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Electrnica de potencia
Circuitos, dispositivos y aplicaciones
Segunda edicin
MUHAMMAD H. RASHID
Ph.D., Fellow lEE Professor of Electrical Engineering Purdue University at Fort Wayne

TRADUCCION: ING. GABRIEL SANCHEZ GARCIA


Ingeniero Mecnico Electricista-UNAM

REVISION TECNICA: I ING. JOSE ANTONIO TORRES HERNANDEZII


Ingeniero en Electrnica Universidad La Salle. A.C.

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PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A.


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EDICION EN ESPAOL PRESIDENTE DE LA DIVISION LATINO AMERICANA DE SIMON & SCHUSTER DIRECTOR GENERAL: DIRECTOR DE EDICIONES: GERENTE DIVISION UNIVERSITARIA: GERENTE EDITORIAL: EDITOR: GERENTE DE EDICIONES: SUPERVISOR DE TRADUCCION: SUPERVISOR DE PRODUCCION:
EDIC/ON EN INGLES:

RAYMUNDO CRUZADO GONZALEZ MOISES PEREZ ZA VALA ALBERTO SIERRA OCHOA ENRIQUE IVAN GARCIA HERNANDEZ JOSE TOMAS PEREZ BONILLA LUIS GERARDO CEDEO PLASCENCIA JULIAN ESCAMILLA LIQUIDANO TOAQUIN RAMOS SANTALLA
ENRIQUE GARCIA CARMONA

Publisher: Alan Apt Production Editor: Mona Pompili Cover Designer: Wanda Lubelska Design Copy Editor: Barbara Zeiders Prepress Buyer: Linda Behrens Manufacturing Buyer: Dave Dickey Supplements Editor: Alice Dworkin Editorial Assistant: SherIey McGuire

RASHlD: ELECTRONICA DE POTENCIA, CIRCUITOS, D/SPOSITJ\iOS y APLICACIONES 2/Ed. Traducido del ingls de la obra: Power Electronics Circuits, Devices, and Applications All Rights Reserved. Authorized translation from english language edition published by Prentice Hall Inc. Todos los Derechos Reservados. Traduccin autorizada de la edicin en ingls publicada por Prentice Hall Inc. All Rights Reserved. No part of this book may be reproduced or transmitted in any form or by any means, electronic or mechanical, incIuding photocopying recording or by any information storage retrieval system, without permission in writing from the publisher. Proihibida la reproduccin total o parcial de esta obra, por cualquier medio o mtodo sin.autorizacin por escrito del editor. Derechos reservados 1995'respecto a la primera edicin en espaol publicada por PRENTICE HALL HISPANOAMERICANA, S.A. Enrique Jacob 20, Col. El Conde 53500 Naucalpan de Jurez, Edo. de Mxico. ISBN 9688805866 Miembro de la'Cmara Nacional de la Industria Editorial, Reg. Nm. 1524 Original English Language Edition Pablished by Prentice Hall Inc. Copyright 1993 All Rights Reserved ISBN O13678996X Impreso en Mxico/Printed in Mexico

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LITOGRAFICA INGRAMEX.SA DE C.V. CENTENO No. 112-1 COL. GRANJAS ESM!RAUIA MEXICO OtilO. D.F.

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A mis padres. mi esposa Ftima y mis hijos, Faeza, Farzana y Hasan


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Prefacio

El libro Electrnica de potencia est concebido como libro de texto para el curso sobre "electrnica de potencia/convertidores estticos de potencia" para estudiantes intermedios y avanzados en ingeniera elctrica y electrnica. Tambin se podr utilizar como libro de texto para estudiantes graduados, y podr considerarse como libro de referencia para ingenieros practicantes involucrados en el diseo y en las aplicaciones de la electrnica de potencia. Los prerrequisitos seran cursos sobre electrnica bsica y circuitos elctricos bsicos. El contenido de Electrnica de potencia sobrepasa el alcance de un curso de un semestre. Para un curso elemental, los captulos 1 alll debern ser suficientes para dar una slida base de la electrnica de potencia. Los captulos 11 al 16 debern dejarse para otros cursos, o bien incluirse en un curso de graduados. El tiempo que se asigna normalmente a un curso sobre electrnica de potencia en una curricula tpica de subgraduados es un semestre. La electrnica de potencia se ha desarrollado ya a tal punto que en un curso de un solo semestre resulta difcil cubrir completamente el tema. Los fundamentos de la electrnica de potencia estn bien establecidos y no cambian con r.apidez.Sin embargo, las caractersticas de los dispositivos mejoran en forma continua y aparecen otros nuevos. Electrnica de potencia, mediante el mtodo de anlisis emprico, cubre primero las tcnicas de conversin y las caractersticas de los dispositivos y despus sus aplicaciones. Hace nfasis en los principios fundamentales de la conversin de potencia. Esta edicin de electrnica de potencia es una revisin completa de su primera edicin, que (i) utiliza mtodos de anlisis empricos, en vez de mtodo deductivos, (ii) introduce lo ms avanzado y de actualidad en tcnicas de modulacin, (iii) presenta un nuevo captulo sobre "Inversores de pulso resonante" y cubre las tcnicas correspondientes de avanzada, (iv) integra el software estndar de la industria, SPICE, y los ejemplos de diseo que se verifican mediante la simulacin SPICE, (v) analiza convertidores con cargas RL, y (vi) ha corregido errores tipogrficos y expandido secciones y/o prrafos a fin de aadir explicaciones. El libro est dividido en cinco partes: 1. Introduccin-captulo 1 2. Tcnicas de conmutacin del SCR y tcnicas de conversin de pot.encia-captulos 3, 5,6, 7,9, 10y 11 vii

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3. Dispositivos-captulos

2, 4 Y 8

4. Aplicaciones-captulos 12,13,14 Y 15 5. Protecciones-captulo 6 Los temas como los referentes a los circuitos trifsicos, circuitos magnticos, funciones de conmutacin de convertidores, anlisis transitorios en cd y anlisis de Fourier se incluyen en los apndices. La electrnica de potencia se ocupa de la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de la potencia elctrica. Las tcnicas de conversin requieren de la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia. Los circuitos electrnicos de bajo nivel, que por lo comn estn formados por circuitos integrados y de componentes discretos, generan las sefiales de compuerta requeridas para los dispositivos de potencia. Tanto los circuitos integrados como los componentes discretos se han ido reemplazando por los microprocesadores. Un dispositivo de potencia ideal no debera presentar limitaciones de conmutacin, en trminos del tiempo de activacin, el tiempo de desactivacin y las capacidades de manejo de corriente y de voltaje, o conectarse ni al desconectarse. La tecnologa de los semiconductores de potencia est desarrollando rpidamente dispositivos de potencia de conmutacin rpida, con lmites crecientes de voltaje y de corriente. Dispositivos de conmutacin de potencia como los TBJ de potencia, los MOSFET, SIT, lGBT, MCT, SITH, SCR, TRIAC, GTO y otros, estn encontrando crecientes aplicaciones en una amplia gama de productos. Con dispositivos de conmutacin ms rpidos disponibles, las aplicaciones de los microprocesadores modernos en la sntesis de las estrategias de control de los dispositivos de potencia manejados por compuerta para cumplir con las especificaciones de conversin, han ampliado el mbito de la electrnica de potencia. La revolucin de la electrnica de potencia ha ganado un gran impulso, desde fines de los aos ochenta y principios de los aos noventa. En el curso de los siguientes 30 aos, la electrnica de potencia conformar la forma y el estado de la electricidad en algn lugar entre su generacin y todos sus usuarios. Las aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia an estn pendientes de ser exploradas por completo, pero en este libro hemos hecho toda suerte de esfuerzos para cubrir tantas aplicaciones como nos ha sido'posible. Muhammad H. Rashid Fort Wayne, Indiana

viii

Prefacio

Reconocimientos

Muchas personas han contribuido a esta edicin y han hecho sugerencias basadas en sus experiencias como profesores o como estudiantes en el saln de clase. Me gustara dar las gracias a las siguientes personas por sus comentarios y sugerencias: Mazen Abdcl-Salam-Universidad del Petrleo y los Minerales King Fahd Arabia Saudita Ashoka K. S. Bhat-Universidad de Victoria, Canad Fred Brockhurst-Instituto de Tecnologa Rose-Hulman Joseph M. Crowlcy-Universidad de Illinois, Urbana-Champaign Mehrad Ehsani-Universidad Texas A&M Alexander E. Emanuel-Instituto Politcnico de Worcester George Gela-Universidad Estatal de Ohio Herman W. Hill-Universidad de Ohio Wahid Hubbi-Instituto de Tecnologa de New Jersey Marrija Ilic-Spong-Universidad de Illinois, Urbana-Champaign Shahidul I. Khan-Universidad de Concordia, Canad Peter Lauritzen-Universidad de Washington Jack Lawler-Universidad de Tennessee Arthur R. Miles-Universidad Estatal del Norte North Dakota Mehdat M. Morcas-Universidad Estatal de Kansas Hassan Moghbelli-Universidad Calumct de Purdue H. Ramezani-Ferdowsi-Universidad de Mashhad, Irn Ha sido muy placentero poder trabajar con el editor, Alan Apt, y con la editora de desarrollo, 50ndra Chvez. Finalmente, me gustara agradecer a mi familia por su cario, paciencia y comprensin.

ix

Contenido

CAPITULO 1 1-1 1-2 1-3 1-4 1-5 1-6 1-7 1-8 1-9 1-10

INTRODUCCION

Aplicaciones de la electrnica de potencia, Historia de la electrnica de potencia, 2 Dispositivos semiconductores de potencia, 5 Caractersticas de control de los dispositivos de potencia, 10 Tipos de circuitos electrnicos de potencia, 12 Diseo de equipo de electrnica de potencia, 15 Efectos perifricos, 15 Mdulos de potencia, 16 Mdulos inteligentes, 17 Publicaciones peridicas y conferencias sobre electrnica de potencia, 17 Resumen, 18 Referencias, 18 Preguntas de repaso, 19
xi

CAPITULO 2 2-1 2-2 2-3 2-4

DIODOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

20

2-5 2-6 2-7 2-8

Introduccin, 20 Caractersticas de diodos, 20 Caractersticas de la recuperacin inversa, 23 Tipos de diodos de potencia, 25 2-4.1 Diodos de uso general, 25 2-4.2 Diodos de recuperacin rpida, 25 2-4.3 Diodos Schottky, 26 Efectos del tiempo de recuperacin directa e inversa, 27 Diodos conectados en serie, 29 Diodos conectados en paralelo, 31 Modelo SPice de diodo, 32 Resumen, 34 Referencias, 35 Preguntas de repaso, 35 Problemas, 35 CIRCUITOS CON DIODOS Y CIRCUITOS RECTIFICADORES 37

CAPITULO 3 3-1 3-2 3-3 3-4 3-5 3-6 3-7 3-8 3-9 3-10 3-11 3-12 3-13 3-14 3-15

Introduccin, 37 Diodos con cargas RC y RL, 37 Diodos con cargas LC y RLC, 40 Diodos de marcha libre, 46 Recuperacin de la energa atrapada con un diodo, 48 Rectificadores monofsicos de media onda, 51 Parmetros de rendimiento, 52 Rectificadores monofsicos de onda completa, 59 Rectificador monofsico de onda completa con carga RL, 63 Rectificadores multifase en estrella, 67 Rectificadores trifsicos en puente, 71 Rectificador trifsico con carga RL, 74 Diseo de circuitos rectificadores, 76 Voltajede salida con filtro LC, 85 Efectos de las inductancias de la fuente y de la carga, 88 Resumen, 90 Referencias, 91 Preguntas de repaso, 91 Problemas, 91 TIRISTORES 96

CAPITULO 4 4-1 4-2


xii

Introduccin, 96 Caractersticas de los tiristores, 96


Contenido

4-3 4-4 4-5 4-6 4-7 4-8

4-9 4-10 4-11 4-12 4-13 4-14

Modelo de tiristor de dos transistores, 98 Activacin del tiristor, 100 Proteccin contra ditdt, 102 Proteccin contra dvldt, 103 Desactivacin del tiristor, 105 Tipos de tiristores, 106 4-8.1 Tiristores de control de fase, 107 4-8.2 Tiristores de conmutacin rpida, 107 4-8.3 Tiristores de desactivado por compuerta, 108 4-8.4 Tiristores de triodo bidireccional, 109 4-8.5 Tiristores de conduccin inversa, 110 4-8.6 Tiristores de induccin esttica, 111 4-8.7 Rectificadores controlados de silicio fotoactivados por luz, 111 4-8.8 Tiristores controlados por FET, 112 4-8.9 Tiristor controlados por MaS, 112 Operacin en serie de tiristores, 114 Operacin en paralelo de tristores, 117 Circuitos de disparo de tiristor, 118 Transistor monounin, 120 Transistor monounin programable, 123 Modelo SPice para el tiristor, 124 Resumen, 126 Referencias, 127 Preguntas de repaso, 128 Problemas, 128 RECTIFICADORESCONTROLADOS 130

CAPITULO 5 5-1 5-2 5-3

Introduccin, 130 Principio de operacin del convertidor controlado por fase, 131 Semiconvertidores monofsicos, 133 5-3.1 Semiconvertidor monofsico con carga RL, 136 5-4 Convertidores monofsicos completos, 138 5-4.1 Convertidor monofsico completo con carga RL, 141 5-5 Convertidores monofsicos duales, 143 5-6 Convertidores monofsicos en serie, 145 5-7 Convertidores trifsicos de media onda, 150 5-8 Semiconvertidores trifsicos, 153 5-8.1 Semiconvertidores trifsicos con carga RL, 157 5-9 Convertidores trifsicos completos, 158 5-9.1 Convertidor trifsico completo con carga RL, 164 5-10 Convertidores trifsicos duales, 165

Contenido

xiii

~~,----------------------------------

5-11

5-12 5-13 5-14

Mejoras al factor de potencia, 167 5-11.1 Control del ngulo de extincin, 167 5-11.2 Control del ngulo simtrico, 169 5-11.3 Control por modulacin del ancho de pulso, 172 5-11.4 Modulacin senoidal del ancho de pulso, 175 Diseo de circuitos convertidores, 176 Efectos de las inductancias de carga y de alimentacin, 182 Circuitos de disparo, 184 Resumen, 184 Referencias, 186 Preguntas de repaso, 186 Problemas, 187

CAPITULO 6 6-1 6-2 6-3 6-4 6-5 6-6 6-7 6-8 6-9 6-10

CONTROLADORES DE VOLTAJE CA

190

Introduccin, 190 Principio del control de abrir y cerrar, 191 Principio del control de fase, 193 . Controladores bidireccionales monofsicos con cargas resistivas, 195 Controladores monofsico con cargas inductivas, 198 Controladores trifsicos de media onda, 201 Controladores trifsicos de onda completa, 206 Controladores trifsicos bidireccionales conectados en delta, 210 Cambiadores de derivaciones de un transformador monofsico, 214 Cicloconvertidores, 218 6-10.1 Cicloconvertidores monofsicos, 219 6-10.2 Cicloconvertidores trifsicos, 221 6-10.3 Reduccin de armnicas de salida, 222 6-11 Controladores de voltaje de ca con control PWM, 225 6-12 Diseo de circuitos de controladores de voltaje ca, 226 6-13 Efectos de las inductancias en alimentacin yen la carga, 233 Resumen, 234 Referencias, 234 Preguntas de repaso, 235 Problemas, 236 TECNICAS DE CONMUTACION DE TIRISTORES 239

CAPITULO 7 7-1 7-2 7-3

Introduccin, 239 Conmutacin natural, 240 Conmutacin forzada, 240 7-3.1 Autoconmutacion, 241 7-3.2 Conmutacin por impulso, 243
Contenido

xiv

7-4 7-5 7-6

7-3.3 Conmutacin por pulso resonante, 246 7-3.4 Conmutacin complementaria, 250 7-3.5 Conmutacinporpulsoextemo,251 7-3.6 Conmutacin del lado de la carga, 252 7-3.7 Conmutacin del lado de la lnea, 252 Diseo de circuitos de conmutacin, 254 Modelo SPice del tiristor de cd, 256 Capacitares de conmutacin, 259 Resumen, 259 Referencias, 260 Preguntas de repaso. 260 Problemas, 260

CAPITULO 8 8-1 8-2

TRANSISTORES DE POTENCIA

262

8-3

8-4 8-5 8-6 8-7 8-8

8-9

Introduccin. 262 Transistores de unin bipolar. 263 8-2.1 Caractersticas en rgimen permanente, 263 8-2.2 Caractersticas de conmutacin, 267 8-2.3 Lmites de conmutacin, 274 8-2.4 Control de la excitacin de la base, 276 MOSFET de potencia, 280 8-3.1 Caractersticas en rgimen permanente, 280 8-3.2 Caractersticas de conmutacin, 284 8-3.3 Excitacin de compuerta, 285 SIT, 286 IGBT, 287 Operacin en serie y en paralelo. 289 Limitaciones por di/de y dvldt, 291 Aislamiento de las excitaciones de compuerta y de base, 294 8-8.1 Transformadores de pulso, 295 8-8.2 Acopladores pticos, 295 Modelos SPice, 296 Resumen, 299 Referencias, 299 Preguntas de repaso, 300 Problemas, 301 PULSADORES DE CD 303

CAPITULO 9 9-1 9-2 9-3

Introduccin, 303 Principio de la operacin reductora, 303 Pulsador reductor con carga RL, 306 xv

Contenido

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9-4 9-5' 9-6 9-7

Principio de operacin elevadora, 309 Parmetros de rendimiento, 312 Clasificacin de pulsadores, 312 Reguladores en modo conmutado, 316 9-7.1 Reguladores reductores, 317 9-7.2 Reguladores elevadores, 320 9-7.3 Reguladores reductores-elevadores, 323 9-7.4 Reguladores Ck, 326 9-7.5 Limitaciones de la conversin en un paso, 330 9-8 Circuitos pulsadores con tiristores, 331 9-8.1 Pulsadores conmutados por impulso, 331 9-8.2 Efectos de las inductancias de la alimentacin y de la carga, 336 9-8.3 Pulsadores de tres tiristores conmutados por impulso, 337 9-8.4 Pulsadores de pulso resonante, 338 9-9 Diseo de un circuito pulsador, 342 9-10 Consideraciones magnticas, 350 Resumen, 351 Referencias, 351 Preguntas de repaso, 352 Problemas, 353 INVERSORES DE MODULACION DE ANCHO DE PULSO 356

CAPITULO 10 10-1 10-2 10-3 10-4 10-5

Introduccin, 356 Principio de operacin, 357 Parmetros de rendimiento, 359 Inversores monofsicos en puente, 360 Inversores trifsicos, 364 10-5.1 Conduccin a 180, 364 10-5.2 Conduccin a 120, 370 10-6 Control de voltaje de inversores monofsicos, 372 10-6.1 Modulacin de un solo ancho de pulso, 372 10-6.2 Modulacin varios anchos de pulso, 374 10-6.3 MOdulacinsenoidal del ancho de pulso, 376 10-6.4 Modulacin senoidal modificada del ancho de pulso, 378 10-6.5 Control por desplazamiento de fase, 380 10-7 Control de voltaje en inversores trifsicos, 381 10-8 Tcnicas avanzadas de modulacin, 382 10-9 Reduccin de armnicas, 387 10-10 Inversores con tiristor por conmutacin forzada, 390 10-10.1 Inversores con conmutacin auxiliar, 391 10-10.2 Inversores de conmutacin complementaria, 393

xvi

Contenido

10-11 10-12 10-13 10-14

Inversores de fuente de corriente, 400 Inversor de enlace de cd variable, 402 Diseo de circuitos inversores, 404 Consideraciones magnticas, 410 Resumen, 410 Referencias, 410 Preguntas de repaso, 411 Problemas, 412

CAPITULO 11

CONVERTIDORES DE PULSO RESONANTE

414

11-1 Introduccin, 414 11-2 Inversores resonantes en serie, 415 11-2.1 Inversores resonantes en serie con interruptores unidireccionales, 415 11-2.2 Inversores resonantes en serie con interruptores bidireccionales, 422 11-2.3 Respuesta de frecuencia para cargas en serie, 428 11-2.4 Respuesta de frecuencia para carga en paralelo, 431 11-2.5 Respuesta de frecuencia para cargas en serie-paralelo, 433 11-3 Inversores resonantes en paralelo, 434 11-4 Inversor resonante de clase E, 439 11-5 Rectificador resonante de clase E, 443 11-6 Convertidores resonantes de conmutacin a corriente cero, 446 11-6.1 Convertidor resonante ZCS de tipo L, 446 11-6.2 Convertidor resonante ZCS de tipo M, 451 11-7 Convertidores resonantes de conmutacin a voltaje cero, 451 11-8 Convertidores resonantes de conmutacin a voltaje cero en dos cuadrantes, 454 11-9 Inversores resonantes de enlace cd, 457 Resumen, 460 Referencias, 461 Preguntas de repaso, 462 Problemas, 462 CAPITULO 12 12-1 12-2 12-3 12-4 12-5 12-6 12-7 12-8 INTERRUPTORESESTATICOS 464

Introduccin, 464 Interruptores monofsicos de ca, 464 Interruptores trifsicos de ca, 467 Interruptores inversores trifsicos, 469 Interruptores de ca para transferencia de bus, 470 Interruptores de cd, 471 Relevadores de estado slido, 472 Diseo de interruptores estticos, 474 Resumen, 474
xvii

Contenido

Referencias, 475 Preguntas de repaso, 475 Problemas, 475

CAPITULO 13

FUENTES DE PODER

477

13-1 Introduccin, 477 13-2 Fuentes de poder de cd, 478 13-2.1 Fuentes de poder de cd en modo de conmutacin, 478 13-2.2 Fuentes de poder de cd resonantes, 481 13-2.3 Fuentes de poder bidireccionales de ca, 481 13-3 Fuentes de poder de ca, 483 13-3.1 Fuentes de poder de ca en modo interrumpido, 485 13-3.2 Fuentes de poder de ca resonantes, 486 13-3.3 Fuentes de poder de ca bidireccionales, 486 13-4 Conversiones multietapas, 487 13-5 Acondicionamiento del factor de potencia, 487 13-6 Consideraciones magnticas, 488 Resumen, 490 Referencias, 490 Preguntas de repaso, 491 Problemas, 491 CAPITULO 14 14-1 14-2 14-3 14-4 PROPULSORESDE CD 493

Introduccin, 493 Caractersticas bsicas de los motores de cd, 494 Modos de operacin, 498 Propulsores monofsicos, 501 14-4.1 Propulsores de convertidor de media onda monofsico, 501 14-4.2 Propulsores de semiconvertidor monofsico, 503 14-4.3 Propulsores de convertidor completo monofsico, 504 14-':.4 Propulsores de convertidor dual monofsico, 505 14-5 Propulsores trifsicos, 508 14-5.1 Propulsores de convertidor trifsico de media onda, 509 14-5.2 Propulsores de semiconvertidor trifsico, 509 14-5.3 Propulsores de convertidor trifsico completo, 509 14-5.4 Propulsores de convertidor trifsico dual, 510 14-6 Propulsores de pulsador, 513 14-6.1 Principio de control de potencia, 514 14-6.2 Principio de control de freno regenerativo, 515 14-6.3 Principio de control de freno reosttico, 518 14-5.4 Principio de control combinado de freno regenerativo y reosttico, 519
xviii
Contenido

14-7

14-6.5 Propulsores pulsadores de dos y uatro cuadrantes, 520 14-6.6 Pulsadores multifase, 522 Control en lazo cerrado de los propulsores-de cd, 524 14-7.1 Funcin de transferencia en lazo abierto, 524 14-7.2 Funcin de transferencia en lazo cerrado, 528 14-7.3 Control en lazo por seguimiento de fase, 533 14-7.4 Control por microcomputadora de propulsores de cd, 534 Resumen, 535 Re ferences , 536 Preguntas de repaso, 536 Problemas, 537

CAPITULO 15

PROPULSORESDE CA

541

15-1 Introduccin, 541 15-2 Propulsores de motores de induccin, 542 15-2.1 Caractersticas de rendimiento, 543 15-2.2 Control del voltaje del estator, 549 15-2.3 Control del voltaje del rotor, 552 15-2.4 Control por frecuencia, 559 15-2.5 Control de voltaje y de frecuencia, 561 15-2.6 Control de corriente, 563 15-2.7 Control de voltaje, corriente, y frecuencia, 566 15-2.8 Control en lazo cerrado de motores de induccin, 568 15-3 Propulsores de motores sncronos, 573 15-3.1 Motores de rotor cilndrico, 575 15-3.2 Motores de polos salientes, 578 15-3.3 Motores de reluctancia, 579 15-3.4 Motores de imn permanente, 580 15-3.5 Motores de reluctancia conmutada, 581 15-3.6 Control en lazo cerrado de motores sncronos, 582 15-3.7 Propulsores de motor de cd y ca sin escobillas, 582 Resumen, 586 Referencias, 587 Preguntas de repaso, 588 Problemas, 588 CAPITULO 16 16-1 16-2 16-3 16-4 PROTECCIONDE DISPOSITIVOS V CIRCUITOS 591

Introduccin, 591 Enfriamiento y disipadores de calor, 591 Circuitos de apoyo, 597 Transitorios de recuperacin inversa, 597
xix

Contenido

Transitorios del lado de alimentacin y del lado de carga, 603 16-6 Proteccin de voltaje mediante diodos de selenio y varistores de xido metlico, 606 16-5

16-7 Protecciones de corriente, 607 16-7.1 Cmo utilizar los fusibles, 608 16-7.2 Corriente de falla con fuente de ca, 615 16-7.3 Corriente de falla con fuente de cd, 617 Resumen, 620 Referencias, 620 Preguntas de repaso, 620 Problemas, 621 APENDICE A APENDICE B APENDICEC APENDICE D APENDICE E APENDICE F CIRCUITOS TRIFASICOS CIRCUITOS MAGNETICOS 624 628 633

FUNCIONES DE CONMUTACION DE LOS CONVERTIDORES ANALlSIS DE TRANSITORIOS EN CD ANALlSIS DE FOURIER 643 639

LISTADO DE PROGRAMAS DE COMPUTO EN IBM-PC BASICA 646 HOJAS DE DATOS 695 656

APENDICE G BIBLlOGRAFIA INDICE

697

xx

Contenido

Introduccin

,-,

APLICACIONES

DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA

Durante muchos aos ha existido la necesidad de controlar la potencia elctrica de los sistemas de traccin y de los controles industriales impulsados por motores elctricos; esto ha llevado a un temprano desarrollo del sistema Ward-Leonard con el objeto de obtener un voltaje de corriente directa variable para el control de los motores e impulsores. La electrnica de potencia ha revolucionado la idea del control para la conversin de potencia y para el control de los motores elctricos. La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica y rotativa o giratoria, para la generacin, transmisin y distribucin de energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los objetivos de control deseados. La electrnica de potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica. En la figura 1-1 se muestra la interrelacin de la electrnica de potencia con la energa, la electrnica y el control. La electrnica de potencia se basa, en primer trmino, en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia. Con el desarrollo de la tecnologa de los semiconductores de potencia, las capacidades del manejo de la energa y la velocidad de conmutacin de los dispositivos de potencia han mejorado tremendamente. El desarrollo de la tecnologa de los microprocesadores-microcomputadoras tiene un gran impacto sobre el control y la sntesis de la estrategia de control para los dispositivos semiconductores de potencia. El equipo de electrnica de potencia moderno utiliza (1) semiconductores de potencia, que pueden compararse con el msculo, y (2) microelectrnica, que tiene el poder y la inteligencia del cerebro. La electrnica de potencia ha alcanzado ya un lugar importante en la tecnologa moderna y se utiliza ahora en una gran diversidad de productos de alta potencia, que incluyen controles de calor, controles de iluminacin, controles de motor, fuentes de alimentacin, sistemas de propulsin de vehculos y sistemas de corriente directa de alto voltaje (HVDC por sus siglas en ingls).
1

Potencia

Control Analgico I Digital

Electrnica Dispositivos I Circuitos

Equipo de potencia Esttica I Giratoria

Electrnica

Figura 1-1 Relacin de la electrnica de potencia con la energa. la electrnica y el control.

Resulta difcil trazar los lmites de las aplicaciones de la electrnica de potencia; en especial con las tendencias actuales en el desarrollo de los dispositivos de potencia y los microprocesadores. el lmite superior est an indefinido. En la tabla l.l se muestran algunas de las aplicaciones de la electrnica de potencia.

1-2 HISTORIA DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA La historia de la electrnica de potencia empez en el ao 1900. con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron, gradualmente, el rectificador de tanque metlico, el rectificador de tubo al alto vaco de rejilla controlada. el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos dispositivos se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de 1950. La primera revolucin electrnica inicia en 1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratories por los seores Bardccn, Brauain y Schockley. La mayor parte de las tecnologas electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invencin. A travs de los aos, la microelectrnica moderna ha evolucionado a partir de los semiconductores de silicio. El siguiente gran parteaguas, en 1956, tambin provino de los Bell Telephone Laboratories: la invencin del transistor de disparo PNPN, que se defini como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR por sus siglas en ingls). La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Elcctric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces, se han introducido muy diversos tipos de dispositivos semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. La revolucin de la microelectrnica nos dio la capacidad de 2
Introduccin

Cap. 1

TABLA 1.1

ALGUNAS APLICACIONES DE LA ELECTRONICADE POTENCIA


Fuentes de alimentacin para radar/sonar Transito masivo Minera Control de hornos Controles de motor Circuitos de televisin Fuentes de alimentacin Compensacin de voltamperios reactivos Perforacin de pozos petroleros Generadores ultrasnicos Propulsores motores Mquinas dispensadoras automticas Interruptores estticos Bombas y compresores Fongrafos Fotocopias Controles de seales de trnsito Transmisores de muy baja frecuencia Dcflcctorcs de televisin Trenes de laminacin Sistemas de seguridad Trenes miniatura Amplificadores de radio frecuencia Fuentes de alimentacin de energa solar Rclcvadores estticos Controles de temperatura Prensas de impresin flalastras para lmpara de arco de mercurio Fuentes de alimentacin no interrumpibles Soldadura Material fotogrfico Lavadoras Juguetes Produccin de papel Sistemas servo Trenes Arranque de mquinas sncronas Proyectores de cinc Reguladores de voltaje Fuentes de poder para aplicaciones espaciales Temporizadores Mquinas de coser Aceleradores de partculas Magnetos o electroimanes Fibras sintticas Rclcvadorcs de estado slido Aspiradoras de vaco Transponadores de personas Unidad superficial de rango Barra de control de reactor nuclear Reguladores Contactores de estado slido Refrigeradores

Abre puertas elctricos Acondicionamiento del aire Alarmas Alarmas contra robo Amplificadores de audio Arrancadores para turbinas de gas Atenuadores Atenuadores luminosos Calderas Calefaccin por induccin Cargador de batera Centelladores luminosos Charolas para calentar alimentos Cobijas elctricas Computadoras Conductores Controles de calor Controles lineales de motor de induccin Corriente directa de alto voltaje (HYDC) Crisoles Electrodepsito electromecnico Electrodomsticos Electroimanes Elevadores Estibadores Excitadores de generador Exhibidores Fuentes de alimentacin para aeronaves Fuentes de alimentacin para laser Grabaciones magnticas Gras y tomos Herramientas elctricas Herramientas manuales de potencia Hornos de cemento Ignicin electrnica Iluminacin de alta frecuencia Juegos Licuadoras Locomotoras Mezcladores de alimento Molinos Precipitadores electrostticos Procesos qumicos Publicidad Puertas de cochera automticas Pulsador Relevadores de enganche Secadoras de ropa Secadoras elctricos Sopladores Vehculos elctricos Ventiladores Ventiladores elctricos

Fuente: Ref. 5

Sec.1-2

Historia de la electrnica

de potencia

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procesar una gran cantidad de informacin a una velocidad increble. La revolucin de la electrnica de potencia nos est dando la capacidad de dar forma y controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor. Debido a la fusin de la electrnica de potencia, que es el msculo, con la microelectrnica, que es el cerebro. se han descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia, y se descubrirn ms. Dentro de los siguientes 30 aos, la electrnica de potencia formar y condicionar la electricidad, en alguna parte de la lnea de transmisin, entre el punto de generacin y todos los usuarios. La revolucin de la electrnica de potencia ha ganado inercia, desde el fin de los aos 80 y principios de los 90. En la figura 1.2 se muestra la historia cronolgica de la electrnica de potencia.

'-3 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA Desde que se desarroll el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), a fines de 1957, ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia. Hasta 1970, los tiristores convencionales se haban utilizado en forma exclusiva para el control de la energa en aplicaciones industriales. A partir de 1970, se desarrollaron varios tipos de dispositivos semiconductores de potencia que quedaron disponibles en forma comercial. stos se pueden dividir en cinco tipos principales: (1) diodos de potencia, (2) tiristores, (3) transistores bipolares de juntura de potencia (BJT), (4) MOSFET de potencia, y (5) transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de induccin estticos (SIn. Los tiristores se pueden subdividir en ocho tipos: (a) tiristor de conmutacin forzada, (b) tiristor conmutado por lnea, (e) tiristor desactivado por compuerta (GTO), (d) tiristor de conduccin inversa (RCT), (e) tiristor de induccin esttico (SITH), (f) tiristor desactivado con asistencia de compuerta (GATI), (g) rectificador controlado de silicio fotoactivado (LASCR), y (h) tiristores controlados por MOS (MCn. Los transistores de induccin estticos tambin estn disponibles en forma comercial, Los diodos de potencia son de tres tipos: de uso general, de alta velocidad (o de recuperacin rpida) y Schouky, Los diodos de uso general estn disponibles hasta 3000 V, 3500 A, y la especificacin de los diodos de recuperacin rpida puede llegar hasta 3000 V, 1000 A. El tiempo de recuperacin inversa vara entre 0.1 y 5 us. Los diodos de recuperacin rpida son esenciales para la interrupcin de los convertidores de potencia a altas frecuencias. Un diodo tiene dos terminales: un ctodo y un nodo. Los diodos Schottky tienen un voltaje bajo de estado activo y un tiempo de recuperacin muy pequeo, tpicamente en nanosegundos. La corriente de fuga aumenta con el voltaje y sus especificaciones se limitan a 100 V, 300 A. Un diodo conduce cuando el voltaje de su nodo es ms alto que el de su ctodo; siendo la cada de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja, tpicamente 0.5 y 1.4 V. Si el voltaje de ctodo es ms alto que el voltaje de nodo, se dice que el diodo est en modo de bloqueo. En la figura 1-3 aparecen varias configuraciones de diodos de uso general, mismos que se agrupan bsicamente en dos tipos. Uno se conoce como de perno o montado en perno y el otro como de disco empacado a presin o de disco de hockey. En el de perno, tanto el nodo como el ctodo podran ser el perno. Un tiristor tiene tres terminales: un nodo, un ctodo.y una compuerta. Cuando una pequea corriente pasa a travs de la terminal de la compuerta hada el ctodo, el tiristor conduce, siempre y cuando la terminal del nodo est a un potencial ms alto que el ctodo. Una vez que el tiristor est en un modo de conduccin, el circuito de la compuerta no tiene ningn control y el tiristor contina conduciendo. Cuando un tiristor est en un modo de conduccin, la cada de potencial en directa es
Seco '-3 Dispositivos semiconductores de potencia 5

..,-',
\_J

,~, tt i,

I,~
.11

Figura 1-3 Varias configuraciones de diodos de uso general. (Cortesa de Powercx, Inc.)

muy pequea, tpicamente 0.5 a 2 V. Un tiristor que conduce se puede desactivar haciendo que el potencial del nodo sea igualo menor que el potencial del ctodo. Los tiristores conmutados en lnea se desactivan en razn de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada, y los tiristores conmutados en forma forzada se desactivan mediante un circuito adicional conocido como circuitera de conmutacin. En la figura 1-4 se muestran varias configuraciones de tiristores de control de fase (o de conmutacin de lnea): tipo perno, tipo disco de hockey, tipo plano, y tipo de aguja. Los tiristores naturales o conmutados en lnea estn disponibles con especificaciones de hasta 6000 V, 3500 A. El tiempo de desactivacin de los iiristorcs de bloqueo inverso de alta velocidad ha mejorado en forma sustancial y es posible obtener de 10 a 20 IlS con un tiristor de 1200-V, 2000-A. El tiempo de desactivacin se define como el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente principal se reduce a cero despus de la interrupcin externa del circuito de voltaje principal, y el instante en que el tiristor es capaz de aceptar un voltaje principal especificado, sin activarse [2]. Los RCT Y los GA TI se utilizan en gran medida para la interrupcin de alta velocidad, en especial en aplicaciones de traccin. Un RCT se puede considerar como un ti-

Figura 1-4 Varias configuraciones de tiristor. (Cortesa de Powerex, Ine.)

Introduccin

Cap. 1

ristor que incluye un diodo inverso en paralelo. Los RCT estn disponibles hasta 2500 V, 1000

(y 400 A de conduccin inversa) con un tiempo de interrupcin de 40 us, Los GATT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A con una velocidad de interrupcin de 8 us, Los LASCR, que se fabrican hasta 6000 V, 1500 A, con una velocidad de interrupcin de 200 a 400 us, son adecuados para sistemas de energa de alto voltaje, especialmente en HVDC. Para aplicaciones de corriente alterna de baja potencia los TRIAC, se utilizan ampliamente en todo tipo de controles sencillos de calor, de iluminacin, de motor, as como interruptores de corriente alterna. Las caractersticas de los TRIAC son similares a dos tiristores conectados en inverso paralelo con una sola terminal de compuerta. El flujo de corriente a travs de Ln TRIAC se puede controlar en cualquier direccin. Los GTO y los SITH son tiristores auto desactivados. Los GTO y los SITH se activan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas, y se desactivan mediante la aplicacin de un pulso corto negativo a las mismas. No requieren de ningn circuito de conmutacin. Los GTO resultan muy atractivos para la conmutacin forzada de convertidores y estn disponibles hasta 4000 V, 3(XlO A. Los SITH, cuyas especificaciones pueden llegar tan alto como 1200 V, 300 A, se espera que puedan ser aplicados a convertidores de mediana potencia con una frecuencia de varios cientos de kilohcrtz y ms all del rango de frecuencia de los GTO. En la figura 1-5 se muestran varias configuraciones de GTO. Un MCT se puede "activar" mediante un pequeo pulso de voltaje negativo sobre la compuerta MOS (respecto a su nodo), y desactivar mediante un pulso pequeo de voltaje positivo. Es similar a un GTO, excepto en que la ganancia de desactivacin es muy alta. Los MCT estn disponibles hasta 1000 V, 100 A. Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energa a frecuencias menores que 10 kHz y su aplicacin es eficaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. Las diferentes configuraciones de los transistores bipolares de potencia aparecen en la figura 8-2. Un transistor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la configuracin de emisor comn. Mientras que la base de un transistor NPN est a un potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base sea lo suficientemente grande como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se conservar activado, siempre que la unin del colector al emisor est correctamente polarizada. La cada directa de un transistor en conduccin est en el rango de 0.5 a 1.5 V. Si el voltaje de excita-

Figura 1-5 Tiristores desactivados por compuerta. (Cortesa de Intemational Rectifiers.)

Seco '-3

Dispositivos

semiconductores

de potencia

cin de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccin (es decir desactivado). Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn disponibles en una especificacin de relativamente poca potencia en rango de 1000 V, 50 A, en un rango de frecuencia de varias decenas de kilohertz. Los diferentes MOSFET de potencia de distintos tamaos aparecen en la figura 8-21. Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT, pero an no tan rpidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen caractersticas de excitacin y de salida muy superiores a las de los BlT.

Los IGBT son adecuados para altos voltajes, altas corrientes y frecuencias de hasta 20 KHz. Los IGBT estn disponibles hasta 1200 V, 400 A. Un SIT es un dispositivo de alta potencia y de alta frecuencia. Es, en esencia, la versin en estado slido del tubo de vaco triodo, y es similar a un JFET. Tiene una capacidad de potencia de bajo ruido, baja distorsin y alta frecuencia de audio. Los tiempos de activacin y desactivacin son muy cortos, tpicamente de 0.25 J.lS. La caracterstica de normalmente activo y la alta cada de voltaje limitan sus aplicaciones para conversiones de energa de uso general. La especificacin de uso de corriente de los SIT pueden ser hasta de 1200 V, 300 A, Y la velocidad de interrupcin puede ser tan alta como 100 kHz. Los SIT son adecuados para aplicaciones de alta potencia, alta frecuencia (es decir audio, VHFIUHF, y amplificadores de microondas). Las especificaciones de los dispositivos semiconductores de potencia comercialmente disponibles aparecen en la tabla l.2, donde el voltaje activo es la cada del voltaje de estado activo del dispositivo a la corriente especificada. En la tabla 1.3 aparecen las caractersticas v-i y los smbolos de los dispositivos semiconductores de potencia comnmente utilizados.
TABLA 1.2 ESPECIFICACIONESDE DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA
Especificacin de voltaje/ corriente 5000 V/5000 A 3000 V/1000 A 40 V/fIJ A 5000 V/5000A 1200 V/1500 A 2500 V/400 A 2500 V/1000 A 12ooV/400 A 6000 V/1500 A 1200 V!300 A 4500 V!3000 A 4000 V/2200 A 400 V/250 A 400 V/40 A 630 V/50 A 1200 V/400 A 1200 V!300 A 500 V/8.6 A 1000 V/4.7 A , 500 V/50 A 1200 V/400 A 600 V/fIJ A Alta frecuencia (Hz) Ik 10k 20k Ik 10k 5k 5k 20k 400 400 10k 20k 20k 20k 25k 10k 100k 100k 100k 100k 20k 20k Tiempo de conmutacin (us) 100 2-5 0.23 200 20 40 40 8 200-400 200-400 15 6.5 9 6 1.7 30 0.55 0.7 0.9 0.6 2.3 2.2 Resistencia en estado activo (Q) 0.16m 1m 10m 0.25m 0.47m 2.16m 2.1m 2.24m 0.53m 3.57m 2.5m 5.75m 4m 31m 15m 10m 1.2 0.6 2 O.4m

Tipo Diodos Uso general Alta velocidad Schottky De bloqueo inverso Alta velocidad Bloqueo inverso Conduccin inversa GATT Disparo lumnico GTO SITH Individual

Tiristores desactivados en forma forzada

TRIAC Tiristores desactivados automticamente Transistores de potencia

Darlington SIT MOSFET de potencia Individual

IGBT MCT Fuente: Ref. 3.

Individual Individual

60m
18m

Introduccin

Cap. 1

TABLA 1.3

CARACTERISTICAS y SIMBOLOS DE ALGUNOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA


Smbolos Caractersticas

Dispositivos

Diodo

A o

l
A
o

lo

~
VAK

I
o

Tiristor

lA

~G
G K

r
1",

1_

DiSrO

de compuerta

VAK

51TH

A~

GTO

1",

Df=G

MCT

1 ...

TAIAC

Disparo de compuerta

-7 -_
O -

Disparo de compuerta

V
Al!

A LASCA
o--

e~B
NPNBJT

Icf.C .Ie

E IC ,,...---IGBT II-----Vr

YaSn
Vas1
VCS

0'--------lo MOSFET de canal N. 11-----VoSn

r----/1------

VGSO Vas, >VoSn

OL..--------Vos

SIT

~:

lo

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OY
< VGSn

O'---------Vos

1------ VoSn

}-,----VGSl

Las hojas de datos para un diodo, SCR, GTO, BJT, MOSFET, IGBT y MCT se dan en el apndice G. En la figura 1-6 se muestran las aplicaciones y los rangos de frecuencia de los dispositivos de potencia. Un supcrdispositivo de potencia debera (1) tener un voltaje activo igual a ce-

ro, (2) soportar un voltaje fuera de conduccin infinito, (3) manejar una corriente infinita, y (4) "activarse" y "desactivarse" en un tiempo cero, teniendo por lo tanto una velocidad de conmutacin infinita.

100M
______

Rango adual de productos P~n futuro de desarroHo

10M

1M

~
"c:I
1

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CJ

l00K

Robot.mquina soldador.

1 Q. 1

10K

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100

10 Frecuencia de operacin (Hz)

Figura 1-6 Aplicaciones de los dispositivos de potencia. (Cortesa de Powerex, Inc.)

'4 CARACTERISTICAS DE CONTROL DE LOS DISPOSITIVOS DE POTENCIA Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden operar como interruptores mediante la aplicacin de seales de control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base de los transistores bipolares). La salida requerida se obtiene mediante la variacin del tiempo de conduccin de estos dispositivos de conmutacin. En la figura 1-7 se muestran los voltajes de salida y las caractersticas de control de los dispositivos de interrupcin de potencia de uso comn. Una vez que un tiristor est en modo de conduccin, la seal de la compuerta ya sea positiva o negativa no tiene efecto; esto aparece en la figura 1-7a. Cuando un dispositivo semiconductor de potencia est en modo de conduccin normal, existe una pequea cada de voltaje a travs del mismo. En las formas de onda de voltaje de salida de la figura 1-7, estas cadas de voltaje se consideran despeeciables y, a menos que se especifique lo contrario, esta suposicin se conservar a travs de los captulos siguientes. 10
Introduccin Cap. 1

Tiristor

1
+ v

r _:~_~ __ !J
g

vJ..__"

(a) Tiristor interruptor

51TH A ~K A
+ GTO

K R

Iv,

A~..c-K MCTTG

(bi Interruptor GTO/MCT/SITH (en el caso de MCT, la polaridad de Vg se invierte como se muestra)

I~ 'X'
S

J' r

r
-

--

-~

1,

[,
L,

t,

t,

[,
T

(e) Transistor interruptor

+ 0-0--------,

+W
V. ~

~~:.T f [, l'
(d) Interruptor MOSFET/IGBT
_

t,

t,

[,
11

Figura 1-7 Caractersticas de control de los dispositivos de interrupcin de potencia. Caractersticasde control de los dispositivos de potencia

Seco '-4
' ... ;,-,;'.0.<;;..1....,.

Los dispositivos semiconductores

de potencia se pueden clasificar a partir de:

1. Activacin y desactivacin sin control (por ejemplo diodo)

2. Activacin controlada y desactivacin sin control (por ejemplo SCR) 3. Caractersticas de activacin y desactivacin controladas (por ejemplo BJT, MOSFET, GTO, SITH, IGBT, SIT, MCT) 4. 5. 6. 7. Requisito de seal continua en la compuerta (BJT, MOSFET, IGBT, SIT) Requisito de pulso en la compuerta (por ejemplo SCR, GTO, MCT) Capacidad de soportar voltajes bipolares (SCR, GTO) Capacidad de soportar voltajes unipolares (BJT, MOSFET, GTO, IGBT, MCT)

8. Capacidad de corriente bidireccional (TRIAC, RCT) 9. Capacidad de corriente unidireccional (SCR, GTO, BJT, MOSFET, MCT, IGBT, SITH, SIT, diodo)

'-5 TIPOS DE CIRCUITOS ELECTRONICOSDE POTENCIA Para el control de la potencia elctrica o del acondicionamiento de la misma, es necesario convertir la potencia de una forma a otra, las caractersticas de interrupcin de los dispositivos de potencia permiten dicha conversin. Los convertidores de potencia estticos llevan a cabo estas funciones de conversin de potencia. Un convertidor se puede considerar como una matriz de conmutacin. Los circuitos electrnicos de potencia se pueden clasificar en seis tipos:

1. Rectificadores de diodos
2. 3. 4. 5. Convertidores ca-ed (rectificadores controlados) Convertidores ca-ed (controladores de voltaje de ca) Convertidores ca-ed (pulsadores de cd) Convertidores cd-ca (inversores)

6. Interruptores estticos Los dispositivos de los convertidores siguientes se utilizan nicamente para ilustrar los principios bsicos. La accin de interrupcin de un convertidor puede ser llevada" cabo por ms de un dispositivo. La seleccin de un dispositivo en particular depender del voltaje, la corriente y los requisitos de velocidad del convertidor. Rectificadores. Un circuito rectificador por diodos convierte el voltaje de ca en un voltaje fijo de cd como se muestra en la figura 1-8. El voltaje de entrada al rectificador puede ser monofsico o trifsico. Convertidores ca-ed, Un convertidor monofsico con dos tiristores de conmutacin natural aparece en la figura 1-9. El valor promedio del voltaje de salida se puede controlar variando el tiempo de conduccin de los tiristores o el ngulo de retraso de disparo, a. La entrada puede 12
Introduccin

Cap. 1

J
AlimentacJ deca]

.----___,,...~--___,
+lv.=vmsenwt
_ Resistenciade carga R

Diodo D,

,}

.,
Diodo D, (b) Formas de onda de voltaje

(a) Diagrama de circuito

Figura 1-8 Circuito rectificador monofsico. ser una fuente mono o trifsica. Estos convertidores tambin se conocen como rectificadores con-

trolados.
Convertidores ca-ca. Estos convertidores se utilizan para obtener un voltaje de salida de corriente alterna variable a partir de una fuente de corriente alterna fija, la figura 1-10 muestra un convertidor monofsico con un TRIAC. El voltaje de salida se controla mediante la variacin del tiempo de conduccin de un TRIAC o el ngulo de retraso de disparo, a. Estos tipos de convertidores tambin se conocen como controladores de voltaje de ca. Convertidores cd-cd, Un convertidor cd-cd tambin se conoce como un pulsador o un regulador de conmutacin. en la figura 1-11 aparece un pulsador de transistor. El voltaje promedio de salida se controla mediante la variacin del tiempo de conduccin t. del transistor Q. Si T es el periodo de corte, entonces t = oT. se conoce como el ciclo de trabajo del pulsador. '

v.

Tiristor T,

-;;-1
1

V.=Vmsenwt Resistencia de carga R


+

-Vm

-t------1_1
wt
lT

v~~
a

2"

Tiristor T, (a) Diagrama de circuito

(b) Formas de onda de voltaje

Figura 1-9 Convertidor monofsico ca-ed.

Seco'-5

Tipos de circuitos electrnicos de potencia

13

2ft

TRIAC

+
I Resistencia de carga R

I I

Alimentacin de ca

V. = Vm sen rot

O 1'-__LJ...J..J,..L.JL.U..I...l.!--T-n'TT"1rT'T"""""~_ wt

~I a

2"

(al Diagrama de circuito

(bl Formas de onda de voltaje

Figura 1-10 Convertidor monofsico ca-ca.

Un convertidor de cd a ca tambin se conoce como un inversor. Convertidores cd-ca. Un inversor monofsico de transistor se muestra en la figura 1-12. Si los transistores MI y M2 conducen durante medio periodo, y M3 Y M4 conducen durante la otra mitad, el voltaje de salida tiene una forma alterna. El voltaje de salida puede ser controlado variando el tiempo de conduccin de los transistores. Interruptores estticos. Dado que los dispositivos de potencia pueden ser operados como interruptores estticos o contactares, la alimentacin a estos interruptores puede ser de ca o de cd y se conocen como interruptores estticos de ca o interruptores de cd. +-------,
V.
Alimentacin decd Vo

(al Diagrama de circuito

(bl Formas de onda del voltaje

Figura 1.11 Convertidor de cd-cd.

14

Introduccin

Cap. 1

f"'V~
Vo

f~~-,T

V, 1-------.,

2"

I Alimentacin de cd

.--

V.
O~-----~~T~------~T-+ 2"
- V, '--~ (a) Diagrama de circuito
(b) Formas de onda de voltaje

Figura 1-12 Convertidor monofsico cd-ca.

'-6 DISEO DE UN EOUIPO DE ELECTRONICA DE POTENCIA El diseo de un equipo de electrnica de potencia se puede dividir en cuatro partes: 1. 2. 3. 4. Diseo de los circuitos de potencia Proteccin de los dispositivos de potencia Determinacin de la estrategia de control Diseo de los circuitos lgicos y de mando

En los captulos siguientes, se describen y analizan varios tipos de circuitos electrnicos de potencia, En el anlisis se supone que los dispositivos de potencia son interruptores ideales, a menos que se indique lo contrario, desprecindose los efectos de la inductancia de dispersin de circuito, la resistencia del circuito y la inductancia de la fuente. Los dispositivos y circuitos de potencia prcticos difieren de estas condiciones ideales quedando los diseos de los circuitos tambin afectados. Sin embargo, en las primeras etapas del diseo, resulta muy til el anlisis simplificado del circuito para comprender la operacin del mismo y para establecer las caractersticas y la estrategia de control. Antes de elaborar un prototipo, el diseador deber investigar los efectos de los parmetros del circuito (y las imperfecciones de los dispositivos) modificando el diseo, si es necesario. Slo despus de que se haya construido y probado el prototipo, el diseador podr confiar en la validez del mismo y podr estimar con ms exactitud algunos de los parmetros de circuito (por ejemplo la inductancia de dispersin).

'-7 EFECTOSPERIFERlCOS Las operaciones de los convertidores de potencia se basan principalmente en la conmutacin de dispositivos semiconductores de potencia; y como resultado, los convertidores introducen armnicas de corriente y de voltaje en el sistema de alimentacin y en la salida de los convertidores.
Seco 1-7
c.o=.~

Efectos perifricos
_

15

Estas pueden originar problemas de distorsin del voltaje de salida, generacin de armnicas en el sistema de alimentacin e interferencia con circuitos de comunicacin y sealizacin. Normalmente es necesario introducir filtros en la salida y en la entrada de un sistema convertidor, para reducir a una magnitud aceptable el nivel de armnicas. En la figura 1-13 se muestra el diagrama de bloque de un convertidor de potencia generalizado. La aplicacin de la electrnica de potencia para alimentar cargas electrnicas sensibles presenta un reto sobre temas de calidad de la potencia y presenta problemas y preocupaciones que deben ser resueltas por los investigadores. Las cantida-

des de entrada y de salida de los convertidores pueden ser ca o cd. Factores tales como la distorsin armnica total (THD), el factor de desplazamiento (HF) y el factor de potencia de entrada (IPF) son medidas de la calidad de una forma de onda. A fin de determinar estos factores, es necesario encontrar el contenido armnico de las formas de onda. Para evaluar el rendimiento de un convertidor, los voltajes/corrientes de entrada y de salida de un convertidor se expresan en series de Fourier. La calidad de un convertidor de potencia se juzga por la calidad de sus formas de onda de voltaje y de corriente.

Fuente de potencia

..

Filtro de entrada

r----

Convertidor de potencia

r----

Filtro de salida

Salida

+
Generador de seal de control de con mutacin Figura 1-13 Sistema convertidor de potencia generalizado.

La estrategia de control para los convertidores de potencia juega un papel importante en la generacin de armnicas y en la distorsin de la forma de onda de salida, y puede guiarse a fin de minimizar o reducir estos problemas. Los convertidores de potencia pueden causar interferencia de radio frecuencia, debido a radiacin electromagntica, y los circuitos de mando generar seales errneas. Esta interferencia se puede evitar mediante un blindaje aterrizado.

18 MODULOS DE POTENCIA Los dispositivos de potencia estn disponibles como unidades individuales o como mdulos. A menudo un convertidor de potencia requiere de dos, cuatro o seis dispositivos, dependiendo de su topologa. Los mdulos de potencia con dual (en configuracin de medio puente), quad (en puente completo), o seis (trifsicos) estn disponibles para prcticamente todos los tipos de dispositivos de potencia. Los mdulos ofrecen las ventajas de menores prdidas en estado activo, altas caractersticas de interrupcin de voltaje y corriente y una velocidad ms alta que la de los dispositivos convencionales. Algunos mdulos incluyen circuitera para la proteccin de transitorios y de la excitacin de compuerta.
16

Introduccin

Cap. 1

1-9 MODULOS

INTELIGENTES

Los circuitos de excitacin de compuerta estn disponibles comercialmente para excitar dispositivos individuales o mdulos. Los mdulos inteligentes, que representan el estado ms avanzado de la electrnica de potencia, integran el mdulo de potencia junto con el circuito perifrico. El circuito perifrico est formado por un aislamiento de entrada/salida de una interfaz con el sistema de la seal y el sistema de alto voltaje, un circuito de excitacin, un circuito de proteccin y de diagnstico (para evitar una corriente excesiva, corto circuito, carga abierta, sobrecalentamiento y voltaje excesivo), control por microcomputadora y una alimentacin de energa de control. Los usuarios slo necesitan conectar fuentes de alimentacin externas (flotantes). Un modelo inteligente tambin se conoce como potencia inteligente. Estos mdulos se utilizan cada vez ms en la electrnica de potencia [8]. Los siguientes son algunos fabricantes de dispositivos y de mdulos: Advanced Power Technology Brown Boveri Fuji Electric/Collmer Semiconductor, lnc. Harris Corp. Hitachi Ltd. International Rectifier Marconi Electronic Devices, lnc. Mitsubishi Elcctric Motorola, lnc. National Scmiconductors, lnc. Nihon Intcrnational Electronics Corp. Power lntegrations, Inc. Powerex,lnc. PowerTech, lnc. RCA Corp. Semikron lnternational Siliconix, lnc. Tokin,lnc. Tokyo Denki Toshiba Corp. Unitrode Integrated Circuits
Westcode Semiconductors Ltd,

1-10 PUBLICACIONES PERIODICAS y CONFERENCIAS LA ELECTRONICA DE POTENCIA

SOBRE

Existen muchas publicaciones peridicas y conferencias profesionales en los cuales se hacen pblicos los desarrollos nuevos. Algunos de ellos son:
Seco 1-10 Publicaciones peridicas y conferencias sobre la electrnica de potencia 17

IEEE Transactions

on Industrial

Electronics

IEEE Transactions on lndustry Applications IEEE Transactions on Power Delivery

IEEE Transactions on Power Electronics


lEE Proceedings on Elcctric Power

Journal of Electrical Machinery and Power Systems Applied Powcr Elcctronics Conference (APEC) European Power Elcctronics Conference (EPEC) IEEE Industrial Electronics Conference (IECON) IEEE Industry Applications Society Annual Meeting (lAS) Intcmational Confcrcncc on Elcctrical Machines (ICEM) Intemational Power Electronics Conference (IPEC) Power Conversion Intelligent Motion (PCIM) Power Electronics Spccialist Conference (PESC)

RESUMEN

Conforme se desarrolla la tecnologa de los dispositivos semiconductores de potencia y los circuitos integrados, se ampla el potencial para la aplicacin de la electrnica de potencia. Ya existen muchos dispositivos semiconductores de potencia comercialmente disponibles; sin embargo, contina el desarrollo en esta direccin. Los convertidores de potencia se agrupan por lo general en seis categoras: (1) rectificadores, (2) convertidores ca-ed, (3) convertidores de ca-ca, (4) convertidores cd-cd, (5) convertidores cd-ca y (6) interruptores estticos. El diseo de los circuitos de la electrnica de potencia requiere del diseo de los circuitos de potencia y de control. Las armnicas de voltaje y de corriente generadas por los convertidores de potencia se pueden reducir (o minimizar) con una eleccin apropiada de la estrategia de control.

REFERENCIAS 1. R. G. Ho, "Historical rcvicw, prcscnt status and future prspects". lruernational Power Electronics Conference, Tokio, 1983, pp. 6-18. 2. General Electric, D. R. Grafharn y F. R. Goldcn, cds.,
SCR Manual, 6th cd. Englcwood Cliffs. N.J.: Prcntice HaIJ, 1982. 3. 6. tional Semiconductor 1982, pp. 1-19. 5. Power Con verter Conference,

R. G. I-Iolt, Semiconductor Power Electronics. New York: Van Nostrand Reinhold Company, Inc., 1986. T. M. Jahns, "Designing intclligent muscle into industrial motion control", IEEE Transactions on Industrial Electronics, Vol. IE37, No. 5 1990, pp. 329-341. R. K. Bosc, "Reccnt advances in power electronics, IEEE Transactlons Power Electronics, Vol. PE7, No. 1,1992, pp. 2-16.

F. Harashima, "Statc of thc art on powcr clcctronics and eleetrical drivcs in Japan", 3rd IFlle Symposium
on Conirol in Power Electronics and Electrical Drivers, Lausannc, Suiza, 1983, tutorial session and survey papers, pp. 23-33.

7.

8.

R. K. Rose, Modern Power Electronics: Evolution,


Technology, and /vpplications, Prcss, 1992. Nueva York: IEEE

4.

B. R. Pelly, "Powcr semiconductor dcviccs: a status review", IEEE lndustry Applications Society Interna-

18

Introduccin

Cap. 1

PREGUNTAS
L-L Qu es electrnica de potencia?

DE REPASO
1-16. Cules son los pasos incluidos en el diseo de un equipo de electrnica de potencia? 1-17. Cules son los efectos perifricos del equipo electrnico de potencia? 1-18. Cules son las diferencias entre las caractersticas de compuerta de los GTO y los tiristores? 1-19. Cules son las diferencias entre las caractersticas de compuerta de tiristores y transistores? 120. Cules son las diferencias en las caractersticas compuerta de los TBI y los MOSFET? de

}-2. Cules son los diversos tipos de tiristorcs? }-3. Qu es un circuito de conmutacin? }-4. Cules son las condiciones
conduzca? para que un tiristor

}-5. Cmo se puede desactivar un iiristor en conduccin?

}-6. Qu es conmutacin de lnea? }-7. Qu es conmutacin forzada?


}-8. Cul es la diferencia TRIAC? entre un tiristor y un de un

1-21. Cul es la caracterstica 1GBT? 1-22. Cul es la caracterstica MCT? 1-24. Cules IGBT? son las diferencias

de compuerta de compuerta

de un de un

}-9. Cul es la caracterstica


GTO?

de compuerta

}-}o. Cul es el tiempo de desactivacin

de un tiristor?

1-23. Cul es la caracterstica de compuerta de un SIT? entre un TBI y los entre los MCT y los entre los S1TH y los

}-11. Qu es un convertidor? }-12. Cul es el principio de conversin de ca-ed? }-13. Cul es el principio de conversin de ca-ca? }-}4. Cul es el principio de conversin de cd-cd?

1-25. Cules son las diferencias GTO? . 1-26. Cules son las diferencias GTO?

}-15. Cul es el principio de conversin de cd-ca?

Cap. 1

Preguntas

de repaso

19

Diodos semiconductores

de potencia

21 INTRODUCCION Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel significativo en los circuitos electrnicos de potencia. Un diodo funciona como un interruptor, a fin de llevar a cabo varias funciones, como la de interruptores en los rectificadores, de marcha libre en los reguladores conmutados, inversin de carga de capacitores y transferencia de energa entre componentes, aislamiento de voltaje, retroalimentacin de la energa de la carga a la fuente de energa y recuperacin de la energa atrapada. Para la mayor parte de las aplicaciones, se puede suponer que los diodos de potencia son interruptores ideales, pero los diodos prcticos o reales difieren de las caractersticas ideales y tienen ciertas limitaciones. Los diodos de potencia son similares a los diodos de seal de unin pn. Sin embargo, los diodos de potencia tienen mayores capacidades en el manejo de la energa, el voltaje y la corriente, que los diodos de seal ordinarios. La respuesta a la frecuencia (o velocidad de conmutacin) es baja en comparacin con los diodos de seal.

22 CARACTERISTICAS DE LOS DIODOS Un diodo de potencia es un dispositivo de unin pn de dos terminales, por lo general, una unin pn est formada por aleacin, difusin y crecimiento cpitaxial. Las tcnicas modernas de control en los procesos de difusin y epitaxiales permiten obtener las caractersticas deseadas para el dispositivo. En la figura 2-1 aparece un corte transversal de una unin pn y un smbolo de diodo. Cuando el potencial del nodo es positivo con respecto al ctodo, se dice que el diodo tiene polarizacin directa o positiva y el diodo conduce. Un diodo en conduccin tiene una cada de voltaje directa relativamente pequea a travs de s mismo; la magnitud de esta cada de voltaje depende del proceso de manufactura y de la temperatura de la unin. Cuando el potencial del ctodo es positivo con respecto al nodo, se dice que el diodo tiene polarizacin inversa. Bajo con20

Anodo

-".--11 p I n [f---....
1, ,

Ctodo

Anodo

Ctodo

.....

O,
v 1, ~-----ll,f---~_'
+
(b) Simbolo de diodo

v
+ " ~----~II~----~
a) Unin pn

Figura 2-1

Smbolo de diodo y unin pa.

diciones de polarizacin inversa, fluye una pequea corriente inversa (tambin conocida como corriente defuga) en el rango de los micras o de los miliamperios, cuya magnitud crece lentamente en funcin del voltaje inverso, hasta llegar al voltaje de avalancha o zener. En la figura 2-2a se muestran las caractersticas v-i de un diodo en rgimen permanente. Para fines prcticos, un diodo se puede considerar como un interruptor ideal, cuyas caractersticas se muestran en la figura 2-2b. Las caractersticas v-i mostradas en la figura 2-2a se pueden expresar mediante una ecuacin conocida como la ecuacin Schockley de diodo, y est dada por
lo = l,(eV"!,,v - 1) (2-1)

donde ID
VD 1, n

= corriente a travs del diodo, A


y 10-15 A

= voltaje del diodo con el nodo positivo con respecto al ctodo, V = corriente de fuga (o corriente de saturacin inversa), tpicamente en el rango entre 10-6
= constante emprica conocida como coeficiente
valor vara de 1 a 2.
de emisin o factor de idealidad, cuyo

El coeficiente de emisin n depende del material y de la construccin fsica del diodo. En el caso de los diodos de germanio, n se considera igual a 1. En los diodos de silicio, el valor predicho de n es 2, pero en la mayor parle de los diodos de silicio reales, el valor de n cae entre 1.1 y1.8. En la ecuacin (2-1), Vr es una constante llamada voltaje trmico y est dada por (2-2)
q

ID

VD
v
Corriente de fuga inversa (a) Prcticao real (b) Ideal

Figura 2-2 Caractersticas v-i del diodo. Sec.2-2 Caractersticas de los diodos 21

donde q = carga del electrn: 1.6022 x 10-1\1 culombios (C) T = temperatura absoluta en Kelvins (K = 273 + "C) k = constante de Boltzmann: 1.3806 x 10-23 J/K A una temperatura de unin de 25 oC, la ecuacin (2-2) da

v _
T -

kT _ 1.3806

q -

x 10-23 x (273 1.6022 X IO-IY

+ 25) ~
~

25.8 mY

A una temperatura especificada, la corriente de fuga I, es una constante para un diodo dado. La caracterstica del diodo de la figura 2-2a se puede dividir en tres regiones: Regin de polarizacin directa, donde VD > O Regin de polarizacin inversa, donde VD < O Regin de ruptura, donde VD < - VIX Regin de polarizacin directa. En la regin de polarizacin directa, VD > O. La corriente del diodo lo es muy pequea si el voltaje del diodo VD es menor que un valor especfico VTD (tpicamente 0.7 Y). El diodo conduce totalmente si Vo es mayor que este valor VTD, que se conoce como el voltaje umhral, voltaje de corte, o voltaje de activacin. Por lo tanto, el voltaje umbral es un voltaje al cual el diodo conduce totalmente. Consideremos un pequeo voltaje de diodo VD = 0.1 Y, n = I Y VT = 25.8 mY. De la ecuacin (2-1) podemos encontrar que la corriente correspondiente al diodo ID es
lo

I,('\'I>/I>\',

1) =

l,l('()I/IIX()()2'~J

1]

1,(48.23

1)

'" 48.231$ con 2.1 % de error Por lo tanto, para VD > 0.1 Y, que es por 10 general el caso, ID i., y la ecuacin (2-1) se puede aproximar, dentro de un error de 2.1 %, a (2-3) Regin de polarizacin inversa. En la regin de polarizacin inversa, VD < O. Si VD es negativo y IVD 1 VT, cosa que ocurre para VD < -0.1, el trmino de la exponencial de la ecuacin (2-1) se vuelve desprcciablemcnte pequeo en comparacin conla unidad, y la corriente del diodo ID se vuelve (2-4) lo que indica que la corriente del diodo lo en la direccin inversa es constante y es igual a l; Regin de ruptura. En la regin de ruptura, el voltaje inverso es alto, por lo general mayor que 1000 Y. La magnitud del voltaje inverso excede un voltaje especificado conocido como voltaje de ruptura, VBR. La corriente inversa aumenta rpidamente con un pequeo cambio en el voltaje inverso ms all de VBR La operacin en la regin de ruptura no ser destructiva, siempre y cuando la disipacin de la potencia est dentro del "nivel seguro" especificado en la hoja de datos del fabricante. A menudo es necesario limitar la corriente inversa en la regin de la ruptura, a fin de mantener la disipacin de la energa dentro de valores permisibles.
22 Diodos semiconductores de potencia Cap. 2

Ejemplo

21

La cada de voltaje directa de un diodo de potencia es VD

= 1.2 Va

ID

= 300 A. Suponiendo

que

n = 2 y VT = 25.8 mV, encuentre la corriente de saturacin Is'


Solucin Aplicando la ecuacin (2-1), podemos encontrar la corriente de fuga (o corriente de saturacin) I.n a partir de 300 lo que nos da Is = 2.38371
X

IAel.2/(2

x 258 x lo-')

-1]

10-&A.

23 CARACTERISTICAS DE LA RECUPERACIONINVERSA La corriente de un diodo de unin con polarizacin directa se debe al efecto neto de los portadores mayoritarios y minoritarios. Cuando un diodo est en modo de conduccin directa y su corriente se reduce a cero (debido al comportamiento natural del circuito del diodo o a la aplicacin de un voltaje inverso), el diodo contina conduciendo, debido a los portadores minoritarios que permanecen almacenados en la unin pn y en el material del cuerpo del semiconductor. Los portadores minoritarios requieren de un cierto tiempo para rccombinarse con cargas opuestas y neutralizarse. Este tiempo se conoce como tiempo de recuperacin inversa del diodo. En la figura 2-3 se muestran dos caractersticas de recuperacin inversa de diodos de unin. El ms comn es el tipo de recuperacin suave. El tiempo de recuperacin inversa se denomina l" y se mide a partir del cruce del cero inicial de la corriente del diodo con el 25% de la corriente inversa mxima (o de pico), [RR. Irr est formado por dos componentes, la y lb. la est generado por el almacenamiento de carga en la regin de agotamiento de la unin y representa el tiempo entre el cruce por cero y la corriente inversa pico, [RR. tb es debido al almacenamiento de carga en el material del cuerpo del semiconductor. La relacin Mla se conoce corno esfactor de suavidad, SF. Para efectos prcticos, uno debe preocuparse por el tiempo total de recuperacin t.; y por el valor pico de la corriente inversa [RR.
tr,.

=
=

la

lb

(2-5)

La corriente inversa pico se puede expresar en di/di inversa como,


I/lR la --

di

dI

(2,6)

IRR

-_:_.:

lb

(a) Recuperacin suave

(b) Recuperacin abrupta

Figura 2-3 Caractersticas de recuperacin inversa.

Sec.2-3

Caractersticas de la recuperacin inversa

23

El tiempo de recuperacin inversa Ir" puede definirse como el intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente pasa a travs del cero, durante el cambio de la conduccin directa a la condicin de bloqueo inverso, y el momento en que la corriente inversa se ha reducido al 20% de su valor inverso pico iRR t.; depende de la temperatura de la unin, de la velocidad de abatimiento de la corriente directa y de la corriente directa antes de la conmutacin. La carga de recuperacin inversa QRR, es la cantidad de portadores de carga que fluyen a travs del diodo en direccin inversa debido a un cambio de la conduccin directa a la condicin de bloqueo inverso. Su valor queda determinado por el rea encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperacin inversa. La carga de almacenamiento, que es el rea envuelta por la trayectoria de la corriente de recuperacin, es aproximadamente (2-7)

o bien
(2-8)

Igualando la ecuacin (2-6) con la ecuacin (2-8) nos da


2QRR

tr,.f" = di/ dt Si lb es despreciable en comparacin con la, que por lo general es el caso, 1" == se convierte en
la,

(2-9) y la ecuacin (2-9)

(2-10)

y
(2-11)

Se puede notar, de las ecuaciones (2-10) y (2-11), que el tiempo de recuperacin inversa 1" y la corriente de recuperacin inversa pico IRlI dependen de la carga de almacenamiento QRR y de ditdt inverso (o rcaplicado), La carga de almacenamiento depende de la corriente directa del diodo IF La corriente de recuperacin inversa pico 11111,la carga inversa QRR y el factor de suavidad son todos de inters para el diseador de circuitos, y estos parmetros se incluyen en forma comn en las hojas de especificacin de diodos. Si un diodo est en una condicin de polarizacin inversa, fluye una corriente de fuga debida a los portadores minoritarios. En ese caso, la aplicacin de un voltaje directo obligara al diodo a conducir la corriente en la direccin directa. Sin embargo, se requiere de un cierto tiempo, conocido como el tiempo de recuperacin directa (o de activacin), antes de que los portadores mayoritarios de toda la unin puedan contribuir al flujo de corriente. Si la velocidad de elevacin de la corriente directa es alta, y la corriente directa est concentrada en una pequea superficie de la unin, el diodo puede fallar. Por lo tanto, el tiempo de recuperacin directo limita la velocidad de elevacin de la corriente directa y la velocidad de conmutacin. 24
Diodos semiconductores de potencia Cap. 2

Ejemplo 2-2 El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es t 3 S Y la velocidad del decremento o de la reduccin de la corriente del diodo es ditdt = 30 A/s. Determine (a) la carga de almacenamiento QRR y (b) la corriente inversa pico IRR. Solucin t.; = 3s y diidt = 30 A/s. (a) De la ecuacin (12-10),
QRR

= 2: dr r~r = 0.5 x 30 AIfJ.s x

I di ,

(3 x 10-1>)' = 135 fJ.C

(b) De la ecuacin (2-11) IRR

V2Q

/ili

di dI

Y2 x 135 x IO-' x 30 x 10 (, = 90 A

2-4 TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA Idealmente, un diodo no debera tener tiempo de recuperacin inversa. Sin embargo, el costo de fabricacin de un diodo semejante aumentara. En muchas aplicaciones, no son de importancia los efectos del tiempo de recuperacin inversa, y se pueden utilizar diodos poco costosos. Dependiendo de las caractersticas de recuperacin y de las tcnicas de fabricacin, los diodos de potencia se pueden clasificar en tres categoras. Las caractersticas y las limitaciones prcticas de cada uno de estos tipos restringen sus aplicaciones. 1. Diodos estndar o de uso general 2. Diodos de recuperacin rpida 3. Diodos Schottky 2-4.1 Diodos de uso general Los diodos de rectificacin de uso general tienen un tiempo de recuperacin inversa relativamente alto, tpicamente de 25 us, y se utilizan en aplicaciones de baja velocidad, en las que el tiempo de recuperacin no es crtico (por ejemplo, en rectificadores de diodos y convertidores para una baja frecuencia de entrada, de hasta 1 kHz, y en convertidores conmutados en lnea). Estos diodos cubren especificaciones de corriente desde menos de uno hasta varios miles de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50 V hasta alrededor de 5 kV. Estos diodos generalmente se fabrican por difusin. Sin embargo, los rectificadores de tipo de aleacin usados en las fuentes de alimeritacin para mquinas de soldadura son muy econmicos y duraderos, cuyas especificaciones pueden llegar hasta 300 A Y1000 V. 2-4.2 Diodos de recuperacin rpida Los diodos de recuperacin rpida tienen un tiempo de recuperacin bajo, por lo general menor que 5 us, Se utilizan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca, en los que la velocidad de recuperacin es a menudo de importancia crica. Estos diodos cubren especificaciones de corriente, desde menos de uno hasta cientos de amperios, con especificaciones de voltaje desde 50 V hasta aproximadamente 3 kV. Para especificaciones de voltaje por arriba de 400 V, los diodos de recuperacin rpida por lo general se fabrican por difusin y cltiempo de recuperacin es controlado por difusin de oro o Sec.2-4 Tipos de diodos de potencia 25

platino. Para especificaciones de voltaje por debajo de 400 velocidades de conmutacin mayores que las de los diodos nen la base ms angosta, lo que permite un rpido tiempo En la figura 2-4 se muestran diodos de recuperacin rpida

V, los diodos cpitaxiales proporcionan de difusin. Los diodos epitaxiales tiede recuperacin, tan bajo como 50 ns. de varios tamaos.

2-4.3 Diodos Schottky En un diodo Schouky se puede eliminar (o minimizar) el problema de almacenamiento de carga de una unin pn. Esto se lleva a cabo estableciendo una "barrera de potencial" con un contacto entre un metal y un semiconductor. Sobre una capa delgada cpitaxial de silicio de tipo n se deposita una capa de metal. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unin pn. La accin rectificadora slo depende de los portadores mayoritarios, y como resultado no existen portadores minoritarios en exceso para rccombinar. El efecto de recuperacin se debe nicamente a la autocapacitancia de la unin semiconductora. La carga recuperada de un diodo Schottky es mucho menor que la de un diodo equivalente de unin pn. Dado que se debe slo a la capacitancia de la unin, bsicamente es independiente de la di/dt inversa. Un diodo Schouky tiene una salida de voltaje directa relativamente baja. La corriente de fuga de un diodo Schouky es mayor que la de un diodo de unin pn. Un diodo Schottky con un voltaje de conduccin relativamente bajo tiene una corriente de fuga relativamente alta, y viceversa. Como resultado, su voltaje mximo permisible est por lo general limitado a 100 V. Las especificaciones de corriente de los diodos Schouky varan de 1 a 300 A. Los diodos Schouky son ideales para las fuentes de alimentacin de alta corriente y de bajo voltaje en corriente directa. Sin embargo, tambin se utilizan en fuentes de alimentacin de baja corriente para una eficiencia mayor. En la figura 2-5 se muestran rectificadores Schottky de 20 y de 30 A duales.

Figura 2-4 Diodos de recuperacin rpida. (Cortesa de Powcrex, Inc.)

26

Diodos semiconductores de potencia

Cap. 2

Figura 2-5

Rectificadores

centrales Schottky de 20 y

de 30 A duales. (Cortesa de International Rectifier.)

2-5 EFECTOSDEL TIEMPO DE RECUPERACIONDIRECTA E INVERSA


La importancia de estos parmetros se puede explicar con la figura 2-6a. Si el interruptor, SW, se cierra en 1 = O y se mantiene cerrado el tiempo suficiente, una corriente en rgimen permanente lo = Vs IR fluir a travs de la carga y el diodo en marcha libre D. quedar con polarizacin inversa. Si
+0---_---<>

sw

D,
R

v.
L

(a) Diagrama de circuito il lo

o
10

7
-----i2

1,

12

10

- -1, 1, _ (b) Formas de onda Debido a la recuperacin inversa de Dm

Figura 2-6 Circuito pulsador sin inductor Iimitante di/di.

Sec.2-5

Efectos del tiempo de recuperacin directa e inversa

27

~.:):' ...., .... "",--" ... "' .. I,;::~"'''''---------------------

el interruptor se desconecta en 1:: 11,el diodo D conducir y la corriente de carga circular a tra-

vs de Dm. Ahora, si el interruptor se vuelve a conectar en el tiempo I = 12, el diodo Dm se comportar como si estuviera en corto circuito. La velocidad de elevacin de la corriente directa del interruptor (y del diodo DI), y la velocidad de reduccin de la corriente directa en el diodo Dm seran muy altas, tendiendo al infinito. De acuerdo con la ecuacin (2-11), la corriente de pico inversa del diodo D podra ser muy alta, y los diodos DI YDm podran daarse. En la figura 2-6b se muestran las diversas formas de onda para las corrientes de diodos. Este problema por lo general se resuelve conectando un inductor lirnitante di/di, L" tal y como aparece en la figura 2-7a. Los diodos reales o prcticos requieren de un cierto tiempo de activacin, antes de que toda la superficie de la unin se haga conductora, di/di debe mantenerse bajo, para alcanzar el lmite de tiempo de activacin. Este tiempo a veces se conoce como tiempo de recuperacin directa trf. La velocidad de elevacin de la corriente a travs del diodo DI, que debera ser la misma que la velocidad de reduccin de la corriente a travs del diodo Dm, es
di dt =

(2-12)

i,

sw

o,
R

v,
L

(a) Oiagrama de circuito iL 10----

- - - -~---------.

(b) Formas de onda

Figura 2-7 Circuito pulsador con inductor lirnitante ditdt.

28

Diodos semiconductores de potencia

Cap. 2

Si t., es el tiempo de recuperacin inversa de Dm, la corriente de pico inversa de Dm es


IRR =

di t, dt

i;V,

L.,
t., V,

(2-13)

y la corriente de pico a travs del inductor L, sera lp = lo +


IRR

= lo + t, L,

(2-14)

Cuando la corriente del inductor se convierte en p, el diodo D se desconecta o desactiva repentinamente (suponiendo una recuperacin abrupta) y rompe la trayectoria del flujo de corriente. En razn de una carga altamente inductiva, la corriente de carga no puede cambiar rpidamente de lo a lp. La energa excedente almacenada en L, inducira un alto voltaje inverso a travs de Dm, Y esto podra daar al diodo Dm. La energa almacenada excedente resultante de un tiempo de recuperacin inverso se calcula a partir de WR = ~L,[(lo
1 WR = zL.. [(

+ IRR)2

I~]

(2-15) (2-16) -

t"VI)2 lo + T
.1

- lo2]

Las formas de onda de las varias corrientes se muestran en la figura 2-7b. Esta energa excedente se puede transferir del inductor L, a un capacitor C; que se conecta a travs del diodo Dm. El valor de c,. se puede determinar a partir de

o bien

e
I

= 2WR

V~

(2-17)

donde Ve es el voltaje inverso permisible del diodo. Una resistencia R; que se muestra en la figura 2-7a con lneas punteadas, se conecta en serie con el capacitor, para amortiguar cualquier oscilacin transitoria. La ecuacin (2-17) es aproximada y no toma en consideracin los efectos de L, y de R, durante los transitorios de la transferencia de energa. El diseo de c,. y de R, se analiza en la seccin 15-4. 26 DIODOS CONECTADOS EN SERIE En muchas aplicaciones de alto voltaje (es decir, en lneas de transmisin HVDC), un diodo comercialmente disponible no puede dar la especificacin de voltaje requerida, por lo que los diodos se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso. Consideremos dos diodos conectados en serie, tal y como se muestra en la figura 2-8a. En la prctica, las caractersticas v-i para el mismo tipo de diodo difieren debido a tolerancias en su proceso de produccin. En la figura 2-11b se muestran dos caractersticas v-i para tales diodos. En condicin de polarizacin directa, ambos diodos conducen la misma cantidad de corriente, y la cada de voltaje directa de cada diodo debera ser prcticamente la misma. Sin embargo, en la condicin de bloqueo inverso, cada diodo tiene que llevar la misma corriente de fuga y, como resultado, los voltajes de bloqueo variarn en forma significativa. Sec.2-6
.,,~.'" ,.(' ..'"0\.;#

Diodos conectados en serie


;...... _

29

--l.

D,
V. -ro+ v
/

,
/ /

- -

-l.

I
+

1,
(a) Diagrama de circuito (b) Caracterstica v-i

Figura 2-8

Dos diodos conectados en serie con polarizacin inversa.

Una solucin sencilla a este problema, tal y como se muestra en la figura 2-9a, es obligar a que se comparta el mismo voltaje conectando una resistencia a travs de cada diodo. Debido a esta distribucin de voltajes iguales, la corriente de fuga de cada diodo sera diferente mostrndose, esto en la figura 2-9b. En vista de que la corriente de fuga total debe ser compartida por un diodo y su resistencia, (2-18) Pero IRI = VDtlRI e IRZ VmjR2 VDl/R2. La ecuacin 2-18 proporciona la relacin entre R y R2 para una distribucin de voltaje igual, en la forma 1.\'1 + -R
VDI
= 1"2 .

~ VOl + -Rz

(2-19)

Si las resistencias son iguales, R = R 1 = R2 Ylos dos voltajes del diodo seran ligeramente distintos, dependiendo de las similitudes entre las dos caractersticas v-i.

i_ -1,
IR' S

O,

A,

l.,
V.-r-

..

1.2

A2
IR2

O2 1,
(b) Caracterstica v-i

(a) Diagrama de circuito

Figura 2-9 Diodos conectados en serie. con caractersticas de distribucin de voltaje en rgimen permanente.

30

Diodos semiconductores de potencia

Cap. 2

Los valores de VD! y VD2 se pueden determinar de las ecuaciones (2-20) y (2-21):

JI

+ VD! = 1J2 + V D2 R R + VD2


= Vs

(2-20) (2-21)

VD!

La distribucin del voltaje bajo condiciones transitorias (es decir, debido a cargas en conmutacin, aplicaciones iniciales de un voltaje de entrada) se lleva a cabo conectando capacitores a travs de cada diodo, lo que se muestra en la figura 2-10. R, limita la velocidad de elevacin del voltaje de bloqueo.

A. R,
Distribucin de voltaje en estado pero manente

O,

e, f c.

O2

Distribucin de voltaje en transitoria.

R2

A,

Figura 2-10 Diodos en serie con redes de distribucin de voltaje bajo condiciones de rgimen permanente y transitoria.

2-7 DIODOS CONECTADOS EN PARALELO En aplicaciones de alta potencia, los diodos se conectan en paralelo para aumentar la capacidad de conduccin de corriente, a fin de llenar las especificaciones de corriente deseadas. La distribucin de corriente de los diodos estara de acuerdo con sus respectivas cadas de voltaje directas. Se puede obtener una distribucin uniforme de corriente proporcionando inductancias iguales (por ejemplo en las terminales), o conectando resistencias de distribucin de corriente (cosa que puede no ser prctica debido a perdidas de energa); lo anterior se muestra en la,figura 2-1l. Es posible minimizar este problema seleccionando diodos con cadas de voltaje directas iguales o diodos del mismo tipo. Dado que los diodos estn conectados en paralelo, los voltajes de bloqueo inverso de cada diodo seran los mismos. Las resistencias de la figura 2-11a ayudarn a la reparticin de corriente en condiciones de rgimen permanente. La reparticin de la corriente bajo condiciones dinmicas se puede llevar a cabo mediante la conexin de inductores acoplados, tal y como se muestra en la figura 2-11b. Si

1 I
v
'-__ ---' I 1__ L
(b) Reparticin dinmica (a) Estado permanente

Figura 2-11

Diodos conectados en paralelo.

Sec.2-7

Diodos conectados en paralelo

31

se eleva la corriente a travs de D, el L ditdt a travs de L aumenta, y se induce un voltaje correspondiente de polaridad opuesta a travs del inductor L2 El resultado es una trayectoria de baja impedancia a travs del diodo D2 y la corriente se transfiere a D2 Los inductores generaran picos de voltaje y podran resultar costosos y voluminosos, especialmente en corrientes altas.

28 MODELO SPICE DE DIODO El modelo SPice de un diodo aparece en la figura 2-12a. La corriente de diodo ID, que depende de su voltaje, est representada por una fuente de corriente. R, es la resistencia en serie, y se debe a la resistencia del semiconductor. R; tambin conocido como resistencia del cuerpo, depende de la

Rs
A
+

o,
K

Vo

Co

K
(a) Diodo (b) Modelo SPice

Rs
+

VD

Ro

Co

v~l
K
(d) Modelo esttico

(e) Modelo de pequea seal

Figura 2-12 Modelo de diodo SPice, con diodo de polarizacin inversa. Cap. 2

32

Diodos semiconductores de potencia

cantidad de dopados. Los modelos de pequea seal y estticos que se generan mediante SPice aparecen en la figura 2-12b y e, respectivamente. Cd es una funcin no lineal del voltaje de diodo VD y es igual a Cd dqd1dvD, donde qd es la carga de la capa de agotamiento. SPice genera los pa-

rmetros de pequea seal a partir del punto de operacin. El enunciado del modelo SPice de un diodo tiene la forma general
.MODEL ONAME o (r]=Vl p2=v2 r3=v3 PN=VN)

DNAME es el nombre del modelo y puede empezar con cualquier carcter; pero el tamao de esta palabra por lo general se limita a ocho caracteres. D es el smbolo del tipo para diodos. PI, P2, ... y VI, V2, ... son los parmetros de modelo y sus valores, respectivamente.

Ejemplo

2-3

Dos diodos que se muestran en la figura 2-9a estn conectados en serie, un voltaje total de VD 5 k V. Las corrientes de fuga inversas de los dos diodos son 1.1'1 = 30 mA e Is2 = 35 mA. (a) Encuentre los voltajes de diodo, si las resistencias de distribucin del voltaje son iguales, RI = R2 = R 100 kQ. (b) Encuentre las resistencias de reparticin del voltaje R! y R2, si los voltajes del diodo son Iguales, V/) I = VfJ2 = V/)/2. (e) Utilice PSpice para verificar los resultados de la parte (a). Los parmetros del modelo PSpice son: B V = 3K VeIS = 30 mA para el diodo DI, e IS 35 mA para el diodo D2. Solucin (a) 1st = 30 mA,Is2 = 35 mA, RI = R2 = R = lOO kQ. V{) V[)t + V{)2 o bien VD2= VD - V[)I' De la ecuacin (2-19),

/"'1 Sustituyendo VJ)2

+ -VD! R

t. Vm ,,+_. R
el voltaje del diodo DI, obtenemos

= V[) VDI

V/)I' y resolviendo VD

para encontrar

= "2 + 1 (/'2
=
5 kV -2-

- I,) (2-22)

100 k!1 -2(35 x 10-' - 30 x 10-')

2750 V

Y VD2 = Vi) - V[)! 5 kV - 2750 2250 V. (b) 1st 30 mA,Is2 35 mA, y VDt VD2 VD/2

= 2.5 kV. De la ecuacin,

(2-19)

/JI

+~

VD!

= 1.,2

Vm + R2

que nos da la resistencia

R2 para un valor conocido R, como

R 2 -

YD!RI VD!
'1

#(/s2 - l, )

(2-23)

Suponiendo

que RI = 100 kU, obtenemos 2.5 kV x lOO k!1 100 k!1 x (35 x 10-3

R2

2.5 kV -

30 x 10-.1)

125 k

Sec.2-8
.. ' ..' "~'N"">ri'''.

Modelo SPice de Diodo


.

33

(c) El circuito del diodo para la simulacin PSpice aparece en la figura 2-13. La lista del archivo de circuito es como sigue: Example 2-3 VS 1 O R 1 2 Rl 2 3 O R2 3 3 DI 2 D2 O 3 .MODEL MODI .MODEL MOD2 .OP .END Diode Voltaje-Sharing Circuit DC 5KV 0.01 100K 100K MODI MOD2 BV~3KV) D (IS~30MA BV~3KV) O (IS~35MA

Diode model parameters Oiode model parameters Dc operating point analysis

Los resultados de la simulacin PSpice son


NAME ID VD REQ 01 -3.00E-02 -2.75E+03 1.OOE+12 02 -3.50E-02 -2.25E+03 1.00E+12

101

VOl
ROl

-30 mA -2750 V
1 GQ

102

V02
R02

-35 mA -2250 V 1 GQ

R,
100 kn

v;

5 kV

R2
100 ka O Figura 2-13 Circuito de diodo par e, la simulacin PSpice del ejemplo 2-3.

RESUMEN Las caractersticas de los diodos prcticos difieren de las de los diodos ideales. El tiempo de recuperacin inversa juega un papel significativo, especialmente en aplicaciones de interrupcin de alta velocidad. Los diodos se pueden clasificar en tres tipos: (1) diodos de uso general, (2) diodos de recuperacin rpida y (3) diodos Schouky, Aunque un diodo Schottky se comporte como un diodo de unin pn, no existe unin fsica; y como consecuencia, un diodo Schottky es un dispositivo de portadores mayoritarios. Por otra parte, un diodo de unin pn es un diodo de portadores tanto mayoritarios como minoritarios. Si para aumentar la capacidad del voltaje de bloqueo los diodos se conectan en serie, se requieren de redes de reparticin de voltaje bajo condiciones de rgimen permanente y transitorio. Cuando los diodos se conectan en paralelo, para aumentar la capacidad de conduccin de corriente, tambin requieren de elementos de reparticin de corriente. 34
Diodos semiconductores de potencia Cap. 2

REFERENCIAS 1. M. S. Ghausi, Electronic Devices and Circuits. Nueva York: Holt, Rinehart and Winston, 1985, p. 4. P. W. Tuinenga, SPICE: A Guide to Circuit Simulation and Analysis Using PSpice. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice Hall, 1992. 5. PSpice Manual. Irvine, Calif.: MicroSim Corporation, 1992.

