Materiales Elctricos TEMA 11 MATERIALES ELCTRICOS

Introduccin. Conductividad inica: electrolitos slidos. Conductividad elctrica. Semiconductores intrnsecos e extrinsecos. Dispositivos semiconductores. Procesado de circuitos integrados. Materiales dielctricos. Materiales ferroelcticos y piezoelctricos. Superconductores. Las propiedades elctricas de los materiales pueden a veces ser en muchas ocasiones tan importantes como sus propiedades mecnicas. Hay que tener en cuenta que todos los tipos de respuestas elctricas son importantes para determinadas aplicaciones. As, la transferencia de energa elctrica a grandes distancias precisa de materiales con una alta conductividad para evitar prdidas por calentamiento. Con el mismo objetivo, se precisan tambin materiales que sean perfectamente aislantes para evitar cortocircuitos y procesos de arco entre los conductores. Pero tambin los compuestos con conductividades intermedias son de gran importancia tecnolgica, basta recordar que toda la moderna tecnologa electrnica depende del silicio y otros semiconductores. Una de las caractersticas ms importantes de un material slido es su capacidad para transmitir la corriente elctrica, esto es su conductividad elctrica. Una corriente elctrica no es sino un movimiento de partculas cargadas producido por un campo elctrico aplicado. En la mayora de los materiales esas partculas que se mueven son los electrones, que dan lugar a una conductividad electrnica. Sin embargo, en otros sistemas es el movimiento de los iones el que transmite la corriente, y se habla de conductividad inica. La conductividad de un material depende de numerosos factores: tipo de enlace, defectos de red, microestructuras, velocidad de difusin (en conductores inicos), etc. Por este motivo, la conductividad es probablemente la magnitud fsica que presenta un mayor intervalo de variacin. As mientras que la conductividad en los aislantes es del orden de 10-22 (m-1), en los semiconductores vara entere 10-6 y 10-4 (m-1), y en los buenos conductores llega a ser mayor de 107 (m-1). Aunque son fundamentalmente los metales y algunos compuestos cermicos los que presentan conductividades apreciables, tambin se han descubierto en los ltimos aos algunos materiales polimricos con conductividades muy elevadas. Se trata de polmeros como el poliacetileno o el parafenileno, dopados con donores (metales alcalinos, iones haluro) o aceptores (bromo, cido sulfrico) de electrones. Sus potenciales aplicaciones, dadas su baja densidad, flexibilidad y facilidad de procesado, son inmensas, pero todava se encuentran en fase de investigacin por sus problemas de inestabilidad y degradacin ambiental.

Conductividad Inica. Electrolitos slidos La mayora de los compuestos inicos, especialmente si presentan no estequiometra o iones dopantes, tienen una ligera conductividad. No obstante, para que se considere que un slido es un conductor inico, la conductividad ha de ser superior a 10-1 (m-1). Estos materiales se denominan habitualmente electrolitos slidos, por su similitud en cuanto a conductividad con las disoluciones electrolticas, aunque tambin se les conoce como conductores superinicos. Son materiales que presentan una estructura rgida,

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pero dentro de la cual algunos iones forman una subred mvil. Estructuralmente, son materiales con un gran nmero de posiciones vacantes y con una barrera de potencial pequea para el salto de un hueco a otro. Su conductividad aumenta fuertemente con la temperatura, porque los iones disponen de mayor energas para moverse y tambin porque aumenta el nmero de defectos. Los electrolitos slidos presentan normalmente una estructura con tneles abiertos, o capas, a travs de los cuales los iones se mueven con gran facilidad. Normalmente slo una de las especies inicas es mvil, generalmente un catin alcalino o aniones pequeos como el fluoruro o el xido, pero el nmero de ellos que se mueven es muy elevado (no son impurezas). Adems, la energa de activacin necesaria para los movimientos es inusualmente pequea (0.1-0.9 eV). Con frecuencia son materiales estables nicamente a elevadas temperaturas, sufriendo transiciones de fases no conductoras al bajar la temperatura. Los estudios sobre los electrolitos slidos se han desarrollado bsicamente a partir de 1960, cuando se descubri la alta conductividad de las -alminas, y la posibilidad de desarrollar bateras con electrolitos slidos que fueran ms eficientes, potentes, seguras y de menor volumen que las tradicionales con disoluciones de H2SO4. En la actualidad se investiga sobre diferentes familias de conductores inicos, especialmente sobre las -alminas, los Nasicon y los conductores de litio. -alminas es el nombre con el que se conoce una familia de fases de frmula general M2O.nX2O3 (n= 5-11; M= A+, Cu+, Ag+, Ga+, In+, Tl+, NH4+ y H3O+; X= Al3+, Ga3+, Fe3+). La ms conocida de stas es la -almina de sodio (M= Na+; X= Al3+), un subproducto de la fabricacin del vidrio que fue estudiado por la Ford para su incorporacin a las bateras de los coches. Su alta conductividad se debe a su estructura poco corriente. Esta puede considerase como un empaquetamiento compacto de oxgenos, pero cada cinco lminas aparece una en la que las tres cuartas partes del oxgeno han desaparecido (tambin se puede considerar como una estructura derivada de la espinela, MgAl2O4). Los iones sodio ocupan precisamente esas lminas, y como son ms pequeos que los iones xido y tienen posiciones vacantes, se mueven con gran facilidad.

Figura 1.- Estructura de la -almina.

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El ordenamiento estructural en la regin ocupada por el sodio, y el mecanismo que permite la movilidad de ste, no son an bien conocidos a pesar del importante trabajo dedicado a este sistema. Se sabe, eso s, que la conduccin se desarrolla slo sobre los planos de las vacantes y que los iones sodio no penetran en los bloques compactos, es decir es un conductor inico 2D. Se sabe tambin que la conductividad es mxima para los iones Na+ y Ag+, pero disminuye fuertemente para iones ms grandes, lo cual parece lgico, y ms pequeos, caso del Li+ que parece preferir situarse fijo en las paredes de los planos de conduccin. Las -alminas sdicas se emplean en la actualidad en bateras que operan a temperaturas superiores a los 300 C, con voltajes pequeos, aproximadamente 2V, pero con una gran eficiencia considerando la relacin energa/masa. NASICON (Na Superionic Conductor) es el nombre con el que se designan a materiales no estequiomtricos formados por un entramado de octaedros ZrO6 y tetraedros (Si,P)O4 que encierran tneles interconectados en los que se sitan los iones Na+. Sus posiciones no estn completamente ocupadas por lo que la migracin de estos iones es posible en las tres direcciones. La relacin P/Si permite controlar la cantidad de sodio presente en el material y por tanto su conductividad (Na1+xZr2P3-xSixO12). Una parte importante de las investigaciones que se realizan sobre las zeolitas en la actualidad, se dirige a su posible utilizacin en la preparacin de electrolitos por el parecido de sus estructuras con la del Nasicon. Pero son probablemente los conductores de litio los que mayor inters despiertan en la actualidad. El desarrollo de las bateras de litio es crucial tanto para aplicaciones a pequea escala (telfonos mviles, ordenadores y otros equipos electrnicos) como a gran escala (vehculos sin emisiones). Su voltaje es superior al que puede conseguirse con las bateras de sodio, alcanzndose los 5 V en algunos modelos (4 V en los ms comunes). Sin embargo, aunque ya se utiliza el litio metal como nodo, y diversos compuestos intercalados (LixCoO2 y LiCoMnO4, que son conductores electrnicos e inicos) como ctodos, el problema se encuentra en que an se deben empelar electrolitos lquidos (LiPF6 en carbonato de propileno) para no perder eficiencia en la pila. En la actualidad ya se experimenta con Li disuelto en polmeros, que permiten reducir significativamente el volumen del electrolito, pero el gran reto es conseguir la misma efectividad en una cermica o vidrio. El nico ejemplo existente por el momento son las pelculas de LiI que se emplean en los marcapasos (Li/LiI/I2-2.8V), pero su conductividad inica sigue siendo baja a temperatura ambiente para bateras ms potentes.

Conductividad Electrnica La conductividad electrnica puede describirse con el mismo modelo de bandas que se utiliza para describir el enlace en los metales. Recordemos, que los sistemas conductores son aquellos en los que la banda de valencia y la banda de conduccin se solapan, o bien no presentan completa la banda de valencia. En los semiconductores ambas bandas se encuentran separadas por un pequeo gap de energa, estando la de valencia completa y la de conduccin vaca. Y finalmente, los aislantes se caracterizan por un salto energtico importante entre ambas bandas. Recordemos tambin que se conoce como energa de Fermi a la del estado ms energtico ocupado a 0 K y que

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slo los electrones con una energa superior a la de ese nivel, esto es los electrones libres, pueden ser acelerados en presencia de un campo elctrico. Mientras que en los metales y otros conductores basta con el efecto del campo elctrico para excitar un nmero importante de los electrones de valencia, en semiconductores la energa necesaria debe provenir normalmente de una fuente externa: calor o luz. Cuando se aplica un campo elctrico a un sistema, los electrones, por ser partculas cargadas negativamente, son acelerados en direccin contraria al campo aplicado. El flujo de corriente observado depender en principio de dos factores: el nmero de electrones libres y su movilidad. El nmero de electrones libres depende de la estructura electrnica de cada elemento, y la teora de bandas permite explicar perfectamente su variacin de unos elementos a otros. Elementos como el sodio, y los dems alcalinos, presentan la banda de valencia semillena y la banda de conduccin vaca. Por efecto de la temperatura, algunos electrones ocupan parte de los niveles de energa vacantes en la banda de valencia, y dejan huecos en sus posiciones originales. El movimiento de electrones y huecos produce una corriente elctrica por todo el material.

Figura 2.- Estructura de bandas para el sodio.

En los alcalino trreos, como el magnesio, la banda de valencia (s) est completa y la de conduccin (p) est vaca, pero ambas bandas estn solapadas, lo que permite que los electrones se muevan libremente por ellas. Situacin similar se da tambin en el aluminio. Al ser el nmero de electrones superior al que presentan los alcalinos, su conductividad es mayor.

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Figura 3.- Estructura de bandas para el magnesio.

En los metales de transicin, la banda de valencia (d) solapa con la de conduccin (s). Debido a este solapamiento los electrones pueden moverse con facilidad, sin embargo a pesar del elevado nmero de electrones la conductividad no es tan elevada como cabra esperar. Aparentemente, se producen interacciones entre ambos niveles que dificultan los movimientos. En el cobre, con la capa d completa y la s semillena es donde se observa la mxima conductividad, probablemente porque la capa llena no puede interaccionar con la s. Un efecto similar explicara tambin la alta conductividad de la plata y el oro.

Figura 4.- Conductividades a temperatura ambiente.

La movilidad de un electrn es un factor que nos indica la magnitud de la energa cintica que pierde cuando atraviesa el slido. En su camino, el electrn es desviado por impurezas, vacantes, intersticiales, dislocaciones, e incluso por las vibraciones de la red (fonones). Por este motivo la distancia que recorre es mucho mayor que su recorrido neto, y el flujo menor de lo esperado. El conjunto de estos factores constituye la llamada resistividad elctrica (y su inversa la conductividad elctrica).

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Figura 5.- Movimiento de un electrn en una red cristalina.

La resistividad aumenta linealmente, con la temperatura en los metales debido al aumento de las energas vibracionales (responsables del calentamiento de los materiales), as como por el aumento del nmero de vacantes y otras irregularidades que puedan producirse. Este aumento es especialmente importante en metales ligeros como el berilio, dado que las vibraciones de sus tomos son ms importantes. La presencia de defectos como vacantes, dislocaciones o bordes de grano tambin dificulta la movilidad y por tanto disminuye la conductividad. Y lo que resulta de mayor importancia, el mismo efecto tienen tambin los elementos aleantes que se utilizan para mejorar las propiedades mecnicas de los metales. Tambin los tratamientos de procesado y endurecimiento a que son sometidas las aleaciones afectan fuertemente a su conductividad. Pero no todos lo hacen en la misma medida. As, el endurecimiento por precipitacin o envejecimiento disminuyen la conductividad, pero menos de lo que lo hacen los endurecimientos por solucin slida (caso del cobre endurecido con cinc). Tambin el trabajo en fro reduce considerablemente la conductividad, al distorsionar la red, pero tiene la ventaja de que al calentar el material a bajas temperaturas se recupera parte de la conductividad sin perder la dureza. Otro aspecto importante a tener en cuenta es el tamao de los granos, los bordes de grano. Al igual que las dislocaciones, dificultan la conductividad. Por tanto, cuanto mayor es el tamao de grano mejor es la conductividad. En otras ocasiones interesa por el contrario que los materiales, an siendo conductores, presenten una resistividad elctrica elevada. Este es el caso de las resistencias empleadas como elementos calefactores en los hornos y estufas. La energa elctrica es convertida en calorfica gracias a la dispersin y choques de los electrones. Estos materiales precisan tambin de un elevado punto de fusin y una buena resistencia a la oxidacin a temperaturas elevadas. Los materiales habitualmente empleados son el nicrom, una aleacin cromo-nquel, y el grafito para temperaturas ms elevadas.

Semiconductores Intrnsecos y Extrnsecos La configuracin electrnica de los elementos del grupo del carbono, con dos electrones en el nivel de valencia p, puede parecer indicada para que estos sistemas sean buenos conductores. Sin embargo, la hibridacin de orbitales que permite sus habituales cuatro

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enlaces covalentes modifica su estructura de bandas En lugar de tener una banda s completamente llena y una banda p semillena, estos elementos presentan una banda completamente llena y una banda completamente vaca. El gap de energa entre ambas es muy elevado para el diamante, y ste se comporta como un verdadero aislante (< 1016 m-1), pero sin embargo es el silicio y en el germanio se reduce lo suficiente como para que a temperatura ambiente presenten una conductividad aceptable (5x10-4 y 2.2x10-4 m-1, respectivamente). En el estao la conductividad ya es tpicamente metlica (9x10-6 m-1).

Figura 6.- Estructura de bandas para el diamante.

El silicio y el germanio puros se conocen como semiconductores intrnsecos. El gap de energa entre las bandas es lo suficientemente pequeo (1.11 y 0.67 eV) para que con su energa trmica algunos electrones salten de la banda de valencia a la de conduccin, dejando en la primera los correspondientes huecos. Cuando se aplica un voltaje al material, los electrones se mueven hacia el polo positivo y los huecos hacia el negativo, contribuyendo ambos a la conduccin de la corriente. En estos sistemas es fundamentalmente la temperatura la que determina su conductividad. Al incrementarse la temperatura aumenta el nmero de especies portadoras de carga y por tanto la conductividad.

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Figura 7.- Dependencia trmica de la conductividad.

Es importante tener en cuenta que este efecto es el contrario del observado en los conductores, para los que un incremento de temperatura supone una disminucin de la conductividad. Adems se trata de un fenmeno que sigue una estadstica de Boltzmann (aumenta exponencialmente con la temperatura), por lo que la determinacin de la contribucin intrnseca a la conductividad es sencilla (Ln vs 1/T). La fuerte dependencia trmica de la conductividad en los semiconductores intrnsecos dificulta su control y por tanto las aplicaciones de estos elementos. La solucin a este problema consiste en la adicin de elementos dopantes que aumenten el nmero de portadores. De esta manera, a bajas temperaturas, la conductividad no viene ya determinada por los electrones trmicamente activados, sino por el grado de dopaje efectuado. Estos nuevos materiales se llaman semiconductores extrnsecos, y son los habitualmente empleados en los dispositivos electrnicos. Su conductividad puede ser varios rdenes de magnitud superior a la de sus homlogos intrnsecos, pero adems puede ser predeterminada para cada aplicacin con mucha efectividad variando el grado de dopaje. Adems, se elimina la importancia que la presencia de impurezas tiene sobre la conductividad de los elementos puros. Dependiendo del tipo de dopaje efectuado podemos distinguir entre los tipos n (negativos) y p (positivos). Los semiconductores de tipo n se preparan dopando el material con una impureza que tenga ms electrones de valencia que los tomos originales. Los electrones extras, que no participan en los enlaces, ocupan un nivel situado ligeramente por debajo de (0.1 eV) de la banda de conduccin, que se denomina nivel donor. En ese nivel los electrones no son suficientes para formar una banda y no pueden moverse, pero si se les proporciona la suficiente energa trmica, pueden pasar fcilmente a la banda de conduccin y moverse por ella. Evidentemente, cuando todos los electrones extras han pasado a la banda de conduccin, se alcanza un estado en el que la conductividad es prcticamente independiente de la temperatura en un amplio intervalo. Los semiconductores de tipo p se preparan dopando el material con una impureza que tenga menos electrones de valencia que los tomos originales. Al no tener electrones suficientes para completar los enlaces covalentes, se crea un hueco en la banda de

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valencia. Este hueco en realidad no se encontrar en la banda de valencia, sino en un nivel ligeramente ms energtico (0.1 eV) que se denomina nivel aceptor y en el que no puede moverse. Pero actuar como un aceptor de electrones de la banda de valencia a temperaturas moderadas, y eso se traducir en un movimiento de huecos positivos en esta banda. Evidentemente el movimiento de los huecos ser en realidad consecuencia de los saltos electrnicos (hopping) sucesivos en la direccin opuesta. Igual que para los semiconductores de tipo n, la conductividad es prcticamente independiente de la temperatura en un amplio intervalo, una vez que el nivel aceptor ha saturado. Evidentemente, si aumentamos mucho la temperatura llegar un momento en que la conductividad disminuya al disminuir la movilidad de los portadores por las interacciones con los fonones (salvo que la conductividad intrnseca supere ya a la extrnseca).

Figura 8.- Estructura de bandas en los semiconductores tipo n y p.

Los tomos dopantes han de tener obviamente un tamao parecido al de los elementos originales, para que no modifiquen sustancialmente la estructura y puedan alcanzarse grados de dopaje significativos. As el silico se dopa bsicamente con fsforo y arsnico, para semiconductores tipo n y con boro, aluminio y galio para semiconductores tipo p. Por su parte el germanio se dopa habitualmente con arsnico y antimonio (n) y con aluminio, galio e indio (p). Aunque son el silicio y el germanio los ms utilizados, tambin presentan un comportamiento semiconductor un gran nmero de materiales cermicos e intermetlicos. Entre estos ltimos podemos destacar el GaAs, cuya estructura cristalina y de bandas es similar al del germanio. Puede se tambin dopado para preparar semiconductores tipo p o n. Presenta un gap de 1.35 eV, que le proporciona un amplio rango de saturacin, y una buena movilidad de los portadores, porque lo que se utiliza tambin en muchas aplicaciones. Por otra parte, muchos de los compuestos inicos se comportan como semiconductores por la presencia de excesos o defectos de cationes o aniones, y presentan caractersticas muy parecidas a los de los semiconductores extrnsecos, caso del ZnO (n) y del FeO (p).

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Figura 9.- Comparacin entre las propiedades de los semiconductores.

Dispositivos Semiconductores Las propiedades de los semiconductores permiten la preparacin de diferentes dispositivos que son la base fundamental de las modernas aplicaciones microelectrnicas. Estos dispositivos se caracterizan por su rpida respuesta, bajo consumo de potencia y pequeo tamao. Hay que tener en cuenta que sobre un chip de silicio, de menos de 1 cm2 de rea y 200 m. de espesor pueden instalarse una inmensa cantidad de circuitos, compuestos a su vez por numerosos dispositivos semiconductores. La mayora de los dispositivos semiconductores se basan en las propiedades de la frontera entre materiales tipo p y tipo n, la unin p-n. Para preparar este sistema se puede partir de un cristal de silicio puro y doparlo sucesivamente con elementos p y n, pero lo ms frecuente es partir de un semiconductor extrnseco de un tipo sobre el que se introducen, por difusin en estado slido, impurezas del otro tipo. Una vez obtenida la unin, los portadores prximos difunden por ella y se recombinan. Como los iones son ms grandes que los electrones y huecos, permanecen en sus posiciones de la red e interrumpen la difusin al cabo de unas pocas recombinaciones. Se crea as una regin agotada de portadores de carga que impide el flujo neto de corriente en situaciones de equilibrio (sin aporte externo de energa).

Figura 10.- Unin p-n.

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Sin embargo, esa barreara de potencial puede ser vencida fcilmente por la aplicacin de un voltaje externo, crendose una unin p-n polarizada. La polarizacin puede ser directa, conectando el terminal positivo de la bateria al lado p, o inversa, con el terminal negativo en p. Si la polarizacin es directa, electrones y huecos son dirigidos hacia la unin p-n, donde se recombinan y aniquilan dando lugar a una corriente apreciable con poca resistencia. Si la polarizacin es inversa, los portadores se alejan de la unin incrementando su barrera de potencial, por lo que la corriente no fluir, aunque habr una pequea corriente de fuga debido a los portadores minoritarios de cada lado. No obstante, si el voltaje inverso aplicado es muy elevado, pueden llegar a arrancarse electrones de los enlaces covalentes, crendose una corriente inversa muy grande (efecto avalancha). Basados en estas propiedades de las uniones p-n pueden construirse diversos dispositivos como los rectificadores o los transistores.

Figura 11.- Polarizacin directa e inversa.

Los rectificadores o diodos rectificadores, son dispositivos electrnicos que permiten el paso de la corriente en una sola direccin, y se aplican habitualmente para convertir corrientes alternas en continuas. Al aplicar una corriente ac a travs de un diodo de unin p-n, la conduccin solo se producir cuando la regin p tenga una tensin positiva, de manera que la seal de salida tendr la mitad de la seal de entrada. Finalmente esta seal es modulada con otros dispositivos para convertirla en una corriente continua. Los diodos Zener, o diodos de avalancha, son rectificadores de silicio construidos muy cuidadosamente para que la corriente de fuga sea prcticamente nula, y que la corriente de avalancha se produzca para valores concretos de voltaje. Se aplican para la proteccin de circuitos contra incrementos de voltaje accidentales.

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Figura 12.- Funcionamiento de un diodo rectificador.

Los transistores son dispositivos fundamentales para la microelectrnica. Su funcin bsica fundamental es la amplificacin de seales elctricas, pero tambin se utilizan para el procesado y almacenamiento de informacin en los ordenadores y como conmutadores por su alta velocidad de respuesta. Los ms sencillos son los transistores de unin bipolar (BJT). Estos constan de dos uniones p-n situadas en un cristal semiconductor (generalmente de silicio), esto es un triodo p-n-p o n-p-n. A las tres partes de un transistor se les denomina emisor, base y colector. El emisor es la fuente de los portadores de carga, electrones (n) o huecos (p), y est muy dopado y sometido normalmente a una polarizacin directa. La base es muy delgada y poco dopada, para evitar una excesiva recombinacin de los portadores procedentes del emisor. El colector va a recibir los portadores del emisor y se somete a polarizacin inversa. Al aplicar un potencial directo al emisor, un gran nmero de electrones entra en la base. Como el nmero de huecos en sta es pequeo, la mayora de los electrones pasan hasta el colector (95 %), que suma estos electrones a los que ya posea aumentando enormemente la intensidad y el voltaje de la seal de salida.

Figura 13.- Funcionamiento de un transistor n-p-n-.

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Los transistores que se utilizan en los ordenadores, y en general en los circuitos de microelectrnica son los llamados transistores de efecto campo (FET), y ms concretamente los llamados MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transitor). Estos son ms baratos y pequeos (un chip de silicio puede contener ms de 100.000 transistores de este tipo). Estos transistores estn formados por un sustrato de silicio tipo p (o n), sobre el que se colocan dos pequeas islas de semiconductores tipo n (o p), denominadas fuente y drenaje, sobre las que se aplican contactos elctricos. Por encima de ellas se coloca una capa aislante de SiO2 (producida por oxidacin del Si), y encima de sta un conductor metlico que se denomina puerta. Cuando se aplica una diferencia de potencial sobre la puerta y la fuente, los electrones de sta fluyen hacia el drenaje, dado que la capa aislante les impide ir hacia la puerta, generndose una corriente amplificada. Variando el voltaje sobre la puerta, se controla la intensidad de la seal de salida, y si se cambia la polaridad se cierra el circuito.

Figura 14.- Funcionamiento de un transistor de efecto de campo.

