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IEEE JOURNAL DE CIRCUITOS DE ESTADO SÓLIDO, VOL. 50, NO. 8 DE AGOSTO DE 2015 1741

Un dispositivo médico implantable (IMD) de tamaño mm

Con transferencia de energía ultrasónica y un híbrido
Enlace de datos bidireccional
Jayant Charthad, miembro estudiante, IEEE, Marcus J. Weber, miembro estudiante,
IEEE, Ting Chia Chang, miembro estudiante, IEEE y Amin Arbabian, miembro, IEEE

Resumen: Se presenta una primera prueba de concepto de dispositivo
implantable de tamaño mm que utiliza transferencia de energía ultrasónica y un
enlace de comunicación de datos bidireccional híbrido. La transferencia de
energía ultrasónica permite la miniaturización del implante y la operación en lo
profundo del cuerpo, al mismo tiempo que se logran niveles de potencia altos y
seguros (de 100 W a unos pocos mW) necesarios para la mayoría de las
aplicaciones de implantes. El prototipo de implante actual mide 4 mm y 7,8 mm
y está compuesto por un receptor piezoeléctrico, un circuito integrado diseñado
en un proceso CMOS de 65 nm y una antena fuera del chip. El IC puede soportar inductivo y la transferencia de potencia de RF, son ineficientes para una relación rango­
una carga CC máxima de 100 W para una intensidad acústica incidente que es
el 5 % del límite de diagnóstico de la FDA. Esto demuestra la viabilidad de
proporcionar una mayor potencia de CC disponible, lo que podría abrir nuevas
aplicaciones de implantes. El enlace de datos bidireccional híbrido propuesto
consta de un enlace descendente ultrasónico y un enlace ascendente de RF. El
flanco descendente de la entrada de ultrasonido se detecta como datos de
enlace descendente. El implante transmite una secuencia de pulsos de banda
ultraancha (UWB) como datos de enlace ascendente, lo que demuestra la
capacidad de implementar un transmisor M­ary PPM energéticamente eficiente en el futuro.
Términos del índice: convertidor CA­CC , rectificador activo, antenas,
comunicación de datos bidireccional, CMOS, IMD, dispositivos biomédicos
implantables, implantes de tamaño mm, receptores piezoeléctricos, transmisores
de radio, transferencia de energía ultrasónica.
I. INTRODUCCIÓN
beneficiarse de un enlace de comunicación bidireccional para funciones de
control y enlace ascendente de datos, y toda esta funcionalidad debe
implementarse en un paquete pequeño por razones prácticas. Este artículo
demuestra una nueva tecnología inalámbrica de transferencia de energía
y comunicación de datos bidireccional para un implante de tejido profundo
en miniatura como prueba de concepto.
Las técnicas de alimentación inalámbrica convencionales, como el acoplamiento
tamaño de implante grande [8]­[11]. Además, la alimentación inductiva es más sensible a la
orientación mutua de las bobinas en comparación con las técnicas de campo lejano [9], [11].
La ineficiencia de la transferencia de energía de RF en el cuerpo se debe a la falta de
coincidencia entre la longitud de onda (cm) y la apertura de las antenas de tamaño mm y
submm, y a la absorción de ondas de RF en el tejido. La potencia disponible de estas
antenas eléctricamente pequeñas es baja debido a una baja eficiencia de radiación, una
pequeña resistencia a la radiación, un gran factor de calidad de antena (Q) [12] y pérdidas
en redes de adaptación típicas debido a las Q limitadas de los inductores en chip. y
condensadores [13]. Otro inconveniente importante de la gran longitud de onda de RF es
que la energía no se puede concentrar en un tamaño de punto de mm o submm [14], lo que
genera un calentamiento excesivo, problemas de seguridad y una baja eficiencia general
del enlace. Otras técnicas, como la eliminación de energía ambiental, ofrecen densidades
de potencia inadecuadas [15] para aplicaciones como DBS.

ALIMENTACIÓN INALÁMBRICA,
Los dispositivos imágenes
médicos altamente
plantables miniaturizadas.
(IMD) pueden desempeñar un papel crucial. Usamos ultrasonido para la transferencia de energía [16] ya que tiene una longitud de

papel en la eliminación de la invasividad y la incomodidad causadas por las baterías y los onda significativamente más pequeña, comparable a las dimensiones de un implante en

cables en la mayoría de los implantes tradicionales [1], [2]. miniatura, debido a una velocidad de onda sonora de órdenes de magnitud más lenta. Una

La miniaturización de implantes a dimensiones mm y submm también puede abrir la longitud de onda más pequeña permite un enfoque eficiente de la energía en el implante,

posibilidad de tener una red de nodos sensores en el cuerpo para aplicaciones como así como una eficiencia de transducción y acoplamiento significativamente mejorada. Ya se

estimulación y registro neuronal multisitio [3], [4]. Sin embargo, existe el problema de ha demostrado la viabilidad de la formación de haces de energía ultrasónica en puntos

ingeniería de entregar eficientemente cientos de W a unos pocos mW, a profundidades focales de tamaño mm a grandes profundidades en el cuerpo, de forma controlada y

cercanas a los 10 cm en el cuerpo, para implantes miniaturizados en aplicaciones exigentes programable, y sin exceder los límites de seguridad en el tejido circundante [17]­[19 ].

tales como: estimulación cerebral profunda (DBS) [5], [6], optogenética. y estimulación del Además, es factible diseñar receptores ultrasónicos en miniatura con perfiles de impedancia

nervio periférico [7]. Además de alimentar el implante, muchas aplicaciones que permitan una transferencia de energía más eficiente en comparación con antenas
eléctricamente pequeñas, como se analiza más adelante en este artículo. Además, la FDA
permite una intensidad de 7,2 mW/mm para aplicaciones de diagnóstico por ultrasonido
[20], que es aproximadamente dos órdenes de magnitud mayor que el límite seguro de
Manuscrito recibido el 08 de diciembre de 2014; revisado el 10 de febrero de 2015; aceptado
exposición a RF en el cuerpo (10­100 W/mm [21 ], [22]). La figura 1 muestra un diagrama
el 15 de abril de 2015. Fecha de publicación 18 de mayo de 2015; fecha de la versión actual 24
de julio de 2015. Este artículo fue aprobado por el editor invitado Elad Alon. conceptual de los regímenes de aplicabilidad de diferentes técnicas de alimentación
Este material se basa en el trabajo apoyado por el Programa de becas de investigación para inalámbrica, siendo el ultrasonido favorable para transferir altos niveles de potencia a
graduados de la Fundación Nacional de Ciencias bajo la subvención DGE­114747, por la Beca de
dispositivos médicos en miniatura profundamente implantados.
posgrado de Stanford de la familia Yansouni (SGF) de 2012 y por el Premio para profesores
jóvenes de DARPA (YFA).
Los autores trabajan en la Universidad de Stanford, Stanford, CA 94305 EE. UU. (correo
electrónico: jayantc@stanford.edu).
Las versiones en color de una o más de las figuras de este documento están disponibles en
línea en http://ieeexplore.ieee.org. Además de la transferencia de energía ultrasónica, presentamos la primera demostración

Identificador de objetos digitales 10.1109/JSSC.2015.2427336 de una comunicación de datos bidireccional híbrida.

