ELECTRICIDAD & ELECTRNICA INDUSTRIAL

PROFESOR:

3 ELECTRNICA INDUSTRIAL BSICA

3.2 INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA INDUSTRIAL (ANALGICA Y DIGITAL)

SEALES ELCTRICAS Y ELECTRNICAS

En electrnica se trabaja con variables que toman la forma de Tensin o corriente estas se pueden denominar comnmente seales.
Las seales primordialmente pueden ser de dos tipos: Va r i ab l e a n a l g i c a Va r i ab l e d i g i t a l

Son aquellas que pueden tomar un nmero infinito de valores comprendidos entre dos lmites. La mayora de los fenmenos de la vida real dan seales de este tipo. (presin, temperatura, etc.)

Tambin llamadas variables discretas, entendindose por estas, las variables que pueden tomar un nmero finito de valores. .

TENSIN

Es la diferencia de potencial generada entre los extremos de un componente o dispositivo elctrico. Tambin podemos decir que es la energa capaz de poner en movimiento los electrones libres de un conductor o semiconductor. La unidad de este parmetro es el voltio (V). Existen dos tipos de tensin: la continua y la alterna. Tensin continua (VDC) Es aquella que tiene una polaridad definida, como la que proporcionan las pilas, bateras y fuentes de alimentacin.

Tensin Alterna (VAC) Es aquella cuya polaridad va cambiando o alternando con el transcurso del tiempo. Las fuentes de tensin alterna ms comunes son los generadores y las redes de energa domstica.

CORRIENTE

Tambin denominada intensidad, es el flujo de electrones libres a travs de un conductor o semiconductor en un sentido. La unidad de medida de este parmetro es el amperio (A). Al igual que existen tensiones continuas o alternas, las intensidades tambin pueden ser continuas o alternas, dependiendo del tipo de tensin que se utiliza para generar estos flujos de corriente.

RESISTENCIA

Es la propiedad fsica mediante la cual todos los materiales tienden a oponerse al flujo de la corriente. La unidad de este parmetro es el Ohmio (). No debe confundirse con el componente resistor.

SEAL ANALGICA

Seal elctrica analgica es aquella en la que los valores de la tensin o voltaje varan constantemente en forma de corriente alterna, incrementando su valor con signo elctrico positivo (+) durante medio ciclo y disminuyndolo a continuacin con signo elctrico negativo () en el medio ciclo siguiente. El cambio constante de polaridad de positivo a negativo provoca que se cree un trazado en forma de onda senoidal. Una seal analgica es un tipo de seal continua en la que es variable su amplitud y periodo (representando un dato de informacin) en funcin del tiempo. En la naturaleza, el conjunto de seales que percibimos son analgicas, as la luz, el sonido, la energa etc., son seales que tienen una variacin continua.

Una onda senoidal es una seal analgica de una sola frecuencia. Los voltajes de la voz y del video son seales analgicas que varan de acuerdo con el sonido o variaciones de la luz que corresponden a la informacin que se est transmitiendo. Como ventaja principal es que es fcil de generar por medios mecnicos y fcil de transportar (con poca intensidad y a voltajes muy elevados).

SEAL DIGITAL

La seal digital es un tipo de seal generada por algn tipo de fenmeno electromagntico en que cada signo que codifica el contenido de la misma puede ser analizado en trmino de algunas magnitudes que representan valores discretos, en lugar de valores dentro de un cierto rango. Por ejemplo, el interruptor de la luz slo puede tomar dos valores o estados: abierto o cerrado, o la misma lmpara: encendida o apagada (vase circuito de conmutacin).
Los sistemas digitales, como por ejemplo el ordenador, usan lgica de dos estados representados por dos niveles de tensin elctrica, uno alto, H y otro bajo, L (de High y Low, respectivamente, en ingls). Por abstraccin, dichos estados se sustituyen por ceros y unos, lo que facilita la aplicacin de la lgica y la aritmtica binaria. Si el nivel alto se representa por 1 y el bajo por 0, se habla de lgica positiva y en caso contrario de lgica negativa.

LA EXISTENCIA DE ESTOS DOS TIPOS DE SEALES, ANALGICAS Y DIGITALES, HACE QUE APAREZCAN DOS TIPOS DE ELECTRNICA:

E L E C T RO N I C A A NA L O G I C A

E L E C T RO N I C A D I G I TA L

parte de la electrnica que estudia los sistemas en los cuales sus variables (en especial tensin y corriente) varan de una forma continua en el tiempo, pudiendo tomar infinitos valores.

