Ad CUADERNOS TECNICOS: CMCC MCE Ca Cad Rca Neca oe oe te moe cmc rance) Pra ee sess oR ear ae LLC pee ea toot oe ote Peete ee MMe Cc ea ed Pee eco ane eee RS Genco ee ee cy pe net eee Ree te eet Om CeCe eect ee Pe en eR otros tee ae) COs eect ai eee ic eae ne Corer ete em cs Cece cc scheint es cas palabras hemos de resumir a continuacion. En los transistores de germanio, se em- CSU ae CC ee cae cién y difusi6n. Para la fabricacion de transis- tores del primer tipo se hace uso de un molde Ore ie Rees trey ae ae New oar eee eid Cem SSR ee er ere mers aC eto Cee ote tC er me pater ee ee ese mea Pen eran at ania ee ton indio por lo cual se disuelve una cierta canti- Cem ed am set oe mea aed Re Oe Tae Ms Roe ecto een TCR irae eee aren ate Ore CCRC em om Tee) Pea ORCC Rm ote eae RCN ae ee La ae eon eee Peru Cree Cae eRe est ae castes RADIO Y AUDIO a ia St LOS TRANSISTORES DE GERMANIO Y SILICIO EN CIRCUITOS DE AUDIO, RA DIO Y OTROS EQUIPOSEitecrtcos’” @GFAPESA Fig.l - Fabrication por elsstems ce aleacién Fig.2 - Fabrioaeién por el sistema de aleacion tura del cristal que a causa de la elevada tem- peratura del proceso se encuentran débilmen- te ligados entre si. ‘Veamos como ejemplo la obtencién de tuna capa N en un cristal de germanio tipo P. Se calienta dicho cristal a una temperatura superior a los 750°C en presencia de vapor de antimonio, el que se adopta en este caso como elemento aceptor, presentando un ¢s- tado de equilibrio con su fase sélida a 600° C. La juntura se realizar4 cuando se obtenga el eqiillibrio entre las concentraciones donoras y aceptoras, de acuerdo a lo que se ilustra en la figura nfimero 3. ‘Como consecuencia de la lentitud del proceso de difusion, la profundidad de esta {iltima puede controlarse mediante la varia- cién de la temperatura de trabajo, del tiempo (© del grado de concentracién de las impure- zas donoras. ‘ Como ejemplo mostyamos en la figura nimero 4 un cuadro donde podemos ver que si deseamos realizar una capa N por el proce- so de difusin sobre un cristal de germanio tipo P (aceptor indio) en presencia de vapor de antimonio, se podr obtener un espesor de la capa N de 5,5 micrones en un tiempo de 15 minutos, considerando que el germa- nio existente presenta una concentracion del orden de 1,7 x 10'® atomos por centimetro ciibico, que corresponde a una resistividad de 2,2.Ohm por centimetro. " ‘A posteriori, ambas técnicas (la de alea- cién y la de difusién) fueron combinadas pa- ra obtener el proceso de “aleacién difundida”. En este sistema, la juntura base emisor se realiza por el método de aleacién y la de co- lector base por el de difusion Con el empleo del elemento silicio para la fabricacién de semiconductores, las técni- cas de fabricacién se modificaron, para lo cual se partié del proceso planar, que resumi- damente trataremos a continuaci6n. Para este mecanismo se parte de una pla- quita de material semiconductor, por ejemplo, silicio tipo N. El proceso se inicia originando una capa de oxidacién sobre una de las car: de este material y se practica a continuacién una pequefia ventana a esta capa de. 6xido. Luego se somete el material a un proceso de difusién con impurezas aceptoras formandose asi una capa tipo P que actuaré como base. Las impurezas no pueden difundirse facilmente a través de la capa de Oxido, pero sf a través de donor n Concentracisn: distancia tipo n tipo p. Fig.$ - Proceso de difusion la ventana, lo que permite obtener junturas de colector—base de dimensiones perfecta- mente controlables. ‘A continuacién se recubre toda la su- perficie con una nueva capa de Oxido y se procede a efectuar nuevamente una nueva ventanita, se procede entonces de manera andloga a la anterior y se obtiene asi la region de emisor. El proceso de fabricacién planar de los transistores, permite una excelente proteccién a las junturas por medio de recubrimiento de 6xido, lo que significa una mayor estabilidad en los parametros del transistor. La figura namero 5 nos muestra graficamente el proceso de fabricacién planar. Paralelamente al mecanismo inicial de fa- bricacién, los métodos de encapsulacién