672.
2. P. R. Gray y R. G. Meyer, Analysis and Design 01 Analog lntegrated Circuits. Nueva York: John Wiley & Sons, Inc., 1984, p. 1. 3. M. H. Rashid, SPICElar Circuits and Electronics Using PSpice. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice Hall,1990.

PREGUNTAS 21. Cules son los tipos de diodos de potencia? 22. Qu es la corriente de fuga de los diodos? 23. Qu es el tiempo de recuperacin inversa de los diodos? 24. Qu es la corriente de recuperacin inversa de los diodos? 25. Qu es el factor de suavidad de los diodos? 26. Cules son los tipos de recuperacin diodos? de los

DE REPASO 211. Cules son las diferencias principales entre los diodos de unin pn y los diodos Schottky? 212. Cules son las limitaciones Schouky? de los diodos

2 13. Cul es el tiempo de recuperacin inversa tpico de los diodos de uso general? 2 14. Cul es el tiempo de recuperacin inversa tpico de los diodos de recuperacin rpida? 215. Cules son los problemas de los diodos conectados en serie, y cules son las soluciones posibles? 216. Cules son los problemas de los diodos conectados en paralelo, y cules son las soluciones posibles? 2 17. Si dos diodos estn conectados en serie con igual reparticin de voltaje, por qu difieren las corrientes de fuga de los diodos?

27. Cul es la causa del tiempo de recuperacin inversa de un diodo de unin pn? 28. Cul es el efecto del tiempo de recuperacin inversa? 29. Por qu es necesario utilizar diodos de recuperacin rpida para conversin de alta velocidad? 210. Qu es el tiempo de recuperacin directo?

PROBLEMAS 2-1. El tiempo de recuperacin inversa de un diodo es t.; '" 5 us, y la velocidad de reduccin de la corriente del diodo es ditdt = 80 A/.Ls.Si el factor de suavidad es SF 0.5, determine (a) la carga de almacenamiento QRR, y (b) la corriente inversa pico IRR. Determine (a) el coeficiente de emisin n, y (b) la corriente de fuga Is. 23. Dos diodos estn conectados en serie y el voltaje a travs de cada uno de ellos se mantiene igual mediante la conexin de una resistencia de distribucin de voltaje, de tal forma que VD! V02 = 2000 V Y R 1 100 kil. Las caractersticas v-i de los diodos aparecen en la figura P2-3. Determine las corrientes de fuga de cada diodo y la resistencia R2 a travs del diodo D2.

22. Los valores medidos de un diodo a una temperatura de 25 OCson

VD = 1.0 V a ID = 50 A

= 1.5 V a ID = 600 A
Problemas

35

150 100 50 2200 2000 1600 1200 800 400 200 2 5mA .,/'

11

lOmA 15mA 20mA 25mA JOmA

/
/

/' /
/

/ /

Figura 1'2-3

2-4. Dos diodos estn conectados en paralelo siendo la cada de voltaje directa a travs de cada uno de ellos de 1.5 V. Las caractersticas v-i de los diodos aparecen en la figura P2-3. Determine l~scorrientes directas a travs de cada diodo. '. \ 2-5. Dos diodos estn conectados en paralelo, corno se muestra en la figura 2-11 a, con resistencias dd reparticin de corriente. Las caractersticas v-i se muestran en la figura P2-3. La corriente total es Ir = 200 A. El voltaje a travs de un diodo y su

resistencia es v 2.5 V. Determine los valores de las resistencias Rt y R2 si la corriente se comparte en forma ideal entre ambos diodos. 2-6. Dos diodos estn conectados en serie, como aparece en la figura 2-9a. La resistencia a travs de los diodos es RI = R2 = 10 kil. El voltaje de entrada de corriente directa es 5kV. Las corrientes de fuga son IsI = 25 mA e Is2 = 40 mA. Determine el voltaje a travs de los diodos.

36

Diodos semiconductores de potencia

Cap. 2

Circuitos de diodos y rectificadores


3-1 INTRODUCCION Los diodos semiconductores tienen muchas aplicaciones en la electrnica yen los circuitos de ingeniera elctrica. Los diodos tambin son ampliamente utilizados en los circuitos de electrnica de potencia para la conversin de energa elctrica. En este captulo se analizan algunos circuitos de diodos de uso comn en la electrnica de potencia para el procesamiento de la energa. Se hace una introduccin a las aplicaciones de los diodos para la conversin de energa de ca a.cd. Los convertidores de ca a cd se conocen comnmente como rectificadores, los rectificadores de diodos entregan a la salida un potencial fijo de corriente directa. Para simplificar, los diodos sern considerados como ideales. Por "ideales" queremos decir que el tiempo de recuperacin inversa t., Yla cada de voltaje directo VD son despreciables. Esto es, t., = Oy VD = O.

3-2 DIODOS CON CARGAS Re y RL La figura 3-1a muestra un circuito de diodos con una carga Re. Cuando se cierra el interruptor S en t = O,la corriente de carga i, que fluye a travs del capacitor, se puede determinar a partir de VJ
VR
'"

VR

Ve '" VR

+~

f id!

+ vJt '" O)

(3-1 ) (3-2)

= Ri

Con la condicin inicial vc(t = O) = O,la solucin de la ecuacin (3-1) (misma que se resuelve en el apndice 0.1) da la corriente de carga i como
(l) = V,

e-tiRe

(3-3)

37

+ --

... '---t:t---,

. v.

1~
E
(b) Formas de onda

__ . _CT
(a) Diagrama de circuito

Figura 3-1

Circuito de diodo con carga Re.

El voltaje del capacitor

Ve

es
(3-4)

donde 't = Re es la constante de tiempo de una carga Re. La velocidad de cambio en el voltaje del capacitor es
-=-el

do; dt

V, Re

_ me

(3-5)

y la velocidad de cambio inicial del voltaje del capacitor (cuando t ecuacin (3-5):

= O) se obtiene a partir de la
(3-6)

dt I~O

dv'l

== Re

V.I

En la figura 3-2a aparece un circuito de diodo con una carga RL. Cuando el interruptor SI se cierra en t = 0, la corriente i a travs del inductor aumenta y se expresa como . V\

VL

VR

=, L ~

di dt + R i

(3-7)

$,

O,

_E

v.
L

l~
(b) Formas de onda

(a) Diagrama de circuito

Figura 3-2

Circuito de diodo con carga RL.

38

Circuitos de diodos

rectificadores

Cap. 3

Con la condicin inicial i(t ce D.2) da

= O) = O, la solucin

de la ecuacin (3-7) (que se resuelve en el apndiR'[


I )

V, (1 - e-I i(t) = -'-

(3-8)

La velocidad de cambio de esta corriente se puede obtener a partir de la ecuacin (3-8), como sigue
-

di dt

= --'-e-IRIL

V, L

(3-9)

y la velocidad inicial de elevacin de la corriente (en t = O) se obtiene de la ecuacin (3-9):

di
d!
I~(J

V, L

(3-10)

El voltaje

VL a

travs del inductor es


(3-11)

cuando L/R = 't es la constante de tiempo de una carga RL. Las formas de onda para el voltaje VL Y para la corriente aparecen en la figura 3-2b. Si t L/R, el voltaje a travs del inductor tiende a cero y su corriente alcanza un valor en rgimen permanente de I, = ViRo Si en ese momento se intenta abrir el interruptor SI, la energa almacenada en el inductor (=0.5U2) se transformar en un alto voltaje inverso a travs del interruptor y del diodo. Esta energa se disipar en forma de chispas en el interruptor, y es probable que el diodo D se dae en este proceso. Para resolver una situacin como sta, se conecta un diodo comnmente conocido como diodo de marcha libre a travs de la carga inductiva, tal y como se ve en la figura 3-8a. Nota. Dado que la corriente i en las figuras 3-1a y 3-2a es unidireccional y no tiende a cambiar de polaridad, los diodos no afectan la operacin del circuito.
Elern lo 3-1 Un circuito de diodo aparece en la figura 3-3a con R 44 n y C = 0.1 .tF.El capacitor tiene un voltaje inicial, Vo = 220 V. Si el interruptor SI se cierra en t = O,determine (a) la corriente pico del diodo, (b) la energa disipada en la resistencia R y (e) el voltaje del capacitor en el tiempo t 2 us, Solucin Las formas de onda se muestran en la figura 3-3b. (a) Se puede utilizar la ecuacin (3-3) con Vs = Vosiendo la corriente de pico del diodo lp

(b) La energa W disipada es

= 0.5 x 0.1 x 10-6 x 2202 = 0.00242 J = 2.42 mT (e) Para RC = 44 x 0.1 = 4.4 us y 1 = 11 = 2 us, e,1voltaje del capacitor es
v,(t

W = 0.5cvfi

= 2 /-Ls) =

Voe-IIRC

= 220

x e-2/44

= 139.64 V

Nota. Como la corriente es unidireccional, el diodo no afecta la operacin del circuito.

Sec.3-2
..".,,~-~~"""',_.

Diodos con cargas Rey RL

39

"-'."

~"

-_.....------------------

S,
R
..I

:v. E
(b) Formas de onda

E"

(a) Diagrama de circuito

Figura 3-3

Circuito de diodo con carga Re.

3-3 U.pOS CON CARGAS LC y RLC Un circuito de diodo con carga LC aparece en la figura 3-4a. Cuando se cierra el interruptor SI en 1 = O, la corriente de carga i del capacitor se expresa como

V,

= L dt

di

1 e f

.
1

dt

uc(t = O)

(3- 12)

Con condiciones iniciales i(l = O) = O y vc( = O) = O, se puede resolver la ecuacin (3-12) en funcin de la corriente i del capacitor como (vea el apndice D.3)
i(t)

= V,

-Ji

sen wt

(3-13) (3- 14)

= 1(1 sen wt

donde

(O

= I/.JLC y la corriente

de pico Ip es 1(1

ffLC v. \JI

(3-15)

+--V.

s,

o,

'~b,
I
Ve

1,/2

111 t
t t, I

2V,

-~.---------------------~
(a) Diagramas de circuito

CIL

-1Iv'LC

O 1,."c::;:::;'__~_--7I_- ...
1.o1

4---t,

--

...

(b) Formas de onda

Figura 3-4

Circuito de diodo con carga Le. Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3

40

La velocidad de elevacin de la corriente se obtiene a partir de la ecuacin (3-13) como

di V, ' dt = cos wt

(3-16)
(=

y la ecuacin (3-16) da la velocidad inicial de elevacin de la corriente (en dil V.I dt r =O = L


El voltaje
Ve

O) como (3-17)

a travs del capacitor se puede deducir como uc(t) =

1 (r e Jo i dt = V,(I

- cos wt)

(3-18)

En un momento I = 11 = 7t .,, Le, la corriente del diodo i cae hasta cero y el capacitor se carga hasta 2Vs En la figura 3-4b se muestran las formas de onda para el voltaje VL Y la corriente i. Ejemplo 3-2 Un circuito de diodo con una carga Le se muestra en la figura 3-5a, el capacitor tiene un voltaje inicial Vo = 220 V, capacitancia e = 20 ..F e inductancia L = 80 ..B.Si el interruptor St se cierra en 1= O, determine (a) la corriente de pico a travs del diodo, (b) el tiempo de conduccin del diodo y (e) el voltaje del capacitor en rgimen permanente. Solucin (a) Utilizando la ley de voltaje de Kirchhoff(KVL Kirchhoffs Voltage Law), podemos escribir la ecuacin de la corriente i de la siguiente forma di
L dt

1 e J i dt + uc(t = O) = O

y la corriente i con condiciones iniciales i(1


i(t)

= O) = OY ve(l = O) = -Yo se resuelve como

= v,

.Ji

sen wt de pico lp es

donde ro = 1/" Le

= 10

6/"

20 x 80

t, = voVI = 220 V8 = 110 A

= 25,000 rad/s. La corriente fe rm

. 5,
t

1 O,

I tI.

C_~:~Vo
ia] Diagrama de circuito

1:

Or-----~----~~--.t
(b) Formas de onda

1t..JLC

Figura 3-5

Circuito del diodo con carga LC.

Sec.3-3

Diodos con cargas RCy RLC

41

(b) En t cin del diodo

= tI = 1t -Jli;, la corriente
tI

del diodo se convierte en cero y el tiempo de conduc7T

es
ti

7T

vrc =
=

Y20 x 80 = 125.66 fJ-S

(e) Se puede demostrar fcilmente que el voltaje del capacitor es


uc(t)

l (t e Jo i dt

Va = - Va cos wt

Para t = tI = 125.66 us,

vc(t

= tl)= -220 cos 1t = 220 V.

En la figura 3-6 aparece un circuito de diodo con carga RLC. Si el interruptor SI se cierra en
t = 0, podemos utilizar la ley KVL para escribir la ecuacin de la corriente de carga i como

L dt di + R'1 + 1

e f . d t + uc(t = O) = V,
I

(3-19)

con condiciones iniciales i(t = O)y vc(t = 0)= vo. Al diferenciar la ecuacin (3-19) y dividir ambos miembros entre L, obtenemos (3-20) Bajo condiciones de rgimen permanente, el capacitor est cargado al voltaje fuente Vs, siendo corriente de rgimen permanente cero. Tambin en la ecuacin (3-20) es cero la componente forzada de la corriente. La corriente se debe al componente natural. La ecuacin caracterstica en el dominio de Laplace de s es
S2

+-

1 + -_ =

LC

(3-21)

las races de la ecuacin cuadrtica (3-21) estn dadas por


SI,2

LC

(3-22)

Definamos dos propiedades importantes de un circuito de segundo orden: el factor de amortiguamiento,


a=-

R 2L
I

(3-23)

y lafrecuencia de resonancia,
Wo = --_-

s,
+ -

vrc

(3-24)

---.a---_~~N'-----,

o,

v.

__ __
42

--,e

j-

Figura 36

Circuito de diodo con carga RLC. Cap. 3

Circuitos de diodos y rectificadores

Sustituyendo estos valores en la ecuacin (3-22), obtenemos

(3-25) La solucin en funcin de la corriente, que depender de los valores de c. y de roo, seguira alguno de tres casos posibles. Caso 1. Si a = 0)0, las races son iguales, mente amortiguado. La solucin ser de la forma
SI

SI,2

= -a

Va2

W5

= S2, Y el circuito se conoce como crtica(3-26)

Caso 2. Si a > roo, las races sern reales y el circuito se dice que estar sobreamortiguado. La solucin toma la forma (3-27) Caso 3. Si a < 0)0, las races sern complejas y el circuito se dice que estar subamortiguado. Las races son (3-28) donde O)r se conoce como la frecuencia de resonancia (o la frecuencia resonante amortiguada) y ro, = '1/ ffit - (1'. La solucin toma la forma jet)
= e-ar(AI

cos wrt

+ A2 sen wrt)

(3-29)

que es una sinusoide amortiguada o de decaimiento. Nota. Las constantes Al y A2 se pueden determinar a partir de las condiciones iniciales del circuito. La relacin a/O)o se conoce comnmente como la relacin de amortiguamiento, O. Por lo general, los circuitos electrnicos de potencia estn subamortiguados, de forma que la corriente del circuito se hace prcticamente sinusoidal, a fin de tener una salida de corriente alterna y/o desactivar un dispositivo semiconductor de potencia.
Ejemplo 3-3 El circuito RLC de segundo orden de la figura 3-6 tiene el voltaje fuente Vs 220 V, una inductancia L 2 mH, una capacitancia C 0.05 ~F y una resistencia R 160 n. El valor inicial de voltaje del capacitor es Vo O. Si el interruptor SI se cierra en t O, determine (a) una expresin para la corriente i(t) y (b) el tiempo de conduccin del diodo. (e) Dibuje un esbozo de i(t). (d) Utilice PSpice para graficar la corriente instantnea i para R = 50 n, 160 n y 320 n. Solucin (a) De la ecuacin ~3-23), a = R/2L = 160 x 103/(2 x 2) 40,000 rad/s, y de la ecuacin (3-24), Wo 1/'1/ Le = 10 rad/s.

os, Dado que


(1

= ViOlO - 16 X 108 = 91,652 rad/s =


e-arCA I
COS

< Wo, se trata de un circuito subamortiguado, y la solucin es de la forma


jet)

wrt + Al sen w,.t)

En

t::

O, i(t:::: O) OYesto da Al

= O.La solucin se convierte en


jet)

e-arA2 sen w,.t

Sec.3-3
,"i"'''r!''!).oI,ot'''

Diodos con cargas LC y RLC


_

43

La derivada de i(l) se convierte en

di - w t cos tA 2 e-al dt w,.

sen J,. lA 2e =at

Cuando el interruptor se cierra en 1= 0, el capacitar ofrece una baja impedancia y el inductor una alta impedancia. La velocidad inicial de elevacin de la corriente est limitada nicamente por el inductor L. Por lo tanto, en t = 0, el dildt del circuito es V./L. Por lo tanto, dt 1_0 = w,.A2 = lo que nos da la constante en la forma,
V,

dil

V, L

220 x 1000
91,652

J,L La expresin final para la corriente i(t) es

1.2

i(f) = 1.2 se~ (91,652t)(-'-40(lO()1 A (b) El tiempo de conduccin del diodo ti se obtiene cuando t = O. Esto es,
W,.tl

1T

1T

ti = 91,652

14.27 fLS

(e) El esbozo de la forma de onda de la corriente aparece en la figura 3-7. (d) El circuito correspondiente a la simulacin PSpice [3] se muestra en la figura 3-8. La lista del archivo de circuito es como sigue:
Example 3-3 .PARAM VALU .STEP PARAM VS 1 O 2 3 R L 3 KLC Circuit With Diode 160 VALU LIST 50 160 320 INS 220V PWL (O O ( VALU ) 2MH O 0.05UF 2 DMOD DMOD O (IS=2.22E-15 BV~1800V) O.lUS 60US Define parameter VALU Vary parameter VALU 220V) Picewise linear Variable resistance

1MS

e
01 .MODEL .TRAN .PROBE .END

Diode with model DMOD Diode model parameters Transient analysis Graphics postprocessor

El trazo PSpice de la corriente I(R) a travs de la resistencia R aparece en la figura 3-9.


i,amp

1.2

Figura 3-7 Forma de onda de corriente para el ejemplo 3-3.

44

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

0.051lF

(a) Circuito

Vs

220 V

1 ns

1 ms

t, ms Figura 3-8 Circuito RLC para simulacin PSpice.

(b) Voltaje de entrada

Date/Time

run:

Example 07/17/92

3-3 ARLC Circuit 15: 45: 11

with a Diode Temperature: 27.0

1.0A+-------~--~~--~--------+_------~--------~--------+

O.SA

O.6A

O.4A

O.2A

20us

aous,

40uS

50us

60us

Figura 3-9 Graficaciones para el ejemplo 3-3.

Sec.3-3

Diodos con cargas LC y RLC

45

3-4 DIODOS DE MARCHA LIBRE Si el interruptor SI de la figura 3-2a se cierra durante el tiempo ti, se establece una corriente a travs de la carga; si entonces se abre el interruptor, se debe encontrar una trayectoria para la corriente de la carga inductiva. Esto se efecta normalmente conectando un diodo Dm tal y como aparece en la figura 3-lOa, este diodo usualmente se llama diodo de marcha libre. La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando el interruptor se cierra en t = O, y el modo 2 empieza cuando se abre el interruptor. Los circuitos equivalentes para cada uno de los modos aparecen en la figura 2-1 Ob. i I e i2 se definen como las corrientes instantneas correspondientes a los modos 1 y 2, respectivamente. tI y /2 son las duraciones correspondientes de dichos modos.

Modo 1. (3-8), es

Durante este modo, la corriente del diodo il, que es similar a la de la ecuacin (3-30)

Cuando el interruptor se abre en / = convierte en

/1

(al final de este modo), la corriente de dicho momento se


= ti ) =

'( t 11 = /1

V, (1 Ji

e': R/L )

(3-31)

+ -

'---01-_-..,
R

s,

O,

v.
L

Di' L OL11,
V.
'2

R
Modo 1

R
Modo 2

(a) Diagrama de circuito

(b) Circuitos equivalentes

(e) Formas de onda

Figura 310 Circuito con diodo de marcha libre.

46

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

Si el tiempo corriente /s

t]

= V2/R

es lo suficientemente largo, la corriente llega al valor de rgimen permanente y una fluye a travs de la carga.

Modo 2. Este modo empieza cuando se abre el interruptor y la corriente de carga empieza a fluir a travs del diodo de marcha libre Dm. Si redefinimos el origen del tiempo al principio de este modo, la corriente a travs del diodo de marcha libre se encuentra a partir de
O =L con la condicin inicial i2(t rriente libre i = i2 como

dt + Ri2
correspondiente

di,

(3-32)
a la ecuacin (3-32) da la co(3-33 )

= O) = /1. La solucin

esta corriente decae en forma exponencial hasta cero en el momento t L/R. Las formas de onda de las corrientes aparecen en la figura 3-lOc. Elern lo 3-4

= ti. siempre

y cuando 12

En la figura 3-1Oa, la resistencia es despreciable (R = O), el voltaje de fuente es Vs 200 V, Y la inductancia de carga es L 220 .tH.(a) Dibuje la forma de onda de la corriente de carga si el interruptor se cierra durante un tiempo t] = 100 .tsy a continuacin se abre. (b) Determine la energa almacenada en el inductor de carga. Solucin (a) El diagrama del circuito aparece en la figura 3-11 a con una corriente inicial cero. Cuando el interruptor se cierra en I = O, la corriente de carga aumenta en forma lineal y se expresa de la forma

(t) =

'2

Y en t

Vst]/L 220 x 100/220 100 A. (b) Cuando el interruptor SI se abre en un tiempo / = /1, la corriente de carga empieza a fluir a travs del diodo Dm. Dado que en el circuito no hay ningn elemento disipativo (resistivo), la corriente de carga se mantiene constante en lo = 100 A, Y la energa almacenada en el inductor ser de 0.5 L1~ 1.1 J. Las formas de onda de la corriente aparecen en la figura 3-11b.

= ti.l

t~-~.~:k7!
v

=:>

+-

v.
i,

(a) Diagrama de circuitos

~0 :t~"3
I

t,

t,

t, (b) Formas de onda

Figura 3-11 Circuito del diodo con carga L. Sec.3-4

Diodos de marcha libre

47

35 RECUPERACION DE LA ENERGIA ATRAPADA CON UN DIODO


En el circuito ideal sin prdidas de la figura 3-11a, la energa almacenada en el inductor queda atrapada, dado que en el circuito no existe resistencia. En un circuito real es deseable mejorar la eficiencia devolviendo esa energa almacenada a la fuente de alimentacin. Esto se puede llevar a cabo si se agrega al inductor un segundo bobinado y se conecta un diodo DI, tal y como aparece en la figura 3-12a. El inductor se comporta como un transformador. El secundario del transformador se conecta de tal forma que si VI es positivo, V2 es negativo con respecto a VI y viceversa. El bobinado secundario, que facilita el retorno de la energa almacenada a la fuente va el diodo DI, se conoce como bobinado de retroalimentacin. Suponiendo un transformador con una inductancia magnetizante Lm, el circuito equivalente es como el que aparece en la figura 3-12b.

o,
+

i2
+

S,

i,

v,

v.

11

(a) Diagrama de circuito

+_--_...0
v.

S1
i,

ail iia
+

~2

i2

v,

I~ !

V2

1:0
:=:-v

Transformador ideal (b) Circuito equivalente

++

v,

en modo 1

(c) Circuito equivalente

Figura 3-12 Circuito con un diodo de recuperacin de energa.

48

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

Si el diodo y el voltaje secundario (voltaje de la fuente) se refieren al lado primario del transformador, el circuito equivalente es como se muestra en la figura 3-12c. i e iz definen las corrientes primaria y secundaria del transformador, respectivamente. La relacin de vueltas de un transformador ideal se define como
a=-

N2 N,

(3-34)

La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando se cierra el interruptor SI en 1 = O y el modo 2 empieza al abrirse el interruptor. Los circuitos equivalentes para los modos correspondientes aparecen en la figura 3-13a. /1 y '12 son las duraciones de los modos 1 y 2, respectivamente. Modo 1. Durante este modo, el interruptor S1 est cerrado en / = O.El diodo D tiene polarizacin inversa y la corriente a travs del diodo (corriente secundaria) es ah = 0, o bien, h = O. Utilizando el KVL de la figura 3-13a para el modo 1, V.I' = (VD - V.I')/a, yeso nos da el voltaje inverso del diodo como
VD =

V,(I + a)

(3-35)

Suponiendo que no existe una corriente inicial en el circuito, la corriente primaria es la nusma que la corriente t, del interruptor, y se expresa como V,. = i.; dt lo que da
i,(l) di,

(3-36)

V is(t) = -L" t
1/1

0-37)
t

Este modo es vlido para O s 1 s II Y termina cuando el interruptor se abre en te modo, la corriente en el primario se conviene en lo

= tI. Al final de es(3-38)

LV, t,
In

Modo 2. Durante este modo se abre el interruptor, se invierte el voltaje a travs del inductor y el diodo DI se polariza directamente. Fluye una corriente a travs del secundario del transformador y la energa almacenada en el inductor se regresa a la fuente. Utilizando la ley KVL y redefiniendo el origen del tiempo al principio de este modo, la corriente primaria se expresa como d L _1, m dt con la condicin inicial i(t V + s:
a =

(3-39)

= O) = lo, y podemos
,(t)

despejar la corriente como (3-40)

V, = - _' t + lo aLm

Sec.3-5

Recuperacin de la energa atrapada con un diodo

49

o +------....... ---.
aiz-

+ VD

v,

VDI. +

Modo 1 (al Circuito equivalente

Modo 2

v,~----..,
O~-------;------------r-__'
- V,Ja - - - ~-----~ Vz aVe ------,

O~---4------~I--v.
V.(1 + a) 1----------,

I
I

V. -

--

- -

O~------~------------h---.
(b) Formas de onda

v.

Figura 3-13

Circuitos y formas de onda equivalentes.

50

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

Se puede calcular el tiempo de conduccin del diodo D a partir de la condicin i(1 = (2) = Ode la

ecuacin (3-40) y es tz
= --

aLm10

V,

at,

(3-41)

El modo 2 es vlido para O :s; ( :s; (2. Al final de este modo en 1 = (2, toda la energa almacenada en el inductor Lm ha sido devuelta a la fuente. Las diversas formas de onda para a = 10/6 correspondientes a los voltajes aparecen en la figura 3-13b.
Ejemplo 3-5 Para el circuito de recuperacin de la energa de la figura 3-12a, la inductancia magnetizante del transformador es L", = 250 .R, NI = 10 Y N2 = 100. Las inductancias de fuga y la resistencia del transformador son despreciables. El voltaje de la fuente es Vs = 220 V Y no existe corriente inicial en el circuito. Si se cierra el interruptor S durante un tiempo I = 50 .lS y despus se abre, (a) determine el voltaje inverso del diodo DI, (b) calcule el valor pico de la corriente en el primario, (c) calcule el valor pico de la corriente en el secundario, (d) determine el tiempo de conduccin del diodo D y (e) determine la energa suministrada por la fuente. Solucin La relacin de vueltas es a = N2fN = 100/10 = 10. (a) De la ecuacin (3-35), el voltaje inverso del diodo es
VD '"

VAl + a) ==

(b) De la ecuacin (3-3R), el valor pico de la corriente primaria,

l o

==

V, Lm t,

220 x 250 == 44 A

50

(e) El valor pico de la corriente secundaria 10= lo/a 44/10 4.4 A. (d) De la ecuacin (3-41), el tiempo de conduccin del diodo es
t: = --

aLm~
V,

250 x 44 x == 500 220

10

.tS

(e) La energa de fuente, W

= J,o

{I,.
VI

dt ==

J,o

{I,

VS

V,
-

Lm

t dt

=_1. d 2 L",

1 V2

Utilizando la ecuacin (3-38), obtenemos

0.5Lml~ = 0.5 x 250 x 10-6 x 442

= 0.242 J =

242 mJ

36 RECTIFICADORESMONOFASICOS DE MEDIA ONDA

Un rectificador es un circuito que convierte una seal de corriente alterna en una seal unidireccional. Los diodos se usan extensamente en los rectificadores. Un rectificador monofsico de media onda es el tipo ms sencillo, pero no se utiliza normalmente en aplicaciones industriales. Sin embargo, resulta til para comprender el principio de la operacin de los rectificadores. En la figura 3-14a aparece el diagrama de circuito con una carga resistiva. Durante el medio ciclo positivo del voltaje de entrada, el diodo DI conduce y el voltaje de entrada aparece a travs de la carga.
Sec.3-6 Rectificadores monofsicos de media onda 51

Vo

__ l~

i.

j 1:..

o, ...
tot R

v.;.. n

(a) Diagrama de circuito

(b) Formas de onda

Figura 3-14 Rectificador monofsico de media onda.

Durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada, el diodo est en condicin de bloqueo y el voltaje de salida es cero. Las formas de onda para los voltajes de entrada y de salida se muestran . en la figura3-14b.

3-7 PARAMETROS DE RENDIMIENTO Aunque el voltaje de salida, tal y corno aparece en la figura 3-14b, es cd, es discontinuo y contiene armnicas. Un rectificador es un procesador de potencia que debe proporcionar una salida de cd con una cantidad mnima de contenido armnico. Al mismo tiempo, deber mantener la corriente de entrada tan sinusoidal corno sea posible y en fase con l voltaje de entrada, de tal forma que el factor de potencia est cercano a la unidad. La calidad del procesamiento de energa de un rectificador requiere de la determinacin del contenido armnico de la corriente de entrada, del voltaje de salida y de la corriente de salida. Utilizaremos las expansiones de la serie de Fourier para encontrar el contenido armnico de voltajes y corrientes. Hay distintos tipos de circuitos de rectificadores y los rendimientos de un rectificador se evalan normalmente en funcin de los parmetros siguientes: El valor promedio del voltaje de salida (o de carga), Vcd El valor promedio de la corriente de salida (de carga), 1cd La salida de potencia en cd, (3-42) El valor medio cuadrtico (rms) del voltaje de salida, Vrms El valor medio cuadrtico (rms) de la corriente de salida, Irms 52
Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3

La potencia de salida en ca

(3-43) La eficiencia (o relacin de rectificacin) de un rectificador, que es una cifra de mrito y , nos permite comparar la efectividad, se define como
r =Ped Pea

(3-44)

El voltaje de salida se puede determinar como formado de dos componentes: (1) el valor cd y (2) la componente de ca u ondulatoria. El valor efectivo (rms) de la componente de ca del voltaje de salida es (3-45) Elfactor deforma, que es una medida de la forma del voltaje de salida, es FF = Vrms
Ved

(3-46)

El factor de componente ondulatoria, que es una medida del contenido de la componente ondulatoria, se define como RF = Vea (3-47)
Ved

Sustituyendo la ecuacin (3-45) en la (3-47), el factor de la componente ondulatoria se puede expresarcomo RF =

~(Vrms)2 TI"'"
Ved

- l = YFP - l

(3-48)

Elfactor de utilizacin del transformador se define como TUF =

V,/,

Ped

(3-49)

donde Vs e I, son el voltaje y la corriente media cuadrtrica (rms) del secundario del transformador, respectivamente. Veamos las formas de onda que se muestran la figura 3-15, donde v. es el

Corriente de entrada

is

Corriente fundamental

Figura 3-15

Formas de onda del voltaje y corriente de entrada.

Sec.3-7

Parmetros de rendimiento

53

voltaje de entrada sinusoidal, i, es la corriente de entrada instantnea, e isl es el componente fundamental. Si <l> es el ngulo entre las componentes fundamentales de la corriente y el voltaje de entrada, <l> se llama el ngulo de desplazamiento. El factor de desplazamiento se define como DF

cos <P

(3-50)

Elfactor armnico de la corriente de entrada se define como

HF

= ( /2., __ /2)112 .11 = [(/)2 ~


l~t

1]

1/2

(3-5 1)

1,1

donde lsl es la componente fundamental de la corriente de entrada I; Tanto IsI como I, se expresan aqu en valores rms. ElfaclOr de potencia de entrada se define como PF

= VJ, cos

V,I,1

<P

= T; cos

1.11

<P

(3-52)

A menudo resulta de inters el factor de cresta CF, que resulta una medida de la corriente de entrada pico Is(pico) en comparacin con su valor rms Is, a fin de establecer las especificaciones de corriente de pico de dispositivos y componentes. El CF de la corriente de entrada se define mediante CF = ls(pico) (3-53)

t,

Notas

1. El factor armnico HF es una medida de la distorsin de una forma de onda y tambin se conoce como distorsin armnica total (THD). 2. Si la corriente de entrada I, es puramente sinusoidal, IsI :::I, Y el factor de potencia PF es igual al factor de desplazamiento DF. El ngulo de desplazamiento <p se convierte en el ngulo de impedancia e = tan-'(wL!R) en el caso de una carga RL. 3. El factor de desplazamiento DF a menudo se conoce como el factor de potencia de desplazamiento (DPF). 4. Un rectificador ideal debera tener TI = 100%, Vea = O, RF = O, TUF::: 1, HF = THD::: 0, y PF::: DPF= 1. Ejemplo 36
El rectificador de la figura 3-14a tiene una carga resistiva pura igual a R. Determine (a) la eficiencia, (b) el factor de forma, Ce)el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utilizacin de transformacin, Ce)el voltaje inverso pico (PIV) del diodo Dt y (f) el valor CF de la corriente de entrada. Solucin El voltaje de salida promedio Vdc se define como
Ved

= T Jo

1 (T
VL(t)

dt
I:S; - V

Debemos notar de la figura 3.14b que VLCI) ::: O para T/2 :s;
Ved:::

T. Por lo tanto, tenemos

T Jo

(T/2 Vm

sen wt

dI:::

wT \ wr" ( cos 2 - 1)

54

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

Pero la frecuencia

de la fuente es

= 1([ Y (1) = 2rtf. Por lo tanto,

Ved = V", = O.318Vm


11"

(3-54)

1 _Ved_O.318V", ea= R R El valor medio cuadrtico (rms) de una forma de onda peridica se define como Vrms = [ T Jo vi(t) dt Para un voltaje sinusoidal de valor VL(/) = Vmsenw/ para salida es
1 (T ] 1/2

:5 t :5

T/2, el valor rms del voltaje de

1 fT/2 ] 1/2 Vrros = [ T o (V", senw/)2 dt 1 - Vrros_ O.5V", rros-R--R-

V f

O.5V",
(3-55)

De la ecuacin (3-42), Ped = (O.318Vm)2/R, y de la ecuacin (3-43), Pea = (0.5V m)2/R. (a) De la ecuacin (3-44), la eficiencia r = (O.318V ml/(0.5V m)2 = 40.5%. (b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF = 0.5VmlO.318V m = 1.57 es decir 157%. (e) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF -.fT:57'- 1 = 1.21 es decir 121%. (d) El voltaje rrns del secundario del transformador es

1 Vs = [ T

fro (V", sen e.r)? dt ]

1/2

V =~ =

O.707Vn

(3-56)

El valor rms de la corriente del secundario del transformador es la misma que la carga:

La especificacin en vol/amperios (VA) del transformador, VA = Vi. = 0.707 Vm X 0.5 VmIR. De la ecuacin (3-49), TUF = Pe./(V. Is) = 0.3182/(0.707 x 0.5)= 0.286. (e) El voltaje de bloqueo inverso pico PV Vm' (f) Is(pieo) Vm IR e Is O.5V m /R. El factor de cresta CF de la corriente de entrada es CF I.(pico'!!. = 1/0.5 = 2.

Nota. IrruF = 1/0.286 = 3.496, lo que significa que el transformador debe ser 3.496 veces mayor de lo que tendra que ser para proporcionar energa a partir de un voltaje de ca puro. Este rectificador tiene un alto factor de componente ondulatoria, 121%; una eficiencia baja, 40.5%; y un TUF pobre, 0.286. Adems, el transformador tiene que conducir cd, y esto da como resultado un problema de saturacin en el ncleo del transformador, Veamos el circuito que se muestra en la figura 3-14a con una carga RL tal Ycomo aparece en la figura 3-100. Debido a la carga inductiva, el periodo de conduccin del diodo Di se extender ms all de los 1800 hasta que la corriente se haga cero en (l)t = 1t + . Las formas de onda de la
Sec.3-7 Parmetros de rendimientos
55

, ...

",

.......

,-----------------------

I~I
+
VD
VI=

Vmsen mt

o~--------+-~~----~~wt n
2ft
D, conduce

(al Diagrama de circuito

lb) Formas de onda

(el formas de onda

Figura 3-16 y

Rectificador de media onda con carga RL.

del voltaje aparecen en la figura 3-16b. Debe hacerse notar que el cero.
Ved =

VL

promedio del inductor es

v,
21T

(1T+0"

Jo

sen

wt d(wt)

2; [-cos
V

wt]+(]

=-

Vm

(3-57) [1 - COS(1T

21T

0')]

La corriente de carga promedio es led = Ved/R. De la ecuacin (3-57) se puede notar que es posible aumentar el voltaje promedio (y la corriente) haciendo que (J = O,lo que es posible aadiendo un diodo de marcha libre Dm. tal y como aparece en la figura 3-16a con lneas punteadas. El efecto de este diodo es evitar que aparezca un voltaje negativo a travs de la carga; y como resultado, aumenta la energfa magntica almacenada. En t = tI = 1t/(J), la corriente proveniente de DI se transfiere a Dm, proceso conocido como conmutacin de diodos. En la figura 3-16c se muestran las formas de onda. Dependiendo de la constante
56
Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3

de tiempo, la corriente de la carga puede resultar discontinua. Con una carga resistiva, la corriente it: ser discontinua y continua con una carga muy inductiva. La continuidad de la corriente de carga depender de su constante de tiempo 't = roL/R.

Si la salida se conecta a una batera, el rectificador se puede utilizar como cargador de bateras. Esto se muestra en la figura 3-17a. Para Vs > E, el diodo DI conduce. Se puede encontrar el ngulo a cuando el diodo inicia la conduccin, a partir de la condicin Vmsena=E lo que nos da
a =sen-I-

E
Vm

(3-58)

El diodo DI se desactivar cuando v, < E en


{3=-1T-a n: 1

o,

'v

(a) Circuito

v. = Vm sen eot

o
,, ,
I

wt

VsI

,, ,,

wt

wt
(b) Formas de onda

Figura 3-17

Cargador de bateras.

Sec.3-7

Parmetros de rendimientos

57

,"","' ..

_ .,_---------------------......

La corriente de carga it, que se muestra en la figura 3-17b, se puede determinar a partir de

it.=
Ejemplo 3-7

Vs -

Vrn sen rol -

para u x un x B

El voltaje de batera de la figura 3-17a es E = 12 Vy su capacidad es 100 W-h. La corriente promedio de carga deber ser Icd = 5 A. El voltaje de entrada primario es Vp = 220 V, 60 Hz teniendo el transformador una relacin de vueltas n 2: 1. Calcule (a) el ngulo de conduccin del diodo, (b) la resistencia limitadora de corriente R, (e) la especificacin de potencia PR de R, (d) el tiempo de carga h en horas, (e) la eficiencia del rectificador", y (f) el voltaje de pico inverso PIV del diodo. Solucin E = 12 V, Vp = 220 V, Vs = Vf," = 120/2 = 60 V, Y v, = -./2 Vs = -./2 x 60 = 84.85 V. (a) De la ecuacin (3-58), a = sen- (12/84.85) = 8.13, o bien 0.1419 rad. J3 = 180 - 8.13 = 171.87. El ngulo de conduccin es 0= J3 - a= 171.87 - 8.13 163.74. (b) La corriente de carga promedio Icd es

Ide =

l J!3 Vm sen wt - E 27T " R d(wt) l 27TR (2Vm cos a

l 27TR (2Vm cos a + 2Ea - 7TE) (3-59)

=
lo que nos da

+ 2Ea - 7TE) + 2Ea - 7TE)


0

1 R =-2 I

Jt cd

(2Vrn cos a

= 27TX 5 (2 x 84.85 x cos 8.13 + 2 x 12 x 0.1419 - 7Tx 12) = 4.26


(e) La corriente rms en la batera Inn. es 12
rrns

l '

= .L J!3
27T" 1
= 27TR2

(Vrn sen wt - E)" d(

R2

wt

[(V~l T + E2) (7T-

2a ) +

V~, sen2a T

- 4VmE cos a

(3-60)

= 67.4 o bien Inn = -./67.4 = 8.2 A. La especificacin de potencia de Res PR = 8.22 x 4.26 = 286.4 W. (d) La potencia entregada Pcd a la batera es

Pcd

El cd = 12 x 5 o

60 W

hPcd = 100 Ce)La eficiencia del rectificador" es

" = Potencia entregada a la batera = -::-_P_C;:.:d,-::-_ = ~~6_0~:-= 17.32% potencia de entrada total P cd + PR 60 + 286.4
(f) El voltaje de pico inverso PIV del diodo es PIV

= =

Vm

84.85 + 12 = 96.85 V Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3

58

Ejemplo

3-8

monofsico de media onda de la figura 3-14a est conectado a una fuente Vs 120 V, 60 Hz. Exprese en series de Fourier el voltaje de salida instantneo VL(t). Solucin El voltaje de salida del rectificador VL se puede describir mediante una serie de Fourier como El rectificador

VL(t) = V ro +

,,~1.2, '.

(a" sen wt + b, cos wt)

Ved

217'

l (2" l (17 V Jo VL d(wt) = 217' Jo Vn sen wt d(wt) = ;;'

a"

1 1 =VL sen nwt d(wt) = V", sen .rot sen nit d(rot) 17' o 17' o

f2"

f"

Vrn
2

para n

=0
b; = -1
17'0

para n = 2, 4, 6, ...

f21T VL cos nwt d(wt)


para n para n

= -1

17'0

f" Vn sen wt cos nwt d(wt)

Vn 1 + (-1)" = --;- 1 _ n2

= 2, 3, 4, ...
=

= O

Sustituyendo an y bn, el voltaje de salida instntaneo se convierte en V", V", VL( t ) = - + -2 senwt
17'

zv, 2 V", 2V - -3- cos 2wt + cos 4wt - _'" cos 6wt + 17' 1517' 3517'

(3-61)

donde Vm = {2 x 120 = 169.7 Vy ro = 2p x 60 = 377 rad/s,

38 RECTIFICADORESMONOFASICOS DE ONDA COMPLETA En la figura 3-18a aparece un circuito rectificador de onda completa con un transformador de derivacin central. Cada mitad del transformador con un diodo asociado acta como si fuera un rectificador de media onda. La salida de un rectificador de onda completa aparece en la figura 31gb. Dado que a travs del transformador no fluye corriente directa, no hay problema por saturacin en el ncleo de este mismo transformador. El voltaje de salida promedio es V
cd =

T Jo

(T/2

2Vm Vm sen wt dt = --;;;-= O.6366Vm

(3-62)

En vez de utilizar un transformador con toma o derivacin central, podemos utilizar cuatro diodos, como se muestra en la figura 3-19a. Durante el medio ciclo positivo del voltaje de entrada, se suministra potencia a la carga a travs de los diodos DI y D2. Durante el ciclo negativo, los diodos D3 y D4 conducirn. La forma de onda del voltaje de salida aparece en la figura 3-19b y es similar a la de la figura 3-18b. El voltaje de pico inverso de un diodo es solo Vm Este circuito se conoce como rectificador puente, y es de uso comn en aplicaciones industriales. Sec.3-8 Rectificadores monofsicos de onda completa 59

v.t\7\
+

l'

liD,

..
liD '

2 ..

.. ""

O,

01------*----...,.-..,....,-=2-11-"'1

I~I +
Figura 3-18

-2Vm (b) Formas de-onda

(a) Diagrama de circuito

Rectificador de onda completa con transformador con derivacin central.

I
-Vm
-~-

iL

-+ R
III

v.~

O,

03

v.

O2
-V
(a) Diagrama de circuito

0t7v7
~211
1103. V~ VOh V1)2

",1

.""

(b) Forma de onda

Figura 3-19

Rectificador puente de onda completa.

60

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

Ejemplo 3-9 Si el rectificador de la figura 3-18a tiene una carga resistiva pura de valor R, determine (a) la eficiencia, (b) el factor de forma, (c) el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utilizacin del transformador, (e) el voltaje de pico inverso (PI V) del diodo D y (f) el CF de la corriente de entrada. Solucin De la ecuacin (3-62), el voltaje promedio de salida es Ved = 2V", = 0.6366Vm
1T

y la corriente promedio de carga es 1 El valor rms del voltaje de salida es Vrms 1 Ved _
cd-

1<. -

0.6366Vm R

= [T
R

fT/2
o

(Vm sen wt)2 dt

] 1/2

V v0 = 0.707V",

rrns

= Vrms

0.707 VIII R

De la ecuacin (3-42), Ped (0.6366V mY''/R,y de la ecuacin (3-43), Pea (0.707Vm)2/R. (a) De la ecuacin (3-44), la eficiencia" = (0.6366V mY/(0.707V m)"" = 81% (b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF = 0.707V mI0.6366V m = 1.11. (e) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = ... 1.1P -1 = 0.482, o bien 48.2%. (d) El voltaje rms del secundario del transformador Vs = Vm/"'-2 = 0.707Vm El valor rms de la corriente del secundario del transformador ls 0.5Vm IR. La especificacin en volts-amperes (VA) del transformador, VA = 2 Vsls = 2 x 0.707 Vm x 0.5Vm/R. De la ecuacin (3-49),

TUF

0.63662 2 x 0.707 x 0.5

0.5732

57.32%

(e) El voltaje de bloqueo de pico inverso PIV 2 Vm' (f) ls(pico)= Vm/R e ls = O.707Vm/R. El factor de cresta CF de la corriente de entrada es CF = ls(pieo)lls = 1/0.707 =

rz.

Nota. El rendimiento de un rectificador de onda completa represenLa una mejora significativa en comparacin con el de un rectificador de media onda.

Ejemplo 3-10 El rectificador de la figura 3-18a tiene una carga RL. Utilice el mtodo de las series de Fourier para obtener expresiones del voltaje de salida VL(I). Solucin El voltaje de salida del rectificador puede ser representado por una serie de Fourier (misma que se ver en el apndice E) de la forma
UL(t) = Ved

(a n=2,4, ...

-c

cos wt

+ b; sen nwt)

Sec,3-8

Rectificadores monofsicos de onda completa

61

donde V ro

27T

Jo
(21T

(21T
UL(t)

d(wt)

27T

Jo

(1T

2V Vm sen wt d(wt) = 7Tm

I a; = ;:
=

Jo

UL

cos nwt d(wt)

= ;: Jo Vm sen wt cos nwt d(wt)

2 ("

4Vm 7T

i:
,,=2.4 .... UL

-1 (n - I)(n + 1)

b, = ;:

Jo

(21T

sen nwt d(wt)

= ;: Jo Vm sen wt sen nwt d(wt) = O

(1T

Sustituyendo los valores de an y b.; la expresin del voltaje de salida es


UL () t

= --;- - 37T cos 2wt - 157T cos 4wt - 35; cos 6wt - .

2Vm

4 V",

4Vm

4V17

(3-63)

Nota. La salida de un rectificador de onda completa contiene slo armnicas pares. La segunda armnica es la ms dominante y su frecuencia es 2f(= 120 Hz). El voltaje de salida de la ecuacin (3-63) se puede deducir mediante la multiplicacin espectral de la funcin de conmutacin, esto queda explicado en el apndice C.
Ejemplo 3-11 Un rectificador puente monofsico, que alimenta una carga inductiva muy alta, como sera un motor de cd, aparece en la figura 3-20a. La relacin de vueltas del transformador es la unidad. La carga es tal que el motor utiliza una corriente de armadura libre de oscilaciones la tal y como

-Vm l l. ....__,.-"'--_;./~.--, r'.


Componente fundamental
-

O -l.

" 1'-----"1-----...,..-2.. ...


'!

, ,

'"

/"

Vp

o
(a) Diagrama de circuito (b) Formas de onda

.. Q)t

Figura 3-20

Rectificador puente de onda completa con carga de motor cd.

62

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

aparece en la figura 3-20b. Determine (a) el factor armnico HF de la corriente de entrada y (b) el factor de potencia de entrada PF del rectificador, Solucin Normalmente, un motor de cd es altamente inductivo y acta como un filtro en la reduccin de la corriente de componente ondulatoria de la carga. (a) Las formas de onda de la corriente y del voltaje de entrada del rectificador aparecen en la figura 3-20b. La corriente de entrada se puede expresar en una serie de Fourier, como il(t)

= lcd +
11=

1,3 ....

(a" cos noit

+ bn sen nwt)

donde
Ide

1 (27T.
21T

Jo

ll(t) d(wt) =

1 (27T
21T

Jo 1(1 d(wt)
1TO

=O

a; '" -

1 f27T .

1TO

ll(t) COS nwt d(wt) = -

2 f7T 1(1 cos

nwt d(wt) = O

1 f27T .. 2 f7T 41 b; = ll(t) sen nwt d(wt) == 1(1 sen nwt diiot} = ---...!! 1T o 1T o nn Sustituyendo los valores de
lit

afl

Y hn, la expresin correspondiente a la corriente de entrada es

.( )

=~

4(/

(Sen wt sen 3wt sen 5wt -1-+--3-+--5-+'"


4/" ,;:; v2

. )
v"

(3-64)

El valor rms de la componente fundamental de la corriente de entrada es

IsI
El valor rms de la corriente de entrada es

0.901"

1T

De la ecuacin (3-51), HF

THD '"

1)2 [( 0.90

- 1

]1/2

0.4843

48.43%

(b) El ngulo de desplazamiento 11> = O Y el factor de desplazamiento DF ecuacin (3-52), el factor de potencia PF = (/ s /l.,)cos 11> :: 0.90 (en atraso).

= cos = 1. De la
11>

39 RECTIFICADORMONOFASICO DE ONDA COMPLETA CON CARGA RL

Con una carga resistiva, la comente de carga tiene una forma idntica al voltaje de salida. En la prctica, la mayor parte de las cargas son en cierta cantidad inductivas, la corriente de carga depende de los valores de la resistencia de carga R y de la inductancia de carga L. Esto aparece en la figura 3-21a. Se aade una batera de vol~e E para poder desarrollar ecuaciones de tipo general. Si el voltaje de entrada es Vs = Vm sen rot = .., 2 Vs sen rot, la corriente de carga h se puede deducir de
L :~ + Ri + E
Sec.3-8
=

v2 V, sen wt
63

Rectificador monofsico de onda completa con carga RL

(Ot

E
Imin

o
(a) Circuito

1t

1t 1t+9 (b) Formas de onda

21t

(Ot

"2

Figura 3-21

Rectificador de puente completo con carga RL.

que tiene una solucin de la forma


=

v2V Tsen(W(

- 8)

Ale-(RIL)I

E R

(3-65)

donde la impedancia de la carga Z = [R2 + (roL)2]1f2,

y el ngulo

de impedancia

e = tan-\roL/R).

Caso 1: corriente de carga continua. La constante Al en la ecuacin (3-65) se puede determinar a partir de la condicin: en rot = 1t, it: = 11.
A

=
I

(1

+ E _ v2 V_, sen
R

8)

e(RIL)(1Tlw)

Si sustituimos de Al en la ecuacin (3-65), obtenemos i L-

v2 V_, sen(w( Z

8) + (1

+ E _ v2 Vs sen
R

8)

e(RIL)(1Tlw-l)

= 11. Aplicando

Bajo una condicin de rgimen permanente, iL(rot = O) = h(rot = 1t). Esto significa que, iL(rot = O) esta condicin, obtenemos el valor de 11 como v2 V_, I + e-(RIL)(1Tlw) E (3-66) 11 = -Z- sen 8 l _ e-(RIL)(1Tlw) - R para II ;::: O el cual, despus de sustituirse en la ecuacin (3-66) y de simplificarse, nos da

= v2 Vs Z
para O

fsen(W( _ 8) ~
:$;

1-

e-(RIL)(rrlwl

.2

sen 8

e-(RILl/]

rol

s 1t e

ti. c:: O
Circuitos de diodos V rectificadores

(3-67)

64

Cap. 3

La corriente rms del diodo se puede encontrar de la ecuacin (3-67) como

1 (w Ir = [ 27T Jo ii d(wt)

]In

y entonces, la corriente rms de salida se puede determinar mediante la combinacin de las corrientes rms de cada diodo como

Tambin se puede encontrar la corriente promedio del diodo a partir de la ecuacin (3-67) como
Id

1 (w 27T Jo

lt. d(wt)

Caso 2: corriente de carga discontinua.


perodo

ex::;

WI

s b. Los diodos empiezan a conducir en


O'

La corriente de carga fluye slo durante el WI a, dado por

= sen-I

V",

En w

= ex, i(w1) = O Y la ecuacin


Al =

(3-65) nos da

E [R

v'2 V, - -z-sen(a

- 8)

1 r/

R/L )(aw) /

que, despus de sustituirse en la ecuacin (3-65), proporciona la corriente de carga


IL

v'2 = --

V, sen(wt Z

8)

v'2 V, + [E - - -R Z

sen(a - 8) ]

R1L1(a/w-1)

(3-68)

En

WI

= p, la corriente
Z

cae a cero, e i(wT =

P) = O. Esto

es - 8) ]
e(R L)(a-/3I/w

v'2 V, sen(3 - 8) -_.

v'2 V, sen(a + [E - - -_. R Z

p se puede determinar de esta ecuacin trascendental mediante un mtodo de solucin iterativo (prueba y error), que se analiza en la seccin 6-5. Inicie con ~ 0, e incremente su valor en cantidades muy pequeas, hasta que el lado izquierdo de esta ecuacin se convierta en cero. La corriente rms del diodo se puede encontrar a partir de la ecuacin (3-68) como

1,.

lf/3 ir d(wt) [ 27T


a

]112

La corriente promedio del diodo tambin se puede encontrar a partir de la ecuacin (3-68) como
Id =

2~

f:

it. d(wt)

Ejemplo 3]2

El rectificador de onda completa monofsico de la figl!ra.3-2la tiene L = 6.5 rnH, R = 2.5 n, y E 10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V a 60 Hz. (a) Determine (1) la comente de carga en rgimen permanente 11en WI O, (2) la corriente promedio del diodo Id, (3) la corriente rms del diodo

Sec.3-9

Rectificador monofsico de onda completa con carga RL

65

Ir y (4) la corriente nns de salida Irm~' (b) Utilice PSpice para graficar la corriente de salida instantnea i_,. Suponga los parmetros de diodo IS 2.22E-15, BV = 1800 V. Solucin No se sabe si la corriente de carga es continua o discontinua. Supongamos que la corriente de carga es continua y procedamos con la solucin. Si la hiptesis no es correcta, la corriente de carga ser cero y entonces pasaremos al caso discontinuo correspondiente. (a) R 2.5 n, L = 6.5 roR, f 60 Hz, W 21t X 60 377 rad/s, Vs 120 V, Z [R2 + (wL)2]tl2 3.5 n y e tan-\WL!R) 44,43l!.

= =

(1) La corriente de carga en rgimen permanente en wt O, 11 corriente de carga es continua y la hiptesis es correcta.

= 32.8 A. Dado que 11 > O, la

(2) La integracin numrica de lt: de la ecuacin (3-67) nos da una corriente promedio de diodo/d= 19.61 A. (3) Mediante la integracin numrica de nns del diodo Ir = 28.5 A. (4) La corriente nns de salida I nns

il entre los lmites wt = O Y1t, obtenemos


Ir =

la corriente

"2

" 2 x 28.50 = 40.3 A.

Notas 1. lt: tiene un valor mnimo de 25.2 A en wt = 25.5 y un valor mximo de 51.46 A en W( = 125.25. h se convierte en 27.41 A en W( = e y en 48.2 A en W( e + 1t. Por 10 tanto, el valor mximo de lt: ocurre aproximadamente en W( e.

2. La conmutacin de los diodos hace que las ecuaciones de las corrientes sean no lineales. Un mtodo numrico de solucin de las corrientes de diodo es ms eficaz que las tcnicas clsicas. Para resolver en funcin de 1" Id e Ir se utiliza un programa de computadora que hace uso de la integracin numrica. Se recomienda a los estudiantes que verifiquen los resultados de este ejemplo y que valoricen la utilidad de la solucin numrica, especialmente en la resolucin de ecuaciones no lineales de circuitos de diodos.

(b) El rectificador puente monofsico para la simulacin PSpice aparece en la figura 3-22. La lista de archivo de circuito es corno sigue:
Example
VS

3-12 O 3 L '2 R 3 4 VX 4 5 Di 2 D2 5 O D3 O 2 D4 5 .MODEL DMOD .TRAN lUS .PROBE .END


1

Single-Phase Bridge Rectifier with RL load SIN (O 169. 7V 60HZ) 6.:'MH 2. J Voltaje source to measure the output current JO\l DC Dl'-':OD ; Dode Model DMOD DMOD DMCD Diode model parameters D(lS=2.22E-15 HV"lHOOV) Transient analysis 32MS 16.667MS Graphics postprocessor

La graficacin PSpice de la corriente de salida instarunea ic se muestra en la figura 3-23, que da 11 = 31.83 A.
66
Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3

Example 3-12 Single-Phase Bridge-Rectifier a with R-L load Date/Time run: 07/17/92 15: 53: 17 Tempcrature: 27.0
60A

+--.---t-: :

-1----+--.----1-------4----+----+----+
I

- t- - - - - - -" - - - - - - - - - -:.~-.::.;:/" I

- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -

<,

40A

___ ..
:,/

/~(
_../
_..__..-'

__ _j \
I .-----~-../

:;;

_ ~ _
-+----1----+

20A +--'------4----+-----+--'--+------l----,-200V

+--.----+----+---.--1-1--+.---+--, :

@JI

(VXl

100V OV
-100V

---------- :
22ms

~ :~/
I

: .

: ....

iV
i ,/
'

/
24ms 26ms 2Bms t---+ 30ms 32ms

1------1----+-_..J....---1 . -.. --.-1----1--

16ms
r:J

1Bms

20ms

V (3. 4)

Time

Figura 3-23 Graficas de PSpice para el ejemplo 3-12.

310 RECTIFICADORESMULTIFASE EN ESTRELLA Hemos visto en la ecuacin (3-62) que el voltaje promedio de salida que se podra obtener de los rectificadores de onda completa monofsicos es O.6366V~. Estos rectificadores se utilizan en aplicaciones hasta un nivel de potencia de 15 kW. Para salidas de potencia mayores, se utilizan los rectificadores trifsicos y mulufsicos. Las series de Fourier de los voltajes de salida dados por la ecuacin (3-63) indican que las salidas contienen armnicas, la frecuencia de la componente fundamental es el doble de la frecuencia de la fuente (2f). En la prctica es comn utilizar un
Sec.3-10 Rectificadores multifase en estrella

67

filtro para reducir el nivel de armnicas en la carga; el tamao del filtro se reduce con el aumento de la frecuencia de las armnicas. Adems de la mayor salida de potencia de los rectificadores multifase, tambin aumenta la frecuencia fundamental de las armnicas y resulta q veces la fre-

cuencia fuente (qf). Este rectificador se conoce como un rectificador estrella. El circuito rectificador de la figura 3-18a se puede extender a varias fases mediante embobinados multifase en el secundario del transformador, tal y como se muestra en la figura 3-24a. Este cirbuito se puede considerar como q rectificadores monofsicos de media onda y es del tipo de media onda. El diodo de orden k conducir durante el periodo cuando el voltaje de la fase k sea mayor que el de las dems fases. Las formas de onda para voltajes y corrientes aparecen en la figura 3-24b. El perodo de conduccin de cada diodo es 2rc/q. De la figura 3-24b se puede notar que la corriente que fluye a travs del embobinado secundario es unidireccional y contiene una componente de cd. Slo el embobinado secundario lleva corriente en un momento determinado y, como resultado, el primario debe estar conectado en del-

3 q

DJ
iL

4
I ___ L

D.

- - --ct-Dq

Vl

-(a) Diagrama de circuito

v
Vm

v,

V2

v3

V.

O -V", V",
020n

(jI

03

(jt

.!!. q

~
q (b) Formas de ondas

Figura 3-24

Rectificadores multifase.

68

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

ta, a fin de eliminar la componente de cd del lado de la entrada del transformador. Esto minimiza el contenido armnico de la corriente de lnea primaria. Si suponemos una onda coseno desde nlq hasta 2rc/q, el voltaje promedio de salida para un rectificador de q fases est dado por Ved

= 27r/q Jo

(1Tt"

V",

COS

wl d(wt)

V", -; sen

7r q

(3-69)

(3-70)

Vm [ - q 27r

(7r 1 27r)JI/2 - + - senq 2 a

Si la carga es resistiva pura, la corriente de pico a travs del diodo es 1m = Vm /R pudindose encontrar el valor rms de la corriente del diodo (o de una corriente secundaria de transformador) como
I, = [ 27r
=

2 (1Tlq

Jo

l~n cos- wt d(wt)

JI/2
(3-71)

t; [_1_ (~ + ~ sen _27r_)] 1/2 = _V_rm_,


27r q
.. q _

Ejemplo 313
Un rectificador trifsico en estrella tiene una carga puramente resistiva con R ohms. Determine (a) la eficiencia, (b) el factor de forma, (e) el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utilizacin del transformador, (e) el voltaje de pico inverso Pl V de cada diodo (f) la corriente pico a travs del diodo, si el rectificador entrega Ide = 30 A a un voltaje de salida de Vde= 140 V. Solucin Para un rectificador trifsico q = 3 en las ecuaciones (3-69), (3-70) Y(3-71). (a) De la ecuacin (3-69), Ved= 0.827 Vm e led 0.827 Vm/R. De la ecuacin (3-70), Vnns 0.84068 Vm e Inns 0.84068 Vm IR. De la ecuacin (3-42), Pro = (O.827V m)2{R, de la ecuacin (3-43), P ca (0.84068V m)2R y de la ecuacin (3-44) la eficiencia

r -

__ (0.827V"y _ o (0.84068V Y - 96.77%


I1

(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF 0.84068/0.827 1.0165, o bien 101.65%. (e) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF = ..J 1.0165' - 1 = 0.1824 18.24%. (d) De la ecuacin (3-56), el voltaje rrns del secundario del transformador, Vs 0.707 Vm. De la ecuacin (3-71), la corriente rms del secundario del transformador,

1s

O 48541 "" 0.4854 VIII . m R

La especificacin en volts-arnpcrcs (VA) del transformador para q 3 es .. 0.4854 v, VA = 3V,l, = 3 x 0.707Vm x R De la ecuacin (3-49) TUF

0.8272 3 x 0.707 x 0.4854 '" 0.6643 69

Seo. 310

Rectificadores multifase en estrella

(e) El voltaje de pico inverso de cada diodo es igual al valor pico del voltaje lnea a lnea en el secundario. En el apndice A se analizan los circuitos trifsicos. El voltaje lnea a lnea es "3 veces el voltaje de fase y, por lo tanto, PIY = -{3 V m' (1) La corriente promedio a travs de cada diodo es

2 J"'I<! Id = -21m
TrO

cos wt d(wt) = 1m-1 sen-tt


tt

(3-72)

Para q = 3, Id = 0.2757/m. La corriente promedio a travs de cada diodo es Id = 30/3 do esto la corriente pico como l = 10/0.2757 36.27 A.

10 A dan-

Ejemplo 314 (a) Exprese el voltaje de salida del rectificador de q fases de la figura 3-24a en series de Fourier. (b) Si q = 6, Vm = 170 Y, Yla frecuencia de alimentacin es f 60 Hz, determine el valor rms de la armnica dominante y su frecuencia. Solucin (a) Las formas de onda para q pulsos se muestran en la figura 3-24b, siendo la frecuencia de salida q veces la componente fundamental (qf). Para encontrar las constantes de la serie de Fourier, integremos desde -rt/q hasta rt/q donde las constantes son

b;

1 a; = -/tt q

f"'lq
-",1'1

Vm cos wt cos nwt d(wt)

= qVm
tt = ~

{senfir:_=-_l)Tr/q]+ sen [(n + llTr/ql} n-l n+l

qVm (n

+ I)sen[(n -

I)Tr/q]

+
-

(n -

l)sen[(n

I)Tr/q]

n2

Despus de simplificar y usar las relaciones trigonomtricas, obtenemos sen(A + B)


=

senA cos B + cos A senB

y
sen (A - B) = sen A cos B - cos A sen B obtenemos

a =
Il

2q V ni ( nsen- nTr cos -tt ntt - cos -senTr(n2 - 1) q q q

Tr) q

(3-73)

En el caso del rectificador con q pulsos por ciclo, las armnicas del voltaje de salida son: la de orden q, la de orden 2q, la de orden 3q, la de orden 4q, la ecuacin (3-73) es vlida para n = O, 1q, 2q, 3q. El trmino seno(n1t/q) = sen 1t O Y la ecuacin (3-73) se convierte

a; = tt (o n: - 1) cos -senq
la componente en cd se encuentra haciendo que n = O Y es

-2qVm

nTr

Tr)

Ved

=-

ao 2

q tr Vm sen tr q

(3-74)

que es el mismo que el de la ecuacin (3-69). La serie de Fourier del voltaje de salida presa como

ve se ex-

70

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

UL(I)

(;0 +
1/..::.4.2'1....

a" cos nwf

Sustituyendo el valor de an, obtenemos


UL

= Vm

:;

sen

1T ( "... q 1 - ,,:,{5,/ ... ~

cos

q cos nwt
n1T

(3-75)

(b) Para q = 6, el voltaje de salida se expresa como


UL(t)

= O.9549Vm

22 (1 + 35 cos 6wt -

143 cos

12wf + .

..)

(3-76)

La sexta armnica es la dominante. El valor rms de un voltaje sinusoidal es 1/-.[2 veces su magnitud de pico, y el rms de la sexta armnica es V6 = 0.9549 Vm x 2/(35 x ../2) = 6.56 A siendo su frecuencia J6 6J 360 Hz.

= =

3-11 RECTIFICADORESTRIFASICOS EN PUENTE Un rectificador trifsico en puente como el que se muestra en la figura 3-25 es de uso comn en aplicaciones de alta energa. Este es un rectificador de onda completa. Puede operar sin O con
transformador y genera componentes ondulatorias de seis pulsos en el voltaje de salida. Los diodos estn numerados en orden de secuencia de conduccin, cada uno de ellos conduce durante 120. La secuencia de la conduccin de los diodos es 12, 23, 34,45, 56 y 61. El par de diodos conectados entre el par de lneas de alimentacin que tengan la diferencia de potencial instantneo ms alto de lnea a lnea sern los que conduzcan. En una fuente conectada en estrella trifsica el voltaje de lnea a lnea es ../3veces el voltaje de fase. Las formas de onda y los tiempos de conduccin de los diodos aparecen en la figura 3-26. El voltaje promedio de salida se encuentra a partir de

Ved

2 21T/6

Jo

(11'/6,

r; V3

Vm cos wt d(wt)
(3-77)

= 3 v3 Vm = 1.654V/II
1T

Primario

Secundario +

a
R

Figura 3-25

Rectificador puente trifsico.

Sec.3-"

Rectificadores trifsicos en puente

71

,"
/

Diodos activados

l.

56
Vcb

12 .. 1 ..61-1---1Vab Vac

23
Vbc

..l

34
Vba

45 ..~~I
Vea

..f3 Vm
O -~3Vm
VL

o>t

~3Vm O
1t

ia "3Vm

2lt 3

1t

41t

5lt 3

21t

rot

-"3Vm R

lt 3
Figura 3-26

lt
Formas de onda y tiempos de conduccin de los diodos.

donde Vm es el voltaje de fase pico. El voltaje rms de salida es 2 f '6 Vrms = [ 21T/6 Jo'" 3 V?n cos- wt d(wt)
3 (2

] 1/2

(3-78)

+ -;-

\13)112 v, =

1.6554Vm

Si la carga es puramente resistiva, la corriente pico a travs de un diodo es 1m= {3Vm/R y el valor rms de la corriente del diodo es
Ir

[2: Jo"/6 I~, cos? wt d(wt) J = I [1. (~ + !sen 21T)] 1T 6 2 6


1/2

1/2

(3-79)

= O.5518/m
72
Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3

el valor rms de la corriente secundaria del transformador, es 1"


=

8 [ 21T

Jo"

(/6

] 1/2

I~n cos? wt d(wt)


1/2

t; [ -;

2 (1T l 21T)] 6" + '2 sen 6

(3-80)

= O.78041m
donde 1m es la corriente de lnea pico en el secundario. Ejemplo 3-15
Un rectificador trifsico en puente tiene una carga puramente resistiva de valor R. Determine (a) la eficiencia, (b) el factor de forma, (e) el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utilizacin del transformador, (e) el voltaje de pico inverso (PIV) de cada diodo y (f) la corriente pico a travs de un diodo. El rectificador entrega led 60 A a un voltaje de salida de Ved 280.7 V la frecuencia de la fuente es 60 Hz. Solucin (a) De la ecuacin (3-77), Ved = 1.654 Vm e led = 1.654Vm/R. De la ecuacin (3-78), Vnns = 1.6554 v, e/rms = 1.6554Vm/R. De la ecuacin (3-42), Ped (l.654Vm)2/R, de la ecuacin (3-43), Pea = (1.6554Vm)2/R, y de la ecuacin (3-44) la eficiencia es

11

(l.654VmJ2 (1.6554Vn,)2

9(

99.83 o

(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF 1.6554/1.654 (c) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria RF (d) De la ecuacin (3-57), el voltaje rms del secundario del 0.707Vm De la ecuacin (3-80), la corriente rms del secundario del transformador 1,

= 1.0008 = 100.08%. = " 1.0008 -1 = 0.04 = 4%.


2

transformador, es

cdVs =

0.78041m

0.7804 x

v3 ;'
r: Vm

La especificacin en volt-ampercs del transformador es VA De la ecuacin (3-49) TUF = 3 x

3V,J,

3 x 0.707Vm x 0.7804 x v s

v3 x

1.6542 = 0.9542 0.707 x 0.7804

(e) De la ecuacin (3-77), el voltaje de lnea pico a neutro es Vm 280.7/1.654 169.7 V. El voltaje de pico inverso de cada diodo es igual al valor pico del voltaje en el secundario de lnea a lnea, PIV .f3vm=.f3 x 169.7 293.9 V. (f) La corriente promedio a travs de cada diodo es

Id

= =

4
21T

Jo

(11'/6

L cos wt d(wt) = L; ;: sen

'6 = 0.3l83/m

1T

La corriente promedio a travs de cada diodo es Id es 1m 20/0.3183 62.83 A.

= 60/3 = 20 A, Ypor lo tanto la corriente pico


mayor que el rectificador

Nota. Este rectificador tiene un rendimiento considerablemente muhifase de la figura 3-24 con seis pulsos.

Sec.3-11

Rectificadores trifsicos en puente

73

3-12 RECTIFICADOR TRIFASICO EN PUENTE CON CARGA RL

Se pueden aplicar las ecuaciones que se han deducido en la seccin 3-9 para determinar la corriente de carga de un rectificador trifsico con carga RL (similar al de la figura 3-17a). De la figura 3-26 se puede notar que el voltaje de salida se convierte en
Vuh =

V2

V(/h

sen wt

para

"3 :5 wt

7T

:5

"3

27T

donde Vah es el voltaje rrns de entrada de lnea a lnea. La corriente de carga ti. se puede encontrar a partir de
L ~~

+ RiL + E

V2 V"h

sen wt

que tiene una solucin de la forma


IL

V2ZV"h sen(wt

- O)

Ale-(

ILlr

E R

(3-81)

donde la impedancia de carga Z = [R2 + (WL)2]l/2 y el ngulo de impedancia de la carga es e = tan-1(wLlR). La constante Al de la ecuacin (3-81) se puede determinar a partir de la condicin: en wt re/3, it. h.

E Al = [I1 + R

- V2ZVuh sen (7T "3 -

O) ]

eIR1L)(",/3w)

La sustitucin de A 1 en la ecuacin (3-81) da como resultado i L-

V2ZVuh sen(wt

O)

[/1 + !i _ V2ZV(/h sen (! - O)] R 3


=
O)e-1R1L)(rr/J",1

eIRILlI",I",-r)

(3-82)

En condicin de estado permanente, i_(co/ = 2re/3) h(w{ = re/3).Esto significa que h(wt = 2re/3)= 11. Aplicando esta condicin obtenemos el valor de 1) como 1 1 -

V2 Vuhsen
Z

(27T/3- e) - sen(7T/3 1 - e-(RIL)(rr/3",1

E - -

para I1

;:::

(3-83)

que, despus de sustituirse en la ecuacin (3-82) y simplificarse, nos da


IL

. = V2 V(/h Z

[(

sen wt -

Ll.) E

8) - sen(7T/3- O) + sen(27T/31 - e-(RIL)(rr/",1

e-IRILlr

para 7T/3:5 wt

:5

27T/3 e iL;::: O

(3-84)

La corriente rms del diodo se puede determinar a partir de la ecuacin (3-84) como

2 J2"'/3 Ir = [ -27T Tr/J

iL d(wt) ] 1/2
Cap. 3

74

Circuitos de diodos y rectificadores

y entonces la corriente rms de salida se puede determinar combinando las corrientes rms de cada
diodo como

La corriente promedio de cada diodo tambin se puede encontrar a partir de la ecuacin (3-84) como 1" =

-27T

2 J211/3
,,/3

ii.

d(wt)

Ejemplo 3-16

El rectificador de onda completa trifsico de la figura 3-25a tiene una carga de L 1.5 rnH, R 2.5 n y E = 10 Y. El voltaje de entrada de lnea a lnea es Vah = 208 Y, 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de carga en rgimen permanente 11 en lt 1tf3, (2) la corriente promedio del diodo Id, (3) la corriente rrns del diodo 1" (4) la comente rrns de salida lnns' (b) Utilice PSpice para graficar la corriente instantnea de salida h.,. Suponga los parmetros de diodo IS 2.22E-15, BY 1800 Y. Solucin (a) R = 2.5 n, L = 1.5 rnH, f = 60 Hz, (1) = 21t X 60 = 377 rad/s, Vah = 208 V, Z = [R2 + (I)L)2]112 = 2.56 n, y 9 = tan-1(I)LlR)= 12.74.

(1) La corriente de carga en rgimen permanente en (1)( = 1t/3, 11 = 105.85 A. (2) La integracin numrica de iL en la ecuacin (3-84) da la corriente promedio del diodo como Id = 36.27 A. Dado de que 11 > O, la corriente de carga es continua. (3) Mediante la integracin numrica de entre los lmites (1)( 1t/3 Y 21t/3, obtenemos la corriente rms del diodo, como 1, 62.71 A. (4) La corriente rms de salida Inns = DI, = D x 62.71 = 108.62 A. (b) El rectificador trifsico en puente para la simulacin PSpice aparece en la figura 3-27. La lista del archivo de circuito es como sigue:

il

Three_Phase Bridge Rectifier With RL load SIN (O 169.7V 60HZ) SIN (O 169.7V 60HZ O O 120DEG) 120DEG) SIN (O 169.7V 60HZ O O 7 L 6 1.5MH 4 6 2.5 R 7 VX 5 DC 10V Voltaje source to measure the output current VY DC OV Voltaje source to measure the input current 8 1 DI 1 4 DMOD Diode model D3 2 4 DMOD 3 4 DMOD D5 D2 5 3 DMOD 04 5 1 DMOD 06 5 2 DMOD .MODEL DMOD O (I5=2.22E-15 BV=1800V) Diode model parameters .TRAN 10U5 25M5 16.667M5 10U5 Transient analysis .PROBE Graphics postprocessor .01 vntol = 1.000m .options ITL5=O abstol = 1.000n reltol .END Example 3-16 VAN 8 O VBN 2 O O VCN 3

La graficacin PSpice de la corriente instantnea de salida que nos da 11 104.89 A.

te se muestra en la figura 3-28

Sec.3-12

Rectificador trifsico en puente con carga RL

75

iL

+ 03 05

R
VL

3
06 02

Vx

5 Figura 3-27 Rectificador trifsico en puente para la simulacin PSpice.

Example 3-16 Three-Phase Bridge Rectifier with RL load . Oate/Time run: 07/17/92 16:02:36 Temperature: 27.0

.,
10BA 104A
.

.,, . ,
"

.,
100A+-----~----~~----~-

.,

300V~----~------:~----~----~-~

@jr(VX)

::::
16ms
a

.~:
17ms 18ms 19ms
V (4,71

;
,.

2~OV+------+------~----~----~'+-----~-------~----~----~----~+
20ms 21ms 22ms 23ms 24ms 25ms Time

Figura 3-28

Graficacin PSpice para el ejemplo 3-16.

313 DISEO DE CIRCUITOS RECTIFICADORES El diseo de un rectificador significa determinar las especificaciones de los diodos semiconductores. Las especificaciones de los diodos se llenan normalmente en trminos de la corriente promedio, la corriente nns, la corriente pico y el voltaje de pico inverso. No existen procedimientos estndar para el diseo, pero es necesario determinar las formas de la corriente y del voltaje del diodo. 76
Circuitos de diodos y rectificadores Cap. 3

Le
+

v
(a)

~. [ [. [,
R

Le

C.:=
(e)

C.:r=

[.

(b)

Figura 3-29

Filtros de corriente directa.

Rectificador

Figura3-30

Filtros de corriente alterna.

En las ecuaciones (3-61), (3-63) y (3-76) hemos notado que la salida de los rectificadores contiene armnicas. Se pueden utilizar filtros para suavizar la salida de voltaje en cd del rectificador, que se conocen como filtros de cd. Los filtros de cd normalmente son de tipo L, C y LC, tal y como se muestra en la figura 3-29. Debido a la accin de rectificacin. la corriente de entrada del rectificador tambin contiene armnicas, para eliminar algunas de las armnicas del sistema de alimentacin de energa se utiliza un filtro de ca. El filtro de ca es, por lo regular, de tipo Le. tal y como se muestra en la figura 3-30. Normalmente, es necesario determinar las magnitudes y las frecuencias de las armnicas para el diseo del filtro. Mediante ejemplos se explican los pasos necesarios en el diseo de rectificadores y filtros.
Ejemplo 3-17 Un rectificador trifsico en puente alimenta una carga altamente inductiva, de tal forma que la corriente promedio de carga es lcd 60 A, el contenido de las componentes ondulatorias es despreciable. Determine las especificaciones de los diodos, si el voltaje de lnea a neutro de la alimentacin, conectada en estrella, es 120 V a 60 Hz. Solucin Las corrientes a travs de los diodos aparecen en la figura 3-31. La corriente promedio de un diodo Id = 60/3 = 20 A. La corriente rms es

Ir

= [-21 J" 71' ,,13

Hdd(wt)]1/2

,le;
V

34.64 A

El voltaje de pico inverso, PIV = >13' Vm = >13 X

n X 120 = 294 V.

Nota. El factor de >12' se utiliza para convertir el valor de rrns a valor pico.
Ejemplo 318 La corriente a travs de un diodo aparece en la figura 3-32. Determine (a) la corriente rms y (b) la corriente promedio del diodo, si 11 = lOO S, 12 350 S, 13 = 500 S, f = 250 Hz, i, 5 kHz. Im=450Aela 150A.

Sec.3-13

Diseo de circuitos rectificadores

77

~---

o~_.__I __
"3
n

-...&...I_---+-_--+
2"

~=~

wI

,.---:--,
'el)

"3

'!

4"

511

O~----~----~------+-----~----------------.wl . I I I I
I I , I
IcM l'

"3

"3

2"

'O~--:---:---I : I ~----~----~------~-----+I------~'----------~ I __ I ~ __ ..1. ..... ,....- __ ,.-_--,

,.1-----.,:
id5

O ~----+-----_+-------------L------..__I----...L..--.
I I

1:

wt

O~---....L....----___rl------------------'------...L..--. wl

O~-----------L------------------------~--_wt
Figura 3-31 Solucin Corriente a travs de los diodos. (a) El valor rrns se define como I =

~------'l

iete

[~J~Ia; senw,t)2
(/;1

dt + ~

J:;' I~dtr2

(3-85)

=
donde ws= 2rcfs

+ 1;2)1/2
100 ms, yT= l/f.

= 31,415.93 rad/s, ti = rc/ws=


Irl

= [ T Jo

1 (11
(1m

senwst)2 dt

1/2

1m

r; V2'

(3-86)

= 50.31 A

y
(3-87) = 29.05 A

Figura 3-32

Forma de onda de corriente

78

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

Sustituyendo

las ecuaciones

(3-86) y (3-87) en la ecuacin (3-85), el valor rms es

/~Jtl 2 ] 1/2 [-2- + 1,J(tl - t2) (3-88)

= (50.312 + 29.052)1/2 = 58.09 A


(b) La corriente promedio se encuentra a partir de

Id =

[~to: sen oi.r) dt


+ Id2
1 JI, = -T
o

+~

J:,' la dt]

= IJI

donde Idl
(1m sen w., t) dt

1m! = ---;
7TJs

(3-89) (3-90)

Por lo tanto, la corriente promedio se convierte en Icd Ejemplo 3-19 El rectificador monofsico en puente est alimentado de una fuente a 12 V, 60 Hz. La resistencia de carga es R = 500 n. Calcule el valor de un inductor en serie que limitar la corriente rrns de componente ondulatoria 1"" a menos del 5% de I~d. Solucin La impedancia de carga

1m! + 1,J(t) - t2) = 7.16 + 5.63


7TJs

12.79 A

Z
y

=R

+ j(nwL)

YR2 + (nwL)2 ~
nwL

(3-91)

(J n y la corriente instantnea es h(t) = Icd donde 1ed

tan"! --

(3-92)

7TYR2 + (nwL)2

4Vm

[-31 cos(2wt - (J2) + 115 cos(4wt - (J4)... ]

(3-93)

Ved

2Vm

7TR

La ecuacin (3-93) da el valor rrns de la corriente de componente ondulatoria como

Considerando nicamente la armnica de orden ms bajo (n 1 ca -

Y27T YR2 + (2wL)2

4Vm

= 2), tenemos (1)


'3
79

Sec.3-13

Diseo de circuitos rectificadores

Usando el valor de led Y despus de simplificar, el factor de componente ondulatoria es RF

= lea =
led

VI +

0.4714
(2wLlR)2

005
.

Para R = 500 Q Y f = 60 Hz, el valor de inductancia se obtiene como 0.47142 = 0.052 [1 + (4 x 60 x nL/5002)] y esto da un valor de L = 6.22 H. De la ecuacin (3-93) podemos notar que una inductancia en la carga ofrece una alta impedancia para las corrientes armnicas y acta como filtro para reducirlas. Sin embargo, esta inductancia introduce un retraso de la corriente de carga con respecto al voltaje de entrada; en el caso de un rectificador de media onda monofsico, se requiere de un diodo de marcha libre para permitir una trayectoria para esta corriente inductiva. Ejemplo 3-20 Un rectificador monofsico en puente es alimentado a partir de una fuente de 120 V 60 Hz. La resistencia de la carga es R 500 Q. (a) Disee un filtro C, de tal forma que el factor de componente ondulatoria del voltaje de salida sea menor de 5%. (b) Con el valor del capacitor C de la parte (a), calcule el voltaje promedio de la carga VcdSolucin Cuando el voltaje instantneo Vs de la figura 3-33 es ms alto que el voltaje instantneo del capacitor Ve, los diodos (DI y D2 O D3 Y D4) conducen; entonces el capacitor se carga de la alimentacin. Si el voltaje instantneo de alimentacin Vs baja por debajo del voltaje instantneo del capacitor Ve, los diodos (DI y D2 O D3 y D4) tienen polarizacin negativa y el capacitor Ce descarga a travs de la resistencia de carga R. El voltaje del capacitor Ve vara entre un mnimo Ve(mn) y un mximo Ve(mx)' Esto se muestra en la figura 3-33b. Supongamos que tI es el tiempo de carga y que t2 es el tiempo de descarga del capacitor Ce. El circuito equivalente durante la carga se muestra en la figura 3-33c. El capacitor se carga prcticamente en forma instantnea al voltaje de alimentacin vs. El capacitor Ce ser cargado al voltaje pico de alimentacin Vm, de tal forma que ve(t = tI) Vm' En la figura 3-33d se muestra el circuito equivalente durante la descarga. El capacitor se descarga en forma exponencial a travs deR.

~e

J te dt + vc(t == O) + Ri

=O

que, con la condicin inicial de ve(t

= O) = Vm, da la corriente de descarga


VL durante

como

El voltaje de salida (o del capacitor) tir de


VL(t)

el perodo de descarga se puede determinar a parVme-tIRC, Vr(pp)

RiL

=
t2)

El voltaje de componente ondulatoria de pico a pico


Vr(PP)

se puede encontrar a partir de

VL(t

ti) -

VL(t

Vm -

Vme-t:IRC,

Vm(l

e-t:IRC,,)

(3-94)

dado que

e-x",

1 - x, la ecuacin (3-94) se puede simplificar a


Vr(PP)

Vm ( 1

- 1 + RCe
Ved

t2)

Vn.t2

RCe

= 2fRCe
Vm

v,

Por lo tanto, el voltaje promedio de carga


Ved

est dado por

= V'"

Vr(PP)

=
V", -

4jRCe

(3-95)

80

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

+
Vs

Vs Vm Ce

Vl

wt

(a) Modelo de circuito

Vl

,
1, 1 , I ' I : I I

--.,
,
,

"\

,1
I

1:

11:
I I I I

1 I I

Ll--~~
t11 t2

37t

wt

I t:
I

..J._.l -~
2
I

k_':'-/- _

__::~",,"""';"'___""::""'::::---I:__...::::!Io .....:--_~ __ ~_.V rlpp)

lb) Formas de onda para el rectificador de onda completa

: R

.. lt
e) Carga (d) Descarga

Figura 3-33

Rectificador puente monofsico con filtro C. se puede encontrar

Por 10 tanto, el voltaje de componente ondulatoria de salida en valor rms en forma aproximada a partir de

Vea

y el factor de componente ondulatoria RF se puede determinar a partir de

V2 (4fRC,
Sec.3-13 Diseo de circuitos rectificadores

- 1)

(3-96)

81

que se puede resolver para Ce:

C'4jR_1 (1+ _1_) V2 RF


=

= 4
X

60

1
X

500

(1+ V2 10.05 )
X

126.2 ..tF

(b) De la ecuacin (3-95), el voltaje promedio de la carga Ved es Ved = 169.7 - 4


X

60

169.7 500 X 126.2

10

169.7 - 11.21

158.49 V

Ejemplo 3-21
Un filtro LC tal y como se muestra en la figura 3-29c se utiliza para reducir el contenido de componente ondulatoria del voltaje de salida para un rectificador monofsico de onda completa. La resistencia de carga es R = 40 n, la inductancia de carga es L = 10 mH y la frecuencia de la fuente es 60 Hz (es decir 377 rad/s), (a) Determine los valores Le Y Ce de tal manera que el factor de componente ondulatoria de voltaje de salida sea 10%. (b) Utilice PSpice para calcular las componentes de Fourier del voltaje de la corriente de salida VL. Suponga parmetros de diodo IS = IE-25, BV = 1000 V. Solucin (a) El circuito equivalente para las armnicas aparece en la figura 3-34. Para facilitar el paso de la corriente de componente ondulatoria de la armnica de rango n a travs del capacitor del filtro, la impedancia de la carga debe ser mucho mayor que la del capacitor. Esto es,
YR2

(nwL)2

_1_

nwC,

Esta condicin generalmente queda satisfecha mediante la relacin

y R2 +

(nwL)2

= __!Q_
nwC,

(3-97)

y bajo esta condicin, el efecto de la carga ser despreciable. El valor rms de la componente armnica de rango n, que aparecer en la salida, se puede encontrar utilizando la regla del divisor de voltaje, y se expresa como Von =- (nwL,) -1I(nwCe)

-1/(nwCe)

I =I
VII V~n

-1

(nw)2LeCe -

I VII

(3-98)

La cantidad total de voltaje de componente ondulatoria debida a todas las armnicas es Vea

=( L

oc

1/2

(3-99)

n=2.4.6 ...

Para un valor especificado de Vea Y con el valor de Ce correspondiente de la ecuacin (3-97), se puede calcular el valor de Le. Podemos simplificar el clculo considerando slo la armnica dominante. De la ecuacin (3-63) encontramos que la segunda armnica es la dominante y su valor rms es V2 = 4Vm/(3{2n) y el valor de cd, Ved = 2 Vm/n.

R Xc. _1_ nwC. C. L.

Figura 334 armnicas.

Circuito equivalente para

82

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap.3

Para n

= 2, las ecuaciones

(3-98) y (3-99) dan

Vea

= Vo2 = I(2W)2e~,_1IV2
+ (2wL)2 =-10 10

El valor del capacitor Ce se calcula a partir de


VR2 2wC,

o bien C =
= 326
.t

'47TfVR2+(47TfL)2

A partir de la ecuacin (3-47), el factor de componente ondulatoria se define como RF - Vea _ Vo2 _ J:. 1 _ - Ved - Ved - Vdc (47Tf)2LeCe - 1 O

V21 1 3 [(47Tf)2L,C,

- 1]

=O 1

bien, (41tf)2L.ce - 1 4.714 Y Le 30.83 rnH. (b) El rectificador monofsico en puente para la simulacin PSpice aparece en la figura 3-35. La lista del archivo del circuito es como sigue:
Single-Phase Bridge Rectlfler with Le Filter SIN (O 169.7V 60HZ) 30.83MH 326UF Used to converge the solution 80M 10MH 40 Voltaje source to measure the output current DC OV Voltaje source to measure the input current DC OV ; Diode Models DMOD DMOD DMOD DMOD ; Diode model parameters D (IS=2.22E-15 Transient analysis 50MS 33MS V (6,5) Fourier analysis of output voltaje reltol .01 vntol = 1.000m abstol = 1.000n

Example 3-21 1 o ~S 3 8 LE 7 e 7 Rx 8 L 5 6 7 5 R VX 6 Vy 1 2 2 3 DI 4 o D2 o 3 D3 4 2 D4 DMOD .MODEL .TRAN IOUS .FOUR 120HZ .options ITL5=0 .END

3261lF

Figura 3-35

Puente rectificador monofsico para la simulacin PSpice.

