UNIVERSIDAD ANTONIO NARIÑO

Ingeniería Electromecánica

Física del estado solido

Guía # 6

David Fernando Murcia

11130914429

Bogotá D.C. octubre 2011

 Guía # 6

1. Que es el estado sólido? interacciones Van Der Waals y enlace químico

- Es la rama de la física que estudia de la materia rígida, o sólidos. Estu-

dia las propiedades físicas de los materiales sólidos utilizando discipli-
nas tales como la mecánica cuántica, la cristalografía, el electromagne-
tismo y la metalurgia física.
- Van Der Waals son fuerzas de atracciones entre átomos, moléculas, y
superficies. Difieren del enlace covalente y del enlace iónico en que es-
tán causados por correlaciones en las polarizaciones fluctuantes de
partículas cercanas (una consecuencia de la dinámica cuántica). Las
fuerzas intermoleculares tienen cuatro contribuciones importantes. En
general, un potencial intermolecular tiene un componente repulsivo
(que evita el colapso de las moléculas debido a que al acercarse las
entidades unas a otras las repulsiones dominan). También tiene un
componente atractivo que, a su vez, consiste de tres contribuciones
distintas:

La primera fuente de atracción es la interacción electrostática, también

denominada interacción de Keesom o fuerza de Keesom, en honor a
Willem Hendrik Keesom.

La segunda fuente de atracción es la inducción (también denominada

polarización), que es la interacción entre un ultipolo permanente en una
molécula, con un multipolo inducido en otra. Esta interacción se mide
algunas veces en debyes, en honor a Peter Debye.

La tercera atracción suele ser denominada en honor a Fritz London que

la denominaba dispersión. Es la única atracción experimentada por áto-
mos no polares, pero opera entre cualquier par de moléculas, sin im-
portar su simetría.

- Los enlaces químicos son las sustancias que encontramos en la natu-

raleza están formadas por átomos unidos. Las intensas fuerzas que
mantienen unidos los átomos en las distintas sustancias se denominan
enlaces químicos.

Los átomos se unen porque, al estar unidos, adquieren una situación

más estable que cuando estaban separados; Esta situación de mayor
estabilidad suele darse cuando el número de electrones que poseen los
átomos en su último nivel es igual a ocho, estructura que coincide con
la de los gases nobles.
 Los gases nobles tienen muy poca tendencia a formar compuestos y
suelen encontrarse en la naturaleza como átomos aislados. Sus áto-
mos, a excepción del helio, tienen 8 electrones en su último nivel. Esta
configuración electrónica es extremadamente estable y a ella deben su
poca reactividad.

Tipos de enlaces

- enlace iónico, enlace covalente y enlace metálico. Estos enlaces, al

condicionar las propiedades de las sustancias que los presentan, per-
miten clasificarlas en: iónicas, covalentes y metálicas o metales

2. DEFINA CONDUCTIVIDAD ELECTRICA, QUE PLANTEA LA LEY DE

OHM EN FORMA ESACALAR Y VECTORIAL, QUE FACTORES
INFLUYEN EN LA CONDUCTIVIDAD

Es la capacidad que tienen el medio (que por lo general contiene las sales
inorgánicas en solución o electrolitos) para conducir la corriente eléctrica. El
agua pura, prácticamente no conduce la corriente, sin embargo el agua con
sales disueltas conduce la corriente eléctrica. Los iones cargados positiva y
negativamente son los que conducen la corriente, y la cantidad conducida
dependerá del número de iones presentes y de su movilidad. En la mayoría
de las soluciones acuosas, entre mayor sea la cantidad de sales disueltas,
mayor será la conductividad.

En su forma vectorial, la Ley de Ohm es: J = σ E

J= es la densidad de corriente (o corriente por unidad de área)

σ = es la conductividad del medio

E = la intensidad del campo eléctrico.

También se puede enunciar como J = E / ρ; en este caso, ρ representa la re-

sistividad del medio. Obviamente, σ = 1/ρ. Esta ρ es la misma ρ que figura en
la conocida expresión R = ρ L / A, que da la resistencia de un conductor en
función de su longitud, sección transversal, y resistividad. En consecuencia,
es claro que R = L / σA, como también aparece por ahí en los textos de elec-
tricidad. Tomando el inverso multiplicativo de ambos, tenemos entonces que
1/R = σA / L.
Como seguramente no desconoces, la Ley de Ohm establece que I = V / R.
En este punto, conviene recordar que, por definición, I = ∫ J • da, y que V = ∫
E • dl. Consideremos el caso de un conductor cuya resistividad es ρ. Eviden-
temente, la conductividad del mismo material es σ. Se da por entendido que
el material es homogéneo. Siendo así, la densidad de corriente J será la mis-
ma en toda la sección A del conductor, además de ser en cualquier punto
perpendicular a la sección. En este punto, cabe recordar que da, la diferen-
cial de área, es un vector cuya dirección es normal a la superficie. Esto signi-
fica que tanto J como da tienen la misma dirección; por tanto, I = J ∫ da = J A.
Pero, si J = σ E, entonces también I = σ E A = σ A E. Por su parte, y de ma-
nera análoga, el campo eléctrico E es uniforme en toda la longitud del con-
ductor; además, como J = σ E, es obvio que E tiene la misma dirección que
J, y, también, que da y dl. En vista de lo anterior, V = E ∫ dl = E L. Si ahora
multiplicamos y dividimos la expresión σ A E por el mismo factor L, su valor
no se altera, y continúa siendo igual a I:

I = σ A E = σ A E L / L = (σ A / L) E L = (σ A / L) V.

