Tema1 SemiConduct

SEMICONDUCTORES
Jos Carlos Gmez Mancilla

UN semiconductor es un elemento que se comporta como un
conductor o como aislante dependiendo de diversos factores,
como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin,
la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el
que se encuentre.

SEMICONDUCTOR

Elemento Grupos
Electrones en
la ltima capa
Cd 12 2 e
-

Al, Ga, B, In 13 3 e
-

Si, C, Ge 14 4 e
-

P, As, Sb 15 5 e
-

Se, Te, (S) 16 6 e
-

Los elementos qumicos semiconductores de la
tabla peridica se indican en la tabla adjunta.
El elemento semiconductor ms usado es el SILICIO,
el segundo el GERMANIO,

. Los elementos dopantes tienen como caracterstica
comn que generalmente son tetravalentes o
pentavalentes
7

Anlisis Fsico: La existencia de electrones libres (que puedan dar corriente) es
una cuestin energtica:
SEMICONDUCTORES
Estn formados por tomos donde los vecinos ms cercanos estn enlazados de manera covalente
Los cristales de semiconductores
Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando una estructura ordenada
llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces Covalentes", que son las uniones entre tomos que se hacen
compartiendo electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que mantiene
unidos los tomos de Silicio.
ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN SEMICONDUCTOR
INTRNSECO
Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio
(que slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda
de valencia), se unen formando enlaces covalente para
completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido
semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se
comportar igual que si fuera un cuerpo aislante.

SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
En un material intrnseco cuando se encuentra en estado
puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de
otro tipo dentro de su estructura. En este caso, la cantidad de
huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al
atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de
electrones libres que se encuentran presentes en la banda de
conduccin.
En un semiconductor puro, a temperatura ambiente este se
comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos
electrones libres y huecos debidos a la energa trmica.

En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total
resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones
libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la
corriente total es cero.
15
Cristal Semiconductor intrnseco:
A simple vista es imposible que un semiconductor permita el movimiento de electrones
a travs de sus bandas de energa
Idealmente, a T=0K, el semiconductor es un aislante porque todos los e- estn formando
enlaces.

SEMICONDUCTORES
Pero al crecer la temperatura, algn enlace covalente se puede romper y quedar
libre un e- para moverse en la estructura cristalina.

Representacin
bidimensional de la
estructura cristalina
del Si

El hecho de liberarse un e- deja un hueco (partcula ficticia positiva) en la estructura
cristalina. De esta forma, dentro del semiconductor encontramos el electrn libre (e-), pero
tambin hay un segundo tipo de portador: el hueco (h+)
SEMICONDUCTORES DOPADOS
En la produccin de semiconductores,
se denomina dopaje al proceso
intencional de agregar impurezas en un
semiconductor extremadamente puro
(tambin referido como intrnseco) con
el fin de cambiar sus propiedades
elctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores
a dopar. A los semiconductores con
dopajes ligeros y moderados se los
conoce como extrnsecos. Un
semiconductor altamente dopado, que
acta ms como un conductor que
como un semiconductor.
Semiconductores Tipo P
En la figura se presenta la estructura cristalina del Silicio (Si)
dopado con Aluminio (Al). Por cada tomo de impurezas
trivalente que se aade al semiconductor intrnseco
aparece en la estructura un hueco, o lo que es lo mismo, la
falta de un electrn.
Aadiendo un tomo de impurezas trivalente por cada
milln de tomos de semiconductor existen: 10
16
huecos
libres y 10
10
electrones libres por cm
3,
a la temperatura
ambiente. Como en este semiconductor hay mayor numero
de cargas positivas o huecos, se les denomina a estos,
portadores mayoritarios; mientras que los electrones libres,
nicamente propiciados por los efectos de la agitacin
trmica son los portadores minoritarios. Por esta misma
razn el semiconductor extrnseco as formado recibe el
nombre de SEMICONDUCTOR EXTRINSECO TIPO P, siendo
neutro el conjunto de la estructura, al igual que suceda con
el TIPO N.
Semiconductores Tipo N
Como se aprecia el tomo de Sb no solo cumple con los cuatro
enlaces covalentes, sino que an le sobra un electrn, que
tiende a salirse de su rbita para que quede estable el tomo
de Sb. Por cada tomo de impurezas aadido aparece un
electrn libre en la estructura. Aunque se aadan impurezas
en relacin de uno a un milln, en la estructura del silicio
adems de los 10
10
electrones y 10
10
huecos libres que existen
por cm
3,
a la temperatura ambiente, hay ahora que sumar una
cantidad de electrones libres equivalente a la de tomos de
impurezas. En estas condiciones el Si con impurezas de Sb
alcanza 10
16
electrones libres y 10
10
huecos libres por cm
3
,
siendo en consecuencia el numero de portadores elctricos
negativos mucho mayor que el de los positivos, por lo que los
primeros reciben la denominacin de portadores mayoritarios
y los segundos la de portadores minoritarios y, por el mismo
motivo, se le asigna a este tipo de semiconductores
extrnsecos la clasificacin de SEMICONDUCTOR EXTRNSECO
TIPO N.
24
Sb
Sb

Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb
Sb

Sb
Sb

Sb
Impurezas grupo V

300K
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+

Material extrnseco Tipo N:
Impurezas del grupo V de la tabla peridica.
Con muy poca energa se ionizan (pierden
un electrn.

Material extrnseco Tipo P
Impurezas del grupo III de la tabla peridica
A T=300 K todos los tomos de impureza
han captado un electrn.
Los portadores mayoritarios de carga en un
semiconductor tipo N son Electrones libres
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al
Al

Al
300K
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Los portadores mayoritarios de carga en un
semiconductor tipo P son Huecos: Actan como
portadores decarga positiva.
SEMICONDUCTORES

Resumiendo, semiconductores extrnsecos
tomos de impurezas ionizados

ESTRUCTURA DE BANDA DE TIPO N
La adicin de impurezas donantes contribuye a subir los niveles de energa de los electrones en la
banda prohibida del semiconductores, de modo que pueden ser excitados fcilmente hacia la banda
de conduccin. Esto desplaza el nivel de Fermi efectivo, a un punto a medio camino entre los niveles
de los electrones donantes y la banda de conduccin.
Con la energa proporcionada por un
voltaje aplicado, los electrones pueden
ser elevados a la banda de conduccin, y
moverse a travs del material. Los
electrones se dice que son los
"portadores mayoritarios" del flujo de
corriente en un semiconductor de tipo
n.

BANDAS EN LOS SEMICONDUCTORES DOPADOS.
ESTRUCTURA DE BANDA EN EL TIPO P
La adicin de impurezas aceptoras contribuye a bajar los niveles de los huecos en la banda prohibida de
los semiconductores, de modo que los electrones pueden ser fcilmente excitados desde la banda de
valencia hasta estos niveles, dejando huecos mviles en la banda de valencia. Esto desplaza el nivel de
Fermi efectivo, a un punto a medio camino entre los niveles aceptores y la banda de valencia.
Con la energa proporcionada por un voltaje
aplicado, los electrones pueden ser elevados
desde la banda de valencia hasta los huecos en la
banda prohibida. Dado que los electrones pueden
ser intercambiados entre los huecos, se dice que
son mviles. Los huecos se dice que son los
"portadores mayoritarios" para el flujo de
corriente en un semiconductor de tipo p.
Unin del Semiconductor P con N
Al colocar parte del semiconductor TIPO P junto a otra parte del semiconductor TIPO N, debido a la ley de
difusin los electrones de la zona N, donde hay alta concentracin de estos, tienden a dirigirse a la zona P,
que a penas los tiene, sucediendo lo contrario con los huecos, que tratan de dirigirse de la zona P, donde hay
alta concentracin de huecos, a la zona N. Eso ocasiona su encuentro y neutralizacin en la zona de unin. Al
encontrarse un electrn con un hueco desaparece el electrn libre, que pasa ocupar el lugar del hueco, y por
lo tanto tambin desaparece este ltimo, formndose en dicha zona de la unin una estructura estable y
neutra.
13
SEMICONDUCTORES
Modelo de bandas de energa: Clasificacin

