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1 Transistor de Juntura Bipolar
1 Transistor de Juntura Bipolar
Abstract
El Transistor de Juntura Bipolar (BJT) es un dispositivo activo de
tres terminales, Base, Colector y Emisor, cuya corriente se debe a la com-
binación de portadores e y h+ . El dispositivo es básicamente una fuente
de corriente controlada por corriente. Para su funcionamiento requiere un
circuito de polarización externo. Tiene tres zonas de trabajo, activa, corte
y saturación.
1 Introduction
Desde su invención a …nes de los 40, el transistor como elemento activo de
los sistemas electrónicos siempre ha estado presente, primero como elemento
discreto y luego como parte de un circuito integrado (IC). Es un dispositivo
ampliamente utilizado en control electrónico, ampli…cación y en prácticamente
toda las aplicaciones de la electrónica. El objetivo de este documento es revisar
los aspectos básicos, sin adentrarse más que lo su…ciente en la física de los
semiconductores, con el …n de establecer las relaciones de corriente y voltaje en
el dispositivo.
1
n p n p n p
E C E C
B B
Base Base
(a) (b)
2.2 Funcionamiento
Sea el BJT npn de la Fig. 1a, éste considera una región n de volumen inter-
medio de alto dopamiento (gran cantidad de e ), una región p muy delgada de
pequeño volumen de bajo dopamiento (poca cantidad h+ ), y una región n de
gran volumen de dopamiento intermedio.
Para establecer su funcionamiento primero se polariza sólo la juntura BE,
dejando el colector abierto. La juntura está polarizada directa, luego se produce
un ‡ujo de e desde el emisor a la base, pero también ‡uirán h + en menor
cantidad desde la base al emisor.
n p n n p n
IE
e- h+ IC
E C E C
h+ e-
B B
IB IB
+
+
VBE VCB
(a) (b)
2
pn está polarizada inversa, luego sólo existe movimiento de portadores h + ninori-
tarios del colector y los e minoritarios de la base, produciendo una corriente
inversa de saturación llamada ICBO , entre C y B.
n p n n p n
e- IE I nE e- α I nE e- IC
e- InE (1- α)
C I pB I CB0 C
E + h+ E
h h+
B IB
B
+ +
+ +
VBE VCB VBE VCB
(a) (b)
3
Luego (1) se reemplaza IpB en (4) obteniéndose la clásica ecuación
IB = IE IC (6)
Por otro lado dado que IC = InE ; reemplazando (1)
IC = IE (7)
Donde es la ganancia de corriente en base común.
pnp npn
Modo JEB JCB JBE JBC
Corte Inv Inv Inv Inv
Activo Dir Inv Dir Inv
Saturación Dir Dir Dir Dir
Donde es una constante propia del transistor, la cual varía entre 100 y 200
para algunos casos, pero puede llegar a valores muy elevados (o bajos 40 y 50),
4
+ +
V V
CB EB
+ +
V V
BE BC
(a) (b)
iE = iC + iB
+1
Luego iE = iC ; lo que se puede expresar como iC = iE . Donde es
llamada la ganancia corriente en base común y su valor es muy cercano a 1
(0.99 para = 100).
[V] [V]
V
BE vBE v
CE
(a) (b)
5
iC [mA] Zona
D de P máxima
IB5
Región de Saturación
IB4
IB3
IB2
IB1
[V]
VCE (Sat)
Región de Corte vCE
i iE i
C E i
C
i i
B B
+ _ _
+
v v v v
+ CE + CE BE _ CB
v
+
BE_ _ v +
BC _
Figure 7: Con…guraciones del BJT. (a) Emisor común. (b) Colector común. (c)
Base común.
6
2.6 Características principales del BJT
La iE , será siempre mayor a la iC :
Por medio de una pequeña tensión directa en JBE, se logran controlar
grandes por el colector.
iB es bastante pequeña ( A) en cambio, iE y iC son del orden de los mA.
iE desfasa a iC en 180o .
3 Polarización Básica
Sea el circuito de la Fig. 8a. Se analiza para tres valores distintos de RB , lo
que permite establecer sus zonas de trabajo. Para el ejemplo se plantean la en
la base del transistor y luego una malla que pasa por el colector, de esta forma
se tiene las siguientes ecuaciones.
10[V]
RC RB
iC 470 Ω
470 Ω
10[K Ω ]
RB +
+
+ + v iC
10[K Ω ] +
v CE 10[V]
10[V] i BE _
v B _
+ CE
v _
i BE_
B
(a) (b)
10 [V ] = iB 10 [K ] + vBE (10)
10 [V ] = iC 470 [ ] + vCE (11)
10 [V ] 0:7 [V ]
iB = = 930 [ A]
10 [K ]
Luego, como iC = 100iB = 93 [mA] ;
7
10 [V ] 0:7 [V ]
iB = = 13:67 [ A]
680 [K ]
iC = 100iB = 1:367 [mA]
vCE = 10 [V ] 1:367 [mA] 470 [ ] = 9:36[V ]
10 [V ] 0:7 [V ]
iB = = 93 [ A]
100 [K ]
iC = 100iB = 9:3 [mA]
vCE = 10 [V ] 9:3 [mA] 470 [ ] = 5:63[V ]
4 Conclusiones
El BJT puede ser tipo npn y pnp, se comporta como una fuente de corriente
controlada por corriente. Tiene tres zonas de trabajo, zona activa donde se
cumple que iC = iB y el transistor ampli…ca; corte, en la cual iC = 0 e
iB = 0, el transistor está "desconectado" y …nalmente la zona de saturación,
donde el transistor tiene un vCE VCE(sat) o vCE 0, considerado como un
"cortocircuito" entre los terminales de salida. El análisis inicial consistirá en
establecer el punto de operación del transistor, para lo cual se requiere contar
con un circuito externo de polarización.
References
[1] Savant, C, Roden, M., Carpenter, G. 1992, Diseño Electrónico.Circuitos y
Sistemas. Addison-Wesley Iberoamericana.
[2] Schilling, D., Belove, . 1993. Circuitos Electrónicos Discretos e Integrados.
Mc Graw- Hill
[3] Sedra, A. Smith, K, 1998. Microelectronics Circuits. Oxford Press.