Sec.3-13

Diseo de circuitos rectificadores

83

Los resultados

de la simulacin

PSpice para el voltaje de salida V(6,5) son como sigue:

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE V (6,5) OC COMPONENT = 1.140973E+02 HARMONIC FREQUENCY FOlJRIER NOHMALIZED COMPONENT (HZ) NO COMPONENT 1.200E+02 1.304E+Ol 1.OOOE+OO 1 2.400E+02 2 6.496E-Ol 4.981E-02 3.600E+02 2.277E-Ol 1.746E-02 3 4.800E+02 1.566E-Ol 4 1.20IE-02 5 6.000E+02 1.274E-Ol 9.767E-03 7.200E+02 1.020E-OI 7.822E-03 6 7 8.400E+02 8.272E-02 6.J4JE-OJ 8 9.600E+02 6.982E-02 5.354E-03 4.612E-03 1.080E+03 6.01SE-02 9 S.636070E+OO PERCENT TOTAL HARMONIC DISTORTION

PHASE (DEG) 1.038E+02 1.236E+02 9.226E+Ol 4.875E+OI 2.232E+OI 8.358E+OO 1.997E+OO -1.061E+OO -3.436E+OO

NORMALIZED PHASE (DEG) O.OOOE+OO 1.988E+Ol -1.150E+OI -5.50IE+OI -8.144E+Ol -9.540E+OI -1.018E+02 -1.048E+02 -1.072E+02

lo que verifica el diseo. Ejemplo 322 Un filtro de entrada Le, tal y como aparece en la figura 330, se utiliza para reducir las armnicas de corriente de entrada de un rectificador de onda completa monofsico de la figura 3-20a. La corriente de carga est libre de componentes ondulatorias y su valor promedio es la. Si la frecuencia de alimentacin es J:= 60 Hz (o 377 rad/s), determine la frecuencia de resonancia del filtro, de tal forma que la corriente armnica total de entrada quede reducida al 1% de la componente fundamental. Solucin El circuito equivalente a la componente armnica de orden n aparece en la figura 3-36. El valor rrns de la corriente armnica de orden n que aparece en la alimentacin se obtiene utilizando la regla de divisor de corriente 1,,,

1/(nwC,) (nwL) - lI(nwC;)

I I
1/2

I 1" = (nw)2LC - I 1"

(3-100)

donde 1/1 es el valor rms de la corriente armnica de orden n. La cantidad total de corriente armnica en la lnea de alimentacin es

h=

n=2.J ..

I~,,)

"

y el factor armnico de corriente de entrada (con el filtro instalado) es


r=-

t,

111

" (1) [ I
"=2.3....

..2!!. 1

2 ] 1/2

(3-101 )

L,

Xc'" -Le. e, nw ,
Figura 336 armnica. Circuito equivalente para corriente

84

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

De la ecuacin (3-64),14 4Ia/..f21t (3-100) y (3-101) obtenemos


,2 =
n=3~7 ...

el"

= 4Ia/("2
=

n1t) para n

= 3, 5, 7, ... De las ecuaciones


-

(/;;'f

11_3~.ln2[(nw)2LC;

IPI

/1

(3-102)

Esto se puede resolver para el valor de LICj. Para simplificar los clculos, si consideramos nicamente la tercera armnica, 3[(3 x 2 x 1t X 60)2 LICj - 1] 1/0.01 100, o bien, LICj 26.84 X 10-6 Y la frecuencia del filtro es IN LjCj = 193.02 rad/s, o sea 30.72 Hz. Suponiendo que C sea = 1500 !lF, obtenemos que Lj 17.893 mH.

Nota. El filtro de corriente alterna se sintoniza por lo general con la frecuencia armnica involucrada, pero requiere de un diseo cuidadoso, para evitar cualquier posibilidad de resonancia con el sistema de energa. La frecuencia de resonancia de la corriente de tercera armnica es 377 x 3 = 1131 rad/s. 3-14 VOLTAJE DE SALIDA CON FILTRO Le El circuito equivalente de un rectificador de onda completa con un filtro LC aparece en la figura 3-37a. Suponga que el valor de Ce es muy grande, de tal forma que su voltaje est libre de componentes ondulatorias con un valor medio de VO(ed). Le es la inductancia total, incluyendo la inductancia de fuente o de lnea, y se coloca generalmente del lado de la entrada, para que acte como una inductancia de corriente alterna ms que un filtro de corriente directa: Si Vedes menor que V m, la corriente i empezar a fluir en el ngulo e, que est dado por
Ved = VIII

sena
= sen-Ix

queda a = sen'
Ved m

Vm

Vcd

1--:1----4-~I:..--1_-_+-

rot

o
Figura 3-37

rot

(b) Circuito equivalente

Voltaje de salida con filtro Le.

Sec.3-14

Voltaje de salida con filtro

Le

85

donde x

= VcJV m. La corriente de salida h est dada por


Le

dt =

di

v'n sen wt -

Ved

que se puede resolver en funcin de IL

1 = -L
e

Jw'
"

(Vm sen wt - Ved) d(wt)

= -v,

t;

(COS

ex -

COS

wt ) - - Ved ( wl - ex)

t;

para' wt

2:

ex

(3-103)

El valor de rol = ~ en el cual la corriente h baja hasta cero se puede encontrar a partir de la condicin it: (rol = ~). cos (3

+ x{3

cos ex

+ xex

(3-104)

La ecuacin (3-104) se puede resolver en funcin de ~ mediante iteracin. Una vez que se conocen los valores de ex. y de ~, a partir de la ecuacin (3-103), se puede determinar la corriente promedio de carga led. Para Ved = O,la corriente pico que puede tluir a travs del rectificador es Ipk = V",/wLe. Normalizando led con respecto a Ipk obtenemos
Icd = wLe/ed
lpk

v,

= 2.

27T"

r v,
ex.

wLe li. d(wt)

(3-105)

TABLA 3-1

CORRIENTEDE CARGA NORMALIZADA Irms/lpk

p
(grados) 180 150.62 139.74 131.88 125.79 120.48 116.21 112.24 108.83 105.99 103.25 100.87 98.87 97.04 95.43 94.09 92.88 91.71 90.91 90.56 90.00

(%)

(%)
36.34 30.29 25.50 21.50 18.09 15.15 12.62 10.42 8.53 6.89 5.48 4.28 3.27 2.42 1.72 1.16 0.72 0.39 0.17
0.()4

(grados)

o
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50

55 60
65 70 75 80 85 90 95 100

47.62 42.03 37.06 32.58 28.52 24.83 21.48 18.43 15.67 13.17 10.91 8.89 7.10 5.51 4.13 2.95 1.96 1.17 0.56 0.16 O

o
2.97 5.74 8.63 11.54 14.48 17.46 20.49 23.58 26.74 30.00 33.37 36.87 40.54 44.43 48.59 53.13 58.21 64.16 71.81 90.00

86

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

Normalizando Irms con respecto a lpk obtenemos


Ipk

i.; _ wLe1rms v'n

_ -

[2
-

27T a

Jil

(wLe . --IL

v,

)2 d( wt )]112

(3-106)

Dado que exy ~ dependen de la relacin de voltaje x, las ecuaciones (3-105) y (3-106) tambin dependen nicamente de x. La tabla 3-1 muestra los valores de las relaciones lcJ/pk y de IrmJlpk en funcin de la relacin de voltaje x. Ejemplo 3-23 *
El voltaje nns de entrada al circuito de la figura 3-37a es 120 V, 60 Hz. (a) Si el voltaje de salida en corriente directa es Ved= 100 Valed = 10 A, determine los valores de la inductancia Le, <X, ~, e Irrns. (b) Si led = 5 A Y Le = 6.5 rnH, utilice la tabla 3-1 para determinar los valores de Ved,<X, ~, e Irms' Solucin (J)=21tx60=377rad/s, Vs= 120 V, Vm=.,[2x 120= 169.7V. (a) La relacin de voltaje x = Ved/Vm esto es = 100/169.7 = 58.93%; ex. = sen-1 (x) = 36.1. Resolviendo la ecuacin (3-104) en funcin de ~, obtenemos un valor de ~ = 99.35. La ecuacin (3-105) da la relacin de corriente leJ/pk = 3.464%. De ah Ipk leJO.03464 = 288.67 A. El valor requerido de inductancia es

Le

(wl:d

169.7 = 377 X 288.67 = 1.56

mH

La ecuacin (3-106) da la relacin de corriente Irrns/lpk 7.466%. De ah Inns = 0.07466 X Ipk 0.07466 x 288.67 21.55 A. (b) Le = 6.5 rnH,/pk = Vm/(J)Le) = 169.7/(377 x 6.5 rnH) = 69.25 A.

=
-

led 5 Ipk = 69.25

7.22%

Utilizando la interpolacin lineal, obtenemos


X

= =

+
XII

(XII + 1

xn)(y
1 -

Yn+

- YII) Yn
=

40

(45 - 40)(7.22 - 8.53) 6.89 - 8.53

43 99~ . o

Ved = xVm = 0.4399 x 169.7


a

74.66 V

=
=

all

(an+1 - an)(y

- Yn)

2358

(26.74 - 23.58)(7.22 - 8.53) 6.89 - 8.53


1 -

26 10 .

{3 = {3n

({3n+

{3n)(Y - Yn) Yn+1 - Yn

=
Z

0883 1 .

005.99 - 108.83)(7.22 - 8.53) 6.89 - 8.53

10656 .

= =

[rms = ZII
lpk

(ZII+

1 -

Zn)(Y - y,} YII+1 - YII

1567

(13.17 - 15.67)(7.22 - 8.53) 6.89 - 8.53

13 67~ . o

Por 10tanto,/rms = 0.1367 x lpk = 0,1367 x 69.25 = 9.47 A.

Sec.3-14

Voltaje de salida con filtro

Le

87

3-15 EFECTOS DE LAS INDUCTANCIAS

DE LA FUENTE Y DE LA CARGA

En las deducciones de los voltajes de salida y de los criterios de rendimiento de los rectificadores, se supuso que la fuente no tena ni inductancias ni resistencias. Pero en un transformador y en una alimentacin real, stas estn siempre presentes por lo que los rendimientos de los rectificadores se modifican ligeramente. El efecto de la inductancia de la fuente, que es ms significativa que la de la resistencia, se puede explicar haciendo referencia a la figura 3-38. El diodo con el voltaje ms positivo conducir. Consideremos el punto (l)t = 1t donde los voltajes Vac y Vbc son iguales, tal y como se muestra en la figura 3-38. La corriente Icd sigue todava fluyendo a travs del diodo DI. Debido a la inductancia LI, la corriente no puede bajar a cero de inmediato, y la transferencia de corriente no puede ser instantnea. La corriente idl se reduce, resultando en un voltaje inducido a travs de L, de valor +VL1, y el voltaje de salida se convierte en VL = Vea + VL. Al mismo tiempo, la corriente a travs de D3, iss aumenta desde cero, induciendo un voltaje igual a travs de L2, de valor -VL2, el voltaje de salida se convierte en VL = Vbc -VL2. El resultado es que los voltajes de nodo de los diodos DI y D3 son iguales; y ambos diodos conducen durante un cierto perodo, que se conoce como ngulo f..l de conmutacin (o de superposicin). Esta transferencia de corriente de un diodo al otro se conoce como conmutacin. La reactancia correspondiente a la inductancia se conoce como reactancia de conmutacin.
L3
C

03
i03

05
id5

06

D7

(a) Diagrama de circuito v

v""

- - - - - -

~r
J

os

I id1

id3

I I I

ios wt

" 3

2"

3'

" t-;1

4..

5..

A,

3'

3'

2..

lb) Formas de onda

Figura 3-38 88

Rectificador puente trifsico, con inductancias de fuente. Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

un cierto perodo, que se conoce como ngulo 11de conmutacin (o de superposicin). Esta trans-

ferencia de corriente de un diodo al otro se conoce como conmutacin. La reactancia correspondiente a la inductancia se conoce como reactancia de conmutacin. El efecto de esta superposicin es reducir el voltaje promedio de salida de los convertidores. El voltaje a travs de L2 es
UL2 = L2 dt

di

(3-107)

Suponiendo una elevacin lineal de corriente i desde O hasta Icd (o una constante di/di podemos escribir la ecuacin (3-107) como
UL2 t:.t

= t:.i./t:.I),
(3-108)

L2 t:.i

esto se repite seis veces en el caso de un puente rectificador trifsico. Utilizando la ecuacin (3-108), la reduccin promedio de voltaje debida a las inductanciasde conmutacin es

Vx ==

1 T 2(ULI + UL2 + UU)

t:.t == 2f(L1

+ L2 + L3)

/).1

. (3-109)

Si todas las inductancias son iguales, y Le es = L, V,

= L2 = L3,
=
6f L,./cd

la ecuacin (3-109) se convierte en (3-110)

donde f es la frecuencia de alimentacin en hcrtz.


Ejemplo 3-24 Un puente rectificador trifsico es alimentado a partir de una fuente conectada en estrella de 208V 60Hz. La corriente promedio de carga es de 60 A Y tiene una componente ondulatoria despreciable. Calcule la reduccin porcentual del voltaje de salida debida a la conmutacin si la inductancia de lnea por fase es 0.5 mH. Solucin Le 0.5 mH, Vs 20SN3 l20V, f 60 Hz, lcd 60 A Y Vm {2 X 120 169.7 V. De la ecuacin (3-77), Ved = 1.654 X 169.7 = 280.7 V. La ecuacin (3-110) da la reduccin de voltaje de salida,

Vx = 6

60 x 0.5

10-3

60 = 10.8 V

o,

100 10.8 x 280.7

3.85%

y el voltaje de salida efectivo es (280.7 - 10.8) = 266.9 V.


~Jemplo 3-25 Los diodos de un rectificador de onda completa monofsico de la figura 3-19a tienen un tiempo de recuperacin inverso t., = 50 ms y el voltaje rms de entrada es Vs = 120 V. Determine el efecto del tiempo de recuperacin inversa sobre el vohjc promedio de salida si la frecuencia de la alimentacin es (a) fs = 2 kHz, y (b) fs = 60 Hz. Solucin El tiempo de recuperacin inversa debera afectar el voltaje de salida del rectificador. En el rectificador de onda completa de la figura 3-19a, el diodo DI no estar desactivado en wt = n; ms bien, seguir conduciendo hasta que t = x/ro + t.; Como resultado del tiempo de recuperacin inversa, el voltaje promedio de salida se reducir y la forma del voltaje de salida aparece como se muestra en la figura 3-39.

Sec.3-14

Voltaje de salida con filtros

Le

89

Figura 3-39

Efecto del tiempo de recuperacin inversa sobre el voltaje de salida.

Si el voltaje de entrada es

v::;

Vm scnox ::; ..J2Vs senox,


2Vm =T

la reduccin promedio de salida es


[

2 JI" V sen wt dt V rr = To m

---cosw wt]I" O

(3-111)

=-(1-coswtrr
1T Vm =

v,

)
V2
X

V2

Vs =

120 = 169.7 V

0.6366V

Sin tiempo de recuperacin inversa, la ecuacin (3-62) da el voltaje promedio de salida Ved = m::; 108.03 V. (a) Para t.; = 50 us y fs 2000 Hz, la reduccin del voltaje promedio de salida es

Vrr = Vm (l - cos 21TI,trr) 1T

0.061 Vm

10.3 V

or

9.51% of Vdc

(b) Para t.; = 50 J.lsy fs = 60 Hz, la reduccin del voltaje de salida de corriente directa es Vrr

Vm (1 - cos 21Tfstrr) 1T
X

5.65

10-5 Vm

= 9.6

10-3 V

8.88 x 10-3% of Vdc

Nota. El efecto de 1" es significativo para una fuente de alta frecuencia, en el caso de una fuente normal de 60 Hz, este efecto se puede considerar despreciable.

RESUMEN En este captulo hemos visto las aplicaciones de los diodos semiconductores de potencia en accin de marcha libre, recuperando energa a partir de cargas inductivas yen la conversin de seales de corriente alterna a corriente directa, Existen tipos distintos de rectificadores, dependiendo de las conexiones de los diodos y del transformador de entrada. Se definieron los parmetros de rendimiento de los rectificadores y se mostr que los rendimientos de los rectificadores varan segn sus tipos. Los rectificadores generan armnicas en la carga y en la lnea de alimentacin, estas armnicas se pueden reducir mediante filtros. Los rcndirnietos de los rectificadores tambin son influidos por las inductancias de fuente y de carga.

90

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

REFERENCIAS 1. J. Schaefer, Rectifier Circuits: Theory and Design. Nueva York: John Wilcy & Sons, Inc., 1975. 2. R. W. Lee, Power Con verter Handbook: Theory, Design, and Application. Pctcrborough, Ont.: Canadian General Electric, 1979. 3. M. H. Rashid, SPICE for Power Eleetronics and Electric Power. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice Hall, 1993.

PREGUNTAS DE REPASO
3-1. Cul es la constante de tiempo en un circuito RL? 3-2. Cul es la constante de tiempo en un circuito RC? 3-3. Cul es la frecuencia de resonancia en un circuito LC? 3-4. Qu es el factor de amortiguacin en un circuitoRLC? 3-5. Cul es la diferencia entre frecuencia de resonancia y frecuencia de amortiguacin de un circuitoRLC? 3-6. Qu es un diodo de marcha libre y cul es su uso? 3-7. Qu es la energa atrapada en un inductor'! 3-8. Cmo se puede recuperar la energa atrapada, mediante un diodo? 3-9. Qu es relacin de vueltas en un transformador? 3-10. Qu es un rectificador? Cul es la diferencia entre un rectificador y un convertidor? 3-11. Qu es la condicin de bloqueo de un diodo? 3-12. Cules son los parmetros de rendimiento de un rectificador? 3-13. Cul es el significado del factor de forma de un rectificador? 3-14. Cul es el significado del factor de componente ondulatoria de un rect ificador? 3-15. Qu es la eficiencia de la rectificacin? 3-16. Cul es el significado del factor de utilizacin del transformador? 3-17. Qu es el factor de desfase? 3-1M. Qu es el factor de potencia de entrada? 3-19. Qu es el factor de armnicas? 3-20. Cul es la diferencia entre un rectificador de media onda y uno de onda completa? 3-21. Cul es el voltaje de salida en cd de un rectificador monofsico de media onda? 3-22. Cul es el voltaje de salida en cd de un rectificador de onda completa monofsico? 3-23. Qu es la frecuencia fundamental del voltaje de salida de un rectificador monofsico de onda completa? 3.24. Cules son las ventajas de un rectificador trifsico sobre uno monofsico? 3-25. Cu,les son las desventajas de un rectificador multifase de media onda? 3-26. Cules son las ventajas de un puente rectificador trifsico sobre un rectificador en estrella de seis fases? 3-27. Cules son los objetivos de los filtros en los circuitos de rectificacin? 3-2M. Cules son las diferencias entre los filtros de ca y los de cd? 3-29. Cules son los efectos de las inductancias de la fuente sobre el voltaje de salida de un rectificador? 3-30. ,Cules son los efectos de las inductancias de carga sobre la salida de un rectificador 3.31. Qu es la conmutacin de diodos? 3.32. Qu es el ngulo de conmutacin de un rectificador?

PROBLEMAS
3-1. En la figura P3-1 aparecen las formas de onda de corriente de un capacitor. Determine las espccificaciones promedio, rms y pico de este capacitor.

Problemas
.' "::";~"'r!:'''~",' _

91

i,A 500

1, = 100"S
12= 300,,5 13- 500,,5

f = 250Hz

Or-----~--------~--------~~----~--12

-200

Figura P31 3-2. Las formas de onda de la corriente que fluye a travs de un diodo aparecen en la figura P3-2.
i,A 300----

Determine las especificaciones de corriente promedio, rrns y pico del diodo.

t,

100,,5,12 200"s, 13= 400,,5, l. 8001'5,Is - 1ms f - 200Hz

= =

0L_------I,------~t2------~13------~tL.------~----~~1----.

T. T

Figura 1'3-2 3-3. Un circuito de diodo se muestra en la figura P33 con R = 22 n y e 10 j.lF. Si el interruptor SI se cierra en t O,determine la expresin para el voltaje a travs del capacitor y la energa perdida en el circuito.

35. Si el inductor del circuito de la figura 3-4 tiene


una corriente inicial de lo, determine la expresin para el voltaje a travs del capacitor. 36. Si el interruptor 51 de la figura P3-6 se cierra en I O, determine la expresin para (a) la corriente que fluye a travs del interruptor (I) y (b) la velocidad de elevacin de la corriente di/di. (e) Dibuje esbozos de i(t) y de ditdt. (d) Cul es el valor de di/di inicial? Para la figura P3-6 encuentre slo aitdi inicial.

Figura 1'3-3 3-4. Un circuito de diodo aparece en la figura P3-4 con R = 10 n, L = 5 mH y Vs = 220 V. Si fluye una corriente de carga de lOA a travs del di 0do de marcha libre Dm y el interruptor SI se cierra en t 0, determine la expresin de la corriente i a travs del interruptor.

37.

El circuito de segundo orden de la figura 3-6 tiene un voltaje de fuente Vs 220V, una inductancia L 5 mH, una capacitancia = 10 j.lF Y una resistencia R 22 n. El voltaje inicial del capacitor es Vo 50 V. Si el interruptor se cierra en t 0, determine (a) una expresin para el valor de la corriente y (b) el tiempo de conduccin del diodo. (e) Dibuje un esbozo de i(t).

38.

}92

S,
Om

!10A

Figura P34

Para el circuito de recuperacin de energa de la figura 3-12a, la inductancia rnagnetizante del transformador es Lm 150 j.lH, NI 10 Y N2 = 200. Las inductancias de fuga y las resistencias del transformador son despreciables. El voltaje de fuente es Vs 200 V Y en el circuito no existe corriente inicial. Si durante un tiempo 11 100 us se cierra el interruptor SI y a continua-

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap,3

v,
o

~.
(b)

___.,
+

5,

lO
(e)

V.

(a)

(e)

+l~~l .
_ e

T-

'~lvs
_

R .. O.5Q

VO

~----------------~~--~
el voltaje promedio-de salida del rectificador si las inductancias de fuente son despreciables. Repita el problema 3-13 si la induetancia de fuente por fase (incluyendo la inductancia de fuga del transformador es) Le = 0.5 rnH. El puente rectificador monofsico de la figura 3-19a se necesita para alimentar un voltaje promedio de Ved = 400 V a una carga resistiva R = Ion. Determine las especificaciones del voltaje y de corriente de los diodos y del transformador. Se requiere de un puente rectificador trifsico para alimentar un voltaje promedio de Ved = 750 V en una corriente libre de componente undulatoria de led 9000 A. El primario y el secundario del transformador estn conectados en estrella. Determine las especificaciones de voltaje y de corriente para los diodos y el transformador. El rectificador monofsico de la figura 3-18a tiene una carga RL. Si el voltaje pico de entrada es Vm = 170 V, la frecuencia de entrada f = 60 Hz, y la resistencia de carga R 15 n, determine la inductancia de carga L para limitar la armnica de corriente de carga a un 4% del valor promedio led. El rectificador trifsico estrella de la figura 3-24a tiene una carga RL. Si el voltaje pico en el secundario por fase es Vm = 170 V a 60 Hz y la resistencia de carga es R 15 n, determine la inductancia

(d)

Figura 1>3-6

cin se abre, (a) determine el voltaje inverso del


diodo DI, (b) calcule la corriente pico del primario, (e) calcule la corriente pico del secundario, (d) determine el tiempo durante el cual el diodo DI conduce y (e) determine la energa proporcionada por la fuente. Un puente rectificador monofsico tiene una carga puramente resistiva R = 10 n, el voltaje pico de alimentacin Vm = 170 V Y la frecuencia de alimentacin f = 60 Hz. Determine el voltaje promedio de salida del rectificador, si la inductancia de la fuente es despreciable. Repita el problema 3-9 si la inductancia de la fuente por fase (incluyendo la inductancia de fuga del transformador) es Le = 0.5 mH. Un rectificador de seis fases en estrella tiene una carga puramente resistiva R = 10 n, un voltaje pico de alimentacin Vm = 170 V Y la frecuencia de alimentacin f = 60 Hz. Determine el voltaje promedio de salida del rectificador, si la inductancia de fuente es despreciable. Repita el problema 3-11 si la inductancia de fuente por fase (incluyendo la inductancia de fuga del transformador) es Le = 0.5 mH. Un puente rectificador trifsico tiene una carga puramente resistiva R = lOO n y est alimentado a partir de una fuente de 280- V 60-Hz. El primario y el secundario del transformador de entrada estn conectados en estrella. Determine 3-14.

3-15.

3-9.

3-16.

3-10.

3-11.

3-17.

3-12.

3-13.

3-18.

Problemas

93

de carga L para limitar las armnicas de corriente de la carga a 2% del valor promedio ledo

Irmg (b) Si Icd = 15 A Y L. = 6.5 mH, utilice la tabla 3-1 para calcular los valores de Ved, a, e Inn s325. El rectificador monofsico de la figura 3-18a tiene una carga resistiva R, y un capacitor C est conectado a travs de la carga. La corriente promedio de carga es led. Suponiendo que el tiempo de carga del capacitor es despreciable en comparacin con el de descarga, determine las armnicas del voltaje rms de salida, Vea. 3-26. El filtro LC que se muestra en la figura 3-29c es utilizado para reducir el contenido de componente ondulatoria del voltaje de salida en un rectificador estrella de seis fases. La resistencia de carga es R = 20 n, la inductancia de carga es L = 5 mH, Y la frecuencia de la fuente es 60 Hz. Determine los parmetros del filtro L. y C., de tal manera que el factor de componente ondulatoria del voltaje de salida sea 5%. 3-27. El puente rectificador trifsico de la figura 3-25a tiene una carga RL y es alimentado a partir de una fuente conectada en estrella. (a) Use el mtodo de las series de Fourier para obtener expresiones para el voltaje de salida VL(t) Y de la corriente de carga LU). (b) Si el voltaje pico de fase es Vm 170 V a 60 Hz y la resistencia de carga es R 200 n, determine la inductancia de carga L para limitar la corriente de componente ondulatoria a 2% del valor promedio led. 3-28. El rectificador monofsico de media onda de la figura 3-16a tiene un diodo de marcha libre y una corriente promedio de carga, libre de componente ondulatoria, la. (a) Dibuje las formas de onda para las corrientes en DI, Dm, y el primario del transformador, (b) exprese la corriente del primario en series de Fourier y (e) determine el factor de potencia de entrada PF y el factor armnico HF de la corriente de entrada del rectificador. Suponga una relacin de vueltas del transformador igual a la unidad. 3-29. El rectificador monofsico de onda completa de la figura 3-18a tiene una corriente promedio de carga, libre de componente ondulatoria, la. (a) Dibuje las formas de onda de las corrientes en DI, D2 y el primario del transformador, (b) exprese la corriente del primario en series de Fourier y (e) determine el factor de potencia de entrada PF y el factor armnico HF de la corriente de entrada al rectificador. Suponga una

319. El voltaje de batera de la figura 3-17a es E

20 V Y su capacidad es 200 W -h, La corriente de carga promedio deber ser Icd 10 A. El voltaje de entrada en el primario es Vp 120 V, 60 Hz teniendo el transformador una relacin de vueltas n 2: 1. Calcule (a) el ngulo de conduccin a del diodo, (b) la resistencia limitadora de corriente R, (e) la especificacin de potencia PR de R, (d) el tiempo de carga h en horas, (e) la eficiencia 1'\ de rectificador y (f) el voltaje de pico inverso PIV del diodo.

320. El rectificador monofsico de onda completa de la figura 3-21a tiene una L = 4.5 mH, R = 5 n y E = 20 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V a 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de carga en rgimen permanente 11 a (ll( O, (2) la corriente promedio del diodo Id, (3) la corriente rms del diodo Ir, Y (4) la corriente de salida rrns Inn8 (b) Utilice PSpice para graficar la corriente instantnea de salida L. Suponga los parmetros de diodo ts 2.22E-15, BV=1800V.

321. El rectificador trifsico de onda completa de la figura 3-25a tiene una carga L 2.5 mH, R 5 n y E 20 V. El voltaje de entrada, lnea a lnea, es Vab = 208 V, 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de carga en rgimen permanente 11 a (llt = 1C(3, (2) la corriente promedio de diodo h (3) la corriente rms de diodo Ir Y (4) la corriente rms de salida Irrns (b) Utilice PSpice para graficar la corriente instantnea de salida L. Suponga los parmetros de diodo IS 2. 22E-15, BV=18ooV.

= =

322. Un puente rectificador monofsico est alimentado desde una fuente de 120 V, 60 Hz. La resistencia de carga es R 200 n. (a) Disee un filtro C, de tal forma que el factor de componente ondulatoria del voltaje de salida sea menor del 5%. (b) Con el valor del capacitor e de la parte (a), calcule el voltaje promedio de la carga Vcd-

323. Repita el problema 3-22 para un rectificador


monofsico de media onda. 324. El voltaje rms de entrada al circuito de la figura 3-33a es 120 V, 60 Hz. (a) Si el voltaje de salida de corriente directa es Ved 48 Valed 25 A, determine los valores de la induciancia Le, IX, ~ e

94

Circuitos de diodos y rectificadores

Cap. 3

relacin unidad.

de vueltas del transformador

igual a la

330. El rectificador multifase en estrella de la figura


3-24a tiene tres pulsos proporcionando una corriente promedio de carga, libre de componente ondulatoria, la. El primario y el secundario del transformador estn conectados en estrella. Suponga Una relacin de vueltas del transformador igual a la unidad. (a) Dibuje las formas de onda para las corrientes en DI, Di, D3 Y en el primario del transformador; (b) exprese la corriente en el primario en series de Fourier y (e) determine el factor de potencia de entrada PF y el factor armnico HF de la corriente de entrada.

transformador igual a la unidad. (a) Dibuje las formas de onda para las corrientes en DI. D3. Ds y la corriente de fase en el secundario del transformador. (b) exprese la corriente de fase en el secundario en series de Fourier y (e) determine el factor de potencia de entrada PF y del factor armnico HF de la corriente de entrada.

3-34. Repita el problema 3-33 si el primario del transformador est conectado en delta y el secundario en estrella. 3-35. Repita el problema 3-33 si tanto el primario como el secundario del transformador estn conectados en delta.

3-31. Repita el problema 3-30 si el primario del transformador est conectado en delta y el secundario en estrella.

3-36. Un circuito de diodos se muestra en la figura


P3-36, donde la corriente de carga est fluyendo a travs del diodo Dm. Si Se cierra el interruptor SI en t O; determine (a) expresiones para vc(t). ic(t) e id(t); (b) el tiempo ti donde el diodo DI deja de Conducir; (e) el tiempo tq donde el voltaje a travs del capacitor se convierte en Cero y (d) el tiempo requerido para que el capacitor se recargue al voltaje de alimentacin Va.

332. El rectificador multifase en estrella de la figura


3-24a tiene seis pulsos proporcionando una corriente promedio de carga, libre de componente ondulatoria, la. El primario del transformador est conectado en delta y el secundario en estrella. Suponga una relacin de vueltas del transformador igual a la unidad. (a) Dibuje las formas de onda para las corrientes en DI, D2, D3 Y el primario del transformador, (b) exprese la corriente en el primario en series de Fourier (e) determine el factor de potencia de entrada PF y el factor armnico HF de la corriente de entrada.

333. El puente rectificador trifsico de la figura 3-25a


proporciona una corriente de carga, libre de componente ondulatoria, la. El primario y el secundario del transformador estn conectados en estrella. Suponga una relacin de vueltas del

v,
Figura P336.

Sec.3-2

Historv of Power Electronics

95

Los

tiristores

4-' INTRODUCCION Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones.

4-2 CARACTERISTICAS DE lOS TIRISTORES Un tiristor es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con tres uniones pn. Tiene tres terminales: nodo, ctodo y compuerta. La figura 4-1 muestra el smbolo del tiristor y una seccin recta de tres uniones pn. Los tiristores se fabrican por difusin. Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones JI y h tienen polarizacin directa o positiva. La unin Ji tienen polarizacin inversa, y slo fluir una pequea corriente de fuga del nodo al ctodo. Se dice entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente de fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje nodo a ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande, la unin ]z polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones JI y h ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de las tres uniones, que provocar una gran corriente directa del nodo. Se dice entonces que el dispositivo est en estado de conduccin o activado. La cada de voltaje se deber a la cada hmica de las cuatro capas y ser pequea, por lo comn 1 V. En el estado activo, la corriente del nodo est limitada por una impedancia o una resistencia externa, RL, tal y como se muestra en la figura 4-2a. 96

Figura 4-1 Snbolo del tiristor y tres uniones pn.

La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche Iu a fin de mantener la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario, al reducirse el voltaje del nodo a ctodo, el dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente de enganche, h,es la corriente del nodo mnima requerida para mantener el tiristor en estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta. En la figura 4-2b aparece una caracterstica v-i comn de un tiristor. Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y ya no hay control sobre el dispositivo. El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin Ji no existe una capa de agotamiento debida a movimientos libres de los portadores. Sin embargo, si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como corriente de mantenimiento IH. se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin Ji debida al nmero reducido de portadores; el tiristor estar entonces en estado de bloqueo. La corriente de mantenimiento es del orden

Caida directa de voltaje (en conduccin) Corriente de enganche Voltaje inverso de ruptura Corriente de Voltaje de ruptura directa

/
Veo VAK
Corriente de fuga inversa Corriente de fuga directa

(a) Circuito

(b) Caracteristicas v-i

Figura 4-2

Circuito tiristor y caractersticas v-i.

Sec.4-2

Caractersticas de los tiristores

97

h. Esto significa que h > IH. La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado
de los miliamperios y es menor que la corriente de enganche,

de rgimen permanente. La corriente de mantenimiento es menor que la corriente de enganche. Cuando el voltaje del ctodo es positivo con respecto al nodo, la unin h tiene polarizacin directa, pero las uniones JI y 13 tienen polarizacin inversa. Esto es similar a dos diodos conectados en serie con un voltaje inverso a travs de ellos. El tiristor estar en estado de bloqueo inverso y una corriente de fuga inversa, conocida como corriente inversa, IR, fluir a travs del dispositivo. Un tiristor se puede activar aumentando el voltaje directo de VAK ms all de VBO, pero esta forma de activarlo puede ser destructiva. En la prctica, el voltaje directo se mantiene por debajo de VBO y el tiristor se activa mediante la aplicacin de un voltaje positivo entre la compuerta y el ctodo. Esto se muestra en la figura 4-2b con lneas punteadas. Una vez activado el tiristor mediante una seal de compuerta y una vez que la corriente del nodo es mayor que la corriente de mantenimiento, el dispositivo contina conduciendo, debido a una retroalimentacin positiva, aun si se elimina la seal de compuerta. Un tiristor es un dispositivo de enganche.

4-3 MODELO DE TIRISTOR DE DOS TRANSISTORES La accin regenerativa o de enganche debida a la retroalimentacin directa se puede demostrar mediante un modelo de tiristor de dos transistores. Un tiristor se puede considerar como dos transistores complementarios, un transistor pnp, QI, y otro npn, Q2, tal y como se muestra en la figura 4-3a. La corriente del colector le de un tiristor se relaciona, en general, con la corriente del emisor le y la corriente de fuga de la unin colector-base leso, como le

ah + leso

(4-1)

la ganancia de corriente de base comn se define como o == ldte. Para el transistor QI, la corriente del emisor es la corriente del nodo l s, y la corriente del colector les se puede determinar a partir de la ecuacin (4-1): (4-2)

G
la

(a) Estructura bsica

(b) Circuito equivalente

Figura 4-3 Modelo de tiristor de dos transistores.

98

Los tiristores

Cap. 4

donde al es la ganancia de corriente y ICBOl es la corriente de fuga para Ql. En forma similar. para el transistor Q2, la corriente del colector IC2 es (4-3)

donde a2 es la ganancia de corriente y ICB02 es la corriente de fuga correspondiente a Q2. Al combinar l CJ e l C2. obtenemos
(4-4)

Pero para una corriente de compuerta igual a IG.1K cin de lA obtenemos


l A -

= lA + IG resolviendo la ecuacin (4-4) en fun(4-5)

a2fe

1 - (a,

+ feBO I + ICB02 + 0.2)

La ganancia de corriente al vara con la corriente del emisor lA = le: y a2 vara con IK::: lA + IG. Una variacin tpica de la ganancia de corriente a con la corriente del emisor lE se muestra en la figura 4-4. Si la corriente de compuerta IG se incrementa en forma repentina. digamos desde Ohasta 1 mA, la corriente del nodo lA aumenta inmediatamente, lo que incrementar an ms a al Y a2. a2 depender tanto de lA como de IG. El aumento en los valores de al Yde a2 incrementara an ms a lA. Por lo tanto. existe un efecto regenerativo o de retroalimentacin positiva. Si

+ (2) tiende a la unidad, el denominador de la ecuacin (4-5) se acerca a O;esto dar como resultado un valor grande de la corriente del nodo ls, y el tiristor se activar con una pequea corriente de compuerta. Bajo condiciones transitorias, las capacitancias de las uniones pn, como aparecen en la figura 4-5, influirn en las caractersticas del tiristor. Si el tiristor est en un estado de bloqueo, un voltaje de crecimiento rpido aplicado a travs del dispositivo causara un flujo alto de corriente a travs de los capacitores de la unin. La corriente a travs del capacitar Cj2 se puede expresar como
(al . _ d(qj2) _ d ) _ V dC)1. JI. dt - dt (CJI.VJI. JI. dt

C dV)1.
j2

dt

(4-6)

donde CJ'2 y Vj2 son la capacitancia y el voltaje de la unin Ju respectivamente. QJ'2 es la carga de la unin. Si la velocidad de elevacin del voltaje dvldt es grande. entonces iJ'2 tambin ser grande
o

1.0 0.8 0.6 0.4 0.2


O+10-4

-r

--r

--, 10- ,

,-_le(mA)

Figura 4-4

Variacin tpica de ganancia de corriente con la corriente del emisor.

Sec.4-3
.::"~:.~"")v."".

Modelo de tiristor de dos transistores


_

99

Ir

'G

I~ K

Figura 4-5 Modelo transitorio de un tiristor de dos transistores.

dando esto como resultado corrientes de fuga incrementadas Icsov e Iceoi- De acuerdo con la ecuacin (4-5), valores lo suficientemente altos de lcsoi y de Icsoz pueden causar que (al + (2) tienda a la unidad dando como resultado una activacin indeseable del tiristor. Sin embargo, una corriente grande a travs de los capacitores de unin tambin puede daar al dispositivo.

4-4 ACTIVACION

DEL TIRISTOR

Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas.
Trmica. Si la temperatura de un tiristor es alta, habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes har que al Y a2 aumenten. Debido a la accin regenerativa (al + (2) puede tender a la unidad y el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita.

Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentarn los pares electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra al permitir que sta llegue a los discos de silicio.
Alto voltaje. Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.

dv/dt. Se puede notar de la ecuacin (4-6) que si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor allo de corriente de carga puede daar el tiristor; por lo que el dispositivo
100 Los tiristores

Cap. 4

Figura 4-6

Efectos de la corriente de compuerta sobre el voltaje de bloqueo directo.

debe protegerse contra un dvldt alto. Los fabricantes especifican el dvldt mximo permisible de los tiristores. Corriente de compuerta. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la figura 4-6. La figura 4-7 muestra la forma de onda de la corriente del nodo, inmediatamente despus de la aplicacin de la seal de compuerta. Existe un retraso conocido como tiempo de activacin ton entre la aplicacin de la seal de compuerta y la conduccin de un tiristor. ton se define como el intervalo de tiempo entre el 10% de la corriente de compuerta de rgimen permanente (0.11G) Y el 90% de la corriente activa del tiristor en rgimen permanente (0.9fT). ton es la suma del tiempo de retraso td y el tiempo de elevacin t.. td se define como el intervalo de tiempo entre el 10% de la corriente de compuerta (O.1IG) y el 10% de la corriente activa del tiristor (O.liT). tr es el tiempo requerido para que la corriente del nodo se eleve del 10% del estado activo (O.lIT) al 90% de la corriente en estado activo (0.9IT). Estos tiempos se ilustran en la figura 4-7.
iT IT
-

=-;...;::::~::...;-=-,---

O.91r - - - - - - - -

O.lIT - - --

O~-~+-----~--------------~

io lo - - - - .... -,.--...,----

o.u

Figura 4-7 Caractersticasde activacin.

Sec.4-4

Activacin del tiristor

101

Se deben tomar en cuenta los siguientes puntos en el diseo de un circuito de control de compuerta:

1. La seal de compuerta debe eliminarse despus de activarse el tiristor. Una seal continua de compuerta aumentara la prdida de potencia en la unin de la compuerta. 2. Mientras el tiristor est con polarizacin inversa, no debe haber seal de compuerta; de lo contrario, el tiristor puede fallar debido a una corriente de fuga incrementada. 3. El ancho del pulso de la compuerta le debe ser mayor que el tiempo requerido para que la corriente del nodo se eleve al valor de corriente de mantenimiento IH. En la prctica, el ancho del pulso te por lo general se disea mayor que el tiempo de activacin Ion del tiristor.
Ejemplo 4-1 La capacitancia de una unin con polarizacin inversa h en un tiristor es Cj2 20pF Y se puede suponer independiente del voltaje en estado desactivado. El valor limitante de la corriente de carga para activar el tiristor es de 16 mA. Determine el valor crtico de dvldt. Solucin Cj2 = 20pF e iJ'2 = 16 mA. Dado que d(Cj2)/dt = O, podemos encontrar el valor crtico de dvldt a partir de la ecuacin (4-6): dv dt

= Cn =

i12

16 X 10-3 20 x 10 12

800 V/..s

45 PROTECCIONCONTRA di! dt Un tiristor requiere de un tiempo mnimo para dispersar la conduccin de la corriente en forma uniforme a travs de las uniones. Si la velocidad de elevacin de la corriente del nodo es muy alta en comparacin con la velocidad de dispersin del proceso de activacin, aparecer un punto de calentamiento, debido a una alta densidad de corriente, por lo que el dispositivo puede fallar, debido a una temperatura excesiva. Los dispositivos prcticos deben protegerse contra un di/dI alto. Como ejemplo, consideremos el circuito de la figura 4-8. Bajo una operacin de rgimen permanente, Dm conduce cuando el tiristor TI est desactivado. Si TI se dispara cuando Dm an est conduciendo, dildt puede resultar muy alto y solamente limitado por la inductancia dispersa del circuito.

T,
+

v.

Figura 48 Circuito pulsador con inductores lirnitantes de diidt.

102

Los tiristores

Cap. 4

En la prctica, ddi se limita al aadir un inductor en serie Ls, tal y como aparece en la figura 4-8. El dildt directo es di dt V, L"
(4-7)

donde L; es la inductancia en serie, que incluye cualquier inductancia dispersa.

4-6 PROTECCIONCONTRA dv/dt Si el interruptor SI de la figura 4-9a se cierra en 1 = O, se aplicar un escaln de voltaje a travs del tiristor TI por lo que dvtdt puede ser lo suficientemente alto para activar el dispositivo. El dvldt se puede limitar conectando el capacitor C; como aparece en la figura 4-9a. Cuando el tiristor TI se active, la corriente de descarga del capacitor estar limitada por el resistor R; como aparece en la figura 4-9b. Con un circuito RC conocido como circuito de freno, el voltaje a travs del tiristor se elevar en forma exponencial, como se muestra en la figura 4-9c, y el circuito dvldt puede encontrarse aproximadamente a partir de du dt O.632Vs
=
T

O.632V,

u.e,

(4-8)

El valor de la constante de tiempo del freno l' = RsCs se puede determinar de la ecuacin (4-8) a partir de un valor conocido dvldt, El valor de R, se encuentra a partir de la corriente de descarga/m. R ., =~/TD (4-9)

o--

....._--..~_..,

5,

O.632~.~ ~ C, T,

=~

v.

Cs

v,

T,

I I
I

0----_---'
(a) (b)

OL-_~I~._T~
(e)

I I

__

S,

~--~-~-,
D. T,

0-0

5,
T,

v,

v.

R L

(d)

(e)

Figura 4-9 Proteccin contra dv/dt

Circuitos de proteccin dvtdt,

Sec.4-6

103

Es posible utilizar ms de una resistencia para dv/dt y para la descarga, tal y como aparece en la

figura 4-9d. dv/dt queda limitado por R do que

por Cs. (R + R2) limita la corriente de descarga, de moV, (4-10)

1m = R,

+ Rz

La carga puede formar un circuito en serie con la red de freno, tal y como se muestra en la figura .4-ge. De las ecuaciones (3-23) y (3-24), la relacin de amortiguacin 5 de una ecuacin de segundo orden es

o_~ _
_ Wo _

Rs + R ~
2

C., Ls + L

(4-11)

donde L, es la inductancia dispersa, y L YR son la inductancia y la resistencia de la carga, respectivamente. A fin de limitar el excedente de voltaje pico aplicado a travs del tiristor, la relacin de amortiguacin se utiliza en el rango de 0.5 a 1.0. Si la inductancia de la carga es alta, que por lo general es el caso, R, puede ser alto y C, puede ser peque'lo,para reterer el valor deseado de la relacin de amortiguacin. Un valor alto de R, reducir la corriente de descarga y un valor bajo de C; reducir la prdida del circuito de freno. Los circuitos de la figura 4-9 debern ser totalmente analizados a fin de determinar el valor requerido de la relacin de amortiguacin para limitar dvldt a un valor deseado. Una vez conocida la relacin de amortiguacin, se pueden determinar R, y Cs. Por lo general, se utiliza la misma red RC o de freno, tanto para la proteccin dvldt como para suprimir el voltaje transitorio debido al tiempo de recuperacin inversa. En la seccin 15-4 se analiza la supresin del voltaje transitorio.

Ejemplo 42 El voltaje de entrada de la figura 4-ge es Vs = 200 V con una resistencia de carga R = 5U. Las inductancias de carga y dispersas son despreciablesy el tiristor es operado a una frecuencia de fs = 2 kHz. Si el dvldt requerido es 100 V/).lsy la corrientede descarga debe limitarse a 100 A, determine (a) los valores de Rs YCs, (b) la prdidaen el circuito de freno y (e) la especificacinde potencia de la resistenciadel circuitode freno. Solucin dvidt = 100 V/).ls, IrD = 100 A, R = 5U, L = L, = O,Y Vs = 200 V. (a) A partir de la figura 4-ge, la corriente de carga del capacitor del circuito de freno se puede expresarde la siguienteforma
Vs

(R,.

R)i

+ ~,

J i dt

UJI

O)

Con la condicininicial vc(t = O)= O,la corrientede carga se encuentracomo


iCe) V, = -_._ R,

+R

e=Ir

(4-12)

donde 't = (Rs + R)Cs. El voltaje directo a travs del tiristores RV ur(l) = V, - __ s_ e:" R.\ + R En t O,vr(O) v, - RV)(Rs + R) Yen t 't, vr('t) Vs - O.368RVs/(Rs + R): du ur(r) - ur(O) 0.632RV, dI = T = C,(R, + R)2

(4-13)

(4-14)

104

Los tiristores

Cap. 4

De la ecuacin 4-9, R, C.,

= Vs/ITD = 200/100 = 2U. La ecuacin 4-14 da


=

0.632 x 5 x 200 X 10-6 = O 129 F (2 + W x 100 . M

(b) La prdida del circuito de freno es

r, = 0.5Cs V;fs
= 0.5 x 0.129 x 10-6 x 2002 X 2000 = 5.2 W

(4-15)

(e) Suponiendo que toda la energa almacenada en es se disipa nicamente en Rs, la especificacin de potencia de la resistencia del circuito de freno es 5.2 W.

4-' DESACTIVACION DEL TIRISTOR


Un tiristor que est en estado activo se puede desactivar reduciendo la corriente directa a un nivel por debajo de la corriente de mantenimiento 1". Existen varias tcnicas paradesactivar un tiristor, y se analizan en el captulo 7. En todas las tcnicas de conmutacin, la corriente del nodo se mantiene por debajo de la corriente de mantenimiento durante un tiempo lo suficientemente largo, de tal manera que todos los portadores en exceso en las cuatro capas sean barridos o recombinados. Debido a las dos uniones pn exteriores JI y J s. las caractersticas de desactivacin deberan ser similares a las de un diodo, con la exhibicin de un tiempo de recuperacin inverso (" y una corriente de recuperacin de pico inverso IRR./RR puede ser mucho mayor que la corriente de bloqueo inversa normal, IR. En un circuito convertidor, conmutado por lnea, en el que el voltaje de entrada es alterno, como se muestra en la figura 4-1Oa, aparece un voltaje inverso a travs del tiristor inmediatamente despus de que la corriente directa pasa a travs de un valor cero. Este voltaje inverso acelerar el proceso de desactivacin, al barrer los portadores en exceso de las uniones pn JI Y Js. Para calcular t e/ RR son aplicables las ecuaciones (2-6) y (2-7). La unin pn interior Ji requerir de un tiempo conocido como tiempo de recombinacin (rc para recombinar los portadores en exceso. Un voltaje inverso negativo reducira dicho tiempo de recombinacin. (rc depende de la magnitud del voltaje inverso. Las caractersticas de desactivacin se muestran en las figuras 4-1Oa y b para un circuito conmutado por lnea y para un circuito de conmutacin forzada, respectivamente. El tiempo de desactivacin (q es la suma del tiempo de recuperacin inverso t.; Y el tiempo de recombinacin (re' Al final de la desactivacin, se desarrolla una capa de agotamiento a travs d la unin Jz. y el tiristor recupera su capacidad de soportar voltaje directo. En todas las tcnicas de conmutacin del captulo 7, se aplica un voltaje inverso a travs del tiristor durante el proceso de desactivacin. El tiempo de desactivacin l q es el valor mnimo del intervalo de tiempo entre el instante en que la corriente de activacin se ha reducido a cero y el instante en que el tiristor es capaz de soportar un voltaje directo sin activarse. tq depende del valor pico de la corriente de estado activo y del voltaje instantneo de estado activo. La carga recuperada inversa QRR es la cantidad de carga que debe recuperarse durante el proceso de desactivacin. Su valor queda determinado por el rea encerrada por la trayectoria de la corriente de recuperacin inversa. El valor de QRR depende de la velocidad de reduccin de la

Sec.4-7

Desactivacin del tiristor

105

~".>",, .... _-----------------------

T, on
I

O~~----~r---------r.172n~------~-I"W IT I Corriente I
I de fuga

I:v:-::-I
v

1'-___JL----"....:.....-,.---.....y.7"'""-"-----.. wl 2!..1 2.
w

I-tq-I

(a) Circuito tiristor conmutado por lnea

:. 1
O
iT

T20n
I

1m

Corriente de fuga

v.

I
I
I

-vo

-I~~II
,._tq
__...

(b) Circuito tiristor de conmutacin forzada

Figura 4-10

Caractersticas de desactivacin.

corriente de estado activo y del valor pico de la corriente de estado activo, antes de la desactivacin. QRR causa una correspondiente prdida de energa dentro del dispositivo .

\8 TIPOS DE TIRISTORES Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el rea de la unin, desde el punto cercano a la compuerta cuando inicia la seal de la compuerta para activar el tiristor, Para controlar el dildt, el tiempo de activacin y el tiempo de desactivacin, los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta.
106 Los tiristores

Cap. 4

Dependiendo de la construccin fsica y del comportamiento general los tiristores pueden clasificarse en nueve categoras: 1. 2. 3. 4. S. 6. 7. 8. 9.

de activacin y de desactivacin,

en

Tiristores de control de fase (SCR) Tiristores de conmutacin rpida (SCR) Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO) Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC) Tiristores de conduccin inversa (RCT) Tiristores de induccin esttica (SITH) Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR) Tiristores controlados por FET (FET-CTH) Tiristores controlados por MOS (MCT)

4-8.1 Tiristores de control de fase Este tipo de tiristores por lo general opera a la frecuencia de lnea, y se desactiva por conmutacin natural. El tiempo de desactivacin, tq, es del orden de 50 a 100j..ls. Esto es muy adecuado en especial para las aplicaciones de conmutaciones a baja velocidad. Tambin se les conoce como tiristores convertidores. Dado que un tiristor es bsicamente un dispositivo controlado y fabricado de silicio, tambin se conoce como un rectificador controlado de silicio (SCR). El voltaje en estado activo, VT, por lo comn vara desde aproximadamente 1.15 V para 600 V, hasta 2.5 V para dispositivos de 4OO0-V;y para un tiristor de 5500-A 12OO-V es tpicamente. 1.25 V. Los tiristores modernos utilizan una compuerta amplificadora, en la que se dispara un tiristor auxiliar TA mediante una seal de compuerta, y de all la salida amplificada de TA se aplica como seal de compuerta al tiristor principal TM. Esto se muestra en la figura 4-11. La compuerta amplificadora permite caractersticas altamente dinmicas con dvldt tpicas de 1000 V/j..lsy ditdt de 500 A/j..ls,simplificando el diseo de los circuitos para reducir el inductor limitante dildt y los circuitos de proteccin dv/dt. 4-8.2 Tiristores de conmutacin rpida Estos se utilizan en aplicaciones de conmutacin de alta velocidad con conmutacin forzada (por ejemplo, pulsadores en el captulo 9 e inversores en el captulo 10). Tienen un tiempo corto de desactivacin, por lo general de 5 a 50 us, dependiendo del rango de voltaje. La cada directa en estado activo vara aproximadamente en funcin inversa del tiempo de desactivacin tq. Este tipo de tiristor tambin se conoce como tiristor inversor. Estos tiristores tienen un dvldt alto, tpicamente de 1000 V/j..lS, y un dildt de 1000 Nj..lS.La desactivacin rpida y el di/di alto son muy importantes para reducir el tamao y el peso de los

Anodo

Compuerta Ctodo

Figura 4-11 Tiristor de compuerta amplificadora.

Sec.4-8

Tipos de tiristores

107

componentes de conmutacin o reactivos del circuito 4. El voltaje en estado activo de un tiristor de 2200 A 1800 V es por lo comn de 1.7 V. Los tiristores inversores con una muy limitada capacidad de bloqueo inverso, tpicamente de 10 V, Y un tiempo de desactivacin muy corto, entre 3 y 5 1lS,se conocen comnmente como tiristores asimtricos (ASCR). En la figura 4-12 se muestran

tiristores de conmutacin rpida de varios tamaos. 4-8.3 Tiristores de desactivacin por compuerta Un tiristor de desactivacin por compuerta (GTO), al igual que un SCR, puede activarse mediante la aplicacin de una seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante una seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se puede construir con especificaciones de corriente y voltaje similares a las de un SCR. Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se desactiva mediante un pulso negativo corto. Los GTO tienen varias ventajas sobre los SCR: (1) la eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada, que da como resultado una reduccin en costo, peso y volumen; (2) la reduccin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de bobinas de induccin en la conmutacin; (3) una desactivacin ms rpida, que permite frecuencias de conmutacin ms altas; y (4) una eficiencia mejorada de los convertidores. En aplicaciones de baja potencia, los GTO tienen las siguientes ventajas sobre los transistores bipolares: (1) una ms alta capacidad de voltaje de bloqueo; (2) una relacin alta de corriente de pico controlable a corriente promedio; (3) una relacin alta de corriente de pulsacin pico a corriente promedio, tpicamente de 10:1; (4) una ganancia alta en estado activo (corriente del nodo dividida entre la corriente de la compuerta) tpicamente 600; y (5) una seal de compuerta pulsada de corta duracin. Bajo condiciones de pulsacin de carga, un GTO pasa a una saturacin ms profunda debido a la accin rcgcncrativa. Por otra parte, un transistor bipolar tiende a salirse de saturacin. Un GTO tiene una ganancia baja durante el desactivamiento, tpicamente de 6, y para desactivarse requiere de un pulso de corriente negativa relativamente alto. Tiene un voltaje en estado activo ms alto que el de los SeR. El voltaje en estado activo de un GTO tpico de 550 A 1200 V es de 3-4 V. Un GTO de 160 A 200 V del tipo 160PFf aparece en la figura 4-13, las uniones de este GTO se muestran en la figura 4.14.

Figura 4-12 Tiristores de conmutacin rpida. (Cortesa de Powerex, Inc.) 108

Los tiristores

Cap. 4

4-13 Un GTO de 160 A 200 V. (Cortesa de Intemational Rectifier.) Figura

La corriente pico en estado activo controlable Irco es el valor pico de la corriente activa que puede desconectarse por control de compuerta. El voltaje en estado desactivado se reaplica en forma inmediata despus de la desactivacin y el dvldt reaplicado se limita nicamente a la capacitancia del circuito de frenado. Una vez desactivado un GTO, la corriente de carga lt, que es desviada y carga al capacitor de circuito de freno, determina el dvtdt reaplicado. dv dI donde

es es la capacitancia del circuito de frenado.

48.4 Tiristores de trio do bidireccional Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y normalmente se utiliza en el control de fase de corriente alterna (por ejemplo, controladores de voltaje de ca del captulo 6). Se puede conside-

Figura 414 Uniones del GTO de 160 A de la figura 4-13. (Cortesa de Intemational Rectifier.)

Sec.4-8

Tipos de tiristores

109

rar como si fueran dos SCR conectados en antiparalclo, con una conexin de compuerta comn, como se muestra en la figura 4-15a. Las caractersticas v-i aparecen en la figura 4-15c.

Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MTl, el TRIAC se puede activar aplicando una seal de compuerta positiva entre la compuerta G y la terminal MTl. Si la terminal MT2 es negativa con respecto a la terminal MT, se activar al aplicar una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta G y la terminal MTl. No es necesario que estn presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante 1+ (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante m- (voltaje y corriente de compuerta negativos).

4-8.5 Tiristores de conduccin inversa


En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 o 2 V por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30 V debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.
MT,

T,

MdC
MT2

(a) Equivalente del TRIAC

T2

(b) Simbolo del TRIAC

Estado activo Cuadrante 11 Cuadrante I (MT2 + ve) IGdisparado

Estado desactivado IGdisparado Cuadrante 111 (MT2-V.) Estado activo -1 cl Caractersticas vi Cuadrante IV

Figura 4-15 Caractersticas de un TRIAC. 110

Los tiristores

Cap. 4

Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra eri la figura 4-16. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de blo-

queo directo vara de 400 a 2000 V Yla especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40 V. Dado que para un dispositivo determinado est preestablecida la relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos.

Figura 4-16 Tiristor de conduccin inversa.

4-8.6 Tiristores de induccin esttica


Las caractersticas de un SITH son similares a las de un MOSFET del captulo 8. Por lo general, un SITH es activado al aplicrselo un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicrselo un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente ms altas. Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dvtdt y di/di. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6 IlS. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V Yla de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas.

4-8.7 Rectificadores controlados de silicio activados por luz


Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LEO y para cumplir con altas capacidades de dildt y dvldt). Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin de cd de alto voltaje (HVOC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR).Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede negar tan alto como 4 kV a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100 mW. El di/di tpico es 250 A/ls y el dvtdt puede ser tan alto como 2000 V/)ls.
Sec.4-8 Tipos de tiristores 111

4-8.8 Tiristores

controlados

por FET

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en la figura 4-17. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3 V, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un ditdt alto y un dvldt alto. Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.

4-8.9 Tiristores controlados por MOS Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. En la figura 4-18a aparece un diagrama esquemtico de una celda MCT. El circuito equivalente se muestra en la figura 4-18b y el smbolo correspondiente en la 4-18c. La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN QI y un transistor PNP Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p MI Yun MOSFET de canal n M2. Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las seales de compuerta. Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica un voltaje negativo VeA. Un canal p (o una capa de inversin) se forma en el material dopado n, haciendo que los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente SI del MOSFET MI del canal p) a travs del canal p hacia la base p BI de QI (que es drenaje DI del MOSFET MI del canal p). Este flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn QI. A continuacin, el emisor n+ El de Q inyecta electrones, que son recogidos en la base n B2 (yen el colector n e) que hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n 82, de tal forma que se active el transistor PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VeA de compuerta negativa activa al MOSFET M del canal p, proporcionando as la corriente de base del transistor Q2. Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo VeA. Se forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente electrones de la base n 82 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a travs del canal n del emisor n+ fuertemente contaminado de Q (drenaje D2 del MOSFET M2 del canal n~. Este flujo de electrones desva la corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su unin baseAnodo

J
R

Figura 4-17 Tiristor controlado por


Ctodo

FET.
Los tiristores

112

Cap. 4

Anodo

Compuerta

MOSFET de canal p M,

Ctodo' (al Diagrama esquemtico Anodo

Anodo

com~)
Ctodo Ctodo (bl Circuito equivalente (cl Smbolo

Figura 418

Diagrama esquemtico de circuito equivalente correspondiente a los MCf.

Sec.48

Tipos de tiristores

113

emisor se desactiva, y ya no habr huecos disponibles para recoleccin por la base p B l de QI (y el colector p C2de Q2). La eliminacin de esta corriente de huecos en la base p BI hace que se desactive el transistor NPN Q, y el MCT regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso positivo de compuerta VCA desva la corriente que excita la base de QI, desactivando por lo tanto el MCT.

El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado. Un MCT tiene (1) una baja cada de voltaje directo durante la conduccin; (2) un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4 IJ.s,y un tiempo de desactivado rpido, tpicamente 1.25 IJ.s,para un MCT de 300 A, 500 V; (3) bajas prdidas de conmutacin; (4) una baja capacidad de bloqueo de voltaje inverso y (5) una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua a fin de evitar ambigedad de estado. Ejemplo 4-3
Un tiristor conduce una corriente, tal y como se muestra en la figura 4-19, y el pulso de corriente se repite con una frecuencia fs 50 Hz. Determine la corriente promedio en estado activo fr. Solucin I p ltt 1000A, T llfs l/50 = 20 ms, y 11 12 5 us, La corriente promedio en estado activo es 1 Ir = 20,000 [0.5 x 5 x 1000 + (20,000 - 2 x 5) x 1000 + 0.5 x 5 x 1000]

= =

= 999.5 A
iT(A)

1000 - - -

--_----11-------,..

---------------20ms--------------~--.
Figura 4-19 Forma de onda de corriente del tiristor.

5,",5

4-9 .OPERACION EN SERIE DE TIRISTORES

Para aplicaciones de alto voltaje, es posible conectar dos o ms tiristores en serie, a fin de proporcionar la especificacin de voltaje. Sin embargo, debido a la diversidad en la produccin, las caractersticas de los tiristoresdel mismo tipo no son idnticas. En la figura 4-20 se muestran las
114 Los tiristores

Cap. 4

fL _
o
l.

r-

Estado activo

-_-:..---'-_1- zzr

T2

T,
Estado inactivo

Figura 4-20 Caractersticas en estado inactivo de dos tiristores,

caractersticas en estado no activo de dos tiristores. Para la misma corriente en estado inactivo, los voltajes difieren. En el caso de los diodos, slo se tienen que compartir los voltajes de bloqueo inverso, en tanto que tratndose de los tiristores, se requieren redes de distribucin de voltaje, tanto para condiciones inversas, como para condiciones de inactividad. La distribucin del voltaje se lleva a cabo, por lo comn, conectando resistencias a travs de cada tiristor, tal y como se muestra en la figura 4-21. Para voltajes compartidos iguales, las corrientes de estado inactivo difieren, tal y como se muestra en la figura 4-22. Supongamos que en la cadena existen ns tiristores. La corriente en estado inactivo del tiristor T es 1D Ylas de los dems tiristores son iguales, de tal forma que ID2 = ID3 = IDII e ID] < ID2. Dado que el tiristor T en estado inactivo tiene la corriente ms baja, TI compartir un mayor voltaje. Si I es la corriente de la resistencia R a travs de T y las corrientes de las dems resistencias son iguales, de tal manera que lz = 13 = 1", la reparticin de corriente en estado inactivo es !1ID = IDI - ID2 = Ir - [z - Ir + I1 = I1 - [z o [z = 11 - !11D El voltaje a travs de T es VD] = RI. Utilizando las leyes de voltaje de Kirchhoff obtenemos Vs = VD! + (n, - 1)[zR = VD! + t, - 1)(I1 - !1ID)R

= V DI +
== ns V DI

tn, - 1)1R - tn, - l)R !1ID


-

(4-16)

tn, - l)R !11D

Resolviendo la ecuacin (4-16) en funcin del voltaje VD] a travs de T obtenemos Vs + (ns - l)R !1lD

VD

=~--~~--~--~ ns
u

(4-17)

r,
Ir

R,

C,

R,

lo,

v"
T,
+
102

./'
T2
-V02~

c~ R, -/ r,
R

IT

-vo,~ +
R

Figura 4-21 Tres tiristores conectados en serie. Sec.4-9 Operacin en serie de tiristores

115

Estado inactivo

Figura 4-22 Corrientes de fuga directa en el caso de una distribucin igual del voltaje.

VDI resultar mximo cuando ID sea mximo. Para IDI = Oy MD = 1D2, la ecuacin (4-17) proporciona el voltaje en rgimen permanente'en el peor de los casos a travs de TI, VDS(rnax) -

V, +

(n, - l)RID2

n,

(4-18)

Durante la desactivacin, las diferencias en la carga almacenada causan diferencias en la distribucin del voltaje inverso, tal y como aparece en la figura 4-23. El tiristor con menos carga recuperada (o con menos tiempo de recuperacin inversa) se enfrentar al voltaje transitorio ms alto. Las capacitancias de unin, que controlan las distribuciones de voltaje transitorias, no sern adecuadas y, por lo general, ser necesario conectar un capacitor el a travs de cada tiristor, tal y como aparece en la figura 4-21. R limita la corriente de descarga. Por lo general, se utiliza la misma red Re. tanto para la comparticin de voltaje transitorio, como para la proteccin de dvldt. El voltaje transitorio a travs de T se puede determinar a partir de la ecuacin (4-17) aplicando la relacin de la diferencia de voltajes ~V
=

R MD

::

Q2 - QI

el

=~

~Q

(4-19)

iT

IT
VOl

V02

= V.

o
VOl

-v.
V02

- - - +- -+ 1 1

1 1 1

1 -1I

t-

Figura 4-23 Tiempo de recuperacin inversa y distribucin de voltaje.

116

Los tiristores

Cap. 4

donde Q es la carga almacenada de TI, Y Q2 es la carga de los dems tiristores, de tal forma que Q2 = Q3 = Qn y QI < Q2. Sustituyendo la ecuacin (4-19) en la ecuacin (4-17) obtenemos

VDI

.L [V s + (n, - e1) dQ]


ns
1

(4-20)

La comparticin de voltaje transitorio, en el peor caso ocurrir cuando Q


VDT(mx) = -

= O y ~Q = Q2 es

1 [ (n, - l)Q2] (4-21) V, + e1 n, Un factor de reduccin de especificacin, que se utiliza normalmente para aumentar la confiabilidad de la cadena, se define como

DRF

1_

V,
n, VOS (max)

(4-22)

Ejemplo 4-4
En una cadena se utilizan diez tiristores para soportar un voltaje de cd Vs = 15 kV. La corriente de fuga mxima y las diferencias de carga de recuperacin de los tiristores son 10 mA y 150 JlC, respectivamente. Cada tiristor tiene una resistencia de distribucin de voltaje R 56 k.Q y una capacitancia el = 0.5 JlF. Determine (a) la distribucin de voltaje mxima en rgimen permanente VOS(max), (b) el factor de reduccin de especificacin de voltaje en rgimen permanente, Ce) la comparticin de voltaje transitorio mximo VOT(max) y (d) el factor de reduccin de especificacin de voltaje transitorio. Solucin ns 10, Vs 15 k V, Mo 102 10 mA, y Q Q2 50 JlC. Ca)De la ecuacin (4-18), la distribucin de voltaje mximo de rgimen permanente es

VDS(mx) =

15,000

+ (lO - 1) x 56 x
10

JO)

x 10

10-3

2004 V

(e) De la ecuacin (4-22), el factor de reduccin de especificacin en rgimen permanente es 15,000 DRF = 1 - 10 x 2004

25.15%

(c) De la ecuacin (4-21), la comparticin mxima del voltaje transitorio es _ 15,000


VDT(mx) -

+ (lO

- 1) x 150 x 10-6/(0.5 x 10-6) 10'-

1770 V

(d) De la ecuacin (4-22) el factor de reduccin de especificacin transitorio es 15,000 DRF = 1 - 10 x 1770 = 15.25%

4-10 OPERACION EN PARALELO DE TIRISTORES

Cuando los tiristores se conectan en paralelo, la corriente de la carga no se comparte en forma igual, debido a diferencias en sus caractersticas. Si un tiristor conduce ms corriente que los dems, aumenta su disipacin de potencia, incrementando por lo tanto la temperatura de la unin y reduciendo su resistencia interna. Esto, a su vez, aumentar la distribucin de corriente y puede daar al tiristor. Esta fuga trmica puede evitarse si se instala un disipador de calor coSec.4-10 Operacin en paralelo de tiristores 117

mn, tal y como se analiza en el captulo 15, de forma que todas las unidades operen a la misma temperatura. Una pequea resistencia, como se muestra en la figura 4-24, puede conectarse en serie con cada tiristor, para forzar una distribucin igual de corriente, pero existir una prdida considerable de potencia en las resistencias en serie. Una solucin comn para la reparticin de corriente en los tiristores es la utilizacin de inductores acoplados magnticamente, como se muestra en la figura 4-24b. Si aumenta la corriente a travs del tiristor TI, se inducir un voltaje de polaridad opuesta

en los embobinados del tiristor T2 y se reducir la impedancia a travs de la trayectoria de T2, incrementando por lo tanto el flujo de corriente a travs de T2.

R,

1,

(a) Distribucin esttica de corriente

(b) Distribucin dinmica de corriente

Figura 4-24

Distribucin de corriente en los tiristores.

4-11 CIRCUITOS DE DISPARO DE TIRISTOR En los convertidores de tiristor, aparecen diferentes potenciales en las distintas terminales. El circuito de potencia est sujeto a un alto voltaje, por lo general mayor de 100 Y, Y el circuito de compuerta se mantiene a un bajo voltaje, tpicamente de 12 a 30 Y. Se requiere de un circuito aislante entre el tiristor individual y su circuito generador de impulso de compuerta. El aislamiento se puede llevar a cabo ya:sea mediante transformadores de pulso, o mediante acopladores pticos. Un acoplador ptico podra ser un fototransistor o un foto SCR, tal y como se muestra en la figura 4-25. Un pequeo pulso a la entrada de un diodo de emisor de luz infrarroja (lLED), DI, activa el foto SCR TI, Y dispara el tiristor de potencia h. Este tipo de aislamiento requiere de una fuente de alimentacin de energa por separado Vcc, y aumenta el costo y el peso del circuito de disparo. En la figura 4-26a aparece un sencillo arreglo de aislamiento con transformadores de pulso. Cuando se aplica un pulso de voltaje adecuado en la base del transistor conmutador Q, el transistor se satura y el voltaje de cd Vcc aparece a travs del primario del transformador, produciendo un

R, r--

-,,
I

Ir

}
L 118

D,

r, J
Foto SeR

G
R

Figura 4-25

Aislador acoplado por foto SeR.

Los tiristores

Cap. 4

"IIE
K R

II~N ~
2

Voltajede compuerta t

OCJR K -

R,

(a) Pulso corto

(b) Pulso largo

R,

e,
(e) Gp-,eradorde tren de pulsos (d) Tren de pulsos con mecanismo de tiempo y lgica ANO

Figura 4-26 Aislamiento por transformador de pulso.

voltaje pulsado sobre el secundario del transformador, el cual es aplicado entre la compuerta del tiristor y su ctodo. Cuando se elimina el pulso de la base del transistor Q, el transistor se desactiva apareciendo un voltaje de polaridad opuesta inducido en el primario del transformador por lo que el diodo de marcha libre Dm conduce. La corriente debida a la energa magntica del transformador se reduce desde Dm hasta cero. Durante esta reduccin transitoria, un voltaje inverso correspondiente se induce en el secundario. El ancho del pulso se puede hacer ms largo, conectando un capacitor C a travs de la resistencia R, tal y como se muestra en la figura 4-26b. El transformador conduce corriente unidireccional y el ncleo magntico se saturar, limitando por lo tanto el ancho del pulso. Este tipo de aislamiento es adecuado para pulsos tpicamente de 50 us a 100 J..lS. En muchos convertidores de potencia con cargas inductivas, el perodo de conduccin de un tiristor depende del factor de potencia de la carga; por lo tanto, el inicio de la conduccin del tiristor no queda bien definido. En esta situacin, a menudo resulta necesario disparar los tiristores en forma continua. Sin embargo, una conmutacin continua aumenta las prdidas del tirstor, Se puede obtener un tren de pulsos, cosa que resulta preferible. mediante un embobinado auxiliar, tal y como se muestra en la figura 4-26c. Cuando se activa el transistor Q, tambin se induce un voltaje en el embobinado auxiliar N3 en la base del transistor Q, de tal forma que el diodo DI queda con polarizacin inversa y Q se desactiva. Entretanto, el capacitor C se carga a travs de R y vuelve a activar a Q. Este proceso de activacin y desactivacin continuar siempre que exista una seal de entrada VI al circuito aislador. En vez de utilizar el embobinado auxiliar como oscilaSec.4-" Circuitos de disparo de tiristor 119

dor de bloqueo, se podra generar un tren de pulsos mediante una compuerta lgica AND con un oscilador (o un mecanismo de tiempo), tal y como se muestra en la figura 4-26d. En la prctica, la compuerta AND no puede excitar directamente al transistor QI, y normalmente se conecta una etapa intermedia antes del transistor. La salida de los circuitos de compuerta de las figuras 4-25 o 4-26 normalmente se conecta entre compuerta y ctodo, junto con otros componentes de proteccin de compuerta, tal y como

aparece en la figura 4-27. La resistencia Rg de la figura 4-27a aumenta la capacidad dvldt del tiristor, reduce el tiempo de desactivacin y aumenta las corrientes de mantenimiento y de enganche. El capacitor eg de la figura 4-27b elimina los componentes de ruido de alta frecuencia, aumenta la capacidad dvldt y el tiempo de retraso de la compuerta. El diodo Dg de la figura 4-27c protege la compuerta de un voltaje negativo. Sin embargo, para SCR asimtricos, es deseable tener cierta cantidad de voltaje negativo de compuerta, para mejorar la capacidad dvidt y tambin para reducir el tiempo de desactivacin. Todas estas caractersticas se pueden combinar, tal y como se muestra en la figura 4-27d, en la que el diodo DI permite slo pulsos positivos, RI amortigua cualquier oscilacin transitoria y limita la corriente de compuerta.

'7
Rg

IT T,

K (a)

Ij" Ij"
T, G
9
9

R,

O,
K

o/9

(b)

(e)

'Id)

Figura 4-27 Circuitos de proteccin de compuerta.

4-12 TRANSISTOR MONOUNION El transistor monounin (UJT) se utiliza comnmente para generar seales de disparo en los SCR. En la figura 4-28a aparece un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base uno 81 y base dos 82. Entre 81 y 82 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 a 9.1 kQ). Las caractersticas estticas de un UJT se muestran en la figura 4-28b. Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es 'tI = RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor Ve, llega al voltaje pico, Vp, se activa el UJT y el capacitor e se descarga a travs de RBI a una velocidad determinada por la constante de tiempo 't2 = ROle. 't2 es mucho menor que 'tI. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. Las formas de onda del emisor y de los voltajes de disparo aparecen en la figura 4-28c. La forma de onda del voltaje de disparo VBI es idntica a la corriente de descarga del capacitor el. El voltaje de disparo Vm debe disearse lo suficientemente grande como para activar al
120 Los tiristores

Cap. 4

VE Vs Vp R lE
+

'1

= RC

RB2 E

82

Vv
+

VBB

O
VB1

2T

B,
C VE
+

Vp

-----_---

RB' VB'

o
(a) Circuito

T
(c) Formas de onda

2T

.__!-

Regin de corte

Regin de resistencia --negativa Punto de pico

Regin de saturacin

-1 Ip
lEO ()lA)

lv

50 mA

(b) Caractersticas estticas

Figura 4-28 Circuito de disparo UIT.

seR. El perodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por
1 1 T=-=RCln-f 1 - r (4-23)

Sec.4-12

Transistor monounin

121

donde el parmetro 11se conoce como la relacin intrnseca de equilibrio. El valor de 11est entre

0.51 y 0.82. La resistencia R est limitada a un valor entre 3 kn y 3 Mn. El lmite superior de R est determinado por el requisito de que la recta de carga formada por R, y v, intersecte a las caractersticas del dispositivo a la derecha del punto de pico, pero a la izquierda del punto de valle. Si la recta de carga no cae a la derecha del punto de pico, el UGT no se activa. Esta condicin se satisface si Vs-1 pR > v; Esto es, R <

v, 1
p

Vp

(4-24)

En el punto de valle le = Iv y VE = Vv de tal forma que la condicin del lmite inferior de R para asegurar la desactivacin es Vs -Iv R < Vv. Esto es,
R

> V, ~ Vv

(4-25)

El rango recomendado de voltaje de alimentacin Vs es de 10 a 35 V. Para valores fijos de TI,el voltaje pico Vp vara con el voltaje entre las dos bases, VRO. Vp est dado por
Vp

== TlVBB

VD(= 0.5 V) = TlVs

VD(= 0.5 V)

(4-26)

donde VD es la cada de voltaje directa de un diodo. El ancho tg del pulso de disparo es tg

RBlC

(4-27)

En general, RBl est limitado a un valor por debajo de 100 n, aunque en algunas aplicaciones es posible tener valores de 2 a 3 kn. Por lo general, una resistencia RB2 se conecta en serie con la base dos, para compensar la reduccin de Vp debida al aumento de la temperatura, y para proteger al UJT de un posible desbocamiento trmico. La resistencia RB2 tiene un valor de 100 n o mayor, y se puede determinar en forma aproximada a partir de 104 RB2 =TI Vs
Ejemplo 4-5 Disee el circuito de disparo de la figura 4-28a. Los parmetros del UJT son Vs 30 V, 11 0.51, Ip 10 IlA, V, 3.5 V e l ; 10 mA. La frecuencia de oscilacin es ! 60 Hz, y el ancho del pulso de disparo tg 50 ms. Solucin T = 1/! = 1/60 Hz = 16.67 ms. De la ecuacin (4-26), Vp = 0.51 x 30 + 0.5 15.8 V. Si suponemos que e 0.5 ..tF. De las Ecuaciones (4-24) y (4-25), los valores lmitantes de R son

(4-28)

R < 301~:~.8 = 1.42Mil R

> 10 mA

30 - 3.5

2.65 kil

De la ecuacin (4-23), 16.67 ms = R x 0.5 fJ.Fx In[l/(l - 0.51 )], lo que da un valor de R 46.7 kO, que cae dentro de los valores limitantes. El voltaje de compuerta pico V8l Vp 15.8 V.

= =

122

Los tiristores

Cap. 4

De la ecuacin (4-27), RBI = !..s. = 50 .;_S = 100

0.5 .;_F

y de la ecuacin (4-28), RB2

= 0.51 x 30 = 654 n

1Q4

4-13 TRANSISTOR MONOUNION PROGRAMABLE El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la figura 4-29a. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la figura 4-29b. El voltaje de compuerta Va se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo de voltaje R y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd. Pero el Vp de un PUT puede variar al modificar el valor del divisor resistivo R y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta Va, el dispositivo se conservar en su estado inactivo. Si VA excede el voltaje de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle 1" dependen de la impedancia equivalente en la compuerta Ra = RR2f(R + R2) y del voltaje de alimentacin de cd Vs En general, R" est limitado a un valor por debajo de 100 n. Vp est dado por

v, = RI + R2 V,
que da la relacin intrnseca como

(4-29)

(4-30)

",Vs

R
Anodo Anodo

R,
Compuerta

+
VA

PUT

...
+

R2

VG

(a) Smbolo

(b) Circuito

Figura 4-29

Circuito de disparo para un PUTo 123

Sec.4-13

Transistor monounin programable

Y e controlan la frecuencia, junto con R y R2. El perodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por
T 1= = -

RC In

V, -

V".

v,

RC In 1

(Rz)+ -

(4-31)

La corriente de compuerta le en el valle est dada por le


= (1 - 7))

V, R~

(4-32)

donde Re = RR2f(R + R2). R YR2 se pueden determinar a partir de


R
=

Re
7)

(4-33) (4-34)

- Re R 2--1-7)

~jemplo 46 Disee el circuito de disparo de la figura 4-29b. Los parmetros del PUT son Vs::: 30 Vele::: 1 mA. La frecuencia de oscilacin es !::: 60 Hz. El ancho del pulso es tg ::: 50 ms y el voltaje de pico de disparo es VRk::: 10 V. Solucin T::: 1/! ::: 1/60 Hz ::: 16.67 ms. El voltaje pico de disparo VRk::: Vp::: 10 V. Sea C ::: 0.5 .tF. De la ecuacin (4-27), Rk ::: tg/C ::: 50 .ts/0.5 .tF ::: 100 Q. De la ecuacin (4-30), TI VpNs = 10/30 ::: 113.De la ecuacin (4-31), 16.67 ms = R x 0.5 .tFx In[30/(30 - 10)]10 que da R = 82.2 kQ. Para le 1 mA, la ecuacin (4-32) da un valor Re (1 - ',,) x 30/1 mA 20 kQ. De la ecuacin (4-33),

Re R = 1)

20 k x 1

= 60 k

De la ecuacin (4-34),

R2

_G_ 1)

1-

= 20 k x - = 30 kD

3 2

414 MODELO SPICE DE ilRISTOR

Supongamos que el tiristor, tal y como se muestra en la figura 430a, es operado a partir de una fuente de alimentacin de corriente alterna. Este tiristor deber tener las siguientes caractersticas. 1. Deber conmutarse al estado activo, con la aplicacin de un pequeo voltaje positivo en la compuerta, siempre y cuando el voltaje nodo a ctodo sea positivo. 2. Deber mantenerse en estado activo, en tanto fluya corriente en el nodo. 3. Deber conmutarse al estado inactivo cuando la corriente del nodo pase por cero en la di~ reccin negativa. La accin de conmutacin del tiristor se puede representar en un modelo mediante un interruptor controlado por voltaje y una fuente de corriente polinomial [14]. Esto aparece en la figura
124 Los tiristores

Cap. 4

la

Compuerta '9

3
G +

SI
V
y

'1

..

Anodo

O A

50V

R
2 A G
Compuerta Ctodo Anodo

OV

Or

Rr
K ------0

er
(b) Modelo de tlnstor

(a) Circuito de tiristor

Figura 4-30

Modelo SPICE de tiristor.

4-30b. El proceso de activacin se explica en los pasos siguientes: 1. Para un voltaje de compuerta positivo Vg entre los nodos 3 y 2, la corriente de compuerta es Ig = I(VX) = Vg/Rc. 2. La corriente de compuerta Ig activa la fuente de corriente FI produciendo una corriente de valor Fg = PIIg = PI/(VX), de tal forma que FI = Fg + Fa. 3. La fuente de corriente Fg produce un voltaje de rpido crecimiento VR a travs de la resistencia Rr. 4. Conforme VR se incrementa sobre cero, la resistencia Rs del interruptor controlado por voltaje SI se reduce desde ROFF hasta RON. 5. Conforme la resistencia Rs del interruptor SI se reduce, la corriente del nodo la = I(VY) aumenta, siempre que el voltaje nodo a ctodo sea positivo. Esta corriente creciente del nodo la produce una corriente Fa = P2/a = P2/(VY). Esto da como resultado un valor incrementado de voltaje VR. 6. Esto produce una condicin regenerativa, que lleva rpidamente al interruptor a una baja resistencia (estado activo). El interruptor se mantiene activo aun cuando el voltaje de la compuerta Vg se elimine. 7. La corriente del nodo la contina fluyendo, siempre que sea positiva y que el interruptor se mantenga en estado activo. Durante la desactivacin, la corriente de compuerta es nula e l g O. Esto es, Fg 0, F Fg + Fa = Fa. La operacin de desactivacin se puede explicar mediante los pasos siguientes:

1. Conforme se hace negativa la corriente del nodo la, se invierte la corriente F, siempre que
Sec.4-14
Modelo Spice de tiristor 125

ya no est presente el voltaje de la compuerta Vg

2. Con un F negativo, el capacitar CT se descarga a travs de la fuente de corriente F y de la resistencia RT. 3. Con la cada de voltaje VR a un bajo nivel, la resistencia Rs del interruptor S se incrementa desde un valor bajo (RON) hasta uno alto (ROFF). 4. Esta es, otra vez, una condicin regenerativa, con la resistencia del interruptor excitada rpidamente a un valor ROFF, conforme el voltaje VR tienda a cero. Este modelo funciona bien en un circuito convertidor, en el cual la corriente del tiristor cae a cero por s misma, debido a las caractersticas naturales de la corriente. Pero para un convertidor de onda completa ca-ed con una corriente de carga continua analizada en el captulo 5, la corriente del tiristor se desva a otro tiristor y este modelo puede no dar la salida real. Este problema se puede remediar aadiendo el diodo DT, tal y como aparece en la figura 4-30b. El diodo impide cualquier flujo de corriente inverso a travs del tiristor, debido al disparo de otro tiristor dentro del circuito. Este modelo de tiristor se puede utilizar como un subcircuito. El interruptor SI es controlado por el voltaje de control VR conectado entre los nodos 6 y 2. El interruptor y/o los parmetros del diodo pueden ajustarse para obtener la cada deseada activa del tiristar. Utilizaremos los parmetros de diodo IS=2.2E-15, BV=1800V, TT=O, y los parmetros de interruptor RON=O.0125, ROFF=lOE+5, VON=O.5 V, VOFF=OV. La definicin del subcircuito para el modelo de tiristor SCR se puede describir como sigue:
Subcircuit for ac thyristor model 2 .SUBCKT SCR 1 2 3 +control -control anode cathode model * voltage voltaje name * ; Voltage-controlled switch smod SI 1 5 6 2 4 50 RG 3 VX 4 DC OV 2 7 ov VY 5 DC DT 7 2 Switch diode DMOD RT 6 2 1 10UF CT 6 2 Fl 2 6 POLY (2) VX VY O 50 11 .MODEL SMOD VSWITCH (RON=0.0125 ROFF=10E+5 VON=0.5v VOFF=OV) ; Switch model .MODEL DMOD D(IS=2.2E-15 BV=1800V TT=O) Diode model parameters .ENDS SCR ; Ends subcircuit definition

RESUMEN Existen nueve tipos de tristores. Slo los GTO, SITH y MCT son dispositivos de desactivacin por compuerta. Cada uno de los tipos tiene ventajas y desventajas. Las caractersticas de los tiristares reales difieren en forma significativa de las de los dispositivos ideales. Aunque existen varios procedimientos para activar los tiristorcs, el control de la compuerta es el que resulta ms

126

Los tiristores

Cap. 4

dvldt alto. Debido a la carga recuperada, algo de energa se almacena en el dildt y en inductores

dispersos; los dispositivos deben protegerse de esta energa almacenada. Las prdidas de conmutacin de los GTO son mucho ms altas que las de los SeR normales. Los componentes del circuito de freno del GTO resultan crticos para su rendimiento. Debido a diferencias en las caractersticas de tiristores de un mismo tipo, las operaciones en serie y en paralelo requieren de redes para reparticin de voltaje y de corriente, a fin de protegerlos bajo condiciones de regmenes permanente y transitorio. Es obligatorio un procedimiento de aislamiento entre el circuito de potencia y los circuitos de compuerta. El aislamiento por transformador de pulso es simple, pero eficaz. En el caso de las cargas inductivas, un tren de pulsos reduce las prdidas de tiristor y se utiliza normalmente para disparar dispositivos, en vez de un pulso continuo. Los UJT y los PUT se utilizan para la generacin de pulsos de disparo.

REFERENCIAS
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Cap. 4

Referencias

127

PREGUNTAS Qu es la caracterstica v-i de los tiristores? Qu es la condicin inactiva de los tiristores? Qu es la condicin activa de los tiristores? Qu es la corriente de enganche entre tiristores? 4-5. Qu es la corriente de mantenimiento de los tiristores? 4-6. Cul es el modelo del tiristor con dos transistores? 4-7. Cules son los procedimientos para activar tiristores? 48. Cul es el tiempo de activacin de los tiristores? 4-9. Cul es el objeto de la proteccin dildtt 4-10. Cul es mtodo comn de proteccin diidt! 4-11. Cul es el objeto de la proteccin dvldt'l 4-12. Cul es el mtodo comn de proteccin dv/dt? 4-13. Cul es el tiempo de desactivacin de los tiristores? 414. Cules son los tipos de tiristores? 415. Qu es un SCR? 4~16. Cul es la diferencia entre un SCR y un TRIAC? 4-17. Cul es la caracterstica de desactivacin de los tiristores? 4-18. Cules son las ventajas y las desventajas de los OTO? 4-19. Cules son las ventajas y las desventajas de los SITH? 4-1. 4-2. 4-3. 4-4.

DE REPASO 4-20. Cules son las ventajas y las desventajas de los RCT? 4-21. Cules son las ventajas y las desventajas de los LASCR? 4-22. Qu es una red de freno? 4-23. Cules son las consideraciones de diseo para las redes de freno? 4-24. Cul es la tcnica comn para la reparticin de voltaje en tiristores conectados en serie? 4,25. Cules son las tcnicas comunes para la reparticin de corriente entre tiristores conectados en paralelo? 4-26. Cul es el efecto del tiempo de recuperacin inverso sobre la reparticin del voltaje transitorio de los tiristores conectados en paralelo? 4-27. Cul es el factor de reduccin de la especificacin o decaimiento de los tiristores conectados en serie? 4-28. Qu es un UJT? 4-29. Cul es el voltaje pico de un UJT? 4-30. Cul es el voltaje del punto de valle de un UJT? 4-31. Cul es la relacin de equilibrio intrnseca de un UJT? 432. Qu es un PUT? 4-33. Cules son las ventajas de un PUT sobre un UJT?

PROBLEMAS
4-1. La capacitancia de unin de un tiristor puede suponerse independiente del voltaje en estado inactivo. El valor Iirnitante de la corriente de carga para activar el tiristor es 12 mA. Si el valor crtico de dvldt es 800 V/Ils, determine la capacitancia de la unin. 4-2. La capacitancia de unin de un tiristor es CJ2 20 pF Y se puede suponer independiente del voltaje en estado inactivo. El valor lirnitante de la corriente de carga para activar el tiristor es 15 mA. Si se conecta un capacitor de 0.01 IlF a travs del tiristor, determine el valor crtico de dvldt.

4-3. En la figura P4-3 aparece un circuito de tiristor.


La capacitancia de unin del tiristor es CJ2 15 pF Y se puede suponer independiente del voltaje en estado inactivo. El valor limitante de la corriente de carga para activar el tiristor es 5 mA Y

Figura P4-3 Los tiristores

128

Cap. 4

el valor crtico de dvldt es 200 y /)ls. Determine el valor de la capacitancia C, tal que el tiristor no se activa debido a dv/dt. 44. El voltaje de entrada en la figura 4-ge es Vs 200 Y, con una resistencia de carga de R la Q Y una inductancia de carga de L 50 )lH. Si la relacin de amortiguacin es 0.7 y la corriente de descarga del capacitor es de 5 A, determine

(a) los valores de R, Y Cs, y (b) el dvidt mximo. 45. Repita el problema 4-4 si el voltaje de entrada es de ca, Vs 179 sen 377t. 46. Un tiristor conduce una corriente como aparece en la figura P4-6. La frecuencia de conmutacin es f s = 50 Hz. Determine la corriente promedio en estado activo fr.

ir

._--~--------~---20ms----------------_' Figura P46

5~

5~

47. Una cadena de tiristores se conecta en serie para


soportar un voltaje de cd Vs 15 k V, La corriente de fuga mxima y las diferencias de carga de recuperacin de los tiristores son 10 mA y 150 )lC, respectivamente. Un factor de reduccin de especificacin o decaimiento del 20% ha sido aplicado a la distribucin en rgimen de estado permanente y de voltaje transitorio de los tiristores. Si la comparticin mxima de voltaje de rgimen permanente es 1000 V, determine (a) la resistencia R de comparticin de voltaje en rgimen permanente de cada tiristor y (b) la capacitancia Cl del voltaje transitorio de cada tiristor, 48. Dos tiristores estn conectados en paralelo para convertir una corriente de carga total lt: = 600 A. La cada de voltaje en estado activo de

un urrstor es VTl = 1.0 a 600 A Y la de los otros tiristores es VT2 1.5 V a 300 A. Determine los valores de las resistencias en serie necesarias para obligar a la comparticin de corriente con una diferencia del 10%. El voltaje total v 2.5 V. 49. Disee el circuito de disparo de la figura 4-28a. Los parmetros del UJT son Vs = 20 V, 11 = 0.66, Ip la )lA, Vv = 2.5 Ve l; 10 mA. La frecuencia de oscilacin es f = 1 kHz, y el ancho del pulso de compuerta es tg 40 us, 410. Disee el circuito de disparo de la figura 4-29b. Los parmetros del PUT son Vs 20 Vele 1.5 mA. La frecuencia de oscilacin es f 1 kHz. El ancho del pulso es tg = 40 us, y el pulso pico de disparo es VRs 8 V.

Cap. 4

Problemas

129

Los rectificadores
51 INTRODUCCION

controlados

En el captulo 3 vimos que los diodos rectificadores slo suministran un voltaje de salida fijo. Para obtener voltajes de salida controlados, se utilizan uristores de control de fase en vez de diodos. Es posible modificar el voltaje de salida de los rectificadores a tiristores controlando el retraso o ngulo de disparo de los mismos. Un tiristor de control de fase se activa aplicndole un pulso corto a su compuerta y se desactiva debido a la conmutacin natural o de lnea; en el caso de una carga altamente inductiva, se desactiva mediante el disparo de otro tiristor del rectificador durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada. Estos rectificadores controlados por fase son sencillos y menos costosos y, en general, su eficiencia es superior al 95%. Dado que estos rectificadores controlados convierten ca en cd, se conocen tambin como convertidores ca-ed, y se utilizan en forma extensa en aplicaciones industriales, especialmente en propulsores de velocidad variable, con potencias desde fraccionarias hasta niveles de megawats. Los convertidores de control de fase se pueden clasificar en dos tipos, dependiendo de la fuente de alimentacin: (1) convertidores monofsicos y (2) convertidores trifsicos. Cada tipo se puede subdividir en (a) semiconvertidor, (b) convertidor completo y (c) convertidor dual. Un semiconvenidor es un convertidor de un cuadrante, y tiene una misma polaridad de voltaje y de corriente de salida. Un convertidor completo es un convertidor de dos cuadrantes, la polaridad de su voltaje de salida puede ser positiva o negativa. Sin embargo, la corriente de salida del convertidor completo slo tiene una polaridad. Un convertidor dual puede operar en cuatro cuadrantes, y tanto su voltaje como su corriente de salida pueden ser positivos o negativos. En algunas aplicaciones, los convertidores se conectan en serie, a fin de que operen a voltajes ms altos y para mejorar el factor de potencia de entrada. Para analizar el rendimiento de los convertidores controlados por fase con carga RL se puede aplicar el mtodo de las series de Fourier, similar al de los rectificadores con diodos. Sin embargo, a fin de simplificar el anlisis, se puede suponer que la inductancia de carga es lo suficientemente alta como para que la corriente de carga se considere continua y tenga una componente ondulatoria despreciable.
130

5-2 PRINCIPIO DE OPERACION DEL CONVERTIDOR

CONTROLADO

POR FASE

Consideremos el circuito de la figura S-la, con carga resistiva. Durante el medio ciclo positivo del voltaje de entrada, el nodo del tiristor es positivo con respecto al ctodo por lo que se dice que el tiristor tiene polarizacin directa. Cuando el tiristor TI se dispara, en rol = a el tiristor TIO conduce, apareciendo a travs de la carga el voltaje de entrada. Cuando en el voltaje de entrada empieza a hacerse negativo, rot 1t, el nodo del tiristor es negativo con respecto al ctodo y se dice que el tiristor TI tiene polarizacin inversa; por lo que se desactiva. El tiempo desde que el voltaje de entrada empieza a hacerse positivo hasta que se dispara el tiristor en rot = a, se llama

ngulo de retraso o de disparo a.


La figura S-lb muestra la regin de operacin del convertidor, donde el voltaje y la corriente de salida tienen una sola polaridad. La figura S-lc muestra las formas de onda de los voltajes de entrada, y de salida, asi como de la corriente de carga y del voltaje a travs de TI. por lo general, este convertidor no se utiliza en aplicaciones industriales, porque su salida tiene un alto contenido de componentes ondulatorias, de bajas frecuencia. Si i, es la frecuencia de la alimentacin de entrada, la frecuencia ms baja del voltaje de salida de la componente ondulatoria es fs.

1+

Vn

-1
jo

- v. Vm VI

T,_,o

JI }_vmR'.'
Voe

[.
O
jo

",t

(a' Circuito

",t

2"
I

l l
I
Ir

loe

jo

(1,11

"

2" I

(b) Cuadrante

V1

l
I I

"
(e) Formas de onda

",1

Figura 5-1

Convertidor monofsico de tiristor, con carga resistiva. 131

Sec.5-2

Principio de operacin del convertidor controlado por fase

,-,,,~""""-----------------------_.

Si Vm es el voltaje pico de entrada, el voltaje promedio de salida Ved puede determinarse partir de

Ved

27T

1 f1T

Vm sen wt d(wt)

27T

VIIl

[-cos

wt]~
(5-1)

= 27T (l

IIl

+ cos

a)

y Vedpuede variar desde V",/n hasta O, al variar a desde O hasta n. El voltaje promedio de salida se hace mximo cuando a O y el voltaje de salida mximo Vdm es

Vdm V m 7T Normalizando el voltaje de salida con respecto a Vdm el voltaje de salida normalizado sera

(5-2)

Vn = -V
El voltaje de salida rms est dado por

Ved
dm

= 0.5(1

+ cos

a)

(5-3)

rms

[2~ 1: V~ sen? wt d(wt) f2 = [~; 1: (l - cos 2wt) d(wt) f2 _ v, [1 sen 2a)] _- (7T-a+-;'
1/2

(5-4)

7T

Ejemplo s-I
Si el convertidor de la figura 5-la tiene W1acarga puramente resistiva R y el ngulo de retraso es a. n/2, determine (a) la eficiencia de la rectificacin, (b) el factor de forma FF, (e) el factor de componente ondulatoria RF, (d) el factor de utilizacin del transformador TUF y (e) el voltaje de pico inverso PIV del tiristor TI' Solucin El ngulo de retraso, a. n/2. De la ecuacin (5-1), Ved = 0.1592V m e led 0.1592VmlR. De la ecuacin (5-3), Vn = 0.5 pu. De la ecuacin (5-4) Vnns= 0.3536Vm e lnns = 0.3536VmlR. De la ecuacin (3-42), Ped = Vedlcd = (O.1592Vm)21Ry de la ecuacin (3-43), Pea = 2 Vnnslnns (0.3536Vm) IR. (a) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de la rectificacin

7)

= (0.3536V",)2 =

(0.1592Vm)2

20.27%

(b) De la ecuacin (3-46), el factor de forma FF = 0.3536V",

0.1592Vm

2 221

222.1% RF

(c) De la ecuacin (3-48), el factor de componente ondulatoria 1.983 es decir 198.3%. (d) El voltaje rms del secundario del transformador, Vs vmlfl de la corriente del secundario del transformador es la misma que la de la La clasificacin en volt-amperes (VA) del transformador, VA = Vis = De la ecuacin (3-49)

= (2.2212

_ 1)1/2 =

= 0.707Vm. El valor rms


carga, ls 0.3536V mlR. O.707Vm I O.3536VmlR.

132

Los rectificadores controlados

Cap. 5

TUF

0.15922 0.707 x 0.3536

0.1014

TF

9.86

(e) El voltaje de pico inverso PIV Nota. El rendimiento traso del convertidor

= Vm
se degrada en el rango inferior del ngulo de re-

ex.

53 SEMICONVERTIDORES MONOFASICOS
La disposicin del circuito de un semiconvertidor monofsico aparece en la figura 5-2a, con una carga altamente inductiva. La corriente de carga se supone continua y libre de componentes ondulatorias. Durante el medio ciclo positivo, el tiristor TI tiene polarizacin directa. Cuando el tiristor TI se dispara en rol ex, la carga se conecta a la alimentacin de entrada a travs de TI y D2 durante el perodo ex :,,; rol :,,; 1t. Durante el perodo 1t :,,;rol :,,; (1t + ex), el voltaje de entrada es negativo y el diodo de marcha libre Dm tiene polarizacin directa. D conduce para proporcionar la continuidad de corriente de la carga inductiva. La corriente de carga se transfiere de TI y D2 a Dm, y el tiristor TI as como el diodo D2 se desactivan. Durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada, el tiristor T2 queda con polarizacin directa y el disparo del tiristor T2 en rol = 1t + ex invierte la polarizacin de Dm. El diodo Dm se desactiva y la carga se conecta a la alimentacin a travs de T2 y DI. La figura 5-2b muestra la regin de operacin del convertidor, donde tanto el voltaje como la corriente de salida tienen polaridad positiva. La figura 5-2c muestra las formas de onda para el voltaje de entrada, el voltaje de salida, la corriente de entrada y las corrientes a travs de TI, T2, DI Y D2. Este convertidor tiene un mejor factor de potencia, debido a la operacin del diodo de marcha libre y es de uso comn en aplicaciones hasta de 15 kW, donde la operacin en un cuadrante es todava aceptable. El voltaje promedio de salida se puede encontrar a partir de

2 Vdc = 217

f" V
a

sen wt d(wt

m = 2V 217 [-cos

wt]~
(5-5)

V m (1

17

cos a)

y Ved puede modificarse o variar, desde 2V m/1t hasta O al variar ex desde O hasta 1t. El voltaje promedio mximo de salida es Vdm = 2V m/1t y el voltaje promedio de salida normalizado es

v, =

VVdC = 0.5(1
dm

cos a)

(5-6)

El voltaje de salida rms se determina a partir de

Vrms =

2 [ 217 : v~sen? wt d(wt)

]1/2

[V 2 f" 2;',,''0

cos 2wt) d(wt)

]1/2
(5-7)

Sec.5-3

Semi convertidores monofsicos

133

T2
in

'1
Om
iOm

io

-l.
R

v.

Vo

...1

O2
io. i02

2"

(al Circuito

o
in l.

O
in io

O
l. iD.

O
i02 (bl Cuadrante

O
l.

i.

O
io l.

O
iOm l.

a (el Formas de onda

Figura 5-2 Semiconvertidor monofsico. Ejemplo 5-2 El semiconvertidorde la figura 5-2a est conectado a una alimentacinde 120 V 60 Hz. La corriente de carga la se puede suponer continua y su contenido de componentes ondulatoriasdespreciable. La relacin de vueltas del transformador es la unidad. (a) Exprese la corriente de entrada en un~ serie de Fourier; determine el factor armnico de la corriente de entrada HF, el factor de desplazamientoDF, y el factor de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de retraso es (1= rc/2,calcule Ved, VII' V rms- HF, DF y PF. Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura 5-2c y la corriente de entrada instantnease puede expresarcon una serie de Fourier de la forma
i,(t) =

Ide +

,,= 1,2,..,

" 2:

(a/l

cos

nwt

+ b; sen nwt)

(5-8)

134

Los rectificadores controlados

Cap. 5

donde lro

1 -2 1T

f21T
o:

(,(t) d(wt)

-21 1T

[f"
o

1" d(wt) -

J21T
a-r o

1" d(wt)

1= O

a" = -1 f217
'TT a

is(t) cos nwt d(wt)

I [f1T 1" =7l' u 2/" = - -sen


1l'TT

COS

ruot d(wt) para

J2'" 1" cos +o


1i

nwt d(wt)

na
11

11 =

1, 3, 5, .

=O
b; = -l
'TT

para

= 2, 4, 6, .

f2"
"

i,(t) sen

ru: d(wt)
d(wt) -

I [f" 1" sen ntt =1T' a


= _" (1
n'TT

J2"

17'+0

1" sen nwt

d(wt)

21

+ cos
para

na)

para n = 1, 3, 5, . . .

=O

11 =

2, 4, 6 ....

Dado que

Icd

= O, la ecuacin (5-8) se puede escribir como


is(t)

=
11=

: v1 I"sen(nwt
1.3,)" ..

+ 1J,,)

(5-9)

donde
(5-10)

El valor rms de la componente armnica de orden n de la corriente de entrada se deduce como


/", -

__ 1_ 2 I 2 , .:; (a" + J v2

1/2 _.
-

2\12 1(/
1l'TT

Il)

. na cos 2

(5-11)

De la ecuacin (5-11), el valor rms de la corriente fundamental es

= 2v1 1" cos 'TT

~ 2

La corriente de entrada rms se puede calcular a partir de la ecuacin (5-11) como


/, =
(
u=

I,,~)
1,2, ... 1/2

1/1

Is tambin se puede determinar directamente a partir de


1,

[2~ 1: 1;' d(wt)]

1"

(1 _ ;)

1/2

Sec.5-3

Semiconvertidores monofsicos

135

De la ecuacin (3-51), HF

= [(Is1/sli
HF

- 1]1/2, o bien
= [
1T(1T 0:) _ 1]1/2

4(1

+ cos

a)

(5-12)

De las Ecuaciones (3-50) y (5-10), DF = cos 4J1 = cos - ~


2
(5- 13)

De la ecuacin (3-52),
/sl

PF

T; cos 2" =

o:

V2 (1 + cos
[1T(1T -

0:) 0:)]1/2

(5-14)

(b) o. = 1C/2 Y Vm {2 x 120 = 169.7 V. De la ecuacin (5-5), Ved (Vml1C)(1 + cos 0.) 54.02 V, de la ecuacin (5-6), VII 0.5 pu, y de la ecuacin (5-7),

Vrms =

Vm [1 V2 ;:

1T -

o: + -2=

sen

20:)]

1/2

84.57 V

t; = 2V; /" cos

0.6366/"
1/2

I,

= la ( 1 - ;:

0:)

= 0.70711"
2

HF =

[(2/ - t =
1

0.4835

48.35%
1T 4" = 0.7071

4J1

= -

4"

1T

DF = cos -

[si o: 6 PF = T; cos 2" = 0.636 (atrasado)

Nota. Los parmetros de rendimiento del convertidor dependen del ngulo de retraso 5-3.1 Semi convertidor monofsico con carga RL

0..

En la prctica, una carga tiene una inductancia finita. La corriente de carga depende de los valores
de la resistencia de carga R y de la inductancia de carga L. La operacin del convertidor se puede dividir en dos modos: modo 1 y modo 2. Modo 1. Este modo es vlido para O ::; (J)t ::; e, durante el cual conduce el diodo de marcha libre Dm. La corriente de carga it: durante el modo 1 queda descrita por dhl LTt + misma que, con la condicin inicial hl(J)t
RILI

+ E= O
de rgimen permanente, da

(5-15)

= O) = It en el estado

para

irl

2:

(5-16)

136

Los rectificadores controlados

Cap. 5

Al final de este modo en

w( = ex,

la corriente de carga se convierte en lu: es decir (5-17)

Modo 2. Este modo es vlido para ex :5 (J)( :5 1t, donde el tiristor TI conduce. Si 'Vs = ...J2Vs sen Wt es el voltaje de entrada, la corriente de carga iL2 durante el modo 2 se puede encontrar mediante

L dt + R1LZ + E = v 2 V,. sen wt


cuya solucin es de la forma iLZ
= --

diL2

, r,;

(5-18)

V2 v, sen(wt
Z

(J)

+ Ale- '(R/L)

I -

para iLZ

;:::

donde la impedancia de la carga Z

e = tan-1(wL/R).

= [R2 + (WL)2]1/2

y el ngulo de la impedancia de la carga


W(

La constante A" que se puede determinar a partir de la condicin inicial: en ILl, se encuentra como

= ex, iL2 =

La sustitucin de Al da como resultado


ii:

=~

V, sen(wt -

(J) -

[Irl

+~ - ~

V, sen -

(J)]

e(R/L)(a/w-1)

para Al final del modo 2 en la condicin de rgimen permanente: hz(wt 1t) dicin a la ecuacin (5-16) y resolviendo en funcin de It. obtenemos

ir2 2! O

(5-19) esta con-

= = lu- Al aplicar

ha = -Z--

V2

V, sen(7T -

(J) - sen(a - (J)e(R/L)(a-7T)/w . 1 - e (RIL)(7T/W)

R
paralLo~ O y e:5 ex:51t

(5-20)

La corriente rms de un tiristor se puede determinar a partir de la ecuacin (5-19) como

IR

1 J7T [ 27T " {i,2 d(wt)

] 1/2

La corriente promedio de un tiristor tambin se puede determinar de la ecuacin (5-19) como


lA

1 27T

f" i
e

L2

d(wt)

La corriente de salida rms puede encontrarse de las ecuaciones (5-16) y (5-19) como Irms

1 [ 27T

Jo"

iLI d(wt) + 27T

Li
"

1/2

2 LZ

d(wt) ]

Sec.5-3

Semi convertidores monofsicos

137

La corriente de salida promedio se puede encontrar de las ecuaciones (5-16) y (5-19) como

Ide = -21

7T

la i
O

L1

d(wt)

+ -2I7T f1T iL2

d(wt)

Ejemplo 5-3* El semiconvertidormonofsicode la figura 5-2a tiene una carga RL con L = 6.5 rnH, R = 2.5 n y E = 10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms) a 60 Hz. Determine(a) la corrientede carga lt en rot = OYla corrientede carga lis en rot = a = 60, (b) la corrientepromedio del tiristor lA, (e) la corrienterms del tiristor IR, (d) la corrienterms de salida Irrns,y (e) la corrientepromedio de salida led. Solucin R = 2.5 n, L = 6.5 rnH, f = 60 Hz, ro = 21tx 60 = 377 rad/s, Vs = 120 V, e = tan-1 (roLlR) = 44.43 YZ = 3.5 n, (a) La corrientede carga en rgimen permanenteen rot = O,lt = 29.77 A. La corriente de carga en rgimenpermanenteen rot = a,lu = 7.6 A. (b) La integracinnumrica de iL2 en la ecuacin (5-19), da como resultado la corriente promediodel tiristorcomo lA = 11.42A. (e) De la integracinnumrica de it2 entre los lmites (J)I = a hasta 1t,obtenemos la corriente rms del tiristorcomo lA = 20.59 A. (d) La corrienterms de salida Irrns = 30.92 A. Ce)La corrientepromediode salida led = 28.45 A.
0

5-4 CONVERTIDORES MONOFASICOS COMPLETOS El arreglo de circuito de un convertidor monofsico completo aparece en la figura 5-3a con una carga altamente inductiva, de tal forma que la corriente de carga es continua y libre de componentes ondulatorias. Durante el medio ciclo positivo, los tiristores TI y T2 tienen polarizacin directa; cuando en wt = exestos dos tiristores se disparan simultneamente, la carga se conecta a la alimentacin de entrada a travs de TI y T2. Debido a la carga inductiva, los tiristores TI y T2 seguirn conduciendo ms all de wt = 1t,aun cuando el voltaje de entrada sea negativo. Durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada, los tiristores T3 y T4 tienen una polarizacin directa; el disparo de los tiristores T3 y T4 aplicar el voltaje de alimentacin a travs de los tiristores TI y T2 como un voltaje de bloqueo inverso. Debido a la conmutacin natural O de lnea, TI y T2 se desactivarn y la'corriente de carga ser transferida de TI y T2 a T3 y T4. En la figura 5-3b se muestran las regiones de operacin del convertidor y en la figura 5-3c aparecen las formas de onda para el voltaje de entrada, el voltaje de salida y las corrientes de entrada y salida. Durante el perodo que va desde exhasta 1t,el voltaje de entrada Vs y la corriente de entrada is son positivos; la potencia fluye de la alimentacin a la carga. Se dice que el convertidor se opera en modo de rectificacin. Durante el perodo de 1thasta 1t + ex,el voltaje de entrada Vs es negativo y la corriente de entrada is es positiva; existiendo un flujo inverso de potencia, de la carga hacia la alimentacin. Se dice que el convertidor se opera en modo de inversin. Este convertidor es de uso extenso en aplicaciones industriales hasta 15 kW. Dependiendo del valor de ex,el voltaje promedio de salida puede resultar positivo o negativo y permite la operacin en dos cuadrantes.
138 Los rectificadores controlados

Cap. 5

i.

T,. T2

T3 T.

vJl 1:
(a) Circuito

'1
Vo

A l

v=Vmsenrot

wt

Ide

io io l.

I Corriente de carga t,

O
(b) Cuadrante

w, w,

"
ni""
ft

2" 2"

O
-l.

(e) Formas de onda

Figura 5-3 Convertidor monofsico completo.

El voltaje promedio de salida se puede determinar a partir de


Ved = -

2 f1T+a 2Vm V sen wt d(wt) = -- [-cos wt]"+" 27T" m 27T " 2Vm ex

(5-21)

= --COS 7T

y variando a desde O hasta 1t se puede variar Ved desde 2V",/1t hasta -2V",/1t. El voltaje promedio de salida mximo es V dm = 2V",/1t y el voltaje promedio de salida normalizado es Ved Vn = Vdm = cos. ex El valor rms del voltaje de salida est dado por (5-22)

2 f"+<> Vrms = [ 27T e

v~sen? wt

d(wt)

] 1/2 = [V 2 f"+" 2; e

(1 - cos 2wt) d(wt)

] 1/2
(5-23)

Sec.5-4

Convertidores monofsicos completos

139

,;...;,.. - -----------------------------

Con una carga puramente resistiva, los tiristores TI y T2 conducirn desde (l hasta 7t, y los tiristores T3 y T4 conducirn desde (l + 7t hasta 27t.El voltaje instantneo de salida ser similar a los de los semiconvertidores de la figura 5-2b. Las ecuaciones (5-5) y (5-7) son aplicables para determinar los voltajes de salida rrns y promedio. Ejemplo 54 Para un ngulo de retraso de (J. = rr.!3, repita el ejemplo 5-2 para el convertidor completo monofsico de la figura 5-3a. Solucin (a) La forma de onda de la corriente de entrada aparece en la figura 5-3c y la corriente instantnea de entrada se puede expresar con una serie de Fourier de la forma
i,.(t) = Icd

L
1/=1,2,,,

(an cos nwt

+ h sen nwt)
ll

donde Icd

2~

I~1T+"

,(t) d(wt)

2~

[t+" i, d(wt)
I21T+" 1" cos rr+a
1, 3, 5, . . .

I~::"

1" d(wt)

J=O

a; = -l J21T+"
11' "

,(t) cos nwt d(wt)

= -l [J1T+a 1" cos


rr
a

nwt d(wt) -

nwt d(wt)

4/" sen na = - n11'

para n

para n

2, 4, ...
d(wt)

b; = -1

11'

J21T+<X (t) sen nwt


a

l [f1T+" =rr
a

1" sen nwt d(wt) para n

I21T+a 1" sen nwt rr+a

d(wt)

= 4/" n11'
=

cos na para n

l. 3, 5, .

2, 4, ...

Dado que lro

= O, la corriente de entrada se puede escribir en la forma


At) =

L Y2 IlIsen(wt + 4J,')
11=1.3.5 ....

ce

donde

4J = tan- I b =
all 11 ll

na

(524)

y cn es el ngulo de desplazamiento de la corriente de la armnica de orden n. El valor rms de la corriente de entrada de la armnica de orden n es
I
JI,

_1_ (a2 + h')'/'

Vz

=~

11

11

(, Y2 n11' = 2Y2 n 11'


Los rectificadores controlados

(5-25) Cap. 5

140

y el valor rms de la corriente fundamental es

I1 =
s

2V2 lo
7T

El valor rms de la corriente de entrada se puede calcular a partir de la ecuacin (5-25), como t, =
(
11=

1,3,5" ..

"

I~II

) 1/2

Is tambin se puede determinar directamente a partir de


}__s__ =

[2~t+" 1;'d(wt)r
I

=_~a

De la ecuacin (3-51) se puede encontrar el factor armnico con HF

[(2Y DF
=

= 0.483 o

48,3%

De las ecuaciones (3-50) y (5-24), el factor de desplazamiento cos

1J1

cos - a

(5-26)

De la ecuacin (3-52) se encuentra el factor de potencia como t; 2V2 cos a PF = - cos -a = -I, 7T eb)
(5-27)

ex = 1t/3.
Ved
Vrms

= - 7T
Vm

zv, cos

54,02 V 120 V 0,90032/(/

VII

0.5 pu

= V2 =

Vs

lsl

= (2V2~) =

I,

la

HF =

[(2Y s '

Ir

0.4834 DF

48,34%

y
PF

cos -a

cos

'3 =

-7T

0,5

ji cos -a = 0.45 (atrasado)

Nota. La componente fundamental de la corriente de entrada es siempre 90.03% de la Yel factor armnico se mantiene constante en 48.34%. 5-4.1 Convertidor monofsico completo con carga RL La operacin del convertidor de la figura 5-3a se puede dividir en dos modos idnticos: modo 1, cuando TI y T2 conducen, y modo 2 cuando T3 y T4 conducen. Las corrientes de salida durante esSec.5-4
..i........

Convertidores monofsicos completos

141

y por tanto es necesario slo considerar un modo para encontrar la corriente de salida h . El modo 1 es vlido para o. $; (1)1 s (o. + n). Si el voltaje de entrada es v, = {2Vs sen (l)t, la ecuacin (5-18) se puede resolver con la condicin inicial: en (1)1 = 0., ii. = ha. La ecuacin (4-19) dalLo como . v2V, E tos modos son similares,
IL

= -- Z

sen(wt - 8) - s

R
sen(a - 8) ]
e(RII.)(alw-1)

(5-28)

E - v2V + [I + Lo R Z

Al final del modo 1 en la condicin de rgimen permanente h(I)t = 1t + 0.) = Lu esta condicin a la ecuacin (5-28) y resolviendo en funcin de lu, obtenemos i: = ILI

= lu-

Aplicando

v2

V, -sen(a - (})- sen(a 1e-(RIL)(1Tlw)

(})e-(RIL)(1T)/w

E
R

-Z--

paraILo:2 O

(5-29)

El valor crtico de o. en el cual lose convierte en cero se puede resolver para valores conocidos de e, R, L, E y Vs mediante un mtodo iterativo. La corriente rms o eficaz de un tiristor se puede encontrar a partir de la ecuacin (5-28) como IR = [ 27T"
1

f"+"'7 ti. d(wl) ]1/2


=

La corriente rms de salida se puede entonces determinar a partir de I,ms =

(6 + 1~)1/2
= 27T"

v2 IR

Le corriente promedio de un tiristor tambin se puede encontrar de la ecuacin (5-28) como


lA

f"+"
+

te d(wt)

La corriente promedio de salida se puede determinar a partir de Ide =


Ejemplo 5-5*
lA lA

= 21A

El convertidorcompleto monofsicode la figura 5-3a tiene una carga RL con L = 6.5 rnH, R = 0.5 Q y E = 10 V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V a (rms) 60 Hz. Determine (a) la corriente de carga lt a rol = a = 60'\ (b) la corriente promediodel tiristor lA, (e) la corrienterms del tiristor IR, (d) la corrienterms de salida Inns Y(e) la corrientepromediode salida ledo Solucin a = 60, R = 0.5 n, L = 6.5 rnH, f = 60 Hz, ro = 21tx 60 = 377 rad/s, Vs 120 V Y e = tan-1(roL!R) = 78.47. (a) La corrientede carga en rgimenpermanenteen rol = a, Lo = 49.34 A. (b) La integracinnumrica de te en la ecuacin (5-28), resulta en la corriente promedio del tiristorcomo lA = 44.05 A. (e) Mediante la integracinnumricade i t entre los lmites rol = a hasta 1t+ a, obtenemos la corrienterms del tiristorcomo IR = 63.71 A. (d) La corrienterms de salidaIrms = {2 IR = {2x 63.71 = 90.1 A. (e) La corrientepromediode salida led = 21A 2 x 44.04 88.1 A.

142

Los rectificadores controlados

Cap. 5

5-5 CONVERTIDORES

MONOFASICOS

DUALES

Vimos en la seccin 5-4 que los convertidores monofsicos completos con cargas inductivas slo permiten la operacin en dos cuadrantes. Si se conectan dos de estos convertidores completos espalda con espalda, tal y como aparece en la figura 5-4a, se pueden invertir tanto el voltaje de salida como la corriente de carga. El sistema permitir una operacin en cuatro cuadrantes, llamndose le convertidor dual. Los convertidores duales son de uso comn en propulsores de velocidad variable de alta potencia. Si al Y a2 son los ngulos de retraso de los convertidores 1 y 2, respectivamente, los voltajes promedio de salida correspondientes son Vedl y Vcd2. Los ngulos de retraso se controlan de tal forma que un convertidor funciona como rectificador y el otro convertidor funciona como inversor; pero ambos convertidores producen el mismo voltaje promedio de salida. En la figura 5-4b se muestran las formas de onda de salida de los dos convertidores, en los que los dos voltajes promedio de salida son los mismos. En la figura 5-4c aparecen las caractersticas v-i de un convertidor dual. , De la ecuacin (5-21), los voltajes promedio de salida son
Vedl = -1T

2Vm

cos al

(5-30)

y
(5-31 ) Dado que un convertidor rectifica y el otro invierte,
Vedl

= -Vcd2

o bien,

cos a2

= -cos al = cos(1t -

al)

Y, por lo tanto,
a2

= 1t -

al

(5-32)

Dado que los voltajes instantneos de salida de los dos convertidores estn fuera de fase, existir una diferencia instantnea de voltaje que dar como resultado una corriente circulante entre ambos convertidores. Esta corriente circulante no fluir a travs de la carga y por lo general estar limitada por un reactor de corriente circulante L, tal y como se muestra en la figura 5-4a. Si Vol Y Vo2 son los voltajes de salida instantneos de los convertidores 1 y 2, respectivamente, la corriente circulante puede determinarse integrando la diferencia de voltaje instantneo a partir de rol 21t - al. Dado que los dos voltajes promedio de salida son iguales y opuestos durante el intervalo (J)t 1t + al hasta 21t - al, su contribucin a la corriente circulante instantnea ir es cero.

ir

= -L
w

1 JWI
r
21T-Ct'1

VI

1 JWI d(wt) = -L { .
)

..17'-(.X1

(Vol

V(2)

d(wt)
(5-33)

v, [JWI = -L
(JJ r

21T-al

- sen wt d(wt) - JWI

21T-al

sen wt d(wt)]

= -L (cos wt - cos a)
I

2Vm w

Sec.5-5

Convertidores monofsicos duales

143

h
----..
2

i,

~ T,
a

'\

T3

~ T2' T
lb

E
'\ ~ T4
(

\
Vo' Carga V02

]
J

'\

Vo

Tz

2. T3'

(a) Circuito

1\

:-.

T,'

--~~~~~~~~io -Ide

lde

-Vm sen eot Salida del convertidor 1 (e) Cuadrante

Vm sen eot -V",sen oot

Salida del convertidor 2

~-----4--~~----?t---r---... wl
Vm sen rol v,(t) Vol + vo2 Corriente circulanle

(b) Formas de onda

Figura 5-4 Convertidor monofsico dual.

144

Los rectificadores controlados

Cap. 5

La corriente circulante instantnea depende del ngulo de retraso. Para al 0, su magnitud se hace mnima cuando W( = nn, n = 0, 2, 4 ..., Y mxima cuando 0Jl = n1t, n = 1,3,5, ... Si la corriente pico de carga es p, uno de los convertidores que controla el flujo de potencia puede llevar una corriente de pico de (lp + 4 VmfwLr). Los convertidores duales pueden operarse con o sin corriente circulante. En caso de operacin sin corriente circulante, slo opera un convertidor a la vez llevando la corriente de carga; estando el otro convertidor totalmente bloqueado debido a pulsos de compuerta. Sin embargo, la operacin con corriente circulante tiene las siguientes ventajas:

1. La corriente circulante mantiene conduccin continua en ambos convertidores sobre todo el


rango de control, independiente de la carga.

2. Dado que un convertidor siempre opera como rectificador y el otro como un inversor, el flujo de potencia es posible en cualquier direccin y en cualquier momento. 3. Dado que ambos convertidores estn en conduccin continua, es ms rpido el tiempo de
respuesta para pasar de una operacin de un cuadrante a otra.

Ejemplo 56 El convertidor dual monofsico de la figura 5-4 se opera a partir de una alimentacin de 120-V 60-Hz la resistencia de carga es R = 10 n. La inductancia circulante es Le = 40 mH; los ngulos de retraso son al :: 60 y a2 = 120. Calcule la corriente de pico circulante y la corriente de pico del convertidor 1. Solucin ro 21t X 60 377 rad/s, al = 60, Vm "2x 120 169.7 V, f 60 Hz, y L, 40 ml-l, Para W( =- 21tY al = 1t!3, la ecuacin (5-33) nos da la corriente de pico circulante.

l,.(max) = wL,. (1 - cos

2Vn

(XI)

""

169.7 377 x 0.04

5 11.2 A de pico del convertidor 1 es

La corriente de pico de carga lp (16.97 + 11.25) = 28.22 A.

= 169.71/10 = 16.97 A. La corriente

56 CONVERTIDORES MONOFASICOS EN SERIE


En el caso de las aplicaciones en alto voltaje, se pueden conectar dos O ms convertidores en serie para compartir el voltaje y mejorar el factor de potencia. En la figura 5-5a aparecen dos semiconvertidores conectados en serie. Cada secundario tiene el mismo nmero de vueltas, la relacin de vueltas entre el primario y el secundario es Np/Ns 2. Si al Y az son los ngulos de retraso del convertidor 1 y del convertidor 2, respectivamente, el voltaje mximo de salida Vdm se obtiene cuando al a2 O. En sistemas de dos convertidores, uno de los convertidores se opera para obtener un voltaje de salida desde hasta Vdml2 y el otro se pasa por alto a travs de su diodo de marcha libre. Para tener un voltaje de salida a partir de Vdml2 hasta Vdm, uno de los convertidores est totalmente activo (en el ngulo de retraso al O) siendo ngulo de retraso del otro convertidor, a2, se modifica. En la figura 5-5b se muestra el voltaje de salida, las corrientes de entrada a los convertidores y la

= =

Sec.5-6

Convertidores monofsicos en serie

145

i1
l.

(al Circuito

O -l.
i2

"

l.

-l.
IJ:;!
(e) Cuadrante

-l.
l. ~io Corriente de carga ",t

O
(b) Forma de onda

Figura 5-5

Scmiconvertidores monofsicos en serie.

corriente de entrada desde la alimentacin cuando ambos convertidores estn operando con una carga altamente inductiva. De la ecuacin (5-5), los voltajes promedio de salida de los dos semiconvertidores son
Vedl
m = -V 7T m = -V 7T

(l (1

COS (XI

Ved2

+ cos

(X2

El voltaje de salida resultante de los convertidores es


Ved

Vedl + Ved2

Vm (2 + COS = _._ 7T

(XI

COS (X2

(5-34)

146

Los rectificadores controlados

Cap. 5

El voltaje promedio mximo de salida para operando: 0:5; al :5; 7t Y 0.2 = 7t, entonces
Ved = Ved!

al

0.2

= O es Vm = 4V m/7t. Si el convertidor 1 est

Ved2

= -1T

Vm

(1

cOS al)

(5-35)

y el voltaje promedio de salida normalizado es Vn


=

-V

Ved
dm

0.25(1

+ cos
7t,

a)

(5-36)

Si ambos convertidores estn operando: al = O y O :5; 0.2 ~


Ved

entonces
COS a2)

Ved!

Ved2 = .

Vm
1T

(3

(5-37)

y el voltaje promedio de salida normalizado es

Vn

-V' -

Ved
dm

0.25(3

+ cos

a2)

(5-38)

La figura 5-6a muestra dos convertidores completos conectados en serie, la relacin de vueltas entre el primario y el secundario es Np/Ns = 2. Debido a que no existen diodos de marcha libre, no es posible pasar por alto uno de los convertidores, y ambos convertidores deben operar al mismo tiempo. En modo de rectificacin, un convertidor est totalmente avanzado (al = O) y el ngulo de retraso del otro convertidor, 0.2, vara desde O hasta 7t, a fin de controlar el voltaje de salida de corriente directa. En la figura 5-6b se muestra el voltaje de entrada, los voltajes de salida, las corrientes de entrada de los convertidores y la corriente de entrada de alimentacin. Comparando la figura 5-6b con la figura 5~2b,podemos notar que la corriente de entrada desde la alimentacin es similar a la de un semiconvertidor. Como resultado, el factor de potencia del convertidor mejora, pero el factor de potencia es menor que en el caso de una serie de semiconvertidores. En modo inversor, un convertidor est totalmente retrasado, 0.2 = 7t, Y el ngulo de retraso del otro convertidor, al, vara desde O hasta 7t para controlar el voltaje promedio de salida. En la figura 5-6d se muestran las caractersticas v-i de los convertidores completos en serie.. De la ecuacin (521) los voltajes promedio de salida de dos convertidores completos son
Ved!

= --1T = --1T

2Vm 2Vm

cos

al

Ved2 El voltaje promedio de salida resultante es


Ved

cos a2

Ved!

Ved2 = --

2Vm
1T 0.2

(cos

al

+ cos

a2

(5-39)

El voltaje promedio de salida mximo para 0.1 = 0.1 ::::O y O ~ 0.2 S n; entonces

= O es Vdm = 4 Vdm/7t. En modo de rectificacin,

(5-40)

Sec.5-6

Convertidores monofsicos en serie

147

+ i. + +

T\
Vol

io

-l.

wt

Vp

:)

v "'1
Carga wl

Np

\
(a) Circuito
Vol

V02

T~)
",1

",1 i,
l.
It

O
-l. i2 l.

"

",1 2"

",1

wl

l.

",1
wt -l. l. Corriente de earga

O i,
n + ~1

wt (b) Formas de onda

"
i2

wl

2"
Vo

-----I
02. rr

2" wt

i. O
",1

leIe

io

(e) Formas de onda

(d) Cuadrante

Figura 5-6 Convertidores monofsicos completos.

148

Los rectificadores controlados

Cap. 5

y el voltaje de salida de cd normalizado es


VII

Vdm

Ved

= 0.5(1 + cos

(\'2)

(5-41 )

En modo de inversin, Os al

s 1t Yaz ::; zr;entonces

v:ed = v:cdl

v:ed2

= --

2Vm
11'

(cos

(\'1 -

l)

(5-42)

y el voltaje promedio de salida normalizado es


VII = -V Ejemplo 5-7 La corriente de carga (con un valor promedio la) de los convertidores completos en serie de la figura 5-6a es continua y el contenido de la componente ondulatoria es despreciable. La relacin de vueltas del transformador es N p/Ns = 2. Los convertidores operan en modo de rectificacin de tal forma que al = O Y 0'2 vara desde O hasta n. (a) Exprese la corriente de alimentacin de entrada en series de Fourier, determine el factor armnico de la corriente de entrada HF, el factor de desplazamiento DF y el factor de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de retraso es <X2 n/2 y el voltaje pico de entrada es Vm 162 V, calcule Vcd- VII' Vrms- HF, DF, Y PF. Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura 5-6b, y la corriente instantnea de alimentacin de entrada se puede expresar con una serie de Fourier en la forma
Ved dm

0.5(cos

(\'1 -

l)

(5-43)

is(t) =

L Vz In sen (nwt
11=

CPII)

(5-44)

1.2 ...

donde <" = -na2l2. La ecuacin (5-11) da el valor rms de la corriente de entrada de la armnica de orden n
I Sil ~

4/"

v2 ntt

cos -2 - --ntt

no;

2Vz la cos

-2

n(X2

(5-45)

El valor rms de la corriente fundamental es

I
S

1=

2Vz 1" COS


11'

(X2

(5-46)

La corriente rms de entrada se determina como

I,
De la ecuacin (3-51). HF De la ecuacin (3-50) DF =

1" I

( _ ;)112 "
(2)
(2)

(5-47)

11'(11' [

4(1

+ cos

]1/2 I

(5-48)

COS CPI

COS -

a2

(5-49)

Sec.5-6

Convertidores monofsicos en serie

149

.,;;~'~"'-'----------------------

De la ecuacin

(3-52)

I" 0:2 PF == -1.\ cos -2 ==,

v'2 (1 +
[(1T
7T -

COS

a2y

0:2) "~)ll/' -

(5-50)

(b) al = OY a2 = re/2. Partiendo de la ecuacin (5-41), Ved == (2


X

1!2) (1 + cosi)

== 103.13 V

De la ecuacin (5-42), VII = 0.5 pu y, por lo tanto, , = -2 2 V~ms Vrms == 1,11

1T

f"

co

(2V",)- sen 2 wt d (wt)

v'2
2 1" --

Vm [~

(1T 1T

0:2 + sen220:2)

2 == Vm == 162 V

v'2
1T

cos -4 == 0.6366/"
1/2

I, = 0.7071/"

HF = [ l' I,d
111 = - 1T

(_J:.)- ~ 1J
4 y

= 0.4835
OF
=

48.35%

cos (-

) == 0.7071

PF =

1;1 cos(~11I) ,

== 0.6366

(atrasado)

Nota. El rendimiento de los convertidores completos en serie es igual al de los semiconvertidores monofsicos.

57 CONVERTIDORES TRIFASICOS DE MEDIA ONDA

Los convertidores trifsicos ~millistra!!,_!lnvoltaje de salida ms alto, y adems la frecuencia de las componentes ondulatorias del voltajede"salida s nUlyoren comparacin con loSconvertidores ,,_rT!-.!1_Qm~i~<J.s. CoiOCOSec uenera,cCjiiisiios -de' fIltrdi' paraSiiV~coiTeteyervonaJede carga ~ ms sencillos. Por estas razones,\JQ~ccnvertidores trifsicos ~~':1._Q~,--tn~cin en propulsores de velocidad wariablerdc alta potencia, Se puedii conectar tres COnvertidores monofslsd'e iTIdla-;da d"C la figura 5'~la,similar a un convertidor trifsico de media onda, como se muestra en la figura 5-73. Cuando el tiristor TI se dispara en rol Tr/6+ a, el voltaje de fase v"" aparece a travs de la carga, en tanto no sea disparado el urstor T2 en ()l 5re/6+ a. Cuando el tristor T2 es disparado, el tiristor TI queda con polarizacin inversa, dado que el voltaje de lnea a lnea, V.,, (= v"" - Vbn), es negativo y entonces TI se desactiva. El voltaje de fase Vbn aparece a travs de la carga hasta que el tiristor T3 se dispara en rol = 3rc/2 + a. Al dispararse T3, T2 se desactiva y Ven aparece a travs de la carga hasta que TI se vuelve a disparar al iniciar el siguiente ciclo. La figura 57b muestra las caractersticas v-i de la carga y ste es un convertidor de dos cuadrantes. La figura 57c muestra los voltajes de entrada, el voltaje de salida y la corriente a travs del tiristor TI en el caso de una carga altamente inductiva. En el caso de una carga resistiva ya> rc/6. la corriente de carga sera

150

Los rectificadores controlados

Cap. 5

a
i.1= in

T,
b

ib

T2 e T3

ic

VO

(a) Circuito

(b) Cuadrante

Activado

-2.-_!!.-I...l.1

T3

T,

Van =

Vm sen oot

Vo

t +a
io l.

I ~--._----~----------~-------I
iT, " I

: Corriente de carga

r---~--~~------~----~----~--+wt
I

'.
O

" a e+
(e) Para cargas inductivas

Figura 5-7

Convertidor trifsico de media onda.

discontinua y cada tiristor se autoconmutara, al invertirse la polaridad de su voltaje de fase, La frecuencia del voltaje de la componente ondulatoria de salida es 3fs. Normalmente no se utiliza en sistemas prcticos este convertidor, porque las componentes de alimentacin contienen componentes de cd. Si el voltaje de fase es VQJI = Viii sen rol, el voltaje promedio de salida para una corriente de carga continua es
Ved

-2

3
1T'

J5Tr/6+Ci Tr/6+"

v; sen wt d(wt)

3\13 2

Vm

1T'

cos a

(S-51)

Sec.5-7

Convertidores trifsicos de media onda

151

donde V". es el voltaje pico de fase. El mximo voltaje promedio de salida, que ocurre en el ngulo de retraso, ex= O es V

dm -

3v3 Vm
21T

y el voltaje promedio de salida normalizado es


Ved Vn = =

Vclm

cos a

(5-52)

El voltaje de salida rms se determina a partir de 3 [f5"/6+" Vrms = [ -2 1T "/6+,, = Vm


2

sen- wt d(wt)

] 1/2

v3

Vm

("6 +

1 v3

81T cos 2a

)112

(5-53)

En caso de una carga resistiva y de ex;;:: rc/6:

3 3 v, [ 1 + Ved = -2 Vm sen wt d(wt) = -21T ,,/6+a 1T


Vn= Vrms vVcd
dm

J"

cos (1T)] -6 + a

(5-5 la) (5-52a)

=,~[1 v3

+cos(~+a)]

3 " V;n sen2 wt d(wt) [ -21T ttlir+a

]In
+ 2a )]
1/2

= v3
Ejemplo 5-8*

5 a 1 (1T V [ - - - + - sen m 24 417" 81T 3

(5-53a)

El convertidor trifsico de media onda de la figura 5-7a es operado a partir de una alimentacin conectada en estrella de 208 V 60 Hz la resistencia de la carga es R 10 Q. Si se requiere obtener un voltaje promedio de salida del 50% del voltaje de salida mximo posible, calcule (a) el ngulo de retraso ex, (b) las corrientes promedio y rms de salida, (e) las corrientes promedio y rms de tiristor, (d) la eficiencia de rectificacin, (e) el factor de utilizacin del transformador TUF y (f) el factor de potencia de entrada PF. Solucin El voltaje de fase es Vs 208/D = 120.1 V, Vm = {"2,Vs = 169.83 V, VII = 0.5, Y R = 10 Q. El voltaje de salida mximo es

Vdm

3\13 Vm 217

3\133 x 169.83 217

14045 V

El voltaje promedio de salida, Vro 0.5 x 140.45 70.23 V. (a) Para una carga resistiva, la corriente de carga es continua si <X ::; 1t/6, la ecuacin (5-52) nos da que VII :2: cos(1t/6) 86.6%. Con una carga resistiva y una salida del 50%, la corriente de carga es discontinua. A partir de la ecuacin (5-52a), 0.5 (l/{"'J) [1 + cos(rc/6 + <X)), lo que da el ngulo de retraso <X = 67.7. (b) La corriente promedio de salida, Icd Vcd/R 70.23/10 702 A. De la ecuacin (5-53a), Vnns 94.74 V Y la corriente rms de carga Inns 94.74/10 9.47 A.

= =

152

Los rectificadores controlados

Cap. 5

(e) La corriente promedio de un tiristor, lA = IdJ3 = 7.02/3 = 2.34 A Y la corriente media cuadrtica de un tiristor IR = InnJ.J3 = 9.47/-3 = 5.47 A. (d) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de rectificacin es 70.23 x 7.02 (94.74 x 9.47) 54.95%. (e) La corriente rms de la lnea de entrada es la misma que la corriente rms del tiristor, y la especificacin de volt-amperes de entrada, VI = 3Vjs = 3 _ 120.1 x 5.47 = 1970.84 W. De la ecuacin (3-49), TUF = 70.23 x 7.02/1970.84 = 0.25 es decir 25%. (f) La potencia de salida, Po = 2nnsR = 9.472 X 10:; 896.81 W. El factor de potencia de entrada, PF = 896.81/1970.84 = 0.455 (atrasado).

Nota. Debido al ngulo de retraso, ex, la componente fundamental de la corriente de lnea de entrada tambin est retrasada con respecto al voltaje de fase de entrada.

5-8 SEMICONVERTIDORES TRIFASICOS Los semiconvertidores trifsicos se utilizan en aplicaciones industriales hasta el nivel de 120 kW, en los que se requiere de una operacin de un cuadrante. Conforme aumenta el ngulo de retraso se reduce el factor de potencia de este convertidor, aunque es mejor que el de los convertidores trifsicos de media onda. En la figura 5-8a se muestra un semiconvertidor trifsico con una carga altamente inductiva, la corriente de carga tiene un contenido de componentes ondulatorias despreciable. La figura 5-8b muestra las formas de onda de los voltajes de entrada, del voltaje de salida, de la corriente de entrada y de la corriente a travs de los tiristores y diodos. La frecuencia del voltaje de salida es 3fs. El ngulo de retraso, ex, se puede variar desde O hasta 1t. Durante el perodo 1t/6 ::;ro( < 71t/6, el tiristor TI tiene polarizacin directa o positiva. Si TI se dispara en rol = (1t/6 + ex), TI y DI conducen y el voltaje de lnea a lnea Vea aparecer a travs de la carga. En ex = 1t/6, Vea empieza a ser negativo y el diodo de marcha libre Dm conduce. La corriente de carga continuar fluyendo a travs de Dm, y TI Y DI se desactivarn. Si no existe un diodo de marcha libre, TI contina conduciendo hasta que el tiristor T2 se dispara en rol = 51t/6 + ex y la accin de marcha libre a travs de TI y D2. Si ex ::; 1t/3, cada tiristor conduce durante 21t/3 y el diodo de marcha libre D no conduce. La formas de onda de un semiconvertidor trifsico con ex ::; 1t/3 se muestran en la figura 5-9. Si definimos los tres voltajes dcllnea a neutro como sigue:
Van Vhn

= V", sen = Vm

wt sen(wt _ 2;) (wt + 2;),


V", sen Vm sen

Ven

Vm sen

Los voltajes lnea a lnea correspondientes son


Vae

= =

Van -

Ven

= =

V3 V3

(wt - ~) (wt _
5;)

Vha

Vhn -

Van

Sec.5-8

Semiconvertidores trifsicos

153

,
a

l. v.o
Vc

T,

,
~ Tz lb le
IT2
03 103

T3

lo

.1.

\n bt
e

ir3

j)Dm

Carga altamente Inductiva

02 102

O,
ID,

10m

(a) Circuito '~ctivado

__ ..

O~~++~~--~--~~~~~~--~--~HH-rrr~~----~~t+++~~~--~wt

_J __ I I

van

o
iTl. ID,

O
IT2. i02

O O

~-----------+----------------~--~----------~~----------------~wt
~

+a

IT3.103 10m

O
i I,

O
(b) Formas de onda para a = 90'

Figura 5-8

Serniconvertidor

trifsico.

-'~---------------------------------------------------~~~---------~~---~~ '154 Los rectificadores controlados Cap. 5

Activado v

T,D3 T2D, T3D2 T,D3 1:3 D3"1--1__ ._T_,_D_'-.I_. __ ".... 4_T_2_D2_ ..-j_4_T_3_D_l--Jo-1

(l)t

(l)t

o
in la O i02 la O in la O i03 la O iT3 la

1t

'6 6

~+a

r---~-----------; ,,
(l)t

"2

1t

~'+a: 6. :

(l)t

1t

6, '6 ,,

!!-+a

,, ,

(l)t

~+a:

6, ,

'0:+(1:

(l)t

6: ,
,, ,

r:------------~---,
(l)t

2"

io,

la

O~--~--------------~------~~-+--------~----'6
1t

(l)t

ia
la

~-r--~~----------~~------~--~--------~----'_
'6
n

2"
~+a

(l)t

(l)t

-la

Figura 5-9

Scmconvertidor trifsico para (1~ rc/3.

Sec.5-8

Semi convertidores trifsicos

155

Veb

Ven -

Vhn

\13 Vm sen \13 Vm sen

(wt (wt

+ ~) + ~)

Vah = van -

Vhn =

donde Vm es el voltaje pico de fase de una alimentacin conectada en estrella. Para a. ~ n/3 y un voltaje discontinuo de salida: el voltaje promedio de salida se determina a partir de
Ved

3 =21T =

J77T/6 7T/6+"

Vac

d(wt)

3 J77T/6 r: = -2 V3 Vm 1T 7T/60
(X

( 1T) sen wt - -6 d(wt) (5-54)

3\13 21T Vm (1 +

COS

)
a. = Oes Vdm = 3{3 Vm/n
(5-55)

El mximo voltaje promedio de salida que ocurre a un ngulo de retraso y el voltaje promedio de salida normalizado es

Vn

=-

Ved

v.,

0.5(1

+ cos

a)

El voltaje rms de salida se determina a partir de

Vrms

_ [3 21T
-

J77T/6 7T/6+"

3 V m sen

2 (

wt

_~)

6 d(wt)

] 1/2

(5-56)

= \13

3 ( 1 )] Vm [ 41T 1T - a + "2 sen 2a

1/2

Para

a. .:;n/3, y un voltaje de salida continuo:


== -23 1T Ved
[J7T/2 Vah 7T/6+<>

ved
Vil

d( wt)

J57T/6+<> Vae 7T/2

d(wt)

] =

3\13 21T v, (1

cos o) <-<

(5-54a)

=V =
dm

0.5( 1 + cos a)

(5-55a)
] 1/2

3 Vrms = [ -2 1T

J7T/2 7T/6+" V~h

d(wt)

+ J57T/6+" 7T/2

V;c

d(wt)
1/2

(5-56a)

= \13 Vm [ 41T Ejemplo 5-9

3 (21T

"3 + \13

cos- a

)]

Repita el Ejemplo 5-8 para el semiconvertidor trifsico de la figura 5-8a. Solucin El voltaje de fase es Vs 208/"3 = 120.1 V, Vm ,f}Ys 169.83, Vn n. El voltaje de salida mximo es .

= 0.5 y R = 10

Vd
m

3V3 Vn
7T X

3V3 x 169.83
7T

280.9 V

El voltaje promedio de salida Ved = 0.5

208.9 = 140.45 V.

156

Los rectificadores controlados

Cap. 5

(a) Para ex. ~ rt/3 y la ecuacin (5-55), obtenemos VII ~ (1 + cos rt/3)/2 75%. Con una carga resistiva y una salida del 50%, el voltaje de salida es discontinuo. De la ecuacin (5-55), 0.5 0.5/(1 + cos ) lo que nos da un ngulo de retraso ex. 90. (b) La corriente promedio de salida Icd Vcd/R 140.45/10 = 14.05 A. De la ecuacin (5-56),

Vrms

= V3

x 169.83 [:17'

(17' -

i + 0.5
= =

sen 2 x 90) ] 1/2

180.13 V

Y la corriente de carga rrns lnns 180.13/10 18.01 A. (e) La corriente promedio de un tiristor lA Icd/3 14.05/3 un tiristor IR InnJ{3 18.01/~3 10.4 A. (d) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de rectificacin es

= 14.68 A Y la corriente

rms de

140.45 x 14.05 TI = 180.13 x 18.01

= 0.608 o 60.8%

(e) Dado que un tiristor conduce durante 2rt/3, la corriente de lnea rms de entrada es ls = lrms ~ -213 14.71 A. La especificacin en volt-amperes de entrada, VI 3VJs 3 x 120.1 x 14.71 5300. De la ecuacin (3-49), TUF 140.45 x 14.05/5300 0.372. (f) La potencia de salida Po = Pnns R = 18.01' x 10 3243.6 W. El factor de potencia de entrada es PF = 3243.6/5300 = 0.612 (atrasado).

Nota. El factor de potencia es mejor que el de los convertidores trifsicos de media onda. 5-8.1 Semiconvertidores trifsicos con carga RL

El voltaje de salida del semi convertidor trifsico de la figura 5-8a ser continuo o discontinuo dependiendo del valor del ngulo de retraso a. En cualquier caso la forma de onda de salida se puede dividir en dos intervalos. Caso 1: voltaje de salida continuo. Para a ::; rt/3, la forma de onda del voltaje de salida aparece en la figura 5-9. Intervalo 1 para rt/6 + a ~ rol ~ rt/2: conducen el tiristor TI y el diodo D3. El voltaje de salida se convierte en
Va

Vab

= v2 Vab sen (wt + ~)

para

'6 + el! ::5 wt

7r

::5

'2

7r

donde Vab es el voltaje rms lnea a lnea de entrada. La corriente de carga tu durante el intervalo 1 se puede determinar a partir de L dhl. dt + RlL1 + E = rx .( v 2 Vab sen wt

7r) + '6

con las condiciones lmite Ll(rol = rt/6 + a) lt e iLl(rol = rt/2) lu. Intervalo 2 para rt/2 s rot::; 5rc/6 + a: conducen el tiristor TI y el diodo DI. El voltaje de salida se convierte en
Vo

Val'

= v2

V(lC

sen (wt ~~)

Sec.5-8

Semiconvertidores trifsicos

157

La

corriente de carga iL2 durante el intervalo 2 se puede determinar a partir de


diL2. + RIL2 + E L dt
=
~ ;:;-

7T) v 2 V,/(' sen ( wt - 6"

con las condiciones lmite iL2((J.)( = rc/2)= fu e L2(ro( = 5rc/6+ a) = Ii.


Caso 2: voltaje de salida discontinuo. Para a ~ rc/3, la forma de onda del voltaje de salida se muestra en la figura 5-8b. Intervalo 1para rc/2~ rot ~ rc/6 + a: conduce el diodo Dm. El voltaje de salida es cero, Vo = O para rc/2~ ex ~ rc/6 + a. La corriente de carga iLl durante el intervalo 1 se puede determinar a partir de L

dt +

di.,

. RILl

+E

para 2"

7T
:S

wt

:S

6" + a

7T

con las condiciones lmite L,(wt = rc/2)= fr.", e iu(ro( = rc/6+ a) = fu. Intervalo 2 para rc/6 + a s ro( s 7rc/6:conducen el tiristor T, y el diodo DI. El voltaje de salida se convierte en
V(/

Vac

= v2

Vac

sen (wt -

i)

para 6" + a

7T

:S

wt

:S

'6

77T

donde Vca es el voltaje rms lnea a lnea de entrada. La corriente de carga iL2 durante el intervalo 2 se puede determinar a partir de
diL2. + RlL2 + E = v;:;7T) L dt 2 Vac sen ( wt - 6"

para 6" + a

7T

:S

wt

:S

'6

77T

con las condiciones lmite 1L2(WI = rc/6+ a) = lt: e h2(W( = 7rc/6) = lu-

59 CONVERTIDORES TRIFASICOS COMPLETOS

Los convertidores trifsicos se utilizan ampliamente en aplicaciones industriales hasta el nivel de 220 kW, en las que se requiere de una operacin en dos cuadrantes. En la figura 5-l0a se muestra un circuito de convertidor completo, con una carga inductiva alta. Este circuito se conoce como puente trifsico. Los tiristores se disparan a intervalos de rc/3.La fr~ncia d[ voltaje de la componente ondulat~~iade saj<Ja es 6j; siendo la necesidad de "{iltraje menor~quelade1OSco-verti.dores trifSicos'semi y de meda ondi:-"lt =-1i16"+a:;-eur'slor'T'ya conduce y' eIlistorr;- se -activa~-Durte el interva'(rc/6'+'0,) s rol s (rc/2+ a) conducen los tiristores TI y T6 y a travs de la carga aparece el voltaje lnea a lnea Vab(= Van - Vbn). En rol = rc/2 + a, el tiristor T2 se dispara y el tiristor T6 de inmediato invierte su polaridad. T6 se desactiva debido a la conmutacin natural. Durante el intervalo (rc/2+ a) ::;ex ::;(5rc/6+ a), los tiristores TI y T2 conducen y el voltaje de lnea a lnea, Vca, aparece a travs de la carga. Si los tiristores se numeran tal y como se muestra en la figura 5-10a, la secuencia de disparo es 12,23,34,45,56 y 61. En la figura 5-10b aparecen las formas de onda para el voltaje de entrada, para el voltaje de salida, para la corriente de entrada y las corrientes a travs de los tiristores.
158 Los rectificadores controlados

Cap. 5

o
+0 in + l.

CAlt

O
ilO

CAlt

6" " +0
i,

.!! + o 6

+ l.
CAlt

O il O
io

CAlt

" 6"

+0

.!.11I. +.,
6
Corriente de carga

l. O
lb) Formas de onda

wt

a .lr/3

Figura 5-10

Convertidor trifsico completo.

Sec.5-9

Convertidores trifsicos completos

159

Si los voltajes de lnea a neutro se definen como


Van

= Vm = Vm

sen

Vhn

wt sen (wt _

2;)

Ven

v, sen(wt +

2;) i)

los voltajes lnea a lnea correspondientes son


Vah

=
=

Van -

Vhn

= Y3 Vm sen (wt +
=

Vhe

Vhn -

Ven

Y3 v, sen (wt

- ~)

Vea

Ven -

Van

Y3 Vm sen (wt + ~)

El voltaje promedio de salida se determina a partir de


Ved

3 J"12+'" ='TT "16+,,

Vah

d(wt) = -

'TT ,,16+a

3 J"I2+"

Y3 Vmsen

('TT) wt + -6 d(wt}

El mximo voltaje promedio de salida, para el ngulo de retraso ex= Oes


V dm -

3Y3 Vm 'TT

y el voltaje promedio de salida normalizado es Vn = Vdm =


Ved
COS ex

(S-58)

El valor rms del voltaje de salida se determina a partir de Vrms 3 = [ ;.


J"12+"
"16+,,

('TT)] 3 V~ sen? wt +
1

6"

d(wt}

112 (5-59)

= Y3 Vm ( "2 +

3Y3
4'TT
COS

)112

2a:

En la figura 5-1 Obse muestran las formas de onda para ex= re/3. Para ex> re/3, el voltaje instantneo de salida v, tendr una parte negativa. Dado que la corriente a travs de los tiristores no puede ser negativa, la corriente de carga ser siempre positiva. Por lo tanto, en el caso de una carga resistiva, el voltaje de carga instantneo no puede ser negativo, y el convertidor completo se comportar como un semiconvertidor.
160 Los rectificadores controlados

Cap. 5

Un puente trifsico.origina un voltai~.J1.e._sallila_de seis pul~s.._Eara_.apli.caciQn~~9~l_ta potencial. 9QIDoJatransmisin .de ca d.~.. aIto v()l,,il<yJ.propuls.iqn.<le 1ll0t9r~.s4ecd, se requiere nor-malmente de una salida.Q~_lf.'pulsos para rcduc:irJ.~ C:9mponentesondulatorias de-sailda 'y para a~-mentarlifrecuenci; de las nl"islnas;'Paraproducir una salldaefecdva de 12'plss sepuede' 'combinar dbs-ptietes'oe seisJulsos en serie o en paralelo. En la figura 5-11 se presentan dos configuraciones. Mediante la conexin de uno de los secundarios en estrella (Y) y el otro en delta (.1) es posible obtener un desplazamiento de fase de 30 entre los embobinados secundarios. Ejemplo 5-10 Repita el ejemplo 5-8 para el convertidor completo trifsico de la figura S-lOa. Solucin El voltaje de fase es Vs = 208/-1 3 = 120.1 V, Vm = {2Vs = 169.83, Vn = 0.5, Y R = 10 Q. El voltaje mximo de salida Vdm = 3 {3 V mire= 3-1"3 x 169.83/re = 280.9 V. El voltaje promedio de salida Ved = 0.5 x 280.9 = 140.45 V. (a) De la ecuacin (5-58), 0.5 = cos a, y el ngulo de retraso a = 60. (b) La corriente promedio de salida Icd = VcctlR = 140.45/10 = 14.05 A. De la ecuacin (5-59), Vrm,
=

Y3

1 3Y3 ] 1/2 x 169.83 [ 2 + 41T cos(2 x 60)

159.29 V

y la corriente nns Inns = 159.29/10 = 15.93 A. (c) La corriente promedio del tiristor lA lal/3 14.05/3 tiristor IR 1rrrJ3" 2/6 15.93" 2/6 = 9.2 A. (d) De la ecuacin (3-44), la eficiencia de rectificacin es

= 4.68 A Y la corriente nns de un


77.8%

= 140.45 x 14.05 159.29 x 15.93

O 778 .

(e) La corriente de lnea de entrada nns Is Irrns " 4/6 13 A Y la clasificacin de volt-arnperes de entrada, VI 3VJs 3 x 120.1 x 13 4683.9 W. De la ecuacin (3-49), TUF 140.45 x 14.05/4683.9 = 0.421. (f) La potencia de salida Po 2rrnsR = 15.932 x 10 = 2537.6 W. El factor de potencia PF = 2537.6/4683.9 = 0.542 (atrasado).

Nota. El factor de potencia es menor que el de los semiconvertidores que el de los convertidores trifsicos de media onda.
Ejemplo 511

trifsicos, pero mayor

La corriente de carga del convertidor completo trifsico de la figura 5-lOa es continua con un contenido de componentes ondulatorias despreciable. (a) Exprese la corriente de entrada en series de Fourier, determinando el factor armnico HF de la corriente de entrada, el factor de desplazamiento DF y el factor de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de retraso o. = 1C/3, calcule V"' HF, DF y PF. Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura 5-10b y la corriente instantnea de entrada de una fase puede expresarse en una serie de Fourier de la forma
i,.(t)

Ide +
n~

1.2 ...

(an cos nwt

+ b; sen nwt)

Sec.5-9

Convertidores trifsicos completos

161

(a) Serie

(b) Paralelo

Figura S}} Configuraciones para una salida de 12 pulsos.

162

Los rectificadores controlados

Cap. 5

donde a.,

loo

I ]21T. = 21T' o ls(t)


= 1T'

d(wt)

a"

I ]21T i,(t) cos nwt d(wt) o

I = -'

1T'

[JI1T/6+" 1" cos


1T/6+"

nwt d(wt) -

JI 11T/6+" 1" cos


71T/6+"

nwt d(wt)

41a n1T' = - _ sen - sen na


n1T'

para n

1, 3, 5, . . .

para n

2, 4, 6, .

b;

= 1T'

I ]271' i,(t) sen nwt d(wt) o


[JI1T/6+a
rr/6+a

= -I
1T

1" sen nwt d(wt) para n

JII1T/6+a
71(/6+ a.

1" sen nwt d(wt)

= _"

41

n1T'

sen -3 cos na para n

n1T'

1, 3, 5, . . .

=O
Dado que
Icd

= 2, 4, 6, ...

= O, la corriente de entrada se puede escribir como


iJt) =
/1=

_
1.3.5 ...

v2 1", sen(nwt

+ ep,,)

donde a" = ep/1 = tan- l =

rux

b"

(5-60)

El valor rms de la corriente de la ensima armnica de entrada est dado por _1_'( 2 l en - _ r.:; a"

v2

1" n1T' +"b2)1/2 _ - 2v2 sen -3 n1T'

(5-61)

El valor rms de la corriente fundamental es

Isl
La corriente rms de entrada

= -1" 1T'

V6

= 0.7797/"

J51T/6+" ] 1/2 ~ t, = [ -22 I~ d(wt) = 1" '3 = 0.8165/" 1T' ,,/6+0<

HF

[(;:Y epi
COS -

Ir

[(f - Ir

0.3108

O'

31.08%

DF = cos PF = Isl t,

= cos -a

=~ COS a = 1T'

0.9549 DF

Sec.5-9

Convertidores trifsicos completos

163

(b) Para

o. = 1t/3, Vn = cos(1t/3) = 0.5 pu, HF = 31.08%, DF = cos 60 = 0.5, y PF = 0.478 (atrs).

Nota. Si comparamos el factor de potencia con el del ejemplo 5-8, donde la carga es puramente resistiva, podremos notar que el factor de potencia de entrada depende del factor de potencia de la carga.

5-9.1 Convertidor trifsico completo con carga RL


De la figura 5-10b, el voltaje de salida es

u"

=
=

Uah

= v'2

Vah sen (wt

+ ~)

para

6" +

7T

o:

:S

wt wt

:S

2" +

7T

o:

v'2

Vah sen wt'

para

3"

7T

+ o:

,27T
:S

:S

3 + o:
Vab

donde (J)l' (J)l + 1t/6, Y Vah es el voltaje rms lnea a lnea de entrada. Seleccionando voltaje de referencia de tiempo, se puede encontrar la corriente de carga i a partir de diL + R'IL + E = ';;-2V L dt V L ah sen cuya solucin a partir de la ecuacin (3-81) es
tt.

como el

w t'

para

3" + o: :S wt

7T

,27T
:S

3 + o:

. = v'2 Vab sen(wt Z


LI

E
(J) -

R 3
(J efRILJI(1TI3+Q.)lw-t

(5-62) ,1

E - v'2 V"b + [1 + -

sen (7T)] - + o: -

donde Z valor de

2Te/3 + ex)

[R2 + (J)L)2]l/2 y e = tan" (J)LlR). En una condicin de rgimen = h(J)' = 1t/3 + ex) = lu. Aplicando esta condicin a la ecuacin

permanente, h(J)( (5-62), obtenemos el

lu como lu =

v'2
E
R

Vab sen(27T/3 + o: -

(J) -

sen(7T/3

+ o: -

(J)e-(RIL)f1T13w)

Z
para hl
2:

1_
O

e-(RIL)(1T13w)

(5-63)

Ejemplo 512* El convertidor completo trifsico de la figura 5-10a tiene una carga L = 1.5 rnH, R = 2.5 n y E 10 V. El voltaje de entrada. lnea a lnea es Vab 208 V (rms), 60 Hz, El ngulo de retraso es o. Te/3. Determine (a) la corriente de carga de rgimen permanente lt: en rol' = 1t/3 + o. (o tambin rol = 1t/6 + 0.), (b) la corriente promedio del tiristor lA, (e) la corriente rms del tiristor IR, (d) la corriente rms de salida Irrns y (e) la corriente promedio de salida led. Solucin o. 1t/3, R 2.5 n, L 1.5 mH, f 60 Hz, ro 21t x 60 377 rad/s, Vab 208 V, Z [R2 + (roL)2]l/2 256 n y 9 tan-1(roLJR)= 12,74. (a) La corriente de carga en rgimen permanente en rol' 1t/3 + 0., tu 20.49 A. (b) La integracin numrica de iL en la ecuacin (3-62), entre los lmites ro!' = 1t/3 + o. hasta 21t/3 + 0., proporciona la corriente promedio del tiristor, lA 17.42 A.

164

Los rectificadores controlados

Cap. 5

(c) Mediante la integracin numrica de 'f., entre los lmites rol' = re/3 + n hasta 2re/3+ e, obtenemosla corrienterms del tiristor IR = 31.32 A. (d) La corrienterms de salida Irrm ...J3JR -{3x 31.32 = 54.25 A. (e) La corrientepromediode salida lro = 3/A = 3 x 17.42 = 52.26 A.

5-10 CONVERTIDORES TRIFASICOS DUALES En muchos propulsores de velocidad variable se requiere normalmente de una operacin en los cuatro cuadrantes, y en aplicaciones hasta el nivel de los 2000 kW se utilizan en forma extensa convertidores trifsicos duales. En la fgura 5-12a se muestran convertidores trifsicos duales en los que dos convertidores trifsicos estn conectados espalda con espalda. Vimos en la seccin 5-5 que debido a diferencias instantneas de voltaje entre los voltajes de salida de los convertidores, fluye una corriente circulante a travs de los convertidores. La corriente circulante est por lo general limitada por el reactor circulante, L" tal y como se muestra en la figura 5-12a. Los dos convertidores estn controlados de tal forma que si al es el ngulo de retraso del convertidor 1, el ngulo de retraso del convertidor 2 es a2 = re- al. En la figura 5-10b se muestran las formas de onda de los voltajes de entrada, los voltajes de salida y el voltaje a travs del inductor L; La operacin de cada convertidor es idntica a la de un convertidor trifsico completo. Durante el intervalo (re/6 + al) :5: rol :5: (re/2 + al), el voltaje lnea a lnea Vab aparece a travs de la salida del convertidor 1 y Vbc aparece a travs del convertidor 2. Si los voltajes lnea a neutro se definen como
V"n Vhn

= VI/1 sen

wt = VIII sen (wt _ 2;)


= V,,, sen

Ven

(wt

2;)
(wt (wt
+ ~)

los voltajes correspondientes lnea a lnea son


V"h

Viln -

Vhn

V3

Vm sen

Vhe

=
=

Vhn -

Vcn

= V3
=

V,,, sen
Vm sen

(wt - ~)
+

Vea

Ven -

Viln

V3

5;)

Si Vol Y Vo2 son los voltajes de salida de los convertidores 1 y 2, respectivamente, el voltaje instantneo a travs del inductor durante el intervalo (re/6 + al) :5: rol:5: (re/2 + al) ser
VI' = Vol

Vo2

Vah -

Vhc

V3 v, [ sen (wt + ~) -

sen

(wt - ~) ]

(5-64)

= 3 Vm cos

(wt - ~)
165

Sec.5-10

Convertidores trifsicos duales

b.
ic 2

b.
2

++v-

-t-

-jio

v-

r,
a
b

Tz
+
(a) Circuito Activado

~ __~

-L.~

L-

-L

~wt

._-------------+I.---q~2--+I~

Voltaje del inductor

(b) Formas de onda

Figura 5-12 166

Convertidor trifsico dual.

Los rectificadores controlados

Cap. 5

La corriente circulante se puede determinar a partir de


1,.(1)

=
=

-L
W

I fWI
l'

V,. d(wt)

"!('dul

-L

l fWI
rr/6-ful

W r

3 VIII cos

(7T) wt

-6

d(wt)

(5-65)

3 VII7 wL r

sen (7T) wt -

6" -

sen al ]

La corriente circulante depende del ngulo de retraso al Y de la inductancia L; Esta corriente se hace mxima cuando (1)( = 21t/3 y al = O. Aun en ausencia de cualquier carga externa, los convertidores estaran activados continuamente debido a la corriente circulante como resultado de un voltaje de componente ondulatoria a travs del inductor. Esto permite una inversin suave de la corriente de carga durante el paso de una operacin de un cuadrante a otro proporcionando respuestas dinmicas rpidas, especialmente en el caso de propulsiones de motores elctricos.

5-11 MEJORAS AL FACTOR DE POTENCIA


El factor de potencia de los convertidores controlados por fase depende del ngulo de retraso a, y es por lo general bajo, especialmente en rangos bajos del voltaje de salida. Estos convertidores generan armnicas en la alimentacin. Las conmutaciones forzadas pueden mejorar el factor de potencia de entrada y reducir los niveles de armnicas. Estas tcnicas de conmutacin forzada son cada vez ms atractivas para la conversin de ca a cd. Con los adelantos tecnolgicos en dispositivos semiconductores de potencia (por ejemplo los tiristores con desactivacin por compuerta) la conmutacin forzada se puede poner en operacin en sistemas prcticos. En esta seccin se analizarn las tcnicas bsicas de la conmutacin forzada para convertidores de ca a cd, que se pueden clasificar como sigue:

1. Control del ngulo d~ extinci:


2. Control del ngulo simtrico 3. Modulacin del ancho de pulso 4. Modulacin senoidal del ancho de pulso

5-11.1 Control del ngulo de extincin


En la figura 5-13a se muestra un semiconvertidor monofsico, en el que los tiristores TI y T2 han sido reemplazados por los interruptores SI y S2. Las acciones de conmutacin de SI y S2 pueden llevarse a cabo por tiristores de desactivacin por compuerta (GTO). Las caractersticas de los GTO son tales que un GTO se puede activar mediante la aplicacin de un corto pulso positivo a su compuerta, como en el caso de los tiristores normales, y se puede desactivar mediante un corto pulso negativo a su compuerta. En el control del ngulo de extincin, el interruptr SI es activado en (1)( O y desactivado mediante conmutacin forzada en (1)( = 1t - ~. El interruptor S2 es activado en (1)( 1t Y desactivado en (1)( (21t - ~). El voltaje de salida se controla mediante la variacin del ngulo de extincin, ~. En la figura 5-13b se muestran las formas de onda para el voltaje de entrada, el voltaje de salida, la corriente de entrada y la corriente a travs de los tiristores interruptores.

Sec.5-11

Mejoras al factor de potencia

167

y. = Vm sen rot

wt
iTl l. O in l.

wt wt
iam

. Sl:-~
+

r- ~_, ,
'-_ _..J
1

in

-, +1 i\ 5
21 1
1

O io l.

L_ ....J
in

Yo

y.

i.

Om

O
Carga

..wt
i.

01

~ O2 iOM

I.~---------------------------ol--------------------wt
(b) Formas de onda

Corriente de carga

(a) Circuito

Figura 5-13 Scmiconvertidor monofsico de conmutacin forzada.

La componente fundamental de la corriente de entrada est adelantada respecto al voltaje de entrada, y el factor de desplazamiento (as como el factor de potencia) esta en adelanto. En algunas aplicaciones, esta caracterstica puede ser conveniente para simular una carga capacitiva y compensar por cadas de voltaje en lnea. El voltaje promedio de salida se determina a partir de
Ved

-22

1"-13 Vm sen wt
o

d(wt)

= -v, (1 ~

+ cos {3)

(5-66)

y Vcd se puede variar desde 2V mire hasta O, variando dado por

P de O hasta re. El voltaje rms de salida est

Vrms

2 ("-il ] 1/2 [ 2~ Jo V~nsen? wt d(wt) (5-67)

_ 1/2 _- Vm [1 - ( ~-f3+-- sen 2f3)]

v'2

tt

En la figura 5-l4a aparece un convertidor monofsico completo, en el que los tiristores TI,

T2, T3 Y T4 han sido reemplazados por interruptores de conmutacin forzada SI, S2, S3 y S4. Cada
uno de los interruptores conduce durante 180. Los interruptores SI y S2 estn ambos activos desde rol = Ohasta rol = re- p y proporcionan potencia a la carga durante el medio ciclo positivo de
168 Los rectificadores controlados

Cap. 5

53 y 54 estn activos desde ro( 1t hasta ex y proporcionan potencia a la carga durante el medio ciclo negativo del voltaje de entrada. En caso de cargas inductivas, debe proporcionarse una trayectoria de marcha libre para la corriente de carga mediante los interruptores 5,54 o bien 5352 La secuencia de disparo sera 12, 14,43 Y 32. En la figura 5-14b se puede observar las formas de onda para el voltaje de entrada, para el voltaje de salida, para la corriente de entrada y para las corrientes a travs de los interruptores. Cada interruptor conduce durante 1800 operndose este convertidor como un semiconvertidor. La accin de marcha libre se lleva a cabo a travs de dos de los interruptores de un mismo brazo. Los voltajes de salida promedio y rms se expresan en las ecuaciones (5-66) y (5-67), respectivamente. El rendimiento de los convertidores semi y completos con control de ngulo de extincin es similar a los de control de ngulo de fase, excepto porque el factor de potencia es adelantado. En el caso del control por ngulo de fase, el factor de potencia es atrasado.
voltaje de entrada. En forma similar, los interruptores
1t _ ~

5-11.2 Control del ngulo simtrico El control del ngulo simtrico permite la operacin en un cuadrante, en la figura 5-13a se muestra un semiconvertidor monofsico con interruptores S, y 52 de conmutacin forzada. El interrupv. Vm
_-

S, S2 I S, s,
V.

S,S3

1s3s21

= Vm sen eor

in

in

r-,IS ,)
+
o-t

~-i S 1+

o f-i.-T2--...J...------L-_,:..---.L...-wl
iQ=.I
f-'->---,I.

_V._it_L..I-TI-\,_-,_I_' _~_- ...

-t '.I c.~.I

O~--~----~-------'_-~ 2" - fJ 1
,

rI "'l

..,
'S
I

~ -f-_J

1.1-------------(a) Circuito

O~---------------~
(b) Formas de onda

Corriente de carga

Figura 5-14

Convertidor monofsico completo de conmutacin forzada.

Sec.5-11

Mejoras al factor de potencia

169

'.",";"

..;;.".,,,-......

_---------------------~~-----------

tor SI se activa en wt = (1t - ~)/2 y se desactiva en Wt = (1t + ~)/2. El interruptor S2 se activa en Wt (31t - ~)/2 y se desactiva en Wt = (31t + ~)l2. El voltaje de salida es controlado mediante la va-

riacin del ngulo de conduccin ~. Las seales de compuerta son generadas al comparar las ondas semisenoidales con una seal de cd, tal y como se muestra en la figura 5-15b. La figura S-ISa muestra las formas de onda del voltaje de entrada, del voltaje de salida, de la corriente de entrada y de la corriente a travs de los interruptores. La componente fundamental de la corriente de entrada est en fase con el voltaje de entrada, y el factor de desplazamiento es la unidad. De tal forma, el factor de potencia queda mejorado. El voltaje promedio de salida se encuentra a partir de
V cd

= -27T'

f(lT+/3)/2 (lT-{3)/2

Vm sen wt d(wt)

= -,sen -2 7T'

2Vm

f3

(5-68)

y al variar ~ desde 1t hasta O, se puede variar Ved desde 2V"J1t hasta O. El voltaje rms de salida est dado por
Vrms

_ [l_ 2
-

f(lT+{3)/2 (lT-{3)/2

7T'

V", sen wt d(wt)

] 1/2

(5-69)

= ~

[l

-; (f3

+ sen f3)

] 1/2

Ejemplo 5-13 El convertidor completo monofsico de la figura 5-14a se opera con control de ngulo simtrico. La corriente de carga con un valor promedio de la es continua, siendo la componente ondulatoria despreciable. (a) Exprese la corriente de entrada del convertidor con una serie de Fourier y determine el factor armnico HF de la corriente de entrada, el factor de desplazamiento DF y el factor de potencia de entrada PF. (b) Si el ngulo de conduccin es b 1t/3 Y el voltaje pico de entrada es V", = 169.83 V, calcule Ved, Vrms- HF, DF Y PF. Solucin (a) La forma de onda para la corriente de entrada aparece en la figura S-ISa, y la corriente instantnea de entrada se puede expresar con una serie de Fourier de la forma

s(t)

Ide

+
ti=

" :
1.2" ..

(a" cos nwt

+ b, sen nwt)

donde
a

Icd

[J(lT+{3)/2 = -2l 1T (,,-{j)/2

1" d(wt) -

Ji3"+{3)/2

13,,-{3l/2

, 1" d(wt)

== O

an = -I
7T'

f2rr
o

i,(t) cos nwt d(wt) = O '


s(t) sen nwt d(wt) 4/" =sen-n{3 2 n1T

b, == -

J21r
o

1T

para n = 1, 3, . . .

=O
Dado que lro

para n

2, 4, ...

= O, la corriente de entrada se puede escribir


,(t)

,,= 1.3.5""

" : v2 1" sen(nwt

+ 1J,,)

(5-70)

170

Los rectificadores controlados

Cap. 5

Vs

Vm

o
Vo

wt

Vm

o
isl

wt

o
is2

wt

o
is

1t

21t sI

wt

o
io

, ,
Corriente de carga

,(J)t

la O

(a)
V

wt

v,

A, -Ac
O

'1

Ve

wt

O
(b)

wt
Figura 5-15 Control del ngulo simtrico.

Sec.5-11

Mejoras al factor de potencia

171

.. <.l'.#"' ..... """ ....

donde al/ cp = tan- 1 = O hl/


1/

(5-71)

El valor rms de la corriente de entrada de la ensima armnica est dado por

ISIl - ,

__ 1_ 2 2 1/2 ;;- (al/ + h,,) v2


1,1 =
.

2\12 1(/
ntt

sen nf3 2

(5-72)

El valor rms de la corriente fundamental es

2\12 1(/sen!i2 n

(5-73)

La corriente rms de entrada se encuentra como

I,=I(/~
= [ (1"1

(5-74)
1

HF

)2

]1/2

- 1

[n f3 4( 1 sen!i

cos f3) -

]1/2

(5-75) (5-76)

DF = cos ePI PF

l
=

= (~)

1,

DF

V3;

2\12

(5-77)

(b) ~ :: n/3 y DF:: 1.0. De la ecuacin (5-68)


Ved

(2

169.83) tt -n- sen '6

54.06 V

De la ecuacin (5-69),

1.11 = 1(/ ~ 15

tt = 0.45021" ( 2\12) sen '6

= t,~ = =
[

0.5774(,
]

HF PF

e,J I
1

1 '-

1"

0.803

80.3%

= I;,1 =

0.7797 (atrasado)

Nota. El factor de potencia ha mejorado en forma significativa, aun ms alto que el del convertidor monofsico completo en serie de la figura 5-6a. Sin embargo, el factor armnico ha aumentado. 5-11.3 Control por modulacin del ancho de pulso Si se controla el voltaje de salida de los convertidores monofsicos semi o completos, mediante la variacin del ngulo de retraso, el ngulo de extincin o el ngulo simtrico, slo habr un pulso 172
Los rectificadores controlados

Cap. 5

por cada medio ciclo en la corriente de entrada del convertidor, como resultado la armnica de menor orden ser la tercera. Resulta difcil filtrar una corriente armnica de orden menor. En el control por modulacin del ancho de pulso (PWM), los conmutadores del convertidor se cierran y se abren varias veces durante medio ciclo, el voltaje de salida se controla variando el ancho de

los pulsos. Las seales de compuerta se generan comparando una onda triangular con una seal de corriente directa, tal y como se muestra en la figura 5-16b. La figura 5-16a muestra el voltaje de entrada, el voltaje de salida y la corriente de entrada. Se pueden eliminar o reducir armnicas de orden menor, si se selecciona el nmero de pulsos por medio ciclo. Sin embargo, al aumentar el nmero de pulsos aumentar tambin el nmero de armnicas de orden ms alto, que se podrn filtrar con facilidad. Se puede determinar el voltaje de salida y los parmetros de rendimiento del convertidor en dos pasos: (1) considerando slo un par de pulsos, tales que si uno de ellos inicia en ro( = al y termina en ro( = al + 01, el otro empieza en ro( = 1t + al y termina en ro( = (1t + al + 01), Y (2) combinando los efectos de todos los pares. Si el pulso de orden m se inicia en ro( = am, y su ancho es Om, el voltaje promedio de salida debido a un nmero p de pulsos se encuentra a partir de

Ved

~ [2 ';:1
f
7T

27T

J"",Hm u"'

Vm sen wt d(wt)

]
(5-78)

v'n =-

L.,;
111=1

[cos am - cosro.,

+ om ) ]

Si la corriente de carga con un valor promedio de la es continua y tiene una componente ondulatoria despreciable, la corriente instantnea de entrada se puede expresar con una serie de Fourier de la forma
(,(t)

Icd

+
II~

ce

ta; cos rut

+ b; sen nw()

(5-79)

1.3....

En vista de la simetra de la forma de onda de la corriente de entrada, no existirn armnicas pares, e Icd deber ser O y los coeficientes de la ecuacin (5-79) son a;

= ;. Jo =
L.,;

(27T

(,(t) cos ruat d(w()

~ [1

m=1

11'

J"mH",
(tm

la cos nost d(w) - -

1 J7T+"",H",
+
11'

7T

am

la cos non d(w()

] =O
(5-80)

b;

1 27T ,(t) =7T o .

sen non d(wt)

:21

[1 ;.
p
m=1

J"m+8m
a.;

la sen non d(wt) -;.


.

1 J7T+a.,+~;, 7Th",

la sen

nost d(wt)

=
sse.s-i

21
_0

n7T

2: [cos na.; -

eos n(am

+ om)]

para n

1, 3, 5, . .

Mejoras al factor de potencia

173

wt
Vo

OP-~~~~~~-L~~~~~~~~US1

_
(l)t

!t', ,

: 2!t

31t

(l)t

!t:

!t + {1m

:2!t

3.1t

(ot

la

,1--------------------corrtente ;de;ca;rga
(l)t (.a) v

o~-----------------------------------

11: Vg2

mt

o
lb)
Figura 5-16 Control por modulacin de ancho de pulso.

174

Los rectificadores controlados

Cap. 5

La ecuacin (5-79) se puede reescribir


i".(t) =

11=i,3 ....

oc

v'2 In

sen(nwt

+ <Pn)

(5-81 )

5-11.4 Modulacin senoidal del ancho de pulso Para controlar el voltaje de salida se puede variar el ancho de los pulsos. Si cada medio ciclo existen p pulsos de igual ancho, el ancho mximo de un pulso es re/p. Sin embargo, el ancho de los pulsos puede ser diferente. Es posible seleccionar el ancho de los pulsos, de forma que ciertas armnicas sean eliminadas. Existen distintos mtodos para variar el ancho de los pulsos, siendo el ms comn la modulacin senoidal del ancho de pulso (SPWM). En el control senoidal PWM, tal y como se muestra en la figura 5-17, se generan los anchos de pulso comparando un voltaje de referencia triangular Vr de amplitud A, y de frecuencia ir, con un voltaje semisenoidal portador Ve de amplitud variable Ae y de frecuencia 2is. El voltaje senoidal Ve est en fase con el voltaje de fase de entrada Vs y tiene dos veces la frecuencia de la alimentacin i; El ancho de los pulsos (y el voltaje de salida) vara al modificar la amplitud Ae o el ndice de modulacin M desde Ohasta 1.

Seal portadora

A,

v,

",1 6", I in O 16m


I I + l. wl

I
n

2"

3"

Corriente de carga

O~------------------------------------------_'wl
Figura 517 Control senoidal del ancho de pulso.

sse.s-i

Mejoras al factor de potencia

175 \

El ndice de modulacin se define como

M=A,.

A,

(5-82)

. En un control con modulacin senoidal del ancho de pulso, el factor de desplazamiento es la unidad y el factor de potencia se mejora. Las armnicas de orden menor se eliminan o se reducen. Por ejemplo, con cuatro pulsos por medio ciclo, la armnica de orden ms reducido es la quinta; y con seis pulsos por medio ciclo, la armnica de orden menor es la sptima. Se pueden utilizar programas de computadora para evaluar los rendimientos del control PWM uniforme y PWM senoidal, respectivamente. 5-12 DISEO DE CIRCUITOS CONVERTIDORES Para disear circuitos convertidores es necesario determinar las especificaciones de los tiristores y diodos. Los tiristores y los diodos se especifican mediante la corriente promedio, la corriente rms, la corriente de pico y el voltaje de pico inverso. En el caso de los rectificadores controlados, las especificaciones de corriente de los dispositivos dependen del ngulo de retraso (o de control). Las especificaciones de los dispositivos de potencia deben disearse para la condicin del peor caso, que ocurre cuando el convertidor entrega el voltaje de salida promedio mximo VdmLa salida de los convertidores contiene armnicas que dependen del ngulo de control (o de retraso) y en la condicin de peor caso generalmente prevalecen bajo la condicin de voltaje de salida mnima. Se deben disear los filtros de entrada y de salida bajo condiciones de voltaje mnimas de salida. En el diseo de convertidores y de filtros los pasos necesarios son similares a los del diseo de circuitos de rectificadores de la seccin 3-13.
Ejemplo 5-14 Un convertidor trifsico completo se opera a partir de una alimentacin de 230- V 60-Hz. La carga es altamente inductiva y la corriente promedio de carga es la 150 A con un contenido de componente ondulatoria despreciable. Si el ngulo de retraso es a re/3, determine las especificaciones de los tiristores. Solucin Las formas de onda para las corrientes de tiristor se muestran en la figura (5-lOb), Vs = 230/...[3= 132.79 V, Vm = 187.79 V ya = re/3. De la ecuacin (5-57), Ved = 3({31t) X 187.79 X cos(1t/3) = 155.3 V. La potencia de salida Pcd = 155.3 X 150 = 23,295 W. La corriente promedio a travs del tiristor lA = 150/3 = 50 A. La corriente rms a travs de un tiristor IR = 150{26 = 86.. 6 A. La corriente de pico a travs de un tiristor IpT = 150 A. El voltaje de pico inverso es la amplitud pico del voltaje de lnea a lnea PIV =" 3 Vm =" 3 x 187.79 = 325.27 V.

= =

Ejemplo 515* Un convertidor monofsico, completo tal como el que se muestra en la figura 5-18, utiliza el control de ngulo de retraso siendo alimentado con 120-V 60-Hz. (a) Utilice el mtodo de las series de Fourier para obtener expresiones para el voltaje de salida vo(t) y la corriente de carga io(t} como una funcin del ngulo de retraso a. (b) Si a = re/3, E = 10 V, L = 20 mH y R = 10 n, determine el valor rms de la corriente armnica de menor orden en la carga. (c) Si en la parte (b) se conecta un capacitor de filtro a travs de la carga, determine el valor del capacitor, necesario para reducir la corriente armnica de menor orden al 10% del valor que tendra sin el capacitor. (d) Utilice PSpice para graficar el voltaje de salida y la corriente de carga as como para calcular la distorsin armnica total (THD) de la corriente de carga y el factor de potencia de entrada (PF) con el capacitor de filtro de salida de la parte (e). 176 Los rectificadores controlados

Cap. 5

+ R

Figura 5-18 Convertidor monofsico completo con carga RL. Solucin (a) La forma de onda para el voltaje de salida aparece en la figura 5-3c. La frecuencia del voltaje de salida es dos veces la de la alimentacin principal. El voltaje instantneo de salida se puede espaciar ~n una serie de Fourier de la forma
uo(t)
=

Ved

L
11=2,4"..

