ASPECTOS TEORTCOS La Teo de Bands Lido La mayorta de los elementos quimicos y sus conpuestos son s6lidos 4 temperatura ambiente. £1 estudio de los sblidos y de los factores que deverminan su estructura y propiedades forra una parte importante de 1a quimica. La teoria electronica de valencia provee la base de ‘nuestra moderna conprensién de la quimica y representa una importante razOn para estudiar 18 estructura electrénica de los sélidos. Muchas de las propiedades de los s61idosdependen directanente del conportaniento de sus electrones, algunas de elTas son 1a conductivided eléctrica, propiedades pticas y propiedades magnéticas. Desde el punto de vista quinico, los s8lidos son clasificados en base al tipo de fuerzas que mantienen unidos a sus stones. Las cuatro clases importantes de sUli¢os simples son: moleculares, i6nieos, covalentes y metélicos. Los s6lidosmoleculares son aquellos constituidos por moléculas individuales unidas mediante fuerzas de van der Waals 0 interaceiones dipolo-dipolo, retentendo su identidad original. En Tos s6lidos ténicos existe una atraccin electrastética entre jones, 10s cuales se forman por la transferencia de electrones de un Atono a otro. Los s6lides covalentes estén formades por grondes redes de Stonos unidos mediante enlaces covatentes. Por Gltino, 10s sOlidos metilicos, que se caracterizan por una destocalizacton de electrones entre sus étonos [8].La descripci6n quimica del enlace en moléculas y sélidos ests basada en el concept de orbitales. En un atono aislado cada electrén acupa lun orbital particular, el”cuel tiene una cierta energia asociada a el. Segin e1 principio de exclusién de Pauli, cada orbital puede ser ocupado por no mis de dos electrones con giros opuestos. En un tomo en su estado basal, los primeros dos electrones Ilenan el orbital de mas baja energia (1s) y los electrones adicionales deberén ocupar Ios orbitales ‘con mayor contenido energético (2s, 2p, 3s, 3p, 4s, etc.). Esto trae como consecuencia que los electrones estén confinados 2 orbitales y Puedan tener solo niveles de energia discretos, toda enersis intermedia Jes esté prohibida. Si un electran va a canbiar su estado energético debe saltar de un nivel permitido a otro [9]. Las consideraciones anteriores son tanbién validas para la formacién de orbitales moleculares. Cuando dos Stomos idénticos se acercan lo suficiente cono para permitir el traslape de sus orbitales, cada nivel de energia es dividido para crear dos nuevos niveles, uno con menor contenido energético que e1 original (orbital enlazante) y otro con mayor (orbital antienlazante). £1 caso mas sencillo es el de 1a molécula de hidrégeno, en 1a cual se forman dos orbiteles moleculares por 1a combinaci6n lineal de dos orbitales atOmicos 1s. £1 nlmero total de electrones que puede ser acomadado por el sistema no cambia cuando Tos os Stomos se unen para formar 1a molécula: en un principio habla dos orbitales atomicos independientes de 1a misma energta, cada uno de Tos cuales podia contener dos electrones, ahora habra dos orbitales moleculares con diferentes niveles de energia que, podran contener también dos electrones [9].Ahora bien, si son tres los Stomos que se unen, tres nuevos niveles de energia son creados, uno por debajo del original, e1 otro arriba y un tercero entre estos dos niveles. Asi, cada nivel atémico se dividira, de hecho, en niveles noleculares miltiples, que pueden aconoder todos Tos electrones que se encontraban anteriormente en niveles at6micos simples. En esta forma, en una molécule de N atonos idénticos, cada nivel atémico se divide en N niveles moleculares, cada uno de los cuales puede ser ocupado por un par de electrones de giros opuestos [26]. En un s6lido cristalino, Tos Stomos estan tan préximos entre st, que los electrones de valencia constituyen un sistema Gnico de electrones corunes a todo el cristal [2]. Cada nivel de energia de 10s atoms originales se divide en el ninero correspondiente de niveles, todos ellos finanente espaciados. £1 intervalo entre los niveles de energia adyacentes es tan pequeio, que puede asumirse que formen una banda continua de niveles de energia [8]. Estas bandas corresponden a Tos niveles de energia de los Stomos, de manera que los electrones solo