DIODO DE UNIN P-N.

Se denomina diodo de unin p-n al dispositivo constituido mediante una unin p-n con dos terminales y cuyo objetivo, en general, ser conducir corriente elctrica en un solo sentido. UNIN P-N POLARIZADA Se entiende como polarizacin de una unin p-n a la aplicacin externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unin. La polarizacin del diodo puede ser en directa o en inversa, como veremos a continuacin Unin p-n polarizada directamente. La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve en las Figuras 5.1 y 5.2, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polonegativo al ctodo (zona n).

DESCRIPCIN DEL PROCESO

Se representa la formacin de bandas, as como la distribucin de carga y el campo en la zona de carga espacial en funcin de la polarizacin. Con arrastre, difusin, recombinacin, electrones y huecos Existe flujo en ambos sentidos

Con Difusin, recombinacin, electrones y huecos Sin arrastre ya no tiene el flujo de retorno

Con arrastre, difusin, recombinacin y huecos. Solo se mantiene el flujo del que est conectado a tierra

Con arrastre, difusin, recombinacin, electrones Solo se mantiene el flujo de que est conectado a la unin PN

La ley de Shockley
Diodo Shockley
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo

de tiristor. La caracterstica V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia (OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

DESCRIPCIN DE LA LEY DE SHOCKLEY

Es la representacin de la evolucin de la corriente en un diodo PN en funcin de la polarizacin, el dopaje, el tipo de semiconductor y la temperatura. Teniendo recombinacin, corrientes y parmetros a la vez

Teniendo, corrientes y parmetros a la vez

Teniendo solo parmetros

Teniendo Recombinacin y parmetros a la vez

CAPACIDAD DEL DIODO CONMUTACION

A medida que la tensin de polarizacin inversa aumenta, la carga almacenada en la zona de carga espacial tambin aumenta. La carga en la zona espacial es similar a la carga almacenada en un condensador de placas paralelas. Cj: capacidad de transicin. Cdif: capacidad de difusin. DESCRIPCIN DE LA CONMUTACIN DE UN DIODO Se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Observamos que el grfico de conmutacin al hacer clic el usuario en el comando parmetros circuitos, nos muestra una ventana donde podemos modificar la tensin inversa y directa del circuito.

La primera representa la tensin seleccionada en el circuito

grfica

la segunda la corriente que circula por el diodo

La tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo Asimtrico, y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Esta cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo.

En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales perfiles para de la los carga del diodo, la del diodo y para los minoritarios Justo mismas la simulacin. ecuaciones en el de se pero debajo tensin en bornas nodo y al ctodo. cada una de estas muestran las sustituyendo cada actual que tiene en

variable por al valor

Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.

En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los otros dos se puede detener y avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin est pausada.