RESUMEN: PRINCIPIOS DE
ELECTRÓNICA DE A.P MALVINO.
Sexta edición.
César Andrés Hoyos Almanza.
INTRODUCCIÓN
A continuación, se llevará a cabo el resumen
de los capítulos 1, 2, y 3 del libro “Principios
de la Electrónica - Sexta edición de Albert
Paul Malvino” donde se abordan los aspectos
sobre los tres tipos de fórmulas, fuentes de
tensión, de corriente y algunos teoremas,
conductores, semiconductores y a su vez sobre
la teoría de los diodos.
CAPÍTULO 1.
INTRODUCCIÓN
En este capítulo el autor nos da a conocer los
estudios de los distintos tipos de formulas, de
fuentes de tensión, de fuentes de corriente y
dos teoremas para la resolución de circuitos.
Aunque parte de la exposición la establece un
estudio, y se han encontrado diferentes nuevas
opiniones que proporcionarán la comprensión
de 1os dispositivos semiconductores.
Aquí hay un ejemplo de cuál es la manera de crear
una nueva definición a partir de cero. Se supone que
estamos investigando técnicas de lectura y se necesita
LOS TRES TIPOS DE
FORMULAS.
Una fórmula es una regla que relaciona
cantidades, ya sea mediante ecuaciones,
desigualdades u otras descripciones
matemáticas. Se encontrarán muchas formulas
en este texto.
A menos que conozcan por qué cada una es
correcta, y nos podemos llegar a confundir a
medida que se acumulan. Afortunadamente,
sólo existen tres formas en las que las fórmulas
puedan expresarse y conociéndolas el estudio
de la electrónica se hará mucho más sencillo.
A continuación, algunas de las definiciones y
explicaciones de la importancia de memorizar
palabras técnicas como corriente, tensión y
resistencia.
Esto para que podamos traducirlas en algunas
de las siguientes fórmulas:
Si se toma como ejemplo la definición de
capacidad, se tiene que ésta es igual a la carga
de una placa dividida por la tensión entre las
placas de un condensador. La fórmula es la
siguiente:
medir la velocidad de lectura. Podríamos
definir la velocidad de lectura como el
número de palabras que se leen en un
minuto.

Por ejemplo, si el número de palabras es

igual a W y el número de minutos es M, S
corresponde al número de palabras por
minuto:

LA DERIVACIÓN.

Una derivación es una fórmula que se puede

obtener a partir de otras, lo que significa que
También podría expresarse en letras griegas, se comienza con una o más fórmulas y,
como, por ejemplo: empleando las distintas operaciones
matemáticas, se llega a una nueva que no
estaba en el conjunto original.

Por ejemplo, Ohm experimentaba con

conductores. Descubrió que la relación entre
En resumen, las definiciones son fórmulas que la tensión y la corriente era constante y
crean los investigadores, y son basadas en nombró a esa constante resistencia.
observaciones científicas y que forman las
bases para del estudio de la electrónica y son
aceptadas sencillamente como hechos.

LA LEY.

Una ley es diferente a lo estudiado en el

apartado anterior, ya que sintetiza una Formula Original de la ley de Ohm:
relación ya existente en la naturaleza. Aquí
tenemos el ejemplo de la ley de Coulomb.
 APROXIMACIONES.
La aproximación ideal: algunas veces
llamada la primera aproximación de un
dispositivo es el circuito equivalente más
simple de ese dispositivo. En el caso de un
cable de conexión, la aproximación es un
conductor de resistencia cero.
La aproximación ideal es adecuada para los
trabajos cotidianos de electrónica. La
excepción se produce cuando se trabaja en
frecuencias altas, donde se tienen que
considerar las capacitancias y las inductancias
del cable. Supóngase que un cable de 2,4 cm
tiene una inductancia de 0,24 µH y una
capacidad de 3,3 pF a 10 MHz, la reactancia
inductiva es 15,l Ω, y la reactancia capacitiva
es 4,82 KΩ.
La segunda aproximación: La
aproximación ideal de una pila de linterna es
una fuente de tensión de 1,5 V. La segunda
aproximación añade uno o más componentes
a la aproximación ideal.
Por ejemplo, la segunda aproximación de una
pila de linterna es una fuente de tensión de 1,5
V en serie con una resistencia de 1 Ω.
La tercera aproximación y siguientes:
la tercera aproximación incluye otro
componente en el circuito equivalente
del dispositivo. En el Capítulo 3 se
brinda un modelo de la misma cuando se
presenten los diodos semiconductores.
Es posible efectuar aproximaciones
incluso superiores con muchos
componentes en el circuito equivalente
de un dispositivo, para esto se emplea el
programa comercial Workbench y este programa
nos ayuda a hacer mejores cálculos de forma más
automatizada.
Conclusiones: para aproximaciones superiores
se convendría utilizar un ordenador y un
programa como Workbench. La aproximación a
emplear depende de lo que se está intentando
hacer. Si se está detectando averías, la
aproximación más adecuada es la ideal. Para
muchas situaciones, la segunda aproximación es
la mejor elección porque es fácil de utilizar y no
requiere un ordenador o software.
FUENTES DE TENSIÓN.
Las fuentes producen una tensión de salida que es
constante. El ejemplo más sencillo de una fuente
ideal de tensión es una batería perfecta cuya
resistencia interna vale cero. En las siguientes
figuras se muestra una serie de circuitos
diseñados por el ordenador usando Workbench.
Como se puede observar, una fuente ideal de
tensión se conecta a una resistencia de carga de 1
Ω. El voltímetro marca 10 V, exactamente lo
mismo que la fuente de tensión.
Figura Fuente ideal de tensión.
Figuras Segunda aproximación.
 FUENTES DE CORRIENTE.

Una fuente de tensión continua genera una

tensión en la carga constante para diferentes
resistencias. Una fuente de corriente continua es
diferente, produce una corriente por la carga
constante para diferentes resistencias de carga.
Un ejemplo de una fuente de comente continua es
una batería con una resistencia de fuente elevada.

Simulación de una fuente de corriente con una

fuente de tensión continua y una resistencia
grande, se evidencia que la carga es constante
para las resistencias de carga pequeñas.

Figura fuente de tensión constante.

 de Thevenin: Debido a que la tensión de
Thévenin se define como la tensión que aparece
entre los terminales de la carga cuando se
desconecta la resistencia de la carga también se
puede denominar tensión en circuito abierto.

Fuente de corriente constante: La

definición está enfocada especialmente
con circuitos semiconductores.

TEOREMA DE
THEVENIN.

En la teoría de circuitos eléctricos, el

teorema de Thévenin establece que si TEOREMA DE NORTON.
una parte de un circuito eléctrico lineal
está comprendida entre dos terminales A El teorema de Norton, que se aplica a circuitos
y B, esta parte en cuestión puede eléctricos, establece que un circuito lineal con dos
sustituirse por un circuito equivalente terminales a y b, se puede reemplazar por otro
que esté constituido únicamente por un completamente equivalente, que consta de una
generador de tensión en serie con una fuente de corriente llamada INo conectada en
resistencia, de forma que al conectar un paralelo con una resistencia RNo
elemento entre los dos terminales A y B,
la tensión que queda en él y la intensidad
que circula son las mismas tanto en el
circuito real como en el equivalente.

Definición de la tensión y resistencia

 Detección de Averías: significa descubrir por
qué un circuito no está comportándose como
debería. Las avenas más comunes son los
circuitos abiertos y 1os cortocircuitos.
Dispositivos como los transistores pueden quedar
en circuito abierto y en cortocircuito de muchas
maneras. La superación del límite de potencia
máxima de un transistor es una de las formas de
Relación entre el circuito de Norton y
destruirlo.
el circuito de Thevenin: sabemos que la
resistencia Thevenin y Norton son de
igual valor, pero de diferente
localización: la resistencia Thevenin está
en serie con fuentes de tensión, y la
resistencia Norton está en paralelo con
fuentes de comente.
 CAPITULO 2.
CONDUCTORES.
Material que permite que la corriente fluya.
• Ejemplos: cobre, plata, oro.
• Los mejores conductores tienen un
electrón de valencia.
Estructura atómica del cobre
• Núcleo y orbitales internos.
• El orbital exterior o de valencia controla
las propiedades eléctricas.
• La parte interna del átomo de cobre tiene
una carga neta de + 1.
Parte Interna del Cobre
Electrón libre
• La atracción entre la parte interna del átomo y el
electrón de valencia es débil.
• Una fuerza externa puede fácilmente arrancar un
electrón libre de un átomo
SEMICONDUCTORES
Un elemento con propiedades eléctricas entre las de
un conductor y las de un aislante
Ejemplos de semiconductores
• Los semiconductores tienen normalmente 4
electrones de valencia.
• Germanio.
• Silicio.
Germanio: El germanio es un ejemplo de
semiconductor. Tiene cuatro electrones en su
orbital de valencia. Hace unos años el germanio
era el único material adecuado para la fabricación
de dispositivos de semiconductores.
Silicio: Después del oxígeno, el silicio es el
elemento más abundante de la tierra. Sin
embargo, existieron algunos problemas que
impidieron su uso en los primeros días de los
semiconductores.
 Cristales de Silicio:
El Hueco: La temperatura ambiente es la
• La energía térmica crea algunos temperatura del aire circundante. Cuando dicha
electrones libres y huecos. temperatura es mayor que el cero absoluto (-273
• Otros electrones libres y huecos se °C), la energía térmica del aire circundante hace
recombinan. que los átomos en un cristal de silicio vibren
• La recombinación puede durar desde dentro del cristal.
unos pocos nanosegundos hasta
varios microsegundos.
• El tiempo entre la creación y la
recombinación de un electrón libre y
un hueco es el tiempo de vida.

