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Informe - Laboratorio 1 - Daniel Mosquera Silva
Informe - Laboratorio 1 - Daniel Mosquera Silva
Universidad de Antioquia
Contacto: daniel.mosqueras@udea.edu.co
Informe Laboratorio Practica 1 Electrónica Análoga 1
Universidad de Antioquia
Diciembre 2021
Contacto: daniel.mosqueras@udea.edu.co
Contenido
Introducción ............................................................................................................................... 1
Objetivos .................................................................................................................................... 2
Comparación de los resultados obtenidos (la simulación, sus cálculos y las imágenes
obtenidas en el laboratorio)...................................................................................................... 13
Para el rectificador de onda completa ...................................................................................... 14
Comparación de los resultados obtenidos (la simulación, sus cálculos y las imágenes
obtenidas en el laboratorio)...................................................................................................... 18
Conclusiones ............................................................................................................................ 19
Referencias ............................................................................................................................... 20
1
Introducción
El diodo tiene un papel muy importante en la tecnología moderna. Prácticamente cada sistema
electrónico, desde el equipo de audio hasta el computador usa diodos de una u otra forma.
El diodo puede ser descrito como un dispositivo de dos terminales, el cual es sensible a la
polaridad. Es decir, la corriente en el diodo puede fluir en una dirección solamente (descripción
ideal).
después, el diodo semiconductor fue introducido comercialmente. El primer diodo fue probado
El diodo semiconductor, algunas veces llamado diodo de estado sólido, tiene muchas ventajas
importantes sobre el diodo de vacío. El diodo de estado sólido es mucho más pequeño, barato, y
muy confiable. Actualmente los diodos de vacío son usados en muy raras ocasiones. (Miranda
Romero, 2016).
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Objetivos
completa.
• Calcular los valores de la señal de salida para los rectificadores de media onda y onda
completa.
Parámetros en un diodo
Voltaje de conducción:
Para poder “encender” y conducir corriente en dirección hacia adelante, un diodo requiere que
se aplique cierta cantidad de voltaje positivo a través de él. El voltaje típico que se requiere para
encender un diodo se llama Voltaje Directo (VF). También se denomina caída de voltaje.
El voltaje directo de un diodo específico depende del material de fabricación del semiconductor.
Voltaje de Umbral:
valor con la tensión de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al polarizar directamente
germanio es de 0.3 V. Hay un límite al aumento de corriente por encima del cual el diodo puede
Voltaje de Ruptura:
La tensión de ruptura es un parámetro de los diodos que definen el máximo voltaje inverso que
se puede aplicar sin que se cause un incremento exponencial de la corriente en el diodo, en otras
palabras, los diodos simples están destinados a conducir electricidad solo en una dirección,
denominada "hacia adelante". Sin embargo, a un voltaje suficientemente alto, se puede hacer que
ocurre en diodos donde un lado de la juntura está fuertemente dopado respecto del otro. La tensión
Corriente de Ruptura:
Es la corriente continua máxima que puede atravesar el diodo en directa sin que éste sufra
ningún daño, puesto que una alta corriente puede provocar un calentamiento por efecto Joule
Es habitual que se exprese para diferentes valores de la tensión inversa. (Schiavon, 2012)
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Capacitancia de juntura:
la polarización inversa se hace más débil o se torna directa, la carga almacenada disminuye, al
igual que el potencial de juntura. Observamos entonces que, ante un cambio en el potencial
aplicado, se produce un cambio en la carga almacenada. Esto promueve la idea que existe en la
juntura un efecto capacitivo. La unión pues, se comporta como un capacitor plano de área igual al
área transversal de la juntura y largo igual a la extensión de la zona desierta y permitividad igual
Frecuencia de corte:
A frecuencias bajas un diodo normal puede conmutar fácilmente cuando la polarización cambia
de directa a inversa, pero a medida que aumenta la frecuencia el tiempo de conmutación puede
llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo. Para un circuito rectificador de media
diodo, esto es debido a que se presenta un efecto capacitivo el cual es comparable al efecto
inductivo provocado por la bobina y en estas condiciones la carga se comporta como un circuito
especialmente en fuentes de alimentación para evitar que una alimentación de voltaje negativa
pueda ocasionar problemas en un circuito que se queme por polaridad inversa, o para fuentes de
Este diodo soporta corrientes de hasta 1A de forma continua con un voltaje que puede ir hasta
los 700v. Eso le deja un gran rango de actuación para multitud de aplicaciones. Además, también
Características:
- Rango de temperatura operativa: -55ºC a 150ºC. En algunos casos puede llegar de los -
Diodo 1N4007
Con R= 10K
Vs: utilice el voltaje a la salida
del transformador (imágenes
enviadas por correo) y
f=60 Hz
Imagen 2: Rectificador Media Onda.
