DEFECTOS EN ESTRUCTURAS

CRISTALINAS
la realidad es indeseable desde el punto de
vista energético y práctico. Los materiales

RESUMEN
La estructura cristalina es la forma sólida de
cómo se ordenan y empaquetan los átomos,
moléculas, o iones. Estos son empaquetados
requieren imperfecciones para mantener un
de manera ordenada y con patrones de
equilibrio estructural, y es de
repetición que se extienden en las tres
dimensiones del espacio. La cristalografía es el aprovechamiento para ciertas aplicaciones la
manipulación de estas imperfecciones para
estudio científico de los cristales y su
conseguir ciertas propiedades deseadas en los
formación.
materiales.
El estado cristalino de la materia es el de
En este trabajó se presenta un análisis de
mayor orden, es decir, donde las
distintos defectos estructurales y sus
correlaciones internas son mayores. Esto se
refleja en sus propiedades anisótropas y conceptos en base a una revisión
bibliográfica. Se divide principalmente 2
discontinuas. Suelen aparecer como
secciones: una sección dedicada a la
entidades puras, homogéneas y con formas
geométricas definidas (hábito) cuando están explicación general de las imperfecciones en

bien formados. No obstante, su morfología los materiales, los defectos puntuales y los
defectos superficiales. A pesar de la
externa no es suficiente para evaluar la
existencia de dislocaciones de volumen, se
denominada cristalinidad de un material.
omite su explicación en este trabajo debido a
que esta por encima del nivel del curso Ciencia
de los Materiales I. La segunda sección está
INTRODUCION
dedicada a las imperfecciones lineales o
El propósito de este trabajo es presentar un dislocaciones.
análisis comprensivo y resumido sobre los
temas de imperfecciones en estructuras
cristalinas, haciendo énfasis específicamente Imperfecciones o Defectos
en los defectos lineales o dislocaciones. Al Estructurales en los Materiales
momento de comenzar a estudiar las
Los materiales se componen de diversas
estructuras cristalinas, es evidente que se
organizaciones microscópicas que suelen
realiza la suposición de una red ideal sin
modelarse teóricamente como estructuras
imperfecciones, en otras palabras, un cristal
cristalinas. A partir de este concepto de
perfecto. Naturalmente, en la realidad las
estructura cristalina es posible explicar
estructuras cristalinas perfectas no existen, y
muchas propiedades que exhiben los
aunque no lo parezca, tener una red ideal en
materiales, sean estos cristalinos o amorfos.
El plantear que en un material clasificado
como cristalino posee estructura cristalina es
una idealización que no siempre se cumple en
los materiales reales. La forma como están
colocados los átomos en un material real
normalmente difiere de la posición ideal que
se espera a partir de la estructura cristalina.
Esto quiere decir que en la práctica no
conviene asumir que los cristales son
perfectos. Los cristales prefectos pueden
Además, los defectos de un sólido cristalino
definirse como una agrupación estable y
desempeñan un papel determinante, en sus
ordenada de átomos (iones o moléculas)
propiedades de conductividad, ópticas y de
enlazados entre sí.
transporte de cargas entre otras. Los defectos
Como sabemos los cristales reales no más comunes son la dislocación y los defectos
guardan una distribución perfectamente puntuales.
ordenada y regular de sus átomos, sino que
Veremos algunos ejemplos donde se pone de
por el contrario presentan ciertas
manifiesto el importante papel que juegan los
imperfecciones cristalinas. Estas
defectos sobre las propiedades de los
imperfecciones suelen ser un defecto o
cristales. Hay propiedades sensibles y otras
desviación en los arreglos atómicos que se
insensibles a la estructura cristalina. El
esperan en una estructura cristalina. Las
concepto de red perfecta es útil para explicar
clasificaciones de las imperfecciones
aquellas propiedades insensibles a la
dependen de la geometría y dimensiones de
estructura. Cuando se consideran aquellas
la imperfección.
propiedades sensibles a la estructura se
Estas pueden clasificarse como: hace necesario comprender cierto tipo de
defectos cristalinos.
Defectos Puntuales (0dimensiones)
Defectos Lineales (o
Dislocaciones) (1 dimensión)
Defectos Superficiales (2
dimensiones)
Defectos de Volumen
(3 dimensiones)