(all cos nwt

+ h; sen nwt)

(5-83 )

donde I J27T+<> 2Vm Ved = -2 Vm sen wt d(wt) = -- cos a


~ <> ~

a; = tt
b;

J7T+<>
e

V", sen wt cos nwt d(wt)


d(wt)

= -tt

2Vm [cos(n + I)a' cos(n - )a] + 1 - 1 n n

=;:

2 J7T+<> e V", senwt sennwt

= --;+

2Vm lsen(n + )a sen(n n + I n - 1

l)a]

La impedancia total Z=R

+ j(nwL)

[R2

(nwL)2]

1/2 ~

yen = tan -1 (nroL!R). Dividiendo vo(t) de la ecuacin (5-83) entre la impedancia de la carga Z y simplificando los trminos del seno y el coseno obtenemos la corriente instantnea de carga como
io(t) = led

L
11=2,4 ....

v'2 1

11

sen(nwt

+ <Pn - 8

11)

(5-84)

donde led

= (Ved - E)/R, q,n = tan-1(a,./bn), y


1
11

_1_

(a~

b~)1/2

v'2 V R2 +

(nwL)2

(b) Si ex= rc!3, E

169.71 Vy 1
de

Ved

= 10 V, L = 20 mH, R = IOn, ro = 2rc x 60 = 377 rad/s, Vm = {2 x 120 = = 54.02 V.


10

54.02 - 10 -0.833, b, 0.433, b2

= 440 . =

A
<PI

al a2

=
= =

-0.866,

223.9, 81

-0.173, <P2
<P3

a3

-0.029, b3 = 0.297,

= 111.79,82 = -5S, 83 =

= 56.45 = 71.65
77.53

Sec.5-12

Diseo de circuitos convertidores

177

nwL

Figura 519 Circuito equivalente para armnicas.

iL(t) = 4.4

+ 7T[R2 }~~L)2J1/2

[1.2sen(2wt

+ 223.9 - 56.45)
- 5.5" - 77.53) + ...

+ 0.47sen(4wt
= 4.4

+ 111.79 - 71.65) + 0.3sen(6wt + 167.45)

+ 7T[10~ : ~~:5':~)2]1/2 [1.2sen(2wt + 40.14) + 0.3sen(6wt

+ 0.47sen(4wt

- 80.03) + ... ]

(585)

La segunda armnica es la menor y su valor rrns es


[z

= 7T[102+ (7.54

2 x 169.71
X

(1.2) 2)2]112 V2

5.07 A

(e) La figura 5-19 muestra el circuito equivalente para las armnicas. Utilizando la regla del divisor de corrientes, la corriente de armnicas a travs de la carga est dada por

i,
Para n

T" = {R2

lI(nwC)

+ [nwL - 1/(nwC)]2}'/2
1/(2 x 377C) 7.54 - 1/(2 x 377C)J2}'/2= 0.1

= 2 Y = 377,
(J)

T" = {102 + [2 x

t,

Yesto da e -fJ70 IlF o bien 793 IlP. Por lo tanto, e 793 IlF. (d) El voltaje de pico de la alimentacin Vm = 169.7 V. Para <XI = 60, el retraso de tiempo 11 = (60/360) x (1000/60 Hz) x 1000 = 2777.78 Ils y el retraso de tiempo 12 = (240/360) x (1000/60 Hz) x 1000 11,111.1 us. El circuito del convertidor total monofsico para la simulacin PSpice aparece en la figura 5-20a. Los voltajes de compuerta VgI, Vg2, Vg3 y Vg4 para los

Vg'. vg2

10 V
Iw 79311F R

1",: 1001.15 T: 16.67 ms 1, = 1, = 1 ns

O
vg3. Vg.

t,

2
,
,

T
...

10 V
lQV O

, , - - - - r-

_~..,,,
T
I

....
1, T 2
1,

t",

3
(a) Circuito

(b) Voltajes de compuerta

Figura 520 Convertidor monofsico completo para la simulacin PSpice

178

Los rectificadores controlados

Cap. 5

tiristores se muestran en la figura 5-20b. La definicin de su circuito para el modelo de tiristor SeR se describi en la seccin 4-14. La lista del archivo de circuito es la siguiente:
Example 5-15 Single-Phase Full Converter SIN (O 169.7V 60HZ) VS 10 O PULSE (OV 10V 2777.8US 1NS 1NS 16666.7US) Vg1 6 O 100US 2777.8us 16666.7US) Vg2 7 O PULSE (OV 10V 1NS 1NS 100US 100US 16666.7US) Vg3 8 O PULSE (OV 10v 11111.1us lNS lNS lNS 16666.7US) Vg4 9 O PULSE (OV 10V 11111.1US 1NS 100US R 2 4 10 L 5 20MH 793UF C 2 11 0.1 RX 11 3 .. ; Added to help convergence 10V ; Load battery vo1tage VX 5 3 DC OV VY 10 DC ;Voltage source to measure supply current 1 Subcircuit calls for thyristor model * XT1 2 6 2 SCR Thyristor T1 XT3 O 2 8 2 SCR Thyristor T3 7 O SCR Thyristor T2 XT2 3 O XT4 3 1 9 SCR Thyristor T4 Subcircuit SCR which is missing ~ be inserted * IDUS 35MS 16.67MS Transient analysis .TRAN Graphics postprocessor .PROBE 1.00u reltol 1.0 m vntol = 0.1 ITL5=10000 .options abstol (VX) Fourier analysis .FOUR 120HZ .END

Las graficas de PSpice para el voltaje de salida V(2,3) y de la corriente de carga I(VX) se muestran en la figura 5-21. Las componentes Fourier de la corriente de carga son:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(VX) OC COMPONENT = 1.147163E+01 NORMALIZED FREQUENCY FOURIER HARMONIC COMPONENT (HZ) COMPONENT NO 1.000E+00 1.200E+02 2.136E+00 1 2.302E-01 2.400E+02 4.917E-01 2 8.533E-02 3.600E+02 1.823E-01 3 4.650E-02 9.933E-02 4 4.800E+02 7.140E-02 3.342E-02 6.000E+02 5 4.339E-02 2.031E-02 7.200E+02 6 1.237E-02 7 2.642E-02 8.400E+02 2.248E-02 1.052E-02 9.600E+02 8 2.012E-02 9.420E-03 1.080E+03 9 TOTAL HARMONIC DISTORTION = 2.535750E+01 PERCENT

PHASE (DEG) -1.132E+02 1.738E+02 1.199E+02 7.794E+01 2.501E+01 -3.260E+01 -7.200E+01 -1.126E+02 -1.594E+02

NORMALIZED PHASE (DEG) O.OOOE+OO 2.871E+02 2.332E+02 1.912E+02 1.382E+02 8.063E+01 4.123E+Ol 6.192E+01 -4.617E+01

Para encontrar el factor de potencia de entrada, necesitamos encontrar los componentes de Fourier de la corriente de entrada, que son los mismos que los de la corriente a travs de la fuente de VY. Sec.5-12 Diseo de circuitos convertidores 179

'f;.;. :'.:$'o''~'~_"'''' . :.r#JI,~~

---

Example 5-14 Date/Timerun: 07/17/92 16: 20: 56 14A+---------------+------12A 10A


_ -'-I J

Single-Phase Full-Canverter

Temperature: 27.0

__ ------+_------~------+_------------~ ,

------------r----~, , , , , , ,
... _ ...... - -- .... _- --- ------1

- ... ------...... ----......... -.......

BA+-------------~-------L------4_------~------~------------_+
@j[ (VX)

200V+-------------~------_r------4_------_r------~------------_+ 150V 100V 50v+-------------~-------L------4_------~----~r_------------_+ 25ms 30ms 15ms 20ms 35ms


o

V (2.31

Time

Figura 5-21 Graficas de SPice para el ejemplo 5-14.

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE 1 (VY) DC COMPONENT ~ 1.013355E-02 NORMALIZED FOURIER HARMONIC FREQUENCY COMPONENT (HZ) COMPONENT NO 2.202E+01 1.000E+00 6.000E+01 1 9.415E-04 1.200E+02 2.073E-02 2 8.890E-01 1.800E+02 1.958E+01 3 2.167E-02 9.841E-04 2.400E+02 1. 613E+01 7.323E-01 3.000E+02 5 1. 007E-03 3.600E+02 2.218E02 6 7 6.243E-01 4.200E+02 1.375E+01 9.891E-04 4.800E+02 2.178E-02 8 1.317E+01 5.983E-01 5.400E+02 9 TOTAL HARMONIC DSTORTION ~ 1.440281E+02 PERCENT

PHASE (DEG) 5.801E+01 4.033E+01 -3.935E+00 -1.159E+01 -5.968E+01 -6.575E+01 -1.077E+02 -1.202E+02 -1.542E+02

NORMALIZED PHASE (DEG) O.OOOE+OO -1.768E+01 6.194E+01 -6.960E+01 -1.177E+02 -1.238E+02 -1.657E+02 -1.783E+02 -2.122E+02

Distorsin total de la corriente de entrada, THD Angulo de desplazamiento,


<1>1

= 144% = 1.44

= SR.OIo

Factor de desplazamiento, DF 1 PF =
;,1

= cos <1>1 = cos(-58.01) = 0.53 (atrasado)


COS cf>1

cos 1

<PI

1 = (1 + (%THD/IOJ211/2
X

(5-86)

(1

+ 1.442 )1/2

0.53

0.302 (atrasado)

180

Los rectificadores controlados

Cap. 5

Notas

1. Los anlisis arriba efectuados son vlidos nicamente si el ngulo de retraso exes mayor que
1lQ,

que est dado por ao - sen


-1

__ V", -

sen

-1

_1_0_ - 3 380
169.71 .

2. Debido al capacitor de filtro C, una alta corriente de carga pico fluye de la alimentacin, y
el THD de la corriente de entrada tiene un alto valor de 144%.

3. Sin el capacitor C. la corriente de carga se hace discontinua, la corriente de carga pico de la


segunda armnica es 12(pico) = 5.845 A, Icd es 6.257 A, el TDH de la corriente de carga es 14.75% y la distorsin armnica total de la corriente de entrada es 15.66%. 4. Por lo comn se utiliza un filtro LC para limitar la corriente pico de alimentacin; esto se ilustra en el ejemplo 15-15 Ejemplo 15-16* El circuito equivalente del convertidor monofsico completo con un filtro LC aparece en la figura 5-22a. El voltaje de entrada es 120 Y (rms), 60 Hz. El ngulo de retraso es a = rc!3.El voltaje de salida de cd es Ved = 100 Y en Icd = 10 A. Determine los valores de la inductancia Le, 13 Y las corrientes rms del inductor Inns' Solucin ro = 2rc x 60 = 377 rad/s, Ved= 100 Y, Vs = 120 V, Vm =...J"2 x 120 = 169.7 V, Ved= 100 V. La relacin de voltaje x = VeJVm = 100/169.7 = 58.93%. Supongamos que el valor de Ce es muy grande, de tal forma que su voltaje est libre de componentes ondulatorias con un valor promedio de Ved.Le es la inductancia total, incluyendo la inductancia de alimentacin o de lnea. Si Vedes menor que Vm y el tiristor T se dispara en rot a > no, la corriente de carga ic empezar a fluir. Para Vs = Ved= Vm sen no, ao est dado por

ao = sen-I

V VdC = sen " x = 36.1


ni

Utilizando la ecuacin (3-103), la corriente de carga it: est dada por


lL

. = -L Vm ( cos ex - cos ost ) - -L Vdc


W e W
(l)(

w! -

ex )

para

w! 2:

ex

(5-87)

Se puede determinar el valor de iL(ro! = 13) O. Esto es

= 13, donde

la corriente lt: cae a cero, a partir de la condicin

cos ex - cos (3 - x({3 - ex)

(5-88)

Resolviendo la ecuacin (5-88) en funcin de 13 mediante iteracin, obtenemos que 13 97. Utilizando la ecuacin (3-105), obtenemos la relacin de corrientes promedio normalizadas,/ed/1pk = 1.865%. Por lo tanto, Ipk = led/0.OI865 = 536.2 A. El valor requerido de inductancia es

Le

v,
W/pk

377

169.7 X 536.2

0.84 mH

Utilizando la ecuacin (3-106), obtenemos la relacin de corrientes rrns normalizadas IrrnJ/pk 4.835%. Por lo tanto, Irms 0.04835 X Ipk 0.04835 x 536.2 25.92 A.

Sec.5-12

Diseo de circuitos convertidores

181

+lv\
o

C
lo

v = Ved

Jt

(a) Circuito

-----;1%~
I I I I I I :~ '~~.)'
I~

Vi

,?~
I I I ~ I :\ I : \1 : ' ' '
l'

----/---~W,.------II--~~'\Y&

,>
:

'~ , :, ':\

:wa
: \

<XQ

lX

(b) Formas de onda

Figura 5-22 Circuito equivalente con filtro Le.

513 EFECTOSDE LAS INDUCTANCIAS DE CARGA y DE ALlMENTACION Podemos notar, a partir de la ecuacin (5-85), que las armnicas de la corriente de carga dependen de las inductancias de la misma. En el ejemplo S-lO se calcula el factor de potencia de entrada para una carga puramente resistiva, y en el ejemplo 5-11 para una carga altamente inductiva. Tambin podemos notar que el factor de potencia de entrada depende del factor de potencia de la carga. En las deducciones de los voltajes de salida y de los criterios de rendimiento de los convertidores, hemos supuesto que la alimentacin no tiene inductancias ni resistencias. Normalmente, los valores de las resistencias de lnea son pequeos y se puede despreciar. La cantidad de cada de voltaje debida a las inductancias de la alimentacin es similar a la de los rectificadores, y no se modifica debido al control de fase. La ecuacin (3-107) se aplica al clculo de la cada de voltaje debida a la reactancia de conmutacin de lnea Le. Si todas las inductancias de lnea son iguales, la ecuacin (3-110) proporciona la cada de voltaje como V6x = 6fLclcd para el caso de un convertidor trifsico completo. En condiciones normales de operacin, la cada de voltaje no depende del ngulo de retraso (11. Sin embargo, el ngulo de conmutacin (o de traslape) I! vara con el ngulo de retraso. Con182 Los rectificadores controlados

Cap. 5

forme aumenta el ngulo de retraso. el ngulo de traslape se hace ms pequeo. Esto queda ilustrado en la figura 5-23. La integral de volt-tiempo se muestra en las reas rayadas como IcdLe. y es

independiente de los voltajes. Conforme aumenta el voltaje de fase de conmutacin. se hace ms pequeo el tiempo requerido para la conmutacin. pero los "volts-segundos" se conservan.
v

l' o~~~--~L-~~~~LL~'--~

l'

HI~ l' ~

__

HI: l'

la.o

-l 1-

" .. 300

Figura 5-23 Relacin entre el ngulo de retraso y el ngulo de traslape.

Si Vx es la cada de voltaje promedio por conmutacin debida a traslape y Vy es la reduccin promedio de voltaje debida al control del ngulo de fase. el voltaje promedio de salida para un ngulo de retraso de exes (5-89) y (5-90) donde Vdm = mximo voltaje promedio posible de salida. El voltaje promedio de salida con el ngulo de traslape f.l y dos conmutaciones es Vcd(o. + u)

= Vcd(o.= O) -

2Vx - Vy

= Vdm -

2Vx - Vy

(5-91)

Sustituyendo Vy de la ecuacin (5-90) en la ecuacin (5-91) podemos escribir la cada de voltaje debida al traslape como (5-92) El ngulo de traslape f.l se puede determinar a partir de la ecuacin (5-92) para valores conocidos de la corriente de carga 1cd- la inductancia de conmutacin Le Yel ngulo de retraso 0.. Debe notarse que la ecuacin (5-92) slo es aplicable para un convertidor monofsico completo.
Ejemplo 5-17* Un convertidor trifsico completo est alimentado desde una alimentacin de 230 V 60 Hz. La corriente de carga es continua y tiene una componente ondulatoria despreciable. Si la corriente promedio de carga 1cd ISO A Y la induetancia de conmutacin Le 0.1 ml-l, determine el ngulo de traslape cuando (a) ex = 10. (b) ex;: 30 Y (e) o. 60. Solucin V", = fi x 230/.J} = 187.79 V Y V11m = 3.J3' V",/1t= 310.61 V. De la ecuacin (5-57). VC<j(0.) 310.6 cos o. y

Vcd(ex + 11) = 310.61 cos (o. + 11)

Sec.5-13

Efectos de las inductancias de carga y de alimentacin

183

Para un convertidor trifsico completo, se puede modificar la ecuacin (5-92) a 6Vx (a) Para o. = 10, j.i 4.66. (b) Para (1 = 30, j.i = 1.94. (e) Para o. 60, j.i 1.14.

= 6fJcdLc = Vcd(o.) -

Vcd1 + u) (5-93)

6x 60x 150x 0.1 x 10-3 = 310.61[cos o. -cos1+ j.i)]

Ejemplo 5.18 La corriente de mantenimiento de los tiristores del convertidor monofsico completo de la figura 5-3a es fH = 500 mA y el tiempo de retraso es td = 1.5 us, El convertidor est alimentado con 120 V 60 Hz y tiene una carga L = 10 mH y R = 10 n. El convertidor se opera con un ngulo de retraso de (1 = 30. Determine el valor mnimo del ancho del pulso de compuerta, te. Solucin f H = 500 mA = 0.5 A, td = 1.5 us, (1 = 30 = rt/6, L = 10 mH y R = 10 n. El valor instantneo del voltaje de entrada es vit) = Vm sen rot, donde Vm= "Tx 120 = 169.7 V. Para rot = 0.,
VI = V,(wl = a) =

169.7

sen 6" = 84.85 V

tr

La velocidad de incremento de la corriente del nodo dudt en el momento del disparo es aproximadamente dI =
di

VI

= 10 x 10

84.85

= 8485 A/s

Si se supone que diidt es constante durante un corto perodo despus del disparo de la compuerta, el tiempo 11 requerido para que se eleve la corriente del nodo al nivel de la corriente de mantenimiento se calcula a partir de tI x (di/dI) fll, es decir, tI x 8485 0.5 y esto nos da ti 0.5/8485 = 58.93 ..LS. Por lo tanto, el ancho mnimo del pulso de compuerta es

te

= tI + Id = 58.93 + 1.5 = 60.43 ..Ls

5-14 CIRCUITOS DE DISPARO La generacin de sei'ialesde disparo para los tiristores de convertidores de ca a cd requiere (1) de la deteccin del cruce por cero del voltaje de entrada, (2) del desplazamiento apropiado de fase de las sei'iales, (3) de la formacin del pulso para generar pulsos de corta duracin y (4) del aislamiento del pulso a travs de transformadores de pulso o de acopladores pticos. El diagrama de bloques para un circuito de disparo de un convertidor monofsico completo aparece en la figura

5-24.
RESUMEN En este captulo hemos visto que el voltaje promedio de salida (y la potencia de salida) de los convertidores de ca-ed puede controlarse variando el tiempo de conduccin de los dispositivos de potencia. Dependiendo de los tipos de alimentacin, los convertidores pueden ser monofsicos o trifsicos. Para cada uno de estos tipos de alimentacin, pueden ser de media onda, semi o com184 Los rectificadores controlados Cap. 5

+ Vcc

Transformadores de pulso

11e:
Detector de cruce por cero Formacin y amplificacin del pulso
Seal de control de entrada

II

Vg2

___

IIG I
- VCC

le:

Figura 5-24

Diagrama de bloques para un circuito de disparo de tiristor.

pletos. Los convertidores semi o completos se usan extensivamente en aplicaciones prcticas. Aunque los semiconvertidores resultan con un mejor factor de potencia de entrada que los convertidores completos, estos convertidores slo son adecuados-para la operacin en un solo cuadrante. Los convertidores completos y los convertidores duales permiten operaciones en dos y en cuatro cuadrantes, respectivamente. Los convertidores trifsicos normalmente se utilizan en aplicaciones de alta potencia siendo la frecuencia de las componentes ondulatorias de salida mayor. El factor de potencia de entrada, que depende de la carga, se puede mejorar, y la especificacin de voltaje puede aumentarse mediante la conexin en serie de los convertidores. Con conmuCap. 5
Resumen 185

taciones forzadas, se puede mejorar an ms el factor de potencia y ciertas armnicas de bajo orden pueden reducirse o eliminarse. La corriente de carga puede ser continua o discontinua dependiendo de la constante del tiempo de carga y el ngulo de retraso. Para el anlisis de los convertidores se utiliza el mtodo de

las' series de Fourier. Sin embargo, se pueden utilizar otras tcnicas (por ejemplo el enfoque de la funcin de transferencia o la multiplicacin espectral de la funcin de conmutacin) para el anlisis de circuitos de conmutacin de potencia. El control del ngulo de retraso no afecta la cada de voltaje debida a inductancias de conmutacin, y esta cada de voltaje es la misma que la de los rectificadores de diodo normales.

REFERENCIAS 1. P. C. Sen, Thyristor DC Drives. Nueva York: Wiley-Interscience, 1981. 2. P. C. Sen y S. R. Doradla, "Evaluation of control schemes for tiristor controlled de motora", IEEE Transactions on Industrial Electronics and Control lnstrumentation, Vol. IECI25, No. 3, 1978, pp. 247-255. 3. P. D. Ziogas, "Optimum voltage and harmonic control PWM techniques for 3-phase static UPS systerns". IEEE Transactions on lndustry Appllcations, Vol. lA 16, No. 4,1980, pp. 542-546. 4. M. H. Rashid y M. Aboudina, "Analysis of forcedconunutated techniques for ac-cd converters", 1st European Conference on Power Electronics and Applications, Bruselas, octubre 16-18, 1985, pp. 2.263-2.266. 5. P. D. Ziogas y P. Photiadis, "An exact output current analysis of ideal static PWM inverters". IEEE Transactions on lndustry Applications, Vol. IAl19, No. 2, 1983,pp. 281-295. 6. M. H. Rashid y A. 1. Maswood, "Analysis of 3-phase ac-cd converters under unbalanced supply conditions", IEEE lndustry Applications Conference Record, 1985, pp. 1190-1194. 7. A. D. Wilcox, Engineering Design for Electrical Engineers. Englewood Cliffs, N. J.: Prentice Hall, 1990; captulo 10, "Power module", by M. H. Rashid.

PREGUNTAS 51. 52. 53. 54. Qu es una conmutacin natural o de lnea? Qu es un rectificador controlado? Qu es un convertidor? Qu es el control del ngulo de retraso de los convertidores? Qu es un semiconvertidor? Dibuje dos circuitos semi convertidores. Qu es un convertidor completo? Dibuje dos circuitos de convertidor completo. Qu es un convertidor dual? Dibuje dos circuitos de convertidor dual. Cul es el principio de control de fase? Cules son los efectos de eliminar el diodo de marcha libre en los semiconvertidores monofsicos? 186

DE REPASO 510. Por qu es mejor el factor de potencia de los semi convertidores que el de los convertidores completos? 511. Cul es la causa de la corriente circulante en los convertidores duales? 512. Por qu se requiere de un inductor de corriente circulante en los convertidores duales? 513. Cules son las ventajas y las desventajas de los convertidores en serie? 514. Cmo est relacionado el ngulo de retraso de un convertidor con el ngulo de retraso de otro convertidor en un sistema dual? 515. Cul es el modo de inversin de los convertidores?

SS.
56.

57. 58.
59.

Los rectificadores controlados

Cap. 5

516. Cul es el modo de rectificacin de los convertidores? 517. Cul es la frecuencia de la armnica de orden menor en serniconvertidores trifsicos? 518. Cul es la frecuencia de la armnica de orden menor en los convertidores completos trifsicos? 519. Cul es la frecuencia de la armnica de orden menor en el semiconvertidor monofsico? 520. Cmo se activan y desactivan los tiristores disparados por compuerta? 521. Cmo se activa y se desactiva un tiristor de control de fase? 522. Qu es la conmutacin forzada? Cules son las ventajas de la conmutacin forzada para los convertidores de ca-ed? 523.. Qu es el control del ngulo de extincin de los convertidores? 524. Qu es el control del ngulo simtrico de los convertidores?

525. Qu es el control de modulacin del ancho de


pulso de los convertidores?

5-26. Qu es el control por modulacin senoidal del


ancho de pulso de un convertidor?

527. Qu es el ndice de modulacin?


5-28. Cmo se vara el voltaje de salida de un convertidor de control de fase? 5-29. Cmo se vara el voltaje de salida en un convertidor con control por modulacin senoidal del ancho de pulso? 5-30. Depende el ngulo de conmutaci-Sn del nculo de retraso de los convertidores? 5-31. Depende la cada de voltaje debida a inductancias de conmutacin, del ngulo de retraso de los convertidores? 5-32. Depende el factor de potencia de entrada de los convertidores del factor de potencia de la carga? 5-.33. Dependen del ngulo de retraso los voltajes de Las componentes ondulatorias de salida de los convertidores?

'pROBtEMAS 5-1. El convertidor monofsico de media onda de


la figura S-la se opera a partir de una alimentacin de 120 V 60-Hz. Si la carga resistiva es R 10 Y el ngulo de retraso es (l 1[/3, determine fa) la eficiencia, (b) el factor de forma, {e} el factor de componente ondulatoria, (d) el factor de utilizacin del transformador y (e) el voltaje de pico inverso (PIV) del tiristor TI 52. El convertidor monofsico de media onda de la figura S-la se opera a partir de una alimentacin de 120 V 60 Hz componente resistiva de la carga es R 10 n. Si el voltaje promedio de salida es 2S% del voltaje promedio de salida mximo posible, calcule (a) el ngulo de retraso, (b) las corrientes rms y promedio de salida, (e) las corrientes promedio y rms del tiristor y (d) el factor de potencia de entrada. 53. El semiconvertidor monofsico de la figura 5la es alimentado a partir de una alimentacin de 120 V 60 Hz y un diodo de marcha libre se conecta a travs de la carga. La carga consiste en una resistencia formada en serie, R 10 n, una inductancia L 5 mH y un voltaje de batera E 20 V. (a) Exprese el voltaje instantneo de salida con una serie de Fourier, y (b) determine el valor rms de la corriente de la armnica de salida de orden menor. 5-4. El semiconvertidor monofsico de la figura S-2a se opera a partir de una alimentacin de 120 V 60 Hz. La corriente de carga con un valor promedio de la es continua, con un contenido despreciable de componentes ondulatorias. La relacin de vueltas del transformador es la unidad. Si el ngulo de retraso es (l rr.(3, calcule (a) el factor armnico de la corriente de entrada, (b) el factor de desplazamiento y (e) el factor de potencia de entrada. 55. Repita el problema 5-2 para un semiconvertidor monofsico de la figura 5-2a. 56. El semiconvertidor monofsico de la figura S-2a se opera a partir de una alimentacin de 120 V 60 Hz. La carga consiste en una resistencia conectada en serie R 10 n, una inductancia L 5 mH y un voltaje de batera E 20 V. (a) Exprese el voltaje de salida con una serie de Fourier y (b) determine el valor rms de la corriente armnica de salida de orden menor.

Cap. 5

Problemas

187

'. ":

..~ .' - '. "

57.

58. 59.
510.

511.

512.

513. 514. 515.

Repita el problema 5-4 para un convertidor mo- 516. El convertidor trifsico de media onda de la finofsico completo de la figura 5-3a. gura 5-7a se opera a partir de una alimentacin trifsica conectada en estrella de 220 Y, 60 Hz, Repita el problema 5-2 para un convertidor monofsico completo de la figura 5-3a. la resistencia de la carga es R 10 n. Si el voltaje promedio de salida es 25% del mximo volRepita el problema 5-6 para el convertidor motaje promedio de salida posible, calcule (a) el nofsico completo de la figura 5-3a. ngulo de retraso, (b) las corrientes de salida El convertidor dual de la figura 5-4a se opera a rms y promedio, (e) las corrientes promedio y partir de una alimentacin de 120 Y 60 Hz y rms de los tiristores, (d) la eficiencia de rectifientrega una corriente promedio libre de compocacin, (e) el factor de utilizacin del transfornentes ondulatorias de lcd 20 A. La inductanmador y (f) el factor de potencia de entrada. cia circulante es L, = 5 mH y los ngulos de retraso son al 30 y a2 150. Calcule la co- 517. El convertidor trifsico de media onda de la firriente circulante pico y la corriente de pico del gura 7-7a se opera a partir de una alimentacin conectada en estrella de 220 Y 60 Hz, y un dioconvertidor 1. do de marcha libre se conecta a travs de la carEl semi convertidor monofsico en serie de la ga. La carga est formada por una resistencia figura 5-5a se opera a partir de una alimentacin de 120 Y 60 Hz la resistencia de la carga conectada en serie R = IOn, una inductancia L es R = 10 n. Si el voltaje promedio de salida es = 5 mH Y un voltaje de batera E = 20 Y. (a) Ex75% del voltaje promedio de salida mximo prese el voltaje instantneo de salida en series de Fourier y (b) determine el valor rms de la arposible, calcule (a) los ngulos de retraso de los convertidores, (b) las corrientes promedio y mnica de orden menor de la corriente de salida. rms de salida, (e) las corrientes promedio rms 518. El semiconvertidor trifsico de la figura 5-8a se de los tiristores y (d) el factor de potencia de opera a partir de una alimentacin trifsica conectada en estrella de 220 Y 60 Hz. La corrienentrada. te de carga, con un valor promedio la, es El semiconvertidor monofsico en serie de la ficontinua con un contenido de componente ongura 5-5a se opera a partir de una alimentacin de dulatoria despreciable. La relacin de vueltas 120 y 60 Hz. La corriente de carga, que tiene un valor promedio la, es continua y el contenido de del transformador es la unidad. Si el ngulo de retraso es el 2rc{3,calcule (a) el factor armnicomponente ondulatoria es despreciable. La reco de la corriente de entrada, (b) el factor de lacin de vueltas del transformador es Np/Ns 2. desplazamiento y (e) el factor de potencia de enSi los ngulos de retraso son al O Y a2 rc{3, calcule (a) el factor armnico de la corriente de trada. entrada, (b) el factor de desplazamiento y (e) el 519. Repita el problema 5-16 para un semiconvertifactor de potencia de entrada. dor trifsico de la figura 5-8a. 520. Repita el problema 5-19, si el voltaje promedio Repita el problema 5-11 para un convertidor de salida es 90% del voltaje de salida mximo monofsico completo en serie de la figura 5-6a. posible. Repita el problema 5-12 para un convertidor monofsico completo en serie de la figura 5-6a. 5-21. Repita el problema 5-17 para un serniconvertidor trifsico de la figura 5-8a. El convertidor monofsico de media onda de la 5-22. Repita el problema 5-18 para un convertidor trifigura 5-7a se opera a partir de una alimentacin conectada en estrella de 220 y 60 Hz y un diodo fsico completo de la figura S-lOa. de marcha libre se conecta a travs de la carga. 5-23. Repita el problema 5-16 para un convertidor trifsico completo de la figura 5-10a. La corriente de carga con un valor promedio la es continua y el contenido de componente ondu- 5-24. Repita el problema 5-17 para un convertidor trifsico completo de la figura S-lOa. latoria es despreciable. Si el ngulo de retraso el rc{3, calcule (a) el factor armnico de la co- 5-25. El convertidor trifsico dual de la figura 5-12a se opera a partir de una alimentacin trifsica rriente de entrada, (b) el factor de desplazamiento y (e) el factor de potencia de entrada. conectada en estrella de 220 Y 60 Hz la resis-

188

Los rectificadores controlados

Cap. 5

526.

527.

528.

529.

530.

tencia de la carga R = 10 n. La inductancia circulante L, = 5 rnH Y los ngulos de retraso son a = 60 y a2 = 120. Calcule la corriente de pico circulante y la corriente pico de los convertidores. El semiconvertidor monofsico de la figura 5-2a tiene una carga RL de L 1.5 rnH, R 1.5 n y E = O V. El voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms) a 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de carga lo en rot = O Y la corriente de carga I en ex = a 30, (2) la corriente promedio del tiristor lA, (3) la corriente rms del tiristor IR, (4) la corriente rms de salida Irms Y (5) la corriente promedio de salida led. (b) Utilice SPice para verificar sus resultados. El convertidor monofsico completo de la figura 5-3a tiene una carga RL con L = 4.5 rnH, R 1.5 n y E 10 V. El voltaje de entrada es v, = 120 V a (rms) 60 Hz. (a) Determine (1) la corriente de carga lo a rot = a 30, (2) la corriente promedio del tiristor lA, (3) la corriente rms del tiristor IR, (4) la corriente rms de salida Irms y (5) la corriente promedio de salida led. (b) Utilice SPice para verificar sus resultados. El convertidor completo trifsico de la figura 5-10a tiene una carga L = 1.5 rnH, R 1.5 n y E = O V. El voltaje de entrada lnea a lnea es Vab 208 V (rms), 60 Hz. El ngulo de retraso es a 1C/6. (a) Determine (1) la corriente de carga en rgimen permanente II en rot' = 1C/3 + a (o bien rot 1C/6 + a), (2) la corriente promedio del tiristor lA, (3) la corriente rms del tiristor IR. (4) la corriente rms de salida I rms y (5) la corriente promedio de salida led. (b) Utilice SPice para verificar sus resultados. El semiconvertidor monofsico de la figura 5-13a se opera a partir de una alimentacin de 120 V 60 Hz y utiliza un control de ngulo de extincin. La corriente de carga con un valor promediode la es continua y tiene un contenido de componente ondulatoria despreciable. Si el ngulo de extincin es ~ = 1C/3, calcule (a) las salidas Ved y V rms- (b) el factor armnico de la corriente de entrada, (e) el factor de desplazamiento y (d) el factor de potencia de entrada. Repita el problema 5-29 para un convertidor monofsico completo de la figura 5-14a.

= =

531. Repita el problema 5-18 si se utiliza el control de ngulo simtrico. 532. Repita el problema 5-18 si se utiliza el control de ngulo de extincin. 533. El semiconvertidor monofsico de la figura 5-13a se opera con un control PWM senoidal y es alimentado a partir de una fuente de 120 V 60 Hz. La corriente de carga con un valor promedio la es continua, con un contenido de componente ondulatoria despreciable. Existen cinco pulsos por medio ciclo y los pulsos son al = 7.93, 01 5.82; a2 = 30, 02 = 16.25; a3 = 52.07,03 = 127.93; a4 = 133.75, 04 = 16.25; Y as = 166.25, Os 5.82. Calcule (a) el valor de Vcd Y de VImS, (b) el factor armnico de la corriente de entrada, (e) el factor de desplazamiento y (d) el factor de potencia de entrada. 534. Repita el problema 5-33 para el caso de cinco pulsos por cada medio ciclo, con un ancho de pulso igual, M 0.8. 535. Un semiconvertidor trifsico se opera a partir de una alimentacin trifsica conectada en estrella de 220 V 60 Hz. La corriente de carga es continua y tiene una componente ondulatoria despreciable. La corriente promedio de la carga es led 150 A Y la inductancia de conmutacin por fase es Le = 0.5 rnH. Determine el ngulo de traslape si (a) a 1C/6 Y (b) a 1C/3. 536. El voltaje de entrada al circuito equivalente de la figura 5-22a es 120 V (rms), 60 Hz. El ngulo de retraso es a 1C/6. El voltaje de salida en cd es Ved 75 Ven led 10 A. Determine los valores de la inductancia Le, ~, Y de la corriente rms del inductor Irms' 537. La corriente de mantenimiento de los tiristores del convertidor trifsico completo de la figura 5-IOa es IH = 200 mA Y el tiempo de retraso es de 2.5 us, El convertidor es alimentado a partir de una fuente trifsica conectada en estrella de 208 V Y 60 Hz con una carga L 8 mr Y R 2 n; se opera con un ngulo de retraso a 60. Determine el ancho mnimo del pulso de compuerta, te. 538. Repita el problema 5-37 si L = O.

Cap. 5

Problemas

189

Controladores

de voltaje de ca

6-1 INTRODUCCION Si un tiristor conmutador se conecta entre la alimentacin de ca y la carga, es posible controlar el flujo de potencia variando el valor rms del voltaje de ca aplicado a la carga; este tipo de circuito de potencia se conoce como un controlador de voltaje de ca. Las aplicaciones ms comunes de los controladores de voltaje de ca son: calefaccin industrial, de derivaciones de transformadores cambio con carga, control de luces, control de la velocidad de motores de induccin polifsicos y control de los electromagnetos de ca. Para la transferencia de potencia, normalmente se utilizan dos tipos de control:

1. Control de abrir y cerrar


2. Control de ngulo de fase En el control de abrir y cerrar, los tiristores conectan la carga a la fuente de ca durante unos cuantos ciclos de voltaje de entrada y a continuacin la desconectan por unos cuantos ciclos ms. En el control de ngulo fase, los tiristores conectan la carga a la fuente de ca durante una porcin de cada uno de los ciclos de voltaje de entrada. Los controladores de voltaje de ca se pueden clasificar en dos tipos: (1) controladores monofsicos y (2) controladores trifsicos. Cada uno de estos tipos se puede subdividir en (a) unidireccional o control de media onda y (b) bidireccional o control de onda completa. Existen varias configuraciones de controladores trifsicos, dependiendo de las conexiones de los tiristores. Dado que el voltaje de entrada es de ca, los tiristores son conmutados por lnea; normalmente se utilizan tiristores de control de fase, relativamente poco costosos y ms lentos que los tiristores de conmutacin rpida. Para aplicaciones hasta de 400 Hz, si hay TRIAC disponibles para llegar a la especificacin de voltaje y de corriente de una aplicacin en particular, sern los que se utilicen ms cornnrnente, Las tcnicas de conmutacin del tiristor se analizan en el captulo 7.
190

Dado que la conmutacin es por lnea o natural, no hay necesidad de circuitera adicional de conmutacin, por lo que los circuitos para los controladores de voltaje de ca son muy sencillos, Dada la naturaleza de las formas de onda de salida, no resulta sencilla la deduccin explcita de los parmetros de rendimiento de estos circuitos, especialmente en el caso de los convertidores controlados por ngulo de fase con cargas RL. En aras de la simplicidad en este captulo se pre-

sentan las cargas resistivas, para comparar los rendimientos de varias configuraciones. Sin embargo, las cargas reales son de tipo RL y en el diseo y el anlisis de los controladores de voltaje de ca debern considerarse.

6-2 PRINCIPIO DEL CONTROL DE ABRIR Y CERRAR El principio de control de abrir y cerrar se puede explicar en un controlador de onda completa monofsico, tal y como se muestra en la figura 6-1a. El tiristor conecta la alimentacin de ca a la carga durante un tiempo In; un pulso inhibidor de compuerta abre el interruptor durante un tiempo lo. El tiempo activo, In, est formado, por lo comn, de un nmero entero de ciclos. Los tiristores se activan en los cruces por cero del voltaje de entrada de ca. Los pulsos de compuerta para los tiristores Ti y T2 Y las formas de onda de los voltajes de entrada y de salida aparecen en la figura 6-1b. Este tipo de control se usa en aplicaciones que tienen una alta inercia mecnica y una alta constante de tiempo trmica (por ejemplo, en la calefaccin industrial y en el control de velocidad

T,
o

./"
+

1~
1.0 0.8 0.6 0.4

~2 Vo

(a) Circuito

Factor de potencia, PF

g2

Pulso de compuerta de T2
I I

(b) Formas de onda

PF .. vk

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

(e) Factor de potencia

Figura 6-1 Control de abrir y cerrar, Sec.6-2 Principio del control de abrir y cerrar

191

de motores). Debido a la conmutacin en voltaje y en corriente cero de los tiristores, las armnicas generadas por las acciones de conmutacin son reducidas. Para un voltaje senoidal de entrada Vs Vm sen (l)t {2 Vs sen (l)t. Si el voltaje de entrada est conectado a la carga durante n ciclos, y desconectado durante m ciclos, el voltaje rms de salida (o de la carga) se puede determinar a partir de

V"

[27T(nn+ m)

I:" 2 V~
=

serr' wt d(wt)

f2

(6-1)

V,) n , m +n

V,Vk '

donde k = nttm + n) y se conoce como el ciclo de trabajo. Vs es el voltaje rms de fase. Las configuraciones de los circuitos para el control de abrir y cerrar son similares a los del control de fase y los anlisis de rendimiento son tambin similares. Por estas razones, en este captulo slo se analizan las tcnicas de control de fase. Ejemplo 6-1 El controlador de voltaje de ca de la figura 6-1 a tiene una carga resistiva R = IOn y el voltaje rms de entrada es Vs = 120 V, 60 Hz. El interruptor conduce durante n = 25 ciclos y permanece abierto durante m = 75 ciclos. Determine (a) el voltaje rms de salida Yo, (b) el factor de potencia de entrada PF, y (e) la corriente promedio y rms de los tiristores. Solucin R = 10 n, Vs = 120 V, Vm = >12 X 120 = 169.7 V, Y k = n(n + m) = 25/100 = 0.25. (a) A partir de la ecuacin (6-1), el valor rms del voltaje de salida es

V, = v,VI =

V,~ m : n

120.J&

60 V

Y la corriente rms de la carga es lo Vo/R 60/10 6.0 A. (b) La potencia de la carga es Po 1; R 62 X 10 360 W. Dado que la corriente de entrada es la misma que la corriente de la carga, los volts-amperes son

VA

= VJs = VJo = =~ =

120 x 6

= 720 W

El factor de potencia de entrada es PF VA _n_ = m + n 360 720

VI
(6-2) 0.5 (atrasado) promedio

= v'.25 =

(e) La corriente pico del tiristor es 1m VmlR de los tiristores es


lA

= 169.7/10 = 16.97 A. La corriente


(wt

21T(m

n) o l/JI sen wt

1"

d)

1T(m

I",n

n)

= u; -:;;:-

(6-3)

=
_ [

16.97 x 0.25
1T

1.33 A

La corriente rms de los tiristores es


IR 21T(m

n)

1 o 1m sen
rr 2

wt

(wt)

]1/2 _

I",~ n
2
m

n -

I",VI
2 (6-4)

=
192

16;97 x

v'.25 =

4.24 A

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

Notas

l. El factor de potencia del voltaje de salida vara proporcionalmente a la raz cuadrada del ciclo de trabajo. El factor de potencia es pobre para un valor bajo del ciclo de trabajo, k, y se muestra en la figura 6-1c. 2. Si T es el perodo del voltaje de entrada (m + n)T es el perodo del control de abierto-cerrado. (m + n)T debe ser menor que la constante mecnica o del tiempo trmico de la carga, y virtualmente es menor que un segundo, pero no en horas o en das. La suma de m y n es por lo general cercana a 100. 3. Si se utiliza la ecuacin (6-2) para determinar el factor de potencia con m y n en das, el resultados ser errneo. Por ejemplo, si m = 3 das y n = 3 das, la ecuacin (6-2) da PF = [3/(3 + 3)]112 = 0.707, lo cual no resulta fsicamente posible. Dado que el controlador est cerrado durante 3 das y abierto durante 3 das, el factor de potencia depender del ngulo de la impedancia de carga e.

6-3 PRINCIPIO DE CONTROL DE FASE El principio de control de fase se puede explicar haciendo referencia a la figura 6-2a. El flujo de potencia hacia la carga queda controlado retrasando el ngulo de disparo del tiristor TI. La figura 6-2b ilustra los pulsos de compuerta del tiristor TI y las formas de onda de los voltajes de entrada y de salida. Debido a la presencia del diodo DI, el rango de control est limitado y el voltaje rms efectivo de salida slo puede variar entre 70.7 y 100%. El voltaje de salida y la corriente de entrada son asimtricos y contienen una componente de cd. Si hay un transformador de entrada, puede ocurrir un problema de saturacin. Este circuito es un controlador monofsico de media onda, adecuado slo para cargas resistivas de poca potencia, como son la calefaccin y la iluminacin. Dado que el flujo de potencia est controlado durante el semiciclo del voltaje de entrada, este tipo de controlador tambin se conoce como controlador unidireccional.

v.

O T,

i.

VO

V,.
+

io
A

o,

Vo

9, O
(a) Circuito (b) Formas de onda

Figura 6-2 Control de ngulo monofsico.

Sec.6-3

Principio de control de fase

193

es (J)l

= a, el voltaje rms de salida se encuentra a partir de


Vo I [f'" = {27T ,,2V~ sen' wt d(wt)

Si

Vs

== Vm sen (J)l = -{2Vs sen (J)l es el voltaje de entrada y el ngulo de retraso del tiristor Ti

+ J2,"
tt

2V~

sen" wt

d(wt)

]}1/2

= {24;~

U:

(1 - cos 2wt) d(wt)

1:"

(1 - cos 2wt) d(wt)

]r?

(6-5)

V,

[2~ (27T -

sen22a)]

1/2

El valor promedio del voltaje de salida es


Ved =

2~

[J: v'2 V, sen wt d(wt) + J~'"v'2 V, sen wt d(wt)]


- 1)

(6-6)

----z:;;:- (co s ex

Y2V,

Si decide hacer variar a desde Ohasta rr, Vo vara desde Vs hasta Vs /fi y Vcd vara desde Ohasta ~{2VslTt.
Ejemplo 6-2 El controlador monofsico de voltaje de ca de la figura 6-2a tiene una carga resistiva R = 10 n y el voltaje de entrada es Vs 120 V, 60 Hz. El ngulo de retraso del tiristor TI es ex Tt/2. Determine (a) el valor rms del voltaje de salida Va, (b) el factor de potencia de entrada PF y (e) la corriente promedio de entrada. Solucin R 10 n, v, = 120 V, a = tt/2, y Vm =..J2 x 120 169.7 V. (a) De la ecuacin (6-5), el valor rrns del voltaje de salida es

v, = 120~~
(b) La corriente rms de carga es

= 103.92 V

1 = V"

oRlO

= 103.92 = 10392 A .
10.3922 x 10 = 1079.94 W

La potencia de la carga es
Po

= I~R

Dado que la corriente de entrada es la misma que la corriente de la carga, la especificacin de entrada en volts-amperes es

VA

V,l,

V,1o

= 120 x 10.392 = 1247.04 VA

El factor de potencia de entrada es

PF =.!..E_ = Vo VA v,

[..!.. (217"_ 217"

a + sen 2

2a)]1/2
(6-7)

= V; =
194

(j

1079.94 1?47.04 = 0.866 (atrasado) Controladores de voltaje de ca Cap. 6

(e) De la ecuacin (6-6), el voltaje promedio de salida Ved = -120 y la corriente promedio de entrada es
= _ 27 = _ 2 7 A 1D = Ved R 10 .

X 27T

v'2

-27 V

Nota. El signo negativo de ID significa que durante el semiciclo, la corriente de entrada es menor que durante el semiciclo. De haber un transformador de entrada, su ncleo podra saturarse. Por lo regular, en la prctica no se utiliza el control unidireccional.

6-4 CONTROLADORES BIDIRECCIONALES MONOFASICOS CON CARGAS RESISTIVAS El problema de la cd de entrada se puede evitar utilizando control bidireccional (o de onda completa), en la figura 6-3a aparece un controlador monofsico de onda completa con carga resistiva. Durante el semiciclo de voltaje de entrada. se controla el flujo de potencia variando el ngulo de retraso del tiristor TI; y el tiristor T2 controla el flujo de potencia durante el semiciclo de voltaje de entrada. Los pulsos de disparo de TI y T2 se conservan a 1800 uno del otro. Las formas de onda para el voltaje de entrada, para el voltaje de salida y para las seales de compuerta de Ti y de T2 aparecen en la figura 6-3b.

T,

i,

~
y.
Vo

l
I

io

g,
I Pulso de compuerta de T,

~A O

92
'--

PllIso de compuerta de T2

e (a) Circuito

-n

+ o___.. .J..J.... (b) Formas de onda

",t

Figura 63

Controlador monofsico de onda completa.

Sec.64

Controladores bidireccionales monofsicos con cargas resistivas

195

son iguales (a

Si v, = ..f2vs sen rol es el voltaje de entrada, y los ngulos de retraso de los tiristores TI y T2 a2 = a), el voltaje nns de salida se puede determinar a partir de

2 J: 2V~ v, = { 21T
=
=

sen" wt d(wt)

J 112 JI12
(6-8)

4V~ ,,(l -

4; f"

COS

2wt) d(wt)

1 ( Vs [ ;: 1T - a

+ -2-

sen 2a)J112

Variando a desde Ohasta 1t, se puede variar Va desde v, hasta O. En la figura 6-3a, los circuitos de compuerta de los tiristores TI y T2 deben quedar aislaoos. Mediante la adicin de dos diodos es posible tener un ctodo comn para T y T2, tal y como aparece en la figura 6-4. Durante el semiciclo, el tiristor T y el diodo D conducen juntos; y el tiristor T2 y el diodo D2 conducen durante el semi ciclo. Dado que este circuito tiene una terminal comn para seales de compuerta de T y de T2, slo se requiere de un circuito de aislamiento, pero a costa de dos diodos de potencia. Dado que existen dos dispositivos de potencia que conducen en forma simultnea, las prdidas de conduccin de los dispositivos aumentarn y la eficiencia se reducir. Tambin se puede poner en prctica un controlador monofsico de onda completa con un tiristor y cuatro diodos, como se muestra en la figura 6-5a. Los cuatro diodos funcionan como puente rectificador. El voltaje a travs-del tiristor T y su corriente siempre sern unidireccionales. Con una carga resistiva, la corriente del tiristor se reducir hasta cero cada medio ciclo, debido a la conmutacin natural, como se puede observar en la figura 6-5b. Sin embargo, si en el circuito existe una inductancia grande, el tiristor T puede no desactivarse en cada medio ciclo de voltaje de entrada, y esto puede ocasionar una prdida de control. Se requerira de la deteccin del cruce por cero de la corriente de carga a fin de garantizar la desactivacin del tiristor antes de poder disparar el siguiente. En este caso, tres dispositivos de potencia conducen simultneamente y la deficiencia se reduce tambin. El puente rectificador y el tiristor (o transistor) actan como un interruptor bidireccional. disponible en forma comercial como un solo dispositivo, con una prdi . da por conduccin en estado activo relativamente baja.

o,
+

..
v. T,

/'

<, T2

+
VO

Figura 6-4 Controlador monofsico de onda completa con ctodo comn.

196

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

D,
T,
+ i,

+
V,

DJ D2
+

D.
v.

i\ 1i, -

Vm
R
O
~Lo ~~ " <> + " ~ __ w\

(a) Circuito

' t"
= = = =

9,
O

Pulso de compuerta de T, (b) Formas de onda

2"

Figura 6-5 Controlador monofsico de onda completa con W1 tiristor.

Ejemplo 6-3 El controlador de voltaje de ca de onda completa monofsico de la figura 6-3a tiene una carga resistiva R = 10 n, y el voltaje de entrada es Vs = 120 V (rrns), 60Hz. Los ngulos de retraso de los tiristores TI y T2 son iguales: al a2 a re/2. Determine (a) el voltaje rms de salida Vo, (b) el factor de potencia de entrada PF, (e) la corriente promedio de los tiristores lA y (d) la corriente rms de los tiristores IR. Solucin R 10 n, Vs 120 V, a re/2 y Vm ti x 120 169.7 V. (a) A partir de la ecuacin (6-8), el voltaje rms de salida es

v, = ~

= 84.85

(b) El valor rms de la corriente de carga, lo Vo/R 84.85/10 8.485 A Y la potencia de la carga, Po I~ R 8.4852 X 10 719.95 W. En vista de que la corriente de entrada es la misma que la corriente de la carga, la especificacin de volts-amperes de entrada

VA = vJ, = V'!o

120 x 8.485

1018.2 W

El factor de potencia de entrada


PF

=~

VA

Vo V,

= [.!.(11' _
11'

+ sen2a)]1/2
2 (6-9)

V2 =

719.95 1018.2

0.707 (atrasado)

(e) La corriente promedio del tiristor

t, = 2~R

f: V2 V, senwt

d(wt)
(6-10)

:; 211'R' (e05 a + 1)

V2V

= V2 x
Sec.6-4

120 211' x 10 = 2.7 A

Controladores bidireccionales monofsicos con cargas resistivas

197

(d) El valor rms de la corriente del tiristor

2V2 = [ 47T'~2

J'" (1 a

cos 2wt) d(wt)

]1/2

(6-11)

=~=6A 2 X 10

6-5 CONTROLADORES MONOFASICOS CON CARGAS INDUCTIVAS En la seccin 6-4 se discuten los controladores monofsicos con cargas inductivas. En la prctica, la mayor parte de las cargas son hasta cierto punto inductivas. En la figura 6-6a aparece un controlador de onda completa con una carga RL. Supongamos que el tiristor TI se dispara durante el semiciclo y conduce la corriente de carga. Dada la inductancia del circuito, cuando el voltaje de entrada empieza a ser negativo, en W{= 7t, la corriente del tiristor TI no se reducira a O. El tiristor TI seguir conduciendo hasta que su corriente il llegue a cero, en W{ = p. El ngulo de conduccin del tiristor TI es = p - ex y depende del ngulo de retraso ex y del ngulo del factor de potencia de la carga e. Las formas de onda de la corriente del tiristor, de los pulsos de compuerta y del voltaje de entrada se muestran en la figura 6-6b. Si Vs = {2Vs sen ex es el voltaje instantneo de entrada y el ngulo de retraso del tiristor TI es ex, la corriente del tiristor il se puede determinar a partir de

L ~;

+ tu,

v2 V"

sen wt

(6-12)

La solucin de la ecuacin (6-12) es de la forma il =

v2 V, sen(wt
Z

e)

Ale-(RIL)I

(6-13)

donde la impedancia de la carga Z = [R2 + (wLh 112 y el ngulo de la carga e = tan-I (wLlR). La constante Al se puede determinar a partir de la condicin inicial: en W( = ex, il = O. De la ecuacin (6-13), Al se determina como
Al

= - v2

V, senfo; _

e)e(RIL)(alw)

(6-14)

La sustitucin de Al de la ecuacin (6-14) en la ecuacin (6-13) nos proporciona il =

v2 V, [sen(wt
Z

e) -

sen(a -

e)R1L)(alw-tJl

(6-15)

El ngulo p, cuando la corriente il pasa por cero y el tiristor TI se desactiva, se puede determinar a partir de la condicin il (Wt = P) = O en la ecuacin (6-15), y est dada por la relacin sen(f3 198
e)

= sen (o' -

e)e'RIL)(,,-j3)lw

(6-16) Cap. 6

Controladores de voltaje de ca

wl

/'
T,
+ s i,

9' O +
i2
Vo

wl Pulso de compuerta de T2

'\.
T2

io

92 O
1,

R L

v.

"

2..

wl

O 2"
(b) Formas de onda

wt

Figura 6-6 Controlador monofsico de onda completa con carga RL

El ngulo ~, tambin conocido como ngulo de extincin, se puede determinar a partir de esta ecuacin trascendente y requiere de un mtodo de solucin iterativo. Una vez conocido ~, se puede determinar el ngulo de conduccin o del tiristor TI a partir de

8=f3-a
El voltaje rms de salida

(6-17)

4V~ J[J ]1/2 [ 4; a (l - cos 2wl) d(wt)


sen 2a =v,;:[ .1 ( f3-a+-2---2sen

(6-18)

2f3)] 1/2

Sec.6-5

Controladores monofsicos con cargas inductivas

199

La corriente rms del tiristor se puede determinar a partir de la ecuacin (6-15) como

IR

1 f/3 [ 21T a

ir d(wt) ] 1/2
{sen(wt e) -

i [.; J:

sent -

e)e(RIL)(alw-t)}2

d(wt) ] 1/2

(6-19)

Yentonces se puede determinar la corriente rms de salida combinando la corriente rms de cada tiristor como
(6-20)

El valor promedio del valor de la corriente del tiristor tambin se puede determinar a partir de la ecuacin (6-15) como

t, = 2~
=

J: i,

d(wt) (6-21) [sen(wt e) -

v2 V, f/3
21TZ
a

sen (a -

e)e(RIL)(alw-l)]

d(wt)

Las seales de compuerta de los tiristores pueden ser pulsos cortos para un controlador con cargas resistivas. Sin embargo, para cargas inductivas, estos pulsos cortos no son adecuados. Esto se puede explicar haciendo referencia a la figura 6-6b. Cuando se dispara en (J)t = 1t + exel tiristor T2, el TI an est conduciendo debido a la inductancia de la carga. Para el momento en que la corriente del tiristor TI pasa por cero y TI se desactiva en (J)( = ~ = ex+ O,el pulso de compuerta del tiristor T2 ha dejado de funcionar y, en consecuencia, Tz no se activar. Como resultado, slo operar el tiristor TI, causando formas de onda asimtricas de voltaje y corriente de salida. Esta dificultad se puede resolver utilizando seales de compuerta continuas con una duracin de (n - ex), tal y como se muestra en la figura 6-6c. En cuanto la corriente de TI cae hasta cero, el tiristor Tz (con pulsos de compuerta tal y como se muestran en la figura 6-6c) se activa. Sin embargo, un pulso de compuerta continuo aumenta la prdida de conmutacin de los tiristores requirindose para el circuito de disparo de un transformador con mayor aislamiento. En la prctica, a fin de resolver estos problemas, normalmente se utiliza un tren de pulsos de corta duracin. La ecuacin (6-15) indica que el voltaje (y la corriente) de la carga sern senoidales, si el ngulo de retraso, ex,es menor que el ngulo de carga, Si exes mayor que e, la corriente de carga resultar discontinua y no senoidal.

e.

Notas
1. Si ex= y {3-a=O=1T
(6-23)

e, a partir de la ecuacin (6-16),


sen({3 - e) = sen({3 - a) = O
(6-22)

2. Dado que el ngulo de conduccin no puede exceder de 1t y la corriente de carga debe pasar por cero, el ngulo de retraso exno puede ser menor que y el ngulo de control del ngulo de retraso es

(6-24) 200 Controladores de voltaje de ca Cap. 6

3. Si

a ~ e y los pulsos de compuerta de los tiristores son de larga duracin, la corriente de carga no cambiar con a, pero ambos tiristores conducirn a partir de 1t. El tiristor TI se conectar en rol = e y el tiristor T2 se conectar en el valor rol = 1t + e.

Ejemplo 6-4* El controlador monofsico de onda completa de la figura 6-6a alimenta una carga RL. El voltaje rms de entrada es Vs 120 V, 60 Hz. La carga es tal que L 6.5 rnH y R 2.5 n. Los ngulos de retraso de los tiristores son iguales: al a2 1t/2. Determine (a) el ngulo de conduccin del tiristor TI, (b) el voltaje rms de salida Vo; (c) la corriente rms del tiristor IR; (d) la corriente rms de salida lo; (e) la corriente promedio de un tiristor lA; Y (f) el factor de potencia de entrada PF. Solucin R 2.5 n, L 6.5 rnH,f= 60 Hz, ro 21t x 60 377 rad/s, Vs 120 V, a 90 Y e = tan-1(wL!R) = 44.43Q (a) El nguio de extincin se puede determinar a partir de la solucin de la ecuacin (6-16) y una solucin iterativa resulta en J3 = 220.35. El ngulo de conduccin es o f3 - a 220.43 - 90 = 130.43. (b) De la ecuacin (6-18), el voltaje rrns de salida es Vo 68.09 V. (e) La integracin numrica de la ecuacin (6-19) entre los lmites (J.)( a hasta J3 da la corriente rms del tiristor como IR = 15.07 A. (d) De la ecuacin (6-20),10 = {2 x 15.07 = 21.3 A. (e) La integracin numrica de la ecuacin (6-21) resulta en la.corriente promedio del tiristor lA 8.23 A. (f) La potencia de salida Po = 21.32 x 2.5 = 1134.2 W, y la especificacin en volts-amperes de entrada VA = 120 x 21.3 = 2556 W; por lo tanto,

o;

PF = _fL_ = 1134.200
VA 2556

0.444 (atrasado)

Nota. La accin de conmutacin de los tiristores hace no lineales a las ecuaciones para las corrientes. Un mtodo numrico de solucin para el ngulo de conduccin del tiristor y las corrientes es ms eficiente que los mtodos clsicos. Para resolver este ejemplo se utilizan programas de computadora. Se invita a los estudiantes a verificar los resultados de este ejemplo y a apreciar la utilidad de la solucin numrica, especialmente en la resolucin de ecuaciones no lineales de circuitos de tiristor.

6-6 CONTROLADORES TRIFASICOS DE MEDIA ONDA


En la figura 6-7 aparece el diagrama de circuito de un controlador trifsico de media onda (o unidireccional) con una carga resistiva conectada en estrella. El flujo de corriente hacia la carga est controlado mediante los tiristores TI, T3 Y T5; los diodos proporcionan la trayectoria de corriente de regreso. La secuencia de disparo de los tiristores es TI, T3, T5. Para que fluya la corriente a travs del controlador de corriente, por lo menos un tiristor debe conducir. Si todos los dispositivos fueran diodos, tres diodos conduciran simultneamente siendo ngulo de conduccin de cada uno de ellos de 180. Debemos recordar que un tiristor conducir si su voltaje de nodo es ms alto que el de ctodo y se dispara. Una vez que un tiristor empieza a conducir, slo puede desactivarse cuando su corriente disminuye a cero.
Sec.6-6 Controladores trifsicos de media onda 201

IL

i.

ib

R
vbn

.\ -

l.

./
e

Figura 6-7 Controlador trifsico unidireccional.

Si V~es el valor rms del voltaje de fase de entrada y definimos los voltajes instantneos de entrada como
VAN =

VBN

wt = V2 V.. sen (wt _ 2;)


V2 V,
sen

VCN =

V2 V, V6 V,

sen

(wt _ 4;) (wt +~) (wt -~) (wt _ 7:)

entonces los voltajes de lnea de entrada son


VAB =

sen

VBC

= V6 V,
=

sen sen

VeA

V6 V,

Las formas de onda para los voltajes de entrada, los ngulos de conduccin de los dispositivos y los voltajes de salida se muestran en la figura 6-8 para a = 60 y para a = 150. Debe notarse que los intervalos de conduccin que se representan en la figura 6-8 mediante lneas punteadas no estn a escala, pero tienen anchos iguales a 30. Para O::;a < 60, dos o tres dispositivos pueden conducir en forma simultnea, y las combinaciones posibles son (1) dos tiristores y un diodo, (2) un tiristor y un diodo y (3) un tiristor y dos diodos. Si conducen tres dispositivos, ocurre una operacin normal trifsica tal y como se muestra en la figura 6-9a, y el voltaje de salda de una fase es el mismo que el voltaje de fase de entrada, por ejemplo,
Van

VAN

v'2 V, sen

wt

(6-25)

Por otra parte, si dos dispositivos conducen al mismo tiempo, la corriente fluye slo a travs de dos lneas; la tercera lnea se puede considerar como circuito abierto. El voltaje lnea a lnea aparecer a travs de dos terminales de la carga, tal y como se ve en la figura 6-9b, y el voltaje 202 Controladores de voltaje de ca Cap. 6

",1

g, g3 gs
",1

g,

""
",1

g3 g5 O2

O2
wl

D. 06
I 1 51516161 1 212 114141 6 6 1 111 1 1 13 313 3 515 1121212121414141416161 I 1 l. I , 1 1 1 V.n 1 VAN 05 1 1 1 wt wI

O. De

Vm

. ,~

, ?~

V.n

1 1 1
V"N 0.5\1"B

",1

O
a
0.5VAe

wl

(a) Para a = 600

(b) Para a = 1500

Figura 6-8 Formas de onda para el controlador unidireccional trifsico. T,


A i.

(..
O.
ib

a
A n

T,
A

i.

..(
e
B
ib

R
n

De
b

02

l.

(a) Tres dispositivos conductores

(b) Dos dispositivos conductores

Figura 6-9 Carga resistiva conectada en estrella,

Sec.6-6

Controladores trifsicos de media onda

203

,,,,',,:.;..;'

~--------------

de fase de salida ser la mitad del voltaje de lnea (por ejemplo, con la terminal e en circuito abierto),
_ VAS _

van -

2 -

V3 V2 V,
2

sen

(
w{

+ 6/

~)

(6-26)

La forma de onda para un voltaje de fase de salida (por ejemplo van) se puede deducir directamente de los voltajes de fase de entrada y de lnea, notando que Van correspondera a VAN si los tres dispositivos conducen, a VAB/2 (o vAcl2) si conducen dos dispositivos, y a cero si la terminal a est en circuito abierto. Para 60 ::; <X. < 120, en cualquier instante slo conduce un tiristor, y dos diodos comparten la trayectoria de regreso. Para 120::; <X. < 210, solamente un tiristor y un diodo conducen en forma simultnea. El ngulo de extincin ~ de un tiristor se puede retrasar ms all de 180 (por ejemplo, ~ de TI es 210 para ex = 30 como se observa en la figura 6-8b). Para <X. = 60, el ngulo de extincin ~ se retrasa hasta 180, como se muestra en la figura 6-8a. Esto se debe a que un voltaje de fase de salida puede depender del voltaje lnea a lnea de entrada. Cuando VAB se hace cero en rol 150, la corriente del tiristor TI puede continuar fluyendo hasta que veA se convierte en cero en J{ = 210 y un ngulo de retraso de ex = 210 da un voltaje (y una potencia) igual a cero. Los pulsos de compuerta de los tiristores debern ser continuos, por ejemplo, el pulso de TI deber terminar en rol = 210. En la prctica, los pulsos de compuerta estn formados por dos partes. El primer pulso de TI empieza en cualquier momento entre O y 150 Y termina en Jl = 150, Y el segundo, que puede empezar en Jl = 150, siempre termina en rol:::: 210. Esto permite que la corriente fluya a travs del tiristor TI durante el periodo 150 ::;J{::; 210 aumentando el rango de control de voltaje de salida. El rango de retraso es

(6-27) La expresin para el voltaje rms de fase de salida depende del ngulo de retraso. El voltaje rms de salida para una carga conectada en estrella se puede determinar como sigue. Para O::; <X. < 90:
V(} = [ 21T
_

Jo

{21T
V~II

]1/2

d(wt)
021T/J ex

- v6

17

V, 21T

{_!_ [J

sen2 wt

d(wt)
JJ1T/2+a )1T/2

J"/2+"
1[/2

sen2 wt

d(wt)

(6-28)
f21T 41T11+;

41T13 sen" wt J 27T/3+<, --3-

d(wt)

sen! tot

--4- d(wt) +

--3- d(wt)

sen" wt

]}

1/2

= V3

V
I

[1. (~3 _ ~ + sen 20:)]1/2 4 8


1T

Para 90::; a < 120:


V"

17

6V,

{I

21T

[J27T/3 "

-3- d(wt) +

sen' ost

f1T sen' w{ 1T/2 -4-

d(w{)

(6-29)

+
=

41T/3 21T1)+"

serr' wt

--3- d(wt) +
1T

J21T sen" cot 31T12 --4-

d(wt)

J21T 41T13+,.

--3- d(wt)

sen! wt

] } 1/2

V3

V
s

[1. (~24 _ ~)]1/2 2


Controladores de voltaje de ca Cap. 6

204

Vo =

1 [Jl7 V6 V,. { 211' 17/2-217/3+"

sen! wt --d(wt)

J217 371'/2-217/3. a

sen' wt ]} 1/2 -d(wt)

6-30)

= '

r: 3

V, 11' 24

[_!_

(711' _ ~ 4

sen 20: _

16

v1 COS
16.

20:)]

1/2

En el caso de una carga conectada en delta, el voltaje de fase de salida deber ser el mismo que el voltaje de lnea a lnea. Sin embargo, la corriente de lnea de la carga depender del nmero de dispositivos que conduzcan simultneamente. Si conducen tres dispositivos, las corrientes de lnea y de fase seguirn la relacin normal de un sistema trifsico, tal y como se ve en la figura 6-10a. Si la corriente en la fase a es iab = / m sen rol, la corriente de lnea ser ia = iab - ica = {3 /m sen(rol - Tt/6).Si conducen al mismo tiempo dos dispositivos, una terminal de la carga se puede considerar como circuito abierto tal y como se observa en la figura 6-10b, e ica = ibc = -iabl2. La corriente de lnea de la carga ser ia = iab - ica = (3/m!2) sen ro( = 1.5/m sen rol. Los dispositivos de potencia se pueden conectar juntos, tal y como aparece en la figura 6-11. Esta disposicin, que permite un ensamble completo compacto, slo es posible si se tiene acceso al neutro de la carga.

Os
B ib ibe; B io

e
O2

c~~--------------~
(a) Tres dispositivos conduciendo
(b) Dos dispositivos conduciendo

Figura 6-10

Carga resistiva conectada en delta.

A B~------~~--~--~ b
ic

e Figura 6-11 Arreglo alterno de un controlador unidireccional trifsico.

R C~-------N~--------------------~

Sec.6-6

Controladores trifsicos de media onda

205

Ejemplo 6-5* El controlador trifsico unidireccional de la figura 6-7 alimenta una carga resistiva conectada en estrella con R = 10 n, y el voltaje de entrada lnea a lnea de 208 V (rms), 60 Hz. El retraso es (l = 1t!3. Determine (a) el voltaje rms de fase de salida Vo, (b) el factor de potencia de entrada PF y (e) expresiones para el voltaje instantneo de salida de la fase a. Solucin Vi. = 208 V, = V}...J3= 208/...[3= 120 V, (l = 1t!3, Y R = 10 o, (a) De la ecuacin (6-28), el voltaje de fase de salida rms es Vo = 110.86 V. (b) La corriente de fase rms de la carga la = 110.86/10 = 11.086 A Y la potencia de salida

v,

Po = 31~R = 3 x 11.0862

10 = 3686.98 W

Dado que la carga se conecta en estrella, la corriente de fase es igual a la corriente de lnea, h = la = 11.086 A. La especificacin de volts-amperes de entrada es VA = 3Vsh = 3 x 120 x 11.086 = 3990.96 V/I El factor de potencia P iF = V

A = 3686.98 3990.96 = 0.924 (atrasado


VAN

(e) Si el voltaje de fase de entrada se toma como referencia y es 169.7 sen rol, los voltajes instantneos de lnea de entrada son
VAB

= 120f2

sen rol =

= 208\12 sen

(wt

+ ~)

294.2 sen

(wt

+ ~)

VBC

= 294.2 sen

(wt - i) (wt _ 7:)

VCA

294.2 sen

El voltaje instantneo de salida por fase, Van, que depende del nmero de dispositivos conductores, se puede determinar a partir de la figura 6-8a, como sigue: Para Para Para Para Para Para O S; rol < 1t/3: 1t!3 S; CJll < 41t/6: 41t/6 S; rol < 1t: 1t S; rol < 41t/2: 41t/2 S; rol < 51t!3: 51t!3 S; ro( < 21t:
Van=O van van va" Van

= vAcl2 = -vcAl2 = 147.1 sen(rol-71t/6


= 169.7 sen rol = VAB/2 = 147.1 sen(rol + 1t/6)

VAN

= 169.7 sen rol

-1t)

Van = VAN

= VAN = 169.7 sen rol

Nota. El factor de potencia de este controlador de potencia depende del ngulo de retraso (l.

67 CONTROLADORES TRIFASICOS DE ONDA COMPLETA Los controladores unidireccionales, que contienen corriente de entrada de cd y un contenido de armnicas ms alto debido a la naturaleza asimtrica de la forma de onda del voltaje de salida, no se utilizan normalmente en los impulsores para motores de ca; por lo general se utiliza un control bidireccional trifsico. El diagrama de circuito de un controlador trifsico de onda completa (o bidi206 Controladores de voltaje de ca Cap. 6

reccional) aparece en la figura 6-12 para una carga resistiva conectada en estrella. La

operacin

de este controlador es similar a la de un controlador de media onda, excepto porque la trayectoria de la corriente de regreso est dada por los tiristores T2, T4 Y T6 en vez de los diodos. La secuencia de disparo de los tiristores es TI, T2, T3, T4, t-; T6. Si definimos los voltajes instantneos de entrada por fase como
VAN = VBN =

V2 V, sen wt V2 V, sen (wt


V2V,
sen

__ 2;)

VeN =

(wt _ 4;) (wt


+ ~)

los voltajes instantneos de lnea de entrada son


VAB

V6 V, sen

VBC =

V6 V, sen (wt
V6V,

VCA =

- ~) sen (wt _ 7:)


= =

Las formas de onda de los voltajes de entrada, los ngulos de conduccin de los tiristores y los voltajes por fase de salida se muestran en la figura 6-13, para (l 60 y para o 120. Para 0:5 (l < 60, dos tiristores conducen inmediatamente antes del disparo de TI. Una vez disparado TI, conducen tres tiristores. Un tiristor se desconecta cuando su corriente intenta invertirse, Las condiciones se alternan entre dos y tres tiristores en conduccin. Para 60 :5 o < 90, slo conducen dos tiristores en todo momento. Para 90 :5 (l < 150, aunque conducen dos tiristores en todo momento, existen perodos en los que ningn tiristor est activo. Para o ~ 150, no hay ningn periodo para dos tiristores en conduccin hacindose el voltaje de salida cero en o = 150. El rango del ngulo de retraso es
(6-31)

+-_-_---./IN----

... ~-

n R

Vbn

e
...

Figura 6-12

Controlador bidireccional trifsico.

Sec.6-7

Controladores trifsicos de onda completa

207

...t

g,
...t ...t wt ...t ...t ...1
I I

(a) Para a 600

(b) Para a = 1200

Figura 6-13

Formas de onda para el controlador bidireccional trifsico.

Al igual que los controladores de media onda, la expresin del voltaje de fase rms de salida depende del rango de los ngulos de retraso. El voltaje rms de salida para una carga conectada en estrella se puede determinar como sigue. Para O:::; ex< 60:
l (2" V() = [2; Jo
Van

d(wt}

]V2
sen! wt -3- d(wt}

[f"/3 = ,V17 6 V, -21T a 2"/3


sen? wt

{2

f"/2+a
,,/4

sen! wt -4- d(wt}


(6-32)

+ f ,,/3+ a -3- d(wt} +


208

f"/2+a
,,/2

sen! wt -4- d(wt}

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

+
=

"

2"/3+,,

sen! wt -3-d(wt)

]} 1/2

V6 V [_!_ (!!.. _ ~ +

\1T'64

sen

2a)]

1/2

Vo

, /7

vo Vs
/76

[2
-

{f

5,,/6-,,/3+U rr/2-"/3+,,

serf wt
---

21T'

d(wt)

f5"!6-,,/H,, "/2-,,/3+,,,

sen" wt }] 1/2 -d(wt) 4 (6-33)

= '

V.
\

[_!_

VO

1T' 12:

(!!_

3 sen

16

2a

V3 cos
16

2a)]

1/2

Vo =
=

V6v\ -2 . { 21T'
V6 V [_!_

[f"
"/2-,,/3+,,,

sen" wt -d(wt) 4 sen

f"
"/2-,,/3+,,

sen! wt -d(wt) ]} 1/2

.\ 1T' 24

(51T' _ ~

4 +

16

2a

V3 cos
16

2a)]

(6-34)
1/2

Los dispositivos de potencia de un controlador bidireccional trifsico se pueden juntar en una conexin, tal y como se muestra en la figura 6-14. Este arreglo tambin se conoce como control de amarre y permite el ensamble de todos los tiristores como una sola unidad.
Ejemplo 6-6* Repita el ejemplo 6-5 para el controlador bidireccional trifsico de la figura 6-12. Solucin V= 208 V, Vs = V}..f3= 208lD = 120 V, (l = 1[(3, y R = 10.0. (a) De la ecuacin (6-32), el voltaje rms de fase de salida es Vo 100.9 V. (b) La corriente rms por fase de la carga es la 100.9/10 10.09 A Yla potencia de salida es

Po

= =

3/~R

= =

3 x 10.092

10 = 3054.24 W

Dado que la carga se conecta en estrella, la corriente de fase es igual a la corriente de lnea, lt: = la = 10.09 A. Los volts-amperes de entrada son VA 3Vsh 3 x 120 x 10.09

3632.4 VA

A~----~~-------~ A +
VAS

B~--+----~---_'

~fVBC

e
+

c~--------~~------------------~ de amarre bidireccional trifsico.


Controladores trifsicos de onda completa

Figura 614

Arreglo para un control

Sec.67

209

El factor de potencia PF

=~

VA

3054.24 3632.4

O 84 (atrasado) .
VAN

(e) Si el voltaje de fase de entrada se toma como referencia y es 169.7 sen rol, los voltajes instantneos de lnea de entrada son
VAB =

= 120{2 sen rol =

208\12 sen

(wt

+ ~)

294.2 sen

(wt + i)

UBC

= 294.2 sen = 294.2 sen

(wt -1) (wt _


7;)

VCA

El voltaje instantneo de salida por fase, Va,,, que depende del nmero de dispositivos en conduccin, se puede determinar a partir de la figura 6-13a como sigue: Para Para Para Para Para Para O s rol < re!3: re/3 $ rol < 2re/3: 2re!3 s ex < re: re $ rol < 4re/3: 4re!3 $ rol < 5re/3: Sre!3s rol < 2re:
Van = O Van Van = Van = Van Van

= VABI2= 147.1 sen(rol + re/6) vAcl2=-vcA/2= 147.1 sen(rol-7re/6-re)

= vABI2 = 147.1 sen (rol + re/6)

= vAcl2 = 147.1 sen(rol -7n:/6 - re)

Nota. El factor de potencia, que depende del ngulo de retraso a, es por lo general pobre en comparacin con el de un controlador de media onda.

6-8 CONTROLADORES TRIFASICOS BIDIRECCIONALES CONECTADOS EN DELTA

Si las terminales de un sistema trifsico estn accesibles, los elementos de control (o los dispositivos de potencia) y la carga pueden conectarse en delta, tal y como se muestra en la figura 6-15. Dado que la corriente de fase en un sistema trifsico normal es nicamente VOde la corriente de lnea, las especificaciones de corriente de los tiristores seran menores que si los tiristores (o los elementos de control) se colocaran en la lnea. Supongamos que los voltajes instantneos lnea a lnea son
VAB VBC

=
=

V"h Vhe

= \12 V, sen wt
=

\12 V, sen (wt

_ 2;) _ 4;)

VCA

Vea

= \12 V, sen (wt

Los voltajes de lnea de entrada, las corrientes de fase y de lnea as como las seales de compuerta del tiristor se muestran en la figura 6-16, para a = 1200 y una carga resistiva.
210

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

}
Va =

Figura 6-15 Controlador trifsico conectado en delta.

Para las cargas resistivas, el voltaje rms por fase de salida se puede determinar a partir de

[2~ J:"

U~h

d(wt) ] 1/2 =

[2~ 1: 2 V; sen wt d(wt) ]


1/2

1/2

(6-35) 1( sen V [ - 'lT-a+-s 17' 2

2a)]

El voltaje de salida mximo se obtendra cuando <X = 0, y el rango del control del ngulo de retraso es
(6-36)

Las corrientes de lnea, que se pueden determinar a partir de las corrientes de fase son
(6-37)

Podemos notar, a partir de la figura (6-16), que las corrientes de lnea dependen del ngulo de retraso y pueden resultar discontinuas. Se puede determinar el valor rms de las corrientes de lnea y de fase para los circuitos de carga mediante una solucin numrica o un anlisis de Fourier. Si /" es el valor rms de la ensima componente armnica de una corriente de fase, el valor rms de la corriente de fase se puede determinar a partir de
Iab

= (JI

+ I~ +

13 + 19

+ I + jI + ...

+ I~)1/2

(6-38)

Debido a la conexin en delta, las componentes armnicas mltiplos de 3 (es decir aquellas de orden n = 3m, donde m es un entero impar) de las corrientes de fase circularan alrededor de la delta 'y no apareceran en la lnea. Esto se debe a que las armnicas de secuencia cero estn en fase en las tres fases de la carga. La corriente rms de lnea se convierte en
(6-39)
Sec.6-8 Controladores trifsicos bidireccionales conectados en delta 211

9' O~~~--_L-;--~~--~~~----+wt 92

g.
O~-r~--~~--~~--T-'_~----.wt
95

be

ica

Para (X = 1200

Figura 6-16

Formas de onda para un controlador conectado en delta.

212

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

Como resultado, el valor rms de la corriente de lnea no seguir la relacin normal de un sistema trifsico tal que (6-40)

Una forma alternativa de controladores conectados en delta, que requiere nicamente de tres tiristores y simplifica la circuitera de control, aparece en la figura 6-17. Este arreglo tambin se conoce como controlador conectado en polgono.

l R c~----~~--~~------------~

Figura 617 Controlador trifsico de tres tiristores.

Ejemplo 67
El controlador bidireccional trifsico conectado en delta de la figura 6-15 tiene una carga resistiva R = 10 n. El voltaje lnea a lnea es Vs = 208 V (rms), 60 Hz, yel ngulo de retraso es ex= 2rt!3. Determine (a) el voltaje rms de fase de salida Vo; (b) las expresiones para las corrientes instantneas ia, iah e ica; (e) la corriente rms de fase de salida lah y la corriente rms de lnea la; (d) el factor de potencia de entrada PF; y (e) la corriente rms de un tiristor IR. Solucin VL = Vs = 208 V, a = 2rt!3, R = 10 n, y el valor pico de la corriente de fase, 1m = -f2 X 208/10 = 29.4 A. (a) De la ecuacin (6-35), Vo 92 V. (b) Suponiendo que iab es la fase de referencia e iah 1m sen Wl, las corrientes instantneas son

Para O ::;W( < rt/3:

ah = O jca = 1m sen( (1)( - 4rt/3)


ja

Para rt/3 < W( < 2rt/3: Para 2rt/3 < W( < rt:

Para rt < W( < 4rt/3:

Para 4rt/3 < Wl < 5rt/3: Para 5rt/3 < (1)( < 2rt:

= jah - jca = -1m sen( (1)( - 4rt/3) jab = jca = ia O iab l sen wt ica O ia = iah - ica = L sen W( iab O ica L sen(wI -4rt/3) ia jah -ica 1m sen(I)(- 4rt!3) iab = ica = ia O iab = 1m sen (1)( ca = O a = ah - ca L sen (1)1

= =

= = =

= = =

Sec.6-8

Controladores trifsicos bidireccionales conectados en delta

213

(e) Los valores rms de iah y de ia estn determinados mediante la integracin numrica utilizando un programa de computadora. Los estudiantes estn invitados a verificar los resultados. t., = 9.32 A (d) La potencia de salida Po Los volts-amperes VA = 3VJ"b = 3 x 208 x 9.32 El factor de potencia Po 2605.9 448 ( d ) PF = VA = 5815.7 = O. atrasa o (e) La corriente del tiristor se puede determinar a partir de una corriente de fase: IR = ~
=

ti. = 1" = 13.18 A

i.:

= 13.18 = 1.1414 f9.32

V3

= 3I~,hR = 3 x 9.322

10 = 2605.9

5815.7

v'2

= 9.32 = 6.59 A

v'2

Notas 1. Vo;: latfi ;: 9.32 x 10 = 93.2 V, en tanto que la ecuacin (6-35) da 92 V. Esta diferencia se
debe al redondeo de la solucin numrica.

2. Para el controlador de voltaje de ca de la figura 6-17, la corriente de lnea la no est relacionada con la corriente de fase 1ah por un factor de -{3. Esto se debe a la discontinuidad de la
corriente de carga en presencia del controlador de voltaje de ca.

6-9 CAMBIADORES DE DERIVACIONES DE UN TRANSFORMADOR MONOFASICO


Los tiristores se pueden utilizar como conmutadores estticos para cambiar las derivaciones de los transformadores con carga. Los cambiadores de derivacin estticos tienen la ventaja de una accin de conmutacin muy rpida. El cambio puede disearse de modo que se pueda manejar las condiciones de la carga y es continuo. El diagrama de circuito de un cambiador de derivaciones para un transformador monofsico aparece en la figura 6-18. Por simplicidad, aunque un transformador pueda tener muchos embobinados secundarios, slo se muestran dos de ellos.
T,
12

---c>...... T2 "',,/'

:,
+ v,

T3

'"
i,

io R

T.
L

1
214

Figura 6-18 Cambiador de derivaciones para un transformador monofsico.

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

La relacin de vueltas del transformador

de entrada es tal que si el voltaje instantneo prisen JI

mario es
Vp

v'2 V, sen JI = v'2 Vp


VI =

los voltajes instantneos en el secundario son

v'2 VI v'2 Vz

sen JI

y Vz =
sen JI

El uso ms comn de un cambiador de derivacin es para cargas resistivas de calefaccin. Cuando slo se disparan alternativamente los tiristores T3 y T4 con un ngulo de retraso a = O, el voltaje de carga se mantiene a un voltaje reducido Vo = VI. Si se requiere del voltaje de salida total, slo se disparan alternativamente los tiristores TI y T2 con un ngulo de retraso a = O por lo que el voltaje total es Vo = VI + V2. Se puede controlar los pulsos de compuerta de los tiristores para variar el voltaje de la carga. Se puede modificar el valor rms del voltaje de carga, Vo, dentro de tres rangos posibles:
O

< V, <

VI

Rango de control 1: O::;;Vo::;;V,. Para variar el voltaje de la carga dentro de este rango, se desactivan los tiristores TI y T2. Los tiristores T3 y T4 pueden operar como un controlador monofsico de voltaje. El voltaje instantneo de la carga Vo y la corriente de carga lo se muestran en la figura 6-19c en caso de una carga resistiva. El voltaje rms de la carga que puede determinarse a partir de la ecuacin (6-8) es

V, - VI
y el rango del ngulo de retraso es O ::;

[.!_ (_ 1T 1T

o:

sen

20:)]

1/2

(6-41)

a ::;; 1t.

Rango de control 2: O s Vo::;; (V, + V2). Los tiristores T3 y T4 estn desactivados. Los tiristores TI y T2 operan como un controlador monofsico de voltaje. La figura 6-19d muestra el voltaje de la carga Vo y la corriente de la carga lo en el caso de una carga resistiva. El voltaje rms de la carga se puede encontrar a partir de
Vo = (VI

V2)

[1 (
;.

1T -

o:

sen 20:)J 1/2 + -2-

(6-42)

y el rango del ngulo de retraso es O::;; o. ::;;1t. Rango de control 3: V, < Vo < (V, + V2). El tiristor T3 se activa en rol = O y el voltaje en el secundario VI aparece a travs de la carga. Si el tiristor TI se activa en rol a, el tiristor T3 se queda con polarizacin negativa debido al voltaje en el secundario V2, desactivndose T3.

Sec.6-9

Cambiadores de derivaciones de un transformador monofsico

215

wt

(el
VO

V2V,

O . I I

wt

V2(V, + V21 (d)

"o

lo

volR

wt

Figura 6-19 Formas de onda para el cambiador de derivaciones de transformador.

El voltaje que aparece a travs de la carga es (Vl + V2). En (l)( = n, T, es auto conmutado y T4 se activa. El voltaje secundario Vlaparece a travs de la carga, en tanto T2 se dispare en rol = 1t + a . Cuando T2 se dispara en rol = 1t + a, T4 se desconecta debido al voltaje inverso V2, Yel voltaje de la carga es (Vl + V2). En (l)( = 2Tt, T2 es auto conmutado, T3 se vuelve a activar y el ciclo se repite. El voltaje instantneo de la carga Voy la corriente de carga io se muestran en la figura 6-1ge para una carga resistiva. Un cambiador de derivaciones con este tipo de control tambin se conoce como cambiador de derivaciones sncrono. Utiliza un control de dos pasos. Una parte del voltaje del secundario V2 se superpone a un voltaje senoidal VI.Como resultado, los contenidos armnicos son menores que los que se obtendran mediante un retraso de fase normal, tal y como se analiz anteriormente
216 Controladores de voltaje de ca Cap. 6

para el rango de control 2. El voltaje rms de la carga se puede determinar a partir de Va = [ 27T

Jo u5 d(wt)
1T

(2

] 1/2

(6-43)

[ -vr ( a---sen2a) 2
7T

+ (VI + V2)2 ( 7T-a+ sen2a)]1/2 7T 2 .

Para cargas RL. el circuito de compuertas de un cambiador de derivaciones sncrono requiere de un diseo cuidadoso. Supongamos que los tiristores TI y T2 estn desactivados. en tanto que los tiristores T3 y T4 estn activos durante el medio ciclo alterno al cruzamiento del cero de la corriente de carga. La corriente de carga ser entonces
lo =

v'2 VI sen(wt -z--

(J)

donde Z = [R2 + (roL)2]1/2 y e = tan-l(roUR). La corriente instantnea de carga io se muestra en la figura 6-20a. Si TI se activa en ese momento en rol = ex donde ex< e, el segundo embobinado del transformador quedara en corto circuito, porque el tiristor T3 est todava conduciendo y pasando corriente debido a la carga inductiva. Por lo tanto, el circuito de control deber disearse de tal forma que TI no sea activado hasta que T3 se desactive e io ;? O.En forma similar, T2 no deber activarse hasta que se desactive T4 e io ~ O.Las formas de onda del voltaje de carga Vo y de la corriente de carga lo se muestran en la figura 6"20b para a > e.
Yo

.,('2(V, + V21

T,

.,('2V,

,.-

....

",1
Yo

v
wl .,('2(Vz + Val

(a) Formas de onda sin cambiador de derivacin

(b) Cambiador sncrono

Figura 6-20

Formas de onda de voltaje y de corriente para una carga RL.

