Imperfecciones en los arreglos atomicos y idnicos é50-ha preguntado alguna vez? Por qué los cristales de silcio, utilizados en fa fal cantidades de dopantes, como fésforo 0 boro? Por qué los metales CCCa (cibico centrado en dlictiles que los metales CCCu (cibico centrado ¢ El arreglo de los &tomos o iones en los materiales disefiados tiene imperfecciones o defectos. Estos defectos tienen con frecuencia un efecto profundo sobre las propiedades de los materiales. En este capitulo, se introducen los tres tipos basicos de im- perfecciones: defectos puntuales, defectos lineales {0 dislocaciones) y defectos superficiales. Estas im- perfecciones sélo representan defectos en 0 desvia- 90 ris ciones con respecto a los arreglos atémicos 0 ion" perfectos o ideales esperados en una estructure talina dada. Al material no se le considera defec*. eo desde un punto de vista de la aplicacion. En mus" aplicaciones, la presencia de tales defectos ef realidad Util. Sin embargo, existen unas cuentas? caciones en donde se tratara de minimizar v"". de defecto en particular, Por ejemplo, los de"? igh tram nates ACS Sobwimayo TWO R “ |conocidos como distocaciones son ttiles para aumen- tar la resistencia de metales y aleaciones. Sin embar g0, en el siicio monocristalino, utiizado para la fabri cacién de chips de computadoras, no es deseable la presencia de dislocaciones. Con frecuencia se crean "defectos” de manera intencional para producir un conjunto deseado de propiedades electronicas, mag- néticas, épticas y mecénicas. Por ejemplo, el hierto puro es relativamente blando, aunque, cuando se le adiciona une pequefia cantidad de carbono, se crean defectos en el arreglo cristalino del hierro y se con- vierte en acero al carbono simple que presenta una resistencia considerablemente mayor. De manera si- milar, un cristal de almina pura (Al,O,) es transparen- tee incoloro, pero, cuando se le adiciona una pequefia cantidad de cromo (C1), se crea un defecto especial, que resulta en un cristal de rubt rojo hermoso. Los limites de los granos, regiones entre dis- tintos granos de un material policristalino, represen- 4-1 Defectos puntuales 91 tan un tipo de defecto que puede controlar propie- dades. Por ejemplo, los nuevos superconductores cerémicos, bajo ciertas condiciones, pueden con- ducir electricidad sin ninguna resistencia eléctrica Los cientificos e ingenieros de materiales han fabri- cado alambres o cintas largas de esos materiales, También han descubierto que, aunque la corriente fluye bastante bien dentro de los granos de un Su- perconductor policristalino, existe una considera- ble resistencia al flujo de corriente de un grano a otto: a través del limite del grano. Por otro lado, la presencia de los limites de los granos en realidad ayuda a endurecer materiales metélicos. En capi- tulos posteriores, se mostraré cémo se pueden controlar las concentraciones de estos defectos a través del ajuste de la composicion o de las técni- cas de procesamiento. En este capitulo, se explora la naturaleza y los efectos de los diferentes tipos de defectos. ent oe ou pal eM GHSY ai ob nhs Los defectos puntuales son interrupciones localizadas en los arreglos iénicos o atémicos en una 2 estructura cristalina que de otra manera seria perfecta, Aun cuando se les llaman defectos pun- 1 tuales, la imperfecci6n afecta una regién que involucra varios de los 4tomos 0 iones cercanos. Estas imperfecciones, mostradas en la figura 4-1, pueden ser introducidas por el movimiento de Jos 4tomos o iones cuando ganan energia al calentarse, durante el procesamiento del material o por la introduccién de otros étomos. La diferencia entre una impureza y un dopante es la que sigue: por lo general, las impurezas son elementos 0 compuestos que se presentan a partir de Jas materias primas 0 del procesamiento. Por ejemplo, los monocristales de silicio crecen en crisoles de cuarzo que contienen oxigeno como impureza. Por otro lado, los dopantes son ele- ‘mentos o compuestos que se adicionan de manera intencional, en concentraciones conocidas, cn localizaciones especificas en la microestructura, buscando un efecto benéfico deseado sobre las propiedades o el procesamiento, En general, el efecto de las impurezas es perjudicial, mien- tras que el efecto de los dopantes sobre las propiedades de los materiales es util. El fésforo (P) y el boro (B) son ejemplos de dopantes que se adicionan a cristales de silicio para mejorar o alterar las propiedades eléctricas del silicio puro (Si). Por lo general un defecto puntual involucra un étomo 0 ion, o un par de dtomos 0 iones y por tanto es distinto de los defectos extendidos, como las dislocaciones, mites de grano, etc, Un “punto” importante acerca de los defectos es que aunque los defectos aparecen en uno o dos sitios, su presencia se “‘siente” a distancias mucho més extensas en un material cristalino. Vacancias Se produce una vacancia cuando un étomo o un ion estén ausentes de su sitio normal en la estructura cristalina, como en la figura 4-1a), Cuando los toms 0 iones estén92 CAPITULO 4 Imperfect 1e8 on los arreglos atémicos y idnicos a) b) 9, @) ° p Figura 4-1 Defectos puntuales: a) vacancia, b) étomo intersticial, c) atomo sustitucional pequeno, 4d) atomo sustitucional grande, ¢) defecto de Frenkel y f) defecto de Schottky, Todos estos defectos Perturban el arregio perfecto de los étomos que lo rodean y crean un esfuerzo en la estructura cristalina ausentes (es decir, cuando se presentan vacancias), aumenta el cardcter aleatorio 0 entropia general del material, lo cual aumenta la estabilidad termodinémica de un material cristalino. Todos los materiales cristalinos tienen defectos de vacancia. Las vacancias se introducen en Jos metales y aleaciones durante la solidificaci6n, a altas temperaturas, o como consecuencia de dafios por