Analicemos una de las propiedades sensible

En el caso de la Figura 1, podemos ver (en 2D)
a la estructura: por ejemplo, la
como se vería un cristal perfecto. Como ya
conductividad eléctrica. La gran
mencionado, los cristales perfectos no existen
conductividad eléctrica de los metales es
y muchos de los cristales reales contienen
debida a los electrones libres (electrones de
muchos defectos. En la Figura 2 se puede
valencia) que pueden migrar a través del
ver cómo sería un material con múltiples
cristal. Simplificando (sin considerar la teoría
imperfecciones (se aproxima a una estructura
cuántica) se pueden considerar a la nube de
real).
electrones con un movimiento al azar de alta
velocidad. Cuando se aplica un campo
eléctrico los electrones orientan su velocidad
de traslación en dirección opuesta al campo
eléctrico esto da origen a la corriente
eléctrica.
La magnitud de la corriente para un dado
campo eléctrico depende del número de
choques entre los electrones de conducción y
los átomos.
La teoría cuántica predice que el número
de choques será mayor cuanto más alejados
de sus posiciones reticulares se encuentren
los átomos.
La resistencia eléctrica se debe a la dispersión
de electrones por los choques con átomos o
iones de la red. En un cristal perfecto a
temperatura por encima del 0 K, la dispersión
se produce porque los átomos y iones vibran
continuamente en torno 5 de 2 sus posiciones
de equilibrio y esto modifica la disposición
periódica del retículo. La amplitud de las
vibraciones y la dispersión de los electrones se
incrementa con la temperatura y por lo
tanto la resistividad eléctrica también.
Todas estas propiedades poseen procesos
que introducen defectos cristalinos que
provocan la dispersión de los electrones
debido a cambios locales en la disposición
periódica de los átomos.
Defectos Puntuales
Los defectos puntuales son discontinuidades
de la red que involucran uno o más átomos.
Estos defectos pueden ser generados en el
material mediante el movimiento de los
átomos al ganar energía por calentamiento.
Los defectos puntuales, como lo sugiere el
nombre, son defectos que se encuentran en
regiones tipo puntuales en el cristal. Se puede
decir que son perturbaciones localizadas a
nivel de la posición de átomos individuales.
Estas perturbaciones pueden afectar a una
región completa de átomos o iones.
Los defectos puntuales que serán tratados en
esta sección serán:
Vacancias
Defectos Intersticiales
Defectos Sustitucionales
Adicional a esos defectos, se hará mención de
algunas características de otros
defectos importantes como:
Defecto Frenkel
Defecto Schottky
Vacancias
Una vacancia hace alusión a un átomo que se
encuentra normalmente en la red cristalina de
un material, y por alguna razón deja de
estarlo, dejando de esa manera un espacio
vacío como se muestra en la Figura 4.
Naturalmente los sólidos cristalinos
contienen vacancias y, de hecho, no es posible
crear un material que estélibre de estos
defectos. La razón de esto es explicada con
los principios de la termodinámica.
Debido a la vacancia los niveles de entropía
aumentan, esto significa que el material
tiende a estabilizarse. Tiene sentido
entonces que los materiales a más altas
temperaturas tengan mayores defectos por
vacancias debido al movimiento constante y
cambio de posiciones de los átomos. La
concentración de vacancias (vacancias por
unidad de volumen) depende y aumenta con que ocupa. Debido a esto estas
la temperatura. La relación de número de configuraciones son poco probables y se
vacancias puede ser descrita por medio de la encuentran en concentraciones mucho más
ecuación de Arrhenius: pequeñas comparado a las vacancias.
Normalmente, átomos como los de
hidrógeno se presentan como impurezas.
En el caso del carbono, el mismo es
donde 𝑛𝑣 es el número de vacancias por 𝑐𝑚3,
agregado intencionalmente al hierro con el
𝑛 es el número de átomos por 𝑚3, 𝑄 es la
fin de producir acero. Al estar localizados en
energía requerida para producir una mol
una región intersticial causa un esfuerzo en
de vacancias [𝑄] = 𝑐𝑎𝑙/𝑚𝑜𝑙 o 𝑗𝑜𝑢𝑙𝑒𝑠/𝑚𝑜𝑙,
los alrededores, así pudiendo lograr un
𝑅 es la constante de los gases 1.987
aumento en la resistencia del material.
𝑐𝑎𝑙/𝑚𝑜𝑙⋅𝐾 8.314 𝐽/𝑚𝑜𝑙⋅𝐾, y 𝑇 es la
Debido a la poca probabilidad de formación
temperatura en Kelvin.
de intersticios de forma natural, el número
Para la mayoría de los metales la relación total se mantiene casi constante incluso si hay
𝑁υ/𝑛 es de orden 10−4, lo que significa que un incremento grande de temperatura. Estos
hay una vacancia por cada 10 000 átomos. Un defectos pueden ser considerados
punto muy importante de la ecuación es que impurezas cunado, en vez de tener el
si el material se enfría de forma rápida de alta espacio ocupado por un átomo del mismo
a baja temperatura entonces se pueden cristal se tiene otro tipo de átomo. Los
conservar las vacancias que el material defectos sustitucionales son descritos en la
tenía a altas temperaturas y los resultados siguiente sección.
obtenidos en la ecuación anterior no
coincidirían con las vacancias que realmente
se tienen.

Defectos Sustitucionales

Se crea un defecto sustitucional cuando se

Defectos Intersticiales
Un defecto intersticial se refiere a cuando
un átomo del cristal se encuentra ocupando
un lugar que normalmente no estaría
ocupado En los metales se puede encontrar
que el defecto por intersticio causa una gran
distorsión en los alrededores de este debido a
que el átomo es más grande que el espacio
reemplaza un átomo de una red cristalina
por otro átomo de un tipo diferente. El átomo
sustitucional permanece en la posición
original. Cabe resaltar que los átomos no
deben tener un radio mayor ni menor al 15%
del radio del átomo original ya que podrían
ocurrir perturbaciones en el material, cuando
estos átomos son mayores que los
normales de la red, los átomos circundantes
se comprimen; si son más pequeños, los
átomos circundantes quedan en tensión.
Otros Defectos Puntuales
Cuando un átomo idéntico a los demás
átomos que conforman los puntos normales
de la red cristalina se coloca en un espacio
intersticial, se crea un intersticio. Estos
defectos aparecen con mayor frecuencia en
redes que poseen un menor factor de
empaquetamiento, debido a que poseen más
espacio entre átomos.
Defecto Frenkel: es un par de
defectos, intersticio-vacancia
formado cuando un ion salta de un
punto normal de la red a un sitio
intersticial, dejando detrás una
vacancia.
Defecto Schottky: es un par de
vacancias en un material de enlace
iónico; deben faltar tanto un anión
como un catión de la red si se ha de
preservar la neutralidad eléctrica del
cristal. Este defecto es común en
materiales cerámicos.
Otro defecto puntual importante toma lugar
cuando un ion reemplaza a otro con carga
distinta. Generalmente cuando se da este
caso, se introduce una carga positiva en el
sistema cristalino, para mantener el
equilibrio, o se podría crear una vacancia
donde normalmente estaría localizado un
átomo de carga positiva. Este tipo de
imperfección se ve en materiales que poseen
un enlace iónico pronunciado.
Importancia de los Defectos Puntuales
Los defectos puntuales modifican el arreglo
de los átomos circundantes, distorsionando
la red a lo largo de cientos de espaciamientos
de unidades atómicas, a partir del defecto.
Una dislocación que se mueva a través de
las cercanías generales de un defecto puntual
encuentra una red en la cual los átomos no
están en sus posiciones de equilibrio. Esta
alteración requiere que se aplique un esfuerzo
más alto para obligar a que la dislocación
venza al defecto, incrementándose así, la
resistencia del material
Defectos de Superficie
Los defectos de superficie son las fronteras o
planos que separan un material en regiones
de la misma estructura cristalina, pero con
orientaciones cristalográficas distintas. Estas
imperfecciones pueden ser:
Superficies Externas
Límites de Grano
Fallas de Apilamiento
Límites de Macla
Límites del Dominio
Límites de Grano de Ángulo Pequeño
Superficies Externas
Es bastante obvio que los límites de todo el
cristal es la superficie más externa del mismo.
Los átomos de esta superficie no están
enlazados con los vecinos más cercanos y
por ende tienen mayores niveles de energía
que los átomos dentro del cristal. Esto causa
un aumento en la energía de superficie.
Límite de Grano
Los límites de grano se refieren al límite que
separa dos granos grandes o cristales que
tienen diferentes orientaciones. Un grano es
una porción del material dentro de la cual
arreglo de los átomos es casi idéntico pero
la orientación, estructura es diferente de
otros granos. La frontera de grano es la
superficie que separa los granos, es una zona
estrecha en la cual los átomos no están
correctamente espaciados, el límite de
separación de grano se debe a que a veces los
átomos están tan pegados o separados que
crean una región de compresión o tensión.
Un método para controlar las propiedades de
un material es controlando el tamaño de los
granos. Reduciendo el tamaño de estos se
incrementa su número y por tanto se
aumenta la cantidad de fronteras de grano, de
esta manera se incrementa la resistencia del
material.
Con la ecuación de Hall-Petch se puede
relacionar el tamaño del grano con el límite
elástico del material.
donde 𝜎𝑦 es el esfuerzo de cedencia, es decir
el esfuerzo bajo el material se deforma de
manera permanente, 𝑑 es el diámetro
promedio de los granos, 𝜎𝑜 𝑦 𝐾 son
constantes del metal.
Límites de Grano de Ángulo Pequeño
Es un arreglo de dislocaciones que produce
una pequeña desviación de la orientación
cristalográfica entre las redes vecinas, los
bordes de ángulo pequeño formados por
dislocaciones de borde se conocen como
bordes inclinados.
Fallas de Apilamiento
Las fallas de apilamiento ocurren en los
materiales FCC, representan un error de la
secuencia de apilamiento de planes
compactos.
Bordes de Macla
Es un plano que separa dos partes de un grano
que tienen una pequeña diferencia en la
orientación cristalográfica. Las maclas se
producen cuando una fuerza de corte, que
actúa a lo largo del borde de macla, hace que
los átomos cambien de posición.
 Defectos Lineales
Un defecto lineal o dislocación se refiere
al cambio abrupto en la estructura de
átomos a lo largo de una línea llamada línea
de dislocación. Ocurren en densidades altas e
influyen fuertemente en las propiedades
mecánicas del material. Para describir una
dislocación hacemos uso del vector de
Burgers. Este, describe el tamaño y la
dirección de la distorsión. El vector de Burgers
es denotado como b. Se pueden identificar
tres tipos de dislocaciones:
Dislocaciones de Arista
Dislocaciones Helicoidales
Dislocaciones Mixtas
Adicionalmente existe otro tipo de
dislocación derivada de las dislocaciones
anteriores que deben cumplir cierto
requisito para darse, llamada Dislocación
Parcial.
Dislocación de Arista o Dislocación de
Taylor Orowan
Es un defecto en el cual un semiplano
adicional de átomos es introducido en medio
del cristal, distorsionando los planos de
átomos cercanos. Matemáticamente es
caracterizada por un vector de Burgers
perpendicular a la línea de dislocación.
En la figura se observa que en línea de
dislocación hay solo 3 átomos, y debajo de ella
no hay más átomos, a diferencia de las aristas
sin dislocación que tienen 6 átomos. Es por
esta razón que se dice que se introduce un
semiplano de átomos. La dislocación de arista
puede ser pensada como si un cristal perfecto
fuese cortado por un plano y luego el espacio
que deja el corte es llenado por un semiplano
de átomos.
la dislocación es caracterizada por qué no se
puede cerrar un lazo de igual espaciamiento
atómico. Si se quiere hacer un lazo de 4
espaciamientos de lado con origen en el
punto “x”, el punto “y” jamás lograra
conectarse con el punto “x”.
La única forma que se conecten es que no
existiera una dislocación en el cristal. Los