pueden poseer equellas energtas que caen dentro de ellas. En 1a Fig. 1 se muestra un diagrama sencillo referente a los conceptos anteriores. Para ejemplificar la formaci6n de bandas de energia considerenos una molécula de etiteno, CH=CH, 1a cual posee un orbital pt enlazante y uno antienlazante. Los electrones p que ocupan el orbital enlazante se muestran en la Fig. 2. Cuando dos moléculas de etileno estén unidas, como en el butadieno, se producen dos niveles enlazantes ‘ecupados por cuatro electrones 9 y dos niveles antienlazantes vactos. ‘Ahora bien, en una molécula de poliacetileno, le elevade conjugactén de enlaces dobles, da origen a la formaciin de dos grupos de nivelesEnergta Fig. 1. Energfas de los orbitales en: a) un &tomo b) una molécula diatémica ¢) una molécula poliatémica d) Un s6lido Fuente: (8)Antienlazante Enlazante Cheat a) Fig. 2. Hi-(ch=cil) ) Diagrama sinplificado de ntveles de energia para: a) un Atomo de sodio b) sodto s61ido a) ury Intervalo de Energie Prohibida Fig. 4. Esquena de bandas para un s6lido cuyas energias no se treslapan. Fuente: (2)3 elevadas, le energia térmica cabtica dejard vacantes unos cuantos estados bajo Ef, elevando algunos electrones sobre este nivel. Je este modo, un electrén no puede cambiar su estado a menos que se le suministre Suficiente energia pare pronoverlo sobre Ef, Un electrén en el nivel de Fermi que es movible en el cristal puede, en consecuencta, considerarse cono un electrén Tibre [26]. La teorfa de bandas abordada en forme sencilla a lo largo de las Paginas anteriores nos sera de gran utilidad. Esto es debido a que Va presencia de estas bandas de energia en los sélidos, su grado de ocupaci6n por electrones y 1a magnitud de los intervalos prohibides entre ellas, determina 12 mayorte de las propiedades eléctricas en el material [8] Propiedades Eléctricas de los Materiales Conductiviged E1éctrica La mis obvia propiedad eléctrica de un s6lido es su conductivdsd, Va cual consiste en la transferencia de carga de una posicién @ otra en el material bajo Ta influencia de un campo eléctrico, Este flujo de carga es producido por algun de Tos cuatro tipos de portadores de carga conocidos: el electron, e] hoyo positive (misma carga que Ta de1 electrén, pero de signa contrario). los tones positives y los negativas. La Antensigad de 12 corriente, 1, segin la conocida ley de Ohm, es directanente proporcional a la intensidad de? canpo etéetrico, &, ¢ fnversanente proporcional a 1s resistencia, R. Esta Oltima depende de 12 naturaleze y dimensiones del material, por To cuel es nas conveniente utilizar e1 témino "resistividad" (p] al caracterizar4 1 facultad fnherente del compuesto para afectar el Flujo de carga, segin 1a siguiente ecvactén: RAT a) donde R es Ta resistencia, & es el Brea y 1 a longitud de 1a muestra. Las unidades de resistividad son 10s ohn-centinetros (em), ya que 1a resistencia se a en ors Sin enbargo, ya que es wis fécil suponer que un material conduce en lugar de resistir, se enplea el conocido parénetro “conductividad” (0), 1a cuat es el rectpraco de Te resistividad, segin 1a siguiente expresiar op (2) y las unidades en que se expresa son Tos Stenens sobre centinetros (seca esse e1 punto ce viste estructural, la conductiviged se ve Ainflueneiada por tres factores principalnente: Te concentracion de 10s portadores de carga, ni la carge por portador, a, y 1a moviTidad de cade portador, w. £1 producto de estos tres factores determina la conductividad de cads material, segin 1a siguiente ecuaci6n: o= ng (3) La conductividad es una propiedad de la materia con un enorme vrango de valores y varia drasticanente de un material a otro. En la Fig. 5 se comparan los valores de conductivigad eléctrica de un amplio ‘grupo de compuestos; como se puede observar, 1a variactén puede ser16 Consuctivieae (S ex") wt cobce Fiow wot one Plone Getgtes resales * Cohduesores (TMT SF), . J Pelitentienitore seni = emma condutores 10% | sotjacetitenos site 4 Dopados feligeros Trans | yoo erases pornenrtens) 1° toro 4 tise Potincetstane FEsforo blanco Fig. 5. Conductivided eléctrica de un amplio grupo de compuestos. Fuente: (7)16 tan grande cono de 20 Grdenes de magnitud entre un excelente conductor (wetal) y un buen aislante (tefT6n). Ahora bien, para’ explicar ten grandes diferencias en Ie conductividad de los materiales uttlizarenos 1a teorta de bandas, que es la manera més sencilTe de losrarlo. Para que se de el flujo de carga en un sélido es necesario el movimiento de electrones. Esto significa que en un material que puede conducir 1a electricidad algunos de sus electrones necesitan estar libres para moverse al morento de aplicar un campo eléctrico. Por consiguiente, el mecanisno de 1a conduccitn esté estrechanente relactonado con el estado de Tos electrones en el s61ido. Con ya se menciond anterformente, los electrones en un s6lido se mueven dentro de discretos estados de energia Namados bandas, Se dice adenés que estin deslocalizados, es decir, que son libres de vagar através del s6lido. Sin enbargo, para que una corriente eléctrica sea sostenida, deve haber un moviniento neto de electrones en una direccién, para To cual se requiere de una banda parctalnente Tena, Una banda totalmente ena no puede transportar electricidad, ni tampoco una banda vacta [19]. St 1a banda ocupada mas alta est& parctalmente Iena y contiene el nivel de Fermi, recite’ el nonbre de banda de conducctin, porque solo Tos electrones préximos a Ef estin libres para transportar corriente electrica Generalmente en los meteles la banda de valencia esté solo Parcialwente Tena, como lo vinos para el caso del sodio. fn el cobre, por ejemplo, los electrones de valencia 45 lYenan solo la mitad de la” banda exterfor s, ya que hey un solo electron 4s por stomo [26]. De esta manera, en un metal, los electrones en el nivel ocupade mas alto pueden faciImente ser pronovidos a niveles desocupados por encine de EF, que estén solo infinitesimslnente superiores en energie. Asi, Tos electrones estén siempre libres y disponibles para 1a conduccitn. En Va Fig. 62 se muestra 1a estructura de bandas para un conductor coma @1 sodio. En algunos metales, cono ene] magnesio, 12 banda de valencia esta Vena pero se superpone con una bands superior vacta. Los electrones cercanos al nivel de Fermi en estos metales también estén Tibres para moverse, ya que 12 bands adicional proporciona estados vacantes, cono se muestra en la Fig. 65. En un metal, la conductividad esté limiteda por el chaque de los electrones en movistento con las vibractones de 1a red at6nica. A temperaturas reducidas estas vibraciones disainyyen, razin por lo cual Ja conductividad de un metal aumenta al disminuir 1a temperatura (9). Suponganos ahora que 1a bande de valencia estd lena, que Ta banda superior esté vacta y que andes no se superponen. La Gntca manera de que sus electrones puedan acelerarse or la aplicacién de un campo eléctrico es mediante su transferencia a1 nivel energético desocupado superior. Para hacerlo, los electrones tienen que brincar el intervalo e energia prohibida entre las bandas. La anchura de este intervalo Jo expresamos en electrovoltios (el electrovoltio, eV, es Ta energta requerida para mover un electrén en un campo eléctrico de un voltio) na.(onsets) oronpuosiwas (p dopersty (2 (orsaubew) 40} anpuoy (q (01pos) soyonpuoy (e a 33 --o-------} ---9 En el caso de que el intervalo sea pequeto, de 2 eV 0 menor, 1 material correspondiente es un "semiconductor". sus electrones de valencia serdn factinente-transferidos a la banda superior vacta mediante energia térmica. fn cambio, si ese intervalo es muy grande, de 2-10 eV, el material se considera un ‘aislante", y serd mis difte!? pronover los electrones hacia 12 banda de conducci6n. En la Fig. 6c y 6d se muestra el esquena sinplificado para los dos Gltinos tipes de materiales menctonados. Debido a Ta importancia que tienen en este trabajo los conceptos sobre semiconductores y aislentes, los traterenos con mas detalle a contiquacton. Aislantes y Semiconductores Considerencs de nuevo e1 modelo de bandas para los electrones en un aislante, €1 paso de corriente reg wre 1a excitacibn de electrones @ estados de mayor energta, 1 cual puede ocurrir solamente si se supera el intervalo de gia prohibida, Eg. La magnitud de Ey es tan grande, que muy pocos acarreadores de carga podrén ser generados por excttactén termice, pero, @ medida que asciende le temperatura, ese fraceién aunentara. ES decir, 12 conductividad de un afsiante aumenta