radiaci6n. Las vacancias desempefian una funcién importante en la determina- cién de la velocidad a la que los étomos o iones pueden moverse alrededor de, o difundirse en un material s6lido, especialmente en metales puros, En el capitulo 5 se observaré con ‘mayor detalle este defecto. En algunas otras aplicaciones, se hace uso de las vacancias creadas en un material cerdmico para afinar sus propiedades eléctricas. Esto incluye muchas cerdmicas que se utilizan como 6xidos conductores y transparentes como el 6xido de estafio ¢ indio (ITO, por sus siglas en inglés) y los sensores de oxigeno de circonio (Z0,). A temperatura ambiente (~300 K), la concentracion de vacancias es pequefla, pero aumenta exponencialmente a medida que se aumenta la temperatura, con el siguiente comportamiento tipo Arrhenius: mo noro( 322) ) donde n, es el nimero de vacancias por cm*; ‘nes el ntimero de dtomos por cm*; Q, ¢s la energfa requerida para producir un mol de vacancias, en cal/mol Joules/mol; cal Joules Res la constante de | 1.987 Su 831 ONS; ¢* la constante de los gases 1.987 — eu 8.31 ONS y Tesla temperatura en grados Kelvin, Debido a la gran energfa térmica que tienen los tomos cerca de la temperatura de fusién de un material, puede haber hasta una vacancia por cada 1000 étomos. Observe que esta ecuacién provee la concentraciGn de equilibrio de las vacancias/a una temperatura dada. Tam- bién es posible mantener una alta concentraciGn sin equilibrio de las vacancias producidas a4-1. Defectos puntuales 93 Ez Efecto de la tomperatura sobre las concontracionas de las vacancias Caleule la concentracién de | temper l le las vacancias en el cobre a 25 ° scat jr naan Sine hen ante Producidas sea 1 000 veces mas que la concentracién de equilibrio de las vacancias a temperatura ambi nitinol dé vacancias én el Sea ‘Suponga que se requieren 20 000 cal para producir SOLUCION El pardmetro de red del cobre CCCa (ctibi (cibico centrado en la cara) es 0.36151 nm, Por tanto, la base es 1, 1 ntimero de étomos de cobre, o puntos de ae es: pact Omes esicabey S 3 6151 x 10-*emy 8.47 x 10” étomos de cobre/em" A25°C,T = 25 + 273 = 298K: 3 ne=nexe( aa") cal | -20000 -(6 41x 10? none) @ er wo 1,987 yg X 298 K " ot = 1.815 x 10° vacancias/om? ; b ‘Se desea encontrar una temperatura de tratamiento térmico que conduzca a una siti ae Goncentracion de las vacancias que sea 1000 veces mayor que este ntimero, 07, = 1.815 x 10" vacancias/em*. "Se puede hacer esto calentan _cantidad de vacancias: do el cobre a una temperatura a la que se forme esta’ To a1 815 X08, 52 on(Z) i = (8.47 x 10) exp(—20 000/(1.987 x T)) | =20000 ) _ 1.815% 10% _ 9.914 x 10° oer) BATX 102 26.87 1 £20000 _ jy(0.214 x 10") 1.9877 __20000___ _ 375K = 102°C T= (9872687) “| de 100°C, hasta que se alcance elequilibrio temperatura ambiente, la cantidad w ‘i sramente arriba en lige tando el eobreligeramente Nr Tesresoa después enfridndolo rapi94 CAPITULO4 —_Imperfecciones en los arreglos atémicos y iénicos vacanciasatrapadas en la estructura puede ser 1000 veces mayor sues Cantidad ae equilibrio de vacancias a temperatura ambiente, Por tanto, las coneentraciones de es vacancias encontradas en los materiales relativamente puros con frecuencia estin de. terminadas tanto por factores termodinémicos como cinéticos. bree Concentraciones de las vacancias en el hierro Determine la cantidad necesaria de vacancias para que un cristal de hierro CCCu (ci. bico centrado en el cuerpo) tenga una densidad de 787 g/cm’. El pardmetro de red del hierro CCCu es de 2.866 x 10-§ cm. SOLUCION La densidad tedrica esperada del hierro puede calcularse a partir del pardmetro de red y de la masa atémica. Dado que el hierro es CCCu, estén presentes dos 4tomos de hierro en cada celda unitaria. (2 étomos/celda)(55.847 g/mol) (2.866 x 10-8 cm)3(6.02 x 1025 dtomos/mol) Se desea producir hierro con una densidad de 787 g/cm®, Esto puede hacerse intro- duciendo de manera intencional vacancias en el cristal. Calcule la cantidad de dtomos de hierro y vacancias que estarfan presentes en cada celda unitaria para la densidad requerida de 787 g/cm’. ( atomos/celda)(55.847 g/mol) = 7.8814 g/cm> p = 7.87 g/cm? P* @.866 x 10-* cm)*(6.02 x 10 étomos/mol) 8 X étomos/celda = 782-866 x 1078)°(6.02 X10) _ 1 gg, 55.847 O, debe haber 2.00 ~ 1.9971 = 0.0029 vacancias por celda unitaria. El numero de vacancias por cm? es: 0.0029 vacancias/eelda (2.866 x 10-® em)* Se supone que la introduccién de vacancias no cambia la constante de red, Si se dispu- siera de informacién adicional, como la energfa requerida para producir una vacancia en el hierro, podria ser posible disefiar un tratamiento térmico (como se hizo en cl ejemplo 4-1) para producir esta concentracién de las vacancias, Vacancias/em? = = 1,23 x10” Defectos intersticiales Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un étomo 0 un ion adicional en la estructura cristalina en una posicién por lo general desocupada, como en Ja figura 4-15). En la tabla 3-5 se ilustraron los sitios intersticiales. Los Atoms u iones interst- ciales, aunque son mucho més pequefios que los étomos o los jones localizados en Jos puntos de red, siguen siendo mayores que los sitios intersticiales que ‘ocupan. En consecuencia, I regiOn cristalina circundante est comprimida y distorsionada. Los étomos intersticiales com0 los del hidrégeno se presentan con frecuencia como impurezas;mientras que los étomos ¢2 carbono se adicionan intencionalmente al hierro para producit acero, Para concentraciones Pequefias, los atomos de carbono ocupan sitios intersticiales en la estructura cristalina de!hierro, introduciendo vi ‘manente en los metales y aleaciones 1 Sitios intersticiates para el carbono en el hieiro En el hierro CCCa, los dtomos de cat aria ( de 0.071 nm. 1) {Esperaria una m, intersticial en el hierro CCCa o « earbono en cada tipo de hierro «4 SOLUCION 1 Se puede calcular el tamano del sitio intersticial en la localizacion 1/4, ayuda de la figura 4-2a). El radio R ‘cocy del atomo de hierra es: : omen ae Sitio 3.0 Sitio 1,0, 0.4 Sitio 3, 3,3 en el centro del cubo enlos CCCa z~- Uno de los sitios tipo 4,0, 0 enlos CCCa ney ° CCCa, o) Los centros de las aristas y los centros de los cubos son algunos a )) intersticiaies en la estructura CCCa (para el ejemplo 4-3) a 4-1 Defectos puntuales 95 a un esfuerzo en la region localizada del cristal en su alrededor. Si existen INP NE Gislocaciones en los cristales que tratan ‘te, moverse alrededor de estos tipos de defectos, y enfrentan una resistencia a su movimiento, dificultando la ereacién de una deformacin per- , i sta es un importante de incrementar la resis- tencia de los materiales metdli iferenca de at seen nae itbono se localizan en los sitios octaédricos en el ova cada atista de la celda unitaria (1/2,0,0) yenel centro de la celda unitaria (1/2, 1/2, 1/2). En el hierro CCC. | ‘ayor distorsién del cristal por un tomo de carbono n el CCCu? 2) {Cusl serfa el porcentaje atémico de Se llenaran todos los sitios intersticiales? 1.1/2.0 con la 18 Ios sitios,CAPITULO 4 Imperfecciones en los arreglos atomicos y iénicos A partir de la figura 4-2a),se encuentra que: 2 2 * . (desl « Coa) Cas te) Crasertiit + Recon)” = 0.31255 = (0.3125)(0.2866 nm)? = 0.02567 nm? Tratentaat = V0-02567 — 0.1241 = 0.0361 nm Para el hierro CCCu, el sitio intersticial como el 1/2, 0,0'se encuentran a lo largo ge las direcciones (100). Por tanto, el radio del étomo de hierro y el radio del sitio inter. ticial son [figura 4-2b)]: N2ay _ (V2)03571) = 9.1965 nm 4 Roca = ~G 2rintersiciaa + 2Recca = 40 rouman = 23571 xo DER) Seay can El sitio intersticial en el hierro CCCu es menor que el sitio intersticial en el hierro CCCa, Dado que ambos son menores que el tamaiio del étomo de carbono, el carbono distorsiona la estructura cristalina CCCu ms que la cristalina ©CCa. Como resultado, se espera que entren menos dtomos de carbono en las posiciones intersticiales en el hierro CCCu que en las del hierro CCCa. 2. En el hierro CCCu, se esperan dos étomos de hierro en cada celda unitaria. Se puede encontrar un total de 24 sitios intersticiales del tipo 1/4, 1/2, 0; sin embargo, dado que cada sitio se localiza en una cara de la celda unitaria, s6lo la mitad de cada sitio pertenece de manera tinica a una sola celda. Por tanto, ssi Be (24 sitios) 6) ~ 12:sitios intersticiales por celda unitaria Si se llenaran todos los sitios intersticiales, el Porcentaje atémico del carbono conte- nido en el hierro seria 12 dtomos de C % C= 12 dtomos de C + 2 dtomos de Fe x 100 = 86% En el hierro CCCa, se esperan cuatro dtomos de hierro en cada celda unitaria y e! mimero de sitios intersticiales octaédricos es: 1 3 (12 aristas) @) + 1 centro = 4 sitios intersticiales por celda unitaria [figura 4-2c)] De nuevo, sise llenaran todos los sitios intersticiales octaédricos, el porcentaje atémico del carbono en el hierro CCCa serfa: 4 dtomos de C 4 atomos de C + 4 dtomos de Fe Como se verd en un capitulo posterior, el porcentaje maximo atémico del carbono Presente en las dos formas del hierro bajo condiciones de equilibrio es CCCu: 1.0% CCCa: 8.9% Debido a la deformacion impuesta sobre la estructura cristalina del hierro por 10s 4tomos intersticiales, particularmente en el hierro CCCu, la fraccién de los sitios in- x 100 = 50% tersticiales que puede ocuparse es bastante pequefia,Otros defectos puntuales = 97 Defecto: i , pa eee aconeles Se introduce un defecto sustitucional cuando se remplaza un éto- Fasttnclo patos 2. istinto de &tomo 0 ion camo en Ia figura 4-1) yd). Los étomos 0 iones ser ligeraments ores ios normales de red. Los étomos oionessustitcionales pueden Broo ce cede ares gue los tomes o jones normales en la estructura cristalna, en este Fe eisanan acl los interat6micos circundantes, o pueden ser menores ocasionan- Mesteietectos Gusti cena au tengan espaciados interatémicos mayores. En cualquier caso, occa. ales alteran las distancias interat6micas en el cristal circundante. De iuevo, los defectos sustitucionales pueden introducirse como una impureza o como una adi- cion deliberada en la aleaci6n y, una vez introducidos,el nimero de defectos es relativamente independiente de la temperatura. q 6 Los ejemplos de defectos sustitucionales incluyen la incorporacién de dopantes tales como sv el f6sforo (P) 0 el boro (B) en el Si. De manera similar, si se adicionara cobre al nfquel, los meg Atomos de cobre ocuparan los sitios cristalograficos donde los 4tomos de niquel estarian nor- 29 malmente presentes. Los dtomos sustitucionales con frecuencia aumentan la resistencia del material metélico. Los defectos sustitucionales también aparecen en los materiales cerdmicos. pe Por ejemplo, si se adicionara MgO al NiO, los iones Mg*? ocuparfan los sitios Ni‘? y los iones oO m del ‘MgO ocuparfan los sitios O-? del NiO. Que se adicionen étomos 0 iones en los sitios intersticiales o sustitucionales depende del tamaiio y la valencia de los &tomos 0 iones hués- pedes en comparacién con el tamafio y la valencia de los iones anfitriones. El tamafio de los sitios disponibles también desemperia una funcidn en esto. fa. fi0s defectos puntuales 5 ao Se crea una intersticialidad cuando un dtomo idéntico a aquellos en los puntos de red norma- or Tes se localiza en una posicién intersticial. Estos defectos son muy féciles de encontrar en las estructuras cristalinas que tienen un factor de empaquetamiento bajo. Un defecto de Frenkel es un par vacancia intersticial formado cuando un ion salta de un punto normal de red a un sitio interstcial, como en la figura 4-1e), dejando atrés una vacancia. ungue éste se describe para un material idnico, un defecto de Frenkel puede aparecer en motes y en materiales enlazados de manera covalente. Un defecto de Sehotthy, figura 4-1), rr Gnieo para los materiales iénicos y se encuentra de manera comtin en muchos materiales ce ncooe Bin este defecto las vacancias ocurren en un material enlazado de manera iénica; Sear debe faltar un niimero estequiométrco de aniones y cationes en el erstal para que se con cers noutralidad elctrica en el cristal, Por ejemplo, un Mg"? y un © ? fltantes en el aD eonstiujen un par de Schott Enel Z+O,, por cada ion sean fatant hab dos iones oxigeno faltantes. , Tg defesto puntual sustitucional importante ocurre cuando union de una carga remplaza Peo de una carga diferente, Esto podria ser el caso cuando aus GBeR EAS valencia de +2 laza figura 4-3). En este caso, se introduce en la estructura ‘on con una valencia de +1 (figura 4-3 u Bid carga positive n tra, Para mantener un equiibrio de cargas podria crearse una vacancia Figura 4-3 Cuando un cation divalente ‘ remplaza un cation monovelente, e@2' (®) tambien debe eliminerse un segundo cation monovalente, e2e@ Q _ DEO vere vec @202 2@-@98 43 CAPITULO 4 —_Imperfecciones en los arreglos atémicos y iénicos Dislocaciones donde por lo regular se localizarfa un catién +1, De nuevo, esta imperfeccién s¢ los materiales que tienen un promunciado enlazamiento idnico. Por tanto, en los slidos iénieos, cuando se introducen defectos puntuales tienen gy, servarse las siguientes reglas: ob Observe " a) debe conservarse un equilibrio de cargas de tal manera que el material cristal un todo sea eléctricamente neutro; b) debe conservarse un balance de masa; y @) debe conservarse el mimero de sitios cristalogréficos. M0 cong Por ejemplo, en el 6xido de niquel (NiO), si falta un ion oxigeno, se crea una vacanci ion oxigeno (designada como Vg). Cada punto (.) en el suibindice indica una carga posi, efectiva de uno. Para conservar la estequiometri, el balance de masa y el equilibrio de cry, también deben crear una vacancia de ion nfquel (designada como V,,). Cada (’) en el super, dice indica una carga negativa efectiva de 1. Se utiliza la notacién de Kréger-Vink para escribir las ecuaciones quimicas de los defection Las dislocaciones son imperfecciones lineales en un cristal que de otra manera serfa perfecto Por lo regular se introducen en el cristal durante la solidificacion del material o cuando se de forma de manera permanente el material. Aunque las dislocaciones estan presentes en todos os materiales, incluyendo las cerémicas y los polimeros, son particularmente titles para explicar la deformacién y el endurecimiento en los materiales metdlicos. Se pueden identificar tres tipos de dislocaciones: dislocacién helicoidal, dislocacién de arista y dislocaci6n mixta. locaciones helicoidales La dislocaci6n helicoidal (figura 4-4) puede ilustrarse cortat do de manera parcial a través de un cristal perfecto, después sesgando el cristal un espaciado at6mico. Si se da una revolucién del plano cristalografico alrededor del eje sobre el cual sesgo el cristal, comenzando en el punto x y recorriendo espaciados atémicos iguales en cad direcci6n, se termina en un espaciado at6mico debajo del punto inicial (punto y). El vector requerido para completar la vuelta y regresar al punto inicial es el vector de Burgers b. Sis contintia la rotaci6n, se trazarfa una trayectoria en espiral. El eje, o linea alrededor de la cus! se traza esta trayectoria, es la dislocaci6n helicoidal, El vector de Burgers es paralelo a2 dislocacion helicoidal. Dislocacin helicoidal a) b) Figure 4-4 El ctstal perfecto a] es cortado y sesgado un espaciado atémico, b)y La lines 2° largo de la cual ocurre el sesgado es la dislocacién helcoidal. Se requiere un vector de Burger>| para completar una vuelta de iguales espaciados atdmicos alrededor de la gislocacién helical adDislocacion de arista a) b) ° Figura 4-5 El cristal perfecto en a) se corta y se inserta un plano adicional de atomos b). La arista inferior del plano adicional es una dislocacién de arista cl. Se requiere un vector de Burgers b para ‘completar una vuetta de iguales espaciados atdmicos alrededor de la dislocacién de arista (adaptada de J.D. Verhoeven, Fundamentales of Physical Metalluray, Wiley, 1978) Dislocaciones de arista Una dislocacién de arista (figura 4-5) puede ilustrarse cortando de manera parcial a través de un cristal perfecto, separando el cristal, y enando de manera parcial el corte con un plano adicional de dtomos. La arista inferior de este plano insertado “representa la dislocacién de arista. Si se describe una vuelta en sentido de las manecillas del reloj alrededor de la dislocacién de arista, comenzando en el punto x y recorriendo un ni- mero igual de espaciados atémicos en cada direcci6n, se termina en el punto y, a un espaciado At6mico del punto inicial. El vector requerido para completar la vuelta es, de nuevo, el vector "de Burgers. En este caso, el vector de Burgers es perpendicular a la dislocacin. Al introducir a dislocacién, los 4tomos sobre la linea de Ia dislocacion se comprimen de manera estrecha, mientras que los étomos debajo de la dislocacién se estiran demasiado. La region circundante ‘del cristal se ha perturbado por la presencia de la dislocacién. [Esto se ilustra posteriormente en. la figura 4-8b).] A diferencia de una dislocacién de arista, una dislocaci6n helicoidal no puede ‘visualizarse como un semiplano adicional de étomos. Y _ Dislocaciones mixtas Como se muestra en la figura 4-6, las dislocaciones mixtas tienen " componentes de arista y helicoidal, con una region de transicién entre ellas, Sin embargo, el vector de Burgers sigue siendo el mismo para todas las porciones de la dislocacion mixta, 88 Figura 4- Dislocacién mista, La dislocacisn helicoial 2 la cara frontal del cristal cambia de manera gradual ala dislocation