Tomado de la guía del laboratorio 1
Para tener una mejor comprensión de los datos, lo que se hace es verificar el valor de la señal
de entrada en la herramienta de PSpice que, para este caso, se toma el valor pico de la imagen
tomada al osciloscopio.
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pico a pico (p-p). Para la simulación en PSpice se toma solo el valor pico y se introduce en la
Haciendo una comparación entre los valores dados por la simulación en PSpice y el valor dado
Simulación y voltaje DC de RL
Para hallar le valor del voltaje DC del rectificador de media onda, la obtenemos de la siguiente
expresión.
1 𝑇 1 𝜋
𝑉𝐷𝐶 = ∫ 𝑓(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡 → 𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2𝑉𝐼𝑁 sin(𝜔𝑡) 𝑑𝜔𝑡
𝑇 0 2𝜋 0
√2𝑉𝐼𝑁
𝑉𝐷𝐶 = (1)
𝜋
Cabe resaltar que esta expresión se usa para el valor de RMS, únicamente. Para un valor pico,
𝑉𝑃
𝑉𝐷𝐶 = (2)
𝜋
14.797
𝑉𝐷𝐶 =
𝜋
Finalmente, tenemos.
𝑽𝑫𝑪 = 𝟒. 𝟕𝟏𝑽
𝑉𝐷𝐶
𝐼𝐿 = (3)
𝑅𝐿
4.71
𝐼𝐿 =
10𝐾
𝑰𝑳 = 𝟒𝟕𝟏𝝁𝑨
Comparación de los resultados obtenidos (la simulación, sus cálculos y las imágenes obtenidas
en el laboratorio)
Diodo 1N4007
Con R= 10K
Vs: utilice el voltaje a la salida
del transformador (imágenes
enviadas por correo) y
f=60 Hz
Simulación y voltaje DC de RL
Para hallar le valor del voltaje DC del rectificador de onda completa, la obtenemos de la
siguiente expresión.
1 𝑇 2 𝜋
𝑉𝐷𝐶 = 2 ∗ ( ∫ 𝑓(𝜔𝑡)𝑑𝜔𝑡) → 𝑉𝐷𝐶 = ∫ √2𝑉𝐼𝑁 sin(𝜔𝑡) 𝑑𝜔𝑡
𝑇 0 2𝜋 0
2√2𝑉𝐼𝑁
𝑉𝐷𝐶 = (4)
𝜋
Cabe resaltar que esta expresión se usa para el valor de RMS, únicamente. Para un valor pico,
𝑉𝑃
𝑉𝐷𝐶 = (5)
𝜋
2 ∗ 14.208
𝑉𝐷𝐶 =
𝜋
Finalmente, tenemos.
𝑽𝑫𝑪 = 𝟗. 𝟎𝟒𝟓𝑽
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𝑉𝐷𝐶
𝐼𝐿 = (3)
𝑅𝐿
9.045
𝐼𝐿 =
10𝐾
𝑰𝑳 = 𝟗𝟎𝟒. 𝟓𝝁𝑨
Comparación de los resultados obtenidos (la simulación, sus cálculos y las imágenes obtenidas
en el laboratorio)
Conclusiones
• Los valores de la señal de salida simulados respecto a los experimentales fueron datos
con un valor más alto; esto se da porque en el circuito real se generan pérdidas en los
• Los valores simulados respecto a los valores calculados presentan una ligera diferencia;
• Para el valor de salida de las señales de los circuitos rectificadores se comprobó que
presentan un valor pico mínimo por debajo de la señal de entrada, esto se da porque un
porcentaje de la señal de entrada es adsorbida por el diodo, este porcentaje que se queda
• El nivel DC de los rectificadores en la simulación se aprecia como una señal que busca
una estabilización; es decir, se observa como la señal fluctúa sobre el nivel DC hasta
Referencias
http://ares.cnice.mec.es/gtm/web/index_es_resultado_final.php?num=238167%7C&Busc
ar=Voltaje%20de%20umbral%7C&volver=Voltaje%20de%20umbral&cual=0>m=733
ea069987e91dbc4d2eff6cc729bbd
DOCPLAYER: https://docplayer.es/16945183-Capitulo-1-fundamentos-de-la-fisica-de-
los-semiconductores.html
https://cursos.mcielectronics.cl/2019/06/18/diodos/
free.html
https://www.fceia.unr.edu.ar/eca1/files/teorias/Diodos%20-%202012.pdf