Enlaces Covalentes: Cada átomo vecino

comparte un electrón con el átomo central. De
esta forma, el átomo central parece tener 4
electrones adicionales, sumando un total de 8
electrones en su orbital de valencia.

Saturación de Valencia: Cada átomo en un

cristal de silicio tiene 8 electrones en su
orbital de valencia. Estos 8 electrones
producen una estabilidad química que da
como resultado un cuerpo compacto de
material de silicio.
 SEMICONDUCTORES
INTRÍNSECOS
Un elemento con propiedades eléctricas entre
las de un conductor y las de un aislante.
• Es un semiconductor puro.
• Un cristal de silicio es intrínseco si todo
el átomo del cristal es un átomo de
silicio.
• Existen dos tipos de flujo de corriente:
electrones y huecos.
propiedades conductividad eléctrica.
• Un semiconductor dopado es un
semiconductor extrínseco.
Aumento del número de electrones libres: El
primer paso consiste en fundir un cristal puro de
silicio para romper los enlaces covalentes y
cambiar el estado del silicio de sólido a líquido.
Con el fin de aumentar el número de electrones
libres, se añaden átomos pentavalentes a1 silicio
fundido.
Aumento del número de huecos: ¿Cómo dopar
un cristal de silicio para obtener un exceso de
huecos? La respuesta es utilizando una impureza
trivalente; es decir, una impureza cuyos átomos
tengan sólo 3 electrones de valencia, como, por
ejemplo, el aluminio, el boro o el galio.

DOPAJE DE UN
SEMICONDUCTOR
Un elemento con propiedades eléctricas entre
las de un conductor y las de un aislante.
• Un semiconductor puede doparse para tener
un exceso de electrones libres o de huecos.
• Los dos tipos de semiconductores dopados
son el tipo n y el tipo p.

• Adición de impurezas a un cristal

intrínseco para alterar sus
 EL DIODO NO
POLARIZADO.

Un diodo no polarizado tiene una zona de

deplexión en la unión pn. Los iones en esta
zona de deplexión producen una barrera de
potencial. A temperatura ambiente, esta
barrera de potencial es aproximadamente de
0,7 V para un diodo de silicio y 0,3 V para un
diodo de germanio.
Si la tensión aplicada es mayor que la barrera
Zona de deplexión: tienden a dispersarse en
de potencial, el diodo conduce.
cualquier dirección. Algunos electrones libres
se difunden atravesando la unión. Cuando un
electrón libre entra en la región “p” este se
POLARIZACIÓN INVERSA.
convierte en un portador minoritario.
Cuando una tensión externa refuerza la barrera
de potencial, el diodo está polarizado en inversa.
La anchura de la zona de deplexión aumenta al
incrementarse la tensión inversa. La corriente es
aproximadamente cero.

Esto da lugar a una región en la unión que se

vacía de portadores y actúa como un aislante.

POLARIZACIÓN
DIRECTA.

Cuando una tensión externa se opone a la

barrera de potencial, el diodo está polarizado
en directa. Si la tensión aplicada es mayor que La zona de deplexión se reestablece y el diodo
la barrera de potencial, la comente es grande. no conduce, se corta.
Es decir, la comente circula con facilidad en
un diodo polarizado en directa.
 RUPTURA. electrón salte a un orbital de mayor energía (más
alto).
Es una tensión inversa demasiado grande • Cuanto más alejados están los electrones del
producirá el efecto Zener o de avalancha. Así núcleo, mayor es su energía potencial.
pues, una gran corriente de ruptura destruirá • Cuando un electrón cae en un orbital más bajo,
el diodo. En general, los diodos no deben pierde energía en forma de calor, luz y otras
trabajar en la zona de ruptura. La única radiaciones.
excepción es el diodo Zener. • Un LED es un ejemplo en el que parte de la
energía potencial se convierte en luz.
• Los diodos no pueden soportar los
valores extremos de la polarización
inversa.
• Cuando la polarización inversa es alta,
se produce una avalancha de portadores
debida al rápido movimiento de los
portadores minoritarios.
• El rango típico de los valores de
disrupción va desde 50 voltios hasta
1000 voltios.

