ING.

ELECTRNICA
TRABAJO DE INVESTIGACION

ELECTRONICA DE POTENCIA *TRANSISTORES DE POTENCIA*

EL TRANSISTOR UJT El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. Ver el siguiente grfico Como se dijo antes este es un dispositivo de disparo. El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo est dado por la frmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 Dnde: - n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante) - VB2B1 = Voltaje entre las dos bases La frmula es aproximada porque el valor establecido en 0.7 puede variar de 0.4 a 0.7 dependiendo del dispositivo y la temperatura.

Dos ejemplos sencillos 1.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.63 y 24 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.63 x 24) = 15.8 Voltios 2.- Un UJT 2N4870 tiene un n = 0.68 y 12 voltios entre B2 y B1. Cul es el voltaje de disparo aproximado? Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + (0.68 x 12) = 8.86 Voltios. Notas: - Un dato adicional que nos da el fabricante es la corriente necesaria que debe haber entre E y B1

para que el UJT se dispare = Ip. - Es importante hacer notar que tambin se ha construido el UJT donde la barra es de material tipo P (muy poco). Se le conoce como el CUJT o UJT complementario. Este se comporta de igual forma que el UJT pero con las polaridades de las tensiones al revs. EL PUT (TRANSISTOR UNIUNIN PROGRAMABLE El PUT (Transistor Uniunin programable) es un dispositivo que, a diferencia del transistor bipolar comn que tiene 3 capas (NPN o PNP), tiene 4 capas. El PUT tiene 3 terminales como otros transistores y sus nombres son: ctodo K, nodo A, puerta G. A diferencia del UJT, este transistor permite que se puedan controlar los valores de RBB y VP que en el UJT son fijos. Los parmetros de conduccin del PUT son controlados por la terminal G Este transistor tiene dos estados: Uno de conduccin (hay corriente entre A y K y la cada de voltaje es pequea) y otro de corte cuando la corriente de A a K es muy pequea. Este transistor se polariza de la siguiente manera: Cuando IG = 0, VG = VBB * [ RB2 / (RB1+RB2) ] VG = n x VBB donde: n = RB2 / (RB1+RB2)

La principal diferencia entre los transistores UJT y PUT es que las resistencias: RB1 + RB2 son resistencias internas en el UJT, mientras que el PUT estas resistencias estn en el exterior y pueden modificarse. Aunque el UJT y el PUT son similares, El Ip es ms dbil que en el UJT y la tensin mnima de funcionamiento es menor en el PUT.

PUT: funcionamiento

Para pasar al modo activo desde el estado de corte (donde la corriente entre A y K es muy pequea) hay que elevar el voltaje entre A y K hasta el Valor Vp, que depende del valor del voltaje en la compuerta G Slo hasta que la tensin en A alcance el valor Vp, el PUT entrar en conduccin (encendido) y se mantendr en este estado hasta que IA corriente que atraviesa el PUT) sea reducido de valor. Esto se logra reduciendo el voltaje entre A y K o reduciendo el voltaje entre G y K

Ejemplo de oscilador con PUT El funcionamiento es el siguiente: El condensador C se carga a travs de la resistencia R hasta que el voltaje en A alcanza el voltaje Vp. En este momento el PUT se dispara y entra en conduccin. El voltaje en VG cae casi hasta 0 (cero) voltios y el PUT se apaga, repitindose otra vez el proceso (oscilador).

Ver a continuacin las formas de onda de las tensiones en C, K y G

La frecuencia de oscilacin es: f = 1 / 1.2 x RC

DIAC (DIODE ALTERNATIVE CURRENT). DIODO DE DISPARO BIDIRECCIONAL

El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin).

Tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama.

El DIAC se comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto. El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza. Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control de potencia mediante control de fase. La curva caracterstica del DIAC se muestra a continuacin

En la curva caracterstica se observa que cuando - +V o - V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un circuito abierto - +V o - V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un cortocircuito Sus principales caractersticas son: - Tensin de disparo - Corriente de disparo - Tensin de simetra (ver grfico anterior) - Tensin de recuperacin - Disipacin de potencia (Los DIACs se fabrican con capacidad de disipar potencia de 0.5 a 1 watt.)

SBS - SILICON BIDIRECTIONAL SWITCH El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia simtrico para aplicaciones de disparo ms verstil que el SIDAC.

Tiene adems un terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus caractersticas de disparo con pequeos pulsos de corriente (decenas de A). Su reducido coste, alta velocidad y capacidad para disparar puertas de tiristores con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy til en muchas aplicaciones. EL SBS no es solamente un versin mejorada del diodo de cuatro capas, sino que es fabricado como un circuito integrado constituido por transistores, diodos y resistencias. La figura 12.7.a muestra su smbolo, la figura 12.7.b su estructura a nivel circuital y la figura 12.7.c sus caractersticas I-V. El MBS4991 de Motorola es un ejemplo tpico de un SBS simtrico. Sus parmetros caractersticos de acuerdo a la grfica de la figura 12.7.c son: V =8 V, I =175 A, I =0.7 mA y V =1.4 V. El disparo de este dispositivo se puede realizar bien superando la tensin V o bien aplicando una corriente de puerta I =100A.

LASCR El o foto-SCR SCR activado luz (light por activated SCR o LASCR) es, como su propio nombre indica, un SCR cuyo disparo es controlado por luz. Cuando la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permanece en conduccin aunque desaparezca esa luz.

