LABORATORIO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA 1

GUÍA DE LABORATORIO No. 12

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES DE EMISOR COMÚN
INTEGRANTES: PREINFORME___ INFORME_X_ GRUPO: EAN1+ -201
_________________________ __________________________________
___ Felipe Castañeda _______
_______________ ____________________ PROFESOR_____Abdel Karim Hay Harb_____

1. TEORÍA

Teorema de Miller:

En la mayoría de los circuitos electrónicos a base de amplificadores operacionales, transistores bipolares, transistores
de efecto campo, etc., existen conexiones entre el circuito de entrada y el circuito de salida, produciendo una
realimentación que en la mayoría de los casos produce oscilaciones del circuito electrónico. Para analizar los circuitos
electrónicos, cuya realimentación se realiza a través de una impedancia Z, es conveniente trasladar los efectos
introducidos por la impedancia a los circuitos de entrada y de salida. La traslación anterior es posible apoyándose en
el teorema de Miller.
Si se considera un circuito eléctrico o electrónico lineal de “n” nudos y en él las tensiones de dos nudos, unidos por
una impedancia, las corrientes de estos nudos y las tensiones V 1 y V 2 de los nudos respecto a otro nudo de referencia,
no varían si se introduce entre los nudos dados y el de referencia impedancias de valor:

Z Z
Z1 = Z=
1−Av 2 1
1−
Av
Para:
V2
Av=
V1

Aplicando las propiedades de la ley de Ohm:

V 1−V 2 V 2 −V 1
I 1= I 2=
Z Z

Se debe tener en cuenta que para aplicar de forma correcta la ley de Ohm, se tomo como base el siguiente circuito:

Posteriormente continuamos aplicando la ley de Ohm obteniendo como resultado:

 V1 V2
I 1' = I 2 '=
Z1 Z2
De la misma forma que en la demostración anterior, se debe tener en cuanta el siguiente circuito esquemático para
comprender en su totalidad el proceso realizado anteriormente:

Estas expresiones se realizaron de forma tal que las corrientes de entrada y salida sean iguales, este supuesto se realiza
ya previamente se asumió que la tensión de entrada era equivalente a la tensión de salida, dado este supuesto, se deben
cumplir las siguientes igualdades:

V 2−V 1 V 1
I 1=I 1 ' → =
Z Z1

V 2−V 1 V 2
I 2=I 2 ' → =
Z Z2

De las cuales podemos extraer:

Z∗V 1 Z
Z1 = =
V 1−V 2 V2
1−
V1

Z
Z1 =
1−Av

Lo que también se puede extraer de Z2 :

Z∗V 2 Z
Z1 = =
V 2 −V 1 V1
1−
V2

Z
Z2 =
1
1−
Av

Estas relaciones hacen posible que los circuitos presentados anteriormente sean equivalentes.
Capacitancias parasitas

En la región de alta frecuencia, los elementos capacitivos de importancia son las capacitancias entre electrodos (entre
terminales) internas al dispositivo activo y la capacitancia de alambrado entre los cables de conexión de la red. Todos
los grandes capacitores de la red que controlaban la respuesta en baja frecuencia fueron reemplazados por su
equivalente de cortocircuito debido a sus muy bajos niveles de reactancia.
Para amplificadores inversores (desfasamiento de 180° entre la salida y la entrada, que pro- duce un valor negativo de
Av), la capacitancia de entrada y salida se incrementa en un nivel de capacitancia sensible a la capacitancia entre
electrodos entre las terminales de entrada y salida del dispositivo y la ganancia del amplificador. En la figura 9.49,
esta capacitancia de “realimentación” está definida por Cf.

Para cualquier amplificador inversor, la capacitancia de entrada se incrementará por una capacitancia de efecto Miller
sensible a la ganancia del amplificador y a la capacitancia (parásita) entre electrodos entre las terminales de entrada y
salida del dispositivo activo. El dilema de una ecuación como la ecuación (9.43) es que a altas frecuencias la ganancia
Av será una función del nivel de C. Sin embargo, como la ganancia máxima es el valor de la CMi
da media, utilizando este valor se obtendrá el nivel más alto de CMi y el peor de los escenarios. Por consiguiente, el
valor de banda media se suele emplear para Av en la ecuación (9.43).

La razón para la restricción de que el amplificador sea de la variedad de inversor ahora es más aparente al examinar la
ecuación (9.43). Un valor positivo de Av daría una capacitancia negativa (para Av 1).
El efecto Miller también incrementará el nivel de la capacitancia de salida, la que también hay que considerar cuando
se determine la frecuencia de corte superior. En la figura 9.51, los parámetros de importancia para determinar el
efecto Miller de salida están en su lugar. Al apli- car la ley de corrientes de Kirchhoff obtenemos.

A frecuencias bajas, como se observó en capítulos anteriores, la preocupación estaba centrada en el diseño de los
valores de los condensadores C1, C2 y C3. A frecuencias altas estos condensadores son un corto asegurado y no
representan ningún problema, sin embargo, los efectos capacitivos parásitos descritos anteriormente sí representan un
problema que se debe analizar (Ver Figura 2). En esta figura se observa que cc’ está ubicado entre la entrada del
amplificador y su salida.

