Texto Analogica Final

COMPENDIO DE ELECTRONICA ANALÓGICA
1. ELECTRÓNICA ANALÓGICA
1.1. INTRODUCCIÓN
La electrónica analógica (a veces también llamada electrónica análoga, por influencia

del inglés) es una rama de la electrónica que estudia los sistemas cuyas variables
(tensión, corriente, etcétera) varían de una forma continua en el tiempo y pueden tomar
(al menos teóricamente) valores infinitos. En contraposición, en la electrónica digital las
variables solo pueden tomar valores discretos y tienen siempre un estado perfectamente
definido.
Por ejemplo: considerando una medida real concreta, como la longitud total de un
coche:
• En un sistema digital esta medida podría ser de 4 metros o de 4 metros y 23

centímetros.
Es posible darle la precisión deseada, pero siempre serán cantidades enteras.
• En un sistema analógico, la medida seria la real, es decir, 4,233648596... En

teoría hasta que llegásemos a la mínima cantidad de materia existente (siempre
que el sistema de medida sea lo suficientemente exacto).
1.2. Historia
Se considera que la electrónica inició con el diodo de vacío inventado por John
Ambrose Fleming en 1904. El funcionamiento de este dispositivo está basado en el
efecto Edison. Thomas Alva Edison fue el primero que observó en 1883 la emisión
termoiónica, al colocar una lámina dentro de una bombilla para evitar el
ennegrecimiento que producía en la ampolla de vidrio el filamento de carbón. Cuando
se polarizaba positivamente la lámina metálica respecto al filamento, se producía una
pequeña corriente entre el filamento y la lámina. Este hecho se producía porque los
electrones de los átomos del filamento, al recibir una gran cantidad de energía en forma
de calor, escapaban de la atracción del núcleo (emisión termoiónica) y, atravesando el
espacio vacío dentro de la bombilla, eran atraídos por la polaridad positiva de la lámina.
El otro gran paso lo dio Lee De Forest cuando inventó el triodo en 1906. Este
dispositivo es básicamente como el diodo de vacío, pero se le añadió una rejilla de
control situada entre el cátodo y la placa, con el objeto de modificar la nube electrónica
del cátodo, variando así la corriente de placa. Esto fue muy importante para que se
fabricaran los primeros amplificadores de sonido, receptores de radio, televisores,
etcétera.
Conforme pasaba el tiempo, las válvulas de vacío se fueron perfeccionando y

mejorando y surgieron otros tipos, como los tetrodos (válvulas de cuatro electrodos), los
pentodos (cinco electrodos), otras válvulas para aplicaciones de alta potencia, etcétera.
Dentro de los perfeccionamientos de las válvulas se encontraba su miniaturización.
Prof. Frida Calatayud 1

Pero fue definitivamente con el transistor, aparecido de la mano de John Bardeen y de

Walter Brattain, de la Bell Telephone en 1948, cuando se hizo posible una mayor
miniaturización de aparatos como los radios. El transistor de unión apareció algo más
tarde, en 1949; es el dispositivo utilizado actualmente para la mayoría de las
aplicaciones de la electrónica analógica. Sus ventajas respecto a las válvulas son, entre
otras: menor tamaño y fragilidad, mayor rendimiento energético y menores tensiones de
alimentación. El transistor no funciona en vacío como las válvulas, sino en un estado
sólido semiconductor (silicio), razón por la que no necesitan centenares de voltios de
tensión para funcionar.
1.3. Diferencia entre electricidad y electrónica.
La electricidad trabaja con conductores y la electrónica con semiconductores que

tienen unas propiedades diferentes.
La electrónica ha permitido la miniaturización de los aparatos, la posibilidad de
automatización y programación de procesos y un gran desarrollo de las tecnologías de
la información y la comunicación.
La RAE (Real Academia Española) define la Electrónica como el "Estudio y aplicación
del comportamiento de los electrones en diversos medios, como el vacío, los gases y los
semiconductores, sometidos a la acción de campos eléctricos y magnéticos".

2. COMPONENTES PASIVOS
2.1. RESISTORES
Podemos definir resistencia R como la oposición de un material determinado al flujo de

cargas eléctricas a través de él. La unidad de medida de la resistencia es el Ohm (Ω).
Los elementos que ofrecen resistencia en un circuito eléctrico se los denomina resistores
o resistencias.
Estos se fabrican con materiales conductores de electricidad, pero que poseen una
resistencia mayor al resto de las resistencias intervinientes en el circuito. La corriente
que pasa a través de un resistor es directamente proporcional el voltaje aplicado entre
sus bornes.
La ecuación que maneja esta relación es la Ley de Ohm, descubierta por George Ohm
en sus trabajos con circuitos de corriente continua en 1836. La relación entre Voltaje,
Corriente y Resistencia está dado por:
También se puede expresar que tan capaz es un elemento en conducir corriente

eléctrica. Dicho factor se denomina conductancia G, y es la inversa del valor de la
resistencia R. La ley de Ohm en función de la conductancia G se expresa como:
en donde:
Su unidad en SI (Sistema Internacional) es el Siemens (S). Por ejemplo, una

conductancia de l0-7 S (conductancia muy baja) es equivalente a una resistencia de l0
MΩ.
Las resistencias (o resistores por influencia del inglés), tanto en electricidad como en
electrónica, se pueden representar de dos formas, ambas igualmente válidas:
Aplicaciones
El empleo de resistores es amplio, como así también sus aplicaciones. Ellos se

encuentran en calentadores eléctricos, elementos divisores de corriente y de tensión,
dispositivos limitadores, sensores, etc.
Tipos de Resistores
Sus valores resistivos, su potencia disipada máxima y sus tolerancias varían muy
ampliamente. Se fabrican resistores con valores tan bajos como 0,1 Ω, pudiéndose
llegar a valores de resistencia de varias centenas de megohmios. Las tolerancias pueden
estar entre ± 20% y ± 0,001%.

Existen muchos tipos de resistores, los cuáles son clasificados por el tipo de fabricación
y por los materiales empleados. En la Tabla 1.1 se describen las características
principales de varios de ellos.
Los resistores de carbón, son fabricados mediante la técnica de prensado en caliente de

granos de carbón junto con cantidades variables de material de relleno (fig. 1.1).
Variando las proporciones de los componentes, se logrará un rango de valores entre 1 Ω
y 22 MΩ. Estos resistores poseen la ventaja de ser económicos, confiables, y de estar
libres de capacitancias e inductancias parásitas. Sin embargo, sus rangos de tolerancia
(entre el 5% a 20%) los califican desfavorablemente frente a los demás tipos de
resistores. Además, su coeficiente porcentual de temperatura resulta alto (variación
porcentual de la resistencia en función de la temperatura de trabajo del resistor).
Los resistores de alambre son fabricados para ser utilizadas en aplicaciones en que se
requiera alta precisión, baja resistencia y alta disipación de potencia (fig. 1.2). Están
construidos con alambre arrollado alrededor de un núcleo aislante de cerámica. Algunas
de ellas pueden poseer una película vitrificada sobre el arrollado de alambre. También
resultan comunes las regulaciones de resistencia a través de un tercer contacto móvil en
los resistores de alta disipación de
potencia. Las tolerancias típicas van
desde 0,01% hasta el 1%, y cuando se
fabrican con aleaciones de bajo
coeficiente de temperatura, resultan
muy precisos y con una gran
estabilidad térmica.

Los resistores de película de metal y los de película de carbón son construidos mediante
la deposición de finas películas de metal (cromo y/o níquel) o carbón respectivamente
sobre una superficie cerámica aislante.
El valor de resistencia dependerá del grosor de la película depositada, con un valor
límite de lo.000 MΩ. Su exactitud y estabilidad es comparable a los resistores de
alambre arrollado. Como ventaja adicional se pueden mencionar la de poseer bajo nivel
de ruido y muy baja inductancia.
Las características de resistencia y tolerancia de los resistores pueden ser identificadas

de dos formas. Una es mediante la impresión en el cuerpo del resistor, y la otra es por
medio del código de colores, sistema que utiliza bandas, las cuáles identifican los
valores de los parámetros citados (ver Apéndice 1). A su vez, el sistema de bandas de
colores permite identificar el tipo de construcción por la disposición de las mismas
sobre el cuerpo del resistor.
Ahora nos dedicaremos a los resistores variables. Se denominan así a todos los
resistores que tienen la posibilidad de variar su valor óhmico mediante algún
mecanismo de rotación o deslizamiento, ya sea manual o servocontrolado. Los hay de
múltiples naturalezas constructivas, valores resistivos y potencias. Además, la variación
de la resistencia puede seguir un patrón de variación lineal o logarítmico. Ello
dependerá del tipo de materiales, distribución y métodos de construcción empleados, y
de la ingeniería aplicada en sus diseños.
El símbolo del potenciómetro es el de la resistencia, pero añadiendo una flecha que
indica que su valor es variable:
Los resistores variables más comunes son los de película de carbón.

Un tipo de ellos, denominados potenciómetros, están diseñados para que el operador
pueda variar su valor resistivo tantas veces como la tarea lo requiera. Hay en el mercado
potenciómetros rotativos simples (fig. 1.4) o en tándem (dos o tres pisos) y deslizables
(fig. 1.5).

Por lo general, los potenciómetros con variación logarítmica del valor resistivo son
usados para controlar el volumen en equipos de audio. Ello tiene que ver con la unidad
de medida utilizada, el decibel (dB).
Los resistores variables rotativos de carbón poseen una pista circular con extremos
abiertos (terminales de conexión S1 y S3), recubierta de una película de carbón delgada,
sobre la cual se desliza un contacto móvil (S2) que está unido
mecánicamente al eje de rotación. En función de la posición que tome
el eje, variará la resistencia entre los terminales (fig. 1.6). De igual
forma ocurre en los potenciómetros deslizables, solo que la pista
resistiva es recta, y el contacto móvil se desplaza junto con el cursor.
Ambos son utilizados en aplicaciones de bajas potencias (menores a
0,1 W).
Cuando se requiere ajustar un valor determinado de corriente o algún valor determinado
de polarización en una etapa amplificadora, se recurre a resistores variables de otro tipo,
los cuáles están pensados para permitir el ajuste al valor de resistencia necesario sin que
sea modificado permanentemente. Este tipo de resistores se denominan preset (fig. 1.7),
y son fabricados únicamente con variación lineal de resistencia, con valores
comprendidos entre lo0 Ω y 4,7 MΩ.
El rango de temperatura de operación es de −25 a +70 °C. La potencia disipada máxima

a 25 °C es de 0,25 W, mientras que a 70 °C es de solo 0,15 W.

Los resistores variables de alambre poseen el mismo tipo de construcción que la ya

detallada para los de carbón, con la salvedad que la pista está conformada por un
bobinado de alambre resistivo sobre una base aislante. Sus valores resistivos van desde
2,2 Ω hasta 50 kΩ, con potencias desde 2 W hasta 200 W. Ellos son utilizados
generalmente como reóstatos o como potenciómetros en aplicaciones de mediana a alta
potencia. En todos los sistemas rotativos, el ángulo de giro es de 300°.
Los detallados hasta aquí son los denominados resistores lineales. Existen resistores no
lineales, los que reciben dicha denominación por no cumplir con una variación lineal en
su valor de resistencia. Su valor resistivo puede variar por efecto de la luz (fotorresistor
o LDR), por efecto de la tensión aplicada entre sus terminales (VDR), o por efecto de la
temperatura (termistores NTC y PTC).
Comenzaremos por detallar los fotorresistores o LDR (siglas del inglés Light Dependent
Resistors). Estos tipos de resistores no lineales se componen de una pastilla
semiconductora muy delgada, la que al recibir el bombardeo de la luz, modifica su
conductividad en función de la energía lumínica recibida. El valor de resistencia puede
variar aproximadamente entre 1 MΩ sin iluminación hasta un rango entre 75 y 300 Ω
con una iluminación de 1.000 Lux. La potencia máxima es de 200 mW. En la fig. 1.9 se
ilustran dos fotorresistores con sus medidas estándar y sus tolerancias.
Su símbolo es el de la resistencia, pero con unas flechas que representan la luz que
incide sobre ellas. Su valor se medirá igualmente en W ó kW, como cualquier
resistencia.
Continuamos con otro de los resistores no lineales ya mencionados, el VDR (del inglés
Voltage Dependent Resistors).

Por lo general, cuando uno trabaja en corriente alterna, se mencionan los valores de
tensión y de corriente como valores eficaces.
Podemos definir entonces valor eficaz como el valor de corriente continua equivalente,
necesario para producir el mismo efecto térmico (trabajo o disipación) en un circuito
determinado en la misma cantidad de tiempo t que una corriente alterna dada.
De la definición dada, podemos afirmar que el comportamiento en corriente alterna se
asemeja al de corriente continua, siempre que se tomen los valores eficaces. De ser así,
tienen validez los razonamientos y desarrollos de este capítulo tanto en corriente
continua como en corriente alterna.
Caso contrario, exclusivamente para corriente alterna, pueden determinarse valores
instantáneos de tensión, corriente y potencia si son aplicados las desarrollos detalladas
para un instante perfectamente definido de las tensiones y corrientes aplicadas. De la
misma forma, se pueden trasladar los desarrollos para los elementos no lineales (LDR;
PTC; NTC: DVR) bajo condiciones de operación controladas (con las variables como la
intensidad lumínica, la temperatura o la tensión, según el caso del dispositivo no lineal
del que se trate, como constantes) o instantáneas.

