UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN

FACULTAD DE INGENIERÍA DE PRODUCCIÓN Y

SERVICIOS

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

“EXPERIMENTO 4”
Curso: Circuitos Electrónicos 2
Integrantes:
Guillen Gómez, Jeffrey Alonso.
Semestre: V
Grupo: “B"
Docente: ing. Humberto Albino Salazar Choque
Arequipa – Perú

2023
 VE= 0V VC=3.294 V

VBE= 605.489 mV VCE=5.706V

IE=0A IC=1.079ma

VE= 740.14mV VC=3.294 V

VBE= 602.619 mV VCE=5.393V

IE=850.214 uA IC=885.026 uA
 VCE=2.867 IC=885.128 Ua

VE= 0V VC=8.922 V

VBE= 650.711 mV VCE=78.171 mV

IE=0A IC=22.957mA

VCE=9 IC=22.957Ma
VE= 1.872V VC=8.922 V

VBE= 650.711 mV VCE=78.171 mV

IE=2.371mA IC=22.957mA

VCE=9V IC=22.957Ma

VE= 1.167V VC=8.96 V

VBE= 650.711 mV VCE=9v

IE=2.56mA IC=60.308mA
VE= 623.874mV VC=420.659n V

VBE= 626.107 mV VCE=90,59fv

IE=843,99uA IC=177.636pA

Cuestionario:

1. HAGA EL ANALISIS TEORICO Y DIBUJE SU RECTA DE CARGA DE CADA EJERCICIO

7.Porque un cambio de Beta provoca un desplazamiento del punto de trabajo. El
parámetro Beta de un transistor bipolar o BJT nos indica la eficiencia del transistor,
relacionando la corriente de colector con la corriente de base, cuanto mayor es el número
de Beta mas eficiente es el transistor, es decir que con una corriente de base pequeña es
capaz de entregar una corriente de colector grande
8.Razone porque las condiciones de corte y saturación determinan la recta de carga. Creo
que porque son la intersección de ambas rectas nos define el valor del corte y saturación