NIVELES DE
ENERGÍA.

Cuanto mayor es la orbital, mayor es el nivel

de energía de un electrón. Si una fuerza
externa eleva un electrón a un nivel de energía
superior, el electrón emitirá energía cuando
regresa a su orbital original.

• Es necesaria energía extra para que un

 LA BARRERA DE
ENERGÍA.
La barrera de potencial de un diodo parece
una barrera de energía. Los electrones que
intentan atravesar la unión necesitan tener
suficiente energía para escalar esta barrera.
Una fuente de tensión externa que polariza el
diodo en directa da a los electrones la energía
suficiente para pasar a través de la zona de
deplexión.
• Es la barrera de potencial de un diodo.
• Los electrones necesitan energía
suficiente para atravesar la unión.
• Una fuente de tensión externa que
polarice en directa al diodo proporciona
dicha energía.
El lado p de una unión pn tiene átomos
trivalentes con una carga interna de +3. Esta
parte interna atrae menos electrones que una
parte interna con una carga de +5.
BARRERA DE POTENCIAL Y
TEMPERATURA.
Cuando la temperatura de la unión se
incrementa, la zona de deplexión se hace más
estrecha y la barrera de potencial decrece.
Decrecerá aproximadamente 2 mV por cada
grado Celsius de incremento de temperatura.
• La temperatura de la unión es la temperatura
interna del diodo, justo en la unión pn.
• Cuando un diodo está en conducción, su
temperatura de la unión es mayor que la
temperatura ambiente.
• Para temperaturas de la unión elevadas existe
una barrera de potencial menor.
• La barrera de potencial disminuye 2 mV por
cada grado Celsius de aumento.
 DIODO
POLARIZADO EN
INVERSA.

Hay tres componentes en la comente inversa

de un diodo. Primera, la comente transitoria
que ocurre cuando la tensión inversa cambia.
Segunda, la corriente de portadores
minoritarios, también llamada corriente de
saturación porque es independiente de la
tensión inversa. Tercera, la comente
superficial de fugas. Se incrementa cuando
crece la tensión inversa.

• Se genera una corriente transitoria

cuando la tensión inversa varía.
• Is, la corriente de saturación o de los
portadores minoritarios, se duplica por
cada incremento de temperatura de 10
grados Celsius. No es proporcional a la
tensión inversa.
• La superficie de un cristal no tiene
enlaces covalentes completos. Los
huecos que resultan producen una
corriente superficial de fugas que es
directamente proporcional a la tensión
inversa.
CAPITULO 3.
TEORIA DE LOS DIODOS.
Un diodo es un dispositivo no lineal. La tensión
umbra1 es aproximadamente 0,7 V para un
diodo de silicio, donde la curva directa gira
hacia arriba. La resistencia interna es la
resistencia ohmica de las zonas p y n. Los
diodos tienen una comente en polarizaci6n
directa mixima y una limitacidn de potencia.

Circuito Básico del Diodo: En este circuito el

diodo está polarizado en directa. lo sabemos
porque el terminal positivo de la batería está
conectado al lado p del diodo a travCs de una
resistencia, y el terminal negativo esti conectado
a1 lado n. Con esta conexión, el circuito está
tratando de empujar huecos y electrones libres
hacia la unión.
 Resistencia Interna: Para tensiones mayores
que la tensión umbral, la corriente del diodo
crece rápidamente, lo que quiere decir que
aumentos pequeños en la tensión del diodo
originarán grandes incrementos en su corriente.

Zona Directa: es posible medir la tensión en Disipación de potencia: Se puede calcular la

el diodo y la comente que lo atraviesa. disipación de potencia de un diodo de la misma
También se puede invertir la polaridad de la forma que se hace para una resistencia. Es igual
fuente de tensión continua y medir la corriente al producto de la tensión del diodo y la corriente.
y la tensión del diodo polarizado en inversa.

Tensión umbral: En la zona directa la

tensión a partir de la cual la corriente empieza
a incrementarse rápidamente y se denomina
tensión umbral del diodo, que es
igual a la barrera de potencial.
 diodo es mayor de este valor, se cierra el
interruptor.
EL DIODO IDEAL.