Las energas que tienen los electrones en el cristal son semejantes a las que tienen
en los tomos libres pero los electrones deben obedecer al principio de exclusin
de Pauli (no puede haber dos e- en el mismo estado cuntico)

En los slidos, debido a la interaccin entre los tomos que forman el cristal, aparece un
desdoblamiento de estados desdoblamiento de energas.
Cada nivel en el tomo forma una banda. Para la distancia intertomica de equilibrio pueden
las bandas estar

Aparece un GAP de
energas no
permitidas: Eg
Solapadas METAL
Separadas (0.5-4 eV) SEMICONDUCTOR
Muy separadas (> 4eV) AISLANTE

Ahora bien, esta corriente que aparece es de muy pequeo valor, pues son pocos los electrones que
podemos arrancar de los enlaces entre los tomos de silicio. Para aumentar el valor de dicha corriente
tenemos dos posibilidades:
- Aplicar una tensin de valor superior.
- Introducir previamente en el semiconductor electrones o huecos desde el exterior
Gracias..

semiconductores
26
Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

En un semiconductor tanto intrnseco como extrnseco, se cumple:

A una Temperatura dada: el producto de las densidades de los dos tipos de
portadores e mantiene constante

En un semiconductor extrnseco, el incremento de un tipo de portador tiende a reducir el
otro.
Ley de cuasi-neutralidad elctrica (general)

n p = ni2
n: nmero de e- /volumen
p: nmero de h+ /volumen
ni: concentracin intrnseca
TEMA 1. SEMICONDUCTORES
1.4. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR

Ley de accin de masas
NA A+n = ND D+ p
Lo que indica que las cargas positivas deben ser igual que las negativas

NA: densidad de impurezas aceptadoras
ND: densidad de impurezas donadoras
27

Semiconductor intrnseco:

NA = ND = 0 p = n = ni

Semiconductor tipo N

Semiconductor tipo P
1.4. DENSIDAD DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR

Leyes de accin de masas y de cuasi-neutralidad elctrica. Casos particulares
NA A+n = ND D+ p
NA: dens. iimpurezas aceptadoras
ND: dens. impurezas donadoras
i
n p = ni2
i
n2

ND

n2

NA
NA = 0; n ~ ND p ~

ND = 0; p ~ NA n ~
29

El movimiento de electrones y huecos (partculas cargadas) da lugar a
una corriente.
Esta corriente es la manera de operar de los dispositivos electrnicos
Que a su vez controlan la corriente en la malla en la que estn situados.

Veamos los diferentes fenmenos a los que estn expuestos los
portadores:

Movimiento aleatorio trmico

Arrastre o desplazamiento

Difusin

Generacin-recombinacin
1.5. TRANSPORTE DE PORTADORES EN UN SEMICONDUCTOR
m vth =
30

El portador se mueve rpidamente dentro del cristal en
todas las direcciones alternando recorridos libres y
colisiones con los tomos de la red.
En equilibro trmico y sin campo elctrico aplicado
(E=0), el movimiento de todos los portadores se cancela
y la corriente media en cualquier direccin es nula.

En equilibrio trmico, los portadores dentro del semiconductor estn siempre en
movimiento trmico aleatorio.