Pero σ A / L, como ya vimos antes, es igual al inverso de R. Por consiguien-

te, I = V / R.

FACTORES QUE INFLUYEN EN LA CONUCTIVIDAD

Conductividad en diferentes medios

Los mecanismos de conductividad difieren entre los tres estados de la mate-

ria, en los sólidos los átomos como tal no son libres de moverse y la conduc-
tividad se debe a los electrones. En los metales existen electrones cuasi-li-
bres que se pueden mover muy libremente por todo el volumen, en cambio
en los aislantes, muchos de ellos son sólidos iónicos, apenas existen electro-
nes libres y por esa razón son muy malos conductores.

Conductividad en medios líquidos

La conductividad en medios líquidos (Disolución) está relacionada con la pre-

sencia de sales en solución, cuya disociación genera iones positivos y nega-
tivos capaces de transportar la energía eléctrica si se somete el líquido a un
campo eléctrico. Estos conductores iónicos se denominan electrolitos o con-
ductores electrolíticos. Las determinaciones de la conductividad reciben el
nombre de determinaciones conductométricas y tienen muchas aplicaciones
como, por ejemplo:
 En la electrólisis, ya que el consumo de energía eléctrica en este proceso
depende en gran medida de ella.
 En los estudios de laboratorio para determinar el contenido de sales de
varias soluciones durante la evaporación del agua (por ejemplo en el agua
de calderas o en la producción de leche condensada).
 En el estudio de las basicidades de los ácidos, puesto que pueden ser de-
terminadas por mediciones de la conductividad.
 Para determinar las solubilidades de electrólitos escasamente solubles y
para hallar concentraciones de electrólitos en soluciones por titulación.

Conductividad en medios sólidos

Según la teoría de bandas de energía en sólidos cristalinos, son materiales

conductores aquellos en los que las bandas de valencia y conducción se su-
perponen, formándose una nube de electrones libres causante de la corriente
al someter al material a un campo eléctrico. Estos medios conductores se de-
nominan conductores eléctricos. La Comisión Electrotécnica Internacional
definió como patrón de la conductividad eléctrica:

Un hilo de cobre de 1 metro de longitud y un gramo de masa, que da una re -

sistencia de 0,15388 Ω a 20 °C al que asignó una conductividad eléctrica de
100% IACS (International Annealed Cooper Standard, Estándar Internacional
de Cobre no Aleado). A toda aleación de cobre con una conductividad mayor
que 100% IACS se le denomina de alta conductividad (H.C. por sus siglas in-
glesas).

Medición de la conductividad

La conductividad eléctrica es el recíproco de la resistencia en ohms, medida

entre las caras opuestas de un cubo de 1.0 cm de una solución acuosa a una
temperatura especificada. Esta solución se comporta como un conductor
eléctrico donde se pueden aplicar las leyes físicas de la resistencia eléctrica.

Las unidades de la conductividad eléctrica son el Siemens/cm (las unidades

antiguas, eran los mhos/cm que son numéricamente equivalentes al S/cm).

En la práctica no se mide la conductividad entre electrodos de 1 cm3 sino

con electrodos de diferente tamaño, rectangulares o cilíndricos, por lo que al
hacer la medición, en lugar de la conductividad, se mide la conductancia, la
cual al ser multiplicada por una constante ( k ) de cada celda en particular, se
transforma en la conductividad en S/cm. Conductividad = Conductancia de la
muestra * k

k = d/A

k: Constante de la celda
d: distancia de la separación de los electrodos

A: Área de los electrodos

Así, un electrodo de 1 cm de separación y con área de 1 cm, tendrá una k =

1

La medición eléctrica se efectúa mediante un instrumento denominado con-

ductímetro que consiste en un [[puente de Wheastone para medir resisten-
cias. Las resistencias R1 y R2 son fijas y su valor va de acuerdo al intervalo
de conductividad que se pretende medir. La resistencia Rx es la que propor-
ciona la solución a la cual se le va a medir la conductividad. La resistencia
R3 se varía en forma continua hasta poner en equilibrio el puente, de tal for-
ma que no pase corriente hacia el medidor.

Factores que influyen en la medición

 La exposición de la muestra al aire atmosférico, puede causar cambios en

la conductividad, debido a pérdida o ganancia de gases disueltