Podemos observar como la mayor parte de la estructura es de material tipo n ligeramente dopado formando un canal con contactos hmicos

en ambos extremos (terminales de Drenador y Fuente). Este canal se encuentra inserto entre dos regiones de compuerta tipo p+ (material tipo p fuertemente dopado) con sendos contactos hmicos que constituyen los terminales de puerta. En algunos casos los dos terminales de puerta estn accesibles (JFET de doble puerta) aunque lo ms habitual es que ambos terminales estn cortocircuitados teniendo un nico terminal de puerta (dispositivo de tres terminales). En ausencia de potencial aplicado, las dos uniones p-n que aparecen estn sin polarizar. El resultado es una regin de vaciamiento o zona de deplexin (regin carente de portadores libres) de forma similar a la que se vio en su da al analizar en el diodo la unin p-n en ausencia de polarizacin.

D = Drenador: (Del ingls Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del dispositivo (los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p) S = Fuente: (Del ingls Source). Es el terminal por el que entran los portadores. G = Puerta: (Del ingls Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente de portadores a travs del canal.

Zonas de Trabajo.
Zona de corte o de no conduccin: Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En esta zona la corriente ID = 0 con independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGS VGSoff, donde el canal est completamente cerrado. Zona hmica o de no saturacin: Se da para valores de VDS inferiores al de saturacin, es decir, cuando VDS VGS - VGSoff . Para estos valores de tensin el canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat.

En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para valores pequeos de VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre. Zona de saturacin o de corriente constante: Esta zona se da para valores VDS > VDSsat. Ahora la corriente ID permanece invariante frente a los cambios de VDS (suponiendo la hiptesis de canal largo) y slo depende de la tensin VGS aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin de puerta VGS. La relacin entre la tensin VGS aplicada y la corriente ID que circula por el canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:

Zona de ruptura: En un transistor JFET tenemos dos uniones p-n polarizadas en inversa, tanto ms cuanto menor sea el valor de VGS. Sin embargo, esta tensin inversa no se puede aumentar indefinidamente, ya que si se supera un determinado valor (tensin de ruptura, caracterstico de cada unin y que suele ser proporcionado por el fabricante en sus hojas de caractersticas) la unin se perfora, producindose la ruptura del dispositivo.

TRANSISTORES DE EFECTO SEMICONDUCTOR. (MOSFET)

DE

CAMPO

METAL

XIDO

Visto el transistor JFET vamos ahora a ver el otro gran grupo de transistores de efecto de campo: Los transistores MOSFET. Vamos a ver que existen dos tipos de transistores MOSFET. MOSFET de acumulacin o de enriquecimiento MOSFET de deplexin o empobrecimiento

MOSFET de Acumulacin: El MOSFET de canal n, posee una zona de material semiconductor tipo p en la que aparecen dos zonas tipo n+ con contactos metlicos a los terminales de drenador y fuente. La zona roja representada corresponde a una capa de material aislante, en este caso xido de silicio. Por tanto, si nos fijamos en el terminal de puerta, vemos como tenemos una zona metlica (correspondiente al contacto hmico) una zona de xido y una zona de semiconductor. Es precisamente debido a esta estructura de dnde le viene el nombre al dispositivo de Metal xido Semiconductor (MOS). Adems, este dispositivo tendra un cuarto terminal, el terminal del Sustrato (SS), aunque habitualmente ste se encuentra conectado a la fuente.
Es preciso que notemos una caracterstica fundamental de este dispositivo y es que la puerta est aislada elctricamente del dispositivo, es decir, no hay conexin elctrica entre la puerta y el sustrato. Por otra parte, indicar que en este caso y en las sucesivas representaciones de los transistores MOSFET a lo largo de este captulo no se han representado las zonas de carga de espacio que evidentemente aparecern en las uniones pn por simplificar los dibujos, ya que en este caso, y a diferencia del JFET, las zonas de carga de espacio no juegan un papel primordial en el funcionamiento del dispositivo.

MOSFET de Deplexin:

Vamos a continuar con el siguiente gran grupo de transistores MOSFET, en este caso, el MOSFET de deplexin o empobrecimiento.