0018­9200 © 2015 IEEE. Las traducciones y la extracción de contenido están permitidas únicamente para investigaciones académicas. También se permite el uso personal, pero la
republicación/redistribución requiere permiso del IEEE. Consulte http://www.ieee.org/publications_standards/publications/rights/index.html para obtener más información.
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1742
Fig. 1. Diagrama conceptual que muestra los regímenes de aplicabilidad de diferentes técnicas
de alimentación inalámbrica y nuestra región de operación deseada.
Fig. 2. Diagrama conceptual de aplicación final que muestra el conjunto de transductores
ultrasónicos externos, una red de implantes en el cuerpo y el protocolo de comunicación de
datos bidireccional en nuestra demostración actual.
enlace para implantes. Nuestro diagrama de aplicación final conceptual
propuesto se muestra en la Fig. 2, donde una red de implantes es alimentada
por una matriz de transductores ultrasónicos externos. Proponemos utilizar
ultrasonido para el enlace descendente y RF de banda ultra ancha (UWB)
para la transferencia de datos del enlace ascendente [16], [23]. Si bien el
enlace descendente ultrasónico puede ser útil para transmitir señales de
control, comando o reloj de baja velocidad de datos (kbps) al implante, se
puede diseñar un enlace ascendente de RF energéticamente eficiente que
permita altas velocidades de datos (Mbps) para la recuperación in vivo. datos
de imágenes [24] y grabaciones neuronales de alta resolución en múltiples
sitios. En aplicaciones de menor velocidad de datos, se podría implementar un
enlace de datos puramente ultrasónico. Si bien nuestro implante actual
demuestra plenamente la recuperación de energía ultrasónica y la capacidad
de transferencia de datos bidireccional, los diseños futuros podrían incorporar
biosensores, electrodos para registro y/o estimulación, así como circuitos de
recuperación de reloj y modulación de datos para implementar una solución de datos
II. DESCRIPCIÓN GENERAL DEL SISTEMA DE IMPLANTES
Nuestro sistema de implante consta de un receptor de energía
piezoeléctrica, un chip de circuito integrado (IC) y una antena de cuadro, como
se muestra en la Fig. 3. El receptor piezoeléctrico recoge la energía ultrasónica
en forma de corriente alterna, que luego se
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Fig. 3. Diagrama de bloques del sistema del implante.
se convierte en energía CC a través de circuitos de recuperación de energía
en el IC y se almacena en un condensador en el chip. La energía almacenada
podría utilizarse para impulsar diferentes funciones, como estimulación,
biodetección y registro neuronal. El IC también incluye un circuito transmisor y
de recuperación de datos para comunicación de enlace descendente y
ascendente con el implante.
A. Diseño del receptor piezoeléctrico
El receptor piezoeléctrico está diseñado para lograr simultáneamente
dimensiones pequeñas, alta potencia disponible e impedancia favorable para
una recolección eficiente de energía. La impedancia y la potencia disponible
para un receptor piezoeléctrico dependen de varias variables de diseño, como
el material, las dimensiones y las cargas acústicas del paquete. Nuestra
estrategia de diseño para el dispositivo piezoeléctrico implica el uso del modelo
1D de Krimholtz, Leedom y Matthaei (KLM) [25] para obtener información de
primer orden y realizar simulaciones de elementos finitos en 3D utilizando la
herramienta COMSOL Multiphysics. Para esta demostración, elegimos titanato
de circonato de plomo (PZT) como material piezoeléctrico debido a su alto
factor de acoplamiento electromecánico, aunque en el futuro se podría realizar
un estudio más riguroso para optimizar la eficiencia de conversión de energía,
las dimensiones pequeñas y la biocompatibilidad. Un dispositivo piezoeléctrico
tiene un circuito abierto fundamental y una frecuencia de resonancia de
cortocircuito en la que la impedancia del dispositivo puede ser puramente real.
Según el modelo KLM, estas frecuencias están controladas principalmente por
el espesor del dispositivo, que, en primer orden, es igual a su media longitud
de onda en la frecuencia de resonancia de circuito abierto para cargas
acústicas de baja impedancia [25], [ 26]. La frecuencia de funcionamiento de 1
MHz se elige en función del equilibrio entre el grosor del dispositivo y las
pérdidas en el tejido. Para lograr resonancia de cortocircuito para PZT a 1
MHz, se eligió que el espesor del dispositivo fuera de 1,4 mm.
Además, se eligió que la dimensión lateral fuera de 1 mm para lograr un
acoplamiento mínimo a los modos de vibración parásita del dispositivo [27].
Esta dimensión por debajo de la longitud de onda también ayuda a lograr un
ángulo de aceptación grande, reduciendo así el impacto de las rotaciones del
implante en la recuperación de energía [28]. Las mediciones de nuestros
dispositivos piezoeléctricos se realizan en un tanque lleno de aceite mineral,
ya más práctica.
que tiene una enlace.
impedancia acústica similar a la del tejido blando.
Las figuras 4 (a) y (b) muestran los perfiles de impedancia medidos y simulados
(usando COMSOL) de dos receptores piezoeléctricos de diferentes tamaños
en aceite. Las mediciones y simulaciones muestran una buena concordancia,
lo que demuestra la utilidad de nuestras simulaciones en el diseño.
La medición muestra un Q ligeramente inferior porque no hemos modelado
todos los envases en las simulaciones. El simulado
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CHARTHAD et al.: UN IMD DE TAMAÑO mm CON TRANSFERENCIA DE POTENCIA ULTRASÓNICA Y UN ENLACE DE DATOS BIDIRECCIONAL HÍBRIDO
Fig. 4. Impedancia simulada (línea discontinua) y medida (línea continua) de (a) mm mm mm y (b) mm mm mm dispositivos piezoeléctricos,
que también muestra los perfiles de desplazamiento del dispositivo piezoeléctrico de mm en las frecuencias de resonancia, (c) Modelo de circuito equivalente del dispositivo piezoeléctrico
a frecuencia de resonancia de cortocircuito.
TABLA I
EFICIENCIA MEDIDA DE LA CONVERSIÓN ACÚSTICA A ELÉCTRICA
CALIBRADO MEDIANTE HIDRÓFONO Y CALCULADO DISPONIBLE
ENERGÍA ELÉCTRICA PARA UNA INTENSIDAD ACÚSTICA INCIDENTE
DE 0,72 mW/mm (10% DEL LÍMITE FDA ).
También se muestra el perfil de desplazamiento del dispositivo de 1,4 mm.
El modelo de circuito equivalente del dispositivo piezoeléctrico en
su frecuencia de resonancia de cortocircuito se muestra en la Fig. 4 (c).
La impedancia de cortocircuito se puede variar entre 2 y 6 k.
a través del diseño de las cargas del paquete. Nuestros 1,4 mm y
Los dispositivos piezoeléctricos de 0,5 mm también alcanzan una alta medida
Eficiencia de conversión acústica a eléctrica (50%) como se muestra.
en la Tabla I. A partir de los datos, ambos dispositivos logran una
potencia disponible 100 W a solo 0,72 mW/mm acústico
intensidad (10% del límite de diagnóstico de la FDA), lo que nos permite
alcanzar el rango de mW aumentando aún más la intensidad acústica.
B. Enlace de datos bidireccional
Dado que las velocidades de datos de enlace descendente requeridas en aplicaciones
típicas de implantes son kbps, un enlace descendente ultrasónico que opera en una portadora
La frecuencia de MHz es factible. Nuestro protocolo de enlace descendente de prueba
de concepto, como se muestra en la Fig. 2, utiliza el flanco descendente del
señal de ultrasonido como “disparador” de entrada para el implante. En esto
protocolo, la tasa de activación de enlace descendente máxima alcanzable está
determinada por los tiempos mínimos requeridos de ENCENDIDO y APAGADO de la
entrada de ultrasonido. El tiempo mínimo de APAGADO está limitado por la tasa de
descarga de la envoltura de ultrasonido, así como la velocidad del
Circuito detector de envolvente. La tasa de descarga del ultrasonido.