En contraposicin a la electrnica Analgica se encuentra la electrnica digital donde las variables solo pueden tomar valores discretos, teniendo siempre un estado perfectamente definido (en general un valor fijo de tensin y corriente).

ELECTRNICA ANALGICA

Transistor bipolar, componente muy usado en sistemas analgicos.

EN LAS SEALES ANALGICAS, LA INFORMACIN SE ENCUENTRA EN LA FORMA DE LA ONDA

Pongamos un ejemplo: Disponemos de una medida real concreta; la longitud total de un coche, por ejemplo. En un sistema digital esta medida podra ser de 4 metros o de 4 metros y 23 centmetros. Podremos darle la precisin que queramos pero siempre sern cantidades enteras En un sistema analgico la medida sera la real; es decir 4,233648596... en teora hasta que llegsemos a la mnima cantidad de materia existente (siempre que el sistema de medida sea lo suficientemente exacto).

COMPONENTES ELECTRNICOS ANLOGOS

Los circuitos electrnicos constan de componentes electrnicos interconectados. Estos componentes se clasifican en dos categoras:
ACTIVOS: Los Diodos semiconductores, las Bateras (o pilas),

los Generadores, los Tubos de Vaco y los Transistores. PASIVOS: las resistencias, los condensadores y las bobinas.

COMPONENTES ACTIVOS

ACTIVOS

Componente electrnico es una entidad fsica en un sistema electrnico cuya intencin es afectar los electrones (o sus campos asociados) en una forma consistente con la funcin esperada del sistema electrnico. En otras palabras, es aquel dispositivo que forma parte de un circuito electrnico.
Componente el electrnico activo: Es un componente electrnico capaz de excitar los circuitos o de realizar ganancias o control del mismo. Son, en general, los generadores elctricos y ciertos componentes semiconductores (estos tienen un comportamiento no lineal, o sea, la relacin entre la tensin aplicada y la corriente demandada no es lineal).

TUBOS DE VACO:

Un tubo de vaco consiste en una cpsula de vidrio de la que se ha extrado el aire, y que lleva en su interior varios electrodos metlicos. Un tubo sencillo de dos elementos (diodo) est formado por un ctodo y un nodo, este ltimo conectado al terminal positivo de una fuente de alimentacin. El ctodo (un pequeo tubo metlico que se calienta mediante un filamento) libera electrones que migran hacia l (un cilindro metlico en torno al ctodo, tambin llamado placa).

DIODOS SEMICONDUCTORES:

El diodo semiconductor est constituido fundamentalmente por una unin P-N, aadindole un terminal de conexin a cada uno de los contactos metlicos de sus extremos y una cpsula que aloja todo el conjunto, dejando al exterior los terminales que corresponden al nodo (zona P) y al ctodo (Zona N) El diodo deja circular corriente a travs suyo cuando se conecta el polo positivo de la batera al nodo, y el negativo al ctodo, y se opone al paso de la misma si se realiza la conexin opuesta.

Esta interesante propiedad puede utilizarse para realizar la conversin de corriente alterna en continua, a este procedimiento se le denomina rectificacin.

DOPAJE (SEMICONDUCTORES)

En la produccin de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (tambin referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrnsecos. Un semiconductor altamente dopado, que acta ms como un conductor que como un semiconductor, es llamado degenerado.
El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una diferencia en las capacidades conductoras de un semiconductor es muy pequea. Cuando se agregan un pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1 cada 100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje es bajo o ligero. Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1 cada 10.000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto o pesado. Este dopaje pesado se representa con la nomenclatura N+ para material de tipo N, o P+ para material de tipo P.

ELEMENTOS DOPANTES

Semiconductores de Grupo IV
Para los semiconductores del Grupo IV como Silicio, Germanio y Carburo de silicio, los dopantes ms comunes son elementos del Grupo IIIo del Grupo V. Boro, Arsnico, Fsforo, y ocasionalmente Galio, son utilizados para dopar al Silicio.

TIPOS DE MATERIALES DOPANTES

TIPO N

Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los tomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsnico y elFsforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de los tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa necesaria para separarlo del tomo ser menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original). Finalmente, existirn ms electrones que huecos, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los ltimos los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fsforo (dopaje N). En el caso del Fsforo, se dona un electrn.

