Fjercicid El Oscilador Gunn OBJETIVO Cuando usted haya completado este ejercicio, usted se habra tamiliarizado cer, 'os principios basicos de operacién de un oscilador Gunn. Usted también seri capaz de determinar las caracteristicas de voltaies-corientes y volaje potene: + de un oscilador. DISCUSION h cado_en_una cava sla Fesonante. Dependiendo de la técnica de fabs ««cidn, los diodos Gunn pueden ces] Suir desdeun | mW aS Wde potencia de wicroo Una fuente Gunn consiste de un diodo G1 col Laeficiencia de esta. Giterentes fuentes puede variar de 0,2% a 20%, a wayoria de la potenciase disirs ‘como calor, por lo tanto, los diodes Gunn reqy.eren dsipadores de calor par. Sc < Finan = #O%%s sipareficientemente el calorpara evitarque se 4vemen. La sefalde microonds SCH Femi generada usualmente tiene una frecuencia x el rango de 1 a 100 GH ‘Gependiendo del diodo utiizado y de la cavida pasonante asociada, Eltérmino dodo es realmente una mala denomina ion porque los diodos Gunn n>) Gas (wee) son diodos reales. El término diodo se yiliza porque son disposilives Gahs ‘semiconductores de dos terminales y permite la vl zacién del término anodo par a €1 exiremo positivo del dispositive. El nombre Gunn viene de Efecto Gunn, €1 erla Principio que esta detras de la operacién del dispesitive, ike *o En los primeros 60s, J. B. Gunn descwiaid que algunos materiales semiconductores podian ullizarse para producn gscilaciones de mricroondas por medo det efecto que ahora lleva su nombre. E ecto Gunn es sola posible en ‘aigunos materiales semiconductores tipo M. Los “4s comunmente ufilizados so el arcienuro de galio (GaAs) y el fosturo de inc InP) aunque el efecto ha sido ) demostrado en el teturido de cadmio (CdTely eel arcienuro de indo (InAs) Vilas Estos materiales se componian de una manera ai3o diferente de los materiales e Semiconductores normales. cuando se aplica un voltaje DC relativame: i te peqdefo a través de una delgada porcién de (“1 As tino n, los electrones thu ? Ty =P R G06 Conery \ 4 us coeeinn) ch tere Not reenter El Oscilador Gunn VN Nhu Fatete La gucegia Vata Wanse tose Bee s 2 mS 2 ‘CORRIENTE (mA) sa | al i Ni VOUTAIE (9) Figura 3-1. Curva caracteristica corrlente-vol +2 para un dlodo Gunn. La resistencia negativa es un resultado de las propiedades de maza de bos matenales Semiconductores tipo n; esto es, la cause Se debe a la naturaleza de 4os materiales. Los electrones en estos semiconductores tipo nposeen una banda ‘Se conduccién Ge ata energia vacia, separada de la banda de conduccién de baja energia llena (0 parcialmente llena) por un retativarsente angosto de energia prohibida. Esta situacién se iusira en la Figura 5-2 Bajo condiciones normales, ‘os electrones que constrbuyen ala corrente estn en fa banda de energla de alta moviidad parciaimente lena. En el vataje urnbal ec imparte euficiente energia a los electrones para transteriros a la banda de ata enargia y baja movilidad y Ie Gertente dsminuye_Eventaimente, a medida que e\votaje du crecionde for electrones se retiran de ta banda de baja movilidad y la corrienle comienra aumeniar nuevamente. aces a 2 @.@ fO~ ear a ea oer Oe woos oe Ercan | 27 fam srisat wc } ~ "BANDA DE ENERCL \~« = Aa 7 PARCIAMENTE LEW WSN ao “ESPACIO NORMAL DE ENERGIA POND Rae Xs LEEW Figura 3-2, Niveles da enernia eo; El Oscilador Gunn @-r conc. a7 base =p meer bap Marte = perweares mo ptt. 4 Sielmatedal samioanductac ha es esta dapade unite fnemente, habia una region en elcristal donde la concentracién de electrones es ralativamerite baja, parlo que - esta sera menos conductiva que el resto dal cristal. En esta rei E mayer eléctrico serd mas tuorte at e en la primera area que teat ie ee + el val Los electrones de esta region seran entonces a ye fegién Se convertira en un dominio de resistencia negatva. Los hemor electrones por delante y por detras del dominio, estan viajando mas rapido que los ef electrones dentro def dominio. Cos efectrones que vienen de atras