La envolvente depende en gran medida del perfil de impedancia del receptor
piezoeléctrico y de otros factores complejos como la dispersión de su eficiencia de
conversión acústica a eléctrica y la
1743
Impedancia de entrada no lineal del IC. El tiempo mínimo de encendido
.
está determinado por el tiempo requerido para recargar completamente.
Según los valores típicos de tiempos de ENCENDIDO y APAGADO de nuestro diseño
y mediciones, las velocidades de activación del enlace descendente de 10 kbps pueden
ser logrado. Para aplicaciones que exigen datos de enlace descendente más grandes
velocidad, un protocolo diferente, como la manipulación por desplazamiento de amplitud con un
En el futuro se puede implementar una pequeña profundidad de modulación.
A pesar de los inconvenientes de la RF para la transferencia de energía inalámbrica,
Todavía es factible implementar un enlace ascendente de datos de RF, porque
El nivel de señal requerido en el receptor de datos externo puede ser tan
bajo, de 70 a 80 dBm, en lugar de 20 a 0 dBm
por poder. Esto es posible porque el enlace es altamente asimétrico, lo que permite
que el receptor externo sea grande, consuma
más potencia y, por lo tanto, tienen mayor sensibilidad en comparación
al implante. Suponiendo un ancho de banda de 1 GHz, una relación señal­ruido (SNR)
de 10 dB y un factor de ruido de 3 dB,
La sensibilidad del receptor externo se puede calcular como
71dBm. Nuestro protocolo de enlace ascendente consiste en transmitir dos
Pulsos UWB del implante, tras la recuperación de la entrada.
gatillo, como se ilustra en la Fig. 2. Esto demuestra suficiente
energía en el implante que muestra la capacidad de implementar
Modulación m­PPM en el futuro, donde el primer pulso puede
sirve como pulso de calibración o sincronización, y el segundo
El pulso se puede colocar en una de las ranuras 'm'. Este protocolo permite realizar
ciclos de trabajo intensos del transmisor, lo que resulta
en un consumo medio de energía extremadamente bajo y una eficiencia
energética mejorada, como se demostrará en las próximas secciones.
En esta demostración, elegimos una frecuencia de RF de 4 GHz,
basado en consideraciones sobre el tamaño y la profundidad de la antena del implante
en el tejido, como se analiza más adelante en la Sección V. El pulso nominal
El ancho se elige para que sea 2 ns y el retardo nominal entre pulsos es
fijo en 10 ns. Un ancho de pulso aún más pequeño podría permitir una menor
consumo de energía por pulso y velocidades de datos de enlace ascendente más altas, pero
requeriría una antena de banda ancha y una frecuencia portadora de RF más alta, lo
que tiene mayores pérdidas en el tejido. Contabilización de pérdidas
en el enlace (discutido en la Sección V), la potencia máxima entregada a
La antena del implante está destinada a estar entre 10 y 0 dBm en
para cumplir con la sensibilidad de 71 dBm del receptor externo.
Por lo tanto, nuestro sistema actual demuestra la capacidad de enlace ascendente
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1744
y comunicación de enlace descendente. Sin embargo, en trabajos futuros, se
deberían implementar bloques adicionales para recuperación de reloj, procesamiento
de datos y modulación para lograr una conexión inalámbrica completa.
enlace de datos.
III. ARQUITECTURA DE RECUPERACIÓN DE ENERGÍA
Se requiere un circuito de gestión y recuperación de energía, junto con
con un riel de CC de salida regulada, para alimentar de manera confiable transmisores
de datos, sensores o circuitos de estimulación necesarios en la mayoría de los implantes.
aplicaciones. En este diseño de prueba de concepto, nuestro objetivo es un voltaje de
salida de CC regulado de 1 V y una corriente de salida de CC máxima.
de A, es decir, una potencia de carga CC máxima
de W. El rango de voltaje de entrada de CA pico objetivo para
el circuito de recuperación de energía es de 0,6 a 1,1 V, según el umbral
voltaje de rectificadores típicos y el límite de voltaje de ruptura
de transistores.
A. Interfaz chip­receptor piezoeléctrico
El componente fundamental de la resistencia de entrada.
de un circuito típico de recuperación de energía CA­CC es de aproximadamente
dada por
(1)
¿Dónde está la potencia de entrada promedio del IC y
es la eficiencia del convertidor AC­DC. Para entre
0,6–1,1 V, entre 10 y 100 W, y entre
30­70%, está entre 0,5–42,4 k. La impedancia de entrada
también se compone de una capacitancia en derivación, que incluye la
capacitancia parásita de transistores MOS o diodos conectados
en las entradas de CA. Sin embargo, se puede ignorar en la frecuencia.
de interés (1 MHz) y para los valores típicos de en este
diseño. Por lo tanto, las resistencias del convertidor AC­DC y
El receptor piezoeléctrico puede diseñarse para que se encuentre en una posición similar.
rango ( k ), lo que nos permite renunciar a una entrada dedicada que coincida
red, sin dejar de lograr buenas eficiencias de transferencia de energía.
B. Arquitectura del circuito de recuperación de energía
Un multiplicador Dickson típico utilizado para la recuperación de energía en este
El diseño requeriría valores muy grandes de condensadores de acoplamiento.
debido a la baja frecuencia de entrada (1 MHz) y la gran A
requisito [29]–[31]. El voltaje de CC de salida de un multiplicador Dickson de una sola
etapa está dado aproximadamente por
, ¿Dónde está la capacitancia de acoplamiento y es?
la frecuencia de entrada. Para simplificar, la ecuación anterior supone
caída de voltaje cero a través de los diodos en el circuito multiplicador y
ignora el efecto de la capacitancia parásita del diodo. Basado en el
ecuación anterior, si A y MHz, , consta de un par NMOS de acoplamiento cruzado de puerta y un
,
luego para lograr, por ejemplo, el valor requerido
de es 1 nF. Además, la capacitancia de carga en el nodo es
normalmente se elige para que sea un orden de magnitud mayor que
[30], lo que da como resultado un área en el chip muy grande.
Por lo tanto, para reducir el tamaño de los condensadores de acoplamiento,
desacoplar las restricciones de lo bajo y lo grande mediante el diseño
un circuito de recuperación de energía con una arquitectura híbrida de dos caminos como
se muestra en la Fig. 5. En esta arquitectura, la ruta de energía principal es
diseñado para soportar la A grande y operar a una
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Fig. 5. Arquitectura híbrida de dos vías del circuito de recuperación de energía.
Alta frecuencia de conmutación (30 MHz) para reducir el tamaño de los condensadores
de acoplamiento. En este camino, el voltaje de entrada de CA se rectifica primero a
un voltaje de CC usando un rectificador activo de onda completa.
Luego se utiliza un duplicador de voltaje de alta frecuencia para duplicar este
voltaje a . Posteriormente, un regulador de baja caída (LDO),
.
alimentado desde , genera un riel de CC constante en
Paralelamente al camino principal, implementamos una alimentación auxiliar.
camino que consiste en un duplicador de voltaje push­pull que genera
un riel de CC auxiliar para alimentar bloques de bajo consumo de energía, como un
circuito de polarización de gm constante y un anillo
oscilador que impulsa el duplicador de alta frecuencia. Debido a la baja
Para la potencia de salida de este camino, el tamaño de los condensadores de
acoplamiento requeridos en el duplicador push­pull no necesita ser grande. Esta
arquitectura permite así la generación de señales de referencia y de reloj.
a bajas potencias disponibles durante el inicio, sin dejar de soportar un
gran potencia de carga, sin comprometer la eficiencia ni utilizar valores poco prácticos
de condensadores de acoplamiento.
Para una alta potencia de entrada disponible y eficiencia de conversión de energía
(PCE) para esta arquitectura aumenta con un máximo hasta el maximo ­