Sec.6-9

Cambiadores de derivaciones de un transformador monofsico

217

Ejemplo 6-8* El circuito de la figura 6-18 est controlado como un cambiador de derivaciones sncrono. El voltaje del primario es 240 V (rms), 60 Hz. Los voltajes de los secundarios son VI := 120 V Y V2 = 120 V. Si la resistencia de la carga es R = 10 Q Yel voltaje rms de la carga es 180 V, determine (a) el ngulo de retraso de los tiristores TI y T2, (b) la corriente rms de los tiristores TI y T2, (e) la corriente rms de los tiristores T3 y T4 y (d) el factor de potencia de entrada PF. Solucin Va = 180 V, Vp = 240 V, VI = 120 V, V2 = 120 V, YR = 10 Q. (a) El valor requerido del ngulo de retraso a para Vo = 180 V se puede encontrar a partir de laecuacin (6-43), en dos formas diferentes: (1) graficando Vo en funcin de a y encontrando el valor requerido para a, o bien (2) utilizando un mtodo iterativo para solucionarlo. La ecuacin (6-43) se resuelve mediante un programa de computo en funcin de a, por iteracin, y da a = 982. (b) La corriente rms de los tiristores TI y T2 se puede determinar a partir de la ecuacin (6-42): 1 IRI = [ 2rrR2

Jn 2(V
e

+ V2)2 sen2wt d(wt)

] 1/2
(6-44)

VI

V2

[..!.. (rr
tt

_ a + sen2a)]1/2
2

Y2R

10.9 A

(e) La corriente rms de los tiristores T3 y T4 se determina a partir de 1 IR3 = [ 2rrR2 o 2VI sen! wt d(wt) 1/2
=

f"
tt

l
Y2R

[.!. (a _ sen 2a)]


2

1/2

(6-45)

= 6.5 A (d) La corriente rrns de un segundo embobinado secundario (superior) es h = ...f2 IRl = 15.4 A. La corriente rms del primer embobinado secundario (inferior) que es la corriente rms total de los tiristores TI, T2, T3 Y T4, es I1

[(Y2IRI)2

+ (Y2IRJl2JI/2

17.94 A

La especificacin en volts-amperes del primario o del secundario, VA VIII + V2[z 120 x 17.94 + 12 x 15.4 4000.8. La potencia de la carga P a V 3240 W, y el factor de potencia

= 61R =

PF

VA

Po

4000.8 = 0.8098 (atrasado)

3240

6-10 CICLOCONVERTIDORES Los controladores de voltaje de ca suministran un voltaje de salida variable, pero la frecuencia del voltaje de salida es fija y adems el contenido armnico es alto, especialmente en el rango de voltajes de salida bajos. Se puede obtener un voltaje de salida variable a frecuencias variables a partir de conversiones en dos etapas: de ca fija a cd variable (por ejemplo rectificadores controlados) y de cd variable a ca variable a una frecuencia variable (por ejemplo los inversores, que se analizan en el captulo 8). Sin embargo, los cicloconvertidores pueden eliminar la necesidad de uno o ms
218 Controladores de voltaje de ca Cap. 6

convertidores intermedios. Un cicloconvertidor es un cambiador de frecuencia directa que convierte la potencia de ca a una frecuencia en potencia de frecuencia alterna a otra frecuencia mediante conversin de ca a ca, sin necesidad de un eslabn de conversin intermedio. La mayor parte de los cicloconvertidores son de conmutacin natural, estando la frecuencia de salida mxima limitada a un valor que es slo una fraccin de la frecuencia de la fuente. Como resultado, la aplicacin de mayor importancia de los cicloconvertidores son los motores elctricos de ca de baja velocidad, en el rango de hasta 15,000 kW, con frecuencias desde O hasta 20 Hz. Los propulsores de ca se analizan en el captulo 15. Al desarrollarse las tcnicas de conversin de potencia y con los mtodos modernos de control, los propulsores para motores de ca alimentados por inversor estn desplazando a los propulsores alimentados por cicloconvertidores. Sin embargo, los avances recientes en materia de dispositivos de potencia y microprocesadores de conmutacin rpida permiten la sntesis y la puesta en prctica de estrategias avanzadas de conversin para cambiadores directos de frecuencia de conmutacin forzada (FCDFC), a fin de optimizar la eficiencia y reducir los contenidos armnicos [1,2]. Las funciones de conmutacin de los FCDFC se pueden programar a fin de combinar las funciones de conmutacin de los convertidores de ca a cd y de cd a ca. Debido a la naturaleza compleja de las deducciones involucradas en los FCDFC, los cicloconvertidores de conmutacin forzada no se analizarn en detalle.

6-10.1 Cicloconvertidores

monofsicos

El principio de operacin de los cicloconvertidores monofsico/monofsico se puede explicar con ayuda de la figura 6-21a. Dos convertidores monofsicos controlados se operan como rectificadores de fuente. Sin embargo, sus ngulos de retraso son tales, que el voltaje de salida de uno de ellos es igual y opuesto al del otro. Si el convertidor P est operando solo, el voltaje promedio de salida es positivo, y si el convertidor N est operando, el voltaje de salida es negativo. La figura 6-21b muestra las formas de onda para el voltaje de salida y las seales de compuerta de los convertidores positivo y negativo, con el convertidor positivo activo durante un tiempo T0/2 y el convertidor negativo operando durante un tiempo T0/2. La frecuencia del voltaje de salida es fo =

ur;

Si up es el ngulo de retraso del convertidor positivo, el ngulo de retraso del convertidor negativo es Un = 1t - up El voltaje promedio de salida del convertidor positivo es igual y opuesto al del convertidor negativo.
Ved2

= -

Ved I

(6-46)

Al igual que los convertidores duales de las secciones 5-5 y 5-10, los valores instantneos de salida pueden no resultar iguales. Es posible que circulen grandes corrientes armnicas entre ambos convertidores. Se puede eliminar la corriente circulatoria suprimiendo los pulsos de compuerta hacia el convertidor que no est suministrando corriente de carga. Un cicloconvertidor monofsico con un transformador con derivacin central, como se muestra.en la figura 6-22, tiene un reactor de intergrupo, que mantiene un flujo continuo y tambin limita la corriente circulatoria.
Ejemplo 6-9* El voltaje de entrada del cicloconvertidor de la figura 6-21a es 120 V (rms) 60 Hz. La resistencia de la carga es 5 n y la inductancia de la carga es L = 40 mH. La frecuencia del voltaje de salida es 20 Hz. Si los convertidores operan como semiconvertidores de tal forma que O S; u S; 1t Yel Sec.6-10

Cicloconvertidores

219

i.

r - - - - - -1_
I ip

Convertidor P

in

I TI'\ ~
I

<l,

T3 ~ I

I + I

.L:
lo

r-------,

Convertidor N

v.

I T. ~

I I I L ______
(a) Circuito -

I I o, T2 ~ I I I
...l
I

.. ~ .. u
-roV02

I I
'T2'

,
I

Yol

'b I I L ______J

, lb

I I I

f\

)T'
~

~
TI'

'J T3'

, ,

f. -60Hz

Yo

Or---------------------------L---------------------------~-.w~
O '------------------.___---~.;;.:.;.:=.;=.:...:..:..=:.:..:..:--......;.---.;-- wot
(b) Formas de onda para carga resistiva Convertidor N activo

Convertidor P activo

Figura 6-21 Cicloconvertidor monofsico/monofsico.

ngulo de retraso es (lp 21t/3, determine (a) el valor rms del voltaje de salida Yo, (b) la corriente rms de cada tiristor IR y (e) el factor de potencia de entrada PF. Solucin Vs 120 V,fs = 60 Hz.j, 20 Hz, R 5 n, L = 40 rnH, (lp = 2rc/3, OJo 2rc x 20 125.66 rad/s y XL wo!.. 5.027 n. (a) Para OS (l S 1t,la ecuacin (6-8) da el voltaje rms de salida

Vo "'V

1 ( sen 2a)]1/2 [1T 1T-a+-- 2

(6-47)

=
lo

53 V

(b) Z = [R2 + (wL)2Jl12 = 7.09 n y a = tan-1(WQL/R) = 45.2. La corriente rms de la c~a, = VoIZ = 5317.09 = 7.48 A. La corriente rms a travs de cada convertidor, Ip = IN = lo/...J 2 = 5.29 A Y la corriente rms a travs de cada tiristor, IR = Ip/fi = 3.74 A. (e) La corriente rms de entrada, ls = lo = 7.48 A, la especificacin de volts-amperes VA = VJs = 897.6 VA, Yla potencia de salida, Po = VJo cos A = 53 x 7.48 x cos 45.2 = 279.35 W. De

la ecuacin (6-8), el factor de potencia de entrada,

220

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

i. +
+

~--------------------------------I : T, :
,

, ,, , , , ,, , , ,
,
I

Convertidor positivo

ip

_.J

Vp
r--,
I

LR

Reactorde intergrupo

---

, , , , , ,
I

Convertidor negativo

T,'

Figura 6-22 Cicloconvertidor con reactor de intergrupo.

PF = - Po =
~~

Vocos(}
~

cos () -

[I(
1T

1T ~

sen2a)]1/2 a + _2

(6-48)

279.35 897.6

0.311 (atrasado)

Nota. La ecuacin (6-48) no incluye el contenido armnico del voltaje de salida y da el valor aproximado del factor de potencia. El valor real ser menor que el que da la ecuacin (6-48). Las ecuaciones (6-47) y (6-48) tambin son vlidas para cargas resistivas. 6-10.2 Cicloconvertidores trifsicos El diagrama de circuito de un cicloconvcrtidor trifsico/monofsico aparece en la figura 6-23a. Los dos convertidores de ca a cd son rectificadores controlados trifsicos. La sntesis de la forma de onda de salida para una frecuencia de salida de 12 Hz aparece en la figura 6-23b. El convertidor positivo opera durante la mitad del perodo de la frecuencia de salida y el convertidor negativo durante la otra mitad. El anlisis de este cicloconvertidor es similar al de los convertidores monofsico/monofsico. El control de los motores de ca requiere de un voltaje trifsico a frecuencia variable. El cicloconvertidor de la figura 6-23a se puede extender para suministrar una salida trifsica mediante seis convertidores trifsicos, tal y como se muestra en la figura 6-24a. Cada fase est formada por
Sec.6-10 Cicloconvertidores 221

\
A

,
~T, T3
~

,
T5 T2

+
lo

B o,

I
~

Carga

I
+

T2'

T,'

s r,

Te

"

"

"
.1
., T3'

"

T/

e
A

vo'

v02

"

' T5'

(a)Circuito 1,. 60Hz

"

T,'

Convertidor P activo Or---------------------------~----------------------------+___.wJ Or~ ~C~o~nv~e~rt~id~o~rN~ac~ti~vo~ ~ __ -.wJ

(b)Formas de onda paracargaresistiva

Figura 6-23 Cicloconvertidor trifsico/monofsico.

seis tiristores, segn se muestra en la figura 6~24b, y se necesita un total de 18 tiristores. Si se utilizan seis convertidores trifsicos de onda completa, se requerir de 36 tiristores. 6-10.3 Reduccin de armnicas de salida Podemos notar en las figuras 6-21b y 6-23b que el voltaje de salida no es puramente senoidal y que, como resultado, contiene armnicas. La ecuacin (6-48) muestra que el factor de potencia de entrada depende del ngulo de retraso de los uristores y que resulta pobre, especialmente en el rango de voltajes de salida bajos. El voltaje de salida de los cicloconvcrtidores se compone fundamentalmente de segmentos de voltaje de entrada, y el valor promedio de un segmento depende del ngulo de retraso del mismo. Si se hacen variar los ngulos de retraso de los segmentos de tal forma que los valores promedio de los segmentos correspondan lo ms cerca posible a la variacin de el voltaje de salida 222 Controladores de voltaje de ca Cap. 6

Trifsica

Alimentacin

Carga en la fase a

Carga en la fase b

Carga en la fase e

Neutro
(a) Diagrama esquemtico

e
T, Tz

\,

r-...

l3 \.

T,:-

T2:'

T3'\

(7) Carga en

la fase a

(b) Fase a

Figura 6-24 Cicloconvertidor trifsico/trifsico.

senoidal deseado, las armnicas del voltaje de salida se pueden minimizar. La ecuacin (5-21) indica que el voltaje promedio de salida de un segmento es una funcin del coseno del ngulo de retraso. Los ngulos de retraso de los segmentos se pueden generar comparando la seal del coseno en la frecuencia de la fuente (ve = {2 Vs cos ros/) con un voltaje ideal senoidal de referencia a la frecuencia de salida (V,. = {2 VI' sen roo/). La figura 6-25 muestra la generacin de las seales de compuerta para los tiristores del cicloconvertidor de la figura 6-23a. El voltaje promedio mximo de un segmento (que OCurreen el caso en que (Jp = O ) deber resultar igual al valor de pico del voltaje de salida; por ejemplo, de la ecuacin (5-21),
V p.

= 2 V2
7T

Vs

= V2

Vo

(6-49)

que nos da el valor rms del voltaje de salida como (6-50)

Sec.6-10

Cicloconvertidores

223

.,.,....'.~...

'''~--.' -.,...~-~-------------..

------j-----

-----1------

Figura 6-25 Generacin de las seales de compuerta del tiristor. Ejemplo 6-10 Repita el ejemplo 6-9 si los ngulos de retraso del cicloconvertidor se generan utilizando WIa seal de coseno en la frecuencia de la fuente y comparndolos con una seal senoidal de la frecuencia de salida tal y como se muestra en la figura 6-25. Solucin Vs 120 V'/s 60 Hz.j; 20 Hz, R 5 n, L 40 mH, <J.p 2rc/3, Jo 21t x 20 125.66 rad/s y XL = roo/.- 5.027 n. (a) De la ecuacin (6-50), el valor rms del voltaje de salida

Vo

2V, = =1T

0.6366V,

0.6366 x 120 = 76.3 9 V

lo

(b) Z = [R2 + (rooL)2)1!2 = 7.09 n y e = tan-I(WoL/R) = 45.2. La corriente rms de la carga = VoIZ = 76.3917.09 = JO.77 A. La corriente rms a travs de cada convertidor, Ip = IN = hin = 7.62 A, Yla corriente rms a travs de cada tiristor, IR = lplfi = 5.39 A.

224

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

Vis

(e) La corriente rrns de entrada Is = lo = 10.77 A, la especificacin = 1292.4 VA, Yla potencia de salida,

de volts-arnperes VA

Po = vJ; cos () = 0.6366VJ" cos () = 579.73 W. El factor de potencia de entrada PF

=
=

0.6366 cos IJ 579.73 -1292.4

(6-51)

= 0.449 (atrasado)

Nota. La ecuacin (6-51) muestra que el lactar de potencia de entrada es independiente del ngulo de retraso, a, y slo depende del ngulo de carga e. Pero para el control del ngulo de fase normal, el factor de potencia de entrada depende tanto del ngulo de retraso, a, como del ngulo de carga, e. Si comparamos la ecuacin (6-48) con la (6-51), existe un valor crtico del ngulo de retraso ae, que est dado por (6-52) Para a < ac, el control normal del ngulo de retraso exhibir un factor de potencia mejor lucin de la ecuacin (6-52) dar ac = 98.59.

y la so-

6-"

CONTROLADORES DE VOLTAJE DE CA CON CONTROL PWM En la seccin 5-11 se demostr que el factor de potencia de entrada de los rectificadores controlados se puede mejorar mediante control por modulacin de ancho de pulso (PWM). Los controladores de tiristores de conmutacin natural introducen armnicas de orden bajo, tanto en la carga como en el lado de la alimentacin, teniendo un bajo factor de potencia de entrada. El rendimiento de los controladores de voltaje de ca se puede mejorar mediante el control PWM. La configuracin del circuito de un controlador de voltaje de ca monofsico PWM aparece en la figura 6-26a. Las seales de compuerta de los interruptores aparecen en la figura 6-26b. Dos interruptores SI y S2 se activan y desactivan varias veces durante el medio ciclo positivo y negativo del voltaje de

+ R vo L

s, o S2 o s', o
S'2

o
(b) Seales de compuerta

(a) Circuito

Figura 6-26 Controlador de voltaje de ca para control PWM.

Sec.6-"
-i;_-_;,,"~w.,...-

Controladores de voltaje de ca con control PWM


_

225

Si y Si proporcionan las trayectorias de marcha libre para las corrientes de carga, en tanto que SI y S2, respectivamente, estn en estado de desactivacin. Los diodos impiden que aparezcan voltajes inversos a travs de los interruptores. El voltaje de salida se muestra en la figura 6-27a. En el caso de una carga resistiva, la corriente de carga se parecer al voltaje de salida. En el caso de una carga RL, la corriente de carga se elevar en la direccin positiva o negativa cuando se active el interruptor SI o 52 respectivamente. En forma similar, la corriente de carga se reducir si Si o Si se activan. La corriente de carga aparece en la figura 6-27b con una carga RL.
entrada, respectivamente.

Figura 6-27

Voltaje de salida y corriente de carga de un controlador de voltaje de ca.

6-12 DISEO DE CIRCUITOS DE CONTROLADORES DE VOLTAJE DE CA Las especificaciones de los dispositivos de potencia deben disearse para las condiciones de peor caso, que ocurrirn cuando el convertidor suministre el valor rms mximo del voltaje de salida Vo. Tambin los filtros de entrada y de salida deben disearse para las dichas condiciones. La salida del controlador de potencia contiene armnicas, y deber determinarse el ngulo de retraso para la 226 Controladores de voltaje de ca Cap. 6

condicin de peor caso, de una disposicin particular del circuito. Los pasos incluidos en el diseo de los circuitos de potencia y sus filtros son similares a los del diseo del circuito de rectificadores de la seccin 3-11. Ejemplo 6-11 Un controlador de voltaje monofsico de ca de onda completa de la figura 6-3a controla el flujo de potencia de una alimentacin de 230V 60Hz a una carga resistiva. La potencia de salida mxima deseada es 10 kW. Calcule (a) la especificacin mxima de corriente rms de los tiristores IRM, (b) la especificacin mxima promedio de corriente de los tiristores IAM, (e) la corriente de pico de los tiristores Ip, y (d) el valor pico del voltaje del tiristor Vp. Solucin Po = 10,000 W, V. = 230 Vy Vm =..[2 x 230 = 325.3 V. La potencia mxima ser suministrada cuando el ngulo de retraso sea o. O. De la ecuacin (6-8), el valor rrns del voltaje de salida Vo = V. = 230 V, Po = V~IR = 2302/R = 10,000, Y la resistencia de la carga es R = 5.29 n. (a) El valor rms mximo de la corriente de carga 10M = VolR = 23015.29 = 43.48 A, Y el valor rms mximo de la corriente del tiristor IRM = loMI..[2 = 30.75 A. (b) De la ecuacin (6-10), la corriente promedio mxima de los tiristores, v'2 x 230 IAM = 1T' x 5.29 = 19.57 A

(e) La corriente de pico del tiristor Ip = VmiR = 325.3/5.29 = 61.5 A. (d) El voltaje pico del tiristor Vp = Vm = 325.3 V. Ejemplo 6-12* El controlador monofsico de onda completa de la figura 6-6a controla la potencia a una carga RL siendo el voltaje de suministro de 120 V (rms), 60 Hz. (a) Utilice el mtodo de las series de Fourier para obtener expresiones para el voltaje de salida vo(t) y la corriente de carga ioU) como una funcin del ngulo de retraso 0.. (b) Determine el ngulo de retraso correspondiente a la cantidad mxima de corriente armnica de orden menor en la carga. (e) Si R 5 n, L 10 mA y o. rc/2, determine el valor rms de la corriente de la tercera armnica. (d) Si se conecta un capacitor a travs de la carga (figura 6-28), calcule el valor de la capacitancia para reducir la corriente de la tercera armnica al 10% del valor sin el capacitor. Solucin (a) La forma de onda para el voltaje de entrada aparece en la figura 6-6b. El voltaje instantneo de salida tal y como aparece en la figura 6-28b se puede expresar en una serie de Fourier de la forma

v,,(t) =

Ved

,,;1.2...

G"

cos nost +

,,; 1.2...

b; sen nost

(6-53)

T,

'1

_ r

T,

,",v.sen '"

e
(a] Circuito

r T-

vo

o-------------_.--~
(b) Voltaje de salida

Figura 6-28 Convertidor monofsico completo con carga RL. Sec.6-12


J:.,"';';';.'!.t.."].!il<'....

Diseo de circuitos de controladores de voltaje de ca


_

227

donde Ved a;

21T Jo

(21T

Vm senwt

d(wt)

=O
+

= .! [f!l v'2 v, n a = v'2


Vs
[

senwt cos nwt d(wt)

J1r+!l v'2 V, sen wt cos


n+a

nwt d(wt)]

COS(1 -

n)a - cost l - n)f3 + cosO - n)(1T + a) - cosO + n)(1T + (3)

21T

1- n

cost l + n)a - cos(1 + n)f3 + cost l + n)(1T + a) - cos(l 1+ n para n = 3,5, ...
(6-54)

=O
b; =

para n

= 2, 4, ...
Vs sen wt sen noit d(wt) +

.! [f(3 v'2 1T a
v'2
Vs [
21T

J1r+!l v'2 V, sen wt sen nwt


1T+a

d(wt)]

senO - n)f3 - sentj - n)a +senO - n)(1T + (3) -senO 1 - n

- n)(1T + a)

_ sen(l + n)f3 -senO

+ n)a +sen(l + n)(1T + (3) -senO 1+n para n

+ n)(1T + a)]

= 3, 5,...
wt d(wt)]

(6-55)

=O
al
=

para n

= 2, 4, ...
cos wt d(wt) +
2 2

.! [f!l a v'2 v, sen wt 1T


v'2
Vs
2

J1r+!l v'2 V, sen wt cos 1T+a

=~

[sen f3 - sen a + sen (1T + (3) - serr'(rr + a)]

para n

= 1,...

(6-56)

b, = .! [f!l
1T

v'2 v, sen" wt

d(wt)

+ J1T+!l v'2 Vs sen! wt


1T+O:

d(wt)]

v'2

Vs [2(f3 _ a) _ sen2f3 -sen2a

+ sen2(1T + (3) - sen2(1T + a)]

21T

2
para n

= 1,...

(6-57)

La impedancia de la carga Z =R

+ j(nwL)

== [R2

(nwL)2]

1/2

&.

y e" = tan-1(n)UR). Dividiendo

vo(t) en la ecuacin (6-53) entre la impedancia de la carga Z y simplificando los trminos de seno y de coseno obtenemos la corriente de carga como io(t) =

" 2:
"=1.3.5 ....

v'2 Insen(nwt

- 8"

CPn)

(6-58)

228

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

donde $" = tan-1(a"lb,,) y I


1" == (a~

\/2 [R2 +

b~,)1/2 (nwL)2J1/2

(b) La tercera annniea es la armnica de orden menor. El clculo de la tercera armnica para distintos valores del ngulo de retraso muestra que se hace mxima en el caso de (l rt/2. (e) Para (l = rt/2, L = 6.5 mH, R = 2.5 n, ) = 2rt x 60 = 377 rad/s y Vs = 120 V. Partiendo del ejemplo 64 obtenemos el ngulo de extincin como ~ = 220.43. Para valores conocidos de (l, ~, R, L Y V., se pueden calcular los valores a" y b; de la serie de Fourier de la eouacin (6-53), as como la corriente de carga io de la ecuacin (6-58). La corriente de carga est dada PUl

o(t) = 28.93sen(wt - 44.2 - 18) + 7.96sen(3wt - 71.2

+ 68.7")

+ 2.68sen(5wt - 78S - 68.6) + 0.42sen(7wt - 81.7 + 122.7) + 0.59sen(9wt - 83S - 126.3) + .


El valor nns de la corriente de la tercera armnica es 13 == 1.96

v2

== 5.63 A

(d) La figura 6-29 muestra el circuito equivalente para la corriente armnica. Utilizando la regla del divisor de corriente, la corriente annniea a travs de la carga est dada por

t,
In
donde X = l/(nwC). Para n
)

XC'
[R2

(nwL

- X,)2J1/2

= 3 Y = 377,
X,

T" =

t,

[2.52 + (3 x .377 x 6.5 - X,)2jI/2

== 0.1

lo que da X = - 0.858 es decir 0.7097. Dado que X no puede ser negativa, Xc = 0.7097 377C) y, por lo tanto, C 1245.94IlF.

= 1/(3 x

---'- jnwC
)

jnwL

Figura 6-29 Circuito equivalente para la corriente armnica.

Ejemplo 613 El controlador de voltaje de ca monofsico de la figura 6-6a tiene una carga R = 2.5 n y L = 6.5 rnH. El voltaje de alimentacin es 120 V (nns) , 60 Hz. El ngulo de retraso es (l rt/2. Utilice PSpice para graficar el voltaje de salida y la corriente de carga as como para calcular la distorsin armnica total (THD) del voltaje y de la corriente de salida, ademas de el factor de potencia de entrada (PF).

Sec.6-12

Diseo de circuitos de controladores

de voltaje de ca

229

Solucin La corriente de carga de los controladores de voltaje de ca es ca, y la corriente de un tiristor siempre se reduce a cero. No se requiere del diodo DT de la figura 4-30b, pudindose simplificar el modelo de tiristor al de la figura 6-30. Este modelo se puede utilizar como subcircuito.

F1

== Pllg + P2la == 50lg + llla

CT

10 JlF RT 6

Figura 6-30 Modelo SPice para el tiristor de ca.

La definicin del subcircuito para el modelo SeR del tiristor se puede describir como sigue:

Subcircuit for .SUBCKT SCR model * name * sI 1 5 RG 4 3 VX 2 4 VY 2 5 RT 2 6 2 CT 6 Fl 2 6 SMOD .MODEL

ac thyristor anode
6 2

model
2 3 2

cathode SMOD

+control voltage ; Switch

-control voltage

50 DC DC

OV OV

.ENDS

SCR

10UF POLY (2) VI. VY O 50 11 VSWITCH (RON=O.Ol ROFF=10E+5 VON=O.lV VOFF=OV) ; Ends subcircuit definition

El voltaje de alimentacin pico Vm 169.7 V. Para al = a2::: 90, el retraso de tiempo ti = (90/360) x (IOOO/60Hz) x 1000 4166.7 us, Un circuito auxiliar en serie con un valor de es::: 0.1 .tF y un R, 750 n se conecta a travs del tiristor para poder manejar el voltaje transitorio originado por la carga inductiva. El controlador de voltaje de ca monofsico para la simulacin PSpice aparece en la figura 6-3Ia. Los voltajes de compuerta VgI, Vg2, Vg3 y Vg4 de los tiristores se muestran en la figura 6-31 b.

230

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

es
0.1 ~F 750n 4 io
4

T,

z.s a
-

3
Vs

T2
L 6.SmH

eS~ eS,:
(a) Circuito
Vg1

Vx

OV

10 V

Para T1

T ~ 16.667 ms - 100 J.lS t, = t, = 1 ns


tw
t1

O
Vg2

Para Tl.

10 V

t2
(b) Voltajes de compuerta

Figura 6-31

Controlador de voltaje de ca monofsico para la simulacin PSpice.

La lista del archivo de circuito es como sigue:


Example 6-13 VS 1 O Vgl 2 4 Vg2 3 1 R 5 5 L 6 VX 6 O *C 4 O 7 CS 7 RS Singie-Phase -C Voltage Controller 169.7V 60HZ) SIN (O 4166.7US PULSE (OV 10V 1NS 1NS 10V 12500.0US PULSE (OV lNS lNS 2.5 6.5MH OV DC Voltilge source to measure 1245.94Ur Output filter capacitance O.lUF 750

100US 100US

16666.7US) 16666.7US)

the load current ; Load fiiter

Sec.6-12
".00,

Diseo de circuitos de controladores de voltaje de ca


_

231

;in~J.:::~'"'.~~'

.. "

Subcircuit ca11 for thyristor mode1 1 4 2 SCR ; Thyristor T1 XT2 1 SCR : Thyristor T2 3 * Subcircuit SCR which is missing ~ be inserted .T~AN 10US 33.33MS ; Transient ana1ysis .PROBE ; Graphics postprocessor .options abstol 1.00n re1to1 1.0m vnto1 = 1.0m 1TL5=10000 .FOUR 60HZ V(4) ; Fourier analysis .END

XT1

En la figura 6-32 se muestran las graficas de PSpice correspondientes al voltaje instantneo de salida V(4) y la corriente de carga I(VX). Los componentes de Fourier del voltaje de salida son como sigue:
FOURIER COMPONENTS OF TRANS1ENT RESPONSE V(4) 1.784608E-03 OC COMPONENT = HARMON1C FREQUENCY FOURIER NORMALIZED NO (HZ) COMPONENT COMPONENT 6.000E+01 1 1.006E+02 1.000E+00 1.200E+02 2.764E-03 2.748E-05 2 1.800E+02 6.174E+01 6.139E-01 3 4 2.400E+02 1.038E-03 1. 033E-05 5 3.000E+02 3.311E+01 3.293E-01 3.600E+02 1.969E-03 1.958E-05 6 7 4.200E+02 6.954E+00 6.915E-02 4.800E+02 3.451E-03 8 3.431E-05 1.384E+01 1.376E-01 9 5.400E+02 7.134427E+01 PERCENT TOTAL HARMONIC DISTORTION =

PHASE (DEG) -1.828E+01 6.196E+01 6.960E+01 6.731E+01 -6.771E+01 1.261E+02 1.185E+02 1.017E+02 -1.251E+02

NORMALIZED PHASE (DEG) O.OOOE+OO 8.024E+01 8.787E+01 8.559E+01 -4.943E+01 1.444E+02 1.367E+02 1.199E+02 -1.068E+02

Los componentes de Fourier de la corriente de salida, que es igual a la corriente de entrada, son como sigue:
FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE I(VX) DC COMPON2NT = -2.5578372-03 HARMONIC FR2QU2NCY FOURIER NORMALIZED NO (HZ) COMPONENT COMPONENT 1 6.000E+01 2.869E+01 1.000E+00 2 1.200E+02 4.416E-03 1.539E-04 3 1.800E+02 7.844E+00 2.735E-01 4 2.400E+02 3.641E-03 1.269E-04 5 3.000E+02 2.682E+00 9.350E-02 6 3.600E+02 2.198E-03 7.662E-05 7 4.200E+02 4.310E-01 1.503E-02 8 4.800E+02 1.019E-03 3.5512-05 9 5.400E+02 6.055E-01 2.111E-02 TOTAL HARMONIC DISTORTION = 2.901609E+01 PERCENT

PHASE (DEG) -6.2532+01 -1.257E+02 -2.918E+00 -1.620E+02 -1.462E+02 1.6532+02 4.124E+01 1.480E+02 1.533E+02

NORMALIZED PHASE (DEG) O.OOOE+OO -6.319E+01 5.961E+01 -9.948E+01 -8.370E+01 2.278E+02 1.038E+02 2.105E+02 2.158E+02

La distorsin armnica total de la corriente de entrada THD = 29.01 % = 0.2901 El ngulo de desplazamiento <\11 -62.530

232

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

Example 6-13 Single-Phase Date/Time run: 07/17/92 16:33: 56

AC Voltage Controller Temperature:

27.0

OV+----'

15ms Time

35ms

Figura 6-32

Grficas correspondientes al ejemplo 6~12.

El factor de desplazamiento DF = cos \1 = cos(-62.53) = 0.461 (atrasado) De la ecuacin (5-86), el factor de potencia de entrada l 1 PF = (l + THD2)1/2COS 4>1= (l + 0.29012)1/12 x 0.461 = 0.443 (atrasado)

6-13 EFECTODE LAS INDUCTANCIAS EN LA ALlMENTACION y EN LA CARGA' En las deducciones de los voltajes de salida, hemos supuesto que la alimentacin no tiene inductancia. El efecto de cualquier inductancia de alimentacin sera retrasar la desactivacin de los tiristores. Los tiristores no se desactivarn en el cruce de ceros del voltaje de entrada como aparece en la figura 6-33b, y los pulsos de compuerta de corta duracin pueden no ser adecuados. Tambin aumentara el contenido armnico del voltaje de salida. Vimos en la seccin 6-5 que la inductancia de la carga juega un papel significativo en el rendimiento de los controladores de potencia. A pesar de que el voltaje de salida tiene una forma de onda pulsada, la inductancia de la carga intenta conservar un flujo continuo de corriente, tal y como se muestra en las figuras 6-6b y 6-33b. Tambin podemos observar a partir de las ecuaciones (6-48) y (6-52) que el factor de potencia de entrada del convertidor de potencia depende del factor de potencia de la carga. Debido a las caractersticas de conmutacin de los tiristores, cualquier inductancia en el circuito hace ms complejo este anlisis. Sec.613 Efecto de las inductancias en la alimentacin y en la carga 233

v. V2V.
(8)

"'.
Vo

V2V.
(b)

",1

(e)

Figura 6-33 Efectos de la inductancia de la carga sobre la corriente y el voltaje de la carga.


/

RESUMEN

El controlador de voltaje de ac puede utilizar un control de abrir y cerrar o un control de ngulo de fase. El control de abrir y cerrar es ms adecuado para sistemas con una constante de tiempo alta. Debido a la componente de cd de la salida de los controladores unidireccionales, en las aplicaciones industriales se utilizan normalmente los controladores bidireccionales. En razn de las caractersticas de conmutacin de los tiristorcs, una carga inductiva hace ms compleja la solucin a las ecuaciones que describen el rendimiento de los controladores, por lo que resulta ms conveniente utilizar un mtodo iterativo de solucin. El factor de potencia de entrada de los controladores, que vara con el ngulo de retraso, es por lo general pobre, especialmente en el rango bajo de salida. Los controladores de voltaje de corriente alterna se pueden utilizar como cambiadores de derivaciones estticas de transformadores. Los controladores de voltaje proporcionan un voltaje de salida a una frecuencia fija. Dos rectificadores controlados por fase conectados como convertidores duales se pueden operar como cambiadores de frecuencia directa, conocidos como cicloconvertidores. Con el desarrollo de los dispositivos de potencia de conmutacin rpida, resulta posible la conmutacin forzada de los cicloconvertidorcs; sin embargo, se requiere de la sntesis de las funciones de conmutacin de los dispositivos de potencia [1,2].
REFERENCIAS 1. P. D. Ziogas, S. 1. Khan, y M. H. Rashid, "Sorne improved forced commutated cycloconvcrtcr structures". IEEE Transactions on l ndustry Applications, Vol. IA121, No. 5,1985, pp. 1242-1253. 2. M. Vcnturi, "A ncw sine wave in sine wave out conversion technique elirninates reactive elemcnts", Proceedings Powercon 7, 1980, pp. E31-E3-13.

234

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

3. L. Gyugi y B. R. Pelly, Static Power Frequency Changes: Theory, Performance, and Applications. Nueva York: Wiley-Interscience, 1976. 4. B. R. Pelly, Thyristor-Phase Controlled Converters and Cycloconverters. Nueva York: Wiley-Interscience, 1971. 5. "IEEE standard definition and requirements for thyristor ac power controllers", IEEE Standard, No. 428-1981, 1981.

6. S. A. Hamed y B. J. Chalmers, "New method of


analysis and performance prediction for thyristor voltage-controlled RL loads". IEEE Proceedings, Vol. 134, Pt. B, No. 6, 1987, pp. 339-347. 7. S. A. Hamcd, "Modeling and design of transistorcontrolled AC voltage regulators". International Journal 01 Electronics, Vol. 69, No. 3, 1990, pp. 421-434.

PREGUNTAS DE REPASO
61. Cules son las ventajas y las desventajas del control de abrir y cerrar? 62. Cules son las ventajas y las desventajas del control de ngulo de fase? 63. Cules son los efectos de la inductancia de carga sobre el rendimiento de los controladores de voltaje de ca? 6-4. Qu es el ngulo de extincin? 65. Cules son las ventajas y las desventajas de los controladores unidireccionales? 66. Cules son las ventajas y las desventajas de los controladores bidireccionales? 67. Qu es el arreglo de control de amarre? 6-8. Cules son los pasos necesarios para dctcrrninar las formas de onda del voltaje de salida de los controladores trifsicos unidireccionales? 69. Cules son los pasos involucrados en la determinacin de las formas de onda del voltaje de salida de los controladores trifsicos bidireccionales? 610. Cules son las ventajas y las desventajas de los controladores conectados en delta? 611. Cul es el rango de control del ngulo de retraso para los controladores monofsicos unidireccionales? 612. Cul es el rango de control del ngulo de retraso para los controladores monofsicos bidireccionales? 613. Cul es el rango de control del ngulo de retraso para los controladores trifsicos unidireccionales? 614. Cul es el rango de control del ngulo de retraso para los controladores trifsicos bidireccionales? 615. Cules son las ventajas y las desventajas de los cambiadores de derivaciones de transformador? 6-16. Cules son los mtodos' de control del voltaje de salida de los cambiadores de derivaciones de transformador? 617. Qu es un cambiador de derivaciones sncrono? 6-18. Qu es un cicloconvertidor? 6-19. Cules son las ventajas y las desventajas de los cicloconvertidores? 6-20. Cules son las ventajas y las desventajas de los controladores de voltaje de ca? 6-21. Cul es el principio de operacin de los cicloconvertidores? 6-22. Cules son los efectos de la inductancia de la carga sobre el rendimiento de los cicloconvertidores? 6-23. Cules son las tres disposiciones posibles para un controlador monofsico de voltaje de ca de onda completa? 6-24. Cules son las ventajas de las tcnicas de reduccin armnica senoidal de los cicloconvertidores? 6-25. Cules son los requisitos de seal de compuerta de los tiristores para controladores de voltaje con cargas RL? 6-26. Cules son los efectos de las inductancias de alimentacin y de carga? 6-27. Cules son las condiciones del diseo en peor caso de dispositivos de potencia para controladores de voltaje de ca? 6-28. Cules son las condiciones del diseo en peor caso de los filtros de carga para controladores de voltaje de ca?

Cap. 6

Preguntas de repaso

235

-."-,_,..,...-----------_

.......-----------

PROBLEMAS 6-1. El controlador de voltaje de ca de la figura 6-1a se utiliza para calentar una carga resistiva R 5 U el voltaje de alimentacin o de entrada es Vs 120 V (rrns), 60 Hz. El tiristor est cerrado durante n = 125 ciclos y abierto durante m = 75 ciclos. Determine (a) el voltaje rms de salida Vo, (b) el factor de potencia de entrada PF y (e) las corrientes promedio y rms de los tiristores. trada PF, (d) la corriente promedio de los tiristores lA, (e) y la corriente rms de los tiristores IR. 6-7. La carga de un controlador de voltaje de ca es resistiva, siendo R 1.5 U. El voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms), 60 Hz. Grafique el factor de potencia en funcin del ngulo de retraso para controladores de media onda y de onda completa monofsicos.

6-2. El controlador de voltaje de ca de la figura 6-1 a utiliza el control de abrir y cerrar para calentar una carga resistiva R = 4 U el voltaje de entrada es Vs = 208 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de salida deseada es Po 3 kW, determine (a) el ciclo de trabajo k y (b) el factor de potencia de entrada PF.

6-3. El controlador de voltaje monofsico de ca de media onda de la figura 6-2a tiene una carga resistiva R = 5 U voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms), 60 Hz. El ngulo de retraso del tiristor T, es ex n!3. Determine (a) el voltaje rms de salida Vo, (b) el factor de potencia de entrada PF y (e) la corriente promedio de entrada.

6-8. El controlador monofsico de onda completa de la figura 6-6a alimenta una carga RL. El voltaje de entrada es Vs 120 V (rms) a 60 Hz. La carga es tal que L = 5 mH Y R = 5 U. Los ngulos de retraso del tiristor Tt Y del tiristor T2 son iguales, donde a = rr./3.Determine (a) el ngulo de conduccin del tiristor TI, O; (b) el voltaje rms de salida Vo; (e) la corriente rms del tiristor IR; (d) la corriente rms de salida lo; (e) la corriente promedio de un tiristor lA; y (f) el factor de potencia de entrada PF.

6-4. El controlador de voltaje monofsico de ca de media onda de la figura 6-2a tiene una carga resistiva de R 5 U el voltaje de entrada Vs 208 V (rms), 60 Hz. Si la potencia deseada de salida es Po = 2 kW, calcule (a) el ngulo de retraso a y (b) el factor de potencia de entrada PF.

6-5. El controlador de voltaje monofsico de ca de onda completa de la figura 6-3a tiene una carga resistiva R = 5 U el voltaje de entrada es Vs = 120 V (rms), 60 Hz. Los ngulos de retraso de los tiristores T, y T2 son iguales: at a2 = a = 2n!3. Determine (a) el voltaje rms de salida Vo, (b) el factor de potencia de entrada PF, (e) la corriente promedio de los tiristores lA y (d) la corriente rms de los tiristores IR.

6-9. El controlador monofsico de onda completa de la figura 6-6a alimenta una carga RL. El voltaje de entrada es Vs 120 V a 60 Hz. Grafique el factor de potencia PF en funcin del ngulo de retraso, a, para (a) L 5 mH y R 5 U y (b) R = 5U y L O. 6-10. El controlador trifsico unidireccional de la figura 6-10 alimenta una carga resistiva conectada en estrella con R 5 U el voltaje de entrada lnea a lnea es de 208 V (rrns), 60 Hz. El ngulo de retraso es a = rr./6.Determine (a) el voltaje de salida de fase rms Vo, (b) la potencia de entrada y (e) las expresiones correspondientes al voltaje instantneo de salida de la fase a.

6-6. El controlador de voltaje monofsico de ca de onda completa de la figura 6-3a tiene una carga resistiva R = 1.5 U Yel voltaje de entrada es Vs 120 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de salida deseada es Po 7.5 kW, determine (a) los ngulos de retraso de los tiristores TI y T2, (b) el voltaje rms de salida Vo, (e) el factor de potencia de en-

6-11. El controlador trifsico unidireccional de la figura 6-7 alimenta una carga resistiva conectada en estrella con R 2.5 U Yun voltaje de entrada lnea a lnea de 208 V (rms), 60 Hz. Si la potencia de salida deseada es Po 12 kW, calcule (a) el ngulo de retraso a, (b) el voltaje de salida rms de fase Vo, y (e) el factor de potencia de entrada PF.

6-12. El controlador trifsico unidireccional de la figura 6-7 alimenta una carga resistiva conectada en estrella con R 5 U y un voltaje de entrada lnea a lnea de 208 V (rms), 60 Hz. El ngulo

236

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

de retraso es ex = 2re/3. Determine (a) el voltaje rms de fase de salida Vo, (b) el factor de potencia de entrada PF y (e) las expresiones correspondientes al voltaje instantneo de salida de la fase a.

613. Repita el problema 6-10 para un controlador trifsico bidireccional de la figura 6-12.

614. Repita el problema 6-11 para el controlador trifsico bidireccional de la figura 6-12.

fsico/monofsico de la figura 6-21a es 120 Y, 60 Hz. La resistencia de la carga es 2.5 Q Y la inductancia de la carga es L = 40 mH. La frecuencia del voltaje de salida es 20 Hz. Si el ngulo de retraso de los tiristores es exp 2re/4, determine (a) el voltaje rms de salida, (b) la corricnte rms de cada tiristor y (e) el factor de potencia de entrada PF.

6-21. Repita el problema 6-20 si L

= OmH.

615. Repita el problema 6-12 para el controlador trifsico bidireccional de la figura 6-12.

6-22. Para el problema 6-20, grafique el factor de potencia en funcin del ngulo de retraso ex. 623. Repita el problema 6-20 para el cicloconvertidor trifsico/monofsico mostrado en la figura 6-23a, L = OmH. 6-24. Repita el problema 6-20 si los ngulos de retraso se generan mediante la comparacin de una seal de coseno en la frecuencia de la fuente con una seal de referencia senoidal a la frecuencia de salida, tal y como aparece en la figura 6-25. 6-25. Para el problema 6-24, grafique el factor de la potencia de entrada en funcin del ngulo de retraso. 6-26. El controlador de voltaje monofsico de ca de onda completa de la figura 6-5a controla la potencia de una fuente de 208-Y 60-Hz a una carga resistiva. La potencia de salida mxima deseada es 10 kW. Calcule (a) la especificacin de corriente rms mxima del tiristor, (b) la especificacin de corriente promedio mxima del tiristor y (e) el voltaje pico del tiristor. 6-27. El controlador de voltaje trifsico de ca de onda completa de la figura 6-12 se utiliza para controlar la potencia de una alimentacin de 2300 V 60 Hz a una carga resistiva conectada en delta. La potencia de salida mxima deseada es 100 kW. Calcule (a) la especificacin de corriente rms mxima de los tiristores IRM, (b) la especificacin de corriente mxima de los tiristores IAM y (e) el valor pico del voltaje de los tiristores Vp' 628. El controlador monofsico de onda completa de la figura 6-6a controla la potencia a una carga RL, tll'yoltaje de suministro es 208 Y, 60 Hz. La carga es R 5 Q Y L 6.5 mH. (a) Determine el valor rms de la corriente de la tercera armnica. (b) Si se conecta un capacitor a travs de la carga, calcule el valor de la capacitancia para redu-

616. El controlador trifsico bidireccional de la figura 6-12 alimenta una carga conectada en estrella de R 5 Q y L 10 mH. El voltaje de entrada lnea a lnea es 208 Y, 60 Hz. El ngulo de retraso es ex = re/2. Grafique la corriente de lnea para el primer ciclo despus de que se haya conectado el controlador.

617. Un controlador de voltaje trifsico de ca alimenta una carga resistiva conectada en estrella R =
5 Q y un voltaje de entrada lnea a lnea Vs 208 y a 60 Hz. Grafique el factor de potencia PF en funcin del ngulo de retraso expara (a) el controlador de media onda de la figura 6-7 y (b) el controlador de onda completa de la figura 6-12.

618. El controlador trifsico bidireccional conectado


en delta de la figura 6-15 tiene una carga resistiva R 5 Q. Si el voltaje lnea a lnea es Vs 208 Y, 60 Hz y el ngulo de retraso ex re/3, determine (a) el voltaje rms de salida por fase Vo, (b) las expresiones para las corrientes instantneas ia, iab e ica; (e) la corriente rms de salida de fase ab y la corriente rms de salida de lnea la; (d) el factor de potencia de entrada PF; y (e) la corriente rms de los tiristores 1R-

619. El circuito de la figura 6-18 est controlado como un cambiador de derivaciones sncrono. El voltaje en el primario es 208 Y, 60 Hz. Los voltajes en los secundarios son VI 120 Y Y V2 88 Y. Si la resistencia de la carga es R 5 Q Y el voltaje rms de la carga es 180 Y, determine (a) los ngulos de retraso de los tiristores TI y T2, (h) la corriente rms de los tiristores TI y T2, (e) la corriente rms de los tiristores T3 y T4, Y (d) el factor de potencia de entrada PF.

620. El voltaje de entrada al cicloconvcnidor mono-

Cap. 6
;~::")'.'::~~-v>~.~'11.~",,

Problemas
"". _H!ili

237
_

cir la corriente de la tercera armnica de la carga a15% de la corriente de la carga, a 1C/3. (e) Utilice PSpice para graficar el voltaje de salida y la corriente de carga, asi como para calcular la

distorsin armnica total (THD) del voltaje y de la corriente de salida, el factor de potencia de entrada (PF) con y sin el capacitor filtro de salida de la parte (b).

238

Controladores de voltaje de ca

Cap. 6

Tcnicas de conmutacin

de tiristores

7-1 INTRODUCCION Por lo comn un tiristor se activa mediante un pulso de seal de compuerta. Cuando el tiristor est en modo de conduccin, su cada de voltaje es pequea, entre 0.25 y 2 V, valor despreciado en este captulo. Una vez activado el tiristor y satisfechos los requisitos de la carga, por lo general es necesario desactivarlo; esto significa que ha cesado la conduccin directa del tiristor y que la reaplicacin de un voltaje positivo al nodo no causar un flujo de corriente, sin la correspondiente aplicacin de la seal de compuerta. La conmutacin es el proceso de desactivacin de un tiristor, y por lo general causa la transferencia del flujo de corriente a otras partes del circuito. Normalmente, para llevar a cabo la desactivacin en un circuito de conmutacin se utilizan componentes adicionales. Junto con el desarrollo de los tristores, se han desarrollado muchos circuitos de conmutacin, cuyo objetivo es reducir el proceso de desactivacin de los tiristores. Ante la disponibilidad de los dispositivos semiconductores de potencia de alta velocidad, como los transistores de potencia GTO e IGBT, ahora se utilizan relativamente menos los circuitos de tiristores en los convertidores de potencia. Sin embargo, los tiristores juegan un papel principal en las aplicaciones de alto voltaje y de alta corriente, generalmente por arriba de 500 A y de 1 kV. Las tcnicas de conmutacin utilizan resonancia LC (o un circuito RLC subamortiguado) para obligar a la corriente y/o al voltaje de un tiristor a pasar por cero, desactivando por lo tanto el dispositivo de potencia. La electrnica de potencia utiliza dispositivos semiconductores como interruptores para "conectar" y "desconectar" la energa hacia la carga. A menudo.en muchos circuitos electrnicos de potencia ocurren situaciones similares a los circuitos de conmutacin. El estudio de las tcnicas de conmutacin pone de manifiesto las formas de onda del voltaje y la corriente transitorios de los circuitos LC bajo varias condiciones. Esto ayuda en la comprensin del fenmeno transitorio de cd bajo condiciones de interrupcin o de conmutacin.

239

Existen muchas tcnicas para conmutar un tiristor. Sin embargo, stas pueden ser clasificadas en dos grupos muy generales:

1. Conmutacin natural
2. Conmutacin forzada

7-2 CONMUTACION NATURAL


Si el voltaje de la alimentacin (o de la entrada) es de ca, la corriente del tiristor pasa a travs de un cero natural, y a travs del tiristor aparece un voltaje inverso. El dispositivo queda entonces desactivado en forma automtica debido al comportamiento natural del voltaje de la alimentacin. Esto se conoce como conmutacin natural o conmutacin de lnea. En la prctica, el tiristor se dispara en forma sincrnica con el cruce por cero del voltaje positivo de entrada en cada ciclo, a fin de suministrar un control continuo de potencia. Este tipo de conmutacin se aplica a controladores de voltaje de ca, a rectificadores controlados por fase y a cicloconvertidores. En la figura 7-1a se muestra la disposicin de circuito correspondiente a la conmutacin natural, y en la figura 7-1b aparecen las formas de onda del voltaje de corriente con un ngulo de retraso a:::: O.El ngulo de retraso a se define como el ngulo existente entre el cruce por cero del voltaje de entrada y el instante en el cual el tiristor se dispara.

+1

lo

V.=Vmsenwt

T1

1
(a) Circuito

(b) Formas de onda

Figura 7-1 Tiristor con conmutacin natural.

73 CONMUTACION FORZADA
En algunos circuitos de tiristor, el voltaje de entrada es de cd, para desactivar al tiristor, la corriente en sentido directo del tiristor se obliga a pasar por cero utilizando un circuito adicional conocido como circuito de conmutacin. Esta tcnica se conoce como conmutacin forzada y por lo comn se aplica en los convertidores de cd a cd (pulsadores) yen convertidores de cd a ca (inversores). La conmutacin forzada de un tiristor se puede lograr de siete maneras diferentes, que pueden clasificarse como:

1. Autoconmutacin 2. Conmutacin por impulso


240
Tcnicas de conmutacin de tiristores

Cap. 7

3. Conmutacin por pulso resonante 4. Conmutacin complementaria

5. Conmutacin por pulso externo 6. Conmutacin del lado de la carga 7. Conmutacin del lado de la lnea Esta clasificacin de las conmutaciones forzadas se basa en la disposicin de los componentes del circuito de conmutacin y en la forma en que la corriente de un tiristor se fuerza a cero. El circuito de conmutacin est formado por lo general de un capacitor, un inductor y uno o ms tiristores y/o diodos.

'3.1 Autoconmutacin
En este tipo de conmutacin, el tiristor es desactivado debido a las caractersticas naturales del circuito. Veamos el circuito en la figura 7-2a, con la hiptesis de que el capacitor est inicialmente sin carga. Cuando se activa el tiristor TI, la corriente de carga del capacitor i est dada por
Vs

VL

Ve

=L

dt

di

1 e f

I dt

ve(t = O)

(7-1)

Con condiciones iniciales vc(t = O) = O e i(t = O) = O, la solucin de la ecuacin (7-1) (que se deduce en el apndice D, seccin D.3) da la corriente de carga i como
i(t) = V_,

.Jf

sen wmt

(7-2)

y el voltaje del capacitor como


Ve(t)

VsO - cos wmt)

(7-3)

donde (J)m = 1/..fLC. Despus del tiempo (= (o = 1C/..fLC, la corriente de carga se convierte en cero y el tiristor TI se interrumpe por s mismo. Una vez que el tiristor TI es disparado, existe un retraso de (o segundos antes de que TI sea desactivado, por lo que (o puede llamarse el tiempo de conmutacin del circuito. Este mtodo de desactivacin de un tiristor se conoce como autoconmutacin y se dice que el tiristor TI est autoconmutado. Cuando la corriente del circuito se abate hasta cero, el capacitor se carga hasta 2Vs. Las formas de onda se muestran en la figura 7-2b.

T,

v.
o

(a) Circuito

(b) Formas de onda

Figura 7-2

Circuito de autoconmutacin. 241

Sec.7-3

Conmutacin forzada

.. w,.,,1
L

v~l
(a) Circuito

Vo

e
(b) Formas de onda

Figura 7-3 Circuito de autoconmutacin,

En la figura 7-3a aparece un circuito tpico en el que el capacitor tiene un voltaje inicial de

-Vo. Cuando se dispara el tiristor TI, la corriente que fluir a travs del circuito est dada por
L di dt

.! ef

i dt +

v( .(t == O)

(7-4)

Con un voltaje inicial vc(t ::::: O) ::::: -Yo e i(t ::::: O) = 0, la ecuacin (7-4) da la corriente del capacitor
COlIJO

(7-5)

y el voltaje del capacitar como


(7-6)

Despus del tiempo t == tr:: ro= 1t/-fiC, la corriente se convierte en cero y el voltaje del capacitor se invierte a Yo. t, se conoce como el tiempo de inversin. Las formas de onda Se muestran en la figura 7-3b.
Ejemplo 71 En la figura 7-4 aparece un circuito de tiristor. Si el tiristor TI se conecta en t::::: 0, determine el tiempo de conduccin del tiristor TI y el voltaje del capacitor despus de haberse desconectado. Los parmetros del circuito son L == 10 lH, e::::: 50 ..F Y V$ 200 V. El inductor conduce Una corriente inicial! m 250 A. Solucin La corriente del capacitor est dada como

L ~~ + ~

J i dt + vc(t = O) = V

Figura 7-4 Circuito de tiristor autoconmutado.

242

Tcnicas de conmutacin de tiristores

Cap. 7

Figura 7-5 Formas de onda de la corriente y del voltaje.

con una corriente inicial i(l = O) = 1", y ve(t = O) = Vo = VS La corriente y el voltaje del capacitor (del apndice D, seccin D.3) son

y
ve(t) =

t; ~senwmt

v,

En t en

= lo ='0.5

x 1t"'f[C, el perodo de conmutacin termina y el voltaje del capacitor se convierte

vc(t

= (o) = Ve =
=Vs+.lV

v, + t; ~
(7-7)

donde ~V es el sobrevoltaje del capacitor y depende de la corriente inicial del inductor, 1m, que es, en la mayora de los casos, la corriente de carga. La figura 7-4 muestra un circuito equivalente tpico durante el proceso de conmutacin. Para e = 50.tF, L 10 j.1H, Vs 200 V el", 250 A, .lV 111.8 V, Ve 200 + 111.8 311.8 V, Y to = 35.12.ts. Las formas de onda de la corriente y del voltaje se muestran en la figura 7-5.

7-3.2 Conmutacin por impulso


En la figura 7-6 se muestra un circuito conmutado por impulso. Se supone que el capacitor est cargado inicialmente a un voltaje de -Yo con la polaridad que se muestra. Supongamos que el tiristor TI est inicialmente conduciendo y tiene una corriente de carga 1m. Cuando se dispara el tiristor auxiliar T2, el tiristor TI queda con polarizacin inversa, debido al voltaje del capacitor, y TI se desactiva. La corriente a travs del tiristor TI dejar de fluir y el capacitor conducir la corriente de carga. El capacitor se descargar desde -Vo hasta cero y a conti-

v,
Figura 7-6 impulso. Circuito conmutado por

Sec.7-3

Conmutacin forzada

243

nuacin cargar al voltaje de cd de entrada Vs, cuando la corriente del capacitor pase por cero y el tiristor T2 se desactive. La inversin de carga del capacitor desde Vo(=Vs) hasta -Vo ocurre enton-

ces al disparar el tiristor T3. El tiristor T3 es autoconmutado en forma similar al circuito de la figura 7-3. El circuito equivalente durante el perodo de conmutacin aparece en la figura 7-7a. Los voltajes del tiristor y del capacitor se muestran en la figura 7-7b. El tiempo requerido para que se descargue el capacitor desde -Vo hasta cero se conoce como tiempo de desactivacin del circuito toff y debe ser mayor que l tiempo de desactivacin del tiristor tq toff tambin se conoce como tiempo disponible de desactivacin. El tiempo de descarga depender de la corriente de la carga; suponiendo una corriente de carga constante 1m, toff est dado por
~ =

_!_

(t"rr I e Jo

d
In

1mtoff
C

es decir
toff =

VoC -1m

(7-8)

Dado que se aplica un voltaje inverso de Vo a travs del tiristor TI inmediatamente despus del disparo del tiristor T2, esto se conoce como conmutacin por voltaje. Debido a la utilizacin del tiristor auxiliar T2, este tipo de conmutacin tambin se conoce como conmutacin auxiliar. El tiristor TI a veces se denomina tiristor principal porque conduce la corriente de carga. Se puede observar de la ecuacin (7-8) que el tiempo de desactivacin del circuito, loff, es inversamente proporcional a la corriente de carga; as, para una carga muy pequea (o una corriente de carga baja) el tiempo de desactivacin ser muy grande, y para una corriente de carga alta el tiempo de desactivacin ser pequeo. En un circuito ideal de conmutacin, el tiempo de desactivacin deber ser independiente de la corriente de carga, a fin de garantizar la conmutacin del tiristor TI. La descarga del capacitor se puede acelerar conectando un diodo DI y un inductor LI a travs del tiristor principal, tal y como se muestra en la figura 7-8; esto queda ilustrado en el ejemplo 7-3.

Ve

i
Voltaje del capacitor

~~--~------------.t
+

1m

'] ,1>=
V.
(a) Circuito

1m

I I

r;;:J
(b) Formas de onda

Figura ,-,

Circuito equivalente y formas de onda.

244

Tcnicas de conmutacin de tiristores

Cap. 7

_
+ T3

.....
L, D, T,....... 1m

v.

:'~rJ -

T2 _". j)Dm

Figura 7-8 Circuito conmutado por impulso con recarga acelerada. Ejemplo 7-2 Un circuito de tiristor conmutado por impulso aparece en la figura 7-9. Determine el tiempo disponible de desactivacin del circuito si Vs = 200 V, R = 10 a, e = 5 J.lFY Vo = Vs, Solucin El circuito equivalente durante el perodo de conmutacin se muestra en la figura 7-10. El voltaje a travs del capacitor de conmutacin est dado por
Ve

bJ

i dt + ve(t = O)

V,

= Ve

+ Ri

La solucin a estas ecuaciones con un voltaje inicial vc(t = O) = -Vo citor como
Ve(t) =

= -Vs da el voltaje del capa-

v.,O - 2e-I/RC)
= toff) =

El tiempo de desactivacin (off, que se puede determinar si se satisface la condicin vc(t O se resuelve de la siguiente forma
toff

Re In(2)

Para R

10 n

y e = 5 J.lF,toff=

34.7 us,

lo -

:f

v,

R Figura 7-9 Circuito conmutado por impulso con carga resistiva.

v.

Figura 7-10 Circuito equivalente para el ejemplo 7-2.

Sec.7-3

Conmutacin

forzada

245

Ejemplo 73 El circuito de conmutacin de la figura 7-8 tiene una capacitancia C 20 F Y un inductor de descarga LI 25 H. El voltaje inicial del capacitor es igual al voltaje de entrada; es decir, Vo v, 200 V. Si la corriente de carga 1m vara entre 50 y 200 A, determine las variaciones del tiempo de desactivacin del circuito, toff Solucin El circuito equivalente durante el perodo de conmutacin aparece en la figura 7-11. Las ecuaciones correspondientes son

ic
Ve

i + L;

=
-

bf
I

i, dt + v,.(t

=
dt

O)

- - L 9!_ - - L dic
dt I

Las condiciones iniciales ic(t = O) = L y vc(t = O) = -Vo = -Vs' Las soluciones a estas ecuaciones dan la corriente del capacitor (del apndice D, seccin D.3) como
ie(t)

= Va ~

sen Wlt + 1111

COS

Wlt

El voltaje a travs del capacitar queda expresado como


ve(t) = L;

.Jiij sen
, r;:;r
VCLI

Wlt -

Va cos

wlt

(7-9)

donde (1)1 1/.JLC. El tiempo de desactivacin disponible o tiempo de desactivacin del circuito se obtiene de la condicin vc(t = toff) = O y se resuelve
(off

tan

_1

(Va

-1 'VT:L m 1

/c)
= = =

(7-10)

Para C 20 F, Li 25 H, Vo 200 V e 1m 50 A, toff 29.0 us. Para C = 20 F, L = 25 H, Vo = 200 V e 1m = 100 A, toff = 23.7 us, Para C = 20 F, LI 25 H, Vo 200 V e 1m 200 A, toff 16.3 us.

Nota. Conforme aumenta la corriente de carga desde 50 A hasta 200 A, el tiempo de desactivacin se reduce desde 29 I1shasta 16.3 I1s.La utilizacin de un diodo adicional hace que el tiempo de desactivado dependa menos de la carga.

7-3.3 Conmutacin por pulso resonante La conmutacin por pulso resonante se puede explicar mediante la figura 7-12a. En la figura 7-12b se muestran las formas de onda para la corriente y el voltaje del capacitor. El capacitar se carga inicialmente con la polaridad como se muestra estando el tiristor TI en modo de conduccin, con una corriente de carga 1m. Cuando se dispara el tiristor de conmutacin T2, se forma un circuito resonante constituido por L, e, TI y T2. Se puede deducir la corriente resonante como
i(t) = Vo ~

sin

)ml

(7-11)

246

Tcnicas de conmutacin de tiristores

Cap. 7

Carga

Figura 7-11 Circuito equivalente para el ejemplo 7-3.

y el voltaje del capacitor es v,(t)


= -

Vo cos wmt

(7-12)

donde Ip es el valor pico permisible de la corriente de resonancia. Debido a la corriente de resonancia, la corriente en sentido directo del tiristor TI se reduce a cero en t = tI, cuando la corriente de resonancia se iguala con la corriente de carga 1m. El tiempo (1 debe satisfacer la condicin (t = tI) = L en la ecuacin (7-11), y se determina como t =

vTc
= -

sen' (~ ~)

(7-13)

El valor correspondiente del voltaje del capacitor es vc(t

I)

= -

Va cos wmt

(7-14)

La corriente a travs del tiristor TI dejar de fluir y el capacitor se volver a cargar a una velocidad determinada por la corriente de carga 1m. El capacitor se descargar desde -VI hasta cero y su voltaje empezar a elevarse hasta el voltaje en cd de la fuente Vs, en cuyo momento empezar a conducir el diodo Dm Ytendr lugar una situacin similar a la del circuito de la figura 7-4, con un tiempo igual a too Esto se muestra en la figura 7-12b. La energa almacenada en el inductor L debido a la corriente de pico de la carga 1m se transfiere al capacitor, haciendo que se sobrecargue, y el voltaje del capacitor Vopuede calcularse a partir de la ecuacin (7-7). El voltaje del capacitor se invierte desde Vc(=Vo) hasta -V, mediante el disparo de T3. T3 est autoconmutado en forma sirni-

v.

o'"

(a) Circuito

(b) Formas de onda

Figura 7-12 Conmutaci6n de pulso resonante.

Sec.7-3

Conmutacin forzada

247

lar al circuito de la figura 7-3. Este circuito puede no ser estable debido a la acumulacin de energa en el capacitor de conmutacin. El circuito equivalente para el perodo de carga es similar al de la figura 7-7a. De la ecuacin (7-8), el tiempo de.desactivacin del circuito es
loff

CV -;:

(7-15)

Definamos un parmetro x que es la relacin entre la corriente de pico resonante lp y la corriente de pico de carga 1m. Entonces x

i:

lp

i:

Vo ~

(7-16)

Para reducir hasta cero la corriente hacia adelante de TI, el valor de x debe ser mayor que 1.0 En la prctica, se seleccionan los valores de L y de tal forma que x = 1.5. El valor de 1I en la ecuacin (7-13) es por 10 general pequeo, y VI '" Vo. El valor de toff obtenido a partir de la ecuacin (7-15) deber aproximarse al obtenido a partir de la ecuacin (7-8). En el tiempo 12, la corriente del capacitor baja hasta la corriente de carga 1m. Durante el tiempo le, se descarga el capacitor y se recarga hasta el voltaje de alimentacin Vs Durante el tiempo lO, la energa almacenada en el inductor L es devuelta al capacitor e, haciendo que se sobrecargue el capacitor con respecto al voltaje de alimentacin Vs Debido al uso de un pulso resonante de corriente para reducir la cd del tiristor TI hasta cero, este tipo de conmutacin tambin se conoce como conmutacin por corriente. Se puede observar de la ecuacin (7-15) que el tiempo de desactivacin del circuito toff tambin es dependiente de la corriente de la carga. La descarga del voltaje del capacitor se puede acelerar, conectando el diodo D2 tal y como se muestra en la figura 7-13a. Sin embargo, una vez reducida a cero la corriente del tristor TI, el voltaje inverso que aparece a travs de TI es la cada directa del voltaje del diodo D2, que es pequea. Esto reduce la velocidad de recuperacin del tiristor y hace necesario un tiempo de polarizacin inversa ms largo de no existir el diodo D2. La corriente del capacitor ie(t) Y del voltaje del capacitar ve(t) se muestran en la figura 7-1 3b.

Ejemplo 7-4* El circuito de conmutacin por pulso resonante de la figura 7-12a tiene una capacitancia e = 30 .tr y una inductancia L 4 .tH. El voltaje inicial del capacitor es Vo 200 Y. Determine el tiempo de desactivacin del circuito toff si la corriente de carga 1m es (a) 250 A Y (b) 50 A. Solucin (a) 1m 250 A. A partir de la ecuacin (7-13),

ti

= V4X"3O sen
1 = _ ,r;-;:; =

-t

250 ( 200 \j 30

(4) = 5. 192 us
y
w",t

Wm

vLC

91,287.1 rad/s rad)

= 0.474 rad (7-15),

De la ecuacin (7-14), VI

= 200 cos(0.474
loff

= 177.95 Y, Y de la ecuacin
=
21.35 us

177.95 30 x 2'5'()

248

Tcnicas de conmutacin de tiristores

Cap. 7

!,,
+

e
- Ir:;-V,
Vo ./ T3

.Im
~2

~
i

Dm

(a) Circuito

tb) Formas de onda

Figura 7-13 (b)/",=50A.


ti

Conmutacin de pulso resonante con diodo acelerador.

v'4X3O serr ' (OOO ~)


vLC
r;-;:,

1.0014 iJ-S y
Wmtl

Wm

=,

= 91,287.1 rad/s

0.0914 rad

- VI

= -200 cos(0.0914 rad) = -199.16 V


- 30 x 199.16 50 - 1195 .
iJ-S

(off -

Ejemplo 7-5* Repita el ejemplo 7-4 si se conecta un diodo D2 en paralelo inverso a travs del tiristor TI como se muestra en la figura 7-13a. Solucin (a) l- 250 A. Cuando se dispara el tiristor T2, fluye un pulso resonante de corriente a travs del capacitor y la corriente directa al tiristor TI se reduce a cero en el tiempo t ti 5.192 us. La corriente del capacitor ic(t) en ese tiempo es igual a la corriente de carga 1m = 250 A. Despus de que la corriente de TI se ha reducido a cero, contina la oscilacin resonante a travs del diodo D2 hasta que la corriente resonante se reduce al nivel de la corriente de carga en el tiempo ti- Esto aparece en la figura 7-13b.

= =

t2 Wm

7TVLC

ti

7Tv'4X30

5.192
Wmt2

= 29.22

iJ-S

= 91,287.1 rad/s

y
rad)

2.667 rad

De la ecuacin (7-14), el voltaje del capacitor en t = /2 es


Uc(1

=
toff

(2)

V2

= - 200 cos(2.667
ti

177.9 V

:tI ncmpo de polarizacin inverso del tiristor TI es

(2 -

29.22 - 5.192

24.03

iJ-S

(b) 1m

= 50 A.
ti

1.0014 iJ-S
11

(2
Wm

= 7TVi7: -

7Tv'4X30

1.0014

33.41

iJ-S

, = 91,287.1 rad/s

y
249

Sec.7-3

Conmutacin

forzada

"'~_.

------~___,--_ ...._----_........:..._-

El voltaje del capacitor en ( :::: (2 es v,,(t

=
toff

t2) = V2

= =

-200 cos(3.05 rad)

199.1 V

El tiempo de polarizacin inverso del tiristor T es

tz - t)

33.41 - 1.0014

32.41 p.,s

Nota. Se puede observar al comparar los tiempos de polarizacin inversa con los del ejemplo 7-4 que la adicin de un diodo hace a tq menos dependiente de las variaciones de la corriente de carga. Sin embargo, para una corriente de carga ms alta (por ejemplo 1m = 250 A), toff del ejemplo 7-4 es menor que el correspondiente al del ejemplo 7-5. 7-3.4 Conmutacin complementaria La conmutacin complementaria se utiliza para transferir corriente entre dos cargas; una disposicin como sta aparece en la figura 7-14. El disparo de un tiristor conmuta a otro. Cuando se dispara el tiristor TI, la carga con RI se conecta al voltaje de alimentacin, Vs, y al mismo tiempo se carga el capacitor e hasta Vs a travs de la otra carga con R2. La polaridad del capacitor e es como la que aparece en la figura 7-14. Cuando se conecta el tiristor T2, el capacitor queda colocado a travs del tiristor TI y la carga con R2 se conecta al voltaje de alimentacin, Vs TI adquiere polarizacin inversa y se desactiva mediante la conmutacin por impulso. Una vez desactivado el tiristor TI, el voltaje del capacitor se invierte a -Vs a travs de RI, T2 y la alimentacin. Si el tiristor TI se vuelve a disparar, el tiristor T2 se desactiva y el ciclo se repite. Por lo general, los dos tiristores conducen con iguales intervalos de tiempo. Las formas de onda de los voltajes y las corrientes aparecen en la figura 7-15 para RI = R2:::: R. Dado que cada tiristor se desconecta debido a la conmutacin por impulso, este tipo de conmutacin a veces se conoce como conmutacin complementaria por impulso.
Ejemplo 7-6 El circuito de la figura 7-14 tiene resistencias de carga R R2 R = 5 n, una capacitancia e 10 ..tFY el voltaje de la alimentacin, Vs 100 V. Determine el tiempo de desactivacin del circuito, toff' Solucin Si suponemos que el capacitor est cargado al voltaje de alimentacin V. en la conmutacin anterior de un tiristor complementario, el circuito equivalente durante el perodo de conmutacin es similar al de la figura 7-10. La corriente a travs del capacitor est dada por

v, = b f

i dt

+ v,,(t =

O)

+ Ri

A,
V. V.

Aa

e
T,
[\,

-'1+

le

-Ve +

f\

Figura 7-14 Circuito de conmutacin complementaria.

250

Tcnicas de conmutacin de tiristores

Cap. 7

-~v.

~f--~ V -----K;;'-: ,-~ ~


_1
I
Ve

.. I

+v:r-Z ~
I
V
V

I I

I
o ,

:r-'-: ~
Tiempo de desactivacin, to!!

-v.[ -:- - - - i'S:

o
-V.

D
TI

r:
I
.

I I

-'

_ _ _ _

I ('
_~_: 2

I
I I

o,

VT:_I

V. _

-v~ ~

_1

~I

--r-;:::. Col!

11

o I

Figura 7-15 Formas de onda para el circuito de la figura 7-14.

Con vc(l

= O) = -Yo = -Vs, la solucin de esta ecuacin


R

da la corriente del capacitor i como

i(t) = 2Vs e-tiRC

El voltaje del capacitor se obtiene como


vc(t) = Vs(l - 2e-tiRC)

El tiempo de desactivacin resuelve como

toff

se puede determinar si se satisface la condicin


toff =

Ve (t

= tq) = O Y se

RC In(2)

Para R

=5n

y C = JO .tF, loff

= 34.7 !!S.

7-3.5 Conmutacin por pulso externo Para desactivar un tiristor que est conduciendo, se utiliza un pulso de corriente que se obtiene de un voltaje externo. En la figura 7-16 se muestra un circuito de tiristor mediante la conmutacin por pulso externo y dos fuentes de alimentacin. Vs es el voltaje de la alimentacin principal y V es el voltaje de la fuente auxiliar. . Si se dispara el tiristor T3, el capacitor se cargar a partir de la fuente auxiliar. Suponiendo que inicialmente el capacitor no estaba cargado, un pulso resonante de corriente de pico V-JCIL, similar al circuito de la figura 7-2, fluir a travs de T3, y el capacitor se cargar hasta 2V. Si el tiristor T} est conduciendo y se aplica una corriente de carga a.partir de la fuente principal Vs el Sec.7-3
... "'~l6<:l,;j.;"

Conmutacin forzada
_

251

Figura 716 externo.

Conmutacin por pulso

disparo del tiristor T2 aplicar un voltaje inverso Vs - 2V a travs del tiristor TI; y TI se desactivar. Una vez desactivado el tiristor TI, el capacitor se descargar a travs de la carga a una velocidad determinada por la magnitud de la corriente de carga, 1m. 73.6 Conmutacin del lado de la carga En la conmutacin del lado de la carga, la carga forma un circuito en serie con el capacitor; la descarga y recarga del capacitar se efectan a travs de la carga. El rendimiento de los circuitos de conmutacin del lado de la carga depende de la carga y los circuitos de conmutacin no pueden probarse sin conectar la carga. Las figuras 76, 78, 7-12 Y713 son ejemplos de conmutacin del lado de carga. 73.7 Conmutacin del lado de la lnea En este tipo de conmutacin, la descarga y recarga del capacitor no se llevan a cabo a travs de la carga, por lo que el circuito de conmutacin se puede probar sin conectarla. La figura 717a muestra un circuito como stos. Cuando se dispara el tiristor T2, el capacitar e se carga hasta 2Vs y T2 se autoconmuta, en forma similar al circuito de la figura 72. El tiristor T3 se dispara para invertir el voltaje

v.

(a)

v.

o,
Figura 717 Circuito conmutado del lado de lnea.

(b)

252

Tcnicas de conmutacin de tiristores

Cap. 7

del capacitor hasta -2Vs y 1'3 tambin queda autoconmutado. Si suponemos que el tiristor TI est conduciendo y lleva una corriente de carga L, el tiristor T2 se dispara para desactivar TI. El disparo del tiristor T2 dar polarizacin directa al diodo Dm Y aplicar un voltaje inverso de 2Vs a travs de TI; TI se desactivar. La descarga y la recarga del capacitor se efectuarn a travs de la alimentacin. Para probar el circuito de conmutacin no se requiere de la conexin de la carga. El inductor L l1eva la corriente de carga 1m; el circuito equivalente durante el perodo de conmutacin aparece en la figura 7-18. La corriente del capacitor se expresa (a partir del apndice D) como

v, =

L ~~

~ con condiciones iniciales i(1 = O) = 1m Y vc(t corriente y el voltaje del capacitor como
i(l) =

bf

i dt

+ uc(t = O)

(7-17)

= O) = -2Vs.
+ 3V,

La solucin de la ecuacin (7-17) da la

t; cos

wml

-Ji

sen

wml

(7-18)

y
uc(t)

L;

.JI sen
w
m

w",t -

3 V,

COS

w",t

+ V,;

(7-19)

donde
=--

vTc

El tiempo de desactivacin del circuito, loff, se obtiene de la condicin vc(t cin (7-19), y despus de simplificar se resuelve como
(off

= toff) = O de la ecua(7-20)

= vTc

(tan-I 3x - sen"

V . X)
9X2

+ 1

donde x

=1m \JI

V,

ff

(7-21)

El tiempo de conduccin deltiristor '/2, que se puede determinar a partir de la condicin i(t = tt) O en la ecuacin (7-18), est dado por t
I

vrc tanL

.=..!. = 3x
(tI

vrc (rr -

tarr ' ...!._)


3x

(7-22)

T1 - 1", ''~
_ v,

_.. 2V.

-1

+J _ ,",)

+1

Figura 7-18 Circuito equivalente durante el perodo de conmutacin.

Seco 7-3

Conmutacin

forzada

253

Bajo condiciones de no carga, 1m

= Oy X es infinito. La ecuacin (7-19) da el valor de toffcomo


=
VLC cos " ~ = 1.231VLC (7-23)

loff

Nota. Si 1m = O y tI = 7t~ el voltaje del capacitor de la ecuacin (7-19) se convierte en vc(t = tI) = Vo = 4Vs y habr una elevacin continua del voltaje del capacitor. A fin de limitar la sobrecarga del capacitor, por lo comn el inductor L se reemplaza por un transformador de recuperacin de energa con un diodo, tal y como se muestra en la figura 7-17b. 7-4 DISEO DE CIRCUITOS DE CONMUTACION

El diseo de circuitos de conmutacin requiere de la determinacin de los valores de) capacitor

y del inductor L. Para el circuito de conmutacin por impulso de la figura 7-6, se calcula el valor

de) capacitor a partir de la ecuacin (7-8), y el inductor inversor L, se determina a partir de la corriente de pico inversa mxima permisible de la ecuacin (7-5). En el caso del circuito de la figura 7-8, seleccionando ya sea e o LI, se puede satisfacer el requisito de tiempo de desactivacin toffde la ecuacin (7-10). Para el circuito de conmutacin por pulso resonante de la figura 7-12, se pueden calcular los valores de L y de e a partir de las ecuaciones (7-15) y (7-16). En las ecuaciones (7-14) y (7-15) Vo y VI tambin dependen de L y de e al igual que en la ecuacin (7-7). Ejemplo ,., Para el circuitocorunutadopor impulsode la figura 7-6, determine los valores del capacitor e y del inductorinversorL, si el voltajede alimentacinVs = 200 V, la corrientede carga 1",= 100 A, el tiempode desactivacintoff = 20lls y la corrientede inversinpico est limitadaa 140% de 1",. Solucin Vo = v, = 200 V. De la ecuacin (7-8), e = 100 x 20/200 = l~De la ecuacin (7-5), la corriente de pico resonantees 1.4 x lOO= 140 = Vs rcLr = 2cxNlOlL" lo que da L, =
20.41lH.

Ejemplo 78 Para el circuito de conmutacinresonante de la figura 7-13, determine los valores ptimos de e y de L de tal forma que ocurran prdidasde energa mnimas durante el perodo de conmutacin si 1m = 350 A, Vo = 200 V Yloff = 20 us. Solucin Sustituyendola ecuacin (7-16) en la ecuacin (7-13), el tiempo requerido para que la corrientedel capacitorse eleve al nivel de la corrientepico de carga 1m est dado por
ti

= VLCsen-1

(7-24)

donde x = Ipll", = (Vo/lm)..JCL. A partir de la figura 7-13b, el tiempo disponible de polarizacin inversao el tiempode desactivacinloff es
toff

(2 -

ti =

7T VLC -

2tl

= VLC (7T - 2sen-1

(7-25)

De la ecuacin (7-11), la corrientede pico resonantees

t, =
254

v,

-Ji

(7-26) Cap. 7

Tcnicas de conmutacin de tiristores

Definamos una funcin F(x) tal que


F1(x) = --

vrc = 7T -

toff

. I 1 2 sin" x

(7-27)

La energa de conmutacin se puede expresar como W Sustituyendo el valor de

= 0.5CV6 = 0.5Ll~
0.5

(7-28)

Ip de la ecuacin (7-26) obtenemos


W =

vrc

Volp

Sustituyendo el valor de..fLc de la ecuacin (7-27) tenemos


W
xtoff = o.sv.r, F1(x) = o.sv,, vrc LC

(7-29)

Definamos otra funcin F2(X) tal que

W
Fz(x)

x
= 2[7T - 2sen(1/x)]

Volmtoff = 2F1(x)

(7-30)

Fz(x) se hace mnima cuando x:: Para x :: 1.5, la tabla 7-1 da F(x)

Se puede demostrar matemticamente o mediante la graficacin de Fi(X) en funcin de x, que 1.5. La tabla 7-1 muestra los valores de F2(X) en funcin de x. 1.6821375 y F2(X) 0.4458613.

TABLA 7-1
x

F2(x) en funcin de x
F2(X) F(x)

1.2 1.3 1.4 1.5 1.6 1.7 1.8

0.5122202 0.4688672 0.4515002 0.4458613 0.4465956 0.4512053 0.4583579

1.1713712 1.3863201 1.5384548 1.6821375 1.7913298 1.8838431 1.9635311

Sustituyendo x

= 1.5 en las ecuaciones

(7-25) Y (7-16), obtenemos


toff

= 1.682vLc

y
1.5

=T 'fE m

v,

re

Resolviendo las ecuaciones anteriores, los valores ptimos de L y de C son L = 0.398 C Para L

1 ;:0
0

(7-31) (7-32)

0.8917

to~~m

= 350 A, Vo = 200 V Y toff = 20 us


L

0.398

20

200 350

6.4 ..H

Sec.7-4

Diseo del circuito de conmutacin

255

;;,,,.,,;..,-----------------

350 0.8917 x 20 x 200

31.2 .LF

Nota. Debido al diodo de marcha libre a travs de la carga tal y como se observa en las figuras 7-12a y 7-13a, el capacitor se sobrecargar por la energa almacenada en el inductor L. El voltaje del capacitar Yo, que depender de los valores de L y de e, se puede determinar a partir de la ecuacin (7-7). En este caso, las ecuaciones (7-31) y (7-32) debern ser resueItas para los valores de L y de C.
Ejemplo 7-9 Un diodo de marcha libre se conecta a travs de la salida tal y como se muestra en la figura 7-12a y el capacitor se sobrecarga debido a la energa almacenada en el inductor L. Determine los valores de L y de C. Los datos son: Vs = 200 V, 1m = 350 A, toff = 20 ).!S y X = 1.5. Solucin Sustituyendo la ecuacin (7-7) en la ecuacin (7-16) obtenemos que x = (Vs/lm)..JC/L + 1. Sustituyendo las ecuaciones (7-7), (7-13) Y (7-14) en la ecuacin (7-15) obtenemos
loff =

[i~~+ VLC] cos (sin-'

~)

Los valores de C y de L pueden determinarse a partir de estas dos ecuaciones para valores conocidos de x y de loff' Los resultados son L = 2004 IlH YC = 15.65 IlF. Ejemplo 7-]0 Repita el ejemplo 7-9 para el circuito en la figura 7-13. Solucin De la ecuacin (7-25), loff = ..JLC [1t - 2 sen-lO/x)). De las ecuaciones (7-7) y (7-16), x = (Vs/lm)..JClL + ]. Los valores de L y de C se determinan a partir de estas dos ecuaciones para valores conocidos de x y de loff como C 10.4 ).!F Y L = 13.59 ).!H.

7-5 MODELO SPICE Del TIRISTOR DE CD


Un tiristor de cd se puede modelar mediante un diodo y un interruptor controlado por voltaje, tal y como se muestra en la figura 7-19. El interruptor est controlado por el voltaje de la compuerta vg Los parmetros del diodo se pueden ajustar para dar la cada de voltaje requerida y el tiempo de recuperacin inversa del tiristor. Supongamos que los parmetros del modelo PSpice del diodo son IS=lE-25, BV=1000V, y los parmetros del interruptor son RON=O.l, ROFF=lOE+6, VON=lOV, VOFF=5V. :- -- -S---- - o_o;
1
Anodo

Compuerta

=;>
Ctodo

~~
1

5
(b)

D V'D
(e)

, ,

2
(a)

(b)

Figura 719 256

Modelo SPice del tiristor de cd. Tcnicas de conmutacin de tiristores Cap. 7

Este modelo puede utilizarse como subcircuito. La definicin de subcircuito correspondiente al modelo DCSCR del tiristor de cd puede describirse como sigue:
Subcircuit for dc thyristor model .SUBCKTDCSCR 2 3 -control anode cathode +control model * voltage voltage name * ; Switch diode DMOD DT 5 2 3 4 SMOD ; Switch ST 1 5 D(IS-lE-25 BV-lOOOV) ; Diode model parameters .MODEL DMOD .MODEL SMOD VSWITCH (RON-O.l ROFF-lOE+6 VON-lDV VOFF-5V) .ENDS DCSCR Ends subcircuit definition

Ejemplo 7-11 Los parmetros del circuito de conmutacin por pulso resonante de la figura 7-13a son: voltaje de alimentacin Vs = 200 V, capacitor de conmutacin e = 31.21lF, inductancia de conmutacin L 6.4IlH, resistencia de la carga Rm 0.5 Q, e inductancia de la carga Lm 5 rnH. Si el tiristor est modelado mediante el circuito de la figura 7-19, utilice PSpice para graficar (a) el voltaje del capacitor Ve, (b) la corriente del capacitor ic Y(e) la corriente de carga iL. La frecuencia de interrupcin es fe = 1kHz y el tiempo activo del tiristor TI es 40%. Solucin El circuito de conmutacin por pulso resonante para la simulacin PSpice aparece en la figura 7-20a. Los voltajes de control VgI, Vg2 y Vg3 para los tiristores se muestran en la figura 7-20b. La lista del archivo de circuito es como sigue:

Resonant Pulse Chopper Example 7-11 OC 200V o VS 1 7 lMS) PULSE (OV 100V O lUS 1US 0.4MS Vg1 o 1MS) 100V 0.4MS lUS 1US 0.6MS Vg2 8 O PULSE (OV lMS) PULSE (OV 100V O lUS lUS 0.2MS Vg3 9 O 7 o lOMEG Rgl o 10MEG Rg2 8 10MEG Rg3 9 O ,O 0.1UF CS 11 750 RS 11 JC=200V With initial capacitor voltage 31.2UF C 2 3 6.4UH L 2 DMOD DI DM O 4 DMOD O (IS=lE-25 BV-lOOOV) ;Diode model parameters .MODEL DMOD 5 0.5 RM 6 5.0MH LM 5 Measures load current VX 6 O DC OV Vy Measures current of TI 10 oc OV 1 * Subcircuit calls for OC thyristor model 7 DCSCR Thyristor TI XTl 10 O DCSCR Thyristor T2 XT2 3 8 O 3 9 O DCSCR Thyristor T3 XT3 * Subcircuit DCSCR which is missing ~ be inserted .TRAN 0.5US 3MS l.5MS 0.5US ; Transient analysis .PROBE ; Graphics postprocessor .options abstoJ 1.00u reltol - .01 vntol 0.1 ITLS-20000 .END

Sec.7-5

Modelo SPice del tiristor de cd

257

o,

.+

OV
8 .
+ +

10m

Rm
Vo

vsI

200 V 31.2 IlF + Ve-

+
.

OV

(a) Pulsador de pulso resonanle

Vg'j
O

Para T,

100 V :~~~~~~~~~:'_ 0.4 ms

_""'L-__

"

,
,

1 ms
Para T2

100 V

V92r
O
Vg3

--~ -- ~--- ~

: ~~+i ---- ......

---1

0.4 ms
Para T 3

1 ms

-t

100 V

I---..;,r----+ --------------------+--0.2 ms
(b) Vollajes de compuerta

1 ms

Figura 720 Circuito de conmutacin de pulso resonante para la simulacin PSpice.

Las grficas de PSpice se muestran en la figura 7-21, donde I(VX) = corriente de carga, I(C) = corriente del capacitor y V(I, 2) = voltaje del capacitor. De la figura 7-21, el tiempo disponible de desactivacin es toff = 2441.4 - 2402.1 = 39.3 us a una corriente de carga L; = 49.474 A. Debe observarse que la corriente instantnea de carga I(VX) no ha llegado a la condicin de rgimen permanente.
258
Tcnicas de conmutacin de tiristores Cap. 7

Date/Time run: 07/17/92

Example 7-11 16:42:48

Resonant Pulse Chopper

Temperature: 27.0

_~::~ [---------------E----------tE----------------j
_~:J(C) ].'(1,2)
1.5ms

~ ;
2.0ms

[
!I :
2.5ms 3.0ms

I I

01 (VXl

Time

Figura 7-21 Graficas de PSpice para el ejemplo 7-11.

7-6 CAPACITORES DE CONMUTACION Si las frecuencias de interrupcin son menores de 1 kHz, el tiempo de conmutacin del tristor se puede considerar corto en comparacin con el perodo de conmutacin. Aunque la corriente de pico a travs del capacitar es alta, la corriente promedio puede resultar relativamente baja. Si las frecuencias de conmutacin estn por arriba de 5 kHz, el capacitor conduce corriente en una parte significativa del perodo de conmutacin y el capacitor deber por lo tanto seleccionarse para una especificacin continua de corriente. En la seleccin de un capacitor de conmutacin, debern de satisfacerse las especificaciones de corriente de pico, rms y promedio, as como de voltaje de pico a pico.

RESUMEN En este captulo vimos que un tiristor en conduccin se puede desactivar mediante una conmutacin natural o forzada. En la conmutacin natural, la corriente del tiristor se reduce a cero debido a las caractersticas naturales del voltaje de entrada. En la'conmutacin forzada, la corriente del tiristor se reduce a cero mediante un circuito adicional llamado circuito de conmutacin, dependiendo el proceso de desactivacin de la corriente de carga. Para garantizar la desactivacin de un tiristor, la desactivacin del circuito (o la desactivacin disponible) debe ser mayor que el tiempo de desactivacin del tiristor, lo que normalmente queda especificado por el fabricante del tiristor. Cap. 7
:,"' ...... ~i~Wi_;jj

Resumen
_

259

REFERENCIAS 1. M. H. Rashid, "Commutation limits of dc chopper on output voltage control". Electronic Engineering, Yo]. 51" No. 620,1979, pp. 103-105. 2. M. H. Rashid, "A thyristor chopper with minimum limits on voltage control of de drives". lruernational Journal 01 Electronics, Vol. 53, No. 1, 1982, pp. 71-89. 3. W. McMurry, "Thyristor commutation in dc chopper: a comparative study". IEEE Industry Applications Society Conference Record, octubre 2-6, 1977, pp. 385-397.

PREGUNTAS 71. Cules son los dos tipos generales de conmutacin? 72. Cules son los tipos de conmutacin forzada? 73. Cul es la diferencia entre conmutacin automtica y natural? 74. Cul es el principio de la autoconmutacin? 75. Cul es el principio de la conmutacin por impulso? 76. Cul es el principio de la conmutacin por pulso resonante? 77. Cul es el principio de la conmutacin complementaria? 78. Cul es el principio de la conmutacin por pulso externo? 79. Cules son las diferencias entre la conmutacin del lado de la carga y del lado de la lnea? 710. Cules son las diferencias entre la conmutacin por voltaje y por corriente? 711. Cules son los objetivos del circuito de conmutacin?

DE REPASO 712. Por qu debe ser mayor el tiempo de polarizacin inversa disponible que el tiempo de desactivacin de un tiristor? 7-13. Cu, es el objetivo de conectar un diodo en antiparalelo a travs del tiristor principal, con o sin un inductor en serie? 7-14. Cu,l es la relacin entre la corriente de pico resonante y la carga para una conmutacin por pulso resonante que minimice las prdidas de conmutacin? 7-15. Cules son las expresiones para el valor ptimo de un capacitor y de un inductor de conmutacin en una conmutacin por pulso resonante? 7-16. Por qu se sobrecarga el capacitor de conmutacin en una conmutacin por pulso resonante? 7-17. Cmo se invierte el voltaje del capacitor de conmutacin en un circuito de conmutacin? 718. Cul es el tipo de capacitor que normalmente se utiliza en altas frecuencias de conmutacin?

PROBLEMAS 71. El voltaje inicial del capacitor en la figura 7-3a, es Vo 600 V, la capacitancia C 40 ..F Y la inductancia L 10 ..H. Determine el valor pico de la corriente resonante y el tiempo de conduccin del tiristor TI. 72. Repita el problema 7-1, si el inductor del circuito inversor resonante tiene una resistencia R = 0.015 n. (Sugerencia: determine las races de un sistema de segundo orden y a continuacin encuentre la solucin.) 7-3. El circuito de la figura 7-4 tiene Vs 600 V, Vo = O V, L = 20 ..B,C = 50 ..F,e 1m = 350 A. Determine (a) el voltaje y la corriente pico del capacitor, (b) el tiempo de conduccin del tristor TI.