dearistaen el lado del cristal adaptada, de WT Ret Dislocations in Crystals, Mere Hl 1269) Slomee epng oat se ee haem100 CAPITULO 4 —_ Imperfecciones en los arreglos atémicos y iénicos Linea de la dislocaci6n Plano adicional Vector de Nao ee deslizamiento Linea de dislocacion ae ea Plano guia (plano del deslizamiento) a) Figura 4-7 Esquema de la linea de deslizamiento, el plano del deslizamiento y el vector de Gos zamiento (de Burgers) para; a) una distocacion de arsta yb) una dislocacién helicoida adopt, de J.D. Verhoeven, Fundamentals of Physical Metallurgy, Wiley, 1978) En la figura 4-7 se muestra un esquema para la linea de deslizamiento, el plano d Tzamiento y el vector de destizamiento (vector de Burgers) para una dislocaciGn de aria, una helicoidal. El vector de Burgers y el plano son titiles para explicar c6mo se deforman io, materiales. Cuando se aplica una fuerza de corte que actiia en la direeci6n del vector de Burgers aun cristal que contiene una dislocaci6n, la dislocacion puede moverse rompiendo los enlaces en. tre los atomos en un plano. El plano cortado se desplaza ligeramente para establecer enlaces con el plano parcial original de étomos, Este desplazamiento ocasiona que la dislocacida se mueva lateralmente un espaciado atomico, como se muestra en la figura 4-82). Si este proceso contintia, la dislocacién se mueve a través del cristal hasta que se produce un escaln en elex terior del cristal;se ha deformado plasticamente el cristal. Otra analogfa es el movimiento po medio del cual se mueve una oruga [figura 4-8d)]. Una oruga elevard algunas de sus patas 1 cualquier momento dado y utilizard ese movimiento para desplazarse de un lugar a otro en lu- gar de levantar todas las patas a la vez. jLa velocidad con la que tales dislocaciones se mueven en los materiales es cercana o mayor que la velocidad del sonido! Otra manera de visualizarel movimiento de las dislocaciones es pensar acerca de como se moverfa un doblez o plegado¢n una alfombra sie tratara de remover presionandolo en lugar de levantar la alfombra. Sie P'- dieran introducir dislocaciones de manera continua en un lado del cristal y levarlas a lo largo de la misma trayectorfa a través del cristal, con el tiempo se cortarfa el cristal a la mitad. imiento, es la direccién del vector de Burgers para las dislocaciones (¢ arista, como se muestra en la figura 4-8). Durante el deslizamiento, a dislocacion de aris recorre el plano formado por el vector de Burgers y la propia dislocacion. A este plano s¢ e Hama plano de! deslizamiento. A la combinacién de la direccién del deslizamiento yel ae 1s) a Esfuerzo cortente critico resuelto (MPa) 0.34-0.69, 34-69, 0.34-0.69" Numero de sistemas de deslizamiento 12 48 3 Deslizamiento cruzado Puede ocurir Puede ocurrir No puede ocurrir’ Resumen de propiedades Dactil Resistente Relativamente fragil * Para el deslizamiento en ios planas basales. ® Alalear o calentar a altas temperaturas, se activan sisternas de desiizamiento adicionales en los metales CH, 10 que permite que ocurra un deslizamiento cruzado y por tanto se mejore la ductilidad, * Nota: Para la mayorla de los elementos o/a < 1,633, el desiizamiento ocurre en los planos distintos 2 (0001) 9 1 Tre 5 at. ee4-1 Defectos supericiales 109 tensiGn cortante resuelta critica may. de que ocurra el deslizamiento; por t ductilidades mas bajas, Se esperarfa que los metales CH, debido miento compacto, tuvieran esfuerzos cortantes ‘or, en el orden de 69 MPa en los cristales perfectos, antes ‘anto, los metales CCCu tienden a tener resistencias altas y @ que contienen planos basales de empaqueta- criticos bajos, De hecho, en los metales CH tales jeomo el zine que tiene una razén c/a mayor que o igual a la razén teérica de 1.633, la tensién cortante resuelta critica es menor que 0.69 MPa, como en los metales CCCa, Como se observ en Ia tabla 4-2, para la mayoria de los elementos CH ¢/a < 1.633. El deslizamiento ocurre en los planos no basales y el, ¢8 alto. Por ejemplo, en el titanio CH, la raz6n e/a es menor que 1.633; Tosplanos de empaquetamiento compacto estan espaciados de manera muy estrecha. El desliza- miento ocurte ahora en los planos como (1010), os planos o caras “prismaticas” del hexdigono, yentonces el esfuerzo cortante critico resuelto es igual o mayor que en los metales CCCu. Cantidad de sistemas de deslizamiento Sial menos un sistema de deslizamiento esté orien- tado para formar angulos A y ¢ cercanos a 45°, entonces r, es igual a 7,,, a esfuerzos aplica- dos bajos Tos metales CH ideales sélo poseen un conjunto de planos compactos paralelos, los Planos (0001), y tres direcciones compactas, lo que da tres sistemas de destizamiento. En conse- Cuencia, la probabilidad de que los planos y las direcciones de empaquetamiento compacto se orienten con A y d cercanos a 45° es muy baja. El cristal CH puede fallar de una manera frdgil sin una cantidad significativa de deslizamiento, Sin embargo, en los metales CH con una taz6n c/a baja, o cuando los metales CH estén aleados de manera apropiada, 0 cuando se aumenta la temperatura, otros sistemas de deslizamiento se vuelven activos, haciendo estos metales menos fragiles de lo esperado. Por otro lado, los metales CCCa contienen cuatro planos no paralelos de empaquetamiento ‘compacto de la forma {111} y tres direcciones ce empaquetamiento compacto de la forma (110) dentro de cada plano, lo que da un total de 12 sistemas de deslizamiento. Al menos un sistema de deslizamiento esté orientado de manera favorable para que se lleve a cabo el deslizamiento con esfuerzos pequefios aplicados, permitiendo que los metales CCCa tengan ductilidades altas. Por iiltimo, los metales CCCu tienen hasta 48 sistemas de deslizamiento que tienen casi ‘un empaquetamiento compacto. Varios sistemas de deslizamiento siempre estdn