FACULTAD DE MECÁNICA

FACULTAD: MECÁNICA
CARRERA: INGENIERÍA DE MANTENIMIENTO INDUSTRIAL

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA

PRÁCTICA No 1.- Introducción de diodos semiconductores

1. DATOS GENERALES:

NOMBRES: CÓDIGOS:
Jorge Rivera 2311
Jaime Sánchez 2166
Darwin Quito 2233
Augusto Polo 2302

FECHA DE REALIZACIÓN: 17/05/2021 FECHA DE ENTREGA: 23/05/2022

2. OBJETIVOS:

2.1 OBJETIVO GENERAL

 Determinar las características del diodo de unión NP.

2.2 OBJETIVOS ESPECÍFICOS

 Identificar ánodo y cátodo, y probar un diodo semiconductor realizando una prueba de
resistencia directa-inversa usando óhmetro.
 Observar la forma en que los voltajes de polarización directa inversa afectan el flujo
de la corriente a través de un diodo semiconductor.
 Mostrar la relación entre el voltaje y la corriente de un diodo semiconductor trazando
una curva.

3. MARCO TEORICO

1. Un diodo de unión PN es un dispositivo semiconductor que permite que la corriente

fluya a través de él solo en una dirección.
2. El material tipo P (positivo) de una reunión PN del ánodo, en tanto que el material tipo
N (negativo) es el cátodo.
Se denomina diodo de unión p-n al dispositivo constituido mediante una unión p-n con dos
terminales y cuyo objetivo, en general, será conducir corriente eléctrica en un solo sentido.

Un diodo se forma de materiales que son conductores parciales, generalmente silicio o

germanio. Parte del semiconductor se trata de tal manera que tenga un exceso de electrones
(material tipo N). La otra parte del semiconductor se trata para que tenga una deficiencia de
electrones (material tipo P). A este tipo de diodo con frecuencia se le llama unión PN.
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Fig. 1. Flujo de la corriente.

En la unión entre las dos clases de material se forma una barrera de voltaje, que impide que
los electrones del material tipo N pasen al material P.

UNIÓN P-N POLARIZADA.

Se entiende como polarización de una unión p-n a la aplicación externa de una diferencia de
potencial continua o con un determinado sentido a la unión. La polarización del diodo puede
ser en directa o en inversa, como veremos a continuación.
Unión p-n polarizada directamente La unión p-n está polarizada directamente cuando a la
región p se le aplica un potencial mayor que a la región n. Para ello, tal y como se ve en las
Figuras 5.1 y 5.2, se debe conectar el polo positivo de la batería al ánodo del diodo (zona p) y
el polo negativo al cátodo (zona n).

Fig. 2. Unión p-n polarizada en directa.

Cuando se aplica un voltaje con las polaridades como se muestra, se vence la barrera y los
electrones fluyen desde N a P. Bajo esta condición se dice que la unión está polarizada
directamente. La corriente sigue fluyendo mientras se mantenga el voltaje aplicado. Cuando
se invierte la polaridad del voltaje aplicado, fluye poco o ninguna corriente a través de la
unión PN. Bajo esta condición se dice que la unión PN ésta polarizada en forma inversa. La
corriente convencional fluye a través del diodo en dirección de la flecha, en tanto que los
electrones fluyen en dirección opuesta a la de la flecha.
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En la figura se muestra una curva característica típica de un diodo, que muestra que se
necesita muy poco voltaje de polarización directa para producir un gran flujo de corriente, y
naturalmente lo contrario también es cierto se necesita un voltaje de polarización inversa muy
alto para producir un flujo de corriente inversa. Generalmente el voltaje inverso está en
decenas o centenas de voltios, en tanto que el voltaje directo está en décimos de voltios.

Fig. 3. Curva de funcionamiento real del diodo.

Los huecos de la región p y los electrones de la región “n” son empujados hacia la unión por
el campo eléctrico Epol a que da lugar la polarización. Por lo tanto, se reduce la anchura de la
zona de transición.
El campo eléctrico de la polarización Epol se opone al de la unión Eu. Así, se reduce el campo
eléctrico de la unión y, consecuentemente, la barrera de potencial, la barrera de potencial sin
polarización es VJ=Vo. Con la polarización directa de la unión p-n se reduce en la forma
VJ=Vo-V, siendo V la tensión directa aplicada a dicha unión, tal y como se muestra en la
figura siguiente.

Fig. 4. Representación circuital del diodo polarizado en directa y conexión real.

En la práctica, el diodo siempre trabaja con barrera de potencial VJ en la unión, incluso con
polarización directa. Si se aplicara suficiente polarización directa para que se anulara la
barrera de potencial, circularía una corriente excesiva por la unión y podría destruirse ésta por
sobrecalentamiento.
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4. EQUIPO Y MATERIALES

Fuente de energía 0-40 Vcd, 10mA

Miliamperímetro 0-0.1/10mAcd
Voltímetro 0-3 Vcd
Multímetro
CR1 - CR4 Diodos de silicio
R1 10kΩ, 1W
Tablero de conexión

5. PROCEDIMIENTO PARA EL EXPERIMENTO

Objetivo A. Identificar ánodo y cátodo, y probar un diodo semiconductor realizando una

prueba de resistencia directa-inversa usando un óhmetro.
1. a) Examine los cuatro diodos de silicio CR1-CR4 e identifique las terminales cátodo y
ánodo. Por lo general se marca el extremo del cátodo de un diodo mediante una banda
circular o un punto de pintura en el encapsulado o punta.
A veces se marca el símbolo de diodo en el encapsulado. Describa la manera en que están
marcados los cátodos de los diodos CR1-CR4.
Si el diodo no está marcado, se determina con sencillez cuál es el ánodo y cual el cátodo
mediante una comprobación de resistencia.

b) Verifique que la fuente de voltaje del óhmetro en las puntas permanezca constante al
pasar los rangos de resistencias de R x 10 y R x 100 a R x 1 MΩ.
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2. a) La prueba de óhmetro de diodo en buen estado revelará que el diodo tiene baja
resistencia directa y resistencia inversa muy alta.

b) Conecte la punta común (negativa) al extremo del cátodo de uno de los diodos de silicio y
la punta de ohmios (positiva) al otro extremo.

c) Mida la resistencia hacia delante de cada diodo de silicio.

Resistencia directa de CR1 =655.10Ω
Resistencia directa de CR2 =655.10Ω
Resistencia directa de CR3 =655.10Ω
Resistencia directa de CR4 =655.10Ω
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Los diodos de silicio en buen estado deben medir entre 50 y 700 ohmios en la condición de
polarización directa.

d) Invierta las conexiones del diodo de manera que conecte el ánodo a la punta común del
medidor y el cátodo a la punta de ohmios. Ahora el diodo está en la condición de
polarización inversa. Use el rango de resistencia más alto del óhmetro para medir la
resistencia inversa de cada diodo de silicio.
Resistencia inversa de CR1 =MAXΩ
Resistencia inversa de CR2 =MAXΩ
Resistencia inversa de CR3 =MAXΩ
Resistencia inversa de CR4 =MAXΩ
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Los diodos de silicio en buen estado deben medir entre 10MΩ y 1000MΩ en una condición
de polarización inversa. El valor exacto de la resistencia inversa no tiene importancia en sí
mismo.

Objetivo B. observar la forma en que los voltajes de polarización directa e inversa afectan el
flujo de la corriente a través de un diodo semiconductor.

a) Monte el circuito que se muestra en la figura. Asegúrese de conocer correctamente la

polaridad del miliamperímetro y la del diodo. La resistencia R1 en serie se incluye sólo
como dispositivo de protección, y limita la corriente de la fuente de energía a un valor
seguro.

b) Gradualmente aumente el voltaje E s de la fuente hasta que el miliamperímetro indique

0.02mAcd de corriente I f directa del diodo. En la tabla 24-1 anote la caída del voltaje E f
directa del diodo.

La caída del voltaje directa a 0.02mAcd de corriente directa debe ser entre 0.35 y 0.45 Vcd.
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c) Repita y anote E f para cada uno de los pasos de I f de la tabla. Cambio el rango del
miliamperímetro a 1mAcd cuando lo requiera.