260

Tcnicas de conmutacin

de tiristores

Cap.7

74. En el circuito de conmutacin de la figura 7-6, la capacitancia e 20 IlF, el voltaje de entrada Vs vara entre 180 y 220 Y, Y la corriente de carga 1m vara entre 50 y 200 A. Determine los valores mnimo y mximo para el tiempo de desactivacin disponible toff' 75. Para el circuito de la figura 7-6, determine los valores del capacitor e y del inductor inversor L; si el voltaje de alimentacin Vs 220 Y, la corriente de carga 1m 150 A, el tiempo de desactivacin toff 15 Ils y la corriente inversora est limitada a 150% de 1m' 76. El circuito de la figura 7-8 tiene Vs 220 Y, e 20 IlF e 1m 150 A. Determine el valor de la inductancia de recarga LI que proporcione un tiempo de desactivacin toff = 15 us, 77. Para el circuito de la figura 7-8, determine los valores de LI y C. El voltaje de alimentacin Vs = 200 Y, la corriente de carga 1m = 350 A, el tiempo de desactivacin toff = 20 Ils y la corriente pico a travs del diodo DI est limitada a 2.5 veces 1m. Si se modela el tiristor mediante el circuito de la figura 7-19, utilice PSpice para graficar el voltaje del capacitor Ve, la corriente del capacitor t; Y para verificar el tiempo de desactivacin disponible toff. La frecuencia de conmutacin es fe 1 kHz, y el tiempo activo del tiristor TI es 40%. 78. Para el circuito de conmutacin por impulso de la figura 7-9, el voltaje de alimentacin Vs = 220 V, la capacitancia e 20 IlF y la corriente de carga R 10 Q. Determine el tiempo de desactivacin toff. 79. En el circuito de pulso resonante de la figura 7-l2a, el voltaje de alimentacin Vs 200 Y, la corriente de carga 1m = 150 A, la inductancia de

710.

711.

712. 713.

714.

715.

conmutacin L = 4 IlH y la capacitancia de conmutacin e 20 IlF. Determine la corriente de pico resonante inversa del tiristor T3, I le Y el tiempo de desactivacin (off. Repita el problema 7-9, si se conecta un diodo antiparalelo a travs del tiristor TI tal y como se muestra en la figura 7-Ba. Si se conecta un diodo a travs del tiristor TI en la figura 7-12a y el capacitor se sobrecarga, determine los valores de L y de C. El voltaje de alimentacin Vs 200 Y, la corriente de carga 1m = 350 A, el tiempo de desactivacin toff = 20 us, y la relacin entre la corriente de pico resonante y la de la carga x = 1.5. Repita el problema 7-11 para el circuito de la figura 7-13a. En el circuito de la figura 7-l3a, la corriente de carga 1m 200 A, el voltaje del capacitor Vo = 220 Y Y el tiempo de desactivacin toff = 15 us. Determine los valores ptimos de e y de L, de tal forma que durante el perodo de conmutacin ocurran prdidas mnimas de energa. Si el tiristor se modela mediante el circuito de la figura 7-19, utilice PSpice para graficar el voltaje del capacitor Ve Y la corriente del capacitor ie Y para verificar el tiempo disponible de desactivacin toff' La frecuencia de conmutacin es fe 1 kHz, y el tiempo activo del tiristor TI es 40%; En el circuito de la figura 7-18, el voltaje de alimentacin Vs 220 Y, la capacitancia e 30 IlF, la inductancia de conmutacin L = 10 IlH y la corriente de carga 1m 100 A. Determine el tiempo de desactivacin toff del circuito. Explique la operacin del circuito en la figura 7-17a e identifique los tipos de conmutacin involucrados en este circuito.

Cao, 7

Problemas

261

Transistores de potencia

81 INTRODUCCION . Los transistores de potencia tienen caractersticas controladas de activacin y desactivacin. Los transistores, que se utilizan como elementos conmutadores, se operan en la regin de saturacin, lo que da como resultado en una cada de voltaje baja en estado activo. La velocidad de conmutacin de los transistores modernos es mucho mayor que la de los tiristores, por lo que se utilizan en forma amplia en convertidores de ca-ed y de cd-ca, con diodos conectados en paralelo inverso para proporcionar un flujo de corriente bidireccional. Sin embargo, las especificaciones de voltaje y de corriente son menores que las de los tiristores y por lo que, los transistores se utilizan, por lo general, en aplicaciones de baja a media potencia. Los transistores de potencia se pueden clasificar de manera general en cuatro categoras: 1. Transistores bipolares de juntura (BJT) 2. Transistores semiconductores de metal de xido de efecto de campo (MOSFET) 3. Transistores de induccin esttica (SIT) 4. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) A fin de explicar las tcnicas de conversin de potencia, los BJT s o MOSFET, SIr o IGBT se pueden tratar como interruptores ideales. Un transistor interruptor es mucho ms simple que un tiristor interruptor de conmutacin forzada. Sin embargo, en los circuitos de convertidores no es obvia la eleccin entre un BJT y un MOSFET, ya que cualquiera de ellos puede reemplazar a un tiristor, siempre que su especificacin de voltaje y de corriente cumpla con los requisitos de salida del convertidor. Los transistores reales difieren de los dispositivos ideales. Los transistores tienen ciertas limitaciones estando restringidos a algunas aplicaciones. Las caractersticas y especificaciones de cada uno de estos tipos debern examinarse para determinar su adecuacin a una aplicacin en particular. 262

8-2 TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR Un transistor bipolar se forma aadiendo una segunda regin pon a un diodo de unin pn. Con dos regiones n y una regin p, se forman dos uniones conocindose como un transistor NPN, tal y como se muestra en la figura 8-1a. Con dos regiones p y una regin n, se conoce como un transistor PNP, tal y como se muestra en la figura 8-1b. Las tres terminales se llaman colector, emisor y base. Un transistor bipolar tiene dos uniones, la unin colector base (CBJ) y la unin base emisor (BEJ). En la figura 8-2 aparecen transistores NPN de varios tamaos. 8-2.1 Caractersticas en rgimen permanente A pesar de que hay tres configuraciones posibles, colector comn, base comn y emisor comn, la configuracin de emisor comn que aparece en la figura 8-3a para un transistor NPN, es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutacin. Las caractersticas tpicas de entrada de la corriente de base, ls, contra el voltaje base-emisor, VBE, aparecen en la figura 8-3b. La figura 8-3c muestra las caractersticas tpicas de salida de la corriente del colector, le. en funcin del voltaje colector-emisor, Vc;. En el caso de un transistor PNP, las polaridades de todas las corrientes y voltajes son inversas.

e
te

e
te

c::::>
te E (a) Transistor NPN

~
le

E
(b) Transistor PNP

Figura 8-1 Transistores bipolares.

Figura 8-2 Transistores NPN. (Cortesa de Powerex, Ine.)

Sec.8-2

Transistores de unin bipolar

263

le

(a) Diagrama de circuito

(b) Caractersticas de entrada Regin activa _--Isn

_---------1
L----~~~~~~--16~O
O
E::.."":"":'''':'''';..!.-:'''':'''''':'''':'''':''''';_-'-__;_'':''':'--"-':'''':'''-'--_

8,

V CE

(e) Caracteristicas de salida

Figura 8-3 Caractersticas de los transistores NPN.

En un transistor existen tres regiones de operacin: de corte, activa y de saturacin. En la regin de corte, el transistor est desactivado o la corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones polarizacin inversa. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante una ganancia y el voltaje colector-emisor disminuye con la corriente de la base. La unin colectora base tiene polarizacin inversa, y la base-emisor polarizacin directa. En la regin de saturacin, la corriente de base es lo suficientemente alta para que el voltaje colector-emisor sea bajo, y el transistor acta como interruptor. Ambas uniones (CBJ y BEJ) tienen polarizacin directa. La caracterstica de transferencia, que es una grfica de VCE en funcin de lB aparece en la figura 8-4.

VCE

Vcc

Corte

1_ Activa _

1_ Saturacin

I
VCE(MI'

O '-O

T
0.5

--l

...

la
Vee

---t-------t-----VSE(sa,}

'8.

Figura 8-4 Caractersticas de transferencia.

264

Transistores de potencia

Cap. 8

En la figura 8-5 se muestra el modelo de transistor NPN bajo operacin de gran seal en cd.

La ecuacin que relaciona las corrientes es


(8-1)

La corriente de base es efectivamente la corriente de entrada y la corriente del colector es la corriente de salida. La relacin entre la corriente del colector, Ic, Y la corriente de base, le, se conoce como ganancia de corriente ~: j3
=

hFE

= -

le

lB

(8-2)

La corriente del colector tiene dos componentes: una debida a la corriente de base y otra debida a la corriente de fuga de la unin colector-base.
Ic = j3IB

+ ICEO

(8-3)

donde ICEO es la corriente de fuga colector a emisor con la base en circuito abierto debindose considerar despreciable en comparacin con W/J. De las ecuaciones (8-1) Y (8-3),

h = IBO + {3) + ICEO


"'" IB(l + j3)

(8-4) (8-4a)

h "'" le

(1 +~)

le j3 ;

(8-5)

La corriente del colector se puede expresar como


Ic"'" exh (8-6)

donde la constante a est relacionada con ~ mediante _ j3 ex-j3+ o bien j3=ex -ex

(8-7)

(8-8)

'cee
le

B~----~--~--~
le

Figura 8-S Modelo de transistores NPN.

Sec.8-2

Transistores de unin bipolar

265

Consideremos el circuito de la figura 8-6, donde el transistor es operado como interruptor


[B

= ---=-----==
RB

VB -

VBE

(8-9)

Ve VCE

= =

VCE VeB

= +

Vee - [eRe VBE

Vee -

f3R e RB

(VB - VBE)

(8-10)

o bien
(8-11)

La ecuacin (8-11) indica que siempre que VCE;::: VBE, la unin CBJ tendr polarizacin inversa y el transistor estar en regin activa. La corriente mxima del colector en la regin activa, que se puede obtener al ajustar VeB = Oy VBE = VCE, es [ _ Vee - VCE
CM -

Vee - VBE Re

Re

(8-12)

y el valor correspondiente de la corriente de base


[BM=[CM

f3

(8-13)

Si la corriente de base se incrementa por arriba de IBM, tanto VBE como la corriente del colector aumentarn y se reducir VCE por debajo de VBE. Esto continuar hasta que la unin de CB quede con polarizacin directa con un VBC de aproximadamente 0.4 a 0.5 V. El transistor entonces pasa a saturacin. La saturacin del transistor se puede definir como el punto por arriba del cual cualquier incremento en la corriente de base no aumenta significativamentela corriente del colector. En saturacin, la corriente del colector se conserva prcticamente constante. Si el voltaje de saturacin del colector-emisor es VCE(sal), la corriente del colector es
[

es -

_ Vee - VeE(sat) Re

(8-14)

y el valor correspondiente de la corriente de base es


[BS

7f

[es

(~-15)

Re
le le Re

}~
le

r~
Vcc

Figura 8-6 Transistor interruptor. Transistores de potencia Cap. 8

266

Normalmente, el circuito se disea de tal forma que ls sea mayor que lBS. La relacin entre lB e lBS se conoce como el factor de sobreexcitacin, ODF'

ODP = lB

hs

(8-16)

y la relacin entre les e lB se conoce como la ~forzada, ~I donde - les (3'1- La prdida total de potencia en las dos uniones es PT

t, +
VCEfc

(8-17)

VBl::fB

(8-18)

Un valor alto de facto~ de sobrecarga no reducir significativamente el voltaje colector-emisor. Sin embargo, VBE aumentar debido al incremento de la corriente de base, resultando en una aumentada prdida de potencia en la unin base-emisor. Ejemplo 8-1
Se especifica que el transistor bipolar de la figura 8-6 tiene una P en el rango 8 a 40. La resistencia de la carga es Rc 11 n. El voltaje de alimentacin en cd es Vcc 200 V Y el voltaje de entrada al circuito de la base es VB 10 V. Si VCE(sat) 1.0 V, Y V.BE(sat) 1.5 V, encuentre (a) el valor de RB que resulta en saturacin con un factor de sobreexcitacin de 5, (b) la PI forzada y (e) la prdida de potencia Pr en el transistor. Solucin Vcc = 200 V, 13min = 8, 13max = 40, Re 11 n, ODF = 5, VB 10 V, VCE(sat) 1.0 V Y VBE(sat) 1.5 V. De la ecuacin (8-14), les (200 - 1.0) /11 18.1 A. De la ecuacin (8-15), lBS = 18.1/l3min 18.1/8 = 2.2625 A. La ecuacin (8-16) da la corriente de base para un factor de sobrecarga de 5,

lB = 5 x 2.2625

11.3125 A

(a) La ecuacin (8-9) da el valor requerido de RB,

RB =

VB -

VBE(satl

= 10 - 1.5 = 07514
11.3125'

n
H

(b) De la ecuacin (8-17), 131 = 18.1/11.3125 1.6. (e) La ecuacin (8-18) da la prdida de potencia total igual a P = 1.5 x 11.3125

+ 1.0 x 18.1 = 16.97 + 18.1 = 35.07 W

Nota. Para un factor de sobreexcitacin de lO, lB = 22.265 A y la prdida de potencia sera Pr = 1.5 x 22.265 + 18.1 = 51.5 W. Una vez saturado el transistor, el voltaje colector-emisor no se reduce en relacin con el aumento de la corriente de base. Sin embargo, aumenta la prdida de potencia. A un valor alto de factor de sobreexcitacin, el transistor puede daarse debido al sobrecalentamiento. Por otra parte, si el transistor se opera por debajo de la especificacin (lB < ICB) puede llegar a operar en la regin activa y VCE aumentara, resultando tambin en un aumento de prdida de potencia.

8-2.2 Caractersticas de conmutacin


Una unin pn con polarizacin directa exhibe dos capacitancias paralelas: una capacitancia de la capa de agotamiento y una capacitancia de difusin. Por otra parte, una unin pn con polarizacin Sec.8-2
Transistores de unin bipolar

267

inversa slo tiene estas capacitancias el comportamiento En la figura


Ccb

una capacitancia de agotamiento. Bajo condiciones de rgimen permanente, no juegan ningn papel. Sin embargo, en condiciones transitorias, influyen en de activacin y desactivacin del transistor. 8-7 se muestra el modelo de un transistor bajo condiciones transitorias, donde

Y Cs, son las capacitancias efectivas de las uniones CBJ y BEJ, respectivamente. La transconductancia, gm de un BJT se define como la relacin entre Me y tJ.VBE. Estas capacitancias dependen de los voltajes de la unin y de la construccin fsica del transistor. Ccb afecta en forma significativa la capacitancia de entrada debido al efecto multiplicador de Miller [6]. Fce Y rbe son las resistencias del colector al emisor y de la base al emisor, respectivamente. Debido a las capacitancias internas, el transistor no se activa en forma instantnea. En la figura 8-8 se ilustran las formas de onda y los tiempos de conmutacin. Conforme el voltaje de entrada VB se eleva desde cero hasta VI y la corriente de base se eleva hasta l m, la corriente del colector no responde de inmediato. Existe un retraso, conocido como tiempo de retraso, Id antes de que fluya cualquier corriente del colector. Este retraso es necesario para cargar la capacitancia de la unin BEJ al voltaje de polarizacin directa VIJE (aproximadamente 0.7 V). Una vez pasado este retraso, la corriente del colector se eleva al valor de rgimen permanente les. El tiempo de elevacin, tr depende de la constante de tiempo determinada por la capacitancia de la unin BEJ. La corriente de base es normalmente mayor a la requerida para saturar al transistor. Como resultado, la carga excedente de portadores minoritarios queda almacenada en la regin de la base. Mientras ms alto sea el factor de sobreexcitacin, ODF, mayor ser la carga adicional almacenada en la base. Esta carga adicional, que se conoce como carga de saturacin, es proporcional a la excitacin excedente de la base y a la corriente correspondiente, le: 1"

18 -

les B =

OOF . lBS - lBS

IB,\(OOF

- 1)

(8- 19)

y la carga de saturacin est dada por Q., = T,/" = TJBS(OOF - 1)


(8-20)

donde "es es conocida como la constante de tiempo de almacenamiento del transistor. Cuando el voltaje de entrada se invierte de VI hasta -V2, y tambin la corriente de base se modifica hasta -1m, durante un tiempo ts, conocido como tiempo de almacenamiento, la corriente del colector no se modifica. ts es el tiempo que se requiere para eliminar la carga de saturacin de la base. Dado que vnt: es todava positivo, con slo 0.7 V aproximadamente, la corriente de base invierte su direccin debido al cambio en la polaridad de VIJ, desde VI hasta -V2. La corriente
ja

ic ic

e
rbo

rO.

(o rce

l'~
(b) Modelo con transconductancia

e
(o

r~.

(a) Modelo con ganancia de corriente

Figura 8-7

Modelo transitorio del BIT.

268

Transistores de potencia

Cap.8

Ve

v, - - o
kT
-(1-k)T_

1 I

-182 Ics iC
O.9lcs

- -

- -

-----

-...______.,/
I

I 1_
- - - - - - - - I

- - - i

r
.., " ..

I I

--,--,
l.

171-;-1--,-. --1-1-1t, lo
Figura 8-8 Tiempos de conmutacin de transistor bipolar

inversa, -182, ayuda a descargar la base y a eliminar la carga adicional de la misma. Sin -IB2, la carga de saturacin tendra que ser totalmente eliminada mediante recombinacin, siendo el tiempo de almacenamiento ms largo. Una vez eliminada la carga adicional, la capacitancia de la unin BEJ se carga al voltaje de entrada -V2, y la corriente de base se abate hasta cero. El tiempo de abatimiento tI depende de la constante de tiempo, misma que est determinada por la capacitancia de la unin BEJ con polarizacin inversa. ' La figura 8-9a muestra la carga adicional almacenada en la base de un transistor saturado. Durante la desactivacin, esta carga adicional es eliminada primero en el tiempo ts pasando el perfil de la carga de a hasta e tal y como se muestra en la figura 8-9b. Durante el tiempo de abatimiento, el perfil de la carga disminuye a partir del perfil e hasta que todas las cargas han sido eliminadas.
Emisor Base Colector

(a) Almacenamiento de carga en la base

(b) Perfil de la carga durante la desactivacin

Figura 8-9 Almacenamiento de carga en transistores bipolares saturados. Sec.8-2 Transistores de unin bipolar

269

;.a;'"

El tiempo de activacin

ton

es la suma del tiempo de retraso td y el tiempo de elevacin t.:

y el tiempo de desactivacin abatimiento tI:

toff

es la suma del tiempo de almacenamiento ts Y el tiempo de


loff

ls

lf

Ejemplo 8-2
Las formas de onda del transistor interruptor de la figura 8-6 aparecen en la figura 8-10. Los parmetros son Vce 250 V, VBE(sat) 3 V, le 8 A, VCE(sat) 2 V, ICE 100 A, td 0.5 us, t, 1 us, ls 5 us, lf 3 us y fs 10 kHz. El ciclo de trabajo es k 50%. La corriente de fuga colector a emisor es ICEO 3 mA. Determine la prdida de potencia debido a la corriente del colector (a) durante la activacin ton td + t, (b) durante el perodo de conduccin t", (e) durante la desactivacin toff ts + tf, (d) durante el tiempo desactivado to y; (e) las prdidas promedio totales de potencia PT, y (f) grafique la potencia instantnea debida a la corriente del colector, Pc(/). Solucin T l/fs 100 us, k 0.5, kT Id + t, + 1" 50 us, 1ft 50 - 0.5 - 1 48.5 us, (1 - k)T ts + tf + to 50 IlS, Y lo 50 - 5 - 3 421ls. (a) Durante el tiempo de retraso, O ~ 1 ~ Id:

= =

= =

= =

i,.(t) UCE(t)
VCE

lCEO

= VCC

Vcc I I I I I I
VCE(NI)

Ic. -1-I
'CEO

I O~---~--------~------~-------. icl-'on-1 I-toll-I


-1-1 - - '--------__./

I I

I
I

---'-n --~--'-f- --10-'"


I
I

le.

--------T _
1

1/1-------

...

I
VI!E(NI)

Figura 8-10 Formasde onda para un interruptortransitorio.

270

Transistores de potencia

Cap. 8

La potencia

instantnea

debida a la corriente del colector es P,(t)

= i.uce = l ceov cc
=

3 x 10-3 x 250

0.75 W

La prdida de potencia promedio durante el tiempo de retraso es


Pd

=
=

T Jo

1 (Id

PJt)

dt

fcWVCCtdf,

(8-21) 3 x 10-3 x 250 x 0.5 x 10-6 x 10 Durante el tiempo de elevacin, O :5 I :5 1,:


1(' X

103 = 3.75 mW

. (t ) = les t t,

vC/:;(t) = Vcc . Pc(t) = t-uc

(V Ct"lsatl

Vcel -

t t,
Vccl-

(8-22)

les -t [ Vcc + t,

(VCt.I,a!)

t]
t,

La potencia P c(/) ser mxima cuando t = tm, donde t,V ce tnl = 2[V cc - V C/:,{,atl] 250 = I x 2(250 _ 2) y la ecuacin (8-22) nos da la potencia pico
=

(H-23) 0.504
J.S

P =
p

V~cIcs

4[Vec __ 2

VeEISa!)]

(8-24)

100_ - 250 x 4(250 _ 2) - 6300 W


1 (I, T Jo P,(t) dt

P,. =

ee = [Jcst- [V -2- +

Ve/:hatl

Vec]
(8-25)

= 10 x JO) x 100 x 1 X 10-6 [

T+

250

2 - 250] 3 = 42.33 W

La prdida total de potencia durante la activacin es (8-26) 42.33 W

=
,(l) = les VCE(t) P,,(t)

0.00375 + 42.33

(b) El periodo de conduccin, O :5 t:5 tn:

=
=

VCElsatl i-vce

V C/:'lsatlicS (8-27)

= 2 x lOO = 200 W
Sec.8-2
Transistores de unin bipolar

271

1 (1" r, = T Jo Pe(t)

dt

VCE(sat!Cstllf,
X

= 2 x 100 x 48.5
ic(t)
=

10-6

10

103

= 97 W

(e) El perodo de almacenamiento O:5 t:5 ts: lcs

VCE(t) = V CE(sat) Pe(t) = (VCE = VCE(sat)lcs (8-28)

=
P, =

100

200 W dt = VCE(satllest,!,

1 JI., T o Pc(t)

= 2 x 100 x 5 X 10-6 X lO X 103 = 10 W

El tiempo de abatimiento 0:5 1 :51: icCt) = lcs

(1 - !..), despreciando tf
[CEO

[CEO

VCE(t) = VCC t, despreciando


t

(8-29)

Pe(t)

icvcE = V celes [(1 -

i) iJ
= If/2 = 1.5 .ts
(8-30)

Esta prdida de potencia durante el tiempo de abatimiento ser mxima cuando t y la ecuacin (8-29) da la potencia pico, P
m

= VccIcs 4 = 250 x I~O = 6250 W

P = .!. (Ir P (1) d = VccIcstff,


f

T)o

(8-31 ) 250 x 100


X

10-6

10

103

= 125 W

La prdida de potencia durante la desactivacin es Porr = P, + Pf

Ycclcsl,

(ts + ~) (8-32)

=
ic(t)

10

+ 125 = 135 W

(d) Periodo desactivado O:5 1:5 lo:

lCEO

VCE(t) = Vcc Pe(t)

icVCE = IcEOVcc (8-33) Transistores de potencia Cap. 8

= 3 X 10-3 X 250 = 0.75 W

272

= 3

10-3

250

42

10-6

10

103 = 0.315 W

(e) La prdida total de potencia en el transistor debido a la corriente del colector es (8-34)

= 42.33 + 97 + 135 + 0.315 = 274.65 W (O La grfica de potencia instantnea aparece en la figura 8-11.
Ejemplo 8-3

Para los parmetros del ejemplo 8-2, calcule la prdida promedio de potencia debida a la corriente de base. Solucin V8E(sal) = 3 Y, 18 = 8 A, T = l/fs = 100 ..ts, k = 0.5, kT = 50 us td = 0.5 us, t, 1 ..ts,t" = 50 - 1.5 = 48.5 us, ts = 5 us, tf = 3 us, ton = td + t, 1.5 us, y loff = ls + lf = 5 + 3 = 8 us, Durante el perodo O ~ t ~ (lon + tn):

UBE(t)

VBE(satl

La potencia instantnea debida a la corriente de base es


Ph(t)

=
=

bUBE

=
tn

lBS

VBS(sat i

3 == 24 W
-

Durante el perodo Q ~ t ~ promedio es PB =


IBsVBE(sat)(ton

lo

= (T + t; +

ton -

ts

- tf):

Pb(t)

= O. La prdida

de potencia

t,,)I;
10-6 X 10 'X W = 13.2 W

(8-35)

(1.5 + 48.5 + 5) x

-r" ~
2001
0.75 0-----I I

ASO
~~--------------~--~----~-------.

1 L ll----___'{_ir \ t=B- - - - I---t.--IT' ~I~I


In

t,

Figura 8-11 Grfica de la potencia instantnea para el ejemplo 8-2.

Sec.8-2

Transistores de unin bipolar

273

8-2.3

Lmites

de conmutacin

Ruptura secundaria, 58. La ruptura secundaria (SB), que es un fenmeno destructivo, resulta del flujo de corriente a una pequea porcin de la base, 10 que produce puntos calientes localizados. Si la energa en estos puntos calientes es suficientemente grande, el calentamiento excesivo localizado puede daar al transistor. Por lo tanto, la ruptura secundaria es causada por un sobrecalentamiento trmico localizado, resultado de concentraciones altas de corriente. La concentracin de corriente puede ser causada por defectos en la estructura del transistor. La ruptura secundaria ocurre en ciertas combinaciones de voltaje, corriente y tiempo. Dado que el tiempo est involucrado, la ruptura secundaria es bsicamente un fenmeno que depende de la energa. Area de operacin segura en polarizacin directa, FBSOA. Durante la condicin activa y en operacin, la temperatura promedio de la unin y la ruptura secundaria limitan la capacidad de manejo de potencia de un transistor. Los fabricantes normalmente proporcionan curvas FBSOA bajo condiciones de prueba especificadas. Las FBSOA indican los lmites de ieVCE del transistor; para una operacin confiable del mismo el transistor no debe ser sujeto a una disipacin de potencia mayor que la que se muestra en la curva FBSOA. Area de operacin segura en polarizacin inversa, RBSOA. Durante la desactivacin, el transistor debe soportar una corriente y un voltaje altos, en la mayor parte de los casos con una unin base a emisor con polarizacin inversa. El voltaje colector-emisor debe mantenerse a un nivel seguro o por debajo de un valor especificado de la corriente del colector. Los fabricantes proporcionan lmites para el leV CE durante la desactivacin con polarizacin inversa como el rea de operacin segura en polarizacin inversa (RBSOA). Decaimiento de potencia. El circuito trmico equivalente aparece en la figura 8-12. Si la prdida de potencia promedio total es Pr, la temperatura de la cubierta es

Te
La temperatura del disipador de calor es

TJ

prRe

Ts

Te - PrRes

La temperatura ambiente es

(8-36)

