Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja señal con

JFET

Entregado por el estudiante:

Luis Andrés Ramos

Código: 94391765

Grupo: 243006-28

Presentado a:

ING. John Jairo Leiva

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTSANCIA

UNAD
ELECTRÓNICA ANÁLOGA

Bugalagrande (Valle del cauca) 22 de mar. de 2020

Fase 2 - Presentar solución al problema del amplificador de baja
señal con JFET

Suponga que trabaja para una compañía que diseña, prueba, fabrica y
comercializa instrumentos electrónicos. Su segunda asignación es
presentar trabajando en equipo con cuatro compañeros, una solución
llamada amplificador de baja señal con JFET, el cual permite restaurar
señales débiles en los diferentes circuitos de transmisión y recepción de
información las especificaciones dadas para el diseño son las siguientes:

Señal de entrada: 300mV a 1Khz.

Referencia del JFET: J201
ID= 327uA, VD= 4.6V, VGS (off)= -1.5V, VCC= 20V.

De catálogo se tiene que: IDSS puede Variar de 1mA a 100mA… para

este diseño se trabajara IDSS=3mA.

El equipo de trabajo cuenta con 3 semanas para presentar un informe a

la empresa, en él mismo, es obligatorio se evidencie una
fundamentación teórica, una argumentación y la validación de la
solución. Además, de ser aprobada la propuesta, se deberá realizar una
implementación real y para ello se contará con acceso a los laboratorios.

Actividades a desarrollar

Individuales:

1. Fundamentación Teórica.
(Primera Semana)
 Figura No. 1. Diagrama Esquemático del Amplificador
Fuente Autor.

1.1. Luego de la lectura de los recursos educativos requeridos para la

Unidad 2, Cada estudiante debe describir con sus propias
palabras la teoría de funcionamiento del circuito anterior.

Argumentación.

(Segunda Semana).

Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

1.1 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los

siguientes cálculos.
 -Estudiante 1:
a.) Calcular la resistencia del drenaje RD.
-Estudiante 2:
b.) Calcular la resistencia del drenaje RS.
-Estudiante 3:
c.) Cual es el tipo de polarización del JFET y explique porque el
valor de RG debe ser alto?
-Estudiante 4:
d.) Calcular la reactancia capacitiva de los condensadores de
acople.
-Estudiante 5:
e.) Calcular la ganancia de voltaje AV.

2. Solución.
(Tercera semana)

2.1 Presentar la simulación del amplificador de baja señal con JFET

propuesto en la que se evidencie el correcto funcionamiento y las
siguientes mediciones.

- Amplitud de la señal de salida usando el Osciloscopio.

- Valor de VGS.
- Valor de VDS.
- Valor de VGD.
- Valor de la corriente ID.
Segunda práctica

Luego de presentada la solución el equipo debe de elaborar una lista de

componentes comerciales y comprarlos para llevarlos al laboratorio y
realizar el montaje físico del amplificador de baja señal con JFET.
Por favor remítase a la guía de componente práctico ubicada en el
entorno de aprendizaje práctico del curso.

Colaborativas:

Consolidación grupal

 Luego de que cada integrante realice sus aportes individuales se da

inicio a la consolidación del informe grupal donde el equipo deberá
decidir democráticamente cual es la fundamentación teórica, la
Argumentación y la solución que presentaran finalmente.

 Se debe anexar en el informe grupal pantallazos de las

participaciones de los estudiantes que integran el equipo de trabajo.

Consideraciones

- Estudiante que no aporte no debe ser incluido en el informe grupal.

DESARROLLO:

Teoría: El (JFET) Transistor de efecto de campo de unión, es un tipo de FET que

opera mediante una unión (pn), polarizada en inversa para controlar corriente en
un canal. Según su estructura los JFET caen el cualquiera de las dos categorías
del canal (n) o del canal (p).

Parte interna composición.

Conexión.