orientados de manera apropiada para que ocurra el deslizamiento, lo que permite que los metales CCCu también tengan ductilidad alta. Deslizamiento cruzado Considere una dislocaciGn helicoidal que se mueve sobre un plano. de deslizamiento que encuentra un obsticulo y es bloqueada como para seguir en movimien- to, Esta dislocacién puede desplazarse a un segundo sistema de deslizamiento intersecante, Si tiene la orientacién adecuada y contintia moviéndose. A esto se le llama deslizamiento eruzado. En muchos metales CH, no puede ocurrir deslizamiento cruzado debido a que los planos de deslizamiento son paralelos (es decir, no intersecantes), Por tanto, los metales CH policristalinos tienden a ser frdgiles. Afortunadamente, se activan otros sistemas de desliza- miento adicionales se vuelven activos cuando los metales CH se alean 0 calientan, con lo que Se mejora su ductilidad. El deslizamiento cruzado es posible en los metales CCCa y CCCu. debido a que hay varios sistemas de deslizamiento intersectantes presentes. En consecuencia, el deslizamiento cruzado ayuda a mantener la ductilidad en esos materiales. "Los defectos superficiales son los limites, o planos, que separan un material en regiones, cada " regién tiene la misma estructura cristalina pero distintas orientaciones, ew & . i it teriores del material representan las su " Superficie del material Las dimensiones ext 2 — "cies en tas que el cristal termina de manera abrupta. Cada tomo en la superficie ya no pi we Nap110 CAPITULO 4 —_Imperfecciones on los arreglos at icos y iénicos Figura 4-13 2) Los étomos cerca de los limites de los tres granos no tienen un espaciado o are de equilibrio. b} Granos y limites de los granos en una muestra de acero inoxidable (cortesis x Dr. A. DeArdo) el ntimero de coordinacién apropiado y se interrumpe el enlazamiento atémico. Este es un factor muy frecuente y comtin en la fabricacién de dispositivos microelectrnicos basados en silicio. La superficie exterior también puede ser muy aspera, contener varias muescas dimin: tas y ser mucho més reactiva que el interior del material. En los materiales con nanoestructura, la razon del mimero de dtomos o jones en la su. Perficie con la del volumen es muy alta. Como resultado, estos materiales tienen un drea de superficie por unidad de masa grande. Por tanto, los defectos superficiales desempefian wna funcién importante en sus propiedades. Limites de grano La microestructura de muchas cerémicas disefiadas y materiales metalicos consisten en muchos granos, Un grano es una porci6n cristalina del material dentro de la cual el arreglo de los atomos es casi idéntico. Sin embargo, la orientaciGn del arreglo de dtomos, o estructura cristalina, es distinta para cada grano vecino. En la figura 4-13a) se muestran de ‘manera esquematica tres granos; el arreglo de dtomos en cada grano es idéntico pero los 2 nos estén orientados de manera distinta. Un limite del grano, la superficie que separa los granos individuales, es una zona angosta en la que los stomos no estén espaciados de mane apropiada. En otras palabras, los atomos estén tan cercanos entre sf en algunas localizaciones en los limites del grano que ocasionan una regién de compresi6n, y en otras areas estin ta" alejados que ocasionan una regi6n de tension. La figura 4-135), una micrografia de una muest"® de acero inoxidable, muestra los granos y los limites de los granos. Un método para controlar las propiedades de un material es controlar el tamaiio de los granos. Al reducir el tamafio de los granos, se incrementa el ntimero de estos y, por tan aumenta la cantidad del érea de los limites de los granos, Cualquier dislocacién se mueve sI0 una distancia corta antes de que se encuentre con un limite del grano, se detenga y se inc menta la resistencia del material metélico. La ecuaci6n de Hall-Petch relaciona el iamavio &° los granos con el limite elistico (c,), +kawe ) donde d es el didmetro promedio de los granos y o y K son constantes para el metal: ee cuerde del capitulo 1 que el limite elastic (,) de un material metlico es el valor minim del esfuerzo que se necesita para iniciar la deformacién plastica (permanente). La figura a ‘muestra esta relacién en el acero, La ecuacién de Hall-Petch no es valida para materiales" granos inusualmente grandes 0 ultrafinos. En los eapitulos siguientes, se describiré como el mafio de los granos de los metales y aleaciones puede controlarse a través de la solidificaci4-1 Defectos superficiales ‘Tamaio del grano ASTM igure 4-14 ¥ benarpe sO iG) Efecto del tamario de los granos sobre el limite elastico del acero a temperatura ambiente, El limite elastico del acero dulce con un tamafio promedio del grano de 0.05 mm es de 138 MPa. La fluencia del mismo acero con un tamafio del grano de 0.007 mm es de 276 MPa. ,Cuail seré el tamafo del grano. promedio del mismo acero con una fluencia de 207 MPa? Suponga que la ecuacién de Hall-Petch es valida y que los cambios en Ta fluencia observada se deben a los cambios en el tamaio del erano. SOLUCION bo shill p obec ot Kd 12 Por tanto, para un tamafo del grano de 0.05 mm el esfuerzo de cedencia es 138 MPa, Utilizando la ecuacién de Hall-Petch Para el tamafio del grano de 0.007 mm, el esfuerzo de cedencia es 276 MPa. Por tanto, Utilizando de nuevo Ia ecuacién de Hall-Petch: K 0.007 Resolviendo estas dos ecuaciones K = 18.43 MPa-mm!/? y.