Circuito equivalente para capacitancias parasitas:

Formulas a aplicar:

Ancho de banda de un amplificador, vista gráfica:

2. OBJETIVOS:
 OBJETIVO GENERAL
Mostrar al estudiante los inconvenientes que conllevan los transistores al tener capacitancias parásitas

 OBJETIVOS ESPECÍFICOS

 Lograr que el estudiante ratifique el concepto de ancho de banda.

 Lograr que el estudiante ratifique la presencia de condensadores parásitos en los transistores BJT.
 Asegurar que el estudiante use el teorema de Miller para obtener capacitancias equivalentes en la
entrada y en la salida para condensadores que están ubicados con un PIN en la salida y con el otro
PIN en la entrada.
3. REQUISITOS:

Llegar al laboratorio con la práctica diseñada y construida previamente en un protoboard (en el laboratorio de uso libre
con que cuenta la Facultad de Electrónica). Tiempo asignado para el desarrollo de la práctica: 1 sesión de 1 hora y 30
minutos.
Además de acatar las instrucciones de los laboratoristas y el profesor a la hora de operar los diversos instrumentos de
medición.
4. EQUIPOS UTILIZADOS
 Multímetro digital Techman TM-101
 Transformador de voltaje 115 Vac / (6-6)(9-9) Vac / 2ª 18 VA / Modelo M - 509
 Osciloscopio digital Tektronix TBS 1052B-EDU

5. PROCEDIMIENTO:
 PROCEDIMIENTO 1
Calculo de ancho de banda para el circuito de la practica 10.
 Ya teniendo el circuito con sus respectivos valores calculados en previas practicas verificando que amplifica de
forma correcta, procederemos a calcular el ancho de banda.

Cálculos para ancho de banda:

'
Iniciamos calculando el r e para el circuito de amplificación:

' 25 mV
re=
5 mA

r 'e =5 Ω

Ahora debemos tener en cuenta que f t para el transistor 2N3904 es equivalente a 270MHz.
Empleando la siguiente expresión procederemos a calcular el valor del capacitor equivalente ce ' .

1
c e' =
2 π f t re '

' 1
ce =
2 π ( 270 MHz )∗5 Ω

'
c e =117.89 pF

Ahora, para encontrar el valor de cc’, debemos buscarlo en el datasheet del transistor 2N3904:

A continuación, calcularemos el valor de C ¿, empleando la siguiente expresión.

C ¿=c c ' ( 1−Av )∗c e '

C ¿=4 pF∗( 1+10 )∗117.89 pF

C ¿=5.18716∗10−21 F

Ya teniendo este valor procederemos a calcular la frecuencia máxima de entrada:

1
F máx=
( 2 π∗C ¿ ) ( RS||R 1|| R 2 )∨¿ β r e '

1
F máx=
( 2 π∗5.18716∗10 ) ( 1500||2857.152||751.882 )∨¿300∗5
−21
 1
F máx=
( 2 π∗5.18716∗10 ) ( 1500||2857.152||751.882 )∨¿1500
−21

1
F máx=
( 2 π∗5.18716∗10 ) ( 1500||2857.152||751.882 )∨¿300∗5
−21

1
F máx=
( 2 π∗5.18716∗10 ) ( 983.6∨¿751.882 ) ∨¿ 1500
−21

1
F máx=
( 2 π∗5.18716∗10 ) ( 983.6∨¿751.882 ) ∨¿ 1500
−21

1
F máx=
( 2 π∗5.18716∗10 ) ( 426.137 ) ∨¿ 1500
−21

1
F máx=
( 2 π∗5.18716∗10−21 )∗331.86

17
F máx=6.324∗10 Hz

Ahora calcularemos la frecuencia mínima para el ancho de banda:

1
F min=
2 π C ¿ (RC ∨¿ R∈. SE .)

1
F min= −21
2 π∗5.18716∗10 (1636∨¿ 50)
1
F min= −21
2 π∗5.18716∗10 (48.517)

F min=9.246∗1016 Hz

Teniendo los valores podremos calcular el ancho de banda para el circuito de amplificación.
 16 17
f o=9.246∗10 Hz−6.324∗10 Hz

17
f o=5.399∗10 Hz

Resultados obtenidos de la simulación:

6. Conclusiones:

 Empleando el software de simulación LTSpice se rectifico el ancho de banda del circuito, comparando los
resultados obtenidos en la simulación con los resultados teóricos calculados durante el desarrollo de la guía.
 Después de una ardua investigación teórica y aplicación de conceptos matemáticos se logro demostrar que los
transistores BJT poseen dos capacitancias parasitas, las cuales dependen de la frecuencia máxima (en le caso
de ce’) y de la información proporcionada en el datasheet del componente (en el caso de la capacitancia cc’).
 Empleando el teorema de Miller se logró calcular las capacitancias equivalentes en la entrada y en la salida
para condensadores que están ubicados con un PIN de salida y con otro PIN en la entrada.