TIPO P

Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que permiten la formacin de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrn. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos prximos, generando finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios. Al igual que en el material tipo N, la cantidad de portadores mayoritarios ser funcin directa de la cantidad de tomos de impurezas introducidos.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrn y, por tanto, es donado un hueco del electron

DOPAJE EN CONDUCTORES ORGNICOS

Los polmeros conductores pueden ser dopados al agregar reactivos qumicos que oxiden (o algunas veces reduzcan) el sistema, para ceder electrones a las rbitas conductoras dentro de un sistema potencialmente conductor. Existen dos formas principales de dopar un polmero conductor, ambas mediante un proceso de reduccin-oxidacin. En el primer mtodo, dopado qumico, se expone un polmero, como la melanina (tpicamente una pelcula delgada), a un oxidante (tpicamente yodo o bromo) o a un agente reductor (tpicamente se utilizan metales alcalinos, aunque esta exposicin es bastante menos comn). El segundo mtodo es el dopaje electroqumico, en la cual un electrodo de trabajo, revestido con un polmero, es suspendido en una solucin electroltica, en la cual el polmero es insoluble, junto al electrodo opuesto, separados ambos. Se crea una diferencia de potencial elctrico entre los electrodos, la cual hace que una carga (y su correspondiente ion del electrolito) entren en el polmero en la forma de electrones agregados (dopaje tipo N) o salgan del polmero (dopaje tipo P), segn la polarizacin utilizada. La razn por la cual el dopaje tipo N es mucho menos comn es que la atmsfera de la tierra, la cual es rica en oxgeno, crea un ambiente oxidante. Un polmero tipo N rico en electrones reaccionara inmediatamente con el oxgeno ambiental y se desdopara (o reoxidara) nuevamente el polmero, volviendo a su estado natural.

TRANSISTORES:

El transistor bipolar fue inventado en 1948 para sustituir al tubo de vaco triodo. Est formado por tres capas de material dopado, que forman dos uniones pn (bipolares) con configuraciones pnp o npn. Una unin est conectada a la batera para permitir el flujo de corriente (polarizacin negativa frontal, o polarizacin directa), y la otra est conectada a una batera en sentido contrario (polarizacin inversa). Si se vara la corriente en la unin de polarizacin directa mediante la adicin de una seal, la corriente de la unin de polarizacin inversa del transistor variar en consecuencia.

El principio puede utilizarse para construir amplificadores en los que una pequea seal aplicada a la unin de polarizacin directa provocar un gran cambio en la corriente de la unin de polarizacin inversa.

ESTRUCTURA DEL TRANSISTOR

El transistor est formado por la unin de tres capas de material semiconductor, de tipo P y tipo N, dispuestas de forma alternada (en forma de sndwich). Segn la disposicin de estas capas, podemos tener dos tipos de transistores:
Transistor PNP. Transistor NPN. Los ms utilizados son los transistores NPN, por lo que vamos a centrarnos en el estudio de este tipo de dispositivos. Cada una de las tres partes que constituyen el transistor se conecta a un terminal metlico que permitir conectarlo a un circuito. Todo el conjunto se recubre con un encapsulado protector, que puede adoptar diversas formas y estar fabricado de materiales diversos (plstico, metal...). Por tanto, el transistor es un dispositivo de tres terminales, que reciben los nombres de emisor, base y colector.

Transistor

PODEMOS CONSIDERAR EL TRANSISTOR CONSTITUIDO POR DOS DIODOS:

Uno formado por la unin emisor-base. Otro por la unin base-colector.

Esta peculiar estructura constituye la base del funcionamiento del transistor, pues el terminal de base controla el paso de corriente elctrica entre el colector y el emisor.

ESQUEMA DE DOS TRANSISTORES

la flecha indica la direccin de la corriente que circula a travs del emisor: en un transistor NPN es saliente, mientras que en un transistor PNP va en sentido contrario, es decir, hacia dentro del dispositivo y, por consiguiente, la flecha se dibuja al revs. Por el transistor circulan un conjunto de corrientes elctricas cuyas direcciones y sentidos, para un transistor NPN, son: IB : intensidad de corriente de base. IC: intensidad de corriente de colector. IE: intensidad de corriente de emisor.
Se observa que las corrientes de base y de colector entran en el transistor, mientras que la corriente de emisor sale del dispositivo; en consecuencia, podemos establecer la siguiente relacin: IE = IB + IC

TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

(FET, acrnimo ingls de Field-Effect Transistor, se denominan asi por que durante su funcionamiento la seal de entrada crea un campo electronica que controla el paso de corriente atraves del dispositivo. durante su funcionamiento la seal de entrada La amplificacin de la corriente se consigue de manera similar al empleado en el control de rejilla de un tubo de vaco. Los transistores de efecto de campo funcionan de forma ms eficaz que los bipolares, ya que es posible controlar una seal grande con una cantidad de energa muy pequea Se utilizan preferentemente en la electyonica digital como amplificadores e interruptores lgicos.

SE LOS PUEDE USAR COMO AMPLIFICADORES O COMO INTERRUPTORES ELECTRNICOS. SU VENTAJA ES QUE PUEDEN TRABAJAR A ALTAS FRECUENCIAS MIENTRAS QUE LOS TBJ SOLO TRABAJAN EN FRECUENCIAS BAJAS Y MEDIAS LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO O FET (FIELD EFFECT TRANSISTOR) SON PARTICULARMENTE INTERESANTES EN CIRCUITOS INTEGRADOS Y PUEDEN SER DE DOS TIPOS: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO DE UNIN O JFET Y TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO METAL-XIDO SEMICONDUCTOR (MOSFET).

Ve n t a j a s d e l F E T
1) Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de entrada muy elevada (10^7 a 10^12 ohmios). 2) Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT. 3) Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT. 4) Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos y permiten integrar ms dispositivos en un CI. 5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para valores pequeos de tensin drenajefuente. 6) La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de almacenamiento. 7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes grandes.

D e s ve n t a j a s q u e l i m i t a n l a utilizacin de los FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada. 2) Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT. 3) Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica. En este apartado se estudiarn brevemente las caractersticas de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.

CIRCUITOS INTEGRADOS

La mayora de los circuitos integrados son pequeos trozos, o chips, de silicio, de entre 2 y 4 mm2, sobre los que se fabrican los transistores. Estos circuitos integrados son llamados monolticos por estar fabricados sobre un nico cristal de silicio. Los chips requieren mucho menos espacio y potencia, y su fabricacin es ms barata que la de un circuito equivalente compuesto por transistores individuales.

TIPOS

Existen al menos tres tipos de circuitos integrados: Circuitos monolticos: Estn fabricados en un solo monocristal, habitualmente de silicio, pero tambin existen en germanio, arseniuro de galio, silicio-germanio, etc. Circuitos hbridos de capa fina: Son muy similares a los circuitos monolticos, pero, adems, contienen componentes difciles de fabricar con tecnologa monoltica. Muchos conversores A/D y conversores D/A se fabricaron en tecnologa hbrida hasta que los progresos en la tecnologa permitieron fabricar resistores precisos. Circuitos hbridos de capa gruesa: Se apartan bastante de los circuitos monolticos. De hecho suelen contener circuitos monolticos sin cpsula, transistores, diodos, etc, sobre un sustrato dielctrico, interconectados con pistas conductoras. Los resistores se depositan por serigrafa y se ajustan hacindoles cortes con lser. Todo ello se encapsula, en cpsulas plsticas o metlicas, dependiendo de la disipacin de energa calrica requerida. En muchos casos, la cpsula no est "moldeada", sino que simplemente se cubre el circuito con una resina epoxi para protegerlo. En el mercado se encuentran circuitos hbridos para aplicaciones en mdulos de radio frecuencia(RF), fuentes de alimentacin, circuitos de encendido para automvil, etc.

EJEMPLOS DE CIRCUITOS INTEGRADOS

Comparador ( LM741, LM311...) .Se emplea para comparar el nivel de dos seales . Podemos, por ejemplo, activar un ventilador si se supera una determinada temperatura. Regulador de tensin (7805, 7806, 7809...) . Se utiliza cuando es necesario obtener una tensin continua a partir de la tensin alterna de la red elctrica . Temporizador (555) . Permite controlar el tiempo que un dispositivo est encendido . Por ejemplo, el apagado automtico de la luz de la escalera

COMPONENTES PASIVOS

RESISTENCIAS:

Las resistencias se emplean corriente en los circuitos elaboran con mezclas de metlicas o hilo de resistencia, cables de conexin.

para controlar la electrnicos. Se carbono, lminas y disponen de dos

A las resistencias variables se le llaman restatos o potencimetros, con un brazo de contacto deslizante y ajustable, suelen utilizarse para controlar el volumen de radios y televisiones.

CONDENSADORES:

Los condensadores estn formados por dos placas metlicas separadas por un material aislante. Si se conecta una batera a ambas placas, durante un breve tiempo fluir una corriente elctrica que se acumular en cada una de ellas. Si se desconecta la batera, el condensador conserva la carga y la tensin asociada a la misma. Las tensiones rpidamente cambiantes, como las provocadas por una seal de sonido o de radio, generan mayores flujos de corriente hacia y desde las placas; entonces, el condensador acta como conductor de la corriente alterna..