Ésta es la primera aproximación para un

diodo. El circuito equivalente es un
interruptor que se cierra cuando está
polarizado en directa y se abre cuando lo está
en inversa.

LA TERCERA APROXIMACIÓN.

Rara vez la utilizamos porque, normalmente, la

resistencia interna es suficientemente pequeña y
se puede ignorar. En esta aproximación,
visualizamos el diodo como un interruptor en
serie con una tensión umbral y una resistencia
interna.

LA SEGUNDA APROXIMACIÓN.

En esta aproximación visualizarnos un

diodo de silicio como un interruptor en
serie con con una tensión umbral de 0,7
V. Si la tensión de Thevenin que ve el
 Cuando se sabe de antemano como debe
responder una variable dependiente ante
cambios de una variable independiente, sería
más fácil tener éxito en la búsqueda de averías,
análisis y diseño.

DETECCIÓN DE AVERÍAS.

Cuando se sospecha que el problema esto en

un diodo, se emplea un óhmetro para verificar
su resistencia en cada sentido. Deberá
obtenerse una resistencia pequeña en un
sentido y una resistencia elevada en el sentido
opuesto, al menos en una relación de 1 a
1.000. Es importante recordar utilizar un
fondo de escala de resistencias altas para
evitar dañar el diodo.

COMO LEER UNA HOJA DE

ANÁLISIS DE VARIABLES CARACTERÍSTICAS.
DEPENDIENTES.
Las hojas de características son útiles para los
En este tipo de análisis no hacen falta diseñadores de circuitos y lo pueden ser para un
cálculos. Todo lo que se busca aumentar, reparador técnico a la hora de seleccionar el
disminuir o sin cambios. dispositivo sustituto que a veces se requiere. Las
hojas de características de diferentes fabricantes
 contienen información similar, pero
algunas veces usan diferente
simbología para indicar distintas
condiciones.

Tensión inversa de ruptura: La tensión de

ruptura es un parámetro de los diodos que
definen el máximo voltaje inverso que se
puede aplicar sin que se cause un incremento
exponencial de la corriente en el diodo.
Corriente Inversa Máxima: Otra informaci6n
de la hoja de características que vale la pena
analizar es la siguiente:

Corriente máxima en polarización

directa: Indica que el 1N4001 puede
soportar hasta 1 A con polarización
directa cuando se le emplea como
rectificador. Esto es, 1 A es el nivel de
COMO CALCULAR RESISTENCIAS
corriente con polarización directa para
INTERNAS.
el cual el diodo se quema debido a una
disipación excesiva de potencia
Se necesitan dos puntos en la zona directa de la
tercera aproximación. Un punto puede ser 0,7 V
con corriente 0. El segundo proviene de la hoja de
características a corrientes altas donde se
especifica una tensión y una
corriente.

Caída en tensión: Cuando el diodo

se encuentra polarizado directamente,
quiere decir que el ánodo está conectado
al borne positivo (+) de la batería y el
cátodo está conectado al borne negativo
(-); por lo tanto, la corriente que fluye es
la corriente de recombinación.
 Resistencia con polarización Inversa:

RECTAS DE CARGA.

La corriente y la tensión en un circuito con un

diodo tendrá que satisfacer tanto la curva del
diodo como la ley de ohm para la resistencia de
RESISTENCIA EN CONTINUA DE
carga. Estos son dos requisitos diferentes que
UN DIODO.
gráficamente se traducen en la intersección de la
curva del diodo con la recta de carga.
La resistencia en continua es igual a la tensión
del diodo dividida por la comente en algún
punto de la curva de funcionamiento. Esta
resistencia es la que medirá un óhmetro. La
resistencia en continua tiene limitadas
aplicaciones, aparte de comentar que es
pequeña en polarización directa y grande en
inversa.

Resistencia con polarización directa:

 DIODOS
DE MONTAJE SUPERFICIAL.
Se pueden encontrar en cualquier parte donde
haya necesidad de una aplicación con diodos.
pueden buscar pistas impresas en el circuito,
comprobar el esquema eléctrico o consultar el
libro de características del fabricante.

Los diodos SM son pequeños, eficientes, y

relativamente fáciles de comprobar, sacar y
cambiar de una placa de circuito impreso.
Aunque existen varios estilos de encapsulado
para montaje en superficie, dos estilos básicos
dominan la industria.

Actualmente no existen marcas

estandarizadas para indicar cuales son
los terminales que se usan para el ánodo
y el cátodo. Para determinar las
conexiones internas del diodo se