En la figura 12.15.a se muestra su smbolo y en la figura 12.15.b aparece una aplicacin sencilla del foto-SCR con una resistencia ajustable que controla la intensidad de luz incidente de disparo. Un ejemplo de un LASCR es el SP-101 de SunPower que 2 se activa cuando la luz incidente es de 24mW/cm

GTO o Gate Turn-Off SCR

El GTO o Gate Turn-Off SCR es un tiristor que puede ser disparado con un pulso positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulso negativo a ese mismo terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones interesantes en el dominio de altas potencias cuyo control se realiza fcilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de potencia de su control facilitan la aplicacin de tcnicas de modulacin de anchura de pulsos. En la figura 12.16 se indica su smbolo. El MGTO1000/2000 de Motorola es un GTO diseado para aplicaciones de alta velocidad y es capaz de porporcionar hasta 18 A.

INTERRUPTOR CONTROLADO DE SILICIO (SCS) El interruptor controlado de silicio (SCS) es un tiristor con una compuerta adicional. Puede usarse como un tiristor, pero que se dispara con pulsos positivos o negativos en cualquiera de las compuertas. Sin embargo, tambin puede pasar al estado de no conduccin aplicando pulsos a las compuertas. Un interruptor de silicio controlado consiste en una estructura de cuatro capas cuyas cuatro regiones semiconductoras son accesibles. El dispositivo puede ser considerado como un circuito integrado con sendos transistores npn y pnp conectados como un par de realimentacin positiva. Siendo accesibles las cuatro regiones, la realimentacin positiva es fcilmente controlada, y el dispositivo puede ser accionado como un amplificador lineal de elevada ganancia de c.c. o como un interruptor. El SCS es semejante en construccin al SCR. Sin embargo, el SCS tiene dos terminales de compuerta, como se muestra en la figura 1.1: la compuerta del ctodo y la compuerta del nodo. El SCS puede encenderse y apagarse usando cualquiera de sus terminales de compuerta. El SCR puede encenderse usando slo su terminal de compuerta. Normalmente el SCS se encuentra disponible slo en rangos de potencia menores que las del SCR.

Compuerta andica (GA) nodo (A) Ctodo (K) Compuerta Catdica (GK)

Figura 1.1 Interruptor controlado de silicio (SCS)

Aplicaciones Los SCS y SCR se utilizan en aplicaciones semejantes. El SCS tiene la ventaja de apagado ms rpido con pulsos en cualquiera de sus terminales de compuerta; sin embargo, es ms limitado en trminos de los rangos de corriente y voltaje mximos. Adems, el SCS se usa algunas veces en aplicaciones digitales, tales como contadores, registradores y circuitos de sincronizacin.

EL TRANSISTOR BIPOLAR DE PUERTA AISLADA (IGBT)

El IGBT es un dispositivo semiconductor de potencia hbrido que combina los atributos del BJT y del MOSFET. Posee una compuerta tipo MOSFET y por consiguiente tiene una alta impedancia de entrada. El gate maneja voltaje como el MOSFET. Al igual que el MOSFET de potencia, el IGBT no exhibe el fenmeno de ruptura secundario como el BJT. Generalmente se aplica a circuitos de potencia. Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

Caractersticas de funcionamiento: Alta capacidad de manejar corriente (como un bipolar) Facilidad de manejo (MOSFET) El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Caractersticas elctricas. Transistor IGBT. Curva caracterstica y smbolos.

Funcionamiento del transistor IGBT

MOSFET DE POTENCIA Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere solo de una pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de conmutacin del orden de los nanosegundos. Los MOSFET no tienen los problemas de los fenmenos de ruptura secundaria que tienen los BJT, pero tienen problemas de descargas electrostticas, por lo que su manejo requiere de cuidados especiales. Adems es muy difcil protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito. Los MOSFET son de 2 tipos: 1. - MOSFET de agotamiento. Un MOSFET tipo agotamiento de canal N se forma en un substrato de silicio de tipo P con dos silicios N+ fuertemente dopados para tener conexiones de baja resistencia. La compuerta est aislada del canal mediante una delgada capa de xido. Las 3 terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a la fuente, VGS, puede ser positivo o negativo; si es negativo algunos electrones del rea del canal N sern repelidos y se crear una regin de agotamiento por debajo de la capa de xido, que resultar en un canal efectivo ms angosto y en una alta resistencia de drenaje a fuente, RDS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se agotar totalmente, ofreciendo un alto valor RDS, y no habr flujo de drenaje a fuente, IDS = 0. Cuando esto ocurre al VGS se le conoce como voltaje de estrechamiento Vp. Por otra parte, VGS se hace positivo, el canal se ensancha, e IDS aumenta debido a la reduccin de RDS. Con un MOSFET tipo agotamiento de canal P se invierten las polaridades de VDS, IDS y VGS. MOSFET de enriquecimiento. Un MOSFET de enriquecimiento de canal N, no tiene un canal fsico. Si VGS es positivo, un voltaje inducido atraer los electrones del substrato P y los acumular en la superficie por debajo de la capa de xido. Si VGS es mayor o igual a un voltaje conocido como voltaje de umbral, VT, se acumular un nmero suficiente de electrones para formar un canal virtual N y la corriente fluir del drenaje a la fuente. Si se trata de un MOSFET de enriquecimiento canal P, las polaridades de VDS, IDS y VGS se invierten

Fig.1 MOSFET de agotamiento

Fig.2 MOSFET de enriquecimiento.