¢ = 55.5 MPa. Ahora se tiene la ecuacién de Hall-Petch como 95.5 + 18.43 xd? 276 = oo+ Sise desea un esfuerzo de cedencia de 207 MPa, el tamaiio del grano ser4 de 0.0148 mm 0148 um, aleaci6n y tratamiento térmico. El siguiente ejemplo ilustra una aplicacién de la ecuacién de Hall-Petch. in “ad La microscop(a éptica es una técnica que se utiliza para revelar cardcterfsticas microg ‘tructural ‘mites de los granos que requieren menos de alrededor de 2000 les como 10s is fa preparacion de unt muestra metalica y la observaci ficaciones. yceso de r de iiebsiiccsttuctare ‘s¢ le llama metalografia. Una muestra de un material se— 112° CAPiTULO4 Imperfecciones en los arreglos atomicos y iénicos Figura 4-15 Microestructura de! paladio (100) (del ASM Handbook, Vol. 9, Metellography and Microstructure (1985), ASM International, Ma terials Park, OH 44073), Grano Limites del grano ule hasta que tenga un acabado parecido a un espejo. La superficie se expone a un ataque quimico, grabado a agua fuerte, en el que los Ifmites de los granos son atacados de mane, més agresiva que el resto del grano, La luz de tun microscopio 6ptico es reflejada 0 dispersads de la superficie de la muestra, dependiendo de cémo se atacé la superficie. Dado que se dis, Persa més luz de los rasgos donde el ataque es més profundo como los limites de los granos estas caracteristicas aparecen oscuras (figura 4-15). En las muestras cerémicas, se utiliza con frecuencia una técnica conocida como ranurado térmico para observar los limites de los gra nos. Involuera pulir y calentar, por un corto periodo, una muestra cerdmica a temperaturn menores que la temperatura de sinterizacion, Una forma de especificar el tamafio del grano es utilizando el mimero del tamaio del grano ASTM (ASTM es la American Society for Testing and Materials). El ntimero de granos Por pulgada cuadrada (N) se determina a partir de una micrografia del metal tomada a una magnificaci6n de 100X. El ntimero de granos por pulgada cuadrada N se introduce en la ecus- cin 4-6 y se calcula el ntimero n del tamaiio del grano ASTM: Na? (46) Un ntimero ASTM grande indica muchos granos,o un tamafio del prano fino,y se correlaciona con altas resistencias de los metales y aleaciones. Cuando se describe una microestructura, cuando es posible, es preferible utilizar un mar- cado micrométrico 0 alguna otra escala sobre la micrografia, en lugar de especificar Ia mag- nificaci6n. También estan disponibles una variedad de programas sofisticados de anilisis de imagenes. Estos programas facilitan la determinacion del tamatio promedio del grano y de lt distribucién del tamafio del grano, El siguiente ejemplo ilustra el céleulo del nimero del tamaiio del grano ASTM. bale PA itlLa aproximaci6n explicada arriba basada en unidades inglesas, En desarrollado formulaciones alter Para calcular el ntimero del tamafio del grano ASTM est Paises que utilizan el sistema de unidades métrico, se han nas para calcular el nimero del tamaiio del grano: N,, = 8(2") (47) donde N,, es el nimero de granos por mm? a una magnificaci6n de 1X. el valor den calculado a partir de la ecuacién 4-7 es ligeramente mayor que el calculado utilizando la ecuacién 4-6, pero la diferencia es despreciable. Los estdndares suecos, italianos, ‘usos, franceses e ISO utilizan la ecuacién 4-7 El estndar alemén también esta basado en uni- dades métricas pero utiliza una formulacién distinta: 7 + 3.33 log(Niag) (48) donde N,,; €5 €l ntimero de granos por em? a una magnificacién de 100%. Limites del grano de angulo pequefio Un limite del grano de dingulo pequefio es un arre- glo de dislocaciones que produce una desorientacién pequeia entre los cristales adyacentes. Debido que la energia de los limites del grano de éngulo pequefio es menor que la de un limite del grano regular, los Iimites del grano de dngulo pequefio no son tan efectivos para resis- tire al deslizamiento. Fallas de apilamiento Las fallas de apilamiento, las cuales ocurren en metales CCCa, re- presentan un error en la secuencia de apilamiento de los planos compactos. Por lo general, se produce una secuencia de apilamiento ABC ABC ABC en un cristal CCCa perfecto. Pero, suponga que se produce la siguiente secuencia: ABC ABAB CABC En la porci6n de la secuencia indicada, aparece un plano del tipo A donde por lo general se Tocalizarfa un plano del tipo C. Esta regién pequefia, la cual tiene una secuencia de apilamiento CH en lugar de la secuencia de apilamiento CCCa, representa una falla de apilamiento. Las fallas de apilamiento interfieren con el proceso de deslizamiento. Limites dobles Un limite doble es un plano a través del cual hay una desorientaci6n de imagen specular especial de la estructura cristalina (figura 4-16). Los limites dobles pueden producirse cuando tna fuerza de corte, que actia lo largo del limite doble, provoca que los étomos se sal- gan de posicién, Los limites dobles ocurten durante la deformaci6n o el tratamiento térmico de Ciertos metales o aleaciones. Los limites dobles interfieren con el proceso de deslizamiento e in- rementan la resistencia del metal. E] movimiento de los limites dobles también puede ocasionar que el metal se deforme. La figura 4-16c) muestra que la formacién de un limite doble ha cambia- do la forma del metal. Los limites dobles también se presentan en algunos materiales cerdmicos, ‘La efectividad de los defectos de superficie al interferir con el proceso de deslizamiento, puede juzgarse a partir de las energias de superficie (vea Ja tabla 4-3 en la siguiente pégina), Tos limites de grano de alta energfa son mucho més efectivos al bloquear dislocaciones que Jas fallas de apilamiento o los limites dobles.LP A a 114 CAPITULO4 _Imperfecciones en los arreglos atomicos y idnicos TABLA 4-3 Ml Energia de los defectos superficiales en metales seleccionados Defecto superficial (ergs/em?) Al cu Pt it Falla de apilamiento 200 75 95 wT Limite doble 120 45 195 190 Limite del grano 625 645 1000 780 Los defectos extendidos y puntuales desempefian una funcién muy importante al inuir en Propiedades mecénicas, eléctricas, 6pticas y magnéticas de los materiales disefiados. En secciGn, se recapitula la importancia de los defectos sobre las propiedades de los materiale.’ Figura 4-16 La aplicacién de un esfuerzo a un cristal perfecto a) puede provocar un desplazamie"” de los dtomes, b) ocasionando Ia formacién de un limite doble. Observe que 61 cristal se ha defo" mado como resultado del limite doble. c) Micrograta de los limites dobles dentro de un grano 4° Jaton (250%), hen ae 1a a4-8 Importancia de los defectos 115 Limite del grano Defecto— asi puntual Figura 4-17" ‘Si se muove als izquierde la eislocacién en a punto/A és bloquseds por el defecto le punto. Sila dislocacién se mueve a la derecha, interactua con la red alterada cerca de la segunda dislocacién en el punto B. Sila dislocacién se mueve més a la derecha, es bloqueada por un limite de grano. Efecto sobre las propiedades mecdnicas mediante el control del proceso de desliza- miento Cualquier imperfeccién en el cristal eleva la energia interna en la localizacién de la imperfecci6n. La energfa local se eleva debido a que, cerca de la imperfeccién, los tomos se compactan de manera estrecha (compresién) o son forzados a separarse bastante (tensién). Una dislocacién en un cristal metélico que de otra manera seria perfecto puede moyerse facilmente a través del cristal si el esfuerzo cortante resuelto es igual al esfuerzo cortante eritico resuelto. Sin embargo, sila dislocaci6n se encuentra en una regién donde los Atomos estéin fuera de sus posiciones comunes, se requiere un esfuerzo mayor para forzar que la dislocacién atra- viese la regi6n de energia local alta: por tanto, el material es mas resistente. Los defectos en los ‘materiales, como las dislocaciones, los defectos puntuales y los limites del grano, furrcionan como “sefiales de alto” para las dislocaciones. Se puede controlar la resistencia de un material metéli- 0 controlando el numero y el tipo de las imperfecciones. Tres mecanismos de endurecimiento communes se basan en las tres categorias de defectos en los cristales. Dado que ¢l movimiento de Ja dislocaci6n es relativamente facil en los metales y aleaciones, por lo general estos mecanis- mos funcionan mejor en los materiales metalicos, Endurecimiento por deformacién Las dislocaciones afectan la perfeccién de la estructura cristalina, En la figura 4-17 los étomos debajo de la linea de la dislocacién en el punto B estén comprimidos, mientras que los stomos arriba de la dislocacion.B estén muy separados. Si se mueve a la derecha la dislocacisn A y pasa cerca de la dislocacién B, la dislocacién A encuentra tuna regién donde los étomos no estén arreglados de manera apropiada. Se requieren esfuerzos ayores para permitir que la segunda lslocacion se siga moviendo; en consecuencia, el metal Gebe ser mds resistente. El incremento del mimero de dislocaciones aumenta la resistencia del naterial dado que el aumento en la densidad de dislocaciones ocasiona més seiales de alto para a movimiento de las distocaciones. Se puede demostrar que la densidad de dislocaciones au- tnonta de manera notable a medida que se deforma un material. A este mecanismo para aumen- jar la resistencia de un material por medio de la deformaci6n se le conoce como endurecimiento por esfuerzo, el cual se explica de manera formal en el capitulo 7. También puede demostrarse fue las densidades de las dislocaciones pueden reducirse de manera sustancial calentando un se erial metilico a una temperatura relativamente alta y manteniéndola durante un periodo prolongado. A este tratamiento térmico se le conooe como recocido se utiliza para imparts rreaiidiad ¢ los materiales metélicos Por tanto, el control de Ia densidad de dislocaciones e una tnanera importante de controlar Ia resistencia y la ductilidad de los metales y las aleaciones ida Cualquiera de los defectos puntuales también afec- jento por solucion séli u ede Pela estructura eristalina, Se forma una solucién s6lida cuando los tomos oe eran elemento o compuesto huésped son asimilados por completo en la estructuraCAPITULO 4 —_Imperfece 0s y ionicos nes en los arreglos ator pequefias concentraciones se disuelven en el agua. Si se mueve a la izquierda la dislocacigy (figura 4-17), se encuentra con un cristal afectado por el defecto puntual; se necesitan esf,." 20s mayores para continuar el deslizamiento de la dislocaci6n. Al introducir intencionalmen,, 4tomos sustitucionales o intersticiales, se ocasiona un endurecimiento por disolucién SOlida que se analiza en el capitulo 10. Endurecimiento por tamajio del grano Las imperfecciones de la superficie como jog mites del grano afectan el arreglo de los 4tomos en los materiales cristalinos. Si se mueve , |, derecha la dislocacién B (figura 4-17),se encuentra con un limite del grano y es bloqueada, 4) aumentar el ntimero de granos o al reducir el tamafio del grano, se logra el endurecimiento po, tamafio de grano en los materiales metilicos. Es decir la base para la ecuacion de Hall-Peic), (couacién 4-5). Efectos sobre las propiedades eléctricas, 6pticas y magnéticas En las secciones ap, teriores, se establecié qué tan profundo es el efecto de los defectos puntuales sobre las propie dades eléctricas de los semiconductores. Toda la industria de la microelectrdnica depende de manera critica de la incorporacién exitosa de dopantes sustitucionales como el P, As, B y A| enel Siy en otros semiconductores. Estos 4tomos dopantes permiten tener un control signif cativo de las propiedades eléctricas de los semiconductores. tos puntuales, defectos lineales o dislocaciones y defectos superficiales. <> Elmimero de vacancias depende de la temperatura del material; con frecuencia se intro- ducen de manera deliberada dtomos intersticiales (localizados en los sitios intersticiales entre los dtomos normales) y dtomos sustitucionales (los cuales remplazan los dtomos huéspedes en los puntos de red) y por lo regular no son afectados por los cambios en la temperatura,

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