sostenible. Por muy bajo por la disipación de energía , PCE es limitado
en reposo en el LDO y otros bloques de circuitos. Para baja potencia de entrada
disponible, es baja, lo que resulta
en una menor eficiencia de rectificación. Técnicas para mejorar la
eficiencia del rectificador en baja [32], [33], e implementación de una bomba de carga
eficiente y reconfigurable [34] para
minimizar la caída de voltaje a través del transistor de paso LDO, puede
Mejorar aún más el PCE en una amplia gama de potencias de entrada.
y corrientes de carga.
IV. IMPLEMENTACIÓN DEL CIRCUITO
A. Circuitos de recuperación de energía
La Fig. 6(a) muestra un esquema del rectificador activo de onda completa que
Diodos PMOS que funcionan como interruptores [35]. Esta topología permite
voltaje de caída bajo a través de los transistores, lo que resulta en un alto
PCE. El diodo PMOS activo utiliza un comparador de alta velocidad
con una etapa de entrada de puerta común. Las fuentes de corriente del comparador
están polarizadas desde el circuito de polarización de gm constante alimentado
desde el carril. El arranque fiable del rectificador activo es,
por lo tanto, garantizado ya que el carril se genera mediante un sistema pasivo.
duplicador de voltaje. Resultados de la simulación posterior al diseño de este rectificador.
en una de 0,72 V para un pico de 0,8 V y una potencia de carga
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CHARTHAD et al.: UN IMD DE TAMAÑO mm CON TRANSFERENCIA DE POTENCIA ULTRASÓNICA Y UN ENLACE DE DATOS BIDIRECCIONAL HÍBRIDO
Fig. 6. Circuitos de recuperación de energía en la ruta de energía principal: (a) rectificador activo de onda completa y el comparador utilizado en el diodo PMOS activo; (b) alta frecuencia
duplicador de voltaje; (c) Circuito LDO y generación de la señal POR.
de W, lo que confirma una relación de conversión de voltaje de 0,9 y una
PCE del 89,4%. En esta simulación, el voltaje de caída a través del
Los transistores NMOS son de 5,6 mV y eso en el PMOS activo
diodos es de 72 mV.
El duplicador de voltaje del condensador conmutado de alta frecuencia,
como se muestra en la Fig. 6 (b), se implementa utilizando MOS de acoplamiento cruzado
transistores con dos condensadores de acoplamiento ( y ) impulsados por
señales de reloj antifase y . Los valores de estos acoplamientos.
Los condensadores (9 pF) y la frecuencia de conmutación (30 MHz) son
elegido en base a la compensación entre pérdidas por cambio, pérdidas
debido a la resistencia de salida finita del convertidor y las pérdidas por
redistribución de carga [36]. Para de 1,0 V y una potencia de carga de
100 W, las simulaciones posteriores al diseño de este duplicador arrojan un voltaje
ratio de conversión de 1,78 y un PCE del 88%. Los 30MHz
La señal de reloj se genera utilizando un anillo privado de corriente de 5 etapas.
oscilador alimentado desde . La salida del anillo.
El oscilador cambia aún más de nivel hacia la oferta y se alimenta a
y a través de un buffer inversor.
El valor de la capacitancia de carga en el chip del rectificador.
se elige que sea 0,5 nF, la del duplicador es 0,8 nF,
y el almacenamiento en la salida del LDO es 2 nF,
Basado en el equilibrio entre el tiempo de inicio y el de descarga.
velocidad de estos rieles durante el tiempo APAGADO de la entrada de ultrasonido,
así como para minimizar la ondulación del voltaje. En diseño, estos
Los condensadores se implementan como una combinación de MOS y
Condensadores de metal­óxido­metal (MOM), que logran una densidad de
capacitancia de 3,8 nF/mm. Se eligen condensadores en chip.
en este diseño, ya que los condensadores fuera del chip plantean una mayor integración
desafíos, además de consumir un gran volumen de implante.
El esquema del LDO se muestra en la Fig. 6 (c) junto con
el esquema para generar una señal de reinicio de encendido (POR). El
LDO, utilizando un transistor de paso PMOS y una OTA de espejo de corriente
como amplificador de error, está diseñado para una carga máxima de 100 A
y consume una corriente nominal de reposo de 3,2 A en simulación. El tiempo
de inicio del LDO a partir de simulaciones posteriores al diseño.
es de 100 s, lo que también se confirma a partir de mediciones, como se muestra
1745
Fig. 7. (a) Circuito duplicador de voltaje push­pull utilizado en la ruta de energía auxiliar,
(b) Circuito de protección contra sobretensión para carril.
maldecido en la Sección VII. El tiempo de inicio de LDO es importante porque
influiría en el rendimiento de un sistema que consta
de una red de implantes a los que accede la unidad externa a través
Acceso múltiple en el dominio del tiempo (TDMA).
En la ruta de energía auxiliar, el voltaje pasivo de contrafase
El duplicador, que se muestra en la Fig. 7 (a), se implementa utilizando
transistores conectados por diodos. Aunque los transistores conectados por
diodos provocan una caída de tensión directa, el PCE de este bloque no
impacta el PCE general debido a una pequeña corriente de carga para esta etapa.
Para evitar averías debidas a sobretensiones en las entradas,
Se agregan abrazaderas limitadoras de voltaje activas y basadas en diodos
entre las dos entradas de CA del IC y en los rieles de CC: . La ,
y abrazadera activa en el riel se muestra en
Figura 7(b). Utiliza un circuito de retroalimentación negativa para detectar un voltaje.
excursión más allá de 1,6 V y, en respuesta, consumir más corriente
a través del transistor, limitando así el voltaje.
B. Circuitos de comunicación de datos
Nuestra novedosa técnica de detección de envolvente para el circuito de
recuperación de datos consiste en reutilizar el comparador en el estado activo
Diodo PMOS del rectificador, como se muestra en la Fig. 8. Cuando la
,
envolvente de las entradas de CA y cae aproximadamente por debajo
la suma de un voltaje umbral NMOS y PMOS, transistor
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1746
Fig. 8. Circuito de recuperación de datos que muestra la detección de envolvente de la entrada de ultrasonido y la generación de pulsos de activación.
Fig. 9. Circuito transmisor de datos de RF que muestra el oscilador y los esquemas del PA.
se apaga, permitiendo que la corriente para cargar el
condensador. Como se ilustra en la Fig. 8, esto activa un pulso digital
generador para generar dos voltajes de disparo y con
un ancho de pulso nominal de 2 ns y un retardo fijo entre pulsos de
10 ns en simulaciones posteriores al diseño. Estos voltajes de activación sirven
como señales de “habilitación” para el transmisor de RF. es simplemente una
, retraso de 100 ps, y es necesaria para
versión retrasada de con un
el arranque rápido del oscilador. La generación de estos pulsos.
durante el inicio se evita activando el circuito de recuperación de datos con
la señal POR.
Nuestro transmisor RF UWB, que se muestra en la Fig. 9, consta de un
Oscilador LC de 4 GHz con un par NMOS de acoplamiento cruzado, seguido
de un amplificador de potencia (PA), ambos activados por y , para interconectar el PA con
pulsos. Un objetivo importante en el diseño de este transmisor es
Minimice su tiempo total de encendido garantizando un inicio y apagado rápidos.
de elementos que consumen un pico de potencia elevado. El número de
Ciclos necesarios para el arranque de un oscilador LC convencional.
es proporcional al tanque Q. Sin embargo, un ancho de pulso de 2 ns
y una frecuencia portadora de 4 GHz requiere el arranque del
oscilador en 3 o 4 ciclos. Por lo tanto utilizamos una cola modificada.
fuente de corriente [37] que proporciona un impulso asimétrico al
oscilador, estableciendo una gran condición inicial para las oscilaciones.
y dando como resultado un tiempo de inicio de 1 ns. capacitancia en el
La fuente de corriente de cola modificada tiene un tamaño (1,54 pF) de manera que