UN CONDENSADOR ELCTRICO

Es un conjunto de dos superficies conductoras en influencia total, usualmente separadas por un medio dielctrico, que sirve para almacenar energa elctrica. Un condensador (en ingls, capacitor1 2 , nombre por el cual se le conoce frecuentemente en el mbito de la electrnica y otras ramas de la fsica aplicada), es un dispositivo pasivo, utilizado en electricidad y electrnica, capaz de almacenar energa sustentando un campo elctrico. Est formado por un par de superficies conductoras, generalmente en forma de lminas o placas, en situacin de influencia total (esto es, que todas las lneas de campoelctrico que parten de una van a parar a la otra) separadas por un material dielctrico o por elvaco. Las placas, sometidas a una diferencia de potencial, adquieren una determinada carga elctrica, positiva en una de ellas y negativa en la otra, siendo nula la variacin de carga total. Aunque desde el punto de vista fsico un condensador no almacena carga ni corriente elctrica, sino simplemente energa mecnica latente; al ser introducido en un circuito se comporta en la prctica como capaz de almacenar la energa elctrica que recibe durante la carga, a la vez que la cede de igual forma durante la descarga. .

TIPOS DE CONDENSADORES MS HABITUALES

CONDENSADOR AJUSTABLE

Condensador en el que un dispositivo mecnico (un tornillo, por ejemplo) permite regular su capacidad al hacer desplazarse unas armaduras mviles entre unas fijas

CONDENSADOR CERMICO

Condensador constituido por un dielctrico cermico revestido en sus dos caras de capas metlicas, normalmente plata, que actan como armaduras. Gracias a la alta constante dielctrica de las cermicas, se consiguen grandes capacidades con un volumen muy pequeo.

Condensador de papel Condensador cuyo dielctrico est constituido por papel, por lo general impregnado de una cera mineral o un aceite (mineral o sinttico).
Condensador de papel metalizado Condensador de papel cuyas armaduras estn constituidas por una pelcula metlica depositada por evaporacin al vaco en una de las caras del papel. Condensador electroltico Condensador, generalmente polarizado, que contiene dos electrodos, uno de ellos formado por un electrolito, que bajo la accin de una corriente elctrica hace aparecer una capa de dielctrico por oxidacin del nodo. Existen dos bases oxidable principales;el aluminio y el tantalio dando origen a los condensadores de xido de aluminio y loscondensadores de xido de tantalio.

CONDENSADOR DE PLSTICO

Condensador que utiliza como dielctrico una fina capa de material plstico. Existen varios plsticos con propiedades dielctricas: Poliestireno Polipropileno Politetrafluoretileno (Tefln) Tereftalato de polietileno (Poliester) Policarbonato Triacetato de celulosa Poliparaxileno De todos ellos el ms utilizado es el poliester ya que admite su metalizacin consiguindose condensador de tamao muy reducido y bajo precio.

USOS

Los condensadores suelen usarse para: Bateras, por su cualidad de almacenar energa. Memorias, por la misma cualidad. Filtros. Adaptacin de impedancias, hacindolas resonar a una frecuencia dada con otros componentes. Demodular AM, junto con un diodo. El flash de las cmaras fotogrficas. Tubos fluorescentes. Mantener corriente en el circuito y evitar cadas de tensin.

BOBINAS:

Las bobinas (tambin llamadas inductores) consisten en un hilo conductor enrollado. Al pasar una corriente a travs de la bobina, alrededor de la misma se crea un campo magntico que tiende a oponerse a los cambios bruscos de la intensidad de la corriente. Al igual que un condensador, una bobina puede utilizarse para diferenciar entre seales rpida y lentamente cambiantes (altas y bajas frecuencias). Al utilizar una bobina conjuntamente con un condensador, la tensin de la bobina alcanza un valor mximo a una frecuencia especfica que depende de la capacitancia y de la inductancia. Este principio se emplea en los receptores de radio al seleccionar una frecuencia especfica mediante un condensador variable.

ELECTRNICA DIGITAL

La electrnica digital es una parte de la electrnica que se encarga de sistemas electrnicos en los cuales la informacin est codificada en dos nicos estados. A dichos estados se les puede llamar "verdadero" o "falso", o ms comnmente 1 y 0, refirindose a que en un circuito electrnico hay (1 - verdadero) tensin de voltaje o hay ausencia de tensin de voltaje (0 - falso). Electrnicamente se les asigna a cada uno un voltaje o rango de voltaje determinado, a los que se les denomina niveles lgicos, tpicos en toda seal digital. Por lo regular los valores de voltaje en circuitos electrnicos pueden ir desde 1.5, 3, 5, 9 y 18 Volts dependiendo de la aplicacin

Se diferencia de la electrnica analgica en que, para la electrnica digital un valor de voltaje codifica uno de estos dos estados, mientras que para la electrnica analgica hay una infinidad de estados de informacin que codificar segn el valor del voltaje. La electrnica digital trabaja con nmeros. La informacin est en los nmeros y no en la forma de seal. Cualquier seal siempre se puede convertir a nmeros y recuperarse posteriormente

ELEMENTOS BSICOS DE ELECTRNICA ANALGICA

(DIODO, DIODO EMISOR DE LUZ, TRANSISTOR, SCR Y TRIAC)

EL DIODO

El diodo es el componente electrnico mas bsico, es de dos terminales y permite la conduccin elctrica a travs de el en un solo sentido por eso se le llama diodo semiconductor. La propiedad semiconductora de un diodo se aprovecha para convertir la Corriente Alterna en Pulsante y con la ayuda de un capacitor se obtiene la Corriente Directa, por esto se le llama rectificador ya que son capaces de eliminar la parte negativa de cualquier seal.

El diodo semiconductor esta formado por un cristal que puede ser de Silicio (Si), o Germanio (Ge), el cual es contaminado con impurezas para crear una parte con portadores de carga negativos (electrones) llamado semiconductor tipo N, y en el otro extremo crea portadores con carga positiva (huecos) llamado semiconductor tipo P, las terminales del diodo se conectan a cada regin, entonces el diodo es la unin de un semiconductor tipo N y otro tipo P (NP), el que sea tipo N o tipo P se logra contaminando el silicio con dos elementos qumicos diferentes.

TIPOS DE DIODOS

DIODOS METAL-SEMICONDUCTOR

Los ms antiguos son los de Germanio con punta de tungsteno o de oro. Su aplicacin ms importante se encuentra en HF, VHF y UHF. Tambin se utilizan como detectores en los receptores de modulacin de frecuencia. Por el tipo de unin que tiene posee una capacidad muy baja, as como una resistencia interna en conduccin que produce una tensin mxima de 0,2 a 0,3v. El diodo Schottky son un tipo de diodo cuya construccin se basa en la unin metal conductor con algunas diferencias respecto del anterior. La conexin se establece entre un metal y un material semiconductor con gran concentracin de impurezas, de forma que solo existir un movimiento de electrones, ya que son los nicos portadores mayoritarios en ambos materiales. Al igual que el de germanio, y por la misma razn, la tensin de umbral cuando alcanza la conduccin es de 0,2 a 0,3v. Igualmente tienen una respuesta notable a altas frecuencias, encontrando en este campo sus aplicaciones ms frecuentes. Un inconveniente de esto tipo de diodos se refiere a la poca intensidad que es capaz de soportar entre sus extremos. El encapsulado de estos diodos es en forma de cilindro , de plstico o de vidrio. De configuracin axial. Sobre el cuerpo se marca el ctodo, mediante un anillo serigrafiado.

DIODOS RECTIFICADORES

Su construccin est basada en la unin PN siendo su principal aplicacin como rectificadores. Este tipo de diodos (normalmente de silicio) soportan elevadas temperaturas (hasta 200C en la unin), siendo su resistencia muy baja y la corriente en tensin inversa muy pequea. Gracias a esto se pueden construir diodos de pequeas dimensiones para potencias relativamente grandes, desbancando as a los diodos termoinicos desde hace tiempo. Sus aplicaciones van desde elemento indispensable en fuentes de alimentacin como en televisin, aparatos de rayos X y microscopios electrnicos, donde deben rectificar tensiones altsimas. En fuentes de alimentacin se utilizan los diodos formando configuracin en puente (con cuatro diodos en sistemas monofsicos), o utilizando los puentes integrados que a tal efecto se fabrican y que simplifican en gran medida el proceso de diseo de una placa de circuito impreso. Los distintos encapsulados de estos diodos dependen del nivel de potencia que tengan que disipar. Hasta 1w se emplean encapsulados de plstico. Por encima de este valor el encapsulado es metlico y en potencias ms elevadas es necesario que el encapsulado tenga previsto una rosca para fijar este a un radiador y as ayudar al diodo a disipar el calor producido por esas altas corrientes.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIN

La desactivacin de un rel provoca una corriente de descarga de la bobina en sentido inverso que pone en peligro el elemento electrnico utilizado para su activacin. Un diodo polarizado inversamente cortocircuita dicha corriente y elimina el problema. El inconveniente que presenta es que la descarga de la bobina es ms lenta, as que la frecuencia a la que puede ser activado el rel es ms baja. Se le llama comnmente diodo volante.

DIODO RECTIFICADOR COMO ELEMENTO DE PROTECCIN DE UN DIODO LED EN ALTERNA.

El diodo Led cuando se polariza en c.a. directamente conduce y la tensin cae sobre la resistencia limitadora, sin embargo, cuando se polariza inversamente, toda la tensin se encuentra en los extremos del diodo, lo que puede destruirlo.

DIODOS ZENER.

Se emplean para producir entre sus extremos una tensin constante e independiente de la corriente que las atraviesa segn sus especificaciones.

Para conseguir esto se aprovecha la propiedad que tiene la unin PN cuando se polariza inversamente al llegar a la tensin de ruptura (tensin de Zener), pues, la intensidad inversa del diodo sufre un aumento brusco.
Para evitar la destruccin del diodo por la avalancha producida por el aumento de la intensidad se le pone en serie una resistencia que limita dicha corriente. Se producen desde 3,3v y con una potencia mnima de 250mW. Los encapsulados pueden ser de plstico o metlico segn la potencia que tenga que disipar.

DIODO EMISOR DE LUZ LED ( LIGHT EMITTING DIODE) )

Es un semiconductor (diodo) que emite una luz cuando se polariza de forma directa la unin PN del mismo y circula por l una corriente elctrica. Consiste en un dispositivo que en su interior contiene un material semiconductor que al aplicarle una determinada corriente elctrica produce luz.
La luz emitida por este dispositivo es de un determinado color que no produce calor, por lo tanto, no se presenta aumento de temperatura como ocurre con muchos de los dispositivos comunes emisores de luz.

VALORES

Los valores de diferencia de potencial para cada color son los siguientes: Rojo = 1,8 a 2,2v Anaranjado = 2,1 a 2,2v Amarillo = 2,1 a 2,4v Verde = 2 a 3,5v Azul = 3,5 a 3,8v Blanco = 3,6v

SE UTILIZAN COMO SEAL VISUAL Y EN EL CASO DE LOS INFRARROJOS EN LOS MANDOS A DISTANCIA. SE FABRICAN ALGUNOS LEDS ESPECIALES:

LED BICOLOR.- Estn formados por dos diodos conectados en paralelo e inverso. Se suele utilizar en la deteccin de polaridad. LED TRICOLOR.- Formado por dos diodos Led (verde y rojo) montado con el ctodo comn. El terminal ms corto es el nodo rojo, el del centro, es el ctodo comn y el tercero es el nodo verde. DISPLAY.- Es una combinacin de diodos Led que permiten visualizar letras y nmeros. Se denominan comnmente displays de 7 segmentos. Se fabrican en dos configuraciones: nodo comn y ctodo comn.

EN CUANTO A ELEMENTOS QUMICOS

Arseniuro de galio............................ Infrarrojo Arseniuro de galio y aluminio......Rojo e infrarrojo Arseniuro fosfuro de galio .................Rojo, naranja y amarillo

Nitruro de galio ...................................Verde

Seleniuro de zinc ..................................Azul Nitruro de galio e indio .........................Azul Carburo de silicio ...................................Azul

FOTODIODO

Son dispositivos semiconductores construidos con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polarizarn inversamente, con lo que producirn una cierta circulacin de corriente cuando sean excitados por la luz. Debido a su construccin se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de tensin exterior, generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Tienen una velocidad de respuesta a los cambios bruscos de luminosidad mayores a las clulas fotoelctricas.

DIODO DE CAPACIDAD VARIABLE (VARICAP)

Son diodos que basan su funcionamiento en el principio que hace que la anchura de la barrera de potencial en una unin PN varia en funcin de la tensin inversa aplicada entre sus extremos.
Al aumentar dicha tensin, aumenta la anchura de esa barrera, disminuyendo as la capacidad del diodo. De este modo se obtiene un condensador variable controlado por tensin. Los valores de capacidad obtenidos van desde 1 a 500pF.

La tensin inversa mnima tiene que ser de 1v.

La aplicacin de estos diodos se encuentra en la sintona de TV, modulacin de frecuencia en transmisiones de FM y radio, sobre todo.