Procesado de Circuitos Integrados Los circuitos integrados permiten incorporar miles de componentes electrnicos en un espacio muy reducido, y son bsicos en toda la industria electrnica actual. Actualmente se disean a gran escala con ayuda de un ordenador para ahorrar el mximo espacio posible. El primer paso para su preparacin consiste en el crecimiento de monocristales cilndricos de silicio, a partir de los cuales se cortan obleas circulares de unos 0.25 mm. De espesor que sern la base de los circuitos. A partir de aqu existen diferentes mtodos de trabajo, siendo la fotolitografa el procedimiento ms habitual: Las obleas se calientan en presencia de oxgeno para formar una delgada capa de SiO2 en su superficie. A continuacin se protege la oblea oxidada con una lmina polimrica sensible a la luz ultravioleta (photoresist). El diseo de los circuitos a preparar se graba por ordenador sobre una mscara de cromo. Se coloca esta mscara sobre la oblea y se aplica una radiacin UV de manera que la parte del photoresist no protegida por la mscara es disuelta. Se introduce la oblea en cido fluorhdrico que disuelve la capa de SiO2 en aquellas regiones en las que no est cubierta por el photoresist. Despus se eliminan los restos del photoresist. Se introducen los elementos dopantes requeridos en las zonas de silicio sin el xido. Para ello se utilizan tcnicas de difusin o de implante inico. Esta ltima tcnica, que consiste en el bombardeo a altas velocidades de los iones dopantes, tiene la ventaja de que puede realizarse a temperatura ambiente y es ms rpida y fcil de controlar, pero tambin es ms cara.

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Figura 15.- Difusin e implante atmico en un chip.

A continuacin se recubre nuevamente la oblea de SiO2 por calentamiento en oxgeno y se repite todo el proceso para introducir otros componentes que sean necesarios para cada dispositivo, incluidos los contactos elctricos.

Todos estos procesos se hayan generalmente automatizados y se desarrollan a gran velocidad. En general a partir de una oblea se obtienen numerosos chips, normalmente cuadrados de unos 6 mm., que contienen miles de elementos de circuito: diodos, transistores, condensadores, resistencias, etc., adems de gran cantidad de conexiones elctricas para acoplarse a la placa del circuito impreso. La investigacin en este campo es continua, buscando dispositivos que funcionen cada vez ms rpido de manera que se acorten los tiempos de respuesta de los equipos. Este objetivo puede cumplirse simplemente haciendo an ms pequeos los dispositivos, para lo cual se recurre a los rayos X en sustitucin de la radiacin ultravioleta, nuevos materiales en los aislantes y contactos metlicos, la utilizacin de semiconductores como el GaAs con movimientos electrnicos ms rpidos que los del silicio, y la realizacin de chips tridimensionales. Finalmente, es posible que en el futuro sean las propiedades pticas, y no las elctricas, de los semiconductores las que permitan a los ordenadores ser an ms rpidos.

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Figura 16.- Etapas del proceso fotolitogrfico.

Materiales Dielctricos Las industrias elctricas y electrnicas no slo precisan de materiales conductores y semiconductores para transmitir la corriente. Tambin precisan de materiales aislantes que separen los campos elctricos de su entorno. Estos materiales han de tener obviamente una alta resistividad, pero esto no siempre es suficiente. A voltajes muy elevados muchos materiales aislantes transmiten la corriente por un efecto avalancha similar al que se produca en las uniones p-n con polarizacin inversa. Para seleccionar adecuadamente un material para una determinada aplicacin es necesario tener en cuenta no slo su resistividad sino tambin sus propiedades dielctricas. Los materiales dielctricos son materiales aislantes que presentan, o pueden presentar, una estructura elctrica dipolar; es decir que presentan una separacin entre las entidades cargadas positiva y negativamente a nivel atmico o molecular (polarizacin). La polarizacin aparece normalmente al aplicar un campo externo, y puede ser electrnica, presente en todos los materiales, inica y de orientacin, presente en los compuestos con dipolos permanentes.

Figura 17.- Tipos de polarizacin.

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Varias son las propiedades de los materiales dielctricos a tener en cuenta de cara a sus posibles aplicaciones: - La primera de ellas es su constante dielctrica, que se define como el cociente entre la permeabilidad elctrica del material y la del vaco: k= /0. Recordemos que la carga que puede almacenar un condensador depende del voltaje aplicado y de la capacitancia del mismo: Q= CV. Y la capacitancia depende de la geometra del condensador y del medio situado entre las placas conductoras: C= A/d. Cuando se coloca un material dielctrico entre las lminas metlicas de un condensador, la polarizacin en el dielctrico permite que se acumule una carga adicional en el condensador, y cuanto mayor es la polarizacin mayor es la constante dielctrica y la carga almacenada.

Figura 18.- Almacenamiento de carga en un condensador.