proporciona una gran diferencia de voltaje durante el arranque, mientras que es mínimamentevueltas a cada lado, un ancho de pista de 3 m y una distancia de 2 m
degenerando la transconductancia del NMOS de acoplamiento cruzado
transistores en estado estacionario. En las simulaciones posteriores al diseño, la nomenclatura
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y.
a La corriente final del oscilador en estado ON es de 4 mA, lo que da como resultado una corriente por pulso.
disipación de energía de 9 pJ (0,9% de la energía total almacenada en
–
). Los interruptores aseguran que el oscilador esté
completamente apagado cuando los pulsos no se están transmitiendo.
El PA utiliza una topología de clase A en casco y fue diseñado conjuntamente
con la antena para generar una potencia de salida máxima entre 10 y 0 dBm.
El rápido arranque del PA está garantizado por
diseñando un controlador potente para node. Los transistores de entrada de
el PA está polarizado a un voltaje CC de 0,8 V derivado del
Divisor de resistencia del LDO. El filtro de paso alto en la entrada.
del PA asegura un buen acoplamiento de CA a la salida del oscilador
a 4 GHz. Un balun/transformador 1:1 en chip, con su principal
El grifo central conectado está diseñado
la antena fuera del chip. El balun proporciona protección ESD [38],
al mismo tiempo que permite la medición directa de la salida de PA utilizando un
sonda de un solo extremo. La corriente nominal de cola de PA en el diseño posterior.
Las simulaciones son 8,5 mA, lo que da como resultado un consumo de
energía por pulso de 18 pJ (1,8 % de la energía total almacenada en ). El
La potencia de fuga en estado APAGADO del PA está limitada a 50 nW.
Los modelos HFSS del inductor y balun se muestran en
Fig. 10(a) y (b), respectivamente. El inductor espiral, diseñado
con cinco vueltas, un ancho de traza de 3 m y una separación entre
trazas de 4 m, logra una inductancia de 3,6 nH, Q de 11, y
una frecuencia de autorresonancia de 12,5 GHz. El balun 1:1 tiene cuatro
entre los giros primario y secundario. A 4 GHz, el balun
logra un factor de acoplamiento de 0,88, lado primario y secundario
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Fig. 10. Configuraciones de simulación HFSS para (a) el inductor utilizado en el oscilador LC y (b) el balun en la salida del PA.
inductancias de 3 nH con factores de calidad de 10. Se descubrió que el epoxi y el tejido
que rodea el CI tienen un impacto mínimo en el inductor y el balun en simulaciones HFSS.
V. DISEÑO DE ANTENA
Hemos diseñado pequeñas antenas de cuadro de 1,5 mm a 3 mm para el enlace
ascendente de datos para nuestro sistema de prueba de concepto. Se utilizó el software
ANSYS HFSS para simular un enlace de transmisión de RF completo con la antena
interna implantada, en 3 cm de tejido corporal, y una antena de bucle externa. La
configuración de la simulación se muestra en la Fig. 11 (a). Usamos un medio muscular
homogéneo porque no estamos diseñando para una aplicación específica, el músculo
abunda alrededor del cuerpo en capas gruesas y es un lugar probable para implantes, y
el músculo tiene una pérdida relativamente alta, lo que brindará un vínculo conservador.
Al diseñar una antena implantada en miniatura, existe un equilibrio de frecuencia entre
la longitud eléctrica de la antena y las pérdidas en el tejido. El funcionamiento con
frecuencias más bajas da como resultado una impedancia Q alta [39] y una mala
adaptación al PA; sin embargo, la operación de alta frecuencia produce un aumento de
las pérdidas corporales [40]. Para nuestro diseño, investigamos tamaños de antena entre
1,5 mm y 3,0 mm, ya que son del orden de las dimensiones del CI y del receptor
piezoeléctrico y mantienen pequeña el área total del implante. Se encontró que el rango
de frecuencia de 3,5 a 4,5 GHz (1 GHz BW para pulso de 2 ns) era favorable para los
tamaños de antena investigados, ya que la impedancia de entrada a la antena de 2,5
mm era en gran medida real y óptima para los niveles de potencia y voltaje en nuestro
diseño. La figura 11(b) muestra la impedancia de un bucle de 2 mm, 2,5 mm y 3 mm de
3,5 a 4,5 GHz en un diagrama de Smith. Con base en esta impedancia, diseñamos un
PA de clase A para que tenga un perfil de carga favorable para la antena de 2,5 mm,
como también se muestra en la Fig. 11 (b).
Después de diseñar la antena implantada, diseñamos paramétricamente una antena
receptora de bucle externo de modo que logramos una ganancia de enlace de alta
potencia en la banda de 3,5­4,5 GHz. La antena receptora externa de nuestro sistema
es un bucle cuadrado de longitud lateral igual a 10,5 mm. En sistemas futuros, el diseño
de esta antena debería optimizarse, principalmente con el objetivo de lograr la máxima
apertura o ganancia efectiva y polarización circular, dentro de las limitaciones de tamaño
establecidas por la aplicación específica. La figura 11(c) muestra más de 2 a 5 GHz,
simulada con una impedancia de carga de. Supusimos una potencia de transmisión
entre y 0 dBm y calculamos una sensibilidad dBm, en un estudio anterior.
1747
sección, lo que significa que necesitábamos al menos dB de ganancia de enlace.
Como puede verse en los datos, los tres diseños de antena tienen una ganancia de
enlace mucho mayor que el valor requerido en toda la banda. es relativamente similar
para las tres antenas porque todas tienen patrones de radiación similares y está
normalizado para la potencia de entrada a la antena. Aunque la potencia total recibida
es mayor para la antena de 2,5 mm, debido a la impedancia presentada al PA, las otras
antenas también se pueden utilizar sin una degradación significativa de la potencia
recibida. Dado que el implante podría sufrir pequeñas rotaciones en el cuerpo, también
realizamos simulaciones con la antena de 2,5 mm a 4 GHz para evaluar la dependencia
angular de . Giramos la antena alrededor de los ejes xey hasta 90 grados (ángulos
etiquetados en la Fig. 11(a) como y ), y descubrimos que era insensible al ángulo. El
máximo se obtuvo para la orientación que se muestra en la Fig. 11(a), y el mínimo fue
apenas dB por debajo del máximo en valores mayores con las caras del bucle
normales entre sí. También realizamos mediciones en algunos ángulos discretos y
observamos que el enlace era relativamente insensible a las rotaciones angulares
y la desalineación, lo que concuerda con las simulaciones.
VI. CONFIGURACIÓN DE MEDICIÓN
Para demostrar la viabilidad de la transferencia de datos y energía inalámbrica en el
cuerpo, realizamos mediciones ex vivo del implante en carne de pollo. Se elige la carne
de pollo porque sus propiedades acústicas y electromagnéticas se parecen mucho a las
del tejido humano [40], [41]. Nuestra configuración de medición se muestra en la Fig. 12.
Observamos que si bien se usa aceite mineral para el acoplamiento acústico y tiene un
impacto mínimo en el enlace de RF, en un escenario real, se usará una capa de
adaptación acústica entre el transmisor ultrasónico portátil y la piel. .
El transmisor ultrasónico externo (Olympus A303S­SU) se activa a 1 MHz mediante
un generador de señal. Para niveles variables de potencia de entrada, las entradas de
CA y las salidas de CC del IC se miden para caracterizar el rendimiento del circuito de
recuperación de energía. Se conecta una resistencia de carga externa para caracterizar
la capacidad de potencia de salida de CC del IC. Se utiliza una cadena de
receptores de RF externos, que consta de una antena, un amplificador de bajo ruido y
un osciloscopio, para caracterizar el rendimiento de los circuitos transmisores de RF de
enlace descendente y de recuperación de datos de enlace ascendente. Además,
realizamos una prueba ciega de nuestro paquete completo.
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1748 IEEE JOURNAL DE CIRCUITOS DE ESTADO SÓLIDO, VOL. 50, NO. 8 DE AGOSTO DE 2015

Fig. 11. (a) Configuración de simulación HFSS para la antena que muestra tejido modelado como músculo (el músculo tiene altas pérdidas y proporciona resultados de ganancia de enlace conservadores),
alimentación de antena, cables de unión y CI modelado como una lámina de metal. (b) Curvas de carga­tracción simuladas del PA superpuestas con la impedancia simulada para diferentes dimensiones de
antena. (c) Ganancia de enlace simulada, que muestra un perfil de ganancia plano entre 3,5 y 4,5 GHz para todos los tamaños de antena.

Fig. 12. Configuración de medición para la caracterización del implante.

Implante envejecido, incrustado en 3 cm de carne de pollo por todos lados, sin
acceder a ninguno de sus terminales mediante PCB o cables.
Se utilizó un hidrófono de aguja de banda ancha para caracterizar los perfiles
de haz vertical y horizontal de nuestro transmisor ultrasónico externo, como se
muestra en la Fig. 13 (a) y (b). Esta medición muestra que la intensidad RMS
máxima se alcanza a 3 cm de profundidad y, por lo tanto, nuestras mediciones
de implantes se realizan a esta profundidad. La Fig. 13(a) también muestra la
potencia disponible para nuestro dispositivo piezoeléctrico de 1,4 mm, medida
a través de aceite y 2,7 cm de carne de pollo para una intensidad acústica de 1
mW/mm para este transmisor a 3 cm de profundidad. La Fig. 13(b) muestra un
diámetro de haz horizontal de 3 mm para nuestro transductor, lo que da como
resultado un punto de haz.
tamaño 7 mm, que es 7 más grande que el área de la sección transversal de
nuestro dispositivo piezoeléctrico (1 mm). En el futuro, la formación de haz de
matriz ultrasónica se podrá utilizar para optimizar aún más el tamaño del punto
del haz con el fin de maximizar la eficiencia del enlace a mayores profundidades
de implante (hasta 10 cm) [42], [43]. Sin embargo, a mayores profundidades de
implante, la eficiencia del enlace de datos de RF puede degradarse, lo que
requiere una elección cuidadosa de la frecuencia portadora de RF basada en el
equilibrio entre las pérdidas de tejido y el tamaño de la antena del implante.
VII. RESULTADOS DE LA MEDICIÓN Y DISCUSIÓN
Los resultados de las mediciones se presentan para nuestro sistema de
implante diseñado utilizando el receptor piezoeléctrico mm mm mm,
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Fig. 13. Caracterización del transductor ultrasónico externo. (a) Intensidad acústica RMS normalizada frente a profundidad vertical, medida en medio de petróleo usando una aguja
hidrófono con una apertura de 1,5 mm de diámetro. El gráfico también muestra la potencia disponible para nuestro dispositivo piezoeléctrico de mm a través de aceite y 2,7 cm de pollo.
carne para una intensidad acústica de mW/mm a 3 cm de profundidad. La sección transversal del dispositivo es mm. (b) Perfil del haz del transductor en el plano horizontal a 3 cm.
profundidad, mostrando un tamaño de punto focal de 3 mm (círculo discontinuo).

Fig. 14. Fotografía del IC (mm mm) con los bloques de circuito clave anotados.

Fig. 15. Voltajes de CC medidos del IC en función del pico de entrada de CA

Voltaje.

mm mm Tamaños de antena IC y de cuadro cuadrado de 2,5 mm

y 3 mm, empaquetados juntos en una PCB FR4. La foto del troquel
del IC, diseñado utilizando TSMC 65 nm de propósito general (GP)
tecnología de proceso, se muestra en la Fig. 14. Para la caracterización
En las pruebas, los componentes se ensamblaron en una PCB junto con
conectores para acceder a todos los terminales. Resultados de medición presentados
en las Figs. 15–18 y 20(a) están con esta PCB colocada dentro del
tanque de aceite, con el transductor externo proporcionando el ultrasonido
aporte. Resultados de medición para la caracterización en banco del CI.
se presentan en las Figs. 19(a) y 20(b).
La Fig. 15 muestra la recuperación exitosa de voltajes CC, con
sin carga externa encendida para voltajes
, máximos de entrada de CA de
el IC oscila entre 0,6 y 1,2 V, como se esperaba del diseño.
La Fig. 16(a) muestra las formas de onda medidas de las dos entradas de CA.
voltajes del chip (es decir, en los terminales del piezoeléctrico Fig. 16. (a) Formas de onda medidas en las dos entradas de CA del CI y el voltaje de salida del
rectificador. (b) Valores medidos de la entrada máxima de CA al IC y
receptor) y la salida del rectificador de onda completa para un incidente
las tensiones CC recuperadas para una intensidad acústica incidente de mW/mm
Intensidad acústica de 0,13 mW/mm (1,8% del límite FDA) (1,8% del límite de la FDA).
en el implante y sin carga externa. El voltaje
La eficiencia de conversión del rectificador es del 97,5%. Medido
(1,49 V) es inferior al doble del valor de (0,78 V) porque La medición es de 0,69 V y es inferior a su valor en la Fig. 15 para
el limitador de voltaje activo en está parcialmente encendido. La salida debido a variaciones en el proceso, lo que motiva aún más
del LDO es 1,04 V, que está cerca del valor simulado la necesidad de generar un riel de CC regulado utilizando un LDO en
de 1,0 V. Esta pequeña diferencia podría atribuirse a la susceptibilidad del tales aplicaciones.
voltaje de referencia del LDO a las variaciones del proceso. La Fig. 17 muestra las formas de onda de arranque medidas de los rieles de CC.
en el circuito de polarización de gm constante. El valor de en este para un voltaje de entrada de CA pico de 0,8 V. Se puede ver que
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1750
Fig. 17. Formas de onda de inicio medidas de los rieles de CC para una entrada de CA máxima
tensión de 0,8 V.
Fig. 18. Formas de onda de carga y descarga medidas para la salida LDO
voltaje que muestra una buena correlación con la simulación.
se estabiliza al 95% de su valor de estado estacionario en 103 s, lo cual está cerca
al valor de simulación de 100 s. En la Fig. 18, el inicio y
Los perfiles de descarga del ferrocarril se comparan con simulaciones.
Para esta medición y simulación, la entrada de ultrasonido es
se enciende durante 300 s y posteriormente se apaga durante 5 ms. Él
Se puede observar que la tasa de descarga medida de fósforos
simulación, lo que significa que la fuga tanto dentro como , La operación dará como resultado mayores pérdidas de tejido, así como la
Se modela la corriente de fuga de los circuitos alimentados. ,
con buena precisión en la simulación.
Recuperación de datos y transmisión de pulsos UWB desde el
implante se demostró modulando la amplitud de
la entrada de ultrasonido en el transmisor externo y la detección
los pulsos de RF resultantes a través de la cadena del receptor de RF externo.
La Fig. 20(a) muestra el flanco descendente de la entrada de ultrasonido y
los pulsos UWB medidos para el tamaño de la antena de bucle del implante de
3 mm.
La Fig. 19 (a) muestra el resultado de la caracterización del banco para el
Voltaje de salida LDO y eficiencia de conversión AC­DC de
el IC para variar la resistencia de carga externa conectado a
. El LDO regula hasta una potencia de carga CC máxima
de 100 W, como se esperaba. A esta carga completa, el IC logra
una eficiencia máxima de conversión AC­DC del 54%. Como se analizó
anteriormente, los diseños futuros se pueden optimizar para maximizar esta
eficiencia. La medición con 100 W.
La carga externa conectada al LDO también se realizó en
el tanque de aceite y requirió una intensidad acústica incidente de
0,36 mW/mm (5% del límite de la FDA). La figura 19(b) muestra una
desglose del consumo de energía simulado del IC,
IEEE JOURNAL DE CIRCUITOS DE ESTADO SÓLIDO, VOL. 50, NO. 8 DE AGOSTO DE 2015
que es de 85 W para una carga de 100 W, destacando que el mayor
El consumo de energía (34,1%) se produce a través del transistor de paso de
el LDO, y que los circuitos de comunicación de datos, que
están APAGADOS durante el tiempo ENCENDIDO de la entrada de ultrasonido, consumen
porcentaje más bajo (0,2%) de la potencia total. La figura 20(b) muestra la
Pulsos UWB medidos sondeando la salida del PA con
a :1 balun y conectando un osciloscopio 50 en el lado secundario, mostrando
una potencia de salida máxima de PA de 4 dBm
después de contabilizar las pérdidas externas.
Por último, hemos integrado todos los componentes (antena de 2,5 mm)
de nuestro implante en un tamaño de paquete de 4 mm 7,8 mm como se muestra en
Figura 21(a). El dispositivo piezoeléctrico se coloca dentro de un orificio pasante de
la PCB, el conjunto de chip en placa se utiliza para el IC y
La antena de cuadro se fabrica utilizando una traza de cobre en el FR4.
TARJETA DE CIRCUITO IMPRESO. Los dos terminales del dispositivo piezoeléctrico están
conectados a los dos terminales de entrada del IC mediante el uso de una lámina de cobre.
y epoxi conductor para el terminal inferior y un cable de conexión
para el terminal superior. Además, el dispositivo piezoeléctrico y el IC.
Están encapsulados en Sylgard 184 para proteger los cables de conexión.
y porque Sylgard tiene un impacto mínimo en sus propiedades.
El peso de nuestro implante completamente empaquetado es g. El
Prueba ciega totalmente inalámbrica realizada para este implante, sin ningún
acceso a sus terminales, demuestra una transferencia de energía exitosa
y capacidad de comunicación de datos bidireccional. pulsos UWB
de esta medición, que se muestra en la Fig. 21 (b), se recibieron con
una SNR de 13 dB a través de exactamente 3 cm de carne de pollo y
Otros 3 a 4 mm de vidrio, como se muestra en la configuración de medición.
de la figura 12.
Las dimensiones del implante se pueden reducir aún más.
dependiendo de los requisitos de la aplicación. Los pulsos UWB tienen
medido con éxito con antenas de cuadro más pequeñas hasta
1,5 mm. Además, como comentamos antes, hemos diseñado un diámetro de 0,5 mm.
Receptor piezoeléctrico de alta potencia disponible y rango k.
impedancia resonante. Los receptores piezoeléctricos más pequeños normalmente
requerirán una frecuencia de ultrasonido más alta, lo que puede resultar en
Áreas más pequeñas para condensadores en chip. Sin embargo, la alta frecuencia
degradación del PCE del IC debido a la menor potencia disponible y
niveles de tensión de entrada. Esto requerirá una mayor investigación de
Diseño de transmisores externos y técnicas de circuitos de bajo voltaje.
para optimizar el enlace y la eficiencia del IC. Además, reducir
el tamaño del IC implementando una parte del condensador de almacenamiento
fuera del chip y realizando una integración 3D completa del paquete
puede permitir una mayor miniaturización del implante.
VIII. CONCLUSIÓN
Una primera demostración de prueba de concepto de un dispositivo implantable
de tamaño mm, que utiliza ultrasonido para la transferencia de energía, y
En este artículo se presentó un enlace de comunicación de datos bidireccional
híbrido. La transferencia de energía ultrasónica es ideal para
proporcionando altos niveles de potencia (100 W a unos pocos mW) a mm
e implantes de tamaño inferior a mm que operan profundamente dentro del cuerpo
(hasta 10 cm). Un enlace de datos híbrido que consta de ultrasonidos.
En este diseño se propuso un enlace descendente y un enlace ascendente de RF. la RF
El protocolo de enlace ascendente consiste en transmitir pulsos UWB, lo que
demuestra la viabilidad de implementar un sistema energéticamente eficiente.
Transmisor PPM en el futuro. Nuestro prototipo de implante actual
admite una potencia de carga CC medida máxima de 100 W,
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Fig. 19. (a) Voltaje de salida LDO medido y eficiencia de conversión CA­CC del IC en función de la resistencia de carga externa conectada a (b) Desglose simulado .
del consumo de energía del IC, que es de 85 W para carga completa de 100W.

Fig. 20. (a) Medición inalámbrica de recuperación y transmisión de datos a través de 3 cm de carne de pollo para el implante con antena de bucle de 3 mm. (b) pulsos UWB
medido a la salida del PA.

Fig. 21. (a) Implante completamente empaquetado. (b) Resultados de la prueba ciega de extremo a extremo del implante completamente empaquetado que muestra una recuperación exitosa de los pulsos UWB en el
receptor externo.

mientras se opera a una intensidad acústica incidente del 5% de RECONOCIMIENTO

el límite de ultrasonido de diagnóstico de la FDA. Nuestro implante actual Los autores agradecen la ayuda de Mahmoud Saadat y
completamente empaquetado tiene unas dimensiones de 4 mm 7,8 mm. Exitoso conversaciones con el Prof. Khuri­Yakub y el Dr. Nikoozadeh. El
Se realizaron pruebas de extremo a extremo para el implante completamente La fabricación de este chip fue posible gracias al programa TSMC Uni­versity
empaquetado, completamente incrustado en carne de pollo (que emula Shuttle. Los autores agradecen a Rohde&Schwarz
tejido humano). El potencial para una mayor miniaturización del implante se ayudando con el equipo de prueba y Berkeley Design Automation
ve confirmado por nuestras mediciones con antenas y receptores para el uso de la plataforma analógica FastSPICE (AFS). Los autores
piezoeléctricos más pequeños y la posibilidad de integración 3D de también agradecen la ayuda de ANSYS para el uso de HFSS.
componentes. y Lorentz Solution para el uso de software PeakView EMD.
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1752
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[38] H. Wang, C. Jiao, L. Zhang, D. Zeng, D. Yang, Y. Wang y Z. Yu, “Un receptor frontal de 24 GHz
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dispositivos implantados” Ultrasónicos, vol. 50, núm. 6, págs.
556–566, mayo de 2010.
Jayant Charthad (S'13) recibió el B.Tech. Licenciatura del Instituto
Indio de Tecnología, Bombay, India, en 2009, y maestría de la
Universidad de Stanford, Stanford, CA, EE. UU., en 2013, ambas en
ingeniería eléctrica. Actualmente está cursando el Ph.D. Licenciado
en ingeniería eléctrica en la Universidad de Stanford.
De 2009 a 2011, trabajó en Texas In­struments, Bangalore, India,
donde diseñó circuitos integrados reguladores de baja caída. Pasó el
verano de 2012 con el equipo SAR ADC en Linear Technology,
Milpitas, CA, EE. UU. Sus intereses de investigación incluyen
dispositivos médicos implantables, biodetección y diseño de circuitos integrados analógicos y de RF.
El Sr. Charthad recibió el Premio al Estudiante Sobresaliente de Analog Devices
Premio Diseñador en 2014.
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CHARTHAD et al.: UN IMD DE TAMAÑO mm CON TRANSFERENCIA DE POTENCIA ULTRASÓNICA Y UN ENLACE DE DATOS BIDIRECCIONAL HÍBRIDO
Marcus J. Weber (S'10) recibió la licenciatura de la Universidad
de Wisconsin­Madison, Madison, WI, EE. UU., en 2012, y la
maestría de la Universidad de Stanford, Stanford, CA, EE. UU.,
en 2014, ambas en ingeniería eléctrica. Actualmente está
cursando el Ph.D. Licenciado en ingeniería eléctrica en la
Universidad de Stanford.
En 2008, realizó una pasantía de ingeniería de software en
GE Healthcare. También trabajó como ingeniero eléctrico en tres
semestres de educación cooperativa en el Centro Espacial
Johnson de la NASA de 2009 a 2011.
De 2010 a 2012, realizó investigaciones como estudiante universitario en la Universidad de
Wisconsin­Madison, investigando los efectos atmosféricos en la propagación de ondas de
terahercios (THz). Sus intereses de investigación son amplios e incluyen dispositivos implantables,
biodetección, recolección de energía, electrónica de bajo consumo y diseño de circuitos
analógicos y de RF.
El Sr. Weber recibió la Beca de Graduados de Stanford (SGF) y la Beca de Investigación de
Graduados de la Fundación Nacional de Ciencias (NSF­GRP).
Ting Chia Chang (S'11) recibió su licenciatura en ingeniería
eléctrica e informática de la Universidad de California en
Berkeley, CA, EE. UU., en 2012. Actualmente está trabajando
para obtener una maestría y un doctorado. Licenciatura en
ingeniería eléctrica en la Universidad de Stanford, Stanford, CA,
EE. UU.
Sus intereses de investigación incluyen suministro de energía
inalámbrico, sensores, dispositivos implantables y diseño de
circuitos de administración de energía analógicos y de RF. Su
trabajo reciente se ha centrado en la comunicación y suministro
de energía inalámbricos por ultrasonido para implantes miniaturizados.
1753
Amin Arbabian (S'06–M'12) recibió el Ph.D. Licenciado en
ingeniería eléctrica e informática de la Universidad de California
en Berkeley, CA, EE. UU., en 2011.
En 2012, se unió a la Universidad de Stanford, Stanford, CA,
EE. UU., como profesor asistente de ingeniería eléctrica, donde
también es miembro de la Escuela de Ingeniería Frederick E.
Terman. En 2007 y 2008, formó parte del equipo de ingeniería
inicial de Tagarray, Inc. Pasó el verano de 2010 en la división
corporativa de I+D de Qualcomm diseñando circuitos para
transceptores inalámbricos de potencia ultrabaja de próxima
generación. Sus intereses de investigación se centran en circuitos, sistemas y antenas de alta
frecuencia, imágenes médicas y energía ultrabaja.
sensores.
El profesor Arbabian recibió/corecibió el premio NSF CAREER de 2015, el premio DARPA
Young Faculty Award (YFA) de 2014, el premio al mejor artículo de la Conferencia Internacional
IEEE sobre banda ultraancha (ICUWB) de 2013, la beca Hellman Faculty Scholarship de 2013,
IEEE de 2010. Premio Jack Kilby al trabajo estudiantil destacado en la Conferencia Internacional
de Circuitos de Estado Sólido, dos veces segundo lugar en el premio al Mejor Trabajo Estudiantil
en los simposios RFIC de 2008 y 2011, CITRIS (Centro de Investigación de Tecnología de la
Información en Interés de la Sociedad de UC Berkeley) de 2009 Big Ideas Challenge Award y el
premio UC Berkeley Bears Breaking Boundaries, y las becas Qualcomm Innovation 2010­2011 y
2014­2015. Actualmente forma parte del TPC para la Conferencia Europea de Circuitos de
Estado Sólido y el Simposio de Circuitos Integrados de Radiofrecuencia (RFIC).