnticas acopladas a oscilaciones de densidad de carga en la interfaz entre un material de permitividad negativa (un metal) y uno de permitividad positiva(un dielctrico). Esto tiene sus limitaciones pues los plasmones se disipan luego de unos pocos milmetros, hacindolos muy efmeros para servir como base para chips de ordenadores (que tienen unos centmetros de dimetro). Para lograrlo se necesita un material con ndice de refraccin idealmente negativo para que la energa electromagntica entrante se refleje paralela a la superficie del material y se transmita a lo largo de su longitud. Para que esto ocurra se necesitan de materiales nano estructurados para la fabricacin de dispositivos plasmonicos eficaces.

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Veremos la intercomunicacin plasmnica chip a chip

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GUIAS DE ONDA PLASMONICAS Una gua de onda es cualquier estructura fsica que gua ondas electromagnticas. Veremos unos ejemplos en los que los SPP se propagan a lo largo de las interfaces metal-dielctrico. Los espesores de la capa pueden variar de nanmetros (ms pequeas que la longitud de onda ptica) a unos pocos cientos de nanmetros. Los grficos indican la fuerza del campo elctrico al aumentar la distancia a la interfaz.

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GUIAS DE ONDA PLASMONICAS Interfaz simple entre un metal y un dielctrico

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GUIAS DE ONDA PLASMONICAS Dielectrico-metal-dielectrico

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GUIAS DE ONDA PLASMONICAS Metal-dielectrico-metal

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GUIAS DE ONDA PLASMONICAS La distribucin del principal componente del campo elctrico transversal de los SPP se muestra como las curvas de la seccin transversal de cada estructura. La propagacin se produce a lo largo de los eje + z (perpendicular a la pgina). Hay un intercambio entre el alto confinamiento de la energa con altas prdidas de propagacin y longitudes largas, pero se puede evitar mediante el uso de diferentes diseos o materiales geomtricos. Tambin es posible aumentar las longitudes de propagacin mediante la introduccin de amplificacin dentro de los materiales.

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LASERS PLASMONICOS Y NONOLASER DE CAVIDAD METALICA Los nanolseres semiconductores de electricidad por bombeo con cavidades metlicas son algunos de los lseres ms compactos. Generan un gran inters debido a su potencial para la alta densidad de integracin, operacin de baja corriente, modulacin ultra-rpido y la inmunidad a la diafona.

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LASERS PLASMONICOS Y NONOLASER DE CAVIDAD METALICA

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LASERS PLASMONICOS Y NONOLASER DE CAVIDAD METALICA La imagen anterior nos mostr un nanolser metal-dielctrico acoplado a una gua de ondas capaz de proporcionar hasta 100 mW de potencia de salida, de acuerdo con las simulaciones.

Imagen SEM(escaneo microscopico elctrico) de un pilar de semiconductores destinados a formar la cavidad laser.

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LASERS PLASMONICOS Y NONOLASER DE CAVIDAD METALICA Seccin transversal que muestra el acoplamiento evanescente entre el lser y el pilar de la gua de onda. El mdulo al cuadrado de la distribucin del campo elctrico se muestra en la escala logartmica.

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MODULADORES PLASMONICOS Un modulador es un dispositivo que varia la forma de una onda de una seal de acuerdo a una tecnica especifica. Los moduladores plasmonicos codifican las seales elctricas en SPPs y luego transformar la informacin en una seal ptica. Ellos aumentan la interaccin elctrica-plasmnica por confinar fuertemente sus campos en una pequea regin activa del modulador. Las dimensiones ultra-compactas de moduladores plasmnicas tambin ayudan a superar las limitaciones de velocidad, tales como las impuestas por RC-constantes o el walk-off entre las ondas elctricas y pticas de los dispositivos convencionales.

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FOTODETECTORES PLASMONICOS Y AMPLIFICADORES El fotodetector est hecho de una capa conductora 100 nm de espesor de sulfuro de plomo (PbS) puntos cunticos que pueden generar una corriente elctrica en respuesta a los fotones entrantes. El enfoque QD-slido se considera un concepto nuevo y avanzado para fotodeteccin, dada la alta absorcin de puntos cunticos, el bajo coste de la tcnica de procesamiento de solucin utilizada para depositar el material y su integracin en tecnologa de silicio. Adems, este concepto se puede combinar fcilmente con capas plasmnicas basados en nanopartculas de metal, debido a una mejora de la capacidad de respuesta se espera debido al efecto de retencin de la luz en el borde de la banda de la QDslido.

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FOTODETECTORES PLASMONICOS Y AMPLIFICADORES

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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO FACULTAD DE CIENCIAS NATURALES Y MATEMATICA ESCUELA PROFESIONAL DE FISICA OPTICA FISICA
MARTELL MELGAREJO JAIME JONATHAN 070985G

2013