INTRODUCCIN En 1949, Jhon Bardeen, Walter Brattain y Willian Shockley, cientficos de la Bell Telephone Laboratories, iniciaron una revolucin

en la electrnica con la invencin del transistor. En1956 recibieron el premio Nobel de Fsica por su trabajo. El transistor es un elemento semiconductor que tiene la propiedad de poder manejar la intensidad de corriente que circula entre dos de sus tres terminales, generalmente emisor y colector, mediante la circulacin de una pequea corriente aplicada en el tercer terminal, base. Este efecto se conoce con el nombre de amplificacin de corriente, y permite aplicarle en el emisor una corriente muy pequea con cualquier forma de variacin en el tiempo, y obtener la misma corriente, con la misma variacin en el tiempo, pero de mayor amplitud en el colector. Se utilizan fundamentalmente en circuitos que realizan funciones de amplificacin, control, proceso de datos, etc. El funcionamiento interno se puede describir a partir de lo ya explicado para los diodos, con la diferencia de que ste ltimo posee dos uniones semiconductoras, esto es: el transistor posee dos zonas semiconductoras, que pueden ser N o P, y entre ambas una muy delgada del tipo contrario. Este conjunto formar dos uniones: una N-P, entre el emisor y la base, y la otra P-N entre la base y el colector, formando un transistor NPN. +Si las regiones exteriores son del tipo P y la interior del tipo N el transistor ser del tipo PNP.

El transistor es un dispositivo electrnico de estado slido de gran uso tanto en la electrnica analgica (amplificador) como en la digital (conmutador). Hay distintos tipos: BJT=BiJunctionTransistor(Transistor de unin o bipolar) JFET=Junction Field EffectTransistor(Transistor de efecto de campo) MOSFET= Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor Otros

El transistor de unin es un semiconductor en el que una capa de tipo n est entre dos capas de tipo p (p-n-p), una capa de tipo p est entre dos capas de tipo n (n-p-n).

En los smbolos la flecha del emisor indica la direccin de la corriente cuando la unin emisor base est polarizada directamente.

Concentracin de portadores en equilibrio

Polarizacin en forma activa

Tensiones y corrientes en el transistor

(P)Emisor (N) Base (P) Colector

IE=IpB+InB

IB=InC-IBB-InB

IC= -IpB+ IBB-InC

Configuraciones del transistor

Al analizar el transistor hay 4 variables importantes, que dependen el tipo de conexin: V salida, V entrada, I salida, I entrada.
Amplificador con base comn La ganancia de tensin de esta configuracin es similar al caso de emisor comn, pero su impedancia de entrada es muy inferior. Este circuito se reserva generalmente para frecuencias elevadas o para combinaciones de varios transistores (circuitos integrados), donde la noinversin de la seal juega un papel importante, figura

Base comn:

Variables: VBE, VCB, IE, IC

Emisor Comn En la figura la tensin de entrada se aplica entre base y emisor, y la seal amplificada se obtiene entre colector y emisor. Esta configuracin se denomina amplificador con emisor comn, y es el circuito ms utilizado por su alta ganancia de tensin.

Emisor comn:

Variables:

VBE, VCE, IB, IC

Amplificador con colector comn (seguidor- emisor) La ganancia de tensin de esta configuracin es prcticamente igual a 1 ya que la tensin de entrada y salida es de igual amplitud y fase, Figura 5.5c). Su ventaja fundamental reside en una elevada impedancia de entrada y una muy baja impedancia de salida, utilizndose por esta causa como adaptador entre etapas de impedancias dispares.

Colector comn: Variables: VCB, VCE, IB, IE

El transistor como amplificador

Identificacin de terminales en transistores Objetivos: Conocer la estructura bsica de un transistor Utilizar multitester para identificar los terminales y el tipo de transistor. I. INTRODUCCIN

Un transistor bipolar (o simplemente transistor) es un dispositivo compuesto por tres capas de material semiconductor, cuya caracterstica fundamental es comportarse como un amplificador de corriente.

Segn la forma en que se alternan las capas de material semiconductor, es posible obtener dos tipos de transistores bipolares: NPN y PNP (Figura 1)

Figura 1 - Estructura bsica y smbolos de transistores

En los transistores NPN los portadores mayoritarios de corriente son los electrones libres, mientras que en el transistor PNP los portadores mayoritarios son los huecos.

Con esta consideracin, estudiaremos el funcionamiento del transistor NPN, comprendiendo que el transistor PNP funciona de idntica forma, con polaridades de voltaje y sentidos de circulacin de corriente opuestos.