TRANSISTOR SCR

El SCR es un dispositivo semiconductor formado por cuatro capas de material semiconductor . Posee tres conexiones: nodo, ctodo y puerta. La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el nodo y el ctodo. Funciona bsicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensin en la puerta del SCR no se inicia la conduccin y en el instante en que se aplique dicha tensin, el tiristor comienza a conducir.

Una vez arrancado, podemos anular la tensin de puerta y el tiristor continuar conduciendo hasta que la corriente de carga disminuya por debajo de la corriente de mantenimiento. Trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo.

Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de una corriente a la compuerta. VBO=Voltaje de ruptura directo

ESTRUCTURA DE UN SCR

FUNCIONAMIENTO BASICO

Al aplicarse una corriente IG al terminal G (base de Q2 y colector de Q1), se producen dos corrientes: IC2 = IB1. IB1 es la corriente base del transistor Q1 y causa que exista una corriente de colector de Q1 (IC1) que a su vez alimenta la base del transistor Q2 (IB2), este a su vez causa ms corriente en IC2, que es lo mismos que IB1 en la base de Q1, y...... Este proceso regenerativo se repite hasta saturar Q1 y Q2 causando el encendido del SCR.

CARACTERSTICAS GENERALES

Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria).

TRANSISTOR TRIAC

Un TRIAC o Trodo para Corriente Alterna es un dispositivo semiconductor, de la familia de los tiristores. La diferencia con un tiristor convencional es que ste es unidireccional y el TRIAC es bidireccional. De forma coloquial podra decirse que el TRIAC es un interruptor capaz de conmutar la corriente alterna. Su estructura interna se asemeja en cierto modo a la disposicin que formaran dos SCR en direcciones opuestas. Posee tres electrodos: A1, A2 (en este caso pierden la denominacin de nodo y ctodo) y puerta. El disparo del TRIAC se realiza aplicando una corriente al electrodo puerta.

Cuando el triac conduce, hay una trayectoria de flujo de corriente de muy baja resistencia de una terminal a la otra, dependiendo la direccin de flujo de la polaridad del voltaje externo aplicado. Cuando el voltaje es mas positivo en MT2, la corriente fluye de MT2 a MT1 en caso contrario fluye de MT1 a MT2. En ambos casos el triac se comporta como un interruptor cerrado. Cuando el triac deja de conducir no puede fluir corriente entre las terminales principales sin importar la polaridad del voltaje externo aplicado por tanto acta como un interruptor abierto. Debe tenerse en cuenta que si se aplica una variacin de tensin importante al triac (dv/dt) an sin conduccin previa, el triac puede entrar en conduccin directa.

CARACTERISTICAS

- El TRIAC conmuta del modo de corte al modo de conduccin cuando se inyecta corriente a la compuerta. Despus del disparo la compuerta no posee control sobre el estado del TRIAC. Para apagar el TRIAC la corriente andica debe reducirse por debajo del valor de la corriente de retencin I h. - La corriente y la tensin de encendido disminuyen con el aumento de temperatura y con el aumento de la tensin de bloqueo. - La aplicacin de los TRIACS, a diferencia de los Tiristores, se encuentra bsicamente en corriente alterna. Su curva caracterstica refleja un funcionamiento muy parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer cuadrante del sistema de ejes. Esto es debido a su bidireccionalidad. - La principal utilidad de los TRIACS es como regulador de potencia entregada a una carga, en corriente alterna.

BIBLIOGRAFA
http://identidadgeek.com/transistores-e-interactividad/2012/04/ http://html.rincondelvago.com/electronica-basica_definiciones-y-caracteristicas.html http://es.wikipedia.org/wiki/Sinusoide http://kamilo-1.blogspot.mx/2010/08/componentes-electronicos.html http://es.wikipedia.org/wiki/Rectificador_controlado_de_silicio http://www.ecologiahoy.com/luces-led http://electricidad-viatger.blogspot.mx/2008/11/el-diodo.html http://es.wikipedia.org/wiki/V%C3%A1lvula_termoi%C3%B3nica http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pag_triac/triac.htm http://www.unicrom.com/Tut_triac.asp http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Diodos-Semiconductores.php http://www.kalipedia.com/tecnologia/tema/electronica/estructuratransistor.html?x=20070822klpingtcn_129.Kes&ap=0 http://www.electronicafacil.net/tutoriales/Funcionamiento-del-diodo.php http://tecnologiaivann.blogspot.mx/2010/02/ejemplos-de-circuitos-integrados.htm lhttp://www.profesormolina.com.ar/tutoriales/componentes/tut_comp.htm