- Otra propiedad importante a tener en cuenta es la llamada rigidez dielctrica, definida como la magnitud del campo aplicado necesario para producir la ruptura dielctrica, esto es para que se produzca una descarga por avalancha a travs del dielctrico. - En muchas ocasiones el dielctrico tendr que operar bajo una corriente alterna, lo que implica que tendr que variar de forma cclica la orientacin de su polarizacin. Para que eso ocurra el material necesita un determinado tiempo mnimo, cuya inversa es la llamada frecuencia de relajacin. Esta frecuencia depende del tipo de polarizacin que presente el material, siendo pequea para la polarizacin molecular y muy grande para la polarizacin elctrica. Si la frecuencia de la corriente aplicada es superior a la frecuencia de relajacin del material, la constante dielctrica se ver disminuida bruscamente y adems depender de la frecuencia de la corriente aplicada. Este efecto nos permite en ocasiones seleccionar la constante dielctrica que nos interesa para una determinada aplicacin. - Los cambios en la polarizacin impuestos por una corriente ac originan tambin prdidas de energa, normalmente en forma de calor que es absorbido por la red. Esta energa absorbida se denomina prdida dielctrica, y es mxima a frecuencias ligeramente inferiores a la frecuencia de relajacin.

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Figura 19.- Efecto de la frecuencia sobre las propiedades dielctricas.

- La estructura del material tambin juega un papel muy importante, afectando tanto a la polarizacin como a las prdidas dielctricas. As, gases y lquidos polarizan muy fcilmente y tienen elevadas frecuencias de relajacin, dada la movilidad de sus partculas. Entre los polmeros, el tamao de la cadena es crucial. Cuanto ms larga es ms difcil de polarizar. Por el mismo motivo, los cermicos vtreos presentan constantes dielctricas mayores que los cristalinos, y su dependencia de la frecuencia es menor. Sin embargo, existen excepciones de gran importancia como el titanato de barios, BaTiO3, cuya estructura asimtrica le proporciona una constante dielctrica excepcionalmente elevada, Por ltimo, hay que tener en cuenta que la presencia de defectos es muy importante. Las descargas por avalancha suelen producirse frecuentemente por los bordes de grano, dislocaciones o regiones con mayor contenido en impurezas.

Figura 20.- Estructura del titanato de bario.

- Obviamente su resistividad elctrica tambin debe ser muy elevada para evitar movimientos de electrones o iones que propaguen la corriente. Por este motivo, los dielctricos habitualmente empleados son generalmente cermicos o polmeros con resistividades mayores que 109 .m. Se puede concluir por tanto que los materiales ms interesantes para su utilizacin van a ser aquellos que presenten una alta resistividad, una alta resistencia dielctrica y un bajo factor de prdida dielctrica. Si el material va a ser utilizado en un condensador se requerir adems una alta constante dielctrica, pero esto no ser conveniente para un aislante elctrico, pues se producir una indeseable acumulacin de carga sobre l. En general son diferentes materiales cermicos y polimricos los que se utilizan como aislantes y/o en condensadores. En general la constante dielctrica de los polmeros (25) es inferior a la de las cermicas (6-10), dado que tienen momentos bipolares

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inferiores. Se utilizan por este motivo para aislar hilos elctricos, motores, generadores, condensadores, etc. Entre los cermicos, vidrios, porcelanas y mica son muy utilizados por su alta constante dielctrica y su buena estabilidad dimensional y resistencia a la traccin. Suelen aplicarse para aislar lneas de alta potencia, fabricar bases de interruptores y lmparas, etc. Para la fabricacin de condensadores se utilizan el xido de titanio y titanatos como el de bario por su alta constante dielctrica.

Figura 21.- Propiedades de algunos materiales dielctricos comunes.

Materiales Ferroelctricos y Piezoelctricos Normalmente, la polarizacin de un material desaparece cuando se elimina el campo elctrico externo. Sin embargo, algunos materiales son capaces de mantener su polarizacin incluso en ausencia de campo, son los materiales ferroelctricos, esto es tienen dipolos elctricos permanentes. La orientacin de cada dipolo influye sobre la orientacin de sus vecinos, de manera que se produce un fenmeno cooperativo entre ellos que impide que se desalinen una vez eliminado el campo. Una de sus propiedades ms caractersticas es la presencia de un ciclo de histresis. Al aplicar un campo creciente los dipolos comienzan a orientarse y la polarizacin a crecer hasta alcanzar su valor mximo (saturacin). Al disminuir el campo la polarizacin se resiste a desaparecer, y cuando el campo se hace cero an permanece una cierta polarizacin remanente. Esta capacidad de mantener la polarizacin se aplica para almacenar informacin en circuitos de computadoras. Si a continuacin se aplica un campo creciente en direccin contraria, necesitaremos un cierto campo coercitivo para anular la polarizacin. Si el campo inverso se incrementa an ms se alcanzar una saturacin de polarizacin de signo opuesto, y finalmente al disminuirlo y volver a campos positivos obtendremos un ciclo de histresis.

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Figura 22.- Ciclo de histrisis de una material ferroelctrico.