La mecnica estadstica nos dice que: un portador a una temperatura T tiene una
energa trmica media de 3KBT/2
Esta energa trmica le sirve para moverse (convertirla en energa cintica) a una
KBT
3
2
velocidad trmica : vth

1 * 2
2

Movimiento aleatorio trmico
m*: masa efectiva del portador

KB: Constante de Boltzmann

KBT (300K): 0.026 eV
Albella. J. M. et al, 1996
vdp =
et p
vdn =
et n

Movimiento de los portadores

Cuando se aplica E: los portadores sufren una
fuerza igual a :
F= - e E para electrones (acelerados en sentido
opuesto al campo)
F= e E para huecos (acelerados en el sentido
del campo)
Estas fuerzas proporcionan una aceleracin (2 ley de Newton) una velocidad
media neta que se puede escribir (estadsticamente, en media)
mn

E = nE
*
mp

* E = pE

Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva
mn*: masa efectiva de electrones
tn: tiempo medio entre choques
n: movilidad de electrones
Los valores: m*, t, son propios de cada tipo
de portador y del semiconductor.
En general mp*> mn*, y tn=tp vdn>vdp

31
Movimiento de un electrn
bajo la accin de un E
Albella. J. M. et al, 1996

vp = pE
In = e Anvdn =e AnnE
32

La corriente elctrica (n de portadores que atraviesan una superficie por unidad de tiempo) es:


Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva (II)
Clculo de las corrientes de arrastre

Consideramos un pedazo de semiconductor homogneo de rea A transversal y
longitud L.

Eext

vn = -nE A

L
FFI-UPV.es
Semiconductor tipo N homogneo:
33
Sustituyendo en la ecuacin anterior, obtenemos que en un semiconductor se cumple la Ley
de OHM:


Semiconductor tipo N homogneo, en el que se cumple:
El campo elctrico es constante y depende de
la diferencia de potencial externo aplicado entre extremos:
La resistencia de la muestra est relacionada con su
conductividad/resistividad:
V
Rn
V
L
V
L
= = Ao n In =e Ann
L
A
L
1 L
o n A
= Rn = n
E =V

Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva (III)
o n =enn Siendo la conductividad del semiconductor debida a los electrones
I p = e A pvdp =e A ppE = e A pp
34


De manera anloga en un semiconductor tipo P homogneo:
La corriente de arrastre de huecos:
De nuevo, la resistencia de la muestra est relacionada
con su conductividad/resistividad:
Sustituyendo obtenemos : con:
L
A
1 L
o p A
= Rp = p
o p =e pp

Aplicacin de un campo elctrico (E): arrastre o deriva (IV)
V
L

V
Rp
V
L
V
L
= = Ao p I p =e A pp

35
p = n = ni

o = e(nn + pp)

o = e ni(n + p)
P
o ~ qpp
n >> p
o~ qnn

p >> n
N
Extrnsecos

Corrientes de deriva/arrastre/desplazamiento en SC
En un semiconductor con ambos tipos de portadores:
V
L
I = In + I p = A(o n +o p)
V
L
I
A
= (o n +o p)
J = (o n +o p)E =oT E
3 Eg
Intrnsecos
FFI-UPV.es
.
www.textoscientificos.com

ni = f(t) = AT2e 2kT

36

La difusin ocurre como consecuencia de la no-homogeneidad de concentracin
los portadores se difunden desde donde la concentracin es mas alta hacia donde
es ms baja.

Fenmenos de difusin (I)
D: coeficiente de difusin

N: concentracin de portadores
dN
dx
F =D
Cmo son partculas cargadas este movimiento da lugar a corrientes de difusin:
obedecen a la Ley de Fick:
Vn = 0
d n
dx
Vn =
FFI-UPV.es
In = e An nE + Dn
| dn|
dx .
I = In + I p
I p = e An nE Dn |
37

Las corrientes de difusin de electrones y de huecos, se pueden calcular partiendo
del flujo como:
Corrientes TOTALES (arrastre+ difusin)
La corriente total en un semiconductor en general (con ambos tipos de portadores)
debe obtenerse por la suma de las componentes de arrastre ms las de difusin de
ambos tipos de portadores:
dx . )
|
\
`
| dn|
\ Mara Jess Martn Martnez : mjmm@usal.es

Fenmenos de difusin (II)
dn
dx
dp
dx
In = eAF = e ADn

I p = eAF =e ADp
Dn: coeficiente de difuson de electrones

Dp: coeficiente de difuson de huecos
Los signos indican que la corriente de difusin de huecos es opuesta a su gradiente.
Este fenmeno se caracteriza por un nmero : G th
R R th = = G th
n n 0 p p 0 = = n i22
38
Es importante resaltar como en equilibrio, ambos fenmenos se
compensan:
(de manera que se mantiene la validez de la ley de accin de masas). Siendo n0 y p0 son
las densidades de electrones y de huecos en la BC y BV en equilibrio.