esfuerzos causados por este tipo de
dislocación son complejos debido a su
naturaleza asimétrica inherente.
Estos esfuerzos son descritos por las
siguientes ecuaciones:
en donde 𝜇 es el módulo cortante del
material, 𝑏 es el vector de Burgers, 𝜐 es el
coeficiente de Poisson, y 𝑥 y 𝑦 son
coordenadas en el cristal.
Lo que nos dicen estas ecuaciones es que los
átomos junto al semiplano agregado están
sometidos a compresión, mientras los que
están en la parte sin semiplano están
sometidos a tensión.
Dislocación Helicoidal
Este tipo de dislocación es más difícil de
visualizar. Esta dislocación es como si se
cortara el cristal perfecto parcialmente y
luego se le aplicara un esfuerzo cortante para
causar una distorsión, como se ilustra en la
Figura 14. Para una dislocación helicoidal, la
caracterización matemática es que el vector
de Burgers es paralelo a la línea de
dislocación.
14 Se observa que la distorsión está dada a un
espacio atómico de la parte de arriba de la
dislocación con respecto a la parte de debajo
de la dislocación. Los átomos forman un
camino helicoidal a lo largo de la dislocación,
mostrado por la flecha de rotación.
Pese a la dificultad de su visualización, los
esfuerzos causados por una dislocación
helicoidal menos complejos que los causados
por una dislocación de arista, ya que se
naturaleza simétrica nos permiten utilizar
únicamente una coordenada radial en una
única ecuación:
en donde 𝜇 es el módulo cortante del
material, 𝑏 es el vector de Burgers, y 𝑟 es una
coordenada radial.
La ecuación sugiere un perfil cilíndrico
alargado de esfuerzos en dirección radial a la
línea de dislocación y decrecientes con la
distancia. Es importante notar que esta
ecuación sugiere un esfuerzo de magnitud
infinita en la línea de dislocación, por lo cual
solo es válida para valores de 𝑟 > 0.
Dislocación Mixta
Para el caso de las dislocaciones mixtas, se
dice que son dislocaciones que tienen
componentes de las dislocaciones
mencionadas en los puntos anteriores. La
realidad es que, en la mayoría de los
cristales, no se encontrarán dislocaciones
puramente de arista o puramente helicoidales
si no una mezcla de los dos.
Dislocaciones Parciales
Las dislocaciones en ciertos materiales
pueden descomponerse en dislocaciones
parciales para facilitar el movimiento a
través de redes cristalinas.
Estas dislocaciones se mueven
mecanismos de formación de pliegues
activados térmicamente y por propagación.
ya define plano de deslizamiento al plano que
contiene al vector de Burgers y la línea de
dislocación. Si se aplica un esfuerzo cortante
suficientemente grande en la misma dirección
que la del vector de Burgers entonces la
dislocación puede deslizarse a lo largo del
plano mencionado, esto se conoce como
deslizamiento. La dirección paralela al
vector de Burgers es la dirección de
deslizamiento. La combinación de tanto la
dirección de deslizamiento como el plano de
deslizamiento se conoce como sistema de
deslizamiento. El cristal hace movimiento de
la dislocación naturalmente porque este es
energéticamente favorable. Siempre que se
mueve una dislocación estamos pasando de
una localización de equilibrio de la dislocación
a otra localización de equilibrio. Se define el
esfuerzo de Peierls-Navarro como el
esfuerzo necesario para mover una
dislocación de una posición de equilibrio a
por otra y es descrito por la ecuación:

Favorabilidad de Reacción
Una dislocación se descompondrá en
dislocaciones parciales si el estado de
energía de la suma de los parciales es
menor que el estado de energía de la
dislocación original. Esto es
matemáticamente por el Criterio de energía
de Frank:
Donde 𝜏 es el esfuerzo cortante necesario
para mover la dislocación, 𝑑 es el espacio Inter
planar entre los planos de deslizamiento
adyacentes, 𝑏 es la magnitud del vector de
Burgers, y 𝑐, 𝑘 son constantes del material.
descrito
La dislocación se moverá en el plano de
deslizamiento que requiere menos gasto
energético.

De esta ecuación se fundamentan dos

principios fundamentales:

La magnitud del esfuerzo cortante

necesario para mover la dislocación
Movimiento de las Dislocaciones será mayor a medida que la magnitud
Para entender el movimiento de las del vector de Burgers incremente.
dislocaciones es necesario primero definir el La magnitud del esfuerzo cortante
concepto de plano de deslizamiento. Se necesario para mover la dislocación
será menor a medida que la distancia deslizamientos, así
interplanar incremente. endureciendo el mismo
material.

Para referirse a la cantidad de dislocaciones se

usa una densidad de dislocaciones, esto es,
longitud total de dislocaciones por unidad
de volumen. Estas también influyen en las
propiedades electrónicas y ópticas de los
Importancia de las materiales.
Dislocaciones
Contrario a lo que sugiere la palabra
“dislocación”, y “defecto estructural Conclusiones
lineal”, las dislocaciones tienen
Contrario a lo que sugiere la palabra, las
ciertas ventajas:
imperfecciones en un material son
sumamente deseables tanto de un punto de
El efecto acumulado de los
vista energético como un punto de vista
deslizamientos de diversas
práctico. Se puede concluir adicionalmente
dislocaciones y la fuerza
que los intersticios ocurren naturalmente y el
aplicada para lograr el
material los usa para poder llegar a un
mismo proporcionan un
nivel energético más bajo. Las
mecanismo a los materiales
imperfecciones, además, juegan un rol muy
para la deformación plástica
importante en las propiedades eléctricas,
(deformación permanente).
magnéticas y ópticas de un material.
En el caso de la
deformación elástica Una de las mejores aplicaciones de defectos
(deformación temporal) no por sustitución es cuando los átomos de una
existe deslizamiento. estructura son sustituidos por otro tipo de
El deslizamiento proporciona átomos como por ejemplo con el hierro y el
una explicación de por qué la carbono.
resistencia de los metales es
La existencia de las dislocaciones hace que los
menor que el valor obtenido
materiales posean muchas de sus
al estudiar las fuerzas de los
propiedades mecánicas como la ductilidad.
enlaces.
Las dislocaciones le
proporcionan la propiedad
de ductilidad a los metales.
Sin las dislocaciones una
barra metálica sería
quebradiza y no podría
moldearse como se quiere.
Si se pone límites a las
dislocaciones, se necesitará
mayor fuerza para causar
 REFERENCIAS

[1] Callister, W. D., & Rethwisch, D. G. (2014).

Materials science and engineering: an
introduction. Hoboken, NJ: John Wiley &
Sons.

[2] Askeland, D. R. (2016). The science

and engineering of materials. Australia:
Cengage Learning

[3]

Defects in Crystals/ Prof. Dr. Helmut Föll

website, Chapter 5.

[4]
http://www.uca.edu.sv/facultad/clases/ing/
m210031/Tema%2003.pdf

[5] Física de Materiales, Tema 2.

Universidad de Valladolio.
https://alojamientos.uva.es/guia_docente/u
ploads/2013/469/45757/1/Documento22.pd
f

[6]
http://tesis.uson.mx/digital/tesis/docs/2116
0/Capitulo1.pdf - “Extracto de Tesis: Marco
Teórico”.

[7] “Dislocación”, Wikipedia.

[8] “Parcial Dislocación”, Wikipedia.