Universidad Tecnológica de Morelia

Profesor: Juan Carlos López López

Realizo: Marco Antonio Díaz Castro y Javier Paramo Calderón

Carrera: Mantenimiento Área Industrial

Grupo: 3A

Practica 4 Práctica de JFET Y MOSFET (simulación)

1.- Arma el siguiente circuito. El voltaje de la fuente de Compuerta es de 5v, de la fuente de

Drenaje son 12v. La resistencia de base es de 1MΩ. El JFET es el por “default”, “ideal” canal N. El
potenciómetro es de 10kΩ.
Haciendo variar el valor del potenciómetro mientras corres la simulación, obtén el valor de I DSS y
VP del JFET (Estos valores fueron explicados en clase):

Respuestas: IDSS = -6.451 Micro amperes V P = -1.746 V

Imprime la simulación dos veces, una mostrado los valores respectivos de corrientes y voltaje
para IDSS y otra mostrado los valores respectivos de corrientes y voltaje para V P.
En cualquier caso, ¿cómo es la corriente de compuerta? Respuesta:
Es negativa y muy mínima.

¿Qué sucede con las corrientes y voltaje si volteas (inviertes) la fuente de Compuerta?
Respuesta: El voltaje disminuye y la corriente incrementa demasiado, ya que al invertir la fuente
se quema el transistor.
 2.- Arma el siguiente circuito. Todo es igual que el anterior, la diferencia es que ahora es un
MOSFET de enriquecimiento (enhancement) canal N. El potenciometro es de 10kΩ.

Haciendo variar el valor del potenciómetro mientras corres la simulación, obtén el valor de V T del
MOSFET (Éste valor fue explicado en clase):
Respuesta: VT = 2.993 v

Imprime la simulación mostrado los valores respectivos con los que obtuviste V T.

Existe una pequeña corriente ID que nunca cambia a cero.

¿A qué crees que se deba?
Respuesta: Debido a la fuente de drenado.

¿Qué sucede con la corriente de Compuerta I G si volteas (inviertes) la fuente de Compuerta?

Respuesta: Existe una corriente demasiado mínima que fluctúa.