Como se muestra en la figura es la polarización de un JFET de canal (n) V DD

genera un voltaje entre el drenaje y la fuente y suministra corriente del drenaje a la
fuente. V ¿ establece el voltaje de polarización en inversa entre la compuerta y la
fuente. El JFET siempre opera con la unión (pn) de compuerta –fuente polarizada
en inversa La polarización en inversa de la unión de compuerta –fuente con voltaje
negativo en la compuerta produce una región de empobrecimiento a lo largo de la
unión (pn) la cual se extiende hacia el canal (n) y por lo tanto incrementa su
resistencia al restringir el ancho del canal y consecuentemente su resistencia se
puede controlarse variando el voltaje en la compuerta ,controlando de esa manera
la corriente en el drenaje , I D . Citado: “Dispositivos Electrónicos –FLOYD” 8th edition
by Thomas L. Floyd, published by Pearson
Education, Inc., publishing as Prentice Hall, Copyright © 2008. All rights reserved.

1.1 R/ A diferencia de los transistores ya antes vistos (BJT) los JFET son
llamados también fuentes de corrientes controladas por voltaje, son más eficientes
en el trabajo y aplicaciones son más rápidos, y tienen mejor relación señal ruido
de trabajo ósea menos ruido como podemos observar en este circuito está
configurado para amplificar y no para ser interruptor puesto que tiene una señal
pequeña, dicha señal se acopla por medio del capacitor (C1)

el transistor JFET, se encuentra polarizado y está configurado en auto

polarización esto se deduce ya que solo cuenta con una fuente de alimentación de
aproximadamente 20 V la cual cumple la función de mantener el circuito activo,
cuenta con un receptor de señal que va conectado al dispositivo transistor para su
aplicación de la señal este cuenta con una resistencia de drenaje “RD” una de
compuerta “RG” y una de fuente “RS”. Con el fin de regular su funcionamiento en
este caso de amplificador de baja señal.
 La resistencia RG cumple con la función que la señal no circule por la tierra es
decir no se pierda, y la lleve al transistor, esta resistencia por lo general es de un
gran tamaño para simular a la señal la tierra, obteniendo una señal sin distorsión.
Cuando la señal ingresa al JFET, este debe de estar activo esto se debe a la
actuación de la RS que en conjunto con RG hacen que el transistor este activo y
se comporte como si estuviera conectado a tierra para mantener la operatividad de
este mediante el valor de VSG, que al final va a ser quien regule su
funcionamiento y comportamiento en sus tres zonas dependiendo de cuál sea su
valor dependerá su salida. Región de amplificación o (Activa), y las otras dos
debido a su estado de interruptor serian corte y saturación. Ya tenido nuestra
señal amplificada por medio del condensador condensadores (C2) desacoplamos
la señal de corriente continúa

asegurando que no pase ningún ruido teniéndola ya en una carga (R4) en este
punto se podría observar la señal de salida Vs la de entrada comprobando su
amplitud y el estado de funcionamiento del circuito como amplificador y c3
Dadas Las Fórmulas:

RD = (VCC – VD) / ID VGS = - ID∙ RS AV = -Gm∙ RD

RS = VGS (off) / IDSS RG = Entre 1 y 2 MΩ Gm = ID / VGS

2.2 Argumentar matemáticamente el diseño presentado realizando los

siguientes cálculos.
C: Cual es el tipo de polarizacion del JFET y explique por que el valor de
RG debe ser alto?.
R/ Como observamos esta configuracion como amplificador la polarizacion del
transistor JFET es auto polarizacion poniendo el transistor en en la zona de trabajo
deseada sin tener distorcion ,solo es necesario de una fuente de alimentacion, y
de una entrada de señal (voltaje) inverzo para su funcionamiento medainte una
resistencia denominada( RS),la cual va a polarizar la compuerta un voltaje VGS
que estara presente en el transistor el regulara cuanto sera la corriente de drenaje
denominada ( I D ) siendo igual ala corriente suministrada por la fuente.La
resistencia (RG) esta dada en el orden de los mega Ohmios seleccionada
principalmente para que los circuitos de amplificacion asegurando con esta que
se conserve su impedancia de entrada del transistor, siendo esta resistencia tan
alta se simula la tierra y la señal no se pierda.