Fenmenos de generacin-recombinacin (g-r) (I)
En equilibrio trmico: Para una T dada, los portadores poseen
una energa trmica:
Algunos electrones de la BV pueden alcanzar la BC, dejando un
hueco en la BV Se genera un par e-h: fenmeno degeneracin.

(nmero de pares generados por unidad de volumen y de tiempo.

Tambin un electrn de la BC puede pasar a la BV (desaparece un
par electrn-hueco) fenmeno derecombinacin.
Este fenmeno se caracteriza por un nmero : R th

(nmero de pares recombinados por unidad de volumen y de tiempo)
0 0 i
n
th th
G
Gth
Gth=2
Rth
Rth=1
n0
p0
FFI-UPV.es
F
o
t
o
c
o
n
d
u
c
t
i
v
i
d
a
d

d
e
l

S
i

cc = = h u u> > GAP SC
39


Fenmenos de g-r (I I)

En situaciones de NO equilibrio trmico:

EJEMPLO INYECCION OPTICA

Hacemos incidir sobre el SC un rayo de luz cuya

energa es igual o superior que el GAP del material.
SC
h GAP
h: Cte de planck: 4.14 10-15 eV s
u: frecuencia de la radiacin
Si la energa de los fotones es absorbida por un
electrn de la BV que pasa a la BC se produce el
fenmeno ADICIONAL de generacin llamado
FOTO-generacin aumento de la
cantidad de portadores (tanto electrones como huecos)
Este fenmenos es la base de los fotodetectores:
La consecuencia es que tiene lugar un aumento de
la conductividad que depende de la iluminacin
FOTO-CONDUCTIVIDAD.
luz
A
GAPSC
Frecuencia radiacin
Energa de los fotones

FFI-UPV.es
Este fenmeno se caracteriza por un nmero : G L
40

(nmero de pares generados por unidad de volumen y de tiempo.

Ahora el nmero de electrones y de huecos en las bandas de valencia

y conduccin ser:

De manera que ahora ya no se cumple la ley de accin de masas.

Debido a esa generacin extra los g-r intentarn reestablecer el
equilibrio: aumentarn los fenmenos de recombinacin:
RECOMBINACION RADIATIVA: U Al final habr una densidad
estacionaria de portadores (diferente de equlibrio).


Fenmenos de g-r (I II )
En situaciones de NO equilibrio trmico: Inyeccin ptica

Tenemos una nueva componente g-r : FOTOGENERACION

n p >>nni2
i2
n=n0+ An
p=p0+ Ap
o = e(n n+p p) = o0+ Ao
GL
Luz
hu >GAPSC
U
FFI-UPV.es

Aumento de conductividad
debido a la iluminacin

FFI-UPV.es
41

De modo, que en total, bajo situaciones de NO equilibrio trmico:
EJEMPLO de Inyeccin ptica
El nmero de portadores generados GLOBAL por foto-conductividad se puede expresar como:


Fenmenos de g-r (I II )
An = GLt
Ap= GLt
GL: nmero de portadores que se generan/ (m3 s)
t: tiempo de vida media por recombinacin (s)
GL
Finalmente, debemos considerar las 4 componentes mencionadas

Luz
hu >GAPSC
Gth Rth U
FFI-UPV.es


Tema1 SemiConduct

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Tema1 SemiConduct

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

SEMICONDUCTORES

Jos Carlos Gmez Mancilla

También podría gustarte