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Labo5 - Elec I
Labo5 - Elec I
1. INTRODUCCION Y ANTECEDENTES
En el presente informe de laboratorio se dará muestra de la práctica de polarización del
transistor BJT (Juntura Bipolar). Los mismos fueron analizados en cada montaje variando
las regiones que pueden presentar. (Activa, corte, saturación), variando voltajes, corriente
y resistencias para un mejor análisis.
2. OBJETIVOS
Analizara el funcionamiento de un circuito inversor BJT.
Obtendrá la gráfica de la característica de transferencia del inversor BJT
3. MARCO TEÓRICO
3.1 EL TRANSISTOR
Un transistor, también conocido como un BJT (Transistor de Unión Bipolar), es un
dispositivo semiconductor impulsado por corriente, que puede ser utilizado para
controlar el flujo de corriente eléctrica en la que una pequeña cantidad de corriente
en el conductor base controla una mayor cantidad de corriente entre el Colector y el
Emisor. Se pueden utilizar para amplificar una señal débil, como un oscilador o un
interruptor.
4. MATERIALES Y EQUIPOS
Multímetro
Fuente de poder
Simulador Proteus
Bread board
Transistor 2N2222
Transistor 2N3643
Resistencia 3k Ω
Resistencia 18k Ω
Resistencia 560 Ω
Resistencia 120 Ω
5. PROCEDIMIENTO
5.1 PARTE 1
Utilizando el multímetro mida el � � ℎ�� del transistor 2N2222, anote este valor en la
tabla 1. Arme el circuito mostrado en la figura 1A utilizando el transistor 2N2222.
Mida las corrientes de polarización mostradas en la figura 1B, complete la tabla 1.
Ahora mida los voltajes de polarización mostrado en la figura 1C, complete la tabla 1
Parte 4.2
Utilizando el multímetro mida el � � ℎ�� del transistor 2N3643, anote este valor en la
tabla 2. Ahora cambie el transistor por el BC548 (sin desarmar el circuito anterior).
Mida las corrientes de polarización mostradas en la figura 1B, complete la tabla 2.
Ahora mida los voltajes de polarización mostrado en la figura 1C, complete la tabla 2.
6. CUESTIONARIO.
6. CONCLUSIONES
Para el siguiente laboratorio creo es preciso verificar el valor del Beta del transistor
a usar con un multímetro o en datasheet para tener una idea más o menos real del
valor del mismo. Ademas de que es necesario el uso de transistores nuevos, así
evitamos que haya una mayor variación a la hora de comprobar los resultados
medidos, calculados y simulados. Se pudo observar también que hubo un gran un
error porcentual entre los valores medidos y simulados. Agregamos que el uso de
una tierra a la hora de realizar la simulación a hecho que los valores varíen, siendo
más acertados o acercados a los medidos cuando se usó la misma. Se agregó
también fotos del circuito armado, de la misma manera las simulaciones con los
datos obtenidos en esa. La variación de los valores de Beta en los transistores a
causado que hayan errores mayores al 10% e incluso mayores al 50%. Se añadió
también la hoja de cálculos realizados previamente en clases.
7. BIBLIOGRAFÍÁ
https://es.scribd.com/document/525332976/Informe-Transistor-BJT
https://es.scribd.com/document/357517993/EXAMEN-DE
http://www.itlalaguna.edu.mx/2014/Oferta%20Educativa/Ingenierias/Sistemas/Plan%20
1997-2004/Ecabas/ecabaspdf/TRANSISTORES.pdf
8. ANEXOS