Los Termistores son resistencias de valor variable. En esta ocasión, varían con la
temperatura. Existen dos tipos:
• Los NTC (Negative Temperature Coefficient), cuya resistencia disminuye con la
temperatura.
• Los PTC (Positive Temperature Coefficient), cuya resistencia aumenta con la
temperatura.
A simple vista no se puede distinguir los NTC de los PTC. Estos son los símbolos de los
termistores.
A veces se escribe en ellos +T o -T. +T querría decir que se trata de un PTC y -T que se
trata de un NTC. Naturalmente, su valor se mide en W o kW.
En la foto la regla muestra lo pequeños que son.
Como se leen las resistencias SMD
En este artículo describo como se leen los valores de las

resistencias SMD (montaje superficial) en todas sus
versiones, es decir, con códigos numéricos de 3 cifras, de 4
cifras y también de tipo alfanumérico (EIA-96). También
mostraré las dimensiones estándar y las potencias que pueden
disipar.
Códigos de tres cifras
Las resistencias más fáciles de leer son las que tienen

códigos numéricos de 3 cifras. En ellas, los dos primeros
dígitos son el valor numérico mientras que el tercer dígito
es el multiplicador, es decir, la cantidad de ceros que
debemos agregar al valor. Es un sistema similar al que se
usa con los capacitores.
Veamos un ejemplo: una resistencia con el número 472 es

de 4.700 ohms o (4,7K) porque al número "47" (los dos
primeros dígitos) debemos agregar 2 ceros (el número "2"
del tercer dígito). En la figura siguiente les muestro
gráficamente el sistema con algunos ejemplos de valores
comunes.

Códigos de tres cifras en resistencias con valores

menores de 10 ohms
Con el sistema descripto anteriormente, el valor de

resistencia menor que podemos codificar es de 10
ohms y que equivale al código "100" (10 + ningún
cero). Con valores de resistencia menores de 10
ohms, es necesario encontrar otra solución porque en

lugar de agregar ceros deberíamos dividir el valor de
los dos primeros dígitos. Para resolver la cuestión, los
fabricantes usan la letra "R" que equivale a una coma.
Por ejemplo, una resistencia con el código 4R7

equivale a 4,7 ohms porque reemplazamos la "R" con
una coma. Si el valor de resistencia es menor de 1
ohm, usamos el mismo sistema de la letra "R",
poniendo la R como primer número. Por ejemplo,
R22 equivale a 0,22 ohms. Como ven, es bastante
fácil.
Códigos de
cuatro
cifras
(resistencias de precisión)
En el caso de las resistencias de precisión, los

fabricantes han creado otro sistema de
codificación compuesto por números de 4
cifras. En él, los tres primeros dígitos son el
valor numérico mientras que el cuarto dígito
es el multiplicador, es decir, la cantidad de
ceros que debemos agregar al valor. El hecho
de disponer de tres dígitos para codificar el
valor nos permite una mayor variedad y
precisión de los valores.
Códigos de cuatro cifras en resistencias con

valores menores de 100 ohms
Con el sistema de 4 cifras, el valor de
resistencia menor que podemos codificar es de 100 ohms y que equivale al código
"1000" (100 + ningún cero). Con valores de resistencia menores de 100 ohms, los
fabricantes han optado por la misma solución del sistema a 3 cifras y que consiste en
agregar una letra "R" en lugar de la coma.

Código EIA -96 (resistencias de precisión)
Recientemente, los fabricantes han

introducido para las resistencias de
precisión, un nuevo sistema de códigos
llamado EIA -96 que es bastante complicado
de descifrar si no tenemos la tabla de
referencia. Me explico mejor, en los códigos
de tres y cuatro cifras que hemos visto, el
número impreso dispone de toda la
información necesaria para conocer el valor
de resistencia. Por el contrario en el EIA -96
las primeras dos cifras del número leído es
un número índice de una tabla en la que
encontraremos el valor equivalente mientras
que la letra final equivale al multiplicador.
Para reconocer si una er sistencia

esta codificada en EIA -96,
generalmente basta fijarse si el
código tiene una letra al final.
Por motivos que personalmente
desconozco, el multiplicador
0,01 (resistencias con valores
entre 1 ohm y 9,9 ohms) se
puede codificar con la letra Y o
también con la letra R. Lo
mismo sucede con el
multiplicador 0,1 (resistencias
entre 10 ohms y 99 ohms) que
se puede codificar con la letra X
o también con la letra S. En la
figura les muestro la tabla
completa para decodificar las
resistencias EIA-96.

ticos de EIA-96
En la figura podemos observar

algunos ejemplos prácticos de
este tipo de codifica.
las resistencias
Como han podido observar en

los tres sistemas de codificación
que hemos visto, los fabricantes
no han previsto ningún modo de
indicar la tolerancia de las
resistencias (la cuarta franja de color en las resistencias comunes). Aunque si existen
excepciones a la regla, las resistencias codificadas con números de 3 cifras tienen una
tolerancia del 5% mientras que las resistencias con números de 4
cifras y también las resistencias codificadas con EIA-96 tienen una
tolerancia del 1%.
Potencia de las resistencias
Como en el caso de las resistencias con patitas, la potencia de las

resistencias SMD depende de las dimensiones de estas. La más
pequeña, que es el modelo 0201 tiene dimensiones realmente
reducidas (0,6mm x 0,3mm) y su potencia es de 1/20W o sea
0,05W.
Las resistencias SMD con potencia de 1/4W son del modelo 1210, con dimensiones de
3,2mm x 2,5mm. En la tabla pueden ver los distintos modelos con las respectivas
potencias.
2.2. CAPACITORES
El capacitor o condensador eléctrico es un dispositivo capaz de poder almacenar una

carga eléctrica. Su estructura básica consiste en dos placas metálicas separadas entre si y
aisladas una de la otra por un material aislante llamado dieléctrico.
Los cuerpos materiales que poseen cargas eléctricas opuestas se atraen entre si por una
fuerza cuya intensidad se calcula mediante la Ley de Coulomb. Esta fuerza dependerá
de la intensidad del campo eléctrico q y del voltaje v entre esos cuerpos, observando
que para cada configuración particular de dos cuerpos cargados (con los mismos
cuerpos y con una separación entre ellos constante), la relación existente entre carga y
voltaje resulta constante. Esta se expresa matemáticamente como:

A la constante C se le llama capacitancia. Definiéndolo de otra forma, la capacitancia es

la cantidad de carga que una determinada configuración puede almacenar por cada volt
de diferencia de potencial que exista entre los cuerpos (fig. 2.1).
Si se construye un componente de forma tal que posea en forma deliberada un valor

determinado de capacitancia, a ese elemento se lo llama capacitor o condensador. Su
unidad de medida es el Faradio (F), y se expresa como:
El Coulomb resulta una cantidad muy grande de carga y la cantidad de carga

almacenada en la mayoría de los capacitores reales es mucho más pequeña que ella.
Esto hace que el Faradio como unidad de medida sea demasiado elevada para describir
los valores de capacidad. Por ello, es común ver la capacidad expresada en fracciones
del Faradio, como por ejemplo en picofaradios (1 pF = lo-12 F) y en microfaradios (1
μF = lo-6 F). Si la configuración empleada es la de dos placas de metal paralelas y
separadas por una distancia muy pequeña, se denominan capacitores de placas paralelas
(fig. 2.2).
El valor de la capacidad para este caso se calcula mediante la siguiente ecuación, a

saber:
en donde K es la constante dieléctrica relativa (también denominada εr), εo es la

permisividad absoluta (siendo una constante de valor εo = 8,85 x lo-12 F/m), A es la
superficie de las placas (en metros cuadrados), y d es la distancia entre las placas o
espesor del material dieléctrico (en metros). Analizando esta ecuación, se observa que
para aumentar el valor de capacidad en una estructura de placas paralelas, se puede
aumentar la superficie de las placas, disminuir la distancia entre ellas o bien,
incrementar el valor de la constante dieléctrica del material interpuesto entre las
mismas. Expresándolo de otra forma, podemos afirmar que la capacidad C es
proporcional a la superficie de las placas y al valor de la constante dieléctrica K, e
inversamente proporcional la distancia entre placas o al espesor d de la película
dieléctrica.
Se representan de esta forma:
El primer símbolo representa un condensador cerámico, sin polaridad. El símbolo de la

derecha es el condensador electrolítico
Los dieléctricos más comunes incluyen una gran variedad de materiales (aire, mica,
cerámica, papel, poliéster, aceite, óxidos, vacío, etc.) dependiendo el uso de un material
frente a otro del propósito o uso del dispositivo (radiofrecuencia, alta tensión, etc.).
Según el dieléctrico utilizado, varía el tipo de construcción. Tanto los tipos de
capacitores como los métodos de fabricación mas usuales serán descriptos a
continuación.
En la fig. 2.3 vemos dos tipos diferentes de capacitores. En la sección A de dicha figura,
observamos en forma esquemática un capacitor con mica como dieléctrico, mientras
que en la sección B, vemos un capacitor arrollado con aislación de papel o plástico. La
mica es un mineral transparente que puede ser separado con facilidad en hojas de
espesor uniforme (0,0025 mm aproximadamente), con una alta rigidez dieléctrica y
poca reactividad frente a los productos químicos (prácticamente inerte).
Los capacitores de mica son fabricados con múltiples formas geométricas, intercalando
capas de mica entre dos capas metálicas. En algunas oportunidades, la capa metálica se
logra mediante un depósito de plata. Una vez que se han apilado la cantidad necesaria
de capas, se presionan y se encapsulan con un recubrimiento plástico. La corriente de
fuga de este tipo de capacitor es baja, aunque no pueden lograrse valores muy elevados
de capacidad (1 pF a 0,1 μF).
Los capacitores de papel y de material plástico son muy utilizados. Su popularidad se
debe a sus bajos costos y a su amplio rango de capacidad (desde 500 pF hasta 50 μF).
Pueden ser diseñados para altas tensiones de operación. En el caso de los capacitores de
papel, poseen corrientes de fuga y tolerancias elevadas (± lo al 20%). Esto limita su uso
en determinadas aplicaciones. El formato de muchos capacitores de papel es cilíndrico
porque se fabrican enrollando una serie de capas de metal y hojas de papel impregnado
para formar un tubo. Se pueden emplear diferentes sustancias (aceite, cera, plástico,
etc.) para impregnar el papel. Si es empleado papel con metal depositado en lugar de
papel y láminas delgadas de metal, se puede minimizar el tamaño del capacitor hasta en
un 50%, y reducir las corrientes de fuga en un 90%.
Cuando las películas de papel son reemplazadas por material plástico (mylar, teflón,
polietileno), se mejoran significativamente los valores de tensión de ruptura y se
disminuyen las corrientes de fuga, aún a temperaturas de operación cercanas a los
150200°C. Una vez conectados los terminales eléctricos, se encapsula el capacitor con
papel encerado o con plástico.
Respecto a los de tipo cerámico, existen comercialmente dos tipos: el de baja constante
dieléctrica con baja corriente de pérdida y el de alta ruptura. Los de baja pérdida poseen
alta resistencia de fuga (1.000 MΩ) y pueden ser aplicados en requerimientos de alta
frecuencia (circuitos detectores).
Con los capacitores de alta ruptura o alta constante dieléctrica se logra un valor de
capacidad elevado en un tamaño reducido. La desventaja es la gran variación en su
valor de capacidad al variar la temperatura, el voltaje de corriente continua y la
frecuencia actuantes sobre él. Resulta común utilizar la construcción tipo disco (fig. 2.4)
para la fabricación de capacitores cerámicos. Se cubre con metal un disco o placa de
cerámica en ambas caras, se fijan los terminales al metal y se encapsula con una
cubierta de plástico o cerámica para preservarlo de la humedad ambiente.
Los capacitores electrolíticos se fabrican generalmente de aluminio o de tantalio. La

estructura del capacitor electrolítico de aluminio consiste en dos láminas de este metal,
una de las cuales estará recubierta por una delgada capa de óxido. La capa de óxido se
hace crecer sobre el metal mediante un proceso electroquímico de “formación”, en el
cual se genera la película de óxido (Al2O3) aplicándole tensión y dejando que actúe el
electrolito. En el proceso de formación, la tensión a la que se conecta el capacitor se
denomina tensión de formación VF. Para no provocar variaciones de espesor en la capa
de óxido durante el funcionamiento, se determina la tensión máxima de régimen VR
entre un 60 a un 80% de VF. La constante dieléctrica relativa del óxido de aluminio
Al2O3 es aproximadamente de 8, y su rigidez dieléctrica es de 7 x l08 V/m. El espesor de
óxido obtenido dependerá de la tensión aplicada (fig. 2.3). Las láminas de aluminio
estarán separadas por una fina capa de óxido de aluminio, que no es conductor y posee
una constante dieléctrica muy alta. La lámina sin óxido es conectada a la carcasa del
capacitor (cátodo o terminal negativo). El otro terminal será identificado mediante
marcación de polaridad en el cuerpo del capacitor. Se deberá respetar la polaridad
indicada, ya que si se invierte la misma, la acción química del electrolito disolverá la
capa de óxido y lo destruirá. Con estos capacitores se logran valores de capacidad muy
elevados (1 a 500.000 μF), pero poseen resistencias de fuga de 1 MΩ.

Otro tipo de fabricación es la de los capacitores electrolíticos sólidos, en el que el

electrodo opuesto al ánodo, denominado cátodo, está conformado por dióxido de
manganeso (MnO2). Estos capacitores también poseen polaridad, la cual deberá ser
respetada al ser conectados en algún circuito o a una fuente de corriente continua.
Respecto a los capacitores con dieléctrico de aire, podemos mencionar a modo de
ejemplo los capacitores variables utilizados en los circuitos resonantes de los
sintonizadores de radio. En ellos, existe una cantidad de placas (generalmente de
aluminio) montadas fijas sobre una estructura y otra cantidad de placas semicirculares
montadas sobre un eje central. Al girar el eje, variará la superficie enfrentada entre las
placas fijas y las móviles, modificando de esta forma la capacidad resultante. Existen
otros tipos de capacitores, los que varían su valor de capacidad mediante regulación de
la distancia entre placas.
En conclusión, el capacitor en corriente continua tiene un período de carga, luego del

cual en condiciones ideales, de permanecer conectada la fuente de corriente continua
entre sus terminales, no circulará corriente alguna. En condiciones reales, circulará una
pequeña corriente correspondiente a las pérdidas por aislación que posea el material
dieléctrico.
Ahora analizaremos su comportamiento en corriente alterna. Cuando se aplica una
tensión sinusoidal v(t) entre los terminales de un capacitor (considerado carga
capacitiva pura), el mismo tiende a cargarse al valor instantáneo de dicha señal. La
corriente de carga del capacitor i(t) seguirá las fluctuaciones de la fuente de corriente

alterna, mientras que la tensión sobre el capacitor v(t) sufrirá un desfasaje de -90º
(desde el punto de vista vectorial) respecto a la corriente i(t) del mismo.
Gráficamente lo representamos como (fig. 2.9):
La impedancia que ofrecerá el capacitor a la corriente alterna se denomina reactancia

capacitiva XC, y es función del valor de capacidad C y de la frecuencia de trabajo f. En
forma matemática se expresa en la siguiente ecuación como:
Podemos deducir por simple observación de la ecuación precedente, que el valor de

reactancia XC es inversamente proporcional al valor de la capacidad C y al de la
frecuencia f (o de la pulsación ω). Es decir que cuanto mayor sea la frecuencia de
operación f, menor será el valor de la reactancia capacitiva XC, de igual manera ocurrirá
con incrementos en el valor numérico de la capacidad C.
Ahora (Tabla 2.1) haremos una descripción comparativa entre todos los tipos de
capacitores estudiados en este capítulo.
De lo reflejado en la tabla, podemos afirmar que sin lugar a dudas, el capacitor con
mayor rango de frecuencia, menor resistencia de fuga y mayor tensión de ruptura es el
de mica. Su mayor desventaja es su reducido valor de capacidad. En el otro extremo, los
mayores valores de capacidad se obtienen con los capacitores electrolíticos, pero poseen
una resistencia de fuga elevada, comparativamente con los demás tipos de capacitores.
A su vez, el rango de tolerancia es muy amplio, lo que en algunas aplicaciones puede
traer problemas de diseño. El rango de temperatura de trabajo para la mayoría de

capacitores, salvo que se indique lo contrario, es de − 20 °C a + 60 °C, pudiendo haber

rangos más amplios para especificaciones más estrictas (uso militar).
Existen varias formas de codificar las características del capacitor. La más sencilla de es
la impresión sobre la superficie del mismo el valor y características de régimen máximo
(fig. 2.11).
Otra alternativa es la identificación mediante el código de colores, la cual varía según el
tipo de capacitor a identificar.
Ahora analizaremos cómo se pueden obtener las capacidades equivalentes en los

posibles montajes. Por realizar una simple comparación, sus equivalencias resultan
inversas a las detalladas en el capítulo anterior para los resistores.
Cuando se conectan dos o más capacitores C en paralelo, indirectamente se produce el
efecto de sumar las superficies de las placas enfrentadas de cada uno de ellos, con lo
cual la capacidad se ve aumentada en función directa a la suma de las superficies. Esto
equivale a decir que la capacidad total equivalente CP resultará ser la suma de los dos o
más capacitores que se encuentren conectados en paralelo.
Cuando se conectan dos o más capacitores C en serie, se produce el efecto de estar
aumentando la distancia d que separa a las placas del condensador, por lo que el valor
de capacidad C se verá reducido.
La corriente de cada rama dará la corriente total. Como ya hemos estudiado, en

corriente continua habrá una corriente de carga inicial, y luego, de no existir consumo,
la corriente descenderá
a valores cercanos a cero. En cambio, en corriente alterna, el capacitor C presentará una

impedancia XC (reactancia capacitiva) que dependerá de la frecuencia de dicha
corriente. Al paso de la corriente alterna, el capacitor será visto desde el generador o la
fuente de suministro de señal como un simple resistor de un valor óhmico equivalente al
valor que la reactancia capacitiva XC presente a la frecuencia de trabajo.
Como se leen los valores de los capacitores
Hoy hablaremos de como leer el valor de los

capacitores (o condensadores) para circuitos
impresos tradicionales (con perforaciones).
Aunque si el sistema descrito puede ser usado

también con los componentes a
montaje superficial, algunas indicaciones como
por ejemplo la tolerancia y también la tensión de
trabajo, en estos últimos no se encuentra escrita.
Existe una codificación precisa para indicar el valor de las resistencias, el famoso
sistema de las bandas de color. Por el contrario, con los capacitores (o condensadores),
los fabricantes usan distintos métodos creando a veces un poco* de confusión.
Foto de un capacitor electrolítico en el que

podemos observar claramente el valor de
capacidad y la tensión máxima de trabajo
Para valores mayores de 1uF (como por ejemplo

con los electrolíticos de aluminio o de tantalio)
generalmente escriben el valor en el cuerpo
seguido por la abreviación de microfarad (uF).
Para valores por debajo de 1 uF (1 microfarad)
el tema es menos claro. Generalmente se usa una
codificación que consiste en un número de tres
dígitos seguido por una letra.
Capacitores poliéster para alta tensión
Antes que los puristas se lamenten, aclaro

que la abreviación correcta del microfaradio
es el símbolo griego micro (µ) seguido por
la letra F mayúscula. Debido a que
generalmente cuando uno escribe un texto,
no tiene a disposición los símbolos griegos
en el teclado o también para evitar que en
los distintos pasajes y codificaciones con
distintos sets de caracteres a través de
internet, este símbolo no sea transcripto erróneamente se tiende a reemplazarlo por la
letra minúscula "u" aunque si no debemos olvidar que estamos hablando siempre de la

letra " µ " (micro). Otro caso de este tipo es el símbolo Ω (ohm) que a veces se
reemplaza con la letra "E" o, frecuentemente, no se escribe.
Capacitores para altísima tensión (12.000V) de
2nF
Como dicho al inicio, a excepción de los

capacitores electrólitos que generalmente superan
ampliamente el valor de 1 microfaradio, el
universo de los capacitores usados en electrónica
está compuesto por capacitores con valores que
van desde pocos picofaradio o pF (capacitores
cerámicos o disco que parecen lentejas) hasta los
cercanos a 1 microfaradio o 1 µF (poliester
multiestrato).
Antes de seguir, refresquemos un poco el tema de los submúltiplos. Un pF (picofaradio)

es el submúltiplo más pequeño que existe para indicar en modo "práctico" la capacidad.
Digo práctico porque existen submúltiplos todavía más pequeños (femto, atto, zepto y
yocto) pero no son usados en electrónica. 1 picofaradio es 1.000.0000 (1 millón) de
veces más pequeño de 1 microfaradio (µ F). El motivo por el cual los padres de la
electricidad y de la electrónica nos han complicado así la vida creando una unidad tan
grande (el faradio) que nos obliga a trabajar con semejantes submúltiplos es un misterio.
Típico capacitor de 100nF usado en la mayor parte

de los proyectos de inventable
A mitad camino entre el picofarad y el microfarad

existe otro submúltiplo muy usado que se llama
nanofarad y que es 1.000 veces más grande que 1
picofarad y 1000 veces más pequeño de un
microfarad (justo a mitad del camino). Recordarse
esta relación es importante porque con valores
relativamente grandes de capacitores, por ejemplo
uno de 1 uF, hablar de él en una descripción como
"el capacitor de 1 millon de pF" es medio incomodo
y lo mismo vale para un capacitor de 18pF (usado normalmente en los generadores de
clock de los microcontroladores) si para indicarlo usáramos el valor 0,000018 uF, (algo
bastante ilegible). Por lo tanto, aconsejo a los iniciados en electrónica de recordarse bien
la conversión "al vuelo" entre los tres múltiplos (micro, nano y pico).
Ejemplos de valores típicos
Volviendo al sistema de codificación para

capacitores entre 1pF y 1uF (la casi
totalidad de los capacitores a excepción
de los electrolíticos), decíamos que el
valore se encuentra indicado con un
número de tres dígitos seguido por una
letra. Los dos primeros dígitos indican el
número inicial mientras que el tercer dígito representa la cantidad de ceros que es
necesario agregar al número inicial para obtener el valor final. El resultado obtenido es
necesario considerarlo en picofarad.
Tres ejemplos de codificación. En el primer

diseño se observa solo el valor en pF, en el
segundo se encuentra indicada también la
tolerancia mientras que en el tercero
podemos observar el valor, la tolerancia y la
tensión máxima de trabajo
Por ejemplo: una capacitor con el número

"472" es de 47 + 2 ceros, o sea 4700 pF (picofarad). Debido a que hemos superado los
1000 picofarad podemos "pasar" de submúltiplo y entonces podemos decir que nuestro
capacitor es de 4,7nF. En este caso no nos conviene usar la unidad micro porque el valor
no sería fácil de leer (0,0047uF). Con valores más grandes, como por ejemplo los
usadísimos capacitores de filtro con el número 104, es decir, 10 + 4 ceros = 100.000 pF
o también 100nF, es común que los proyectistas de circuitos usen la indicación 0,1 uF
o .1uF (punto uno uF).
Capacitor de 100nF, +/-5% de tolerancia y 100V

de tensión máxima de trabajo
Ahora hablemos de la letra que se encuentra al

final del número de tres dígitos. Es simplemente la
tolerancia del componente, es decir, cuanto puede
ser diverso el valor real respecto al valor indicado.
Confieso que, por mucho tiempo no tenía la menor
idea de su función y lo he descubierto después de
muchos años de electrónica. Probablemente
porque trabajando "normalmente" es un parámetro
no muy importante. En la figura siguiente
podemos observar cada letra a que tolerancia corresponde. Es interesante observar el
hecho que algunas letras corresponden a "tolerancias asimétricas" como por ejemplo la
"P", es decir, el componente puede tener una mayor capacidad respecto a la indicada
pero no una menor. Este tipo de tolerancia es usada con los capacitores de "filtro" donde
un posible valor mayor de lo indicado no perjudica mínimamente el funcionamiento del
circuito.
Tablas de tolerancia y de tensión máxima de

trabajo
Por último nos falta una información que en ciertos

casos podría sernos útiles y que es la tensión máxima
que el capacitor puede soportar sin que se rompa.
Como sabemos, un capacitor está compuesto por una
serie de placas metálicas aisladas entre si. Este material
aislante es muy sutil, especialmente en el caso de
capacitores de valores grandes. Por otro lado, si la
tensión es elevada, existe el riesgo que un arco eléctrico traspase el aislamiento eléctrico
entre las
placas rompiéndolo y poniendo el capacitor en corto. Por este motivo, el material
aislante usado está pensado para trabajar hasta un cierto nivel de tensión máxima y que,
en ciertos casos nos sirve saber.
Dimensiones de dos capacitores de 220nF, el de la izquierda de 50V mientras que el de

la derecha de 630V
Un ejemplo clásico de lo dicho son los capacitores usados para encender leds con 110V
o 220V. Estos tienen que trabajar con tensiones elevadas y por lo tanto son mucho más
voluminosos que los capacitores de los mismos valores de capacidad pero con tensión
de aislamiento eléctrico más baja como podemos observar en la fotografía.
Muchas veces, la tensión máxima de trabajo la podemos encontrar escrita claramente,

especialmente en los capacitores proyectados para trabajar con tensiones elevadas como
podemos ver aquí, en algunas fotografías de este artículo. Otras veces, el valor de
tensión directamente no se indica. Sucede a menudo con los capacitores usados en
circuitos de baja tensión. Estos capacitores soportan tensiones entre 50V y 100V,
bastante por encima de las típicas tensiones de trabajo de 12V/18V. Por último, y no
menos importante, existe una codificación numérica que usan algunos fabricantes y que
consiste en un número seguido por una letra. En el diseño en el cual se encuentra la
tabla de las tolerancias, podemos ver también la tabla de las tensiones máximas de
trabajo.
Como todo lo relacionado con la tecnología, nada es absoluto y por lo tanto, siempre
aparece un productor de componentes "fuera de los estándares" que usa sistemas de
indicación de los valores distintos a los que hemos descrito. De cualquiera manera, en
líneas generales la descripción de este artículo, se adapta bastante bien (a veces con
pequeñas variaciones) a la mayor parte de los capacitores en comercio.
Para terminar, existen otros parámetros de los capacitores como por ejemplo la calidad
del aislamiento eléctrico y también el coeficiente térmico (cuanto aumenta o disminuye
la capacidad en base a la temperatura), argumentos que van más allá del objetivo de este
artículo.

Tabla completa de los códigos EIA que indican la tensión máxima de trabajo de los
capacitores en tensión continua (VDC)
0G = 4VDC 0L = 5.5VDC 0J = 6.3VDC
1A = 10VDC 1C = 16VDC 1E = 25VDC
1H = 50VDC 1J = 63VDC 1K = 80VDC
2A = 100VDC 2Q = 110VDC 2B = 125VDC
2C = 160VDC 2Z = 180VDC 2D = 200VDC
2P = 220VDC 2E = 250VDC 2F = 315VDC
2V = 350VDC 2G = 400VDC 2W = 450VDC
2H = 500VDC 2J = 630VDC 3A = 1000VDC
2.3. INDUCTORES
La inductancia es la propiedad que poseen determinados dispositivos, llamados

inductores, los cuales reaccionan ante cualquier variación en la corriente que los
atraviesa. Los inductores son componentes diseñados para ser empleados en
determinadas aplicaciones con el propósito de oponerse a cambios bruscos en la
corriente que los atraviesan (principio de Inducción) y así efectuar una función de
control.
Un inductor primario consiste en una o varias espiras de alambre conductor
(generalmente de cobre o de aluminio, bobinado sobre un núcleo magnético o no), las
cuales son atravesadas por una corriente.
Michael Faraday (1791-1867) investigó los campos magnéticos y los concibió como
líneas de fuerza partiendo de un polo magnético y retornando hacia el otro. La cantidad
total de líneas de fuerza generadas por el magneto definen su flujo magnético. La
cantidad de flujo por unidad de superficie se denomina densidad de flujo B.
La intensidad del campo magnético queda determinada por la fuerza que ejerce sobre un
bobinado determinado la corriente que lo atraviesa.
La ley de Biot-Savart establece que si el bobinado del inductor es atravesado por una
corriente I y si el mismo se encuentra perpendicular al campo magnético, la fuerza F
sobre el bobinado en cuestión estará en dirección perpendicular a ambos y resultará
proporcional a la densidad del flujo magnético B establecido, al valor de corriente I y a
la longitud del bobinado l. Matemáticamente lo expresamos como:
Si la corriente aplicada a la bobina es continua, se generará un campo magnético

constante (electroimán) con un polo norte N y un polo sur S perfectamente definidos

(fig. 3.1).
En cambio, si la corriente varía en función del tiempo, el valor de la corriente i(t)
producirá un campo magnético variable (fig. 3.2).
La energía eléctrica fluctuante transformada en energía magnética, producirá una fuerza

electromotriz (f.e.m.), la que será la causante de generar una tensión inducida sobre la
misma bobina de sentido contrario a la variación del voltaje aplicado. Este principio es
el que se desarrollará en el presente capítulo.
Cuando un inductor se usa junto con un condensador, dispuestos en configuración serie
(RC serie), el voltaje en el inductor alcanza un máximo para un valor determinado de
frecuencia. Conjugando los principios de los condensadores y los inductores, se pueden
diseñar diversos filtros llamados “resonantes” (que “resuenan” a una determinada
frecuencia en particular). Se especificarán en el Capítulo 4 sus comportamientos,
montajes típicos y formas de cálculo.
Para aplicaciones en baja frecuencia, se emplean bobinas con alto valor de inductancia
(mayor a 5 Henry). Se emplean núcleos confeccionados en hierro o acero laminado al
silicio.
Para aplicaciones en alta frecuencia, se
emplean bobinas mucho más pequeñas
(lo-3 a lo-4 Henry) con núcleo de ferrite.
Para obtener regulación del valor de
inductancia, se puede realizar de dos
formas. Una forma es variar la cantidad de
espiras afectadas al circuito (fig. 3.3), y la
otra es alterar el circuito magnético
variando la posición relativa del núcleo (núcleo móvil) respecto al bobinado (fig.
3.4).
Esta última alternativa es utilizada comúnmente en radio frecuencia.
2.4. TRANSFORMADORES
El transformador es un sistema de inducción (máquina eléctrica estática), destinado a

transformar una determinada corriente variable en el tiempo, en otra de intensidad y
tensión menor, igual o mayor; logrando de esta forma una transferencia de energía
eléctrica. Se trata entonces de una máquina para ser usada exclusivamente con tensiones
variables, por lo general de corriente alterna. El principio empleado en los
transformadores es el de inductancia mutua. Cuando se combinan dos inductores sobre
un mismo núcleo, se genera una relación entre los dos bobinados a través del campo
magnético que los recorre. Su funcionamiento se fundamenta en la producción de
fuerzas electromotrices en las bobinas, a causa del flujo magnético variable. El
bobinado por donde ingresa la señal o energía a transformar se llama primario, y el flujo

que se produce en su circuito magnético alcanza a los dos o más bobinados que
conforman al transformador.
El valor de ese flujo magnético dependerá de la magnitud de la señal primaria y del

número de espiras del bobinado primario N1. El bobinado por donde egresa la señal,
tensión o energía transformada se llama secundario, en donde se produce una tensión
inducida (fuerza electromotriz) de igual frecuencia que la señal primaria y proporcional
en magnitud al número de espiras del bobinado secundario N2. La relación entre la
cantidad de espiras del primario N1 y del secundario N2 se denomina relación de
transformación. Dicha relación puede resultar menor, igual o mayor que la unidad.
Eligiendo convenientemente la cantidad de espiras N1 y N2, será posible obtener tres
variantes sobre la relación de transformación, definiendo ello los tipos de
transformadores, los cuales son:
• Transformador reductor: es aquel en que la tensión secundaria es menor que la
primaria (N2<N1).
• Transformador separador: es aquel en que las magnitudes primarias y
secundarias son idénticas, y la finalidad de su construcción es separar circuitos
eléctricos entre sí (N2=N1).
• Transformador elevador: es aquel en que la tensión secundaria es mayor que la
primaria (N2>N1).
Dentro de los diferentes tipos, los hay para corrientes débiles y altas frecuencias, usados
comúnmente en circuitos de RF en electrónica; para frecuencias de suministro de red
(50 ó 60 Hz) y elevadas corrientes, de uso en instalaciones de potencia; de alto poder
dieléctrico para reducción de tensión de la red de extra alta tensión (500 kV) a alta
tensión (132 kV) o a media tensión (13,2 kV), etc.
El circuito que recorrerá el flujo magnético tanto en un inductor como en un
transformador no es ideal, por lo que se produce una pérdida de potencia. La magnitud
de dicha pérdida dependerá de la calidad del material empleado como núcleo (chapa de
acero al silicio, grano orientado, ferrite, etc.), del grado de saturación del mismo, y de la
frecuencia de trabajo del sistema. Las pérdidas se incrementarán cuanto mayor sea la
frecuencia y la magnitud de flujo magnético que llegue a producir la saturación del
núcleo.Cuando en el circuito magnético existen cortes o interrupciones en el núcleo al
paso del flujo magnético se los denomina entrehierros (fig. 3.6).

Ellos también son un motivo de pérdidas de potencia por efecto Joule (calentamiento),
pero pueden ser utilizados ventajosamente para determinadas aplicaciones en que se
desee ajustar la corriente de cortocircuito (principio de reactor saturable utilizado en los
equipos de soldadura por arco eléctrico) variando la distancia del entrehierro e.
Para concluir, a continuación, se detalla en la Tabla 3.1 un resumen del comportamiento
de los inductores conectados en serie y en paralelo.
Tanto las tensiones en una malla cerrada como las corrientes en un nodo de cualquier
circuito inductivo puro cumple con la dos leyes de Kirchhoff, pero vectorialmente, ya
que los inductores producen desfasajes entre las tensiones y las corrientes, tal como
ocurre con los capacitores, pero en este caso con la corriente atrasada 90° respecto a la
tensión de suministro.

2. DIODOS SEMICONDUCTORES
Una resistencia ordinaria es un dispositivo lineal porque la gráfica de su corriente en
función de su tensión es una línea recta. Un diodo es diferente. Es un dispositivo no
lineal porque la gráfica de la corriente en función de la tensión no es una línea recta. La
razón es la barrera de potencial: cuando la tensión del diodo es menor que la barrera de
potencial, la corriente del diodo es pequeña; si la tensión del diodo supera esta barrera
de potencial, la corriente del diodo se incrementa rápidamente.
El símbolo eléctrico
La Figura 3-la representa el símbolo eléctrico de un diodo. El lado p se llama ánodo y

el lado n es el cátodo. El símbolo del diodo es una flecha que apunta del lado p a1 lado
n, es decir, del ánodo al cátodo.
3.1. Circuito básico del diodo
En la Figura 3-lb se muestra un circuito con un diodo. En

este circuito el diodo está polarizado en directa. ¿Cómo lo
sabemos? Porque el terminal positivo de la batería está
conectado al lado p del diodo a través de una resistencia, y el
terminal negativo está conectado a1 lado n. Con esta
conexión, el circuito está tratando de empujar huecos y
electrones libres hacia la unión. '
En circuitos más complicados puede ser más difícil decir si
el diodo está o no polarizado en directa. Para hacerlo nos
podemos servir de la siguiente regla; preguntémonos lo
siguiente: ¿está el circuito externo tratando de empujar los
electrones libres en la dirección de circulación sencilla? En
caso afirmativo, el diodo está polarizado en directa. ¿Cuá1
es la dirección de circulación sencilla? Si se está usando
corriente convencional, la dirección sencilla es la misma que
indica la flecha del diodo. Si se prefiere el flujo de
electrones, la dirección sencilla es en el otro sentido.
Cuando el diodo forma parte de un circuito complicado
podemos usar también el teorema de Thevenin para determinar si está polarizado en
directa. Por ejemplo, se supone que se ha reducido un circuito complicado con el
teorema de Thevenin para obtener la Figura 3- 1 b. En este caso se sabe que el diodo
está polarizado en directa.
La zona directa
La Figura 3-lb es un circuito que puede montarse en el laboratorio. Tras conectarlo, es

posible medir la tensión en el diodo y la corriente que lo atraviesa. También se puede
invertir la polaridad de la fuente de tensión continua y medir la corriente y la tensión del

diodo polarizado en inversa. Si se representa la corriente a través del diodo en función

de la tensión del diodo, se obtendrá una gráfica parecida a la de la Figura 3-2.
Por ejemplo, cuando el diodo está polarizado en directa no hay una corriente
significativa hasta que la tensión en el diodo sea superior a la barrera de potencial. Por
otro lado, cuando el diodo está polarizado en inversa, casi no hay corriente inversa hasta
que la tensión del diodo alcanza la tensión de ruptura. Entonces, la avalancha produce
una gran tensión inversa, destruyendo el diodo.
Tensión umbral
En la zona directa la tensión a partir de la cual la corriente empieza a incrementarse

rápidamente se denomina tensión umbral del diodo, que es igual a la barrera de
potencial. Los análisis de circuitos con diodos se dirigen normalmente a determinar si la
tensión del diodo es mayor o menor que la tensión umbral. Si es mayor, el diodo
conduce fácilmente; si es menor, lo hace con pobreza. Definimos la tensión umbral de
un diodo de silicio de la siguiente forma:
(Nota: El. símbolo ≈ significa <<aproximadamente igual a>>.)

Aunque los diodos de germanio raramente son utilizados en diseños nuevos, se pueden
encontrar todavía diodos de este elemento en circuitos especiales o en equipos más
antiguos. Por esta razón, conviene recordar que la tensión umbral de un diodo de
germanio es aproximadamente 0,3 V. Esta tensión umbral más pequeña es una ventaja y
obliga a considerar el uso de un diodo de estas características en ciertas aplicaciones.
Resistencia interna
Para tensiones mayores que la tensión umbral, la corriente del diodo crece rápidamente,
lo que quiere decir que aumentos pequeños en la tensión del diodo originará grandes
incrementos en su corriente. La causa es la siguiente: después de superada la barrera de
potencial, lo único que se opone a la corriente es la resistencia de las zonas p y n. En
otras palabras, si las zonas p y n fueran dos piezas separadas del semiconductor, cada
una tendría una resistencia que se podría medir con un óhmetro, igual que una
resistencia ordinaria.

A la suma de estas resistencias óhmicas se le llama resistencia interna del diodo, y se

define mediante la siguiente f6rmula:
El valor de la resistencia interna es función del nivel de dopado y del tamaño de las
zonas p y n. Normalmente, la resistencia interna de los diodos es menor que 1 Ω.
Máxima corriente continua con polarización directa
Si la corriente en un diodo es demasiado grande, el calor excesivo destruirá el diodo;

por esta razón, la hoja de características que proporcionan los fabricantes especifica la
corriente máxima que un diodo puede soportar sin peligro de acortar su vida o degradar
sus propiedades.
La corriente máxima con polarización directa es una de las limitaciones dadas en una
hoja de características. Esta corriente puede aparecer como IF(máx), I(máx), Io, etc.,
dependiendo del fabricante. Por ejemplo, un 1N456 tiene una corriente máxima de
135mA. Este dato significa que puede conducir con seguridad una corriente continua con
polarización directa igual a 135 mA.
Disipación de potencia
Se puede calcular la disipación de potencia de un diodo de la misma forma que se hace para
una resistencia. Es igual al producto de la tensión del diodo y la corriente. Expresándolo
matemáticamente:
La limitación de potencia indica cuánta potencia puede disipar el diodo sin peligro de
acortar su vida ni degradar sus propiedades. Expresada mediante una fórmula, la definición
es:
donde V máx. , es la tensión correspondiente a I máx. Por ejemplo, si un diodo tiene una tensión
y corriente máximas de 1 V y 2 A, su limitación de potencia es 2 W.

Ejemplo 1
¿El diodo de la figura 3-3a está polarizado en directa o en inversa?

La tensión a través de R2 es positiva, por tanto el circuito está tratando de empujar la
corriente en la dirección de circulación sencilla. Por consiguiente el diodo está
polarizado en directa.
Siempre que tengamos dudas conviene reducir el circuito en estudio a un circuito en
serie. Después será más fácil ver si la fuente de tensión está tratando de empujar la
corriente en la dirección sencilla o no.
Ejemplo 2
¿Se encuentran los diodos de la figura 3-3c polarizados en directa o en inversa? El diodo
D1 está `polarizado en inversa porque el circuito está tratando de empujar la corriente
en la dirección más difícil. Por otro lado, el diodo D2 lo está en directa ya que el
circuito está intentando empujar la corriente en la dirección sencilla.
Ejemplo 3
Un diodo tiene una limitación de potencia de 5W. si la tensión del diodo es de 1.2V y la
corriente del diodo es 1,75 A ¿cuál es la disipación de potencia?¿se destruirá el diodo?
3.2. EL DIODO IDEAL
La Figura 3-4 muestra el gráfico de la zona directa de un diodo. Aquí se ve la corriente

del diodo ID en función de la tensión del diodo VD. Nótese que la corriente es
aproximadamente cero hasta que la tensión del diodo se acerca a la barrera de potencial.

En las proximidades de 0,6 a 0,7 V, la corriente del diodo se incrementa. Cuando la

tensión del diodo es mayor de 0,8 V, la corriente del diodo es significativa y la gráfica
es casi lineal.
Dependiendo del dopaje y del tamaño físico de un diodo, Este puede diferir de otros por
su máxima corriente directa, limitación de potencia y otras características. Si
necesitamos una solución exacta deberíamos usar la gráfica de un diodo particular.
Aunque los puntos exactos de la corriente y de la tensión son diferentes de un diodo a
otro, la gráfica de cualquier diodo es similar al de la Figura 3-4. Todos los diodos de
silicio tienen una tensión umbral de aproximadamente 0,7 V.
La mayoría de las veces no necesitamos una solución exacta. Ésta es la razón para usar
aproximaciones para un diodo. Comenzaremos con la aproximación más simple,
llamada aproximación del diodo ideal. En líneas generales, ¿qué hace un diodo?
Conduce bien en la dirección directa y conduce mal en la inversa. Teóricamente, un
diodo rectificador se comporta como un conductor perfecto (resistencia cero) cuando
tiene polarización directa, y lo hace como un aislante perfecto (resistencia infinita)
cuando su polarización es inversa.
En la Figura 3-5a se ofrece la gráfica corriente-tensión de un diodo ideal. Refleja lo
que se acaba de exponer: resistencia cero con polarización directa y resistencia infinita
con polarización inversa. A decir verdad, es imposible construir un dispositivo con esas
características, pero es lo que los fabricantes harían si pudiesen.
Figura 3-4 Gráfica del banco de pruebas de un diodo típico de silicio.

Existe algún dispositivo real que actúe como un diodo ideal? Si. Un interruptor tiene
resistencia cero al estar cerrado, y resistencia infinita al estar abierto. Por tanto, un
diodo ideal actúa como un interruptor que se cierra al tener polarización directa y se
abre con polarización inversa. En la Figura 3-5b se resume esta idea del interruptor.
Ejemplo 4
Calcular la corriente y la tensión en la carga empleando la aproximación del diodo ideal

en el circuito representado en la figura 3-6a.
Ejemplo 5
Calcular la tensión en la carga y la corriente por la carga en la figura 3-6b usando un

diodo ideal.

3-3. LA SEGUNDA APROXIMACIÓN
La aproximación ideal es siempre correcta o cierta en la mayoría de las situaciones de

detección de averías, pero no siempre estarnos detectando averías. Algunas veces
queremos un valor más exacto para la corriente y la tensión en la carga. Es entonces
cuando tiene sentido la segunda aproximación.
La Figura 3 -7a presenta el gráfico de la corriente en función de la

tensión para la segunda aproximación. El dibujo indica que no
hay corriente hasta que aparecen0,7 V en el diodo. En este punto
el diodo se activa. De ahí en adelante sólo aparecerán0,7 V en el
diodo, independientemente del valor de la corriente.
La Figura 3 -7b muestra el circuito equivalente para la segunda
aproximación de un diodo de silicio. El di odo se asemeja a un
interruptor en serie con una barrera de potencial de 0,7 V. Si la
tensión de Thevenin de la fuente es, por lo menos, de 0,7 V, el
interruptor se cerrara. Cuando conduce, la tensión en el dispositivo será de 0,7 V para cualquier
corriente directa. Por otro lado, cuando la tensión de Thevenin es menor que 0,7 V, el
interruptor se abrirá. En este caso, no hay corriente a través del diodo.
'
Ejemplo 6
Usar la segunda aproximación para calcular la corriente por la carga, la tensión en la carga y la
potencia en el diodo en la figura 3-8.
Ejemplo 7
Calcular la tensión en la carga, la corriente por la carga y la potencia en el diodo en la figura

3-9a empleando la segunda aproximación.

3-4. LA TERCERA APROXIMACIÓN
En la tercera aproximación de un diodo se incluye la resistencia interna RB. La Figura

3-lo muestra el efecto que RB tiene sobre la curva del diodo. Después de que el diodo de
silicio comienza a conducir, la tensión aumenta lineal o proporcionalmente con los
incrementos de la corriente. Cuanto mayor sea la corriente, mayor es la tensión, al tener
que incluirse la caída de tensión en la resistencia interna a la tensión total del diodo. El
circuito equivalente para la tercera aproximación es un interruptor en serie con una
barrera de potencial de 0,7 V y una resistencia RB (Fig. 3-l0b).
Cuando la tensión aplicada es mayor que 0,7 V, el diodo conduce. La tensión total en el
diodo es igual a:
A menudo, la resistencia interna es menor que 1 Ω, y fácilmente la podemos. ignorar en

nuestros cálculos. Una regla útil para ignorar la resistencia interna es la siguiente
definición:
que
dice que se ignore la resistencia interna cuando sea la centésima parte de la
resistencia de Thevenin que ve el diodo. Si se satisface esta condición, el error es
menor que el 1 por lo0. La tercera aproximación se emplea raramente por técnicos
porque los diseñadores de circuitos normalmente satisfacen la Ecuación (3-6).

Ejemplo 8
El 1N4001 de la figura 3-11a tiene una resistencia interna de 0.23 Ω. ¿Cuál es la tensión
en la carga, la corriente en la carga y la potencia del diodo?
Ejemplo 9
Repita el ejemplo precedente para una resistencia de carga de l0 Ω.
3.5 LA HOJA DE CARACTERÍSTICAS

El alumno debe traer la hoja de características del Diodo 1N4007.
3.6. DIODOS DE PROPÓSITO ESPECÍFICO
EL DIODO ZENER
Los diodos rectificadores y los diodos para pequeña señal nunca se emplean
intencionadamente en la zona de ruptura, ya que esto podría dañarlos. Un diodo zener
es diferente; se trata de un diodo de silicio que se ha diseñado para que funcione en.la
zona de ruptura. Llamado a veces diodo de avalancha, el diodo zener es la parte
esencial de los reguladores de tensión; estos son circuitos que mantienen la tensión casi
constante con independencia de que se presenten grandes variaciones de la tensión de
red y de la resistencia de carga.

LA RESISTENCIA ZENER.
En la Figura 5-lc, la resistencia zener significa que un aumento en la corriente inversa

producirá un ligero aumento en la tensión inversa. El incremento de tensión es muy
pequeño, generalmente de unas décimas de voltio. Esto puede ser muy importante en el
diseño, pero no en la detección de averías ni en los análisis preliminares. A menos que se
indique otra cosa, en nuestro estudio se hará caso omiso de la resistencia zener.
3.7. DISPOSITIVOS OPTOELECTRÓNICOS
La optoelectrónica es la tecnología que combina la óptica con la electrónica. Este campo

incluye muchos dispositivos basados en la acción de una unión p-n. Ejemplos de
dispositivos opto electrónicos son los diodos emisores de luz (LED), los fotodiodos, los
opto acopladores, etc. Nuestro estudio comienza por los LED.
DIODO EMISOR DE LUZ (LED)
En la Figura 5-17a se ve una fuente conectada a una resistencia y un LED. Las flechas
que salen simbolizan la luz radiada. En un LED con polarización directa los electrones
libres atraviesan la unión y caen en los huecos. Como caen de niveles energéticos altos
a niveles bajos, emiten energía. En los diodos normales esta energía se disipa en forma
de calor, pero en un LED lo hace en forma de luz. Los LED han sustituido a las
lámparas incandescentes en muchas aplicaciones porque necesitan muy poca tensión,
tienen una larga vida y conmutan muy rápido. Empleando elementos como el galio, el
arsénico y el fósforo, un fabricante puede producir LED que emitan luz roja, verde,
amarilla, azul, naranja o infrarroja (invisible). Los LED que producen radiación visible
son útiles en los instrumentos, las calculadoras, etc., mientras que los de luz infrarroja
tienen aplicaciones en sistemas de alarma antirrobos, reproductores de CD y otros
dispositivos en los que se requiera luz invisible.

INDICADOR DE SIETE SEGMENTOS
La Figura 5-18a muestra un indicador de siete segmentos. Contiene siete LED

rectangulares (A a G), en el que cada uno recibe el nombre de segmento porque forma
parte del símbolo que se está mostrando. La Figura 5- 18b. es un diagrama esquemático
del indicador de siete segmentos. Se incluyen resistencias externas en serie para limitar
la corriente a niveles de seguridad. Llevando a masa una o más resistencias, puede
formarse cualquier digito del 0 a1 9. Por ejemplo, llevando a masa A, B y C se obtiene
un 7. Llevando a masa A, B, C, D y G se obtiene un 3. Con un indicador de siete
segmentos se pueden formar también las letras A, C, E y F, y las letras minúsculas b y
d. Los entrenadores de microprocesadores usan a menudo indicadores de siete
segmentos para mostrar todos los dígitos del 0 al 9, más A, b, C, d, E y F.
El indicador de siete segmentos de la Figura 5-1 8b es del tipo de ánodo común porque
todos los nodos están conectados entre si. También existe el tipo de cátodo común en
que todos los cátodos están conectados entre si.
FOTODIODO
Como ya se ha dicho, uno de los componentes de la corriente inversa en un diodo es el

flujo de portadores minoritarios. La existencia de estos portadores se debe a que la
energía térmica está continuamente desligando electrones de valencia de sus orbitales,
produciendo durante este proceso electrones libres y huecos. El tiempo de vida de los
portadores minoritarios es corto, pero mientras existen pueden contribuir a la corriente
inversa.
Cuando la energía luminosa se proyecta sobre una unión p-n, puede desligar electrones
de valencia. Cuanta mayor intensidad de luz incida sobre la unión, mayor será la
corriente inversa en el diodo. Un fotodiodo es un diodo cuya sensibilidad a la luz es
máxima. En este tipo de diodos, una ventana permite que la luz pase por el encapsulado
hasta la unión. La luz incidente produce electrones libres y huecos. Cuanto más intensa

sea la luz, mayor será el número de portadores minoritarios y mayor será la corriente
inversa.
La Figura 5-19 muestra el símbolo de un fotodiodo. Las flechas representan la luz
incidente. Es especialmente importante recordar que la fuente y la resistencia en serie
polarizan inversamente el fotodiodo. A medida que la luz se hace más intensa, la
corriente inversa aumenta. En los fotodiodos típicos la corriente inversa es del orden de
decenas de microamperios.
Figura 5-19 La luz incidente incrementa la corriente inversa en el diodo.
OPTOACOPLADOR
Un opto acoplador (llamado también optoaislador o aislador acoplado ópticamente)

combina un LED y un fotodiodo en un solo encapsulado. La Figura 5-20 muestra un
opto acoplador. Tiene un LED en el lado de entrada y un fotodiodo en el lado de salida.
La tensión de la fuente de la izquierda y la resistencia en serie establecen una corriente
en el LED. Entonces, la luz proveniente del LED incide sobre el fotodiodo, lo que
genera una corriente inversa en el circuito de salida, que produce una tensión en la
resistencia de salida. La tensión de salida es igual a la tensión de la fuente menos la
tensión en la resistencia.
Si la tensión de entrada varia, la cantidad de luz también lo hará, lo que significa que la
tensión de salida cambia de acuerdo con la tensión de entrada. Por ello, la combinación
de un LED y un fotodiodo recibe el nombre de opto acoplador. El dispositivo puede
acoplar una señal de entrada con el circuito de salida.
La ventaja fundamental de un opto acoplador es el aislamiento eléctrico entre los
circuitos de entrada y de salida. Mediante el opto acoplador, el único contacto que hay
entre la entrada y la salida es un haz de luz. Por tal causa, es posible tener una
resistencia de aislamiento entre los dos circuitos del orden de miles de MΩ. Los
aislamientos como éste son útiles en aplicaciones de alta tensión en las que los
potenciales de los dos circuitos pueden diferir en varios miles de voltios.
DIODO LASER
En un LED los electrones libres radian luz cuando caen de niveles de energía superior a
niveles inferiores y lo hacen de forma aleatoria y continuamente, produciendo
longitudes de onda con fases entre 0 y 360 grados. La luz que tiene muchas fases
diferentes se llama luz no coherente, por consiguiente, un LED produce luz no
coherente.

Un diodo láser es diferente en este aspecto, ya que produce luz coherente, lo que
significa que todas las ondas luminosas están en fase entre si. La idea básica de un
diodo laser consiste en usar una cámara resonante con espejos que refuerza la emisión
de ondas luminosas a la misma frecuencia y fase. A causa de esta resonancia, un diodo
laser produce un haz de luz estrecho que es muy intenso, enfocado y puro.
El diodo láser también se conoce como láser semiconductor. Estos diodos pueden
producir luz visible (roja, verde o azul) y luz invisible (infrarroja). Se usan en productos
de consumo y comunicaciones de banda ancha. Entre los primeros encontramos diodos
láser en reproductores de discos compactos e impresoras. En comunicaciones de banda
ancha se usan con cables de fibra óptica para incrementar la velocidad en Internet. Un
cable de fibra óptica es análogo a un par trenzado, excepto que las trenzas son fibras de
vidrio o plástico delgadas y flexibles que transmiten un haz de luz en lugar de los
electrones libres. La ventaja consiste en que se puede enviar mucha mas información a
través de un cable de fibra óptica que a través de un cable de cobre.
EL DIODO SCHOTTKY
A medida que la frecuencia crece, el funcionamiento de los diodos rectificadores de

pequeña señal empieza a deteriorarse. Ya no son capaces de conmutar lo
suficientemente rápido como para producir una señal de media onda bien definida. La
solución a este problema es el diodo Schottky.
EL VARICAP
El varicap (también llamado condensador controlado por tensión, epicap y diodo de

sintonía) se usa mucho en receptores de televisión, receptores de FM y otros circuitos
de comunicaciones porque se puede emplear para sintonización electrónica.
3.8. CÓMO CALCULAR LA RESISTENCIA INTERNA
Si se trata de analizar con precisión un circuito con diodos, se necesitará saber cuál es la
resistencia interna del diodo. Por lo general, la resistencia interna no viene dada por
separado en las hojas de características, pero éstas incluyen la información suficiente
para calcularla. Esta es la fórmula para la resistencia interna:
Donde V1 e I1 son la tensión y la corriente en algún punto en o sobre la tensión umbral;