deldominio, se §é amonionan disminuyendo el gradiente en la parte posterior del dominio. Los eo electrones delante de! dominia se alejan cépidamente de él, dejando un area con = ee una baja concentracién de electrones. De este modo el dominio se mueve hacia : oS ‘el 4nodo a una velocidad de 107 cms, ilevando el amortonamiento de electrones. = 83 )La llegaga ae un comin al anodo tbera a ls electrones y se forma un novo dominio en el cétodo. Este dominio comienza su ~. pla propagacién hacia el anoda. Sa ceasée y propagaciin de dominios fo que hace nacer_a las, oscilaciones de microonidas: “| Ca frecuencia natural de ta oscilaci6n depende de |3 velocidad de deriva de fos | dominio y de ta fongitud de la porcién. Tomado cor''o un elemento circuital, un | dindo Gunntipica puede ser aproximadamene com una resistencia nagativa de alrededor de 100 Q en paralelo con una capacidac’ de 0,6 pF. Todo lo que se necesita para convertir al diodo Gunn en un oscilacor Gunn es una inductanca / ara cancelar la capacitancia y una resistencia de a)-dedor la misma magnitud ue la resistencia negativa, conectada en paralelo con el diodo Gunn. En general Sac We, vv | $2_utlizan cavidases resonanies para Sintonizar 2) circullo a la frecuenca ove 4, deseada de operacién, Lf 326.0m Las llegadas de los dominios al anodo es responsable de las oscilaciones, note ue se produce un dominio por ciclo de operacion. Si un eirculto sintonizado LC Dirwme Pamee Fuses pe T Sunacavidad, esperiédicamome exctade por unas.” ientasa, las oscilacones ‘se mantendran. La banda de operacion del dodo Gurr esta determinada por las. Gimensiones tisicas del material semiconductor po la frecuencia exacia o> operacion depende del cireuto sintonizads, Latrecuenciade operation también es alectada por el: sNaje de alimentacién, Por 4o tanto, se hace posible modular en frecuencia a la fuente, variando el votlaje d2 alimentacién. Sin embargo, un voltaje demasiado elev lo, puede destruiralcristal Semiconductor, por lo que el diodo Gunn debe p-ategerse contra vollajes transitorios y sobrevoltajes. “©S.os oscitadores Gunn se utlizan como elementcs ‘ransmisores en radares oliciales. Radares Dopller de onda continua (CW), s/:iemas de alarma, y como osciladores locales en algunos receptores. NUEVOS TERMINOS ¥ PALABRAS 'fesonan! cavity (Cavidad resonante) - Basicamente, una regién imitada en ur i aan mesa arent, onsen aca on 1 Cuando se le acompian a {a cavidad ondas electromagnéticas de la frecuencia orteca que se propagan, se lorman ondas eslaco" ae y ts oxclacones ce Soatendeane meneliggah: : 1, “Gunn diode (diodo Gunn) - La mayoria de las veces, consiste de una pequel 2 ‘GaAs tipo n. formada sobre un susirato GzAs de baia resistiblidad a sustrato esta conectado al terminal del dnodo y el otro extrema de la oblea esié onectado al catodo mediante un alambre de oro. Cuando se aplica un pequetio Yokaje DC para que e! énodo sea positive respecta de! cdtoda, ftuird una comtiants continua con pulsos puperpuestos. Gunn Eflet (Etecto GunnJ- Oscilaciones de corrieris que ocurren a frecuei Ge microondas cuanaa Se aplica aun compo elsctio. 1 alrededor do'S3kVicrs ia abe ree vad df Se atitto menos) Ge G2As ipo n “Terecto tiene fagar por Banda os og, 9, c0mh9 hace que ios electronos sean tansiendos doEl Oscilador Gunn EQUIPAMIENTO REQUERIDO DESCRIPCION MODELO Fuente de Alimentacién del Oscilador Gunn 9501 Medidor de Potencia 9503 ‘Gunn 9510 Montaje det Termistor 9521 Atenuador Fijo (6 dB) 9533 Cables de Conexién y Accesorios 3590 ‘Soporte de Guia de Onda (2) 3693 PESUMEN DEL PROCEDIMIENTO vonaje ae nec, usted obtendrd ta curva caracterist-2s de comiente versus alge Un oscilador Gunn Elmerscorincomporado enla Ueno do ainanee, cada etd Gunn, perme medicién directa de estos vo" les y Corsenn ten ancia de microondas PROCEDIMENTO 1 Asegiirese que tos interuptores de potencia estén 2nla posioén 0 (ott) y ¥ coloque los médulos como se muestra en la Fis. ra 3-3 ‘MEDDOR DE