Proceso de Dopado Aleacin: El dopante que queremos introducir se pone en contacto con el semiconductor, a los cuales se le pone a una

temperatura alta para poderse producir la aleacin. El dispositivo ocupa un 1% del espesor total de la oblea, por tanto hay un 99% que no se aprovecha, esta zona "muerta" adems da problemas de funcionamiento del dispositivo. .-Problemas: *No se controla la introduccin de dopantes *Se tiene que reducir la zona muerta. Difusin: La fsica del proceso es la misma, que en el caso anterior, pero tenemos un control mucho mayor sobre l. En este caso el dopante est en forma gaseosa, para introducirlo en las zonas que queremos dopar. .-Problemas: *Interconexiones entre los dispositivos. *Sigue existiendo zonas muertas. *El control debera ser mayor sobre las zonas a dopar. Difusin Planar-Epitaxial: Partimos de un cristal fuertemente dopado, al cual se le hace crecer una capa epitaxial, de semiconductor con un dopado menor. Posteriormente se oxida el Si, de forma que obtenemos SiO2. Se abren huecos en el xido para que las impurezas entren donde nosotros queremos: El dopante se introduce en todas las direcciones de forma que no es igual el rea de la superficie a la proyectada. Con este proceso hemos resuelto el problema de la zona muerta. .-Problemas: *Difusin lateral *Si las dimensiones se reducen la difusin lateral puede hacer que tengamos una unin en los dispositivos.

Implantacin Inica: El proceso es totalmente anlogo al anterior pero cambiamos la tecnologa utilizada en la introduccin de los dopantes. Las impurezas se aceleran utilizando potenciales de 100000 V. Pudiendo controlar perfectamente variando la energa de los iones los lugares donde queremos introducirlos. Crecimiento de Cristales El primer problema que tenemos es conseguir Si con un alto grado de pureza, para poder fabricar Si cristalino. La densidad efectiva de tomos debe ser 10 23, para el purificado se hace reaccionar con clorhdrico en fase vapor, y despus de varias reacciones (Destilacin fraccionaria), obtenemos lo que se llama Si electrnico. Una vez conseguido esto ya podemos darle una estructura cristalina. Mtodo Czochralski : En una atmsfera controlada e inerte, tenemos una cubeta de grafito o cuarzo (que funden a temperaturas 3000 C En la cubeta se introduce Si electrnico . El cilindro est rodeado de una bobina de alta frecuencia y alta corriente, con esto se funde el Si (1240 C). Se introduce en el Si fundido una prtiga con una semilla de Si cristalino, el cual por capilaridad se une a la semilla, formndose Si cristalino alrededor de la semilla, de forma que tirando y girando la prtiga hacemos crecer el cristal. (5 a 6 pulgadas de dimetro). Este mtodo as realizado tiene un problema y es que las paredes de cuarzo o de grafito, introducen impurezas en el Si cristalino que se forma, porque al estar toda la cubeta a una temperatura alta se producen deterioros en esta. Para evitar esto se va utilizar el mtodo de la zona flotante, en el cual la bobina no est en todo el cristal sino nicamente en una zona muy concreta alrededor de la semilla, esta bobina es mvil y segn movemos la semilla la bobina la acompaa. El problema que tenemos ahora es que hay un alto nmero de dislocaciones debido al gradiente trmico. El lingote de Si cristalino se corta en obleas, perdindose en el proceso la mitad del Si. Luego viene un proceso de redondeado y de pulido.

Oxidacin Trmica: Consiste en el crecimiento de una capa de SiO 2 sobre una superficie de Si a expensas de este. Hay dos tipos de hacer este xido, en atmsfera seca O 2 o hmeda (H 20) a una temperatura elevada ( ~1000 C)