cuando aunenta Ta tenperatura. En el diamante, por ejemplo, el intervalo Eg es de 6 eV. Esto significa que hadeé que aplicar 6 eY de enersta adicional a un electrén en el cristal de dianante pare que tengs energie cinética, ya que no puede tener una energia conprendida en 1a banda prohibids. Este aumento de energia no puede suministrarse f&ctImente con un campo eléctrico, pues se requerirta una intensidad de canpo 1019 veces mayor que Te20 requerida para producir corriente en el sodio. £1 diamante, por consiguiente, es un mal conductor de la electricidad y se le clasifica como aislante [2]. Ahora bien, comprendido entre los dos extrenos (compuestos metalicos Y¥ compuestos aislantes) se encuentra un grup grande e importante de materiales, os semiconductores. Los semiconductores son sblidos no mmetSlicos que conducen electricidad en virtud de la excitacion térmica de electrones através del intervalo de energta prohibida Eg, que en este caso es, como ya dijimos, de 2 e¥ o menor. Cada electron que pasa a la banda de conduccién deja un estado vacante u "Royo" en 1a banda de valencia. £1 hoyo también tiene libertad para moverse y acta coma tun portador de carga positiva, aunque es, en realidad, ausencia de carga negativa. £1 movimlento de un hoyo hacia 1a derecha es equivelente al de un electron hacia ta izquierda, y es mas sencillo considerar e] desplazamiento de un hoyo que €1 movimiento colectivo complejo de todos Vos denas electrones de valencia. As', se puede generar une cantided apreciable de carga en el material puro y se le denomina "semiconductor intrinseco" en vez de aistante [26]. Para un semiconductor puro el nivel de Fermi esté localizado aproxinadamente a 1a mitad del camino entre la banda de valencia y 1a de conducetén, La dependencia de 12 conductividad con respecto a la temperatura en un semiconductor est frecuentemente caracterizada por 1a siguiente ecuact6n: oso, et9/2kT (a) —dondeo,,y Eg son constantes que dependen del material; k es 1a constantea de Boltzmann (1.38 x 10°? Jout/*k) y T es 1a temperatura absolute. De manera sencilla podenos decir que esta expresitn deriva de considerer 1a conductividad, , como un producto de los tres factores Yu Sean 1a ecuacién (3) dads con anterforided. Le concentracién de los transportadores de carga, n, se increnenta con 1a temperatura 9/2kT ¥ Se representa con 18 ecuacién exponencial en 12 cual el exponente es una razén de dos energlas: Eg y la temperatura convertida 2 unidades de energta. La forms de 1a expresign implica que cualquier decrements en Eg 9 increnento en ta temperatura causaré que los acarreadores de carge se aunenten exponencialnente [9]. Por otro lado, 1a movilidad de Tos acarreadores y su carga se involucra en el termina y , el cual es una constante [1]. Sobre este pardmetro se considera que al aunentar 1a temperatura aunentan as Vibractones en la red, lo cual reduce 1a movilidad de Tos transportadores. Sin embargo, a tomperaturas practicas, en Ia mayorla de los semiconductores es 12 disponibilidad de los transportedores 1a influencia dominante, por lo que, al disninvir la temperatura, 1a conductividad también decrece, en contraste eon 1o que sucede en un metal Gono ejemplo de semiconductares tenemos al silicic y al germanio. En el prinero, Eg tiene una magnitud de 1.06 eV y de 0.67 e¥ en el segundo [11]. fn la Fig. 7 se muestra 1a formaci6n de un electron de conduccién y de un hueco electrénico en el silicio pure. La conductivided de un sentconductor intrinseco puede ser afectada considerablemente a1 “contaninarlo" con pequetas cantidades de inpurezas © adulterantes apropiados. A este proceso se le conoce como "dopado" Y consiste fundanentalmente en afadir nuevos niveles de energta dentro22 (11) zequang “ound Of94148 UB upL2onpUoD ap ugJz9aLa UN ap UgLDeMUOy -/ “B14 | 5 | oo ts ts gaco conor n- |b os ts ts 1s ugtoanpuoy ap epueg | a |23 del intervalo de energia &9 [10]. En este caso el material se conoce como semiconductor extrinseco y puede ser de dos tipos dependiendo de 1a clase de contaminante agregado: tipo "n" y tipo "p". Para conprender el concepto de semiconductor extrinseco considerenos un cristal de silicio al cual introducimos unos cuantos atoms de arsémico. £1 arsénico tiene cinco electrones