POTENCi: FUENTE DE AUMENTACION DEL OscaADOR Gunn Figura 3-3. Arregos de os modules uaterase 21a Figura 9-4 y arme los componente: como se muestra ramus, de Conectar el montaje del termisior en la instalacion, Toone ios Jomillos de adaptaciin para que no penetren en |. ula de orn *_Gealce los squares sjostes ata uerte de atmontacién del oscitador Sunn, VOUTASES on eecccsssee wen. MODO: _ Bo RANGO DEL MEDIDOA: 10V.EI Oscilador Gunn manera OER Ts Le esi cama} = Souamne] SGM fe co fs Oscilador Gunn, Endienda la fuente de almentacién del osci:ador Gunn y el medidor de Potencia. Seleccione la escala de 3 mW en 1 medidor de potenae Gazer aPronmadamente 2 minutos para que se estabiliceh i madoloe Ulice las pefilas de AJUSTE DE ZERO para ajustar el medion ae potencia a 0 mist Aluste e! voliaie de alimentaaiéa det oscitadox Gunn a 8 V. TaURIE el contocicuito movil y los tacos & 2 Saphation del montaje del {ermistor para hacer maxims la lectura de petancia en el modiaer ara cada valor de vokaje daoc en ia Table ° 1, realice to siguiente S Selectione e) RANGO DEL MEDIDOR en 10 Vy ajuste la parila del VOLTAJE para el votaje requendo © Seleccione el RANGO DEL MEDIDOF 250 mA y midallacortiente fomada por el oscilador Gunn. © Seleccione ef RANGO DEL MEDIDC + 10 V en ta fuente de aiimentacion del osciador Gunn y mis la potencia absortios, pe el fermistor Preag, [tious ta tectura de) mecidor de patencia por 4 para obtener 12 Potencia entregada por el osciladc Gunn FO. Fate ce be ae Fe? eR is péraiga do p-teneiaen elslenUador jo de 6 a8. ute ja Fouacién 3.1 para calcular i= eficiencia h de la fuente Gunn. Nole que esta ccuacisn waar :¢ con las undoes docs en ta tabia:El Oscilador Gunn Nota: Para mantanor la pencils, dasconscta Hnceaite af abta ch fame ch ei (lo La sald dt haunts do aimontcion dbl osaludor Gunn y rarity contol cu ch nani potoncia on las ponilas do AJUSTE OF ZERO. vorue | common ¥ mA Tabla 3-1, Daterminacién de las caracteristfcas def osetlador Gunn, 8. Apaitir de los resultados que usted obluvo en ta Tabla 3-1, ctiboje curva corfiente versus voliaje del oscilader Gunn en fa Fiji S-4, Indique la regién de resistencia negativa ena Figura 3-5a) lus E) Oscilador Gann BK he ke a de i 4 , q ie 1 J de 3 i VOLTAJE(¥) Figura 3-5. Curva cortiente versus vali, de! esciadar Guna, A partic de las esultadas olcaidas en ef pasa 7, dibujé poicnea entregada PO versus voltaje suminvstrado al oscilader Gunn ut la Figura 3-6 Note el voligie al cual comiciiza a oscilador el oscitado: Garin Rofiriéndase a la Figura 3-5, {est4 este voltaje dentro de ts ibn de resistencia negativa? Si No También en ta Figura 3-6 dituje la ulfciencia dal oscilado: Guna er juneién del voltaje suminist-ado a pani de los resultados Ue ke iatia, 3H ‘eve ia pefiia det como} ae vortaje de 1 1uEMe de alimenticio: de Oscilador Gunn a su posici¢n MIN. Coloaue todos tos intertuptotes i potencia en l2 posicion 0 (atl), desaune tl instalacion y cokxue Todos os componentes en sus comnpartinicnios de almacenajEl Oscilador Gunn VOUTAIE (y) Figura 3-6. Potencta de micraondas entregada por _ascilador Gunn eficiencia del oscliador Gunn en tuncién de! voltaje suministrado. CONCLUSION Fa este ejercicio, usted se" tamiliarizé con los principios de operacidi «i un o°cilader a diodo Gunn, Usted dibyjé la curva V-I para _ iodo Gunn y nota que eahibe una region de resistencia negativa Usted también midié su potencia we Salida y caleulé su eficiencia y tas eibujé ca tuncisn del Votlaje de entrads PREGUNTAS DE REVISION 1. eCuales son los componente principales de un ascu-xdor Gunn? 2En qué materiales as posible et etecta Gent?El Oscilador Gunn 5. Unosdilador Gunn genera unz sefial de micrcondas de ondas con 3. Describa el tenémeno que crea la resistencia dinamica negativa en un cnstal semiconductor. 4. (Qué determina la frecuencia exacta de oscilacién del oscilador Gunn? (CW) de 100 mW con una efici-ncia de 2%. Cudnta potencia dobe disipsr el disipador de calor?