Al igual que en el caso anterior el terminal de puerta no tiene conexin con el resto de terminales, ya que tal y como hemos visto anteriormente, est aislado elctricamente del resto del dispositivo. Pero, a diferencia del caso anterior, en el MOSFET de acumulacin los terminales de drenador y fuente estn unidos a travs de una lnea continua, esta lnea hace referencia al canal que ahora si que existe desde un principio. De nuevo, la flecha indica el sentido en que circulara la corriente en el caso de que la unin pn estuviera polarizada en directa. En este caso, si aplicamos una tensin VGS > 0, se atraern ms electrones hacia la zona de la puerta y se repelern ms huecos de dicha zona, por lo que el canal se ensanchar. Por lo tanto, el efecto que tenemos es el mismo que en el caso del MOSFET de acumulacin, es decir, para valores VGS > 0 el MOSFET de deplexin tiene un comportamiento de acumulacin. Si por el contrario damos valores VGS < 0 el efecto ser el contrario, disminuyndose la anchura del canal. En definitiva, volvemos a tener de nuevo un efecto de modulacin de la anchura de un canal en funcin de una tensin aplicada VGS. Sin embargo, si seguimos disminuyendo el valor de VGS podr llegar un momento en que el canal desaparezca por completo, esto suceder cuando VGS disminuya por debajo de un valor VGSoff.

Zonas de trabajo
Zona de corte o de no conduccin: Se corresponde con el eje horizontal de la grfica. En esta zona la corriente ID = 0 con independencia del valor VDS. Esto se da para valores de VGS VT, donde el canal no est completamente formado. Zona hmica o de no Saturacin: Se da para valores de VDS inferiores al de saturacin, es decir, cuando VDS VGS - VT. Para estos valores de tensin el canal se va estrechando de la parte del drenador, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento completo para VDSsat. En esta zona el transistor se comporta aproximadamente como una resistencia variable controlada por la tensin de puerta, sobre todo para valores pequeos de

VDS, ya que a medida que nos aproximamos al valor de VDSsat, y para cada valor de VGS se va perdiendo la linealidad debido al estrechamiento del canal que se aproxima al cierre.

Zona de saturacin o de corriente constante: Esta zona se da para valores VDS > VDSsat. Ahora la corriente ID permanece invariante frente a los cambios de VDS y slo depende de la tensin VGS aplicada. En esta zona el transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensin de puerta VGS. La relacin entre la tensin VGS aplicada y la corriente ID que circula por el canal en esta zona viene dada por la siguiente ecuacin:

Zona de ruptura: Un transistor MOSFET puede romper por dos motivos. Bien porque se perfora el dielctrico cuando la tensin VGS supera una determinado valor que vendr determinado por el aislante, o bien porque en la unin pn del lado del drenador (polarizada en inversa) se supera el valor de la tensin de ruptura de dicha unin, dado que esta unin est polarizada con una tensin inversa de valor VDS la ruptura se producir cuando VDS Vr con independencia del valor de VGS, por tanto en la zona de ruptura todas las distintas curvas en funcin de VGS se juntan en una nica.

ENCAPSULADO DE LOS TRANSISTORES: Es la manera como se representa un

transistor, los ms utilizados son: TO-92: Este transistor pequeo es muy utilizado para la amplificacin de pequeas seales. La asignacin de patitas (emisor - base - colector) no est estandarizado, por lo que es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias para obtener estos datos.

TO-18: Es un poco ms grande que el encapsulado TO-92, pero es metlico. En la carcasa hay un pequeo saliente que indica que la patita ms cercana es el emisor.

Para saber la configuracin de patitas es necesario a veces recurrir a los manuales de equivalencias.

TO-39: Tiene el mismo aspecto que es TO-18, pero es ms grande. Al igual que el anterior tiene una saliente que indica la cercana del emisor, pero tambin tiene la patita del colector pegado a la carcasa, para efectos de disipacin de calor.

TO-126: Se utiliza mucho en aplicaciones de pequea a mediana potencia. Puede o no utilizar disipador dependiendo de la aplicacin en se est utilizando. Se fija al disipador por medio de un tornillo aislado en el centro del transistor. Se debe utilizar una mica aislante.

TO-220: Este encapsulado se utiliza en aplicaciones en que se deba de disipar potencia algo menor que con el encapsulado TO-3, y al igual que el TO-126 debe utilizar una mica aislante si va a utilizar disipador, fijado por

un tornillo debidamente aislado.