en su capa externa (4s24p3) mientras que el siticto solo tiene cuatro (3573p). Cuando un tomo de arsénico sustituye @ uno de silicto en el cristal, cuatro de sus electrones forman enlaces covalentes con los Atomes, mientras el quinto no entra en estado de enlace. En este caso, 1a presencia del arsénico da lugar a 1a formacién de nuevos niveles de energia justo por debajo de 12 banda de conducciin, Una inpureza ge este tipo recibe el nombre de "donadora", pues cede electrones de conduccién sin producir hoyos en 12 banda de valencia, desplazando el nivel de Fermi hacta 1a banda de conduccién. En 1a Fig. 8 se muestra el diagrana de bandas simplificado para este caso. Los electrones son aqui los partadores en mayorfa y los hoyos Tos portadores en minorfa, por lo que el semiconductor es extrinseco del tipo "n" (nenegative) [26, 11, 2]. Pensemos ahora en el efecto de adicionar al cristal de silicio tun elemento con menos electrones de los necesarios para satisfacer sus enlaces covalentes. £1 galio, por ejemplo, tiene solo tres electrones en sus capas externas (45°4p) y su presencia deja vacantes u hoyos en Ja banda de valencia. En este caso 1a tmpureza recive el nonbre de "aceptadora" y e1 nuevo nivel creado estd Tigeramente por encima de Ja banda de valencia. Un electrén puede ser fSctTmente excttado desde Ja banda de valencia hasta el nivel aceptor por energia térmica. Los24 Estado de Conduccién Teno Banda de Conducci6n vacta g Nivel Oonador Estado’ donador AE vacto Banda de Valencia Mena Fig. 8. Formacién de un semiconductor extrinseco tipo Fuente: (26)8 hoyos son Tos portadores en mayorfa y el matertal recite el nonbre de semiconductor extrinseco tipo "p" (prposttivo). EI nivel de Fermi en este caso se desplaza hacia abajo, més cerca de la banda de valencia, pues agrgamos hoyos sin agregar electrones » Ta banda de conducetén En 1a Fig. 9 se representa Te estructura de bandes pera un sentconductor de este tipo. Efectos Temoeléctricos La sola medida de 1a conductividad no permite conocer la concentracién 0 el tipo de Tos acarreadores de carga en el material que nos interesa, Un todo importante que se utiliza para obtener esa informaciGn es la medicién del “efecto Seebeck". Este es uno de Jos tres fentmenos conactéos coro fectos tempeléctricos” que se observan tanto en metales, aleaciones, semiconductores y aislantes. Los otros dos son el efecto Thomson y e1 efecto Peltier [18]. EL efecto Seebeck puede ser definido de Ia siguiente forma: si dos diferentes conductores son mantenidos juntos por anbas terminales, y Tas dos uniones guardan una diferencia de temperatura, se establece una fuerza electronotiva 1a cual es proporcional 2 la diferencia de temperatura (para T my pequena). fsa fuerza electranotiva por grado es conocida como "poder termoeléctrico" (Q) [14] Para comprender mejor este fendmeno consideremos uns barra conductora como la que se ilustra en la Fig. 10, con un extreno caliente y el otro frio, En aquel, los electrones serén excitados a niveles de energia mS altos, por Io cual podran disminuir su energia trasladindose hacia el extreno frio. En esta forma, el extreno fric26 Banda de Conduccién Vacta Estado Aceptor Teno Nivel Aceptor of Banda de Valencia] Estado de Valencia Vacante "pm, Fig. 9. Formaci6n de un semiconductor extrinseco tipo Fuente: (26)ar Extremo caliente (T)) Extremo frio (T)) Fig. 10. quema del circuito para medir poder termoeléctrico . Fuente: (26)28 se carga negativanente, el extreno calfente positivanente y hay un voltaje induetdo a To largo de 1a barra. E1 voltaje hace que fluya una corriente, 1a eval es igual al voltaje dividido entre 1a resistencia eléctrica de 1a barra. £1 equilibrio se Togra cuando Ta corrfente es igual al flujo de electrones y el voltaje inducido es constante. Para medir el voltaje inducido se conecta un voltinetro # Tos extrenos de 1a barra. Si los alanbres de coneceién son del mismo material que Ta barra, Ja diferencia de tenperatura inducird el mismo voltaje en ambos y no habré voltaje neto entre 1as terminales del instrurento. Por otra parte, 31 les conecciones son de otro material, se induciré un voltage dist into fen ellasy habrS un vortaje neto en el mectdor. St aunentanos 12 diferencia de tenperatura en una pequena