La oxidacin seca es bastante lenta pero produce un xido de excelente calidad, que es muy usado en las tecnologas MOS para el xido de puerta. La oxidacin hmeda es bastante ms rpida pero produce un xido de mucha peor calidad, con porosidades, el cual solo sirve para procesos de enmascaramiento. Aplicaciones del SiO 2 : Mscara de proteccin para procesos de dopado=>Dopados Selectivos.(0.3 m m de espesor aproximado) xido de puerta en estructuras MOS xido de Aislamiento en tecnologas LOCOS (Local Oxidation Silicon ) Pasivacin elctrica de superficies Modelo Elemental del Proceso de Oxidacin : La atmsfera oxidante se satura de manera que la concentracin de oxidante en la superficie de SiO 2 es la de mxima solubilidad N 0. El oxidante se difunde a travs del SiO 2 formado y llega a la interfase SiO 2 -Si en concentracin N 1< N 0 donde reacciona con el Si y se forma SiO 2. Flujo de oxidante a travs del xido :

donde D es el coeficiente de Difusin en SiO 2 del O 2 y del H 2O. El flujo de oxidante que llega a la interfase SiO 2-Si es el siguiente : F 2=kN 1, donde k es la velocidad de reaccin superficial. La situacin estacionaria la tenemos cuando el SiO 2 no es fuente ni sumidero de oxidante por tanto estamos en un proceso de equilibrio : F 1=F 2=F En esta situacin tenemos que el flujo nos queda lo siguiente :

Tenemos por tanto que la velocidad de crecimiento del xido con la condicin inicial x 0(t=0)=x i (~40 )

Tenemos que la solucin es :

donde : A=2D/k B=2DN 0/N 1 t =(x i 2+Ax i)/B Podemos observar dos resultados principales de la expresin obtenida que son : -A tiempos cortos de oxidacin, el proceso viene limitado por la velocidad de oxidacin superficial del Si. -A tiempos largos de Oxidacin, el proceso viene limitado por la difusin de oxidante a travs del SiO 2 . Ej. : Demostrar utilizando la expresin obtenida las dos afirmaciones anteriores. Litografa y Grabado Se refieren a los procesos de transferencia de los motivos, que dan lugar al circuito integrado, sobre la oblea del semiconductor. La litografa es la exposicin de motivos a travs de mscaras convenientemente diseadas y el Grabado es la eliminacin selectiva de xidos, metales, etc Estos procesos son los que nos marcan la tecnologa en la construccin de C.I., y por tanto una avance en estos procesos permite una evolucin en la tecnologa de integracin. El proceso litogrfico consta de los siguientes pasos : -Una vez generado el xido del Si, sobre el semiconductor, colocamos una capa de Fotorresina sobre el xido.

-Una vez hecho, hacemos pasar luz (UVA), a travs de una Mscara, el cual se proyecta sobre la fotorresina. - La fotorresina ha quedado impresionada por la proyeccin hecha en el proceso anterior. Y la introducimos en un compuesto el cual elimina la zona impresionada (Positivo), o la que no lo est (Negativo).

5) Formacin de capas delgadas (Deposiciones y Epitaxia) Se puede depositar diferentes tipos de material como xidos, polisilicio, metal y semiconductor con estructura cristalina (en este caso el proceso se llama epitaxia) Podemos distinguir entre dos tipos de deposicin segn se produzca en el proceso una reaccin qumica o fsica 1) Chemical vapour deposition (CVD) Atmospheric pressure CVD Low-pressure CVD Plasma-enhanced CVD

2) Physical vapour deposition (PVD) Evaporation technology Sputtering Molecular Beam Epitaxy (MBE)

Las tcnicas de CVD se suelen usar para depositar aislante y polisilicio La tcnica de CVD y MBE para depositar semiconductores cristalinos (Epitaxia) Las tcnicas Fsicas de evaporacin y Sputtering para metalizaciones

6) Metalizacin Phisical vapour deposition Se evapora el metal con calor a depositar en una cmara de alto vaco Se condensa en la superficie de la oblea al enfriarse.

La energa de los tomos de vapor suele ser baja lo cual pueden resultar capas porosas y poco adherentes.

Filamento de tungsteno. De cada espira del filamento se cuelga un pequeo trozo de aluminio. En un crisol de nitruro de boro se calienta el Al mediante induccin RF. Evaporacin por haces de electrones. Un filamento suministra un haz de electrones que son acelerados por un campo elctrico y conducidos hacia la superficie del metal donde al chocar con ste producen la evaporacin del mismo. Sputtering (Salpicado) El material a depositar se arranca cargndolo negativamente al bombardearlo con iones positivos Argon. Los tomos de Al desprendidos se dirigen y depositan sobre al oblea

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