V2 e I2 son la tensión y la corriente en cualquier punto más alto sobre la curva del diodo.
Por ejemplo, la hoja de características del 1N4001 da una tensión con polarización
directa de 0,93 V para una corriente de 1 A.
Como se trata de un diodo de silicio, tiene una tensión umbral de aproximadamente
0,7V, y una corriente cercana a cero.
Por tanto, los valores que hay que emplear son V2 = 0,93 V, I2 = 1 A, V1 = 0,7 V, I1 = 0.
Sustituyendo estos valores en la ecuación se obtiene una resistencia interna de:

Recordemos que la curva del diodo es una gráfica de la corriente en función de la

tensión. La resistencia interna es igual a la inversa de la pendiente por encima de la
tensión umbral. Cuanto mayor es la pendiente de la curva del diodo, menor es la
resistencia. En otras palabras, cuanto más vertical es la curva después del umbral, más
pequeño es el valor de la resistencia.
3.9. RESISTENCIA EN CONTINUA DE UN DIODO
Si se toma el cociente de la tensión total entre la corriente total de un diodo, se obtiene

la resistencia en continua del diodo. En la zona de polarización directa, esta resistencia
en continua se simboliza con RF, y en la zona inversa, con RR.
Resistencia con polarización directa
Como el diodo es una resistencia no lineal, su resistencia en continua van a según la

corriente. Considérense, por ejemplo, los pares siguientes de corriente y tensión con
polarización directa para un 1N914: 10 mA a 0,65 V, 30 mA a 0,75 V y 50 mA a 0,85V.
En el primer punto, la resistencia en continua es:
En el segundo punto:
Y en el tercer punto:
Obsérvese cómo la resistencia en continua disminuye a1 aumentar la corriente. En

cualquier caso, la resistencia con polarización directa es pequeña comparada con la
resistencia en polarizaci6n inversa.
Resistencia con polarización inversa
Considérense ahora los dos puntos de valores de corriente y tensión en polarización

inversa para el 1N914: 25 µA a 20 V; 5 µA a 75 V. En el primer punto, la resistencia en
continua vale:
Y en el segundo punto:

Se puede apreciar cómo la resistencia en continua disminuye a1 acercarnos a la tensión

de ruptura (75 V).
CUESTIONARIO Y PRÁCTICA DE DIODOS


OTROS DIODOS

Los varistores son útiles como supresores de transitorios. Los diodos de corriente
constante mantienen la corriente, en vez de la tensión, constante. Los diodos de
recuperación en escalón se bloquean rápidamente y producen tensiones en escalón que
son ricas en armónicos. Los diodos opuestos conducen mejor en la dirección inversa
que en la dirección directa. Los diodos túnel tienen resistencia negativa y se pueden usar
en osciladores de alta frecuencia.
USOS Y APLICACIONES DE LOS DIODOS.
Los usos y aplicaciones de los diodos son muy variados, por su versatilidad, por
ejemplo se realizan circuitos en serie, paralelo y mixto de diodos, compuertas AND y
OR, como recortadores, sujetadores, circuitos rectificadores de media onda, onda
completa, circuitos multiplicadores de voltaje.
3. TRANSISTORES BIPOLARES.
En 1951 William Schockley inventó el primer transistor de unión, un dispositivo
semiconductor que permite amplificar señales electrónicas tales como señales de radio y
de televisión. El transistor ha llevado a muchas otras invenciones basadas en

semiconductores, incluyendo el circuito integrado (CI), un pequeño dispositivo que
contiene miles de transistores miniaturizados. Gracias a los CI son posibles los
ordenadores modernos y otros milagros electrónicos. Este capitulo introduce el
transistor bipolar, aquel que usa electrones libres y huecos. La palabra bipolar es una
abreviatura de “dos polaridades”.
4.1. EL TRANSISTOR SIN POLARIZACIÓN

..
Un transistor tiene tres zonas de dopaje, como se muestra en la Figura ó-1. La zona
inferior se denomina emisor, la zona central es la base y la zona superior es el colector.
El transistor de la Figura ó-1 es un dispositivo npn porque hay una zona p entre dos
zonas n. Recordemos que los portadores mayoritarios son electrones libres en los
materiales tipo n y huecos en los materiales tipo p.
Los transistores también se construyen como dispositivos pnp. Un transistor pnp tiene
una zona n entre dos zonas p. Para evitar confusiones entre los transistores npn y pnp,
nuestra exposición inicial se centrará en el transistor npn.
Niveles de dopaje
En la Figura ó-1 el emisor está

fuertemente dopado. Por otro lado, la
base esta ligeramente dopada. El nivel
de dopaje del colector es intermedio,
entre los dos anteriores. Físicamente el
colector es la zona más grande de las
tres.
Diodos de emisor y de colector
El transistor de la Figura ó- 1 tiene dos

uniones: una entre el emisor y la base
y otra entre la base y el colector. Por
tanto, un transistor es similar a dos
diodos contrapuestos. El diodo inferior
se denomina el diodo emisor-base, o simplemente el diodo emisor. El diodo superior se
denomina diodo colector-base, o diodo colector.

4.2. EL TRANSISTOR POLARIZADO
Un transistor sin polarización es similar a dos diodos contrapuestos. Cada diodo tiene
una barrera de potencial de 0,7 V, aproximadamente. Si se conectan fuentes de tensión
externas para polarizar al transistor, se obtienen corrientes a través de las diferentes
partes del transistor.
4.3. CORRIENTES EN UN TRANSISTOR
La Figura ó-ó muestra el símbolo de un transistor. Si se hace

uso de la corriente convencional, se utiliza la Figura ó-óa; si se
prefiere la corriente de electrones, se emplea la Figura ó-ób.
En la Figura ó-ó hay tres corrientes distintas en el transistor: la
corriente de emisor IE, la corriente de base IB, y la corriente de
colector IC.
Como el emisor es la fuente de electrones, su corriente es la
mayor de las tres. Casi todos los electrones del emisor circulan
hacia el colector; por tanto, la corriente de colector es
aproximadamente igual a la corriente de emisor. La corriente
de base es muy pequeña comparativamente, a menudo menor
que el 1 por lo0 de la corriente del colector.
Relación de corrientes
La ley de las corrientes de Kirchhoff. Establece que la suma de

todas las corrientes que entran a un nudo o unión es igual a la
suma de todas las corrientes que salen de ese nudo o unión. Al
aplicarse a un transistor, la ley de Kirchhoff proporciona esta
importante relación entre las tres corrientes del transistor:
IE = I C + I B
Esta ecuación indica que la corriente de emisor es la suma de
la corriente de colector y la corriente de base. Teniendo en cuenta que la corriente de
base es mucho menor que la corriente de colector, es habitual hacer la siguiente
aproximación: la corriente de colector es igual a la corriente de emisor:
IC = I E
Y la corriente de base es mucho más pequeña que la corriente de colector:
IB << IC
(Nota: << significa <<mucho menor que>>.)
Alfa
La alfa de continua (simbolizada αdc) se define como la corriente continua de colector
dividida por la corriente continua de emisor.
αdc = ____IC___
IE

Como la corriente de colector es casi igual que la corriente de emisor, α dc es ligeramente

menor que 1. Por ejemplo, en un transistor de baja potencia, αdc es mayor que 0,99.
Incluso en un transistor de alta potencia, αdc es típicamente mayor que 0,95. Beta
La beta dc (simbolizada βdc) de un transistor se define como la relación entre la
corriente continua del colector y la corriente continua de la base:
βdc = ____IC___
IB
La beta de continua se conoce también como la ganancia de corriente porque una

pequeña corriente de base produce una corriente mucho mayor de colector. La ganancia
de corriente es una gran ventaja de un transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones.
Para transistores de baja potencia (por debajo de 1 W), la ganancia de corriente es
típicamente de lo0 a 300. Los transistores de alta potencia (por encima de 1 W)
normalmente tienen ganancias de corriente entre 20 y lo0.
4.4. LA CONEXIÓN EN EMISOR COMÚN.
Existen tres formas útiles de conectar un transistor: en EC (emisor común), en CC

(colector común), o en BC (base común). Nos centraremos en la conexión EC porque es
la más utilizada.
Emisor común
En la Figura ó-7a, el lado común o masa de cada fuente de tensión estó conectado-a1
emisor. Debido a esto, el circuito se conoce como configuración en emisor común (en
EC). Obsérvese que el circuito tiene dos mallas. La malla de la izquierda es el circuito
de base y la de la derecha es el circuito de
colector.
En la malla de base, la fuente VBB polariza

en directa al diodo emisor con RB como
resistencia limitadora de corriente. Usando
diferentes valores de ' VBB o RB se puede
controlar la corriente de base. Como se
verá más adelante, la corriente de base
controla la corriente de colector, lo que
significa que una pequeña corriente (base)
gobierna una gran corriente (colector). En
el circuito del colector hay una fuente de
tensión de valor Vcc que polariza en
inversa a1 diodo colector a través de Rc.
La fuente de tensión Vcc debe polarizar
inversamente el diodo de colector o, de lo
contrario, el transistor no funcionaria adecuadamente. Dicho de otra forma, el colector
debe ser positivo en la Figura 6-7a para recolectar la mayoría de los electrones libres
inyectados en la base.

En la Figura 6-7a, el flujo de corriente de base en la malla de la izquierda produce una

tensión en la resistencia de base, RB, con la polaridad mostrada.
Similarmente, el flujo de corriente de colector en la malla de la derecha produce una
tensión en la resistencia del colector Rc, con la polaridad mostrada.
Subíndices dobles
En los circuitos de transistores se usa notación de doble subíndice. Cuando los

subíndices son iguales, la tensión representa una fuente (VBB y Vcc).
Cuando los subíndices son diferentes representan las tensiones entre dos puntos (VBE y
VCE).
Subíndices simples
Los subíndices simples se usan para las tensiones de los nodos, es decir, tensiones entre
el punto del subíndice y masa. Por ejemplo, si redibujamos la Figura ó-7a con masas,
obtenemos la Figura ó-7b. La tensión VB, es la tensión entre la base y masa, la tensión
Vc es la tensión entre el colector y masa, y la tensión VE es la tensión entre el emisor y
masa. (En este circuito VE es cero). Puede calcular una tensión con subíndice doble de
distinto subíndice restando sus tensiones con subíndice simple. Aquí tenemos tres
ejemplos:
VCE = VC - VE
VCB = vc - vB VBE
= VB - VE
4.5. CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA
Es como la curva de un diodo normal, como se

ve en la Figura ó18a. Estamos hablando acerca
de la corriente de base y la tensión del diodo de
emisor, por lo que cabria esperar una curva
similar a la característica de corriente en función
de la tensión de un diodo, lo que significa que
podemos usar cualquiera de las tres
aproximaciones de un diodo analizadas con
anterioridad.
Aplicando la ley de Ohm a la resistencia de base
de la Figura ó-7b, obtenemos esta derivación:
Si se utiliza un diodo ideal, VBE = 0. Con la

segunda aproximación, VBE = 0,7 V, como se
muestra en la Figura ó-8a.

La mayoría de las veces la segunda aproximación será el mejor compromiso entre la

sencillez de cálculos al usar un diodo ideal y la precisión al usar aproximaciones
superiores. Todo lo que se necesita recordar para la segunda aproximación es que V BE =
0,7 V, como se muestra en la Figura ó-8a.
4.6. CURVA CARACTERÍSTICA DE SALIDA
En la Figura 6-9a, ya sabemos cómo

calcular la corriente de base. Como
VBB polariza en directa el diodo
emisor, todo lo que necesitamos
hacer es calcular la corriente a través
de la resistencia de base RB. Ahora,
fijemos nuestra atención en la malla
del colector.
En la Figura 6-9a se pueden variar
VBB y Vcc para establecer diferentes
tensiones y corrientes en el
transistor. Midiendo Ic y VCE, se
obtienen los datos para una curva de
Ic, en función de VcE. Por ejemplo,
supóngase que se cambia V,, para
obtener I, = lo pA. Entonces se
puede variar Vcc, y medir los
valores resultantes de Ic y VCE.
Trazando los datos, se dibuja la curva que se muestra en la Figura 6-9b. (Nota: Esta
curva es para un 2N3904, un transistor de baja potencia muy usado. Con otros
transistores, los números pueden variar pero la forma de la curva es similar.)
Cuando VCE es cero, el diodo de colector no tiene polarización inversa. Esta es la razón
por la que la curva muestra una corriente de colector cero. Cuando VCE crece desde
cero, la corriente de colector se eleva rápidamente en la Figura 6-9b. Cuando VCE es de
pocas decenas de voltios, la corriente de colector se hace casi constante e igual a 1 mA.
En la Figura ó-9b, la zona de corriente constante se relaciona con la anterior explicación
sobre el funcionamiento del transistor. Después de que el diodo de colector se polariza
en inversa, recoge todos los electrones que alcanzan la zona de deplexión. Incrementos
mayores de VCE no pueden aumentar la corriente del colector, porque el colector sólo
puede recoger aquellos electrones libres que el emisor inyecta en la base. El número de
estos electrones inyectados depende sólo del circuito de base, no del circuito de
colector. Por eso la Figura 6-9b muestra una zona constante en la corriente de colector
entre VCE, menor de 1 V y una VCE mayor de 40 V.
Si VCE es superior a 40 V, el diodo de colector entra en la zona de ruptura y se pierde el
funcionamiento normal del transistor. Este no está diseñado para funcionar en la zona
de ruptura. Por esta razón, una de las limitaciones que hay que buscar en las hojas de
características del transistor es la tensión de ruptura de colector-emisor VCE(máx). Si el
transistor entra en la zona de ruptura, se destruirá.

