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CURSO: Dispositivos y Circuitos electrónicos

UNIDAD I : Fundamentos de los dispositivos electrónicos

SEMANA 4:
• Juntura semiconductora
• Electrostática de juntura perfiles
de dopaje idealizado
• Conclusiones

DOCENTE:
Luis E. Castillo M.
UNION PN
 ¿QUÉ VIMOS EN LA SESIÓN ANTERIOR?

- Resistividad
- Conductividad
SEMICONDUCTOR P 8 ( O INTRINSECO)
SEMICONDUCTOR N (O EXTRINSECO)
PRESENTACIÓN DE LA SESIÓN

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Al finalizar, el estudiante comprenderá los conceptos de juntura semiconductora,

electrostática de juntura perfiles de dopaje idealizado ; en forma coherente y para
su aplicación en los dispositivos electrónicos.

Temario

• Introducción
• Juntura semiconductora
• Electrostática de juntura perfiles de
dopaje idealizado
• Conclusiones
1. INTRODUCCIÓN

▪ En los semiconductores existe un fenómeno llamado dopaje, que

viene del inglés "doping" que significa agregar impurezas a un material
semiconductor con el fin de modificar sus propiedades electrónicas.

▪ Dos clases de impurezas son necesarias en la industria de los

semiconductores: las impurezas que pueden liberar electrones en la
red, o bien las impurezas que pueden atrapar electrones de la red. El
material resultante, en el primer caso se denomina Tipo N, mientras
que en el segundo caso se' Ilama Tipo P.
2. JUNTURA SEMICONDUCTORA

- El material semiconductor dopado con impurezas Aceptoras o Donantes no tiene

mayores aplicaciones, salvo la implementación de resistencias, fijas o dependientes de
la temperatura.
- Las uniones de materiales semiconductores con distinto tipo de dopado forman lo que
se conoce como junturas PN.
- Sobre un mismo trozo de semiconductor, se efectúa a través de máscaras dopados
del tipo N y tipo P en diferentes zonas estableciendo así una zona dopados del tipo N
y tipo P en diferentes zonas, estableciendo así una zona de contacto o unión entre
ambos
2.1.- JUNTURA PN EN EQUILIBRIO

- El movimiento por difusión de portadores n hacia el material P forma una zona de

carga con iones positivos cerca del borde. Lo mismo sucede con los huecos que se
mueven hacia el material N, formando en este caso una zona de cargas con iones
negativos → “Zona de Vaciamiento”.
- Esta concentración de cargas en la unión da como resultado la aparición de un campo
eléctrico, el cual irá en aumento a medida que se produzca la difusión.
3. ELECTROSTATICA DE JUNTURA PERFILES DE
DOPAJE IDEALIZADO

- La electrostática de juntura en perfiles de dopaje idealizados se refiere al estudio de

la distribución de carga eléctrica en una unión PN o NP en la que los perfiles de
dopaje se han diseñado de manera ideal.

- En este contexto, un perfil de dopaje idealizado se refiere a una distribución teórica

de impurezas dopantes en el material semiconductor que se utiliza para modelar la
estructura de la unión PN.
3. ELECTROSTATICA DE JUNTURA PERFILES DE
DOPAJE IDEALIZADO

- La electrostática de la juntura PN está determinada por la distribución de cargas

eléctricas en la región de la juntura.

- Cuando se aplica una tensión externa a la unión, se produce un campo eléctrico en la

región de la juntura que modifica la distribución de cargas eléctricas y afecta el
comportamiento eléctrico de la unión.

- La distribución de cargas eléctricas depende de varios factores:

o Tipo y la concentración de los dopantes en las dos regiones del semiconductor
o La geometría de la unión
o La temperatura
o La presencia de campos eléctricos externos.

- En la fabricación de dispositivos semiconductores, como los diodos y los transistores,

se utilizan técnicas de dopaje para modificar las propiedades eléctricas del material.
¿Preguntas o comentarios?
CONCLUSIONES
▪ En los semiconductores existe un fenómeno llamado dopaje, que viene del
inglés "doping" que significa agregar impurezas a un material semiconductor con
el fin de modificar sus propiedades electrónicas.

▪ El material semiconductor dopado con impurezas Aceptoras o Donantes no tiene

mayores aplicaciones, salvo la implementación de resistencias, fijas o
dependientes de la temperatura.

▪ La electrostática de juntura en perfiles de dopaje idealizados se refiere al estudio

de la distribución de carga eléctrica en una unión PN o NP en la que los perfiles
de dopaje se han diseñado de manera ideal.

▪ La electrostática de la juntura PN está determinada por la distribución de cargas

eléctricas en la región de la juntura.
ACTIVIDADES

Cuestionario On line : 15 minutos

Próxima semana
Practica Calificada Nro.1 (10% Nota Final)

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- Desarrollar el cuestionario
¿Qué hemos aprendido hoy?
• Bibliografía Base:
o BOYLESTAD. ELECTRONICA: TEORIA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS
ELECTRONICO.
• Bibliografía Complementaria:
o CAMPANA VALDERRAMA, RENATO. (2012). Los dispositivos electrónicos
semiconductores.
o CARMEN BAONA, MANUEL BELLIDO. (2010). Problemas y circuitos de
sistemas. Floyd, Thomas L. Dispositivos electrónicos.
o Boylestad, Robert. (2012). Teoría de circuitos. Pleite Guerra, Jorge - Autor.
Electrónica analógica para ingenieros. McGraw-Hill España.
https://elibro.net/es/lc/utpbiblio/titulos/50175
o Elena López Guillén - Autor. Fundamentos de electrónica (2a.ed.). Editorial
Universidad de Alcalá. https://elibro.net/es/lc/utpbiblio/titulos/53477
o Leñero Bardallo, Juan Antonio. Fundamentos de la electrónica y los
semiconductores. Servicio de Publicaciones de la Universidad de Cádiz.
o Juan José Galiana Merino - Autor. Problemas resueltos de electrónica
analógica. ECU. https://elibro.net/es/lc/utpbiblio/titulos/62366
Gracias
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