El TO-3: Este encapsulado se utiliza en transistores de gran potencia. Como se puede ver en el grfico es de gran tamao debido a que tiene que disipar bastante calor. Est fabricado de metal y es muy normal ponerle un "disipador" para liberar la energa que este genera en calor.

CDIGO EN EL ENCAPSULADO DE LOS COMPONENTES SEMICONDUCTORES: Son

cdigos normalizados de designacin para componentes electrnicos semiconductores. Los cdigos normalizados de designacin pretenden identificar de una manera unificada, todos y cada uno de los componentes usados en la electrnica que existen en el mercado Los cdigos normalizados de designacin pretenden identificar de una manera unificada, todos y cada uno de los componentes usados en la electrnica que existen en el mercado. Los principales cdigos normalizados son: PROELECTRON JEDEC JIS El sistema Proelectrn se utiliza principalmente en Europa, mientras que el JEDEC es usado por los fabricantes norteamericanos y el JIS por los japoneses. PROELECTRN: Este sistema se utiliza principalmente en Europa. El componente se designa de dos formas, segn el tipo de aplicacin al que est destinado (comercial o profesional): Dos letras + secuencia alfanumrica de serie (aplicaciones comerciales) Tres letras + secuencia alfanumrica de serie (aplicaciones profesionales)

La primera letra indica el tipo de material semiconductor utilizado para la fabricacin del componente, para lo cual utilizaremos la siguiente tabla:
Letra
A B C D E

Material semiconductor al que representa

Material con anchura de banda prohibida de 0.6 a 1.0 eV, como el Ge Material con anchura de banda prohibida de 1.0 a 1.3 eV, como el Si. Material con anchura de banda prohibida mayor que 1.3 eV, como el NaAs Material con anchura de banda prohibida menor que 0.6 eV, como el InSb Material compuesto como el empleado en generadores Hall y fotoconductores

La segunda letra indica la aplicacin principal y construccin si se hace necesaria una diferenciacin mayor, para lo cual usaremos la siguiente tabla:
Letra
A B C D E F G H K L M N P Q R S T U X Y Z

Material semiconductor al que representa

Diodo de deteccin, de conmutacin, mezclador Diodo de sintona (capacidad variable). Transistor para aplicaciones de audio (Rthj-a > 15 K/W). Transistor de potencia para aplicaciones de audio (Rthj-a 15 K/W) Diodo Tnel Transistor para aplicaciones de alta frecuencia (Rthj-a > 15 K/W) Multichips, etc Sonda campo de efecto Hall Generador Hall en circuito magntico abierto Transistor de potencia para aplicaciones de alta frecuencia (Rthj-a 15 K/W). Modulador o multiplicador Hall Optoacoplador. Componente sensible a la radiacin (p. ej. fotodiodo). Componente emisor de radiacin Componente de control o de conmutacin con disparo elctrico poseyendo una caracterstica de ruptura (Rthj-a > 15 K/W), Transistor para aplicaciones de conmutacin (Rthj-a > 15 K/W). Componente de control o de conmutacin con disparo elctrico o por incidencia de la luz poseyendo una caracterstica de ruptura (Rthj-a 15 K/W) Transistor de potencia para aplicaciones de conmutacin (Rthj-a 15 K/W). Diodos mltiples: varactor, diodo "step recovery". Diodo rectificador, diodo de potencia, diodo "booster". Diodo estabilizador de tensin

La tercera letra indica en qu tipo aplicacin en que se est utilizando en el componente electrnico. Estas aplicaciones pueden ser industriales o profesionales o comerciales.
Letra
W X YoZ

Tipo de aplicacin
Utilizado en aplicaciones industriales Utilizado en aplicaciones profesional Utilizado en aplicaciones cmercial

Luego sigue la serie del componente, el cual puede tomar valor numrico tomado desde 100 a 9999. Finalmente se aade el sufijo el cual indica con una letra el nivel de potencia del componente

Letra
A B C Ganancia Baja Ganancia media Ganancia alta No est definida

Nivel de Potencia del componente

JI S: (Japanese Industrial Standard committee): Es un comit encargado de realizar estndares para la industria japonesa. digito, dos letras, nmero de serie, sufijo (opcional) La cifra indica el nmero de uniones del componente, la cual vara segn el tipo de componente electrnico utilizado, los valores ms utilizados son:

Letra
1 3 3 4

Tipo de componente
Diodo Transistor BJT Transistor FET Optoacoplador

La segunda letra indica la aplicacin principal y construccin si se hace necesaria una diferenciacin mayor, para lo cual usaremos la siguiente tabla:
Letra
SA SB SC SD SE SF SG SH SJ SK SM SQ SR SS ST SZ

Material semiconductor al que representa

PNP HF transistor Diodo de sintona (capacidad variable). PNP AF transistor Transistor NPN AF Diodos Tiristores Dispositivos de disparo UJT FET/MOSFET canal P FET/MOSFET canal N Triac LED Rectificador Diodo de seal Diodo de avalancha Diodo zener

Luego sigue la serie del componente, el cual puede tomar valor numrico tomado desde 100 a 9999. Finalmente se aade el sufijo el cual indica con una letra el nivel de potencia del componente
Letra Nivel de Potencia del componente

A B C

Ganancia Baja Ganancia media Ganancia alta No est definida

JEDEC: Este sistema es usado principalmente por los fabricantes americanos. Est definido por el estndar EIA RS-236-B, Junio de 1963. El cdigo de designacin se presenta basicamente como: digito, dos letras, nmero de serie, sufijo (opcional) La cifra indica el nmero de uniones del componente, la cual vara segn el tipo de componente electrnico utilizado, los valores ms utilizados son:

Letra
1 3 3 4

Tipo de componente
Diodo Transistor BJT Transistor FET Optoacoplador

A la secuencia alfanumrica le sigue la letra N: Luego sigue la serie del componente, el cual puede tomar valor numrico tomado desde 100 a 9999. Finalmente se aade el sufijo el cual indica con una letra el nivel de potencia del componente
Letra
A B C Ganancia Baja Ganancia media Ganancia alta No est definida

Nivel de Potencia del componente

ENCAPSULADOS PARA CIRCUITOS INTEGRADOS:

Es una pastilla (o "chip") muy delgada en la que se encuentran miles o millones de dispositivos electrnicos interconectados, principalmente transistores, aunque tambin componentes pasivos como resistencias o capacitores. Su rea puede ser de 1cm2 o incluso ms pequeos. La funcin que cumplen estos componentes es muy variada. DIP (Dual In-Line Package): Los pines se extienden a lo largo del encapsulado (en ambos lados) y tiene como todos los dems una muesca que indica el pin nmero 1. Este encapsulado bsico fue el ms utilizado hace unos aos y sigue siendo el preferido a la hora de armar plaquetas por partes de los amantes de la electronica

casera debido a su tamao lo que facilita la soldadura. Hoy en da, el uso de este encapsulado (industrialmente) se limita a UVEPROM y sensores.

SOP (Small Out-Line Package): Los pines se diponen en los 2 tramos ms largos y se extienden en una forma denominada gull wing formation, este es el principal tipo de montaje superficial y es ampliamente utilizado especialmente en los mbitos de la microinformtica, memorias y IC analgicos que utilizan un nmero relativamente pequeo de pines.

SOP (Think Small Out-Line Package): Simplemente una versin ms delgada del encapsulado SOP.

QFP (Quad Flatpack Package): Es la versin mejorada del encapsulado SOP, donde los pines de conexin se extienden a lo largo de los cuatro bordes. Este es en la actualidad el encapsulado de montaje supeficial ms popular, debido que permite un mayor nmero de pines.

SOJ (Small Outline J-Lead): Las puntas de los pines se extieden desde los dos bordes ms largos dejando en la mitad una separacin como si se tratase de 2 encapsulados en uno. Recibe ste nombre porque los pines se parecen a la letra J cuando se lo mira desde el costado. Fueron utilizados en los mdulos de memoria SIMM.

 QFJ: Al igual que el encapsulado QFP, los pines se extienden desde los 4 bordes bordes.

QFN: Es similar al QFP, pero con los pines situados en los cuatro bordes de la parte inferior del encapsulado. Este encapsulado puede hacerse en modelos de poca o alta densidad.

BGA (Ball Grid Array): Los terminales externos, en realidad esferas de soldadura, se situan en formato de tabla en la parte inferior del encapsulado. Este encapsulado puede obtener una alta densidad de pines, comparado con otros encapsulados como el QFP, el BGA presenta la menor probabilidad de montaje defectuoso en las plaquetas. Mtodo casero para desoldar un encapsulado BGA.