IF EF IF EF
0.02mA 0.41V 0.4mA 0.54V
0.04mA 0.44V 0.6mA 0.56V
0.06mA 0.46V 0.8mA 0.57V
0.08mA 0.47V 1mA 0.58V
0.1mA 0.48V 2mA 0.62V
0.2mA 0.51V 3mA 0.64V
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1 Conexión de un diodo en polaridad directa a 0.02Ma

2 Conexión de un diodo en polaridad directa a 0.04mA

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3 Conexión de un diodo en polaridad directa a 0.06mA

4 Conexión de un diodo en polaridad directa a 0.08mA

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5 Conexión de un diodo en polaridad directa a 0.10mA

6 Conexión de un diodo en polaridad directa a 0.20mA

d) Regrese el voltaje a cero e invierta las conexiones del diodo de silicio.

e) Cambie el rango del miliamperímetro a 0.1µAcd y el rango del VOM a 50Vcd.

f) Ajuste la fuente de energía a 50Vcd y mida la corriente inversa (de fuga) del diodo, I R .
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I R indicada = 0.50 µAcd

Debe medir entre 0.3 µA y 4.7 µA

No entra en el rango ya que se está utilizando un diodo 1N4001 entonces se puede decir que
los resultados dependen del tipo de diodo que se utilice.

g) Exprese si parte de la corriente de fuga indicada I R se debe a la presencia del VOM en el

circuito.

El VOM toma casi toda la corriente indicada. La cantidad exacta se puede determinar
desconectando el VOM mientras observa el miliamperímetro. La corriente de fuga del diodo
debe ser muy baja, inferior a 1µAcd.

h) Ajuste el voltaje a cero.

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Objetivo C. mostrar la relación entre el voltaje y la corriente de un diodo semiconductor

trazando una curva.

a) Grafique los datos obtenidos en el procedimiento 3 en la gráfica. Trace una curva suave
a través de los puntos marcados.

b) Examine la curva y note que la caída del voltaje directo del diodo E F aumenta con el flujo
de la corriente directa I F hasta que se alcanza un punto en que E F permanece relativamente
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constante mientras que I F sigue aumentando. En este punto, se dice que el diodo está
completamente polarizado directamente. ¿Aproximadamente a qué voltaje se polariza el
diodo totalmente en forma directa?
E F =0.7Vcd

La curva debe indicar polarización completa en forma directa entre 0.5 V y 0.7 V, lo que es
típico para los diodos de silicio.

6. RESUMEN

Una vez finalizado la práctica, se identificó las terminales del cátodo y el ánodo de un diodo
semiconductor usando un óhmetro; luego determino que un diodo en buen estado tiene baja
resistencia cuando está polarizado directamente y alta resistencia cuando está polarizado
inversamente. También observó la manera en que los voltajes de polarización afectan el flujo
de la corriente a través de un diodo. Por último, demostró la relación entre el voltaje y la
corriente de un diodo semiconductor y determino la caída de voltaje para una unión PN
polarizada completamente en forma directa.

7. CUESTIONARIO

1. La terminal del cátodo de un diodo semiconductor se puede identificar mediante:

a. Un signo negativo (-) marcado en el encapsulado.
b. Una banda circular marcada en el encapsulado.
c. Un símbolo de Ω marcado en el encapsulado.
d. Ninguno de los anteriores.

2. La flecha en un símbolo de un diodo semiconductor:

a. Representa el cátodo del diodo.
b. Indica que se puede variar la corriente.
c. Indica que se puede variar el voltaje.
d. Apunta en la dirección del flujo de la corriente convencional.

3. Cuando un diodo semiconductor en buen estado está polarizado directamente.

a. Su resistencia directa es alta.
b. Su voltaje directo es alto.
c. Bloquea el flujo de la corriente.
d. Puede conducir corriente.

4. Un diodo semiconductor esta polarizado directamente cuando:

a. El cátodo está negativo con respecto al ánodo.
b. El ánodo es positivo con respecto al cátodo.
c. Ni (a) ni (b).
d. Tanto (a) como (b).
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5. Un diodo semiconductor en buen estado tiene:

a. Baja resistencia directa y elevada resistencia inversa.
b. Elevada corriente directa y baja resistencia inversa.
c. Elevada resistencia inversa y elevada resistencia directa.
d. Baja corriente directa y elevada corriente inversa.

6. La caída de voltaje a través de un diodo de silicio en buen estado cuando está polarizado
completamente en forma directa es:
a. 0.3V
b. 5.0-7.0V
c. 0.3-0.7V
d. 0.5-0.7V

FIRMAS:

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DOCENTE ESTUDIANTE RESP. LABORATORIO