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RFU10TF6S
Hojas de datos
Fabricante LAPIS Semiconductor Descripción DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM
Tensión - directo (Vf) (Max) Si @ 2.8V @ 10A Corriente - Fuga inversa a Vr 10µA @ 600V
Voltaje - Inverso (Vr) (máx) 600V Velocidad Fast Recovery = 200mA (Io)
Temperatura de funcionamiento -
Tiempo de recuperación inversa (trr) 25ns Junction
150°C (Max)
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LAPIS Semiconductor con garantía y confianza. RFQ RFU10TF6S: Info@Ariat-Tech.com
RFUH10NS6STL DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS LAPIS Semiconductor 500 pcs
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RFUH10TF6S DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM LAPIS Semiconductor 50 pcs
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