Esto significa que si nicamente se conecta una fuente de tensin entre colector y emisor no habr circulacin de corriente, cualquiera sea la polaridad de la fuente, pues siempre habr un diodo que se oponga al flujo de corriente (figura 3).

Primera aproximacin al transistor

Figura 3 Polarizacin entre colector y emisor sin polarizacin de base. No existe circulacin de corriente.

En las tres capas de material semiconductor es posible reconocer dos uniones PN las que se comportan cada una de ellas como un diodo.

As, podemos considerar, en cierta forma, que los tres terminales del transistor corresponden a la unin de dos diodos en contraposicin. (Figura 2)

Por otra parte, si se conecta nicamente una fuente entre base y emisor (o entre base y colector) habr circulacin de corriente o no, dependiendo de la polaridad de la fuente, como si se estuviera frente a un diodo. (Figura 4)

Figura 4 Polarizacin entre base y emisor. La unin B-E se comporta como un diodo.

Figura 2 - Un transistor NPN comparado con dos diodos en contraposicin

Este comportamiento permite utilizar un multitester para identificar los terminales de un transistor, tal como si se estuvieran midiendo los terminales de un diodo.

Identificacin de los terminales de un transistor con multitester

Un multitester analgico puede medir la resistencia dinmica de un diodo, es decir, la resistencia que presenta el diodo cuando est conduciendo.

Sabemos que un diodo slo conduce cuando est polarizado en forma directa, por tanto, si se conecta la punta positiva del multitester al nodo del diodo y la punta negativa al ctodo, el diodo conducir una corriente directa con el voltaje entregado por el multitester, indicando el instrumento una baja resistencia entre sus terminales.

Figura 5 Medicin de resistencia dinmica de un diodo con multitester analgico.

Un multitester digital en la escala de medicin de diodos es igualmente til, considerando que ste no mide resistencia, sino la cada de tensin directa del diodo.

Por el contrario, con el diodo en polarizacin inversa, es decir, con el terminal positivo en el ctodo y el negativo en el nodo, el diodo bloquea el paso de la corriente, indicando el instrumento una resistencia muy alta entre sus terminales. (Figura 5)

Con este mtodo, y sabiendo adems que la unin base-colector tiene una resistencia menor que la unin baseemisor, es posible utilizar un multitester para identificar los terminales de cualquier transistor.

La figura 6 muestra las mediciones esperadas en un transistor NPN.

Para identificar los terminales utilizando estos datos, procedemos de la siguiente manera:

1.- Identificamos que slo se registran mediciones distintas de infinito en dos casos: entre los terminales 1-3 y entre los terminales 2-3. El terminal comn en ambos casos es el terminal 3, por tanto el terminal 3 es la base.
Figura 6 Mediciones entre los terminales de un transistor con multitester analgico.

Ejemplo:

2.- Para que exista conduccin, vemos que la base debe ser positiva respecto de los otros dos terminales, por tanto, el transistor es de tipo NPN.

Se han realizado mediciones sobre un transistor TIP31, utilizando un tester analgico y un tester digital. Los resultados se resumen en la siguiente tabla:

3.- La medicin de resistencia (y de cada de tensin) es menor entre los terminales 2-3 que entre los terminales 1-3, por tanto, el terminal 2 corresponde al colector y el terminal 1 al emisor.

Transistor TIP31
Terminal es Polarida d Tester Analogic o Tester Digital

1-2 + --

1-3 +
--

2-3 + --

Concluimos, por tanto, que los terminales del transistor TIP31 se ubican como se indica en la figura. +
5 K

+ --

- +
5,5 K

--

--

--

0,63 V

--

0,6 2V

II. ACTIVIDADES Desarrolle las siguientes actividades en orden y procurando registrar las dificultades, los comentarios y observaciones que resulten del desarrollo grupal de esta experiencia.

Identificacin del tipo de transistor y la ubicacin de los terminales utilizando multitester.

Utilizando el procedimiento descrito, identificar el tipo de transistor y los terminales de cada uno de los transistores disponibles en el laboratorio. Utilice en cada caso tester analgico y digital.

Transistor
Terminale s polaridad T.Analogi co T.Digital

1-2 + - + + -

1-3 - + + -

2-3 - +

Utilice una tabla distinta para cada transistor.

Nota El tester analgico Protek HC-3030S disponible invierte las polaridades de sus puntas al momento de funcionar como ohmetro. Por tanto, realice los siguientes ajustes antes de utilizarlo para medir diodos y transistores.