El rea que queda dentro del ciclo de histresis es proporcional a la energa necesaria para producir la polarizacin y cambiarla de orientacin. Si aumentamos la temperatura, las propiedades dielctricas se van perdiendo y el comportamiento ferroelctrico tambin, hasta que se alcanza la temperatura de Curie por encima de la cual el fenmeno desaparece. Un ejemplo tpico de estos materiales lo constituye el titanato de bario, lo que explica su alta constante dielctrica. La temperatura de Curie para este material es de 120 C, porque en ese momento sufre una transicin estructural, hacia una estructura perovskita, que anula su polarizacin. En muchos materiales, la polarizacin puede cambiar las dimensiones del material. Este efecto se llama electrostriccin y normalmente tiene su origen en la deformacin que sufren los tomos y en las variaciones de las longitudes de enlace que se producen. Pero en algunos materiales el fenmeno se da en el orden inverso, esto es la introduccin de un cambio dimensional, impuesto por una fuerza externa, da lugar a la aparicin de una polarizacin. Los materiales dielctricos que presentan este comportamiento de forma reversible se denominan materiales piezoelcctricos. La direccin de la polarizacin adems cambia con la direccin de la deformacin efectuada.

Figura 23.- Efecto piezoelctrico

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Entre los materiales piezoelctricos tenemos a los titanatos de bario y plomo, la solucin slida PbZrO3-PbTiO3 (PZT), el cuarzo, y otros materiales cuya caractersticas comn es la presencia de una estructura compleja y de baja simetra. Se aplican en agujas de tocadiscos, micrfonos, generadores de ultrasonido y detectores sonar. Cuando la aguja de un tocadiscos pasa por los surcos de un disco trasmite variaciones de presin a un material piezoelctrico situado en el cabezal, de manera que es convertida en una seal elctrica que despus de ser ampliada pasa al altavoz.

Superconductores La resistividad de los metales puros disminuye progresivamente con la temperatura hasta alcanzar un valor pequeo, pero finito que es caracterstico de cada material. Sin embargo, en algunos materiales la resistividad cae bruscamente por debajo de una determinada temperatura hasta un valor que es prcticamente cero. A estos materiales se les denominan superconductores, y la temperatura por debajo de la cual se observa el efecto se conoce como temperatura crtica, Tc. No obstante, la superconductividad se pierde si sobre el material se aplica un campo magntico por encima de cierto valor, Hc, o una corriente de mayor intensidad que un valor crtico, Jc. Ambos parmetros dependen de la temperatura, hacindose mayores cuanto ms lejos de la temperatura crtica se trabaja. La superconductividad tiene tambin implicaciones magnticas que veremos en el prximo tema, pero se puede adelantar aqu que los superconductores repelen el campo magntico.

Figura 24.- Dependencia trmica de la resistividad en un superconductor.

El fenmeno de la superconductividad es conocido desde principio del siglo (1911), pero fue a raiz del descubrimiento de los llamados superconductores de alta temperatura en 1986, cuando el campo de sus posibles aplicaciones se abri enormemente. Hasta esa fecha, la temperatura mxima a la que se haba observado un comportamiento superconductor era de unos 20 K en las aleaciones Nb3Ge y Nb3Sn. Sin embargo, Bednorz y Muller (Nobel de 1987), descubrieron la superconductividad a 36 K de una fase cermica: La-Sr-Cu-O, y rpidamente se prepar el YBa2Cu3O7 (YBaCuO) con una Tc de 93 K, y posteriormente otros cupratos de Bi, Tl y Hg con los que se han alcanzado temperaturas crticas de hasta 135 K (160 K bajo presin). Pas por tanto de ser un fenmeno curioso, aplicable solo para estudios en laboratorios especializados, a ser una propiedad de gran aplicabilidad en numerosos campos: transmisin de corriente con prdidas nfimas, miniaturizacin de componentes

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electrnicos al no generase calor, detectores de campos muy pequeos aplicables en medicina (SQUIDs), sistemas de transporte como los trenes Maglev. Los superconductores metlicos tradicionales como el Nb-Zr, Nb-Ti y Nb3Sn son an los ms utilizados, por su alta fiabilidad y durabilidad a pesar de sus bajas temperaturas crticas (< 20 K). Sin embargo, la aplicacin de los superconductores cermicos de alta temperatura es cada vez mayor, a medida que se van mejorando sus mtodos de procesado, especialmente en el caso de los YBaCuO. Pero an son demasiados frgiles e inestables para aplicaciones a gran escala, y en algunos casos muy txicos.

Figura 25.- Temperaturas crticas de algunos superconductores.

La mayora de los superconductores de alta temperatura son cupratos con estructura tipo perovskita. Aunque an no se conoce bien el mecanismo por el cual se produce la superconductividad, la clave parece estar en la presencia de planos con iones Cu en diferentes estados de oxidacin (+2 y +3) y entornos de coordinacin, tomos de oxgeno y posiciones vacantes. La conductividad es muy anisotrpica, siendo mxima en esos planos, y parece ser debida a transferencias internas de carga entre los iones de cobre. El hecho de que an no se comprenda bien como se produce el fenmeno, es el que principalmente dificulta que se puedan disear nuevos materiales ms estables y con temperaturas crticas ms altas. No obstante, y a pesar de que la investigacin transcurre en cierta medida a ciegas, continuamente se descubren nuevos materiales con propiedades superconductoras. Es el caso de algunos fulerenos alcalinos (30 K), sulfuros de molibdeno (10 K) o incluso polmeros orgnicos dopados con cobre (12 K).