Instituto Politécnico Nacional

Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica.

Unidad: Zacatenco.

Segundo parcial.

Dispositivos.

Salazar Soto Dana Yahaira.

Grupo: 5CM5.

Tema:
 Transistor Bipolar (BJT)
 Transistor efecto de campo (FET)
 Transistor efecto de campo metal oxido
semiconductor (MOSFET)
Transistor bipolar (BJT)
El transistor Bipolar Junction Transistor (BJT por sus siglas en ingles), es un
dispositivo semiconductor de estado sólido que permite controlar el paso de
corriente o disminuir el voltaje a través de sus terminales.
Conformados por dos uniones de tipo P y N, o bien dos diodos semiconductores,
divididos en los tipos:
1. Transistor NPN: formado por un material N y separado por una capa de
tipo P.
2. Transistor PNP: formado por un material P y separado por una capa de
tipo N.
Cada uno de estos transistores cuentan con tres terminales:
 Zona E(emisor): siendo una zona lateral, es la
más fuertemente dopada, la zona en cargada de
inyectar portadores mayoritarios hacia la base.
 Zona B(base): es la zona central, cuenta con un
nivel de dopado inferior a la zona de emisor, su
misión es dejar pasar la mayor parte posible de
portadores inyectados por el emisor hacia el
colector.
 Zona C(colector): siendo una zona lateral, se encarga de recoger los
portadores inyectados que han sido capaces de atravesar la base por parte
del emisor.
Los transistores BJT son fabricados en distintos materiales como Si(silicio),
Ge(Germanio) y GasAs (Arseniuro de galio), los cuales son recubiertos en
diferentes encapsulados los más comunes son los TO-92, TO-18, SOT-23.
Parámetros principales
 POL: Polaridad PNP-NPN, es una condición de voltaje y de corriente que
se establece en un transistor para fijar un punto de operación (Q), para
mantener al transistor en la región activa directa.
 VCE: Voltaje Colector Emisor
 IC: Corriente de colector, medida en amperios.
 PD: Potencia de disipación, medidas en watts
 FT: Frecuencia de trabajo, medida de kilohertz
 HFE: Ganancia de corriente, este parámetro de modelo hibrido H de
corriente alterna, se usa para el diseño de circuitos con transistores, F
proviene de los términos (Forward Current) ampliación con polarización
directa y E de (Common Emitter) configuración de emisor común.
 REGION DE SATURACION: Las uniones colector-base y base emisor
están polarizadas directamente, el voltaje colector-emisor, las uniones
colector base y base emisor están inversamente polarizados.
 REGION DE CORTE: En esta región la corriente de colector es cero o casi
cero para cualquier valor de voltaje colector-emisor, las uniones colector-
base y base emisor están inversamente polarizadas.
 REGION ACTIVA DIRECTA: En esta región la unión de colector-base esta
polarizada en inversa y la unión base-emisor esta polarizada en directa,
esta región nos permite utilizar al transistor como amplificador de voltaje, de
corriente o de potencia.

Configuraciones de los transistores BJT

 Configuración en base común
Derivada del hecho de que la base es común tanto para la entrada como
para la salida de la configuración, además la base por lo general es la
terminal más cercana a, o en, un potencial de tierra.
 Configuración en colector común
Se utiliza sobre todo para igualar impedancias, puesto que tiene una alta
impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, lo contrario de las
configuraciones en base común y en emisor común.
 Configuración en emisor común
El emisor es común o sirve de referencia para las terminales de entrada y
salida, se requieren dos conjuntos de características para describir
plenamente el comportamiento de la configuración en emisor común, uno
para el circuito de entrada o de base-emisor y uno para el circuito de salida
o de colector-emisor.
Curva característica de transferencia de un transistor bipolar

Cuando la corriente base (Ib) es cero, el transistor no conduce (Ic=0).

Igualmente, se puede deducir de la formula Ic=β x Ib. El voltaje entre el
colector y el emisor (VCE) es el voltaje de alimentación.
Cuando la corriente base, es diferente de cero, el transistor conduce (Ic es
diferente de cero), es diferente de cero, igualmente, se deduce de la formula
Ic=β x Ib, el voltaje entre el colector y el emisor (VCE) es un voltaje que esta
entre el mínimo (aproximadamente cero) y un máximo (aproximadamente el
voltaje de alimentación), el valor del voltaje depende del valor de la corriente
base.

Ecuaciones
……. Portada de

V BE=E BE−( R B + R E ) I B−R E I C

entrada
V CE =ECE −R E I B−(RC + R E )I C ……Portada de salida

Aplicaciones
Comúnmente son utilizados como interruptores electrónicos, amplificadores de
señales o como conmutadores de baja potencia, para controlar motores,
accionar reveladores y producir sonidos de bocinas.