4.7. Tensión y potencia de colector
La ley de Kirchhoff señala que la suma de todas las tensiones a lo largo de una malla o
trayectoria cerrada es igual a cero. Si se aplica a1 circuito del colector de la Figura 6-9a,
la ley de las tensiones de Kirchhoff nos da esta importante ecuación:
Esta ecuación indica que la tensión colector-emisor es igual a la tensión de la fuente de

polarización de colector (Vo) menos la tensión que hay en la resistencia de colector.
En la Figura 6-9a, el transistor presenta una disipación de potencia aproximada de:
Esta ecuación dice que la potencia disipada por el transistor es igual a la tensión
colector-emisor multiplicada por la corriente de colector. Es esta potencia la que hace
que aumente la temperatura de la unión del diodo de colector. Cuanto mayor sea la
potencia mayor será la temperatura de la unión.
4.8. Zonas de funcionamiento
Como el punto de
operación es un punto fijo
en las
características, también se
llama punto quiescente
(abreviado punto Q). Por
definición, quiescente
significa quieto, inmóvil,
inactivo.
Si no se utilizara
polarización, al principio
el dispositivo estaría
totalmente apagado o
inactivo, y el punto Q
estaría en A, es decir,
corriente cero a través del
dispositivo (y voltaje cero
a través de él). Como es
necesario polarizar un
dispositivo de modo que
sea capaz de responder a todo el intervalo de una señal de salida, el punto A no sería
adecuado. En general, es preferible operar donde la ganancia del dispositivo es bastante
constante (o lineal) para garantizar que la amplificación a lo largo de toda la excursión
de la señal de entrada sea la misma. El punto B es una región de más separación lineal,
y por consiguiente de más operación lineal, como se muestra en la figura 4.1. El punto
D sitúa el punto de operación cerca del nivel máximo de voltaje y potencia. El voltaje
de salida excursiona en la dirección positiva, y por lo tanto se limita si no se excede el

voltaje máximo. Por consiguiente, parece que el punto B es el mejor punto de operación
en función de ganancia lineal y máxima excursión posible de voltaje y de corriente.
Ejemplo 1.
El transistor de la Figura tiene βdc = 300. Calcule
IC,IB,VCE y PD.
Ejemplo 2
La figura muestra
un circuito de
transistor diseñado en un
ordenador con el programa
Electronics Workbench
(EWB). Calcule la ganancia
de corriente del
2N4424.(Lectura del
multimetro simulador
5.4535 V).
4.9. La segunda aproximación
Esta vez usarnos la segunda aproximación de un diodo para calcular la corriente de

base. Para transistores de silicio, esto significa que VBE = 0,7 V. (Para transistores de
germanio, VBE = 0,3 V) Con la segunda aproximación, las corrientes de base y de
colector será ligeramente menores que los valores ideales.
Ejemplo 3
Calcular los ejemplos anteriores tomando en cuenta la segunda aproximación.

EJERCIOS PROPUESTOS

22. La corriente de colector vale 5 mA y la corriente de base vale 0,02 mA. ¿Cuál es el valor de
la ganancia de corriente?
23. Un transistor tiene una ganancia de corriente de 125 y una corriente de base igual a 30 mA.
¿Qué valor tiene la corriente de colector?
24. Si la corriente de colector es de 50 mA y la ganancia de corriente es de ó5, ¿Cuánto vale la
corriente de base?
2ó. Calcular el valor de la tensión colector- emisor, la potencia disipada tanto para la aproximación
ideal, como para la segunda aproximación, para todos los siguientes circuitos:

4.10 . Tipos de transistores.
Distintos encapsulados de transistores

Existen varios tipos que dependen de su proceso de

construcción y de las apliaciones a lasque se destinan.
Aquí abajo mostramos una tabla con los tipos de uso
más frecuente y susimbología:
Transistor bipolar de unión (BJT)
Transistor de efecto de campo, de uni

ón (JFET)
Transistor de efecto de campo, de metal oxido

semiconductor (MOSFET)
transistor que obtuvo ganancia,

Simbología
Fototransistor

inventado en 1947 por J. Bardeen y W. Brattain. Consta de una base de
germanio sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que
constituyen el emisor y el colector. La corriente de emisor es capaz de modular
la resistencia que se "ve" en el colector, de ahí el nombre de "transfer resistor".
Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar
(las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y
ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948)
debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
• Transistor de unión bipolar, BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente
sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen
cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los
metales y los controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o
PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de

aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos
aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o
Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la
letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al
emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base,
tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho mas
contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas
contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación
(difusión gaseosa, epitelial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.
•
c
ercanas a la de la luz.
• Transistor de unión unipolar.

una tensión; tienen alta impedancia de entrada. o Transistor de efecto de campo
de unión, JFET, construido mediante una unión PN.
o Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la
compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico.
o Transistor de efecto de campo MOS, MOSFET, donde MOS significa
Metal-Óxido-Semiconductor, en este caso la compuerta es metálica y
está separada del canal semiconductor por una capa de óxido.
4.11. APLICACIÓN DE LOS TRANSISTORES
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:

• Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)
• Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)
• Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de
impulsos PWM)
• Detección de radiación luminosa (fototransistores)
• Se usan generalmente en electrónica analógica y en la electrónica digital como
la tecnología TTL o BICMOS.
• Son empleados en conversores estáticos de potencia, controles para motores y
llaves de alta potencia (principalmente inversores), aunque su principal uso está
basado en la amplificación de corriente dentro de un circuito cerrado.
4.12. Transistor de efecto campo
El transistor de efecto campo ield-Effect Transistor o FET, en inglés) es en realidad

una familia de transistores que se basan en el campo eléctrico para controlar la
conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET, como todos los
transistores, pueden plantearse como resistencias controladas por voltaje.

La mayoría de los FET están hechos usando las técnicas de procesado de

semiconductores habituales, empleando la oblea monocristalina semiconductora como
la región activa o canal.
La región activa de los TFTs (thin-film transistores, o transistores de película fina), por
otra parte, es una película que se deposita sobre un sustrato (usualmente vidrio, puesto
que la principal aplicación de los TFTs es como pantallas de cristal líquido o LCDs).
Los transistores de efecto de campo o FET más conocidos son los JFET (Junction Field
Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor FET) y MISFET
(MetalInsulator- Semiconductor FET).
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente (source).
La puerta es el terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de efecto de campo
se comporta como un interruptor controlado por tensión, donde el voltaje aplicado a la
puerta permite hacer que fluya o no corriente entre drenador y fuente.
El funcionamiento del transistor de efecto de campo es distinto al del BJT. En los
MOSFET, la puerta no absorbe corriente en absoluto, frente a los BJT, donde la
corriente que atraviesa la base, pese a ser pequeña en comparación con la que circula
por las otras terminales, no siempre puede ser despreciada. Los MOSFET, además,
presentan un comportamiento capacitivo muy acusado que hay que tener en cuenta para
el análisis y diseño de circuitos.
Así como los transistores bipolares se dividen en NPN y PNP, los de efecto de campo o
FET son también de dos tipos: canal n y canal p, dependiendo de si la aplicación de una
tensión positiva en la puerta pone al transistor en estado de conducción o no
conducción, respectivamente. Los transistores de efecto de campo MOS son usados
extensísimamente en electrónica digital, y son el componente fundamental de los
circuitos integrados o chips digitales.
Historia
Desde 1953 se propuso su fabricación por Van Nostrand (5 años después de los BJT).
Aunque su fabricación no fue posible hasta mediados de los años 60's.
Tipo de transistores de efecto campo
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P.
El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de
FETs de modo mejorado, o dopados de manera similar al canal en el caso de FETs en
modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el
método de aislamiento entre el canal y la puerta. Los tipos de FETs son: Podemos

clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal
y la puerta:
- El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un
aislante (normalmente SiO2).
- El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n
- El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión
PN del JFET con una barrera Schottky.
- En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET
(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el
aislante entre la puerta el cuerpo del transistor.
- Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)
- Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de
potencia. Son comunmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está
entre los 200 a 3000V. Aún así los Power MOSFET todavía son los dispositivos
más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.
- Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación
ultra rápida del transistor.
- Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor,
usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar
cadenas de ADN iguales
La característica de los TFT que los distingue, es que hacen uso del silicio amorfo o del
silicio policristalino.
Características
- Tiene una resistencia de entrada extremadamente alta (casi 100M).

- No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza Conmutador (Interruptor).
- Hasta cierto punto inmune a la radiación.
- Es menos ruidoso.
- Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
Precauciones:
Con los transistores FET hay que tener cuidados especiales, pues algunas referencias se
dañan con solo tocar sus terminales desconentadas (Estática). Por tal motivo, cuando
nuevos traen sus patas en corto-circuito mediante una espuma conductora eléctrica o
con algo metálico, esto no se debe quitar hasta que estén soldados en la tableta de
circuito impreso, hecho esto ya no hay problema.
Fototransistor

Fototransistor Diversos tipos de fototransistores
Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los infrarrojos.

La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta carga de base
lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más sensible que el
fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor. Los fototransistores no son
muy diferentes de un transistor normal, es decir, están compuestos por el mismo
material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas:
colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera
diferencia evidente es en su cápsula, que posee una ventana o es totalmente
transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla
semiconductora y produzca el efecto fotoeléctrico.
En el mercado se encuentran fototransistores tanto con conexión de base como sin ella y
tanto en cápsulas plásticas como metálicas (TO-72, TO-5) provistas de una lente.
Aplicaciones de los fototransistores.

Se han utilizado en lectores de cinta y tarjetas perforadas, lápices ópticos, etc. Para
comunicaciones con fibra óptica se prefiere usar detectores con fotodiodos p-i-n.
También se pueden utilizar en la detección de objetos cercanos cuando forman parte de
un sensor de proximidad. Se utilizan ampliamente encapsulados conjuntamente con un
LED, formando interruptores ópticos (opto-switch), que detectan la interrupción del haz
de luz por un objeto.
Existen en dos versiones: de transmisión y de reflexión. Teniendo las mismas
características de un transistor normal, es posible regular su corriente de colector por
medio de la corriente de base. Y también, dentro de sus características de elemento
optoelectrónico, el fototransistor conduce más o menos corriente de colector cuando
incide más o menos luz sobre sus junturas.
Los dos modos de regulación de la corriente de colector se pueden utilizar en forma
simultánea. Si bien es común que la conexión de base de los fototransistores no se
utilice, e incluso que no se la conecte o ni siquiera venga de fábrica, a veces se aplica a
ella una corriente que estabiliza el funcionamiento del transistor dentro de cierta gama
deseada, o lo hace un poco más sensible cuando se debe detectar una luz muy débil.
Esta corriente de estabilización (llamada bias, en inglés) cumple con las mismas reglas
de cualquier transistor, es decir, tendrá una relación de amplificación determinada por la
ganancia típica de corriente, o hfe. A esta corriente prefijada se le suman las variaciones
producidas por los cambios en la luz que incide sobre el fototransistor.
Los fototransistores, al igual que los fotodiodos, tienen un tiempo de respuesta muy
corto, es decir que pueden responder a variaciones muy rápidas en la luz. Debido a que
existe un factor de amplificación de por medio, el fototransistor entrega variaciones
mucho mayores de corriente eléctrica en respuesta a las variaciones en la intensidad de
la luz.
4. CIRCUITOS INTEGRADOS ANALÓGICOS – DIGITALES
Aunque existen muchos circuitos integrados que contienen sólo circuitos digitales y
muchos que contienen sólo circuitos analógicos, hay varias unidades que contienen
tanto circuitos analógicos como digitales. Entre los circuitos integrados
analógicos/digitales se cuentan los circuitos comparadores, los convertidores

digital/analógico, los circuitos de interface, los circuitos temporizadores, los circuitos
osciladores controlados por voltaje (VCO) y las mallas de enganche de fase (PLL).
El circuito comparador es aquel en el cual un voltaje de entrada analógico se compara

con otro voltaje de referencia, cuya salida es una condición digital que representa si el
voltaje de entrada excedió el voltaje de referencia.
Los circuitos que convierten señales digitales en un voltaje analógico y aquellos que
convierten un voltaje analógico en un valor digital tienen un gran uso en equipo
aeroespacial, equipos automotrices y reproductores de discos compactos (CD), entre
muchos otros.
Los circuitos de interface se utilizan para conectar señales de diferentes niveles de

voltaje digitales, de diferentes tipos de dispositivos de salida, o de diferentes
impedancias, de modo que tanto la etapa de manejo como la de recepción operen
correctamente.
Los circuitos integrados temporizadores son circuitos analógicos y digitales que se

utilizan en varias operaciones de temporización, como en una alarma de automóvil, un
temporizador doméstico para encender y apagar las luces y un circuito en equipo
electromecánico para sincronizar apropiadamente su operación. El temporizador 555 ha
sido un circuito integrado muy aceptado por mucho tiempo. Un oscilador controlado por
voltaje produce una señal de salida cuya frecuencia puede ser variada o ajustada por un
voltaje de entrada. Una aplicación de gran uso de un VCO es en una malla de enganche
de fase, tal como se utiliza en algunos transmisores y receptores de comunicaciones.
Circuito integrado 555
El circuito integrado 555 es de bajo costo y de grandes

prestaciones. Inicialmente fue desarrollado por la firma
Signetics. En la actualidad es construido por muchos otros
fabricantes. Entre sus aplicaciones principales cabe destacar
las de multivibrador estable (dos estados metaestables) y
monoestable (un estado estable y otro metaestable), detector
de impulsos, etcétera.
NE555 de Signetics en un dual in line package.
Historia
En 1970, Hans Camenzind, un ingeniero nacido en Suiza y que luego de terminar su

educación secundaria viajó a Estados Unidos para realizar los estudios de ingeniería, se
tomó un mes de vacaciones de su empleo en Signetics (ahora Philips) para escribir un
libro y en vez de volver al final de las vacaciones, le pidió a la companía que lo
contratase como consultor durante un año, para usar los principios del oscilador
controlado por tensión o VCO en el desarrollo de un circuito integrado temporizador;
esta idea no era del agrado del departamento de ingeniería de Signetics, pero

