% ELECTRONICA DE POTENCIA — PARCIAL 1 / FACULTAD DE ING. ELECTRICA UNIVERSIDAD TECNOLOGICA DE PANAMA Nombre:_Htgmg Punliney Cédula_Go-714-1063, Prof. Abdiel Bolatos Fecha, 36 ~9 ~ 2012 I- RESPONDA LAS SIGUTENTES PREGUNTAS (6 puntos cada una) 7%, Para el circuito de la figura 1, cual seria el pesor de la region n- si se quiere i obtener el mayor valor de voltaje de colector-emisor apagado (Vers) gi? 2 Cuil es el valor minimo del voltae que debe aplicarse a la compuerta del transistor 1] de la figura 2 para asegurar que fluya una comiente de 80A temperatura de at | juntura es 150°C. yp 3, Es recomendable utilizar un SCR con un Vrra=400V én un circuito con un voltaje / de alimentacin de 277Vrms +10%, por qué? A qué elemento y evento se debe el pico de corriente que se da en el disparo de un /_ transistor que conmuta cargas inductivas = A qui-se debe que un diodo de 1000V presente mayores pérdidas de operacion cuando remplaza a un diodo de 400V (usando el mismo disipador de calor), si ambos llevan la misma corriente? I. RESUELVA LOS SIGUTENTES PROBLEMAS - : 1. Se quiere utilizar un IGBT IRG4PFSOW para conmutar una carga inductiva de 18A FA00V. La frecuencia de operacién puede ser 2.SkHz 0 kHz y el ciclo de trabajo puede variar entre 02 y 0.85. La temperatura ambiente varia entre 20 y 35°C. Por cuestién de costos el disipador debe ser lo menor posible. J a. Calcule la resistencia térmica maxima de! disipador de calor. 20 ptos D. Caleule los snutber de bloqueo y disparo considerando que Cs=Cs!_y que a AVce=0.35Vd y AVeemAx=.1Vd 30 ptos c. Vuelvaa calcular el valor de la resistencia térmica del disipador de calor. 20 ptos BUENA SUERTE : se yh? reas 75h yo Poy = DIBRascen) = DloVee Pr =Valofslt, +15) Tau =T, +Pror Rye + Res * Res) wpa doorpe" g Snubber re Tota Bloqeg yf Figura 1 DATA DE FABRICANTE IRG4PFS0W Features + Optimized far use in Welding and Switeh-Mode ‘Power Supply applications « Industry benchmark switching tosses improve efficiency of all power supply topologies + 50° reduction of Eoti parameter + Low IGBT conduclion losses + Latest technology IGBT design offers tighter parameter distribution coupled with exceptional reliability 6 7 7 vag. Gate-to-Emiver Voltage (V) Veo = 50V PULSE WIDTH e 70 Figura 2 KR e n-channel Vces = 900V Veeton yp. = 2.25V @Voc = 15V, le = 284 Thermal Resistance Parameter Max. Units 0.64 | dureiion-to-Case al Socket “sse-t0-Swk, Fiat Greased Surae =D input ow [9108 Absolute Maximum Ratings Unnts Parameter ~7T_ coector-to-Emiter Breaks [Sonkmneus Collecior Curent Vest ga to= 2c [-eantncus Cotes Curent Te@ Te = 1006 Pnsed Collector Current © ien “Clamped inductive Load Curent © t 204 £20 Gars-to-Emitor Votlage__ Rreveise Volage Avalanche Energy @ 186. 200 “hanmom Powsr Dissipation ‘Maximum Power Orssipanion TR BE e+ 10 ‘Operating sJunetan AN Range mg? ‘BOO 10.485 In. CCM From case |