cantidad, los voltajes inducidos aunentardn y por consiguiente tanbién el voltaje neto. A este réginen de cambio de voltaje con 1a tenperstura es a lo gue se Te lama poder termoeléctrico, definido por 1a siguiente ecuacién: Qe - ay at 8) Los valores AT utilizados en le prictica deben ser tan pequetios como sea posible sin perder 1a exactitud. Tomando en cuenta cono estén definides los voltajes en la Fig. 10, debe esperarse que el poder Yermoeléctrico de un conductor 0 de cualquier material en el que Tos electrones son los portadores en mayorfa, ser& negative. El tnterés en el poder termoeiéetrico estriba en 1a clase de informactén que su determinact®n proporctona concerniente 3 la natureleze del proceso ce conduccién en el s6lido. En metales, el poder30 de Fermi. En un semiconductor tipo “n", los portaderes en mayorse ocupan estados en la banda de conduccién, my por encima del nivel de Fermi; fen consecuencia, el calor transportado por una corriente eléctrica en este material excede al calor trensportado por 1a misma corriente en lun conductor. En el easo de un semiconductor tipo “p", los portadores se encuentran muy por debajo de1 nivel de Fermi en la banda de valencia, yel calor transportado es menor que en un conductor. Otros aspectos involucrados son 1a répida difusitn de los portadores y las elevades resistividades que presentan los semiconductores, ya que el voltae esté determinado por e1 equilibrio entre la difusion de electrones de 18 zona cliente a la fria y el flujo inverso de Tos mismos debido al voltaje inducido. De esta manera, la elevada difusividad produce voltajes aprectables y la alta resistividad reduce el flujo de retorno [26]. En la Tabla 1 se muestran valores de poder termoeléctrico para algunos metales y semiconductores erates Orgsnicos Conductores Nuestra experiencis dieria con las sustancias comes nos leva a asoctar determinads propiedad con un cierto grupo de conpuestos. En Ja actualidad saderos que 12 mayoria 2 los s61idos orgénicos no tienen capacidad para conductr calor 0 electricided. Sin enbargo en afes recientes, especialmente de 12 década de los 70' 2 la fecha, se han fereado una serie de materiales formados por moléculas orginicas que Presentan conductividad eléetrica alta 0 senejante a la de los netales ‘A este grupo pertenecen las sales conductores © conpuestos de transferencia de carga y los poltneras conductores.a1 Tabla 1. Poder termoeléctrico en algunos materiales. Material Temperatura (°C) Metales al 100 cu 100 Ag 100 W 100 Semiconductores (Bi, Sby)Tes fy 2nSb 200 Ge Too i Ter Fuente: (26) @ (uv/ek) 0.20 43.98 43.68 15.0 +195 4220 ~210 2003 Los primeros materiales orgénicos estables capaces de conductr 1a electricidad como un metal, fueron descubiertos a principtos de 1960. Se trata de compuestos “en los cuales 1a carga es transferida entre moléculas donadoras (cationes tales como tetrattofulvalen TTF) y aceptoras (aniones tales como tetractanoquinodinetano: TCNQ) para formar Jas sales de transferencia de carga o “netales moleculares" como se Jes Iama conGnmente. nla Fig. 11 se muestran algunos ejemplos de este tipo de moléculas. En estos conplejos, la extendida red de orbitales pi provoca que al traslaparse un gran nlnero de moléculas se forme una banda de estados electrinicos parcialmente Iena (devido @ 1a transferencia de carga), permitiendo que se observe une conductividad en el régimen metélico. £1 estudio de estos compuestos y €l trabajo de investigacion que se est realizando sobre ellos es uy fmportante, por el gran potencial de aplicacién que tienen, princtpalnente en 1a industria electronica. E1 otro grupo importante de materiales orginicos con propiedades especiales lo constituyen los polineros conductores, sobre les cuales centraremos nuestra atencién. Para elle, es conveniente iniciar dando algunas definiciones y aspectos generales sobre los mismos. General idades sobre Po! meres Todas 125 sustancias naturales, artificiales o sintéticas euyo peso molecular es superior a 10 000, reciben e] nombre de sustanctes Imacromoleculares. Dentro de este grupo se encuentran Tos conpuestos conacidos como poltmeros, que son una serie de productos orginicos de elevado peso molecular formados por 1a untOn, mediante enlaces quimicos,