Transistor efecto de campo (FET)

Dispositivo activo de 3 terminales que usa un campo eléctrico para controlar el
flujo de corriente y tiene una alta impedancia de entrada, es un componente
electrónico clave.
Funciona mediante un efecto de campo eléctrico, que consta de un canal
semiconductor con electrodos en cada extremo denominado drenaje D y fuente
S, un electrodo de control llamado puerta G se coloca muy cerca del canal para
que su carga eléctrica pueda afectar el canal, de esta manera la puerta del
FET controle el flujo de portadores que fluyen desde la fuente al drenaje.
1. Drenado (D) : es el terminal por el que salen los portadores del
dispositivo
2. Fuente (S): Es el terminal por el que entran los portadores
3. Puerta (G): Es el terminal mediante el que se controla la corriente de
portadores a través del canal.
El canal semiconductor donde ocurre el flujo de corriente puede ser del tipo P o
del tipo N, esto da lugar a dos tipo o categorías de FET:

1. FET canal P
2. FET canal N
Curva característica

 Zona de corte o de no conducción:

En esta zona la corriente ID=0 con independencia del valor VDS, esto se da
para valores de VGS ≤ VGSoff, donde el canal está completamente cerrado.

 Zona óhmica o de no saturación:

Se da para valores de VDS inferiores al de la saturación, es decir cuando VDS
≤ VGS – VGSoff , para estos valores de tensión el canal se va estrechando de
la parte del drenado, principalmente, hasta llegar al estrangulamiento
completo para VDSsat

 Zona de saturación o de corriente constante

Esta zona se da para valores VDS > VDSsat . Ahora la corriente ID permanece
invariante frente a los cambios de VDS (suponiendo la hipótesis de canal
largo) y sólo depende de la tensión VGS aplicada. En esta zona el transistor
se comporta como una fuente de corriente controlada por la tensión de
puerta VGS.

 Zona de ruptura
Como en la zona de carga de espacio aumenta, la tensión inversa no se
aumenta indefinidamente ya que si se supera un determinado valor, la
unión se perfora , produciéndose la ruptura del dispositivo.
 Parámetros

 IDSS: Es la corriente de drenaje cuando el transistor JFET se

encuentra en configuración de fuente común y se cortocircuita la puerta
y la fuente (VGS=0). En la práctica marca la máxima intensidad que
puede circular por el transistor. Conviene tener en cuenta que los
transistores JFET presentan amplias dispersiones en este valor.
 VP (Pinch-Off Voltage): es la tensión de estrangulamiento del canal. Al
igual que IDSS, presenta fuertes dispersiones en su valor.
 RDS(ON): Es el inverso de la pendiente de la curva ID/VDS en la zona
lineal. Este valor se mantiene constante hasta valores de VGD
cercanos a la tensión de estrangulamiento.
 BVDS (Drain-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura
entre fuente y drenaje. Tensiones más altas que BVDS provocan un
fuerte incremento de ID.
 BVGS (Gate-Source Breakdown Voltage): es la tensión de ruptura de la
unión entre la puerta y la fuente, que se encuentra polarizada en
inversa. Valores mayores de BVGS provocan una conducción por
avalancha de la unión.

Tipos de transistores FET

1. MOSFET de acumulación y deplexion

2. JFET deplexion
3. MESFET deplexion

Aplicaciones
El uso principal del transistor de efecto de campos se encuentra dentro de los
circuitos integrados, ya que consumen niveles mucho más bajos de energía que
los circuitos integrados que utilizan tecnología de transistores polares, suelen
usarse en área de la industria que van desde tecnología de RF, control de
potencia y conmutación electrónica.

Transistor efecto de campo metal oxido semiconductor (MOSFET)

Transistor de tres patillas, conduce corriente en dos de sus patillas cuando se

aplica tensión en la patilla restante, llamada puerta (G), en un transistor MOSFET
su activación es por tensión, se activa cuando se pone una tensión mínima en la
patilla G, las otras dos patillas se les conoce como Entrada (S) y Salida (D).

Su nombre hace referencia al tipo de estructura que es muy usada en la

electrónica, donde se usa el óxido como aislante o dieléctrico, es un transistor que
conduce o no conduce la corriente, en el que se utiliza un campo eléctrico para
controlar su conducción y que su dieléctrico es un metal de óxido.

Ecuaciones
Curva característica
De la ecuación de la zona de saturación, se realiza una gráfica de ID contra VGS
obteniendo entonces, que en la regios de saturación MOSFET se comporta como
una fuente de corriente cuyo valor está controlado por VGS.
Parámetros de los MOSFET
 Máxima tensión drenado – fuente: corresponde a la tensión de ruptura de la
unión que forma el substracto y el drenador
 Máxima corriente de drenado: corriente continua máxima, depende de la
temperatura de la capsula.
 Resistencia en conducción: crece con la temperatura, para un dispositivo
particular, decrece con la tensión de la puerta, el decrecimiento tiene un
límite.
 Tensiones umbral y máximas de puerta: los fabricantes la definen como la
tensión puerta-fuente a la que la corriente de drenador es 0.25mA o 1mA.
 Velocidad de conmutación

Aplicaciones
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo
CMOS, consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS
complementarios:
 Resistencia controlada por tensión
 Circuitos de conmutación de potencia
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.