afortunadamente a Art Fury, el hombre de mercadeo de la empresa, la idea lo

entusiasmó y le dio el contrato a Camenzind, quien luego de seis meses, completó el
diseño final ( los primeros diseños no hacían uso de redes RC para la temporización y
por ello preveían un circuito integrado de 14 pines, mucho más complejo y caro), el 555
fue pionero en muchos aspectos, no solo fue el primer circuito integrado temporizador,
también fue el primero en venderse desde su salida al mercado a bajo precio (U$ 0,75),
cosa nunca hecha hasta entonces por ningún productor de semiconductores. Cabe acotar
que por las diferencias entre Camenzind y el departamento de ingeniería de Signetics, el
proyecto durmió durante un año antes de ser finalmente producido en masa por
Signetics.
Fotografía del interior del 555, 1978.
El temporizador 555 fue introducido en el mercado en el año 1972 por esta misma
fábrica con el nombre: SE555/NE555 y fue llamado "The IC Time Machine" (El
Circuito Integrado Máquina del Tiempo). Este circuito tiene muy diversas aplicaciones,
y aunque en la actualidad se emplea mas su remozada versión CMOS desarrollada por
DaveBingham en Intersil, se sigue usando también la versión bipolar original,
especialmente en aplicaciones que requieran grandes corrientes de parte de la salida del
temporizador.
Sus características
Este Circuito Integrado (C.I.) es para los

experimentadores y aficionados, un
dispositivo barato con el cual pueden
hacer muchos proyectos.
Este temporizador es tan versátil que se
puede utilizar para modular una señal en
Amplitud Modulada (A.M.)
Está constituido por una combinación de

comparadores lineales, flip-flops
(biestables digitales), transistor
de descarga y excitador de salida.
Esquema en bloques del circuito integrado del 555.
Las tensiones de referencia de los comparadores se establecen en 2/3 V para el primer

comparador C1 y en 1/3 V para el segundo comparador C2, por medio del divisor de
tensión compuesto por 3 resistores iguales R. En el gráfico se muestra el número de pin
con su correspondiente función.
En estos días se fabrica una versión CMOS del 555 original, como el Motorola
MC1455, que es muy popular. Pero la versión original de los 555 sigue produciéndose
con mejoras y algunas variaciones a sus circuitos internos. El 555 esta compuesto por
23 transistores, 2 diodos, y 16 resistores encapsulados en silicio. Hay un circuito
integrado que se compone de dos temporizadores en una misma unidad, el 556, de 14
pines y el poco conocido 558 que integra cuatro 555 y tiene 16 pines.
Hoy en día, si ha visto algún circuito comercial moderno, no se sorprenda si se

encuentra un circuito integrado 555 trabajando en él. Es muy popular para hacer
osciladores que sirven como reloj (base de tiempo) para el resto del circuito.
Descripción de las terminales del Temporizador 555
• GND (normalmente la 1): es el polo negativo

de la alimentación, generalmente tierra.
• Disparo (normalmente la 2): Es en esta patilla,
donde se establece el inicio del tiempo de
retardo, si el 555 es configurado como
monostable. Este proceso de disparo ocurre
cuando este pin va por debajo del nivel de 1/3
del voltaje de alimentación. Este pulso debe ser
de corta duración, pues si se mantiene bajo por
mucho tiempo la salida se quedará en alto hasta
que la entrada de disparo pase a alto otra vez.
Pines del 555.
• Salida (normalmente la 3): Aquí veremos el resultado de la operación del

temporizador, ya sea que esté conectado como monostable, astable u otro.
Cuando la salida es alta, el voltaje será el voltaje de alimentación (Vcc) menos
1.7 Voltios. Esta salida se puede obligar a estar en casi 0 voltios con la ayuda de
la patilla de reset (normalmente la 4).
• Reset (normalmente la 4): Si se pone a un nivel por debajo de 0.7 Voltios, pone
la patilla de salida a nivel bajo. Si por algún motivo esta patilla no se utiliza hay
que conectarla a Vcc para evitar que el 555 se "resetee".
• Control de voltaje (normalmente la 5): Cuando el temporizador se utiliza en el
modo de controlador de voltaje, el voltaje en esta patilla puede variar casi desde
Vcc (en la práctica como Vcc -1 voltio) hasta casi 0 V (aprox. 2 Voltios). Así es
posible modificar los tiempos en que la salida está en alto o en bajo
independiente del diseño (establecido por los resistores y condensadores
conectados externamente al 555). El voltaje aplicado a la patilla de control de
voltaje puede variar entre un 45 y un 90 % de Vcc en la configuración
monostable. Cuando se utiliza la configuración astable, el voltaje puede variar
desde 1.7 voltios hasta Vcc. Modificando el voltaje en esta patilla en la
configuración astable causará la frecuencia original del astable sea modulada en
frecuencia (FM). Si esta patilla no se utiliza, se recomienda ponerle un
condensador de 0.01μF para evitar las interferencias.
• Umbral (normalmente la 6): Es una entrada a un comparador interno que tiene el
555 y se utiliza para poner la salida a nivel bajo.
• Descarga (normalmente la 7): Utilizado para descargar con efectividad el
condensador externo utilizado por el temporizador para su funcionamiento.
• V+ (normalmente la 8): También llamado Vcc, alimentación, es el pin donde se
conecta el voltaje de alimentación que va de 4.5 voltios hasta 18 voltios
(máximo). Hay versiones militares de este integrado que llegan hasta 18 Voltios.

Funcionamiento del Circuito Integrado 555
El temporizador 555 se puede conectar para que funcione de diferentes maneras, entre
los más importantes están: como multivibrador astable y como multivibrador
monoestable. Puede también configurarse para por ejemplo generar formas de onda tipo
Rampa
Multivibrador Astable
Este tipo de funcionamiento se caracteriza
por una salida con forma de onda cuadrada
(o rectangular) continua de
ancho predefinido por el diseñador del
circuito. El esquema de conexión es el que
se muestra. La señal de salida tiene un nivel
alto por un tiempo t1 y un nivel bajo por un
tiempo t2. La duración de estos tiempos
dependen de los valores de R1, R2 y C,
según las fórmulas siguientes:
Esquema de la aplicación de multivibrador astable del 555.
t1 = ln(2)*(R1 + R2)*C [segundos]
t1 ~ 0.693*(R1 + R2)*C y
t2 = ln(2)*R2*C [segundos]
t2 ~ 0.693*R2*C
La frecuencia con que la señal de salida oscila está dada por la fórmula:
ƒ ~ ________1_______
0.693*C*(R1+2R2)
el período es simplemente: T= 1/ ƒ
También decir que si lo que queremos es un generador con frecuencia variable,

debemos variar la capacidad de condensador, ya que si el cambio lo hacemos mediante
los resistores R1 y/o R2, también cambia el ciclo de trabajo o ancho de pulso (D) de la
señal de salida según la siguiente expresión:
D = (R1 + R2) / (R1 + 2R2)

Hay que recordar que el período es el tiempo que dura la señal hasta que ésta se vuelve
a repetir (Tb - Ta).

Si se requiere una señal cuadrada donde el ciclo de trabajo D sea del 50%, es decir que
el tiempo t1 sea igual al tiempo t2, es necesario añadir un diodo en paralelo con R2
según se muestra en la figura. Ya que, según las fórmulas, para hacer sería necesario
que R1 fuera cero, lo cual en la práctica no funcionaría.
CORRECCIÓN: Para realizar un ciclo de trabajo igual al 50% se necesita colocar el

resistor R1 entre la fuente de alimentación y la terminal 7; desde la terminal 7 hacia el
condensador se coloca un diodo con el ánodo apuntando hacia el condensador, después
de esto se coloca un diodo con el cátodo del lado del condensador seguido del resistor
R2 y este conjunto de diodo y resistor en paralelo con el primer diodo, además de esto
los valores de los resistores R1 y R2 tienen que ser de la misma magnitud.
Multivibrador monoestable
En este caso el circuito entrega a su salida
un solo pulso de un ancho establecido
por el diseñador.
El esquema de conexión es el que se

muestra. La fórmula para calcular el
tiempo de duración (tiempo en el que
la salida está en nivel alto) es:
T = ln(3)*R*C [segundos] T =
1.1*R*C [segundos]
Esquema de la aplicación de multivibrador monoestable del 555.
Nótese que es necesario que la señal de disparo, en la terminal #2 del 555, sea de nivel
bajo y de muy corta duración para iniciar la señal de salida.
EJERCICIOS
1. Determine la frecuencia y verifique la forma de onda de salida del circuito de la

figura 1.
2. Determine el periodo de la forma de onda de salida del circuito de la figura 2 cuando
lo dispara un pulso negativo.
3. Determine la frecuencia si cambiamos RA = 15kΩ. Calcular para ambos circuitos

Fig. 1 Multivibrador astable : (a) circuito; (b) formas de onda.
Fig. 2 Circuito monoestable

5. PROYECTOS DE APLICACIÓN
Circuito Integrado
Los circuitos integrados o chips son dispositivos que contienen una gran cantidad de
componentes electrónicos (diodos, transistores, resistencias, etc.) de muy pequeño
tamaños y conectados entre sí.

De esta forma se ahorra espacio y se reduce la posibilidad de error en las conexiones.

Los circuitos integrados más populares, aparte de los microprocesadores de los
ordenadores, son los llamados 555, que se usan como Temporizadores para regular
luces intermitentes, etc.
Cada circuito integrado tiene su simbología. Por lo general se representan mediante una
simple caja con el número de terminales que tengan; dentro de la caja se escribe alguna
indicación sobre el tipo de circuito del que se trata.
Circuito Impreso
Todos los componentes electrónicos (diodos, condensadores, resistencias, transistores,

circuitos integrados, etc.) anteriormente vistos se sueldan sobre una placa de material
conductor, configurando así lo que se conoce por circuito impreso.
Si se abre cualquier aparato electrónico (un ordenador, un DVD, etc.) lo que se verá será
un montón de circuitos impresos, de placas con componentes electrónicos.
ELABORACIÓN DE UN CIRCUITO IMPRESO
Un circuito impreso es una placa o soporte de material aislante (baquelita, fibra de

vidrio...) que inicialmente tiene una de sus caras cubierta de cobre. Después de un
proceso, se elimina parte del cobre, quedando el resto en forma de pistas conductoras
que unen componentes electrónicos, siguiendo un esquema eléctrico.
La placa de circuito impreso (PCI) tendrá al terminar el proceso, por un lado los
componentes electrónicos y por otro lado las pistas con las soldaduras.
Proceso de elaboración de PCI:
1º Diseñar un boceto del circuito electrónico a escala real (sólo pistas y puntos de
conexión) en papel pulgometrado (o milimetrado). Hay que tener en cuenta el tamaño

de los componentes y la distancia entre patillas o pines (1/10 de pulgada, 2,54 mm)
sobre todo en algunos elementos como potenciómetro, transistores, circuitos integrados.
2º Calcar el diseño anterior sobre papel vegetal. Este diseño del circuito impreso se
puede realizar también por medios informáticos, utilizando para ello herramientas
(software) desarrolladas para ello.
3º Preparar la placa virgen. Cortar la placa de baquelita y de cobre del tamaño del
circuito diseñado. Limpiar la cara cubierta por una fina capa de cobre. Se realiza un
lijado superficial, evitar tocar con los dedos. Realizar la impresión de las pistas y puntos
de conexión en la cara con cobre. Se pueden emplear varios métodos: Utilizar
rotuladores especiales. Se coloca el papel vegetal sobre la placa (lado de la tinta con el
lado del cobre).
Mediante un granete, se marcan levemente los puntos donde irán colocados los
terminales de los componentes.
Después se retira el papel vegetal y con un rotulador permanente se dibujan las pistas
y los puntos de conexión.
Utilizar tiras adhesivas. Se marcan los puntos de conexión igual que en el caso
anterior, pero en lugar de utilizar rotuladores se pegan tiras adhesivas y las arandelas de
conexión.
Utilizar método fotograbado. Se coloca el papel vegetal sobre la placa virgen una vez
fotosensibilizada, después se introduce en una insoladora. Este aparato emite luz
ultravioleta que altera el barniz fotosensible que recubre la placa, al sumergir la placa en
un baño de líquido revelador, el barniz endurecido por la luz realiza la misma función
que el rotulador o las tiras adhesivas.
4º Grabado (atacado) de la placa. Eliminar el cobre no necesario de la placa, es decir,

el que no ha sido cubierto con el rotulador. Se puede realizar en un recipiente o bandeja
de plástico donde se pondrá el líquido atacador, bien, una parte de ácido clorhídrico, dos
de agua oxigenada y tres de agua del grifo o bien, también se puede utilizar cloruro
férrico disuelto en agua.
Una vez que la placa se ha introducido en la disolución, al cabo de unos pocos minutos
el cobre formará parte de la disolución como cloruro de cobre. Se ha de prestar especial
cuidado en la manipulación de estos compuestos químicos, pues pueden ocasionar
quemaduras graves en la piel.
5º Limpieza y taladrado de la placa. Se limpiará la placa con agua, se eliminará con

alcohol el trazo del rotulador que aún queda sobre las pistas y puntos de conexión ( si
fueran tiras adhesivas se pueden lijar suavemente) y se secará. A continuación se
procederá a taladrar, con una broca del diámetro adecuado (1 ó 2 mm), en los puntos de
conexión, donde vayan a ir insertados los componentes.
6º Insertar los componentes y soldar. Una vez realizados los taladros, se pasa a
insertar los componentes y regletas de conexión en los lugares adecuados para
posteriormente soldarlos a la placa. Para ello se utiliza como ayuda el dibujo de la vista
de componentes realizada previamente.
7º Conectar la placa y comprobar su funcionamiento.

En la imagen inferior de la izquierda se muestra un ejemplo de circuito impreso; Se

ven bastante bien algunos diodos y condensadores cerámicos, muchas resistencias con
su código de colores, zócalos para los circuitos integrados (son las cajitas negras con
patas metálicas arriba y abajo) y condensadores electrolíticos de distinto tamaño (son
los cilindros blancos de borde oscuro).
La imagen inferior de la derecha representa las pistas y los puntos de conexión de una
placa de circuito impreso.
CÓDIGO DE COLORES

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