Te

~~~--'_~~-----1T.
RJe PT Re.

'--

---' TA

Figura 8-12 Circuito trmico equivalente de un transistor.

274

Transistores de potencia

Cap.8

donde RIC Rcs


RSA

= la resistencia trmica de la unin a la cubierta, C/W = la resistencia trmica de la cubierta al disipador trmico, C/W
= la resistencia trmica del disipador trmico al ambiente, C/W

Por lo general, la disipacin mxima de potencia Pr se especifica en Tc = 25 "C. Si la temperatura ambiente es aumentada a TA = Tl(max) = ISO "C, el transistor puede disipar una potencia cero. Por otra parte, si la temperatura de la unin es Te = OC, el dispositivo puede disipar la potencia mxima resultando esto no prctico. Por lo tanto, al interpretar las especificaciones de los dispositivos debern considerarse tanto la temperatura ambiente como las resistencias trmicas. Los fabricantes publican curvas tanto para el decaimiento trmico como para la ruptura secundaria. Voltajes de ruptura. Un voltaje de ruptura se define como el voltaje mximo absoluto entre dos terminales, con la tercera terminal abierta, en corto circuito o polarizada, ya sea directa o inversamente. En la ruptura el voltaje se conserva relativamente constante, en tanto que la corriente se eleva con rapidez. Los fabricantes citan los siguientes voltajes de ruptura:
YEBO: voltaje mximo entre las terminales del emisor y de la base, con la terminal del colector en circuito abierto. VeEV o VeEx: voltaje mximo entre las terminales del colector y del emisor, a un voltaje negativo especificado aplicado entre base y emisor. VeEO(SUS): voltaje mximo de mantenimiento entre las terminales del colector y del emisor, con la base en circuito abierto. Esta especificacin se fija a los valores mximos de corriente y voltaje del colector, apareciendo simultneamente a travs del dispositivo con un valor especfico de la inductancia de la carga.

Veamos el circuito de la figura 8-13a. Cuando el interruptor SW se cierra, aumenta la corriente del colector, y despus de un transitorio, la corriente del colector en rgimen permanente es les = (Vcc - VCE(sat/Rc. En el caso de la carga inductiva, la lnea de carga sera la trayectoria ABC mostrada en la figura 8-13b. Si se abre el interruptor para eliminar la corriente de base, la corriente del colector empezar a abatirse y el voltaje de L(dildl) se inducir a travs del inductor para oponerse a la reduccin de dicha corriente. El transistor quedar sujeto a un voltaje

O
(a) Circuito de prueba

"- -, A ,__-----~--==:;:,--:...,-Vcc
VC(IUI)

Carga .)'" puramente resistiva

"VCE

(b) Lneas de carga

Figura 8-13 Lneas de carga de activacin y desactivacin Sec.8-2


Transistores de unin bipolar

275

transitorio. Si este voltaje llega al nivel del voltaje de mantenimiento, el voltaje del colector se mantendr aproximadamente constante y la corriente del colector se reducir. Despus de un corto tiempo, el transistor estar en estado desactivado en la figura 8-13b y aparece la lnea de carga de desactivacin segn la trayectoria CDA. Ejemplo 8-4 La temperatura mxima de unin de un transistor es TJ = 150 "C y la temperatura ambiente es TA 25 oc. Si las impedancias trmicas son RJC = 0.4 C/W, Res = 0.1 C/W y RSA = 0.5 C/W, calcule (a) la disipacin mxima de potencia y (b) la temperatura de la cubierta. Solucin (a) 1; - TA = P{RJC + Res + RsA) = PTRJA, RJA = 0.4 + 0.1 + 0.5 = 1.0 Y 150 - 25 = 1.0PT, lo que da la disipacin mxima de potencia como PT = 125 W. (b) Tc = TJ - PrRJc = 150 - 125 x 0.4 = lOOoc.

8-2.4 Control

de la excitacin

de la base

La velocidad de conmutacin se puede aumentar reduciendo el tiempo de activacin ton Y el tiempo de desactivacin [off. Se puede reducir ton permitiendo el pico de corriente de base durante la activacin, resultando en el principio una pePF) forzada baja. Despus de la activacin, se puede incrementar PI a un valor lo suficientemente alto como para mantener el transistor en la regin de casi saturacin. loff se puede reducir invirtiendo la corriente de base y permitiendo que durante la desactivacin la corriente de base llegue a valor pico. Aumentar el valor de la corriente de base inversa IB2 reduce el tiempo de almacenamiento. En la figura 8-14 aparece una forma de onda tpica para la corriente de base. Adems de una forma fija de la corriente de base como en la figura 8-14, la P forzada se puede controlar en forma continua para hacer coincidir las variaciones de corriente del colector. Las tcnicas comnmente utilizadas para optimizar la excitacin de la base de un transistor son:

1. Control de activacin
2. Control de desactivacin 3. Control proporciona! de la base 4. Control de amisaturacin Control de activacin. El pico de la corriente de base Se puede obtener mediante el circuito de la figura 8-15. Cuando el voltaje de entrada se conecta, la corriente de la base queda limitada por la resistencia R 1, el valor inicial de la corriente de base es (8-37)

- 162 -

Figura 814 Forma de onda de la corriente de excitacin de la base.

276

Transistores de potencia

Cap. 8

el valor final de la corriente de base es


(8-38)

El capacitor

el se carga a un valor final de


Ve == V RI

+ R2

(8-39)

La constante de tiempo de carga del capaciior es aproximadamente


'TI

RR2e R

+ R2

(8-40)

Una vez que el voltaje de entrada VB se hace cero, la unin base-emisor tiene polarizacin inversa y el se descarga a travs de R2. La constante de tiempo de descarga es 12 = R2el. Para permitir suficientes tiempos de carga y de descarga, el ancho del pulso de base debe ser (1 ~ 511 y el perodo de desactivacin del pulso debe ser (2 ~ 512. La frecuencia mxima de conmutacin es i = 1fT == 1/( + /2) == 0.2/(11 + 12). Control de desactivacin. Si durante la desactivacin el voltaje de entrada de la figura 8-15 se cambia a -V2, el voltaje del capacitor Ve en la ecuacin (8-"39) se suma a V2 a travs del transistor corno un voltaje inverso. Habr un pico de corriente de base durante la desactivacin. Conforme el capacitor se descarga, el voltaje inverso se reducir a un valor de rgimen permanente, V2. Si se requieren diferentes caractersticas de activacin y desactivacin, se puede aadir un circuito de desactivacin (utilizando a e2, R3 y R4) tal y como se muestra en la figura 8-16. Durante la desactivacin, el diodo D asla el circuito de excitacin directa de la base, del circuito de excitacin inversa de la base.

le
Vll----.

Rl

Re Vcc lE
+

f~

Vel -

Figura 81S Pico de corriente de base durante la activacin.

el

Figura 8-16

Pico de corriente de base durante la activacin y la desactivacin.

Sec.8-2

Transistores de unin bipolar

277

.,.),.<..~.,-.-."",,-----------------------

Control proporcional de la base. Este tipo de control tiene ventajas sobre el circuito de excitacin constante. Si la corriente del colector cambia debido a cambios en la demanda de la carga, la corriente de excitacin de la base cambia en proporcin a la corriente del colector. Una disposicin aparece en la figura 8-17. Cuando el interruptor S se activa, fluye un pulso de

corriente de corta duracin a travs de la base del transistor Q; y se activar hasta la saturacin. Una vez que la corriente del colector empieza a fluir, se induce una corriente de base debido a la accin del transformador. El transistor se enganchara a s mismo, y SI puede desactivarse. La relacin de vueltas es N1iNI = le/lo = ~. Para la correcta operacin del circuito, la corriente magnetizan te, que ser mucho menor que la corriente del colector, debe ser lo ms pequea posible. El interruptor SI se puede implementar mediante un transistor de pequea seal, y durante el perodo de desactivacin del transistor de potencia se requerir de un circuito adicional para descargar al capacitor el y para volver a restablecer el ncleo del transformador. Control de antisaturacin. Si el transistor es operado severamente, el tiempo de almacenamiento, que es proporcional a la corriente de base, aumenta y se reduce la velocidad de conmutacin. El tiempo de almacenamiento puede ser reducido operando el transistor en una saturacin suave, en vez de una saturacin dura. Esto se puede llevar a cabo fijando el voltaje de colector-emisor a un nivel predeterminado. La corriente del colector est dada por
Ic

Vcc - Vun ---=''':'''R''--c---'--

(8-41)

donde Vcm es el voltaje de fijacin y Vcm> VCE(sal)' En la figura 8-18 se muestra un circuito con accin de fijacin (tambin conocido como fijador Baker). La corriente de base sin fijacin, que es adecuada para excitar severamente al transistor, se puede determinar a partir de
lB

VB

Vdl

VBE

I1 =

RB

(8-42)

y la correspondiente corriente del colector es Ic = f3IB (8-43)

v,
o

o_

[.~
SI

Figura 817 Circuito de excitacin proporcional de base.

278

Transistores de potencia

Cap. 8

le Re __ _.,.RyB__ ..IB __

Da'__

-:-1+

Vee

+_lvB

1,

I:v;-:I~
VBe

_
Vee

Figura 8-18
del ea lce tor.

Circuito de fijacin

Despus de que la corriente del colector se eleva, el transistor se activa, y la fijacin ocurre (debido al hecho de que D2 recibe polarizacin directa y conduce), entonces (8-44) La corriente de carga es I - Vee - VCE L Re
y la corriente del colector con fijacin es

Vee - VBE

Vdl

+ Vd2

Re

(8-45)

le

= {3IB = {3UI - le + Id
= 1

(8-46)

{3 (11 + Id

Para la fijacin, Vd1 > V a esto se puede obtener canee landa dos o ms diodos en vez de DI. La resistencia de la carga Re deber satisfacer la condicin {3IB > Ic De la ecuacin (8-45), {3IBRe> (Vee - V8E
-

Vdl

V/2)

(8-47)

La accin de fijacin da como resultado una corriente del colector ms reducida y la eliminacin prcticamente total del tiempo de almacenamiento. Adems, en forma simultnea, se obtiene una activacin rpida. Sin embargo, en razn de un VCE incrementado, la disipacin de la potencia en estado activo del transistor aumenta, en tanto que la prdida de potencia por conmutacin se reduce. Ejemplo 8-S
El circuito de excitacin de base de la figura 8-18 tiene Vee;;;; 100 V, Re 1.5 Vdl ;;;; 2.1 V, Vd2;;;; 0.9 V, VBE 0.7 V, VB 15 V, RB 2.5 n y J3 16. Calcule (a) la corriente del colector sin fijacin, (b) el voltaje de fijacin colector-emisor VCE Y (e) la corriente del colector con fijacin. Solucin (a) De la ecuacin (8-42), / (15 - 2.1 - 0.7)/2.5 4.88 A. Sin fijacin, le 16 x 4.88 78.08 A. (b) De la ecuacin (8-44), el voltaje de fijacin es

n.

VCE

0.7

+ 2.1 - 0.9 = l.9 V


279

Sec.8-2

Transistores de unin bipolar

(e) De la ecuacin (8-45), lt. = (lOO - 1.9)/1.5 = 65.4 A. La ecuacin (8-46) da la

corriente del colector sin fijacin:


1

= 16

4.88 + 65.4 16 + 1

= 66 15 A
.

8-3 MOSFET DE POTENCIA Un transistor bipolar de juntura (BJT) es un dispositivo controlado por corriente, que requiere de corriente de base para controlar el Dujo de corriente del colector. Dado que la corriente del colector depende de la corriente de entrada (o de la base), la ganancia de corriente es altamente dependiente de la temperatura de la unin. Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere slo de una pequea corriente de entrada. La velocidad de conmutacin es muy alta siendo los tiempos de conmutacin del orden de los nanosegundos. Los MOSFET de potencia estn encontrando cada vez ms aplicaciones en los convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los MOSFET no tienen los problemas de los fenmenos de ruptura secundaria que tienen los BJT. Sin embargo, los MOSFET tienen problemas de descargas electrostticas, por lo que su manejo requiere de cuidados especiales. Adems, es relativamente difcil protegerlos bajo condiciones de falla por corto circuito. Los MOSFET son de dos tipos: (1) los MOSFET de agotamiento y (2) los MOSFET de enriquecimiento. Un MOSFET tipo agotamiento de canal n se forma en un substrato de silicio de tipo p. tal y como se muestra en la figura 8-19a, con dos silicios n+ fuertemente dopados para tener conexiones de baja resistencia. La compuerta est aislada del canal mediante una delgada capa de xido. Las tres terminales se conocen como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente, el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a fuente, Ves, puede ser positivo o negativo. Si Ves es negativo, algunos de los electrones del rea del canal n sern repelidos y se crear una regin de agotamiento por debajo de la capa de xido, que resultar en un canal efectivo ms angosto y en una alta resistencia de drenaje a fuente, Ros. Si Ves se hace suficientemente negativo, el canal se agotar totalmente, ofreciendo un alto valor Ros, y no habr flujo de corriente de drenaje a fuente, IDs = O. Cuando esto ocurre, el valor de Ves se conoce como voltaje de estrechamiento. Vp Por otra parte, Ves se hace positivo, el canal se ensancha, e los aumenta debido a la reduccin en Ros. Con un MOSFET tipo agotamiento de canal p, se invierten las polaridades de Vos, IDs Y Ves. Un MOSFET tipo cnriquecirrueruo de canal n, no tiene un canal fsico, tal y como se puede observar en la figura 8-20. Si Ves es positivo, un voltaje inducido atraer los electrones del substrato p. y los acumular en la superficie por debajo de la capa de xido. Si Ves es mayor que o igual a un valor conocido como voltaje de umbral, Vr, se acumular un nmero suficiente de electrones para formar un canal virtual n y la corriente fluir del drenaje a la fuente. Si se trata de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p, las polaridades de Vos, los y VGS se invierten. En la figura 8-21 aparecen MOSFET de potencia de varios tamaos. 8-3.1 Caractersticas en rgimen permanente Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La compuerta utiliza una corriente de fuga muy pequea, del orden de los 280
Transistores de potencia Cap. 8

ID Substrato de metal Substrato del tipo p , Canal

Al
Voo O

ID
Ro

~
lo Estructura bsica (a) MOSFET tipo agotamiento de canal n

FG'

S
Simbolo

Voo

lo

Ro lo O + Voo Ro

EGO
Estructura bsica (b) MOSFET tipo agotamiento de canal p

Voo

Simbo lo

Figura 8-19 MOSFET tipo agotamiento-

nanoamperes. La ganancia de corriente, que es la relacin entre la corriente de drenaje, ID, y la corriente de entrada de la compuerta, le, es tpicamente del orden de 109 Sin embargo, la ganancia de corriente no es un parmetro de importancia. La transconductancia, que es la relacin de la corriente de drenaje al voltaje de la compuerta, define las caractersticas de transferencia, siendo un parmetro muy importante. Las caractersticas de transferencia de los MOSFET de canal n y de canal p aparecen en la figura 8-22. En la figura 8-23 se muestran las caractersticas de salida de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n, Existen tres regiones de operacin: (1) regin de corte, donde Ves ::;; Vr; (2) regin de estrechamiento o de saturacin, donde VDS :$ Ves - Vr; y (3) regin lineal, donde VDS = Ves - Vr. El estrechamiento ocurre en VDS = Ves - Vr. En la regin lineal, la corriente de drenaje ID vara en proporcin al voltaje drenaje-fuente, VDS. Debido a la alta corriente de drenaje y al bajo voltaje de drenaje, los MOSFET de potencia se operan en la regin lineal para acciones de conmutacin. En la regin de saturacin, la corriente de drenaje se conserva prcticamente constante para cualquier incremento en el valor de VDS. y los transistores se utilizan en esta regin para la amplificacin de voltaje. Debe hacerse notar que la saturacin tiene el significado opuesto que en el caso de los transistores bipolares. Sec.8-3
'>r,~.).:"':-';:~,.., -_"" ......

MOSFET de potencia
_

281

Estructura

bsica de canal n

Simbolo

(a) MOSFET tipo enriquecimiento

lo

Oxido Estructura bsica (b) MOSFET tipo enriquecimiento de canal p

Figura 820

MOSFET tipo enriquecimiento.

Figura 821 MOSFET de potencia.


(Cortesa de Intemational Rectifier.)

282

Transistores de potencia

Cap. 8

lo

Canal n (a) MOSFET de agotamiento

Canal p

lo

/
__ ......L.-_:...<:o VT VOl

Canal n

Canalp (b) MOSFET tipo enriquecimiento

Figura 8-22 Caractersticas de transferencia de los MOSFET.

El modelo en rgimen permanente, que es el mismo tanto para el MOSFET de agotamiento como para el tipo enriquecimiento, aparece en la figura 8-24. La transconductancia, gm, se define como g
m

=-MD
~

V GS

Vos z constante

(8-48)

La resistencia de salida, ro = Ros, que se define como RDS =-~ID


~VDS

(8-49)

es normalmente muy alta en la regin de estrechamiento, tpicamente del orden de los megaohms y muy pequea en la regin lineal, tpicamente del orden de los miliohms.

Regin de estrechamiento o regin de saturacin lo Regin lineal

-1-,__--va .. >vo03>VaI2>Vol1>VT ~_---vo ..

Figura 8-23 Caractersticas de salida del MOSFET tipo enriquecimiento mejorado.

Sec.8-3

MOSFET de potencia.

283

Ro
D

Ao A, + + Voo G +

lo

'o-s

+~

o
Voo

VG

(a) Diagrama de circuito

(b) Circuito equivalente

Figura 8-24

Modelo de conmutacin en rgimen permanente de los MOSFET.

Para los MOSFET tipo agotamiento, el voltaje de compuerta (o de entrada) puede ser positivo o negativo. Pero los MOSFET tipo enriquecimiento slo responden a voltajes positivos de compuerta. Los MOSFET de potencia son generalmente del tipo enriquecimiento. Sin embargo, los MOSFET tipo agotamiento podran ser ventajosos y simplificar el diseo lgico en algunas aplicaciones que requieren de algn tipo de interruptor de ca o cd compatible con la lgica, y que se mantenga activo cuando el suministro lgico caiga y Ves se haga cero. Las caractersticas de los MOSFET tipo agotamiento no se analizarn con mayor detalle. 8-3.2 Caractersticas de conmutacin Sin seal de compuerta, un MOSFET tipo enriquecimiento puede considerarse como dos diodos conectados espalda con espalda o como un transistor NPN. La estructura de la compuerta tiene capacitancias parsitas con la fuente, Cgs, y con el drenaje Cgd. El transistor NPN tiene una unin de polarizacin inversa del drenaje a la fuente y ofrece una capacitancia Cds. La figura 8-25a muestra el circuito equivalente del transistor bipolar parsito, en paralelo con un MOSFET. La regin base-emisor de un transistor NPN se pone en corto circuito en el chip, metalizando la terminal de la fuente y la resistencia de la base al emisor, debido a que la resistencia del material de las regiones n y p, Rbe, es pequea. Por lo tanto, un MOSFET se puede considerar como si o
lo lo O

.JJ
S
(a) Bipolar parsito

cgd

Rbo

.~
cgo
S

c.,

(b) Diodo interno

Figura 8-25 284

Modelo del MOSFET tipo enriquecimiento que incluye efectos parsitos.

Transistores de potencia

Cap. 8

tuviera un diodo interno (el circuito equivalente aparece en la figura 8-25b). Las capacitancias parsitas dependen de sus voltajes respectivos. El modelo de conmutacin de los MOSFET aparece en la figura 8-26. En la figura 8-27 se muestran las formas de onda y los perodos de tiempo de conmutacin tpicos. El retraso de la

activacin td(on)es el tiempo requerido para cargar la resistencia de entrada al nivel de entrada del umbral. El tiempo de elevacin t, es el tiempo de carga de la compuerta desde el nivel de umbral hasta el voltaje completo de la compuerta VGSP, mismo que se requiere para excitar el transistor a la regin lineal. El tiempo de retraso en la desactivacin td(off)es el tiempo requerido para que la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje en sobre-excitacin de la compuerta VI hasta la regin de estrecham iento. VGS debe reducirse en forma significativa antes de que VDS empiece a elevarse. El tiempo de abatimiento tr es el tiempo que se requiere para que se descargue la capacitancia de entrada desde la regin de estrechamiento hasta el voltaje del umbral. Si VGS ~ VT, el transistor se desactiva. 8-3.3 Excitacin de compuerta El tiempo de activacin de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia de entrada o de compuerta. El tiempo de activacin se puede reducir conectando un circuito tal y como se muestra en la figura 8-28, para cargar ms aprisa la capacitancia de compuerta. Cuando se conecta el voltaje de compuerta, la corriente de carga inicial de la capacitancia es

Re.

Rs yel valor en rgimen permanente del voltaje de compuerta es


RGVG V GS = R,

IG =-

VG

(8-50)

+ R 1 + RG

(8-51)

donde R, es la resistencia interna de la fuente de excitacin de la compuerta.

Figura 8-26 Modelo de conmutacin del MOSFET.

V, VOl

o~ ........~ ........------; I ~
-

....------~------~
:".

VOl> - -

r - ,-- -

-'

1 1 1 1

Figura 8-27 Formas de onda y tiempos de conmutacin.

Sec.8-3

MOSFET de potencia

285

~-2~'--; y. RGI~ i~~:: _J


I L
..J

.. al de compuerta

e,

n
oor-

Figura 8-28 Circuito de aceleracin de activacin de la compuerta.

A fin de obtener velocidades de conmutacin del orden de 100 ns o menos, el circuito de excitacin de compuerta debe tener una baja impedancia de salida y la capacidad de manejar corrientes relativamente grandes. En la figura 8-29 se muestra una disposicin en forma de poste -ttem, capaz de proveer o absorber una corriente grande. Los transistores PNP y NPN actan como seguidores del emisor y ofrecen una impedancia baja de salida. Estos transistores operan en la regin lineal ms que en el modo de saturacin, minimizando en consecuencia el tiempo de retraso. La seal de compuerta para el MOSFET de potencia puede generarse por un amplificador operacional. La retroalimentacin va el capacitor regula la velocidad de elevacin y de abatimiento del voltaje de compuerta, controlando as la velocidad y el abatimiento de la corriente de drenaje del MOSFET. Un diodo a travs del capacitor e permite que el voltaje de compuerta cambie rpidamente en una sola direccin. Existen en el mercado varios circuitos excitadores integrados, diseados para manejar transistores, y que son capaces de proveer o absorber corrientes grandes para la mayor parte de los convertidores.

8-4 SIT Un SIT es un dispositivo de alta potencia y alta frecuencia. Es esencialmente una versin en estado slido de un tubo triodo al vaco. La seccin transversal de silicio de un SIT (15] aparece en la figura 8-30a, y su smbolo en la figura 8-30b. Se trata de un dispositivo de estructura vertical con multicanales cortos. Por ello, no est sujeto a limitaciones de rea siendo adecuado para --.._.-+Vcc

Figura 8-29 Arreglo en poste-ttem. con formacin del flanco del pulso. para la excitacin de compuerta.

286

Transistores

de potencia

Cap. 8

Fuente

(b)Simbolo

Orenaje (a) Seccin transversal

Figura 830 Seccin transversal y smbolo para los SIT.

operaciones de alta potencia y en alta velocidad. Los electrodos de la compuerta estn enterrados dentro de las capas n-epsi del drenaje y de la fuente. Un SIT es idntico a un JFET, excepto por la construccin vertical y la compuerta enterrada, lo que origina una resistencia ms baja de Canal,y, por lo tanto, una cada ms pequea. Un SIT tiene una longitud corta de canal, una baja resistencia en serie de compuerta, una baja capacitancia compuerta-fuente y una resistencia trmica pequea. Tiene bajo ruido, baja distorsin y alta capacidad de potencia en audio frecuencia. Los tiempos de activacin y desactivacin son muy pequeos, tpicamente 0.25 us, La cada en estado activo es alta, tpicamente de 90 V para un dispositivo de 180 A, y de 18 V para uno de 18 A. Un SIT es un dispositivo normalmente activo, desactivado por un voltaje negativo en la compuerta. La caracterstica de normalmente activo y la alta cada en ese estado limita sus aplicaciones en conversiones de potencia en general. La especificacin de corriente de los SIT puede llegar hasta 300 A, 1200 V, siendo la velocidad de conmutacin tan alta corno 100 kHz. Es muy adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia .(por ejemplo amplificadores de audio, de DHFIUHFy de microondas).
8-5 IGBT

Un IGBT combina las ventajas de los BJT y de los MOSFET. Un IGBT tiene una alta impedancia de entrada, igual que los MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en estado activo, como los BJT. Pero no presentan ningn problema de ruptura secundaria, como los BJT, Mediante el diseo y la estructura del chip, la resistencia equivalente drenaje a fuente, RDS, se controla para que se comporte como la de un BJT. La seccin transversal de silicio de un IGBT aparece en la figura 8-31a, y es idntica a la de un MOSFET, excepto en el substrato p", Sin embargo, el rendimiento o comportamiento de un IGBT es ms cercano al de un BJT que al de un MOSFET. Esto se debe al substrato p", que es
Sec.8-5 IGBT 287

Colector

Substrato

p+

Capa intermedia

n"

Capa epitaxial

n"

Emisor

(a) Seccin transversal

Go-I
E
(b) Circuito equivalente
(e)

E
Circuito simplificado

Figura 831

Seccin recta y circuito equivalente correspondiente a los IOBT.

responsable de la inyeccin de portadores minoritarios en la regin n. En la figura 8-31b aparece el circuito equivalente, mismo que se puede simplificar al de la figura 8-31c. Un IGBT est fabricado con cuatro capas alternadas PNPN, y se puede enganchar como un tiristor, si se da la condicin necesaria: (cxnpn + cxpnp) > 1. La capa intermedia n + y la amplia base epitaxial reducen la ganancia de la terminal NPN mediante el diseo interno, evitando, por lo tanto, el enganche. Un
288 Transistores de potencia Cap. 8

IGBT es un dispositivo controlado por voltaje, similar a un MOSFET de potencia. Tiene menores prdidas de conmutacin y de conduccin, en tanto comparte muchas de las caractersticas atractivas de los MOSFET de potencia, como la facilidad de excitacin de compuerta. la corriente de pico, la capacidad y la resistencia. Un IGBT es inherentemente ms rpido que un BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin de los IGBT es inferior a la de los MOSFET. El smbolo y el circuito de un interruptor IGBT se muestran en la figura 8-32. Las tres terminales son compuerta, colector y emisor, en vez de compuerta, drenaje y fuente de un MOSFET. Los parmetros y sus smbolos son similares a los de los MOSFET, excepto en que los suscritos correspondientes a la fuente y al drenaje se modifican a emisor y a colector, respectivamente. La especificacin de corriente de un solo IGBT puede llegar hasta 400 A, 1200 V, Y la frecuencia de conmutacin hasta 20 kHz. Los IGBT estn encontrando cada vez ms usos en las aplicaciones de potencia media como son los propulsores para motores de cd y ca, fuentes de alimentacin, relevadores de estado slido y los contactares.

Seal de compuerta

r------
I
R.

e
G

le Ro

Vee

: f Va
I

Rae
__J

Figura 8-32

Smbolo y circuito

L_

para un MOSIGT.

8-6 OPERACION EN SERIE y EN PARALELO

Los transistores pueden operarse en serie para aumentar su capacidad de manejo de voltaje. Es muy importante que los transistores conectados en serie estn activados y desactivados en forma simultnea. De lo contrario, el dispositivo ms lento en la activacin y el dispositivo ms rpido en la desactivacin quedaran sujetos al voltaje completo del circuito colector-emisor (o drenaje-fuente) pudiendo este dispositivo en particular quedar destruido debido al alto voltaje. Los dispositivos debern ser pareados en lo que se refiere a ganancia, transconductancia, voltaje de umbral, voltaje de estado activo, tiempo de activacin y tiempo de desactivacin. Incluso, las caractersticas de compuerta o de excitacin de base debern ser idnticas. Pueden utilizarse redes de comparticin de voltaje similares a las que se utilizan con los diodos. Si un dispositivo no es capaz de manejar la demanda de corriente de la carga, los transistores se conectan en paralelo. Para que exista una reparticin igual de la corriente, los transistores debern ser pareados en lo que se refiere a ganancia. transconductancia, voltaje de saturacin, tiempos de activacin y desactivacin. Pero en la prctica, no es siempre posible cumplir con estos requisitos. Se puede obtener una cantidad.razonable de reparticin de corriente (de 45% a 55% con dos transistores) al conectar resistencias en serie con las terminales del emisor (o de la fuente) tal y como se muestra en la figura 8-33. Bajo condiciones de rgimen permanente, las resistencias de la figura 8-33 ayudarn a la comparticin de corriente. La comparticin de corriente en condiciones dinmicas puede obtenerse conectando inductores acoplados, como se muestra en la figura 8-34. Si se eleva la corriente a travs de Qt, tambin se elevar el L(di/dl) a travs de Ll, y a travs del inductor L2. se
Sec.8-6
';~I.:,,,,,,;_,;i

Operacin en serie y en paralelo


_

289

lu

inducir un voltaje correspondiente de polaridad opuesta. El resultado es una trayectoria de baja impedancia, siendo la corriente trasladada a Q2. Los inductores generarn picos de voltaje y pueden resultar costosos y voluminosos, especialmente en el caso de altas corrientes. Los TBJ tienen un coeficiente negativo de temperatura. Si un TBJ conduce ms corriente durante la reparticin de corriente, su resistencia en estado activo se reduce y su corriente aumenta an ms, en tanto que los MOSFET tienen un coeficiente positivo de temperatura y su operacin en paralelo es relativamente fcil. El MOSFET que inicialmente conduzca mayor corriente se calentar ms y aumentar su resistencia en estado activo, resultando en un desplazamiento de corriente hacia otros dispositivos. Los IGBT requieren de un cuidado especial para parear sus caractersticas, debido a las variaciones de los coeficientes de temperatura en relacin con la corriente del colector. Ejemplo 8-6
Dos MOSFET conectados en paralelo similares a los de la figura 13-33 conducen una corriente total Zr 20 A. El voltaje drenaje a fuente del MOSFET MI es VDS! 2.5 V Y el del MOSFET es M2 V DS2 -= 3 V. Determine la corriente de drenaje de cada transistor y la diferencia en la reparticin de corriente si las resistencias en serie para compartir la corriente son (a) Rs! 0.3 n y Rs2 = 0.2 n y (b) Rs1 = Rs2 = 0.5 n Solucin Ca) ID! + 1D2 Ir Y VS1 IDlRsl VDS2 + Ioi: Rs2C/r -IDl).

DI

VDS2 .

Rsl

VDS I

+ R+ s2

IrRs2

(8-52)
o 45%

= 3 - 2.5 + 20 x 0.2 = 9 A 0.3 + 0.2 ID2 = 20 - 9

11 A

or 55%

M = 55 - 45 = 10%

290

Transistores de potencia

Cap. 8

(b) IDI

3 - 2.5 + 20 x 0.5 0.5 + 0.5

= 10.5 A o
o 47.5%

52.5%

ltn
fll

= 20 - 10.5 = 9.5 A

= 52.5 - 47.5 = 5%

87 LIMITACIONES POR di/dt y dv/dt Los transistores requieren de ciertos tiempos de activacin y desactivacin. Despreciando el tiempo de retraso Id y el tiempo de almacenamiento t; las formas de onda tpicas del voltaje y corriente de un interruptor BJT aparecen en la figura 8-35. Durante la activacin, se eleva la corriente del colector y el dildt es (8-53) Durante la desactivacin, el voltaje colector-emisor debe elevarse en relacin con el abatimiento de la corriente del colector, y dvldt es

dv
dt
=

t; = t;

V,

V""

(8-54)

Las condiciones di/di y dvldt en las ecuaciones (8-53) y (8-54) estn definidas por las caractersticas de conmutacin del transistor y deben satisfacerse durante la activacin y la desactivacin. Por lo general, se requiere de circuitos de proteccin para mantener los dildt y dvldt de operacin dentro de los lmites permisibles del transistor. Un interruptor tpico de transistor con proteccin dildt y dvldt aparece en la figura 8-36a, con las formas de onda operativas de la figura 8-36b. La red Re a travs del transistor se conoce como un circuito de freno y limita el dvldt, El inductor L, que se ocupa de limitar el dildt a veces se conoce como unfreno en serie. Supongamos que bajo condiciones de rgimen permanente, la corriente de carga lt: est en marcha libre a travs del diodo Dm, el cual tiene un tiempo de recuperacin inversa despreciable.

le .. les

O~--~~--~--------------~I----r---------_' I I
L

- - -1I

. I

.1

1--1 Ir
Figura 8-35 Formas de onda de voltaje y de corriente.

Sec.8-7

Limitaciones por di/dt y dv/dt

291

V1
+ L.
IL

Va

Dm
V.
Ra il

:t

IL

'I-=-1I

Va

D.
O (b) Formas de onda

(a) Circuitos de proteccin

Figura 8-36 Interruptor de transistor con proteccin di/di y dvldt,

Cuando se activa el transistor Q, la corriente del colector se eleva y la corriente del diodo Dm se abate, porque Dm se comporta como si estuviera en corto circuito. El circuito equivalente durante la activacin aparece en la figura 8-37a, y el di/di de activacin es di V, dt L" Igualando la ecuacin (8-53) con la ecuacin (8-55), obtenemos el valor de Ls, L
s

(8-55)

Vstr

(8-56)

Durante el tiempo de desactivacin, el capacitor es se cargar a la corriente de carga apareciendo el circuito equivalente en la figura 8-37b. El voltaje del capacitor aparecer a travs del transistor y el dvldt es dv t, (8-57) dt =

es

Igualando la ecuacin (8-54) con la (8-57), obtenemos el valor requerido de capacitancia,

es

==!J v,

(8-58)

(a) Modo 1

Figura 8-37 Circuitos equivalentes.

292

Transistores de potencia

Cap. 8

Una vez que el capacitor se ha cargado hasta Vs, el diodo de marcha libre se activa. Debido a la energa almacenada en Ls, aparece un circuito resonante amortiguado, tal y como se muestra en la

figura 8-37c. El anlisis de transitorios del circuito RLC se analiza en la seccin 16-4. Normalmente, para evitar oscilaciones, el circuito RLC se hace crticamente amortiguado. Para una amortiguacin crtica unitaria, 8 = 1, la ecuacin (16-11) nos lleva a: R. = 2
.1

rL: -Ve;

(8-59)

El capacitor tiene que descargarse a travs del transistor y la especificacin de corriente pico del transistor se incrementa. La descarga a travs del transistor puede evitarse colocando la resistencia R, a travs de en vez de colocar Rs a travs de Vs. La corriente de descarga se muestra en la figura 8-38. Al seleccionar el valor de R, deber considerarse el tiempo de descarga, RsCs ::;: 's. Un tiempo de descarga de la tercera parte del perodo de conmutacin, T es por lo general adecuado.

es

es

_!_ 3Rs C - T.1 = J,.


S -

o bien
1

R.I
Ejemplo 8-7

= 3fC
.\

(8-60)
.\

Un transistor bipolar es operado como interruptor pulsado a una frecuencia fs 10 kHz. La disposicin del circuito aparece en la figura 8-36a. El voltaje de cd del pulsador es Vs = 220 V Y la corriente de la carga es lt: = lOO A. VCE(sat) O V. Los tiempos de conmutacin son td = O, tr::;: 3 .t Y 't = 1.2 us. Determine los valores de (a) Ls; (b) Cs; (e) R, para la condicin de amortiguamiento crtico; (d) Rs, si el tiempo de descarga se limita a la tercera parte del perodo de conmutacin; (e) Rs, si la corriente pico de descarga se limita al 10% de la corriente de carga; y (f) la prdida de energa debido al freno RC, Ps, despreciando el efecto del inductor Ls sobre el voltaje del capacitor de freno C; Solucin lt: 100 A, Vs 220 V, fs 10 kHz, t, 3 .tY tl= 1.2 us, (a) De la ecuacin (8-56), Ls = Virlh = 220 x 3/100 6.6 .tH. (b) De la ecuacin (8-58), e, = 11Vs = 100 x 1.2/220 0.55 .tF. (e) De la ecuacin (8-59), R, 2 LsICs = 2...) (6.6/0.55 6.93 n (d) De la ecuacin (8-60), R, 1/(3fsICs) 10'/(3 x 10 x 0.55) 60.6 n. (e) VsIRs::;: 0.1 x It: es decir, 220lRs 0.1 x lOO, o bien, R, 22 n. (f) La prdida de energa en el circuito de freno, despreciando la prdida en el diodo Ds, es

= =

= =

P,

== 0.5C,V~f\

0.5 x 0.55 x 10-6 x 2202

10 x JOl

= 133.1 W

(8-61)

r
Sec.8-7

~:

T. 1-

----T=1If.---1

~.

Figura 8-38 Corriente de descarga del capacitor del circuito de freno.

Limitaciones por di/dt y dv/dt

293

8-8 AISLAMIENTO

DE LAS EXCITACIONES

DE COMPUERTA

y DE BASE

Para poder operar los transistores de potencia como interruptores, debe aplicarse un voltaje apropiado de compuerta o una corriente apropiada de base, y excitar los transistores al modo de .saturacin para un voltaje activo bajo. El voltaje de control deber aplicarse entre las terminales de compuerta o de fuente o entre las terminales de base y emisor. Los convertidores de potencia por lo general requieren de varios transistores por lo que cada transistor debe excitarse individualmente. En la figura 8-39a aparece la topologa de un inversor monofsico de fuente. El voltaje con cd principal es Vs con la terminal de tierra G. El circuito lgico de la figura 8-39b genera cuatro pulsos. Esos pulsos, tal y como se muestra en la figura 8-39c, son desplazados en el tiempo para llevar a cabo la secuencia lgica requerida para la conversin de potencia de cd a ca. Sin embargo, todos los cuatro pulsos lgicos tienen una terminal comn C. La terminal comn del circuito lgico puede conectarse a la terminal de tierra G de la alimentacin de cd principal, tal y como lo muestran las lneas punteadas. ' La terminal g, que tiene un voltaje Vg con respecto a la terminal e, no se puede conectar directamente a la terminal de compuerta G. La seal Vg deber aplicarse entre la terminal de compuerta GI y la terminal de fuente SI del transistor MI. Se necesita aislar e interconectar los circuitos entre la lgica y los transistores de potencia. Sin embargo, los transistores M2 y M4 pueden excitarse directamente sin circuitos de aislamiento o de interfaz, si las seales lgicas son compatibles con los requisitos de excitacin de compuerta de los transistores. La importancia de excitar un transistor entre la compuerta y la fuente, en lugar de aplicar un voltaje de compuerta entre la compuerta y la tierra comn, se puede demostrar con la figura 8-40, donde la resistencia de carga es conectada entre fuente y tierra. El voltaje efectivo compuerta--

U
V,
~o

~
M3 AL MI

L,
~

G1 G2 G.

G3

--

91

Generador de lgica

~_2

!_,1._Ml
(a) Disposicin de circuito

:~~f_s_.I_G_._o

.--- __ -- __ C
(b) Generador de lqrca

Vg1 Vg2 Vot------,

Or-----~--------J___
Vo

- - - - - ,----___,
(e) Pulsos de compuerta

Ot---------~-------L__

Figura 8-39

Inversor monofsico tipo fuente y seales de compuerta.

294

Transistores de potencia

Cap. 8

G_o _----',

Jo

lo

+1 _ Va

'-

1
Voo
~ G

Va.

S Ro. R~

o-----_+-

-=fuente es
Ves

Figura 8-40 Voltaje de compuerta entre la compuerta y la tierra.

Ve - RLID(Ves)

donde ID(VGs) vara con VGs. El valor efectivo de VGS se reduce conforme se activa el transistor y llegando al valor de rgimen permanente, requerido para equilibrar la carga o la corriente de drenaje. El valor efectivo de Ves no es predecible siendo una disposicin como sta no adecuada. Existen bsicamente dos formas de flotar o aislar la seal de controlo de compuerta con respecto a la tierra. 1. Transformadores de pulso 2. Acopladores pticos 88.1 Transformadores de pulso Los transformadores de pulso tienen un embobinado primario y pueden tener uno o ms embobinados secundarios. Varios embobinados secundarios permiten seales de compuerta a transistores conectados en serie o en paralelo. La figura 8-41 muestra una disposicin de excitacin de compuerta aislada por transformador. El transformador deber tener una muy pequea inductancia de fuga, y el tiempo de elevacin del pulso de salida deber ser muy pequeo. Con un pulso relativamente largo y una baja frecuencia de conmutacin, el transformador se saturara y su salida se distorsionara. 88.2 Acopladores pticos Los acopladores pticos combinan un diodo de emisor de luz infrarroja (ILED) y un fototransistor de silicio. La seal de entrada se aplica al ILEO y la salida se forma del fototransistor. Los tiempos de elevacin y de abatimiento de los Iototransistores son muy cortos, con valores tpicos de tiempo de activacin 1(00) = 2 a 5 us y un tiempo de abatimiento I(off) = 300 ns. Estos tiempos de activacin y de abatimiento restringen las aplicaciones de alta frecuencia. En la figura 8-42

Rs
Circuito de excltacln 16gico

'e
Vcc +

Figura 841 Excitacin de compuertas aisladas por transformador.

Sec.8-8
,.>i-.,'"""' .. _MIio

Aislamiento de las excitaciones de compuerta y de base.


_

295

aparece un circuito de aislamiento de compuerta mediante un fototransistor. El fototransistor podra ser un par Darlington. Los fototransistores requieren de una alimentacin de energa por separado y aumentando la complejidad, costo y peso de los circuitos de excitacin.

Acoplador ptico R

r----

+Vcc lo

Re

Figura X-42 Aislamiento de la compuerta por acoplador ptico.

8-9 MODELOS PSPICE El modelo PSpice, que se basa en el modelo de control de carga integral de Gummel y Poon [16], aparece en la figura 8-43a. En la figura 8-43b aparece el modelo esttico (cd) que se genera mediante PSpice. Si cienos parmetros no se especifican, PSpice supone el modelo sencillo Ebers-MolI, tal y como se muestra en la figura 8-43c. El enunciado modelo correspondiente a los transistores Nf'N tienen la forma general .MOOEL ONAME NPN (PI=VI P2-V2 P3-V3 ... PN-VNI y la forma general correspondiente a los transistores f'Nf' es .MOOEL ONAME PNP (PI-VI P2-V2 P3=V3 ... PN-VN)

donde QNAME es el nombre del modelo BJT. NPN y PNP son los smbolos de tipo correspondientes a los transistores Nf'N y f'Nf', respectivamente. PI, P2,... y VI, V2,... son los parmetros y sus valores, respectivamente. Los parmetros que afectan el comportamiento de conmutacin de un BJT en electrnica de potencia son IS, BF, CJE, CJC, TR, TF. El smbolo para BJT es Q, y su nombre debe iniciarse con Q. La forma general es O<name> Ne NB NE NS QNAME [(areal value] donde Ne. NB, NE y NS son los nodos del colector, base, emisor y substrato, respectivamente. El nodo de substrato es opcional. Si no se especifica, por omisin se considera tierra. La corriente positiva es la corriente que fluye hacia una terminal. Esto es, tratndose de un BJT-NPN, la corriente fluye del nodo del colector, a travs del dispositivo, hasta el nodo del emisor.
296 Transistores de potencia Cap.8

-------..,---...----1------.--1

Ces

r-o

Substrato

Re

E
(a) Modelo Gummel-Poon

Emisor

le

Cbe

Ufle

Re B

Ibe2

Ibc,/I3R
(1 be, - lbe,)/Kqb

Ibc2

Ibel/~F Cbe
CXRte

Re

E
(b) Modelo ed (e) Modelo Ebers-MolI

Figura 8-43 Sec.8-9

Modelo PSpice de un BJT_

Modelos PSpice

297

El modelo PSpice [16] de un MOSFET de canal n aparece en la figura 8-44a. El modelo esttico

(cd) que se genera mediante PSpice aparece en la figura 8-44b. El enunciado para un MOSFET de canal n tiene la forma general .MODEL MNAME NMOS (Pl=Vl P2=V2 P3=V3 ... PN=VN)
y el enunciado para un MOSFET de canal p es de la forma

.MODEL MNAME PMOS (Pl=Vl P2=V2 P3=V3 ... PN=VN) donde MNAME es el nombre del modelo. NMOS y PMOS son los smbolos de tipo de los MOSFET de canal n y de canal p, respectivamente. Los parmetros que afectan el comportamiento de conmutacin de un MOSFET en electrnica de potencia son L, W, VTO, KP, IS, CGSO, CGDO. El smbolo para un transistor de efecto de campo de silicio metal-xido (MOSFET) es M. El nombre del MOSFET deber empezar con M y loma la forma general

+ Vgd-

G
G
Compuerta

Ros

(b) Modelo en cd Cgb

(a) Modelo SPice

Figura 8-44 Modelo PSpice del MOSFET de canal n 298 Transistores de potencia

Cap. 8

M<name>
+

ND

NG

NS

NB

MNAME

+ + + +

[l=<value] [W=<value>] [AD=<value>] [AS=<value>] [PD=<value>] [PS=<value>] [NRD=<value>] [NRS=<value>] [NRG=<value)] [NRB=<value)]

donde NO, NG, NS y NO son los nodos de drenaje, compuerta, fuente y material (o substrato), , respectivamente.

RESUMEN

Los transistores de potencia generalmente son de cuatro tipos: BlT, MOSFET, SIT e IGBT. Los BIT son dispositivos controlados por corriente siendo sus parmetros sensibles a la temperatura de la unin. Los BJT sufren por ruptura secundaria por lo que para reducir el tiempo de almacenamiento durante la desactivacin requieren de corriente inversa de base. Pero tienen un voltaje bajo de estado activo y de saturacin. Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje; requieren de muy poca potencia de excitacin en compuerta y sus parmetros son menos sensibles a la temperatura de la unin. No existe problema por ruptura secundaria y durante la desactivacin no se requiere de un voltaje de compuerta negativo. Los IGBT, que combinan las ventajas de los BJT y los MOSFET, son dispositivos controlados por voltaje que tienen un bajo voltaje activo similar a los BIT. Los IGBT no tienen el fenmeno de ruptura secundaria. Los SIT son dispositivos de alta potencia y de alta frecuencia; son muy adecuados para amplificadores de audio, DHF/UHF y microondas. Tienen la caracterstica normalmente activo y una alta cada en estado activo. Los transistores se pueden conectar en serie o en paralelo. La operacin en paralelo requiere por 10 general de elementos de comparticin de corriente. La operacin en serie requiere del pareamiento de parmetros, especialmente durante la activacin y la desactivacin. Para mantener durante la activacin y la desactivacin la relacin de voltaje y de corriente de los transistores, por lo general para limitar dildt y dvldt, es necesario el uso de los circuitos de freno. Las seales de compuerta se pueden aislar del circuito de potencia mediante transformadores de pulso o acopladores pticos. Los transformadores de pulso son sencillos, pero la inductancia de fuga deber ser muy pequea. Los transformadores se pueden saturar a baja frecuencia y con pulsos largos. Los acopladores pticos requieren de alimentacin de energa por separado.

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PREGUNTAS DE REPASO
8-1. Qu es un transistor bipolar (BJT)? 8-2. Cules son los tipos de BJT? 8-3. Cules son las diferencias entre transistores 816. Qu es el modo de saturacin en los BJT? 8-17. Qu es el tiempo de activacin en los BIT? 11-18.Qu es el tiempo de desactivacin en los BIT? 8-19. Qu es FBSOA de los BJT? 820. Qu es RBSOA de los BJT? 8-21. Por qu durante la desactivacin es necesario invertir la polarizacin de los BJT? 8-22. Qu es la ruptura secundaria de los BJT? 8-23. Cules son las tcnicas de excitacin de la base para aumentar las velocidades de conmutacin de los BJT? 824. Qu es el control de antisaturacin de los BIT? 8-25. Cules son las ventajas y desventajas de los BIT? 8-26. Qu es un MOSFET? 827. Cules son los tipos de MOSFET? 8-28. Cules son las diferencias entre los MOSFET tipo enriquecimiento y los tipo agotamiento? 8-29. Qu es el voltaje de estrechamiento de los MOSFET? 830. Qu es el voltaje de umbral de los MOSFET? 831. Qu es la transconductancia de los MOSFET? 8-32. Cul es el modelo de conmutacin de un MOSFET de canal n?

NPNy PNP?
8-4. Cules son las caractersticas de entrada de los transistores NPN? 8-5. Cules son las caractersticas de salida de los transistores NPN? 8-6. Cules son las tres regiones de operacin de los BJT? 8-7. Qu es la beta (~) de los BJT? 8-8. Cul es la diferencia entre la beta, ~, y la beta forzada, ~F, de los BJT? 8-9. Qu es la transconductancia en los BJT?' 8-10. Cul es el factor de sobreqxciiacin de los BIT?

8-11. Cul es el modelo de conmutacin de los BIT? 8-12. Cul es la causa del tiempo de retraso en los BIT? 8-13. Cul es la causa del tiempo de almacenamiento en los BIT? 8-14. Cul es la causa del tiempo de elevacin en los BJT? 8-15. Cul es la causa del tiempo de abatimiento en los BJT?

300

Transistores de potencia

Cap. 8

8-33. Cules son las caractersticas de los MOSFET? 8-34. Cules son las caractersticas MOSFET? 8-35. Cules

de transferencia de salida de los

8-47. Cules son las diferencias principales entre los

MOSFET y los BJT? 8-48. Cules son los problemas. de operacin paralelo de los BIT? .
8-49. Cules

en

8-36. 8-37. 8-38. 8-39. 8-40. 8-41. 8-42. 8-43. 8-44.


8-45.

8-46.

son las ventajas y desventajas de los MOSFET? Por qu durante la desactivacin los MOSFET no requieren de un voltaje de compuerta negativo? Por qu difiere el concepto de saturacin en los BJT y en los MOSFET? Qu es el tiempo de activacin de los MOSFET? Qu es el tiempo de desactivacin de los MOSFET? Qu es un SIT? Cules son las ventajas de los SIT? Cules son las desventajas de los SIT? Qu es un IOBT? Cules son las caractersticas ,!Ie transferencia de los IOBT? Cules son las caractersticas de salida de los IOBT? Cules son ventajas y desventajas de los IOBT?

8-50. 8-51. 8-52. 8-53. 8-54.


8-55. 8-56.

8-57.

son los problemas de operacin en paralelo de los MOSFET? Cules son los problemas de operacin en paralelo de los IOBT? , Cules son los problemas de operacin en serie de los BJT? Cules son los problemas de operacin en serie de los MOSFET? Cules son los problemas de operacin en serie de los IOBT? Cut~s son tos objetivos de tos circuitos de freno en paralelo en tos transistores? Cul es el objetivo de los circuitos de freno en serie en los transistores? Cules son las ventajas y desventajas del aislamiento de compuerta por transformador? Cules son las ventajas y desventajas del aislamiento de compuerta por acoplamiento ptico?

PROBLEMAS 81. La beta (13) del transistor bipolar de la figura 8-6 vara desde 10 hasta 60. La resistencia de la carga es Rc = 5 n. El voltaje de alimentacin en cd es Vcc 100 V Y el voltaje de entrada al circuito de la base es VB = 8 V. Si VCE(sat)= 2.5 V Y VBE(sat) 1.75 V, encuentre (a) el valor de RB que resulte en saturacin con un factor de sobreexcitacin de 20; (b) la 13 forzada, y (e) la prdida de potencia en el transistor PT. 8-2. La beta (P) del transistor bipolar de la figura 8-6 vara desde 12 hasta 75. La resistencia de la carga es Rc 1.5 n. El voltaje de la alimentacin en cd es Vcc = 40 V Y el voltaje de entrada al circuito de la base es VIl = 6 V. Si VCE(sat) 1.2 V, VBE(sat) 1.6 V Y RB 0.7 n, determine (a) el factor de sobreexcitacin ODF, (b) la 13 forzada y (e) la prdida de potencia en el transistor PT. 8-3. Se utiliza un transistor como interruptor apareciendo las formas de onda en la figura 13-10. Los parmetros son Vcc = 200 V, VBE(sat) = 3 V, lB = 8 A, VCE(sat) 2 V, les = 100 A, Id = 0.5 ..s, Ir = 1 ..S, Is 5 us, I 3 ..S y fs 10 kHz. El ciclo de trabajo es k = 50%. La corriente de fuga al colector-emisor es ICEO 3 mA. Determine la prdida de potencia debida a la corriente del colector (a) durante la activacin Ion Id + Ir; (b) durante el perodo de conduccin In, (e) durante la d~sactivacin (off = (s + l, (d) durante el tiempo de desactivacin lo Y (e) las prdidas totales promedio Pr: (t) Grafique la potencia instantnea debida a la corriente del colector P c(l). 84. La temperatura mxima de la unin del transistqr bipolar del problema 8-3 es T :: 150 "C, la temperatura ambiente es TA = 25 oC. Si las resistencias trmicas son RJC = 0.4 C/W y Res = 0.05 C/W, calcule la resistencia trmica del disipador de calor RsA. (Sugerencia: desprecie la prdida de potencia debida a la excitacin de la base.)

Problemas

301

8-50 Para los parmetros del problema 8-3, calcule la prdida promedio de potencia debida a la corriente de base, PB. 86. Repita el problema 8-3 si VBE(sat)= 2.3 V, lB:: 8 A, VC~(sat):: 1.4 V, td 0.1 us, t, = 0.45 us, l. = 3.2 Ils y I = 1.1 us. 8-7. Un MOSFET se utiliza como conmutador. Los parmetros son Voo :: 40 V, lo 35 A, Ros = 28 mn, VGS = 10 V, td(on) = 2.5 ns, t, = 60 ns, td(off) :: 70 ns, t 25 ns, f. 20 kHz. La corriente de fuga drenaje-fuente es l oss :: 250 .LA. El ciclo de trabajo es k = 60%. Determine la prdida de potencia debida a la corriente de drenaje (a) durante la activacin'<.on:: Id(n) + Ir; (b) durante el perodo de conduccin tn, (e) durante la desactivacin toff :: Id(off) + l, (d) durante el tiempo de desactivacin lo, Y (e) las prdidas promedio de potencia totales Pr. 88. La temperatura mxima de la unin del MOSFET del problema 8-7 es T = 150 "C, y la temperatura ambiente es TA 30 "C. Si las resistencias trmicas son RJC 1K/W Y Res lK/W, calcule la resistencia trmica del disparador de calor, RsA (Nota: K = "C + 273.) 89. El circuito de excitacin de la base de la figura 3-18 tiene Vcc 400 V, Rc 4 n, Vdl 3.6 V, V a 0.9 V, VBE(sat) 0.7 V, VB 15 V, RB 1.1 n y ~ 12. Calcule (a) la corriente del colector sin fijacin, (b) el voltaje de fijaciJodel colector VCE, Y(e) la corriente del colector por fijacin. 810. Dos BIT estn conectados en paralelo como se muestra en la figura 8-33. La corriente total de carga es Ir 200 A. El voltaje colector-emisor del transistor QI es VCEI 1.5 V Y el del transistor Q2 es VCE2 = 1.1 V. Determine la corriente ,del colector de cada transistor y la

diferencia en la reparticin de corriente si las resistencias en serie de reparticin de corriente son (a) Rel 10 mn y Re2 = 20 mn, y (b) Re! = Re2= 20mn.

= =

811. Un transistor bipolar se opera como interruptor pulsado, a una frecuencia fs 20 kHz. La disposicin del circuito es la que aparece en la figura 8-36a. El voltaje de entrada de la corriente directa del pulsador es Vs 400 V Y la corriente de la carga es lt: 100 A. Los tiempos de conmutacin son Ir = 1 us y t = 3 us. Determine los valores de (a) Ls; (b) Cs; (e) R, para una condicin de amortiguacin crtica; (d) Rs si el tiempo de descarga est limitado a la tercera parte del perodo de conmutacin; (e) Rs si la corriente pico de descarga est limitada al 5% de la corriente de carga; y (f) la prdida de potencia debida al circuito de freno RC, Ps, despreciando el efecto del inductor L, en el voltaje del capacitor del freno, Cs' Suponga que VCE(sat) O.

812. Un MOSFET se opera como interruptor pulsado a una frecuencia fs 50 kHz. La disposicin del circuito aparece en la figura 8-36a. El voltaje de entrada de cd del pulsador es Vs = 30 V Y la corriente de carga es lt: = 40 A. Los tiempos de conmutacin son Ir 60 ns y I 25 ns. Determine los valores de (a) Ls; (b) Cs; (e) Rs para la condicin de amortiguacin crtica; (d) Rs si el tiempo de descarga est limitado a la tercera parte del perodo de conmutacin; (e) R, si la corriente pico de descarga est limitada al 5% de la corriente de carga; y (f) la prdida de potencia P, debida al freno RC, despreciando el efecto del inductor Ls en el voltaje del capacitor del freno Cs' Suponga que. VCE(sat) O.

,
302
Transistores de potencia Cap. 8

Pulsadores

de cd

9' INTRODUCCION En muchas aplicaciones industriales, es necesario el convertir una fuente de cd de voltaje fijo a una fuente de cd de voltaje variable. Un pulsador de cd, convierte directamente de cd a cd, por lo que tambin se conoce como convertidor de cd a cd. Un pulsador se puede considerar como el equivalente a un transformador de ca con una relacin de vueltas que vara en forma continua. Al igual que un transformador, puede utilizarse como una fuente de cd reductora o elevadora de voltaje. Los pulsadores se utilizan ampliamente en el control de los motores de traccin de automviles elctricos, tranvas elctricos, gras marinas, monlacargas y elevadores de minas. Proporcionan control en aceleraciones continuas, una alta eficiencia y una respuesta rapida dinmica. Los pulsadores se pueden utilizaren el freno regenerativo de motores de cd para devolver la energa a la alimentacin, caracterstica que da como resultado un ahorro en aquellos sistemas de transporte que tienen paradas frecuentes. Los pulsadores se utilizan en los reguladores de voltaje de cd, y tambin, junto con una inductancia, para generar una fuente de cd, especialmente para el inversor decd.

92 PRINCIPIO DE LA OPERAClON REDUCTORA


..

El principio de esta operacin puede explicarse a partir de la figura 9la. Cuando se cierra el interruptor SW durante un tiempo 11, el voltaje de eJtrada Vs aparece a travs de la carga. Si el interruptor se mantiene abierto durante un tiempo 12, el voltajeatravs de la carga es cero. Las formas de onda correspondientes al voltaje de salida y de la corriehte de carga se muestran en la figura 9-lb. El interruptor pulsador se puede poner en prctica utilizando (1) un JBT de potencia, (2) un MOSFET de potencia, (3) un GTO, o (4) un tiristor de conmutacin forzada. Los dispositivos reales tienen una cada de voltaje finita, que va desde 0.5 hasta 2 V Y. por razones de simplicidad, despreciaremos las cadas de voltaje de estos dispositivos semiconauctores de potencia.
303

VH

1+ Pulsador -1
lo

SW

+
Vo

V.

(a) Circuito

r ::-"-1 iI:_"_I_" 1"


12

"'

~t

V!,
O

kT

(b) Formas de onda

Figura 9-1

Pulsador reductor con carga resistiva.

El voltaje promedio de salida est dado por Va

= T Jo

1 {I,
Vo

dt

= T V, = n, Vs =

ti

kVs

(9-1)

y la corriente promedio de carga, la = ValR = kVslR, donde T es el perodo de pulsacin, k = (IT es el ciclo de trabajo del pulsador, y f es la frecuencia de pulsacin. El valor rms del voltaje de salida se determina a partir de Vo

= ( T Jo

{kT

vij dt

)1/2

= Vk

Vs

(9-2)

Si suponemos un pulsador sin prdidas, la potencia de entrada al pulsador es la misma que la potencia de salida, y est dada por

p. = -1
1

kT

VOl

dt

1 kT vij =t R

dt

k-

V;
R

(9-3)

La resistencia efectiva de entrada, vista por la fuente es R

la = kVs/R = k

v.

v,

(9-4)

Se puede variar el ciclo de trabajo k desde Ohasta 1 si se vara ti, T, o bien f. Por lo tanto, al controlar k se puede variar el voltaje de salida Vo desde Ohasta Vs, y se puede controlar el flujo de potencia.

1. Operacin a frecuencia constante. La frecuencia de pulsacin f (o el perodo de pulsacin 1) se mantiene constante variando solo el tiempo activo (l. El ancho del pulso se vara por lo que este tipo de control se conoce como control de modulacin por ancho de pulso (PWM).
activo, es decir

2. Operacin a frecuencia variable. Vara la frecuencia de pulsacin f. Ya sea el tiempo ti, o el tiempo inactivo, tz. se mantiene constante. Esto se conoce como modulacin porfrecuencia. La frecuencia debe variarse en un amplio rango para obtener todo el rango de

salida del voltaje. Este tipo de control generar armnicas a frecuencias no predecibles y el diseo del filtro resultar difcil.
304 Pulsadores de cd

Cap. 9

Ejemplo 91 El pulsador de cd de la figura 9-1a tiene una carga resistiva R 10 Q y un voltaje de entrada de Vs = 220 V. Cuando el interruptor pulsador se mantiene activo, su cada de voltaje es Vch = 2 V, y la frecuencia de pulsacin es f 1 kHz. Si el ciclo de trabajo es 50%, determine (a) el voltaje promedio de salida Va, (b) el voltaje rms de salida Va, (e) la eficiencia del pulsador (d) la resistencia efectiva de entrada R del pulsador y (e) el valor rms de la componente fundamental del voltaje armnico de salida. Solucin Vs 220 V, k 0.5, R 10 Q y Vch 2 V. (a) A partir de la ecuacin (9-1), Va = 0.5 X (220 - 2) = 109 V. (b) De la ecuacin (9-2), Va X (220 - 2) 154.15 V. (c) La potencia de salida se puede determinar a partir de

= =...ro.s

(9-5)

0.5

(2201~ 2)2 = 2376.2 W

La potencia de entrada del pulsador se puede determinar a partir de _ 1 fkT .' _ 1. fU Vs(Vs - Vch) d = k Vs(Vs - Vch) Pi - T o Vsl dt - T o R t R (9-6)

220 - 2 0.5 x 220 x 10

2398 W

La eficiencia del pulsador es

Po
Pi

2376.2 2398

990907.
."/0

(d) De la ecuacin (9-4), R 10/0.5 = 20 Q. (e) El voltaje de salida que se muestra en la figura 9-lb puede expresarse en una serie de Fourier, de la forma

(9-7)

.....!..

wrr

L (1 n=1

'"

cos 2mrk) sen Znnft

La componente fundamental (para n 1) de la armnica del voltaje de salida se puede determinar a partir de la ecuacin (9-7), como v(t) = Vs [sen 217"k cos 217"ft + (1 - cos 217"k) sen hft] 17" =

220 x 2
17"

(9-8) sen(217"x 1000t) = 140.06sen(6283.2t)

y su valor rms es

VI

= 140.06/{2 = 99.04 V.

Nota. El clculo de la eficiencia, que incluye las prdidas de conduccin del pulsador, no toma en consideracin las prdidas de conmutacin debidas a la activacin y desactivacin de los pulsadores reales. La eficiencia de un pulsador real vara entre 92 y 99%.
Sec.9-2 Principio de la operacin reductora 305

9-3 PULSADOR REDUCTOR CON CARGA RL

En la figura 9-2 aparece un pulsador con una carga RL. La operacin del pulsador se puede dividir en dos modos. Durante el modo 1, el pulsador es conmutado y la corriente fluye de la alimentacin a la carga. Durante el modo 2, el pulsador se retira de la lnea y la corriente de carga contina fluyendo a travs del diodo de marcha libre Dm. Los circuitos equivalentes para estos modos aparecen en la figura 9-3a. Las formas de onda de la corriente de carga y de voltaje de salida se muestran en la figura 9-3b. La corriente de carga para el modo 1 se puede determinar a partir de Vs

R /1

+ L di, dI + F .
V - E
s

(9-9)

La solucin de la ecuacin (9-9) con una corriente inicial i( = O)= JI da la corriente de carga como
il(l) = Ile-tR1L

(l - e-tR1L)

(9-10)

Este modo es vlido para O ~ vierte en

1 ~ I[ (=

kD; yal final de este modo, la corriente de carga se con(9-11)

La corriente de carga para el modo 2 se puede encontrar a partir de O Con la corriente inicial i2(1 = O) principio del modo 2, tenemos
= R/2

+L

di2
dI

+E

(9-12)

= /2 Y volviendo a definir el origen del tiempo (es decir ( = O) al


(9-13)

Este modo es vlido para O ~ ( ~ convierte en

12 [= (1 -

k)n Al final de este modo, la corriente de carga se (9-14)

Al final del modo 2, el pulsador se vuelve a conectar en el siguiente ciclo, despus del tiempo T 11f = (1 + (2. Bajo condiciones de rgimen permanente, JI = h La corriente pico de la componente ondulatoria de la carga puede determinarse a partir de las ecuaciones (9-10), (9-11), (9-13) Y(9-14).
Pulsador +

sw

+ L

Figura 9-2 cargas RL. 306

Pulsador con

Pulsadores de cd

Cap. 9

;,

_...._. -tz--H{.
12

+1
Va

-'

O
Modo 1

-T
i2

1, --;----(1 O 12 kT

Corriente continua
I I

- k)T---l

Dm
E
Modo 2 (a) Circuitos equivalentes

Corriente discontinua

O
(b) Formas de onda

Figura 9-3

Circuitos equivalentes y formas de onda para cargas RL.

De las ecuaciones (9-10) y (9-11),


[z

h est dado por


lle-kTRIL

+ Vs

E (1 -

e-kTRIL)

(9-15)

De las ecuaciones (9-13) y (9-14)'/3 est dado por

h = 11=

[ze-(I-k)TRIL

E (1 R

e-(I-k)TRIL)

(9-16)

La corriente de la componente ondulatoria pico a pico es !:l1 = que despus de simplificarse se convierte en Vs 1 !:l1 = R
e-kTRIL [z -

11

+
1-

e-TRIL e TRIL

e-(I-k)TRIL

(9-17)

La condicin para la componente ondulatoria mxima, d(!:lI) dk Sec.9-3


Pulsador reductor con carga RL

(9-18)

307

= O,es decir, -k = -(1 - k) o bien, k = 0.5. La corriente de la componente ondulatoria pico a pico mxima (en k = 0.5) es
da
e-iRII. - e-{l-k)TRII.

Mmx =

R tanh

Vs

R 4fL

(9-19)

Para 4fL R, tangente hiperblica e '" se puede aproximar a

e y la la corriente de la componente ondulatoria mxima


(9-20)

Nota. Las ecuaciones (9-9) a (9-20) slo son vlidas para el flujo continuo de corriente. Para un tiempo largo de desactivacin, particularmente en baja frecuencia y bajo voltaje de salida, la corriente de carga puede resultar discontinua. La corriente de carga sera continua si RIL T o bien Lf R. En el caso de la corriente de carga disconunua.J = O y la ecuacin (9-10) se convierte en i,(t)

Vs

E (l _ e-tR1L)

La ecuacin (9-13) es vlida para O s t

s t: de tal forma que i2(t = t2) = !3 = /1 = O, lo que da


t2 =

L In ( 1 + E Rh) R

Ejemplo 92 Un pulsador alimenta una carga RL segn se muestra en la figura 9-2 con Vs 220 V, R = 5 n, L 7.5 mH, f 1 kHz, k 0.5 Y E O Y. Calcule (a) la corriente instantnea mnima en la carga /1, (b) la corriente instantnea pico de la carga /2, (e) la corriente de la componente ondulatoria pico a pico mxima en la carga, (d) el valor promedio de la corriente de carga la, (e) la corriente rms de la carga lo, (O la resistencia efectiva de entrada R vista por la fuente y (g) la corriente rms del pulsador IR. Solucin Vs 220 Y, R 5 n, L 7.5 mH, E O Y, k = 0.5, y f = 1000 Hz. De la ecuacin (9-15), l: 0.7165/1 + 12.473 Y de la ecuacin (9-16), /1 0.7165h + O. (a) Al resolver estas dos ecuaciones, obtenemos /1 18.37 A. (b) 12 = 25.63 A. (e) M = l: -/1 = 25.63 - 18.37 7.26 A. De la ecuacin (9-19), Mmu 7.26 A, dando la ecuacin (9-20) el valor aproximado, Mma 7.33 A. (d) La corriente promedio en la carga es aproximadamente,

= =

I == 12 + 1, == 25.63 + 18.37 == 22 A "2 2 (e) Si suponemos que la corriente en la carga se eleva en forma lineal desde II hasta corriente instantnea en la carga se puede expresar como
1,

h. la

==

st t ,+-kT

para O < t < kT

El valor rms de la corriente en carga puede encontrarse a partir de 1 lo == ( kT

(U.21, dt )"2 Jo

== 1, +

[2

(12 -3 1,)2 + I,(h

- 1,)

]"2
(9-21)

== 22.1 A 308

Pulsadores de cd

Cap. 9

(f) La corriente promedio

de la fuente

I, = kl = 0.5 x 22 = 11 A Y la resistencia efectiva de entrada R = Vslls = 220/11 20 n. (g) La corriente rrns del pulsador se puede deterrninar a partir de IR

= ( T Jo d dt
= V'kIo

(kT

) 112

= V'k 11 +
x 22.1

(l - I )2 2 3 '

+ I,(h - 1,)

] '/2
(9-22)

= V03

15.63 A

E.lemplo 9-3 El pulsador de la figura 9-2 tiene una resistencia de carga R 0.25 n, un voltaje de entrada Va 550 V, Y un voltaje de batera E O V. La corriente promedio de la carga la 200 A, Y la frecuencia del pulsador f = 250 Hz. Use el voltaje promedio de salida para calcular la inductancia de la carga L, que limitara la corriente de la componente ondulatoria mxima de la carga a 10% de la. Solucin Vs = 550 V, R 0.25 n, E O V, f 250 Hz, T = l/f = 0.004 s, y t:J.i 200 x 0.1 = 20 A. El voltaje promedio de salida Va = kVs = Rl.; El voltaje a travs del inductor est dado por

=
-

di L dt = Vs

RI"

Vs

kV,

Vs(1 - k)

Si la corriente en la carga se supone elevarse linealmente, dt = ti = kT Y di tli = Vs(1 - k) kT L Para las peores condiciones de la componente ondulatoria, d(tli) dk Esto da k = 0.5 Y tli L = 20 x L = 550(1 - 0.5) x 0.5 x 0.004 y el valor requerido de la inductancia es L

= Si:

= 27.5 mH.

94 PRINCIPIO DE OPERACION ELEVADORA Un pulsador se puede utilizar para elevar un voltaje de cd, una disposicin para una operacin elevadora aparece en la figura 9-4a. Cuando el interruptor SW se cierra durante el tiempo 11. la corriente del inductor se eleva y la energa se almacena en el inductor L. Si durante el tiempo 12 el interruptor se abre, la energa almacenada del inductor se transfiere a la carga a travs del diodo DI y la corriente del inductor se abate. Si suponemos un flujo continuo de corriente, la forma de onda para la corriente del inductor aparece en la figura 9-4b. Cuando el pulsador est activado, el voltaje a travs del inductor es
VL

di == LdI

Sec.9-4

Principio de operacin elevadora

309

i~ L

(a) Disposicin elevadora

~
7 6 V.

5
4 3 2

0.2
(b) Forma de onda de corriente

0.4 0.6

0.8

1.0

(e) Voltaje de salida

Figura 9-4

Disposicin para una operacin elevadora.

y esto nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico en el inductor, como


tlI == V. ti L El voltaje instantneo de salida es
V"

(9-23)

Vs

+ L t; = V. 1 + t; == V, 1 - k

tlI

(ti)

~9-24)

Si se conecta un capacitor C; grande a travs de la carga, como muestran las lneas punteadas de la figura 9-4a, el voltaje de salida ser continuo y Vo se convertir en el valor promedio Va. Podemos observar de la ecuacin (9-24) que el voltaje a travs de la carga se puede elevar variando el ciclo de trabajo, k, y que el voltaje de salida mnimo es Vs cuando k = O. Sin embargo, el pulsador no se puede conectar continuamente de forma que k = 1. Para valores de k que tiendan a la unidad, el voltaje de salida se hace muy grande y resulta muy sensible a los cambios en k, tal y como se ve en la figura 9-4c. Este principio puede aplicarse para transferir energa de una fuente de voltaje a otra tal y como se muestra en la figura 9-5a. Los circuitos equivalentes para los modos de operacin se muestran en la figura 9-5b y las formas de corriente en la figura 9-5c. La corriente del inductor para el modo 1 est dada por

Vs

L di!
dI

310

Pulsadores de cd

Cap. 9

(a) Diagrama de circuito


L

+r"'VI

i,

-.

-OVO

+I~+ rE Modo 2 (b) Circuitos equivalentes

L Modo 1

I I

1,
-t,-I-t2-1

I
I

kT

(e)Formas de onda de corriente

Figura 9-5

Disposicin para la transferencia de energa.

se expresa en la forma
il(t)

i
o

+ II

(9-25)

donde 11 es la corriente inicial para el modo 1. Durante este modo, la corriente debe elevarse siendo la condicin necesaria
di, O -> dt

v.>

La corriente para el modo 2 est dada por


V
y
s

L diz dt

+E

se resuelve
t: t =

.( )

Vs

- E I L t + z

(9-26)

donde l: es la corriente inicial para el modo 2. Para un sistema estable, la corriente debe abatirse y la condicin es
di2 O -< dt

Vs

<E

Sec.9-4

Principio de operacin elevadora _.

311

Si no se satisface esta condicin, la corriente del inductor se seguira elevando y tendr lugar una situacin de inestabilidad. Por lo tanto, las condiciones para una transferencia de potencia controlable son

O<V,,<E

(9-27)

La ecuacin (9-27) indica que el voltaje de la fuente Vs debe ser menor que el voltaje E, para permitir la transferencia de potencia de una fuente fija (o variable) a un voltaje fijo de cd. En el frenado elctrico de motores de cd, donde los motores operan como generadores de cd, el voltaje terminal se abate conforme se reduce la velocidad de la mquina. El pulsador permite la transferencia de potenca a una fuente fija de cd o a un restato. Cuando el pulsador est activado, la energa se transfiere desde la fuente Vs hasta el inductor L. Si a continuacin el pulsador se desactiva, una magnitud de la energa almacenada al inductor es forzada a la batera E.
Nota. Sin la accin pulsadora, Vs debe ser mayor que E para transferir potencia desde Vs

hasta E.

9-5 PARAMETROS DE RENDIMIENTO Los dispositivos semiconductores de potencia requieren de un tiempo mnimo para activarse y desactivarse. Por lo tanto, el ciclo de trabajo k slo puede controlarse entre un valor mnimo kmin y un mximo kmax, Ypor ello, el valor mnimo y el valor mximo del voltaje de salida queda limitado. La frecuencia de conmutacin del pulsador tambin queda limitada. Se puede observar de la ecuacin (9-20) que la corriente de la componente ondulatoria de la carga depende inversamente de la pulsacin f. La frecuencia deber ser lo ms alta posible.para reducir la componente ondulatoria de la carga y para minimizar el tamao de cualquier inductor adicional en serie en el circuito de la carga.

9-6 CLASIF1CACIONDE PULSADORES El pulsador reductor de la figura 9-1a slo permite que la potencia fluya de la fuente a la carga, conocindose como un pulsador de clase A. Dependiendo de la direccin en la que fluyan la corriente y el voltaje, los pulsadores se pueden clasificar en cinco tipos: Pulsador de clase A Pulsador de clase B Pulsador de clase C Pulsador de clase D Pulsador de clase E
Pulsador de clase A. La corriente de la carga fluye hacia la carga. Tamo el voltaje como la corriente de la carga son positivos, tal y como se ve en la figura 9-6a. Este es un pulsador de un solo cuadrante, nombrndosclc operado como rectificador. Las ecuaciones en la seccin 9-2 y 9-3 se pueden aplicar para evaluar el rendimiento de un pulsador de clase A.

312

Pulsadores de cd

Cap. 9

Vll----,

r----+---, o
(b) Clase B

Vl

o
(a) Clase A

o
(e) Clase C

Vl

+Vi

-IL

IL iL

-VLI----'

VL

(d) Clase D

(e) Clase E

Figura 9-6

Clasificacin de los pulsadores.

Pulsador clase B. La corriente de carga fluye fuera de la carga. El voltaje de la carga es positivo, pero la corriente de la carga es negativa, tal y como se ve en la figura 9-6b. Este tambin es un pulsador de un solo cuadrante, pero opera en el segundo cuadrante por lo que se dice que opera como inversor. En la figura 9-7a aparece un pulsador clase B, en el que la batera E forma parte de la carga y puede ser la contrafuerza electromotriz de un motor de cd. Cuando el interruptor SI es activado, el voltaje E impulsa la corriente a travs del inductor L y el voltaje de la carga VL se convierte en cero. El voltaje instantneo de la carga VL Y la

12 -------iL~

'

11

(b) Corriente de carga

o
(a) Circuito

kT

T
(e) Voltaje de carga

(1 + kIT

.. t

Figura 9-7 Sec.9-6 Clasificacin de pulsadores

Pulsador clase B. 313

corriente de la carga it: aparecen respectivamente en las figuras 9-7b y 9-7c. La corriente h. que aparece. est descrita por O

di = L di +

R'

lL

+E

que. con la condicin inicial h(t = O)= /1 da

ii. = II e-(RIL)t
En t =
tI

(1 -

e-(RILJt)

para O ::s ( -s kT

(9-28)

Cuando se desactiva el interruptor SI. una magnitud de energa almacenada en el inductor L es devuelta a la alimentacin Vs va el diodo DI. La corriente de carga L se abate. Redefiniendo el origen de los tiempos 1 = O,la corriente de carga lt: queda descrita por Vs que, con la condicin inicial i(l
=

diL L di + R'ti. + E

= (2) = h da
+ Vs
-

ic = I2e-(RIL)t

E (1 -

e-(RIL)t)

para O -s ( ::s

(2

(9-29)

donde t: = (1 - k)T. En l = l2,


iL(1

= (2) = [1
=0

para una corriente continua en rgimen permanente para una corriente discontinua en rgimen permanente

Pulsador de clase C. La corriente de carga es positiva o negativa, tal y como aparece en la figura 9-6c. El voltaje en la carga es siempre positivo. Este se conoce como un pulsador de dos cuadrantes. Se puede combinar pulsadores de clase A y de clase B para formar un pulsador de clase C. tal y como se muestra en la figura 9-8. SI y D2 operan como un pulsador de clase A. S2 y DI operan como un pulsador de clase B. Debe tenerse cuidado en asegurarse que los dos interruptores no sean disparados juntos; de lo contrario, la alimentacin Vs quedar en corto circuito. Un pulsador de clase C puede operarse como rectificador o como inversor.

\/5

E figura 9-8 Pulsador de clase C.

314

Pulsadores de cd

Cap. 9

Vs

Figura 9-9

Pulsador de clase D.

Pulsador clase D. La corriente en la carga es siempre positiva. El voltaje en la carga es positivo o negativo, tal y como aparece en la figura 9-6d. Un pulsador de clase D tambin puede operar como rectificador o como inversor, tal y como se muestra en la figura 9-9. Si Sl y S4 son activados, VL e it: se convierten en positivos. Si Sl y S4 son desactivados, la corriente de carga it: ser positiva y continuar fluyendo a travs de la carga altamente inductiva. Los diodos D2 y D3 proporcionan una trayectoria para la corriente de carga y VL se invierte. Pulsador de clase E. La corriente de carga puede ser positiva o negativa, tal y como se muestra en la figura 9-6e. El voltaje en la carga tambin puede ser positivo o negativo. Este se conoce como pulsador de cuatro cuadrantes. Se puede combinar dos pulsadores de clase e para formar un pulsador de clase E, tal y como aparece en la figura 9-10a. Las polaridades de voltaje de la carga y de la corriente de carga se muestran en la figura 9-10b. Los dispositivos que son

Vs

(a) Circuito

Inversin

Rectificacin

Rectificacin

Inversin (e) Dispositivos en conduccin

(b) Polaridades

Figura 9-10

Pulsador de clase E.

Sec.9-6

Clasificacin de pulsadores

315

operativos en diferentes cuadrantes aparecen en la figura 9-IOc. Para operar en el cuarto cuadrante, deber invertirse la operacin de la batera E. Este pulsador es la base del inversor monofsico

de puente completo de la seccin 10-4.

9-7 REGULADORES EN MODO DE CONMUTACION Los pulsadores de cd se pueden utilizar como reguladores en modo de conmutacin para convertir un voltaje de cd, por lo general no regulado, a un voltaje de salida de cd regulado. La regulacin se consigue por lo general mediante la modulacin del ancho de pulso a una frecuencia fija, y el dispositivo de conmutacin por lo regular es un BJT, MOSFET o IGBT de potencia. Los elementos de los reguladores en modo de conmutacin se muestran en la figura 9-11a. Podemos observar en la figura 9-lb que la salida de los pulsadores de cd con carga resistiva es discontinua y que contiene armnicas. El contenido de la componente ondulatoria normalmente se reduce mediante un filtro LC. Los reguladores conmutados estn disponibles en forma comercial como circuitos integrados. El diseador puede seleccionar la frecuencia de conmutacin escogiendo los valores de R y C del oscilador de frecuencia. Como regla prctica, a fin de maximizar la eficiencia, el perodo mnimo del oscilador debe ser aproximadamente cien veces mayor que el tiempo de conmutacin del transistor; por ejemplo, si el transistor tiene un tiempo de conmutacin de 0.5 IlS, el perodo del oscilador debe ser de 50 us, lo que nos da una frecuencia mxima del oscilador de 20 kHz. Esta limitacin se debe a las prdidas por conmutacin en el transistor, mismas que se incrementan con la frecuencia de conmutacin, como resultado, la eficiencia se reduce. Adems, las prdidas en los
Salida

Vg

l..ILr
(a) Diagrama de bloque

Va

r
I
-

v,
R:ferencia

Vr

vg

t.

o
(b) Seales de control

Figura 9-11 Elementos de los reguladores en modo de conmutacin.

316

Pulsadores de cd

Cap. 9

obtiene al comparar el voltaje de salida con su valor deseado. Ve puede compararse con un voltaje de diente de sierra v, para generar la seal de control PWM para el pulsador de cd. Esto aparece en la figura 9-11b. Existen cuatro topologas bsicas para los reguladores conmutados.
ncleos de los inductores limitan la operacin en alta frecuencia. El voltaje de control

Ve se

l. 2. 3. 4.

Reguladores reductores Reguladores elevadores Reguladores reductores/elevadores Reguladores Ck _

9-7.1 Reguladores reductores En un regulador reductor, el voltaje promedio de salida Va, es menor que el voltaje de entrada, Vs, de ah la palabra "reductor", el cual es muy popular. En la figura 9-12a aparece el diagrama de circuito de un regulador reductor que utilizan un BJT de potencia, y que es parecido a un pulsador reductor. La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando se conecta el transistor QI en t = O.La corriente de entrada, que se eleva, fluye a travs del inductor L, del capacitor de filtro y de la resistencia de la carga R. El modo 2 empieza cuando se desconecta el transistor QI en t = ti. El diodo de marcha libre Dm conduce debido a la energa almacenada en el inductor y la corriente del inductor contina fluyendo a travs de L, e, la carga y el diodo D. La corriente del inductor se abate hasta que en el siguiente ciclo el transistor QI se vuelve a activar. Los circuitos equivalentes correspondientes a los modos de operacin se muestran en la figura 9-12b. Las formas de onda correspondientes a los voltajes y las corrientes aparecen en la figura 9-12c para un flujo continuo de corriente en el inductor L. Dependiendo de la frecuencia de conmutacin, de la inductancia del filtro y de su capacitancia, la corriente del inductor puede ser discontinua. El voltaje a travs del inductor L es, en general,

et.

=
L

di Ldt

Si suponemos que la corriente del inductor se eleva linealmente desde / hasta /2 en el tiempo ti, Vs - Va es decir,

lz - 11
ti

= L Al
ti

(9-30)

!I =
-V
a

AIL Vs - Va

(9-31)

y la corriente del inductor se abate linealmente desde l: hasta /1 en el tiempo (2

=-

L Al
t:

(9-32)

o bien (9-33)

Sec.9-7

Reguladores en modo de conmutacin

317

10.1, +

a,
I~.I~ Om +

1".1.
Ye

io.1
Yo.V.

V,
[control ~.

;C

I CargaI

(a)Diagrama decircuito

12 I~ 1,

O~----~~----~---------1,

L 12-l.

h -1,
Modo1

O~~~--~~~----~~~--.

v,
i~

o..
Modo2 (b)Circuitos equivalentes

O~----~kT~----~T~--------

'.~------------------------O~----------------------__' (e)Formas deonda

l.

Figura 9-12

Regulador reductor con iL continua.

donde t:J = l i - ,) es la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L. Igualando el valor de M en las ecuaciones (9-30) y (9-32), obtenemos

st =

(VS - Va)/,

Va/2

L
318

L
Pulsadores de cd Cap. 9

Si sustituimos tI

= FT y tz = (l - k)T obtenemos el voltaje promedio de salida como


Va

= v, T = kV.
I,

i,

(9-34)

Si suponemos un circuito sin prdidas, Vis = Vara = kVia y la corriente promedio de entrada

kl;

(9-35)

El perodo de conmutacin T se puede expresar como


T

= 7=

t,

Al L
tz = Vs
-

Va

+ -v;;-

Al L

Al LVs
= Va(Vs
-

Va)

(9-36)

lo que nos da la corriente de la componente ondulatoria de pico a pico como

AL = Va(Vs - Va)
, [LVs es decir, Al = Vsk(1 - k) [L

(9-37)

(9-38)

Utilizando la ley de corrientes de Kirchhoff, podemos escribir la corriente del inductor iL como

Si suponemos que la corriente de la componente ondulatoria de la carga Aio es muy pequea y despreciable, /).i = Aie. La corriente promedio del capacitor, que fluye para tln. + tzJ2 = T/2, es l = Al
e

El voltaje del capacitor se expresa como Ve =

ie dt

+ ve(t =
Al

O)

y el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor es AVe = Ve - ve(t = O)

1 e Jo

[T/2

4"' dt =

Al T 8C

Al 8fC

(9-39)

Si sustituimos el valor de !:J.i de la ecuacin (9-37) o de la ecuacin' (9-38) en la ecuacin (9-39), obtenemos

(9-40)
es decir, AV e
=

Vsk(1-k) 8LCf2

(9-41)

El regulador reductor requiere de un solo transistor, es sencillo y tiene una alta eficiencia, mayor del 90%. El di/di de la corriente de carga est limitado por la corriente del inductor L. Sin embargo, la corriente de entrada es discontinua y por lo general se requiere de un filtro suavizante de entrada.
Reguladores en modo de conmutacin 319

Proporciona una polaridad de voltaje de salida y corriente unidireccional de salida. En caso de un posible corto circuito a travs de la trayectoria del diodo, requiere de un circuito de proteccin. Ejemplo 94 El regulador reductor de la figura 9-12a tiene un voltaje de entrada Vs 12 V. El voltaje promedio de salida requerido es Va = 5 y Y el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico de salida es 20 mV. La frecuencia de conmutacin es 25 kHz. Si la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor se limita a 0.8 A, determine (a) el ciclo de trabajo k, (b) la inductancia filtro L, y (e) el capacitor filtro C. Solucin Vs 12 V, Vc 20 mY, M 0.8 A, f 25 kHz, y Va 5 V. (a) De la ecuacin (9-34), Va kVs y k Va/Vs 5/12 0.4167 41.67% (b) De la ecuacin (9-37),

5(12 - 5) L = 0.8 x 25,000 x 12 = 145.83 ,uH (c) De la ecuacin (9-39),

e=8x
9-7.2 Reguladores elevadores

20

~083 x 25,000

200,uF

En un regulador elevador, el voltaje de salida es mayor que el voltaje de entrada, de ah la palabra "elevador". En la figura 9-13a aparece un regulador elevador que utiliza un MOSFET de potencia. La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo l empieza cuando se activa el transistor MI en {= O. La corriente de entrada, que se eleva, fluye a travs del inductor L y del transistor QI. El modo 2 empieza cuando se desconecta el transistor MI en { = ti. La corriente que estaba fluyendo a travs del transistor fluir ahora a travs de L, e, la carga y el diodo Dm. La corriente del inductor se abate hasta que se vuelve a activar en el siguiente ciclo el transistor MI. La energa almacenada en el inductor L es transferida a la carga. Los circuitos equivalentes para estos modos de operacin se muestran en la figura 9-13b. Las formas de onda correspondientes a los voltajes y las corrientes aparecen en la figura 9-13c, para una corriente de carga continua. Si suponemos que la corriente del inductor se eleva linealmente desde /1 hasta lz en el tiempo ti,

v, =
o bien,

L 12 - II = L tll
ti ti

(9-42)

ti =--

tllL

V,

(9-43)

y la corriente del inductor se abate linealmente desde 12 hasta 1I en el tiempo {2,

Vs
o bien

V = -L tll
a ti

(9-44)

tllL

(9-45)

320

Pulsadores de cd

Cap. 9

1,.1,

+ e~_

iL.IL

i,

Dm
+

+ V,

+ v.

le. l.
VD

Te

Yo.

v,

(a) Diagrama de circuito

vD

V.
O i. IL 12

12 1, O

1,

- - ------

t,
la-l.

+1'"
V,
Modo 1 I,.IL

O
l.

Cm
L
i,
Ve

}-

I O I----~I~---:!------kT T

1.1-------------Modo 2 (b) Circuitos equivalentes

I I

' I

01------------------(e) Formas de onda

Figura 9-13

Regulador elevador con lt. continua.

donde M = /2 -/, es la corriente de la componente ondulatoria de pico a pico del inductor L. De las ecuaciones (9-42) y (9-44)
Al
j.l

Vst, L

(Va - Vs)t2 'L

Si sustituimos tI = kT y

ti

= (1 - k)T obtenemos el voltaje promedio de salida Va

s ti -

I.- ~ 1-

(9-46)
321

Sec.9-7

Reguladores en modo de conmutacin

Si suponemos un circuito sin prdidas, Vis = VJa = ViaJ(l - k) y la corriente promedio de entra-

da es (9-47) El perodo de conmutacin T se puede determinar a partir de T

=f - =

tI

tz

= --v, + =--~ Va - Vs
Dol = Vs(Va ~ V..)

6.1 L

6.1 L

Do! L Va Vs(Va - v,,)

(9-48)

y esto nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico

n.v,
Vsk

(9-49)

o bien, 6.1
=

fL

(9-50)

Cuando el transistor est activo, el capacitor suministra la corriente de carga para 1 = 11. La corriente promedio del capacitor durante el tiempo 11 es le = la Yel voltaje de la componente ondulatoria de pico a pico del capacitor es 6.Ve

Ve -

ve(t

O)

l f./I l f./I u. e o le dt = e o la = e

(9-51)

La ecuacin (9-46) da tI = (Va - Vs)/(Vaf), sustituyendo tI en la ecuacin (9-51) obtenemos 6.V = la(Va - Vs)
e

vale

(9-52)

es decir, (9-53) Un regulador elevador puede subir el voltaje de salida sin necesidad de un transformador. Debido a que slo tiene un transistor, su eficiencia es alta. La corriente de entrada es continua. Sin embargo, a travs del transistor de potencia debe !1uiruna corriente pico alta. El voltaje de salida es muy sensible a cambios en el ciclo de trabajo k y puede resultar difcil estabilizar el regulador. La corriente promedio de salida es menor que la corriente promedio del inductor en un factor (1 - k), y una corriente rms mucho ms alta fluir a travs del capacitor de filtro, dando como resultado el uso de un capacitor y un inductor de mayor tamao que los correspondientes en un regulador reductor. Ejemplo 9-5 El regulador elevador de la figura 9-13a tiene un voltaje de entrada Vs = 5 V. El voltaje promedio de salida Va 15 V Y la corriente promedio de carga 1" 0.5 A. La frecuencia de conmutacin es
25 kHz. Si L 150 IlH y e 220 .t.F, determine (a) el ciclo de trabajo k, (b) la corriente de la componente ondulatoria del inductor 6.1, (e) la corriente pico del inductor 12 y (d) el voltaje de la componente ondulatoria del capacitor filtro .1Ve.

= =

322

Pulsadores de cd

Cap. 9

Solucin Vs = 5 Y, Va = 15 Y, f = 25 kHz, L = 150 .tH, y e = 220 .tF. (a) A partir de la ecuacin (9-46), 15 = 5/(1 - k) es decir k 2(3 0.6667 (b) De la ecuacin (9-49),

= 66.67%.

5x.(l5-5) t:.I

= 25,000 x 150 x 10 6 x 15 = 0.89 A

(e) De la ecuacin (9-47), Is

= 0.5/(1Al

0.667) 1.5

= 1.5 A Y la corriente
0.89

pico del inductor es,

l:
(d) De la ecuacin (9-53), A Ve

= I, +

2=

+ -2- = 1.945 A

0.5 x 0.6667 25000 x 220 X 10-6 ,

60.61 mY

9-7.3 Reguladores reductores-elevadores


Un regulador reductor-elevador suministra un voltaje de salida que puede ser menor o mayor que el voltaje de entrada, de ah el nombre "reductor-elevador"; la polaridad del voltaje de salida es opuesta a la del voltaje de entrada. Este regulador tambin se conoce como un regulador inversor. En la figura 9-l4a aparece la disposicin de circuito para un regulador reductor-elevador. La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. Durante el modo 1, el transistor Q, est activo y el diodo Dm tiene polarizacin inversa. La corriente de entrada, que se eleva, fluye a travs del inductor L y del transistor Q,. Durante el modo 2, el transistor Q, es conmutado y la corriente, que flua a travs del inductor L, fluir a travs de L, e, Dm y la carga. La energa almacenada en el inductor L se transferir a la carga y la corriente del inductor se abatir hasta que el transistor Q, vuelva a activarse en el siguiente ciclo. Los circuitos equivalentes para los modos se muestran en la figura 9-l4b. Las formas de onda para los regmenes en estado permanente de corrientes y voltajes del regulador reductor-elevador aparecen en la figura 9-14c para una corriente de carga continua. Si suponemos que la corriente del inductor se eleva linealmente desde /, hasta /2 en el tiempo t, (9-54) o bien
tI =-.-

ML
Vs

(9-55)

y la corriente del inductor se abate linealmente desde 12 hasta 1, en el tiempo 12, Va es decir, (9-57)

Al -L ....
0(2

(9-56)

Sec.9-7

Reguladores en modo de conmutacin

323

i,

+ v'" v,

v,

(a) Diagrama de circuito vD

1 1.

+0
v,
" .

iL

Modo 1 DIO

1.1-------------Modo 2 (b) Circuitos equivalentes (el Formas de onda

io

O~-------------------.
te continua.

Figura 9-14

Regulador reductor-elevador con

donde t:J = l: -/1 es la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L. A partir de las ecuaciones (9-54) y (9-56),

Si sustituimos ti

= kT Y12 = (1 - k)T, el voltaje promedio de salida es


Va

=-

Vsk

1- k

(9-58)

324

Pulsadores de cd

Cap. 9

Si suponemos un circuito sin prdidas, Vis = -Va la = Vs la k/(l - k) y la corriente promedio de entrada I, est relacionada con la corriente promedio de salida la mediante la frmula l =
s

_!d5_
1- k

(9-59)

El perodo de conmutacin [puede

determinarse a partir de
ti

= .! =
f

t2

!HL _ !H L

V,

Va

!HL(Va - VJ

V,Va

(9-60)

y esto nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico dI =


o bien,

fL(Va -

V,Va

V,)

(9-61)

!H

V,k
fL

(9-62)

Cuando el transistor QI est activo, el capacitor de filtro proporciona la corriente de carga durante 1= /1. La corriente promedio de descarga del capacitor es le = la y el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor es

A Ve
La ecuacin (9-58) da 11

1 [tI 1 [tI l e Jo le dt = e Jo la dt = ti

(9-63)

= VJ[(Va -

Vs).f] y la ecuacin (9-63) se convierte en (9-64)

es decir, (9-65) Un regulador reductor-elevador suministra inversin de polaridad de voltaje de salida sin necesidad de un transformador. Tiene alta eficiencia. En caso de una falla del transistor, el di/dI de la corriente de falla queda limitado por el inductor L y ser Vs /L. Sera fcil poner en prctica la proteccin en corto circuito de la salida. Sin embargo, la corriente de entrada es discontinua y a travs del transistor QI fluye una corriente de pico alta. Ejemplo 96 El regulador reductor-elevador de la figura 9-14a tiene un voltaje de entrada Vs = 12 V. El ciclo de trabajo k 0.25 Y la frecuencia de conmutacin es 25 kHz. La inductancia L 150 IlH y la capacitancia del filtro e 220 IlF. La corriente promedio de carga es la 1.25 A. Determine (a) el voltaje promedio de salida, Va; (b) la componente ondulatoria del voltaje de salida pico a pico, t.Vc; (e) la corriente ondulatoria pico a pico del inductor, M; y (p) la corriente pico del transistor Ip. Solucin v, 12 V, k 0.25, la 1.25 A, f 25 kHz, L 150 IlH, yC 220 IlF. (a) Partiendo de la ecuacin (9-58), Va -12 X 0.25/(1 - 0.25) -4V.

Sec.9-7

Reguladores en modo de conmutacin

325

(b) De la ecuacin (9-65), el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico de salida es Il Ve

1.25 x 0.25 25,000 x 220 X 10

56.8 mV

(e) Partiendo de la ecuacin (9-62), la componente ondulatoria pico a pico del inductor es 12 x 0.25

III

= 25,000 x 150 x 10

= 0.8 A

(d) De la ecuacin (9-59),1$ 1.25 x 0.25/(1 - 0.25) de la duracin kT, la corriente pico a pico del transistor
= [_ 1 P k

= 0.4167 A. Dado que 1$es promedio


=
2 067 A .

+ 2

Al = 0.4167 0.25

+ 2

0.8

9-7.4 Reguladores Ck La disposicin de circuito del regulador Ck que utiliza un BJT de potencia aparece en la figura 9-15a. Al igual que e: '':'oulador reductor-elevador, el regulador Ck proporciona un voltaje de salida que puede ser menor o mayor que el voltaje de entrada, pero la polaridad del voltaje de salida es opuesta a la polaridad del voltaje de entrada. Se llama as en honor a su inventor [1]. Cuando se conecta el voltaje de entrada y se desactiva el transistor QI, el diodo Dm queda con polarizacin directa y el capacitor el se carga a travs de LI, Dm Y el suministro de entrada, v; La operacin del circuito se puede dividir en dos modos. El modo 1 empieza cuando se activa el transistor Ql en I = O. La corriente se eleva a travs del inductor LI. Simultneamente, el voltaje del capacitor el pone en polarizacin inversa al diodo Dm y 10 desactiva. El capacitor el descarga su energa en el circuito formado por el, e2, la carga y L2. El modo 2 empieza cuando se desconecta el transistor Ql en 1= ti. Se carga el capacitor el a partir del suministro de entrada y la energa almacenada en el inductor L2 se transfiere a la carga. El diodo Dm y el transistor QI proporcionan una conmutacin sncrona. El capacitor eles el medio para la transferencia de energa de la fuente a la carga. Los circuitos equivalentes para los modos se muestran en la figura 9-15b y las formas de onda para los voltajes y corrientes en rgimen permanente se muestran en la figura 9-15c para una corriente de carga continua. Si suponemos que la corriente del inductor LI se eleva linealmente desde lui hasta luz en el tiempo ti, (9-66)

es decir,
(9-67) y debido al capacitor cargado e.la corriente del inductor Ll se abate linealmente desde luz hasta

hu en el tiempo t2.
(9-68)

326

Pulsadores de cd

Cap. 9

}-

v v.

(a) Diagrama de circuito

-v"",

Modo 1

~ 11v~c1+cli,

.. Ll'v~
_
Ic2

Modo 2 (b) Circuitos equivalentes

I.~--------~-----------Or--------------------(e) Formas de onda

Figura 9-15

RcgUolaorCk.

o bien, (9-69)

Sec.9-7
.... '>.....' .

Reguladores en modo de conmutacin

327

;~"'_i;iJ"~_""'_""

donde Vel es el voltaje promedio del capacitor el. y MI

= len - lcii. De las ecuaciones (9-66) y

(9-68) 6.1 - V,tl _ -(Vs - Vcl)t2


1 -

LI

LI

.Si sustituimos tI = kT

y tz = (1 - k)T,

el voltaje promedio del capacitor


Vd

e 1 es
(9-70)

Vs
1- k

Si suponemos que la corriente del inductor de filtro L2 se eleva linealmente desde h21 hasta h22 en el tiempo tI, V
el

+ V = L h22 a 2

h21 =

ti

L2 6.lz
ti

(9-71)

o bien, 6.lzL2 Vd + Va y la corriente del inductor L2 se abate linealmente desde h22 hasta h21 en el tiempo tz
ti =

(9-72)

V o bien,

-Lz-

6.I2
ti

(9-73)

t2 = ---

6.lzL2
Va

(9-74)

donde h = Ita: - h21. De las ecuaciones (9-71) y (9-73) 6.12 = (Vd Si sustituimos ti

+
L2

Va)tl = _ Vat2

L2
Va

= kTy

12 (1 - k)T, el voltaje promedio del capacitor el es Vd

=- k

(9-75)

Igualando la ecuacin (9-70) con la ecuacin (9-75), podemos determinar el voltaje promedio de salida como V = _ kVs a 1- k Si suponemos un circuito sin prdidas, Vis trada, (9-76)
- k) y la corriente promedio de en-

= -Vala = Vsfak/{l
1=~
s

1- k

(9-77)

El periodo de conmutacin T se puede determinar a partir de las ecuaciones (9-67) y (9-69)


(9-78)

328

Pulsadores de cd

Cap. 9

lo que nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor LI como t:./1 de otro modo t:.1
I

=-

Vs(Vs - Vd) fLIVcI

(9-79)

Vsk fLI -t:.lzLz v, Va(Vcl + Ya)

(9-80)

El perodo de conmutacin T tambin se puede determinar a partir de las ecuaciones (9-72) y (9-74)

T=- =

1 f

tI

/z

t:.hLz
Vd

+ Va

- -- Va
+

t:.hLz

(9-81)

esto nos da la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L2 como t:.lz o bien, t:.lz

= -

Va(Ve I fLzVcI

Ya)

(9-82)

=_

VaO - k) fLz

kVs

ti;

(9-83)

Cuando el transistor QI est desactivado, el capacitor el de transferencia de energa est cargado por la corriente de entrada durante el tiempo 1 = 12. La corriente promedio de carga para el es lel = I,Yel voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor el es t:.VeI La ecuacin (9-76) da
12

1
el

Jo

r-

(1dt

1 {t2
el

Jo

t, =

Ct

Is/z

(9-84)

= Vi( (Vs -

Va)f] por lo que la ecuacin (9-84) se convierte en

(9-85) o bien, t:. V


el

= IsO - k)

[C,

(9-86)

Si suponemos que la componente ondulatoria de la corriente de carga t:.o es despreciable, t:.iL2 = 2, que fluye durante el tiempo T/2, es Ic2, t:.I2I4 y el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor e2 es

ic2. La corriente promedio de carga de

1 t:.VeZ = ez es decir

Jo

{T/2

1 lez dt = ez

Jo ""4 =

{T/2

si,

st,
8fez

(9-87)

(9-88)
El regulador Ck est basado en el capacitor de transferencia de energa. Como resultado, la corriente de entrada es continua. El circuito tiene bajas prdidas de conmutacin y una alta efiSec.9-7 Reguladores en modo de conmutacin

329

ciencia. Cuando el transistor QI se activa, tiene que conducir las corrientes de los inductores L y L2. Como resultado, a travs del transistor QI fluye una alta corriente de pico. Dado que el capaci-

tor proporciona la transferencia de energa, tambin resulta alta la corriente de la componente ondulatoria del capacitor el. Este circuito requiere tambin de un capacitor e inductor adicional.
Ejemplo 97 El voltaje de entrada de un convertidor Ck mostrado en la figura 9-15a es, Vs 12 V. El ciclo de trabajo k 0.25 Y la frecuencia de conmutacin es 25 kHz. La inductancia del filtro es L2 150 JlH y la capacitancia del filtro es e2 220 JlF. La capacitancia de transferencia de energa es el = 200 JlF Y la inductancia LI = 180 JlH. La corriente promedio de carga es la 1.25 A. Determine (a) el voltaje promedio de salida Va; (b) la corriente promedio de entrada Is; (e) la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor LI, MI; (d) el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor el, t1Vcl; (e) la corriente de la componente ondulatoria pico a pico del inductor L2. t1h; (f) el voltaje de la componente ondulatoria pico a pico del capacitor e2, t1Vc2; y (g) la corriente pico del transistor I pSolucin v" 12 V, k 0.25, la 1.25 A, f 25 kHz, LI 180 JlH, el 200 JlF, L2 150 JlH, Y e2 220 ~lF. (a) De la ecuacin (9-76), Va = -0.25 X 12/(1 - 0.25) -4V. (b) De la ecuacin (9-77), 1, J .25 x 0.25/(1 - 0.25) 0.42 A. (e) De la ecuacin (9-80), MI 12 x 0.25/(25,000 x 180 x 10-') 0.67 A. (d) De la ecuacin (9-86), t1Vcl = 0.42 x (1 - 0.25)/(25,000 x 200 x 10"') 63 mV. (e) De la ecuacin (9-83), t1h = 0.25 x 12/(25,000 x 150 x 10-") 0.8 A. (f) De la ecuacin (9-87), t1Vc2 = 0.8/(8 x 25,000 x 220 x 10"') = 18.18 mV. (g) El voltaje promedio a travs del diodo se puede determinar a partir de

= =

= =

= =

(9-89) En el caso de un circuito sin prdidas, h2Vdm = Vala, y el valor promedio de corriente en el inductor L2 es la Va In = _- = ltl Vdm (9-90) = 1.25 A Por lo tanto, la corriente pico del transistor es lp 411 st, 0.67 0.8 = I, + T + h2 + T = 0.42 + -2- + 1.25 + T
= 2.405 A

9-7.5 Limitaciones de conversin en un paso Los cuatro reguladores utilizan un solo transistor, que usa slo la conversin en un paso, y requieren de inductores y capacitorcs para la transferencia de energa. Debido a la limitacin de un solo transistor en el manejo de la corriente, la potencia de salida de estos reguladores es pequea, tpicamente de decenas de watts. A una corriente ms alta, el tamao de estos componentes aumenta, con mayores prdidas en los componentes, y la eficiencia se reduce. Adems, no hay aislamiento entre los voltajes de entrada y de salida, criterio altamente deseable en la mayor parte de las aplicaciones. Para aplicaciones de alta potencia, se utilizan conversiones rnultietapa, en las que un voltaje de cd es convertido mediante un inversor a ca. La salida de ca se asla mediante un transformador, y a continuacin se convierte a cd mediante rectificadores. Las conversiones en varias etapas se analizan en la seccin 13-4.
330

Pulsadores de cd

Cap. 9

9-8 CIRCUITOS PULSADORES CON TIRISTORES Un circuito pulsador utiliza un tiristor de desactivacin rpida como conmutador, y requiere de circuitera de conmutacin para la desactivacin. Existen varias tcnicas mediante las cuales se puede desactivar un tiristor, mismas que se describen en detalle en el captulo 7. Durante las. primeras etapas de desarrollo de los tiristores de desactivacin rpida, se han publicado varios circuitos de pulsadores. Los diferentes circuitos son el resultado de cumplir ciertos criterios: (1) la reduccin del lmite de tiempo mnimo activo, (2) una alta frecuencia de operacin y (3) una operacin confiable. Sin embargo, con el desarrollo de los dispositivos de conmutacin alternos (es decir, transistores de potencia, OTO), se han limitado las aplicaciones de los circuitos pulsadores de tiristor a los niveles de alta potencia, en especial al control de los motores de traccin. Algunos de los circuitos pulsadores utilizados por los fabricantes de equipo de traccin se analizan en esta seccin. 9-8.1 Pulsadores conmutados por impulso El pulsador conmutado por impulso es un circuito muy comn con dos tiristores, tal y como se muestra en la figura 9-16; tambin se conoce como pulsador clsico. Al principio de la operacin, el tiristor T2 se dispara lo que hace que el capacitor de conmutacin se cargue a travs de la carga hasta el voltaje Ve, que debe ser el voltaje de alimentacin V en el primer ciclo. La placa A se hace positiva con respecto a la placa B. La operacin del circuito se puede dividir en cinco modos, los circuitos correspondientes equivalentes bajo condiciones de rgimen permanente se muestran en la figura 9-17. Supondremos que la corriente de la carga se conserva constante en el valor pico 1m durante el proceso de conmutacin. Tambin definiremos de nuevo el origen de los tiempos, t = 0, en el principio de cada uno de los modos. El modo 1 empieza con el disparo de TI. La carga se conecta con la alimentacin. El capacitor de conmutacin tambin invierte su carga a travs del circuito inversor resonante formado por TI, DI Y Lm. La corriente resonante est dada por

ir

El valor pico de la corriente inversora resonante es

.Jt. t, = .Jt.
Ve Ve

sen wmt

(9-91)

(9-92)

El voltaje del capacitor se determina a partir de ve(t)


Irl +

Ve cos wmt
l 1m

(9-93)

DI

r
VO

DM

1-

Figura 9-16 Pulsador conmutado por impulso.

Sec.98

Circuitos pulsadores con tiristores

331

+r7~
:V
V,
Modo 3

c
.....,........,

1..--

Modo 2

Figura 9-17 Circuitos equivalentes de los modos.

donde (J)m = IN Lme. Despus del tiempo t = Ir = 1t...J Lme, el voltaje del capacitor se invierte a -Ve. Esto a veces se conoce como la preparacin de conmutacin del pulsador. El modo 2 empieza cuando se dispara el tiristor de conmutacin T2. Un voltaje inverso Ve se aplica a travs del tiristor principal y ste se desactiva. El capacitor e se descarga a travs de la carga desde -Ve hasta cero y este tiempo de descarga, que tambin se conoce como tiempo de desactivacin del circuito o tiempo disponible del circuito, est dado por
(9-94)

donde 1m es la corriente pico de la carga. El tiempo de desactivacin del circuito toff debe ser mayor que el tiempo de desactivacin del tiristor, tq. loff vara con la corriente de la carga y debe ser diseado para la condicin de peor caso, que ocurre en el valor mximo de la corriente de carga y en el valor mnimo del voltaje del capacitar. El tiempo requerido para que el capacitor se vuelva a cargar hasta el voltaje de alimentacin se conoce como tiempo de recarga y est dado por
(9-95)

Por lo tanto, el tiempo LOta 1 necesario para que el capacitor se descargue y se vuelva a cargar se llama tiempo de conmutacin, y es
(9-96)

Este modo termina en / = te cuando el capacitar de conmutacin e se vuelve a cargar en Vs y el diodo de marcha libre Dm empieza a conducir. El modo 3 empieza cuando el diodo de marcha libre Dm empieza a conducir y la corriente de la carga se abate. La energa almacenada en la inductancia de la fuente L, (adems de cualquier otra inductancia dispersa en el circuito) se transfiere al capacitor, La corriente es Al)

I; cos w,t

(9-97)

332

Pulsadores de cd

Cap.9

yel voltaje instantneo del capacitor es


v,,(t) = Vs

+ L; '/e sen wst

rr;

(9-98)

donde (1)' = I;..JT;C. Despus del tiempo t = vierte en cero y el capacitor se recarga hasta

t,

= 0.5 1t>/r:;c, esta

corriente de sobrecarga se con(9-99)

donde dV y son el sobrevoltaje y el voltaje pico del capacitar de conmutacin, respectivamente. La ecuacin (9-98) da el voltaje de sobrecarga como
~V

v.~

t;

{i

(9-100)

El modo 4 empieza cuando se ha terminado la sobrecarga y la corriente de carga sigue abatindose. Es importante observar que este modo existe debido a que el diodo DI permite que contine la oscilacin resonante del modo 3 a travs del circuito formado por Dm, DI, C y la alimentacin. Esto reducir la carga del capacitor de conmutacin C; la corriente de esta carga reducida a travs del capacitor est dada por
Ut)

= -~ V ..J(Ls .; Lm) sen wllt =


Vx - ~ V(I - cos wllt)

(9-101)

El voltaje del capacitor de conmutacin es U,.(t) (9- 102)

donde rou = IN C(Ls + Lm). Despus del tiempo t = tu = 'K'I C(Ls + Lm), la corriente de reduccin de la carga se convierte en cero y el diodo DI deja de conducir. La ecuacin (9-102) da el voltaje disponible de conmutacin del capacitar como Ve

= Vx - 2~ V = Vs - ~ V

(9-103)

Si no hay sobrecarga, tampoco habr carga reducida. El modo 5 empieza cuando termina el proceso de conmutacin y la corriente de carga sigue abatindose a travs del diodo Dm. Este modo termina cuando el tiristor principal se vuelve a disparar y comienza el siguiente ciclo. Las distintas formas de onda para las corrientes y los voltajes aparecen en la figura 9-18. El voltaje promedio de salida del pulsador es

v, = ~ [ v.et + te ~ (Ve

Vs)]

(9- 104)

Podra notarse de la ecuacin (9-104) que incluso en k = Oel voltaje de salida se convierte en (9-105) Esto limita el voltaje mnimo de salida del pulsador. 'Sin embargo, el tiristor TI debe estar activo por un tiempo mnimo t, = 1t>/ LmC para que la inversin de cargas del capacitar tenga lugar y t, quede fijo para un diseo de circuito en particular. Por lo tanto, tambin quedan definidos el ciclo de trabajo mnimo y el voltaje mnimo de salida. (9-106)
Sec.9-8 Circuitos pulsadores de tiristor 333

ie
Corriente del capacitor

1m

Or--..-------~r-~~----------~
Ip
in
.Im

, ,

, ,

cernentea travs de T,

O~
"TI VX Ve

-------------------~--, -------------------~-, ,

-+__ ~~ ,,

~
Voltaje a travs de T,

O~--------------T'~~~---------+-..
Vo

V.+Vc Vs~

--------~--~-~-----, I I I , , , , I I , I

, ,

o
El ciclo de trabajo mnimo

Figura 9-18 Formas de onda para el pulsador conmutado por impulso.

(9-107) El voltaje promedio mnimo de salida

Vo(mn) ::;:kmn

+ Vs)f = f[Vstr + 0.5tc(Vc + Vs)]

v, + 0.5tc(Vc

(9-108)

Si se controla la frecuencia del pulsador, se puede variar el voltaje mnimo de salida Vo(min). Normalmente, Vo(min) est fijo por el requisito de diseo a un valor permisible. El valor mximo del ciclo de trabajo tambin est limitado a fin de permitir que el capacitor de conmutacin se descargue y se vuelva a cargar. El valor mximo de este ciclo de trabajo est

334

Pulsadores de cd

Cap. 9

dado por kmax T = T - te - ts - t" y kmax El voltaje mximo de salida


(9-110)

te

+ ts + t"
T

Un pulsador ideal con tiristor no debe tener lmite alguno en (1) el tiempo activo mnimo, (2) el tiempo activo mximo, (3) el voltaje de salida mnimo, y (4) la frecuencia mxima de pulsacin. El tiempo de desactivacin loff debe ser independiente de la corriente de la carga. A una frecuencia mayor, las corrientes de la componente ondulatoria de la carga y la corriente armnica de la alimentacin deberan hacerse ms pequeas. Adems, se reducira el tamao del filtro de entrada. Este circuito pulsador es muy sencillo y requiere de dos tiristores y un diodo. Sin embargo, el tiristor principal TI tiene que conducir la Corriente resonante inversora, incrementando por lo tanto su especificacin de corriente pico y limitando el voltaje de salida mnimo. El tiempo de carga y descarga del capacitor de conmutacin dependen de la corriente de la carga, esto limita la operacin en alta frecuencia, especialmente en condiciones de baja corriente de la carga. Este pulsador no puede probarse sin conectar la carga. Este circuito tiene muchas desventajas. Sin embargo, es un buen indicador de los problemas de la conmutacin de tiristores. Nota. El tiempo disponible de desactivacin loff, el tiempo de conmutacin te Y el sobrevoltaje dependen de la corriente pico de carga 1m y no del valor promedio 'a. Ejemplo 9~8
Una carga altamente inductiva controlada por el pulsador de la figura 9-16 requiere de una corriente promedio la = 425 A con un valor pico de 1m = 450 A. El voltaje de entrada de la alimentacin es Vs = 20 Y. La frecuencia de pulsacin es f = 40 Hz y el tiempo d desactivacin del tiristor principal es tq = 18 us, Si la corriente pico a travs del tiristor principal est limitada al 180% de 1", y la inductancia de la fuente (incluyendo una inductancia dispersa) es despreciable (Ls = O), determine (a) la capacitancia de conmutacin e, (b) la inductancia Lm, y (c) el voltaje de salida mnimo y mximo. Solucin 1" 425 A, L; 45 A f 400 Hz, (ti 181ls y Ls O. (a) Oe las ecuaciones (9-99), (9-100) Y (9-103), el sobrevoltaje es t. V = O Y Ve = V,t= Vs = 220 Y. De la ecuacin (9-94), el requisito de desactivacin nos da

toff

VcC = -1- > tq


m

y e> Imtq!Ve

= (450 x 18/220) = 36.8 )lF. Hagamos que e = 40 IlF. (b) De la ecuacin (9-92), la corriente resonante de pico

...

lp =

.. . ~40J.F 1.8 x 450 - 450 = 220 L;:toff

que nos da la inductancia Lm 14.94 IlH. (e) A partir de la ecuacin (9-94), el tiempo de descarga; De la ecuacin (9-95), el tiempo de recarga, Id (220 x 40)/450

= 119.56 .t.s.A partir

= (220 x 40)/450 = 19.56Ils.


de la ecua-

Sec.9-8

Circuitos pulsadores con tiristores

335

cin (9-96), el tiempo total, tsin resonante,

= 19.56 x 2 = 39.12 us, De la ecuacin


t, = 1t[(14.94 X 40) x 10-12]112= 76.81ls

(9-106), el tiempo de inver-

De la ecuacin (9-107), el ciclo de trabajo mnimo, kmn (9-108), el voltaje mnimo de salida
Vo(mn)

= Irf = 0.0307 = 3.07%. De la ecuacin

= 0.0307 x 220 + 0.5 x 39.12 x lO ....x 2 x 220 x 400 = 6.75 + 3.44 = 10.19 V = =

Dado que no hay ninguna sobrecarga, tampoco habr periodo de sobrecarga, y de reduccin de la carga, 1,. = Is O. De la ecuacin (9-109), el ciclo de trabajo mximo, kmx = 1 - (Ic + 1,. + Is)f 0.984; y de la ecuacin (9-110), el voltaje mximo de salida,
Vo(mx)

= 0.984 x 220 + 0.5 x 39.12 x 10....x 2 x 220 x 400 = 216.48 + 3.44 = 219.92 V

9-8.2 Efectos de las inductancias de la alimentacin y de la carga


La inductancia de la alimentacin juega un papel importante en la operacin del pulsador, a fin de limitar el voltaje transitorio a un nivel aceptable, esta inductancia deber ser tan pequea como sea posible. Resulta evidente de la ecuacin (9-100) que el capacitor de conmutacin se sobrecarga debido a la inductancia de la alimentacin Ls, Y que los dispositivos semiconductores estarn sujetos a este voltaje de capacitor. Si no se puede garantizar el valor mnimo de la inductancia de alimentacin, se requerir de un filtro de entrada. En los sistemas prcticos, siempre existe la inductancia dispersa y su valor depende del tipo de alambrado y de la disposicin fsica de los componentes. Por lo tanto, en la ecuacin (9-100), Ls tiene un valor finito y el capacitor siempre se sobrecarga. Debido a la inductancia L, y al diodo DI de la figura 9-16, tambin el capacitor se queda por debajo de la carga, esto puede causar problemas de conmutacin al pulsador. La ecuacin (9-20) indica que la corriente de la componente ondulatoria de la carga es una funcin inversa de la inductancia de la misma y de la frecuencia de pulsacin. De ah que la corriente pico de la carga sea dependiente de su componente inductiva. Por lo tanto, los rendimientos del pulsador tambin quedan influidos por la inductancia de la carga. Normalmente, a fin de limitar la corriente de la componente ondulatoria, se conecta una inductancia suavizadora en serie con la carga.
Ejemplo 9-9 Si la alimentacin del ejemplo 9-8 tiene una inductancia L, 4 IlH, determine (a) el voltaje pico del capacitor V"" (b) el tiempo de desactivacin disponible loff, y (e) el tiempo de conmutacin Ic. Solucin la = 425 A, L 450 A, Vs 220 V, f 400 Hz, Iq = 181ls, L, 41lH, Y e 40 IlF. (a) De la ecuacin (9-100), el sobre voltaje aV = 450 x " 4/40 = 142.3 V. De la ecuacin (9-99), el pico del capacitor V", 220 + 142.3 = 362.3 V, Y de la ecuacin (9-103), el voltaje disponible de conmutacin, Vc = 220 - 142.3 = 77.7 V. (b) De la ecuacin (9-94), el tiempo de desactivacin disponible, loff (77.7 x 40)/450 6.9Ils. (e) De la ecuacin (9-95), el tiempo de recarga, Id = (220 x 40)/450 = 19.56 us, y de la ecuacin (9-96), el tiempo de conmutacin te = 6.0 + 19.56 = 26.46 us,

336

Pulsadores de cd

Cap. 9

Nota. El requisito de desactivacin del tiristor principal es 18 JlS, en tanto que el tiempo de desactivacin disponible es nicamente6.9 us, Por lo tanto ocurrir una falla de conmutacin.

9-8.3 Pulsadores de tres tiristores conmutados por impulso El problema de la carga reducida se puede remediar reemplazando el diodo DI por el tiristor T3. tal y como aparece en la figura 9-19. En un buen pulsador, el tiempo de conmutacin, te. idealmente deber ser independiente de la corriente de carga. Si se aade un diodo antiparalelo DI a travs del tiristor principal, puede lograrse que le sea menos dependiente de la corriente de carga. como lo muestran las lneas punteadas en la figura 9-19. En la figura 9-20 aparece una versin modificada del circuito, en la que, mediante el disparo del tiristor T3, se lleva a cabo la inversin de la carga del capacitor en forma independiente del tiristor principal T. Existen cuatro modos posibles y sus circuitos equivalentes se muestran en la figura 9-21.

Figura 9-19 Pulsador de tres tiristores conmutado por impulso.

Figura 9-20 Pulsador conmutado por impulso con inversin independiente de la carga.

+I~C_
1., V.

V.

D.,

Modo 3

Modo 4

Figura 9-21

Circuitos equivalentes.

Sec.9-8

Circuitos pulsadores con tiristores

337

El modo 1 inicia con el disparo dcl tiristor principal TI y la carga queda conectada a la alimentacin. Para invertir la carga del capacitor e, cl tiristor T3 puede dispararse al mismo tiempo que TI. Si esta inversin de la carga se hace en forma independiente, el voltaje mnimo de salida no se limitar debido a la inversin resonante, como en el caso del pulsador clsico de la figura 9-16. El modo 2 principia con el disparo del tiristor de conmutacin T2, y el capacitor se descarga y se recarga a travs de la carga, a una velocidad que queda determinada por la corriente en la misma. El modo 3 inicia cuando el capacitor es recargado al voltaje de alimentacin, y el diodo de marcha libre Dm inicia su conduccin. Durante este modo, el capacitor se sobrecarga debido a la energa almacenada en la inductancia de la alimentacin, I.; y la corriente de la carga se abate a travs de Dm. Este modo termina cuando la corriente de sobrecarga se reduce a cero. El modo 4 empieza cuando el tiristor T2 deja de conducir. El diodo de marcha libre Dm contina conduciendo y la corriente de carga contina abatindose. Todas las ecuaciones para el pulsador clsico, excepto (9-101), (9-102) y (9-103), son vlidas para este tipo de pulsador. El modo 4 del pulsador clsico no es aplicable. El voltaje de conmutacin disponible

(9-111) Para el pulsador de la figura 9-20, la inversin resonante es independiente del tiristor principal y el tiempo mnimo activo del pulsador no est limitado. Sin embargo, el tiempo de conmutacin es dependiente de la corriente de la carga y la operacin en alta frecuencia est limitada. El circuito del pulsador no se puede probar sin conectar la carga. 9-8.4 Pulsadores de pulso resonante En la figura 9-22 se muestra un pulsador de pulso resonante. En cuanto se cierra la alimentacin, el capacitor se conecta a un voltaje Ve a travs de Lm, D) Yla carga. La operacin del circuito se puede dividir en seis modos y los circuitos equivalentes aparecen en la figura 9-23. Las formas de onda de las corrientes y voltajes aparecen en la figura 9-24. En el anlisis siguiente, redefiniremos el origen de los tiempos t = Oal principio de cada uno de los modos. El modo 1 inicia con el disparo del tiristor principal TI y la alimentacin se conecta con la carga. Este modo es vlido para t = kT. El modo 2 se inicia cuando se dispara el tiristor de conmutacin T2. El capacitar de conmutacin invierte su carga a travs de e, Lm y T2.

v.

Figura 9-22

Pulsador de pulso resonante. Pulsadores de cd

338

Cap. 9

}.
Modo 1

+~1L. + Lm 1",

01

1 +V 1::-

V.

Modo 3

Modo 4

Modo 6

Figura 9-23 Circuitos equivalentes para los modos.

La corriente inversa est dada por ir y el voltaje del capacitor es

=i;

Ve

Ji:.

sen (J)mt

Ip sen (J)mt

(9-112)

donde

(J)m

= IN LmC.

= Ve cos (J)ml (9-113) Despus del tiempo I = 1, = .,.,rr;::c, el voltaje del capacitor se invierte a
vc(t)

-Ve. Sin embargo, contina la oscilacin resonante a travs del diodo DI y de Tl. La corriente de

pico resonante. I p. debe ser mayor que la corriente de carga 1m y el circuito se disea normalmente para una relacin Ip/lm = 1.5. El modo 3 empieza cuando T2 es autoconmutado y el capacitor se descarga debido a la osclacin resonante a travs del diodo DI y TI. Este modo termina cuando la corriente del capacitor se eleva al nivel de 1m. Si suponemos que la corriente del capacitor se eleva en forma lineal desde cero hasta 1m Yque la corriente del tiristor TI cae desde 1m hasta Oen el tiempo Ix, la duracin de este modo es
(9-114)

y el voltaje del capacitor se abate a V = V - txlm = V _ Lml~ 1 e 2C e 2CVe


(9-115)

Sec.9-8

Circuitos pulsadores con tiristores

339

iC 1m _ - -

Corriente del capacitor -~

-~~:
I I I
~_-L~_~~

1m I-----j---., OL_ VcV,

I I Corriente a travs de T,
__'

V,

v - V, .,_-----,.
V. I

Voltaje del capacitor

v, .V,
V,
V.I-__;r._------'

Voltaje de salida

OL_-----------~--~----------Figura 9-24 Formas de onda del pulsador.

El modo 4 empieza cuando la corriente a travs de TI cae hasta cero. El capacitor contina descargndose a una velocidad determinada por la corriente pico de la carga. El tiempo de desactvacin disponible, es
toff

= -1m

VIC

(9-116)

El tiempo requerido para que el capacitor se vuelva a cargar al voltaje de alimentacin,


td =--

V,C

1m

(9-117)

El tiempo total de descarga y recarga al voltaje de alimentacin v, es le = loff + Id. El modo 5 empieza al iniciar la conduccin del diodo de marcha libre Dm la corriente de carga se abate a travs de Dm. La energa almacenada en la inductancia Lm y en la inductancia de la alimentacin L, se transfiere al capacitor C. Despus del tiempo ts 1t'I (Ls + Lm)C, la corriente de sobrecarga se convierte en cero y el capacitor se recarga a

(9-118)

340

Pulsadores de cd

Cap. 9

donde (9-119) El modo 6 inicia cuando la sobrecarga est completa y el diodo DI se desactiva. La corriente de carga sigue abatindose hasta que se vuelve a activar el tiristor principal en el ciclo siguiente. En la condicin de rgimen permanente, Ve Vx. El voltaje promedio de salida est dado por

Vo

=T
=

[VskT + V.,(tr + tx) + O.5tc(V, + Vs)]


(9-120)

Vsk + f[(tr + tx)Vs + O.5tc(V, + Vs)]

Aunque el circuito no tiene ninguna restriccin sobre el valor mnimo del ciclo de trabajo k, en la prctica, el valor de k no puede ser cero. El valor mximo de k es (9-121) Debido a la conmutacin por pulso resonante, el ditdt inverso del tiristor TI queda limitado por el inductor Lm, esto tambin se conoce como conmutacin suave. La inversin resonante es independiente del tiristor TI. Sin embargo, la inductancia, Lm, sobrecarga al capacitor y, por 10 que las especificaciones de voltaje de los componentes debern ser mayores. Una vez disparado el tiristor T2, el capacitor tiene que invertir su carga antes de desactivar al tiristor TI. Existe un retraso inherente en la conmutacin que limita el tiempo activo mnimo del pulsador. El tiempo de conmutacin te es dependiente de la corriente de la carga.

Ejemplo 9-10 Una carga altamente inductiva controlada por el pulsador de la figura 9-22 requiere de una corriente promedio la = 425 A con un valor pico 1m = 450 A. El voltaje de alimentacin V.. = 220 V. La frecuencia de pulsacin f 400 Hz, la inductancia de corunutacin Lm 8 .R, Y la capacitancia de corunutacin e 40 )lF. Si la inductancia de la fuente (incluyendo la inductancia dispersa) es Ls 4 )lH, determine (a) la corriente resonante pico [p, (b) el voltaje de carga pico V.., (e) el tiempo de desactivacin coff, Y (d) el voltaje de salida mnimo y mximo. Solucin El tiempo de inversin t, = 1t'l/ 8 x 40 = 56.2 )ls. De la ecuacin (9-119), el sobrevoltaje L\V = 450'1/(8 + 4)/40 = 246.5 V Y de la ecuacin (9-118), el voltaje pico del capacitor Ve = V.. 220 + 246.5 466.5 V. (a) De la ecuacin (9-112),lp 466.5'1/40/8 1043.1 A. (b) De la ecuacin (9-114), tx = 8 x 450/466.5 = 7.72 us y de la ecuacin (9-115), el voltaje pico de la carga

VI = 466.5 - 2 x 40 x 466.5 = 423.1 V

8 x 450 x 450

(e) De la ecuacin (9-116), el tiempo de desactivacin loff 423.1 x 40/450 = 37.6 us, (d) De la ecuacin (9-117), Id = 220 x 40/450 19.6 us y te = 37.6 + 19.6 57.2 us, De la ecuacin (9-121), el ciclo de trabajo mximo

kmx = 1 - (56.2 + 7.72 + 57.2) x 400 x 10-6

0.952

Sec.9-8

Circuitos pulsadores con tiristores

341

Para k =

km.x, la ecuacin (9-120) nos da el voltaje de salida mximo


220 x 0.952 + 400 x [(56.2 + 7.72) x 220 + 0.5 x 57.2

Vo(mx) =

x (423.1 + 220)] x 10-6 = 209.4 + 12.98 = 222.4 V El voltaje mnimo de salida (para k = O) VO(mn)

= 12.98 V.

9-9 DISEO DE UN CIRCUITO PULSADOR El requisito principal para el diseo de los circuitos de conmutacin es proporcionar un tiempo adecuado de desactivacin, a fin de poder desconectar el tiristor principal. Los anlisis de las ecuaciones del modo correspondiente al pulsador clsico de la seccin 9-8.1 y del pulsador por pulso resonante de la seccin 9-8.4 muestran que los tiempos de desactivacin dependen del voltaje del capacitar de conmutacin Ve. Resulta mucho ms sencillo disear el circuito de conmutacin si la inductancia de la alimentacin se puede despreciar o si la corriente de la carga no es alta. Pero en el caso de una corriente ms alta en la carga, las inductancias dispersas, siempre presentes en los sistemas reales, juegan un papel significativo en el diseo del circuito, dado que la energa almacenada en la inductancia del circuito aumenta con el cuadrado de la corriente pico de la carga. La inductancia de la alimentacin convierte las ecuaciones de diseo en ecuaciones no lineales y se requiere de un mtodo iterativo de solucin a fin de determinar los componentes de la conmutacin. Los esfuerzos que imponen los voltajes sobre los dispositivos de potencia dependen de la inductancia de la fuente y de la corriente de la carga. No existen reglas fijas para el diseo de los circuitos pulsadores y el diseo vara segn el tipo de circuito utilizado. El diseador tiene un amplia gama de opciones y su decisin con respecto a la corriente pico de inversin resonante y el voltaje pico permisible del circuito influye en los valores de los componentes LmC. Las especificaciones de voltaje y de corriente de los componentes y dispositivos LmC tienen lmites mnimos. pero la seleccin real de los componentes y dispositivos queda en manos del diseador y se basan en consideraciones de precio. disponibilidad y margen de seguridad. En general. el diseo incluye los siguientes pasos:

1. Identificar los modos de operacin del circuito pulsador. 2. Determinar los circuitos equivalentes para los diversos modos. 3. Determinar las corrientes y voltajes de estos modos y sus formas de onda. 4. Evaluar los valores de los componentes de conmutacin LmC que satisfarn los lmites del diseo. 5. Determinar los requisitos de especificacin de voltaje de todos los componentes y dispositivos.
Podemos notar, de la ecuacin (9-7), que el voltaje de salida contiene armnicas. Es posible conectar un filtro de tipo C, LC. o L, a fin de reducir las armnicas de salida. Las tcnicas para el diseo del filtro son similares a las de los ejemplos 3-21 y 5-14. En la figura 9-25a aparece un pulsador con una carga altamente inductiva. Se considera despreciable la componente ondulatoria de la corriente de la carga (M = O). Si la corriente promedio de la carga es la. la corriente pico de la carga es L = la + M = la. La corriente de entrada. que es
342

Pulsadores de cd

Cap. 9

Pulsador

v.

Dm

OL-----k~T----JT----~--r
la) Diagrama de circuito lb) Corriente del pulsador

Figura 9-25 Forma de onda de la corriente de entrada de un pulsador.

de forma pulsante, tal y como se ve en la figura 9-25b, contiene armnicas y puede expresarse en una serie de Fouricr, como inh(t) = kl;

+ .b.__

n1T

n=1

i sen 2mrk
=

cos Lnnft

+ .zs: L
La componente fundamental (n de la entrada est dada por . llh(t)
=-

l '" (l - cos 2n1Tk) sen 2mrft n1T n=1

(9-122)

1) de la corriente armnica generada por el pulsador en el lado la +(1 1T

la sen 21Tk cos 21Tft 1T

- cos 21Tk) sen 21Tft

(9-123)

En la prctica, es comn conectar un filtro de entrada como el que se muestra en la figura 9-26, a fin de filtrar las armnicas generadas por el pulsador en la lnea de alimentacin. En la figura 9-27 aparece el circuito equivalente para las corrientes armnicas generadas por el pulsador, el valor rms de la componente armnica de orden n en la alimentacin se puede calcular a partir de

+ (nflfo)2

Inh

(9-124)

Figura 9-26 de entrada.

Pulsador con pulso

XL = 2nnll,..

c.
Figura 9-27 Circuito equivalente para las corrientes armnicas. Sec.9-9 Diseo de un circuito pulsador

343

donde

J es la frecuencia de pulsacin y Jo = 1/(2~ es la frecuencia resonante del filtro. Si (fIJo> 1, que es el caso ms comn, la corriente de la armnica n en la alimentacin se convierte en t; =
Inh

s
nf)

(9-125)

Una alta frecuencia de pulsacin reduce el tamao de los elementos del filtro de entrada. Pero las frecuencias de las armnicas generadas por el pulsador tambin se incrementan en la lnea de alimentacin, esto puede causar problemas de interferencia con las seales de control y de comunicaciones. Si la fuente tiene algunas inductancias, Ls, Y el interruptor del pulsador est activado, como se ve en la figura 9-1a, se almacenar una cantidad de energa en la inductancia de la fuente o de la alimentacin. Si se intenta desactivar el interruptor pulsador, los dispositivos semiconductores de potencia podran daarse, debido al voltaje inducido resultante de esta energa almacenada. El filtro de entrada Le proporciona la fuente de baja impedancia para la accin del pulsador. Ejemplo 9-11
Es necesario disear el pulsador conmutado por impulso del circuito de la figura 9-19. Dicho pulsador opera a partir de un voltaje de operacin Vs = 220 y Y la corriente pico de la carga es 1m = 440 A. El voltaje mnimo de salida deber ser menor que el 5% de Vs, la corriente pico resonante deber limitarse al 80% de 1m, el requisito del tiempo de desactivacin es (off 25 us, y la inductancia de la alimentacin es Ls = 41lH. Determine (a) los valores de los componentes LmC, (b) la frecuencia de pulsacin mxima permisible y (c) las especificaciones de todos los componentes y dispositivos. Suponga despreciable la corriente de la componente ondulatoria de la carga. Solucin Vs 220 Y, 1m 440 A, (off 25 us, L, 41lH, Y Vo(min) 0.05 X 220 11 Y. Las formas de onda para los distintos corrientes y voltajes del capacitor aparecen en la figura 9-28. (a) De las ecuaciones (9-94), (9-99) y (9-100), el tiempo de desactivacin es

(off

V('C = -1111

( = Vs + L;

fLs) 1 C VsC 'Ji = -1m


n

+ -VIrL-C u,

es decir, ( (off _ VsC)2 _ 2 I - toff


m

(VsC)2 _ 2VsCtoff lis


m m

L C

Si sustituimos los valores numricos, 0.250 - 29C + 625 = O y C = 87.4 f.1F' o 28.6IlF. Escojamos el valor ms pequeo, C 28.6 IlF, y dejemos que e 30 f.1F'. (b) De la ecuacin (9-100), el sobrevoltaje ~V 440..J43Q 160 V, Y de la ecuacin(9-99) el voltaje del capacitor Ve = Vx = 220 + 160 = 380 V. A partir de la ecuacin (9-92), la corriente resonante de pico

Ip

380

f30 = 0.8 'JI: m

x 440 = 352

t.; = 34.96 MH

Supongamos que Lm = 35 IlH; entonces el tiempo de inversin, t, = 1tffi x 60 101.8Ils. De la ecuacin (9-94), el tiempo de desactivacin toff = 380 x 30/440 = 25.9 JlS, y de la ecuacin (9-95), td = 220 x 30/440 = 15 Ils. De la ecuacin (9-96), el tiempo de conmutacin te = 25.9 + 15 :: 40.9 us. La frecuencia de pulsacin se puede determinar a partir de la condicin de voltaje mnimo que satisfaga a la ecuacin (9-108):

344

Pulsadores de cd

Cap. 9

1m - 44:

r
t,

Corriente

a travs

de T,

kT

ce rrlente travs d. T, - - - -

- - - -

III

Ip" 3502
ic

t' V\

Corriente a travs de T 3
t

~~--'~I--------------------------------------_'.
Corriente a travs del capacitor C

Ip.35:L~~. ~

tl~

1m =

-r

c_o_r_rie_n_te __a_tr_av__S_d_el_i_nd_u_c_to_r_L_m__..t Corriente a travs del diodo Cm

____..l.I
-

(1-k)T

~I ==:J_-'---_
-

.t

Figura 9-28 11 =f[220


X

Formas de onda para el ejemplo 9-11.


X

101.8

+ 0.5

40.9

(380

+ 220)] x 1O-60rf=

317 Hz

La frecuencia mxima de pulsacin es f = 317 Hz; dejemos que f 300 Hz. (e) Llegado a este punto tenemos toda la informacin necesaria para determinar las especificaciones. TI: La corriente La corriente La corriente La corriente promedio Iprom. 440 A (si suponemos un ciclo de trabajo, k == 1). pico Ip = 440 + 0.8 x 440 = 792 A. rms mxima debida a la carga Irl 440 A. rms debida a la inversin resonante

1,2

0.8 x 440

vt]fi = 0.352 VI01.8 x 300/2 = 43.5 A

T
T3:

La La La La La La La

corriente corriente corriente corriente corriente corriente corriente

nns efectiva Irms = (4402 + 43.5)'12 = 442.14 A. pico 1p = 440 A. nns I rms = 440 ..ffic = 0.44.J 300 x 40.9 = 48.7 A. promedio Iprom. Iple! = 440 x 40.9 x 300 x 1O~ = 5.4 A. pico Ip 0.8 x 440 = 352 A.;... . .,,-_.....,...., __ nns Irms = Ip.Jft,/2 = 0.3,S2.J101.8 x 300/2 = 43.5 A. promedio

Iprom

2/pft,/1T

2 x 352 x 300 x 101.8

1O-6/1T

= 6.84

c:

El valor de la capacitancia C 30 JlF. El voltaje pico a pico Vpp 2 x 380 760 V.

Sec.9-9

Diseo de un circuito pulsador

345

L",: D",:

La La La La La La La

corriente corriente corriente corriente corriente corriente corriente

pico Ip == 440 A. nns rms == (48.72 + 43.51112 = 65.3 A. pico 1p 352 A. nns 1rms 43.5 A. promedio Iprom. 440 A (si suponemos un ciclo de trabajo, k == O). nns I rms = 440 A. pico Ip 440 A.

= = =

Nota. Debido a la inversin resonante a travs del tiristor principal, las especificaciones de corriente rms efectivas y las prdidas se incrementarn. En el proceso de inversin se puede evitar el tiristor principal, como en la figura 9-20. Si Vs vara entre Vs(m.n) y V.I'(mJl), Y L, vara entre Ls(mn) Y Ls(mx), entonces V.I'(mn) Y Ls(mn) deben utilizarse para calcular los valores de L", y de c. V s(mx) Y Ls(mx) debern utilizarse para determinar las especificaciones de los componentes y los dispositivos. Ejemplo 9-12 Es necesario disear un circuito pulsador de pulso resonante, como el de la figura 9-22, que opere a partir de un voltaje de alimentacin Vs 220 V Yuna corriente de carga pico 1", 440 A. La corriente resonante de pico debe limitarse al 150 % de 1",; el requisito del tiempo de desactivacin toff 25 ).!.S, Y la inductancia de la alimentacin Ls 4 !lH. Determine (a) los valores de los componentes L",C, (b) el voltaje sobrecargado 6V, y (e) el voltaje de conmutacin disponible Ve. Solucin 1m = 440 A, Ip = 1.5 X 440 = 660 A, L, = 4 !lH, loff = 25 us, y Vs 220 V. De las ecuaciones (9-115) y (9-116), el tiempo de desactivacin est dado por

Iff==----o

VeC 1m

Lmlm

2Ve

De la ecuacin (9-112), la comente resonante pico lp :: Ve..}CIL",. De las ecuaciones (9-118) y (9-119), el voltaje del capacitor, Ve == Si sustituimos Ve

v. == v, + t;
m

H
== .. ( VCL;, X
~

= Ip..}L",/C, obtenemos
toff =

el valor de loffcomo I) ix (9-126)

11m) va:;. ( f - 21p

donde x

= Ip/l",. Si sustituimos Ve en Ip = Ve..} CIL", obtenemos Ic( Vs + t; ~Ls+Lm) Ic ~ t, = st: C = Vs 'Ir: + t; '/ 1 + r::.

(9-127)

Si resolvemos ..}CL", a partir de la ecuacin (9-127) y lo sustituimos en la ecuacin (9-126), ot).. tenemos
toff

Lmlm ( x = -v,

1) - '/ 1 + t; x - 2x

rL:)( t:

(9-128)

que se puede resolver en funcin de Lm mediante mtodo iteractivo, en el que L", se incrementa en pequeas cantidades hasta obtenerse el valor deseado de toff' Una vez determinado L"" se puede calcular C a partir de la ecuacin (9-126). Encuentre los valores de Lm Y de C que satisfagan las condiciones de toff Y de Ip. Un mtodo iterativo de solucin nos da

346

Pulsadores de cd

Cap. 9

(a) Lm = 25.29 !lH, C = 18.16IlF. (b) V = 558.86 V. (e) Ve = 220 + 558.86 = 778.86 V, Yla ecuacin (9-115) da VI

= 605.63 V. = 513.33
Y.

Nota. Para Ls = 0,
Ejemplo 9-13

t.; = 21.43 J..1H, e = 21.43 J1F, V = 440 Y, Ve = 660 Y y VI

Una carga altamente inductiva est alimentada por un pulsador. La corriente promedio de la carga es la 100 A Y la corriente de la componente ondulatoria en la misma se puede considerar despreciable (M = O). Se instala un filtro de entrada simple Le con Le = 0.3 rnH Y Ce = 4500 IlF. Si se opera el pulsador a la frecuencia de 350 Hz y con un ciclo de trabajo de 0.5, determine el valor rms mximo de la componente fundamental de la corriente armnica generada por el pulsador en la lnea de alimentacin. Solucin Para la = 100 A, f = 350 Hz, k = 0.50, Ce = 4500 IlF, y Le = 0.3 mH, fo 1/(2'Tt'iC;[J 136.98 Hz. La ecuacin (9-123) se puede escribir como

donde Al = (1aire) sen 2rek y B I la a partir de

= (1 a/1C)( 1 - cos 2rek).

La magnitud pico de esta corriente se calcu-

l p h = (A~ El valor rms de esta corriente es

+ B7)1/2 = v2 la 7T

(1 -

cos 27Tk)"2

l 11h == zs (1 - cos 27Tk)I/2


7T

45.02 A

y esto se hace mximo en k = 0.5. La componente fundamental de la corriente armnica generada por el pulsador en la alimentacin se puede calcular a partir de la ecuacin (9-124) y est dada por 45.02

+ (350/136.98)2 = 5.98 A
Si flfo 1, la corriente armnica en la alimentacin se convierte en aproximadamente
lis

= u, (10)2 Y

Ejemplo 9-14 Un pulsador reductor se muestra en la figura 9-29. El voltaje de entrada es Vs 110 V, el voltaje promedio de la carga es Va = 60 V, Y la corriente promedio en la misma es la = 20 A. La frecuencia de pulsacin es f = 20 kHz. Las componentes ondulatorias pico a pico son 2.5% del voltaje de carga, 5% de la corriente de carga, y 10% de la corriente Le del filtro. (a) Determine los valores de Le, L y Ce. Utilice PSpice (b) para verificar lOs resultados mediante la grfica del el voltaje instantneo del capacitor Ve Y la corriente instantnea de la carga iL, y (e) para calcular los coeficientes de Fourier y la corriente de entrada is. Los parmetros del modelo SPice del transistor son IS = 6.734f, BF 416.4, BR .7371, CJC 3.638P, CJE = 4.493P, TR 239.5N, TF 301.2P, y los correspondientes al diodo son IS 2.2E-15, BV 1800 V, TT O.

Sec.9-9

Diseo de un circuito pulsador

347

~~.

~-------------------------------------------------

v.

o~----------+---------~------~
Figura 9-29 Solucin Pulsador reductor.

v, = 110 Y, Va = 60 Y, la = 20 A.
~Ve

= 0.025

Va

= 0.025

60

= 1.5 Y

R = Va = 60 la 20 De la ecuacin (9-34),

= 3n

k = ~: = 16~0 = 0.5455 De la ecuacin (9-35), I, = kl = 0.5455


X

20
X

10.91 A

~h = 0.05 x la = 0.05
~l = 0.1
X

20

= 1A
2A

la

0.1

20

(a) De la ecuacin (9-37), obtenemos el valor de Le:


L
e

= Va(Vs - Va)

~l IVs

= 60 X (110 - 60) = 681 82 H 2 X 20 kHz X 110 . ;.

De la ecuacin (9-37), obtenemos el valor de Ce: M Ce = Ve


X

81 = 1.5 X 8

2
X

20 kHz

8.33 ;.F

= O hasta ti = kT, podemos

Si suponemos una elevacin lineal de la corriente de carga escribir en forma aproximada,

te durante el tiempo que corre desde t

L ~h = ~h = ~Vc
ti

kT

10 que nos da el valor aproximado de L: L = kT ~ V, = k ~ Ve

~h

~hl

(9-129) . ;.
H

0.5454 X 1.5 1 X 20 kHz

= 40 91

(b)k 0.5455, 1 20 kHz, T 1/1 50 us, y ton k X T 27.28 us, El pulsador reductor simulado en PSpicc aparece en la figura 9-30a. El voltaje de control Vg aparece en la figura 930b. La lista del archivo del circuito es como sigue:

348

Pulsadores de cd

Cap. 9

,[VY
Vs

OV
3il

"0 V
Vg

O._----------------------~------~----~
(al Circuito
Vg

1
....L. __
__l .. ~

20 V :~~~~~~~~~~~~~~...._ O 27.28 us
(bl Voltaje de control

50 Ils

Figura 9-30

Pulsador reductor para la simulacin PSpice.

Example 9-14 Buck Chopper VS 1 O DC 1l0V VY 1 2 DC OV Voltage source to measure input current Vg 7 3 PULSE (OV 20V O O.lNS O.lNS 27.28US 50US) RB 7 6 250 ; Transistor base resistance LE 3 4 681.82UH CE 4 O 8.33uF IC=60V initial voltage L 4 8 40.91UH R 8 5 3 VX 5 O DC OV ; Voltage source to measure load current DM O 3 DMOD Freewheeling diode .MODEL DMOD D(IS=2.2E-15 BV=1800v TT=O) ; Diode model parameters Q1 2 6 3 QMOD ; BJT switch .MODEL QMOD NPN (IS=6.734F BF=416.4 BR=.7371 CJC=3.638P + CJE=4.493P TR=239.5N TF=301.2P) ; BJT model parameters .TRAN 1US 1.6MS 1.5MS 1US UIC ;Transient analysis .PROBE ;Graphics postprocessor .options abstol = 1.00n reltol = 0.01 vntol = 0.1 ITL5=50000 ; convergence .FOUR 20KHZ I(VY) ; Fourier analysis .END

Las graficas de PSpice se muestran en la figura 9-31, donde r(VX) = la corriente de carga, r(Le) = la corriente del conductor Le, y V(4) = voltaje del capacitor. Utilizando el cursor PSpice de la figura 9-30, obtenemos Va = Ve = 59.462 V, .1Ve = 1.782 V, M = 2.029 A, I(prom.) = 19.813 A, .1h = 0.3278 A, e la = 19.8249 A. Esto verifica el diseo, sin embargo, M L da un resultado mejor que el esperado.

Sec.9-9

Diseo de un circuito

pulsador

349

Date/Time run: 07/17/92 BO.OV+-~~-

Example 9-14 1~ O~ 21

A 8uck Chopper

Temperature: 27.0

60.0V+-~~~~~~--------------

--__--__ -+

40.0V+-------------------------------------------------------+

::::

::::EIIV"~_~~-______*I I
O.OA I.S0ms
ti

1 (Le)

. - 1. 521115

1.54111S

1 .56m5

1.58ms

1.60ms

Time

Figura 9-31 Grficas de PSpice para el ejemplo 9-14.

(e) Los coeficientes de Fourier de la corriente de entrada son

FOURIER COMPONENTS OF TRANSIENT RESPONSE 1 (VY) DC COMPONENT = l.079535E+Ol NOHMALIZED HARMONIC fREQUENcY FOURIER NO (HZ) COMPONENT COMPONENT l.aOOE+OO 1 2.OOE+04 l.25lE+Ol 2 4.000E+04 1.769E+OO 1.41SE-Ol 3.848E+OO 3.076E-Ol 6.000E+04 3 1.686E+OO 1.348E-Ol 8.000E+04 4 l.aODE+OS 1.939E+OO 1. SSlE-Ol 5 l.2OE+OS l.S77E+OO l.26lE-Ol 6 7 1.014E+OO 8.107E-02 l.400E+OS l.435E+OO 1.147E-Ol 1.600E+OS 8 l.800E+OS 3.S06E-02 4.385E-Ol 9 4.40l661E+Ol TOTAL HARMONIC DISTORTION

PHASE (DEG) -1.l95E+Ol 7.969E+Ol -3.l31E+Ol S.SOOE+Ol -S.l87E+Ol 3.347E+Ol -7.328E+Ol l.27lE+Ol -9.75lE+Ol PERCENT

NORMALIZED PHASE (DEG O.OOOE+OO 9.163E+Ol -1. 937E+Ol 6.69SE+Ol -3.992E+Ol 4.542E+Ol -6.l33E+Ol 2.466E+Ol -8.556E+Ol

910 CONSIDERACIONES MAGNETICAS

Las inductancias, que se utilizan para crear la oscilacin resonante para la inversin de voltaje del capacitor de conmutacin y para desactivar los tiristores, actan como 'elementos de almacenamiento de energa en los reguladores de modo conmutado, y como filtros para suavizar los arm350 Pulsadores de cd Cap. 9

ncos de la corriente. Podemos observar de las ecuaciones (B-17) y (B-18) del apndice B que las prdidas magnticas aumentan con el cuadrado de la frecuencia. Por otra parte, una frecuencia ms alta reduce el tamao de los inductores para el mismo valar de la corriente de la componente ondulatoria y para el mismo requisito de filtrado. ~I diseo de los convertidores de cd a cd requiere de un trmino medio erure la frecuencia de conmutacin, los tamaos del inductor y las prdidas de conmutacin.

RESUMEN

Un pulsador de cd puede utilizarse como un transformador para elevar o reducir un voltaje fijo de cd. Tambin se puede utilizar como regulador de voltaje en modo de conmutacin y para la transferencia de energa entre dos fuentes de cd. Sin embargo, se generan armnicas tamo en la entrada cama en la carga del pulsador, y estas pueden reducirse mediante filtros de entrad.ay de salida. Un pulsador puede OPerarya sea a una frecuencia fija o a una frecuencia variable. Un pulsador de frecuencia variable genera armnicas de frecuencias variables y el diseo de los filtros se complica. Normalmente se utiliza un pulsador de frecuencia fija. Para reducir el tamao de los filtros y disminuir la componente ondulatoria de la carga, la frecuencia de pulsacin deber Ser alta. Los pul" sadores de tiristores requieren de circuitera adicional para desconectar el tiristor principal y, C()mO un resultado, la frecuencia de pulsacin y el tiempo activo mnimo resultan limitados.

REFERENCIAS

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PREGUNTAS

DE REPASO

91. Qu es un pulsador de cd o un convertidor cd a cd? 92. Cul es el principio de operacin de un pulsador reductor? 93. Cul es el principio de operacin de un pulsador elevador? 94. Qu es el control de modulacin por ancho de pulso de un pulsador? 9S. Qu es el control de modulacin de frecuencia de un pulsador? 96. Cules son las ventajas y las desventajas de un pulsador de frecuencia variable? 97. Cul es el efecto de la inductancia de la carga sobre la corriente de la componente ondulatoria de la carga? 98. Cul es el efecto de la frecuencia de pulsacin sobre la corriente de la componente ondulatoria de la carga? 99. Cules son las restricciones para la transferencia controlable de energa entre dos fuentes de voltaje de corriente directa? 910. Cules son los parmetros de rendimiento de un pulsador? 911. Qu es un regulador en modo de conmutacin? 912. Cules son los cuatro tipos bsicos de reguladores en modo de conmutacin? 913. Cules son las ventajas y las desventajas de un regulador reductor? 914. Cules son las ventajas y las desventajas de un regulador elevador? 915. Cules son las ventajas y las desventajas de un regulador reductor-elevador? 916. Cules son las ventajas y las desventajas de un regulador Ck?

917. Cul es el objeto de circuito de conmutacin de un pulsador? 918. Cul es la diferencia entre el tiempo de desactivacin del circuito y el tiempo de desactivacin del tiristor? 919. Por qu se sobrecarga el capaci tor de conmutacin? 920. Por qu est limitado el voltaje de salida mnimo del pulsador clsico? 921. Cules son las ventajas y las desventajas del pulsador clsico? 922. Cules son los efectos de la inductancia de la fuente? 923. Por qu la inversin resonante debe ser independiente del tiristor principal? 924. Por qu la corriente resonante pico del pulsador de pulso resonante debe ser mayor que la corriente de carga pico? 925. Cules son las ventajas y las desventajas de un pulsador de pulso resonante? 926. En qu ciclo de trabajo se hace mxima la corriente de la componente ondulatoria de la carga? 927. Por qu el diseo de los circuitos de conmutacin puede requerir de un mtodo iterativo para su solucin? 928. Cules son los pasos generales para el diseo de los circuitos pulsadores? 929. Por qu se utiliza la corriente pico de la carga en vez de la corriente promedio de la carga en el diseo de los pulsadores de tiristor? 930. Cules son los efectos de la frecuencia de pulsacin sobre los tamaos de los filtros?

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Pulsadores de cd

Cap. 9

PROBLEMAS
9-1. El pulsador en cd de la figura 9-1 a tiene una carga resistiva, R 20n y un voltaje de entrada, V. = 220 V. Cuando el pulsador se mantiene activo, su cada de voltaje es Vch 1.5 V Y su frecuencia de pulsacin es f 10 kHz. Si el ciclo de trabajo es 80%, determine (a) el voltaje promedio de salida Va, (b) el voltaje rms de sa