tam-CUADERNOS, “ tecnicos ffs FAPESA Pee econ Mente ete Rhee Reco gras Rte emcee ag ejemplo el montaje, y sus caracteristicas. Lle- gamos de esta forma a los modermos transisto- Se tT ame to (epoxy) con un sistema de auto-sujecion, qa no s6lo permite una mayor rapidez en el mon- eMC cots iam aetna Coie me ae ect) Peer CMT Meer CMe os ea crac guiente el posterior deterioro del transistor. Cee eee eo Oe aa ae Ongena PO Cen sccc Mme en seme Pee Mac Metre mC Mec Seats Coe od See ag Peano eR Cee cece Pee enue Rt Mee eo Free CM meeecs toa PTT URC la salida de audio frecuencia se conectaré PRM rite omc CMe tt emer come ectis Pea eC ee ReneS Ce mctarenm ais? Se eter CA Caesar Pees Cree eRe Cm Reece nC RC esac Pee eee eee ee eee( "wusid ofs90ad [9 Zod OFoMTF ap saxONSUR ap UOHDROHAN - gE : Sy £8 36 3H =La figura niimero 9 nos muestra un cir- cuito basico de un amplificador de RF tran- sistorizado. El transistor se halla conectado en la configuracién de base comin. Esta con- figuracién se emplea debido a que proporcio- na una elevada ganancia en frecuencia pro- xima a la de borte. El circuito de colector se halla sintoni- zado y acoplado inductivamente al auto-os- cilador del circuito mezclador. Mezclador El mezelador 0 conversor de frecuencia, convierte por heterodinaje o batido de fre- cuencias, la sefial captada por la antena recep- tora a una frecuencia estable que denomina- mos frecuencia intermedia, En AM, la frecuen- cia portadora varia entre 160 y 280 kHz para una banda que varfa entre 560 y 1640 kHz en onda larga, En FM (frecuencia modulada), la porta- dora varia entre 85 y 100 MHz. Las frecuen- cias intermedias para cada uno de estos dos sistemas son 465 kHz y 10,7 MHz, respectiva- mente, pudiendo encontrar en las primeras, ligeras variantes. La informacién de audio frecuencia asociada a la portadora de radio- frecuencia esté modulado en amplityd o fre- cuencia (de acuerdo a Ja funcién elegida) y se transfiere desde la portadora de RF a la por- tadora de frecuencia intermedia (FI). La accion heterodina se efectiia por in- yeccion de sefiales de diferentes frecuencias en un elemento no lineal como lo es el diodo base-emisor del transistor. En un receptor, la seal inyectada directamente es la sefial cap- tada por la antena y que llega hasta el ampli- ficador de radio frecuencia, la otra sefal es la generada por el oscilador local del receptor. Ambas sefiales se combinan como se ilus- tra en la figura niimero 10 produciendo una forma de onda compleja. Esta forma de onda se aplica entre la base y el emisor del transis- tor. En el circuito de colector obtenemos una forma de onda similar a la que legé al ampli- ficador de RF y que pueden ser el resultado de la suma o la diferencia de las dos senales aplicadas, en este caso esas sefiales son las del amplificador de radiofrecuencia y del oscilador: local. La diferencia de frecuencias (sefial de FI) se selecciona por medio de un circuito sintoni- zado en el colector del transistor mezclador. Como ejemplos digamos que si tenemos en el circuito de entrada o de radiofrecuencia una sefial de 1 MHz, para obtener una sefial de frecuencia intermedia de 465 kHz jel oscila- dor local tendra que operar a 1,465 MHz y de igual forma para cualquier frecuencia, de manera de obtener permanentemente 465 kHz como valor de FI en el circuito sintoniza- do del colector transistor mezclador. *@CIAPESA CUADERNOS TECNICOS Pig Sreruacd Broken tes prac ths Senna preach g Neat ment A Near! Bere meteysctnt Prenat eye) rad Biconrercniictet mera Seated peaaci nhs RoR Aree Bren mtercci ht Polen atte) Pm (ed Rrra leLaClns ec) DORR eat ero Nach NNSarre erry (KHz) Eu) 830 pea 1.200 1.600 Svar cuscene* Me FAPESAL Oscilador aera ee See TE (KHz) rT ae oT ry oy rt Beene’CUADERNOS @ Tecnicos CARACTERISTICAS Vv, ‘BE ‘TENSION SALIDA Fi SELECT. de CARGA COLECTOR FORMA DE ONDA COLECTOR sesay _j_SESAL___ uma pesesaues ne APLICADA ENTRE (Sin modular) LOCAL BASE Y EMISOR Fig-10- Diagrama que muestra ln accion de un transistor mez” ‘ladon, CONTINUA BO aU ee Ca RADIO MIGUEL, RADIO MAURICIO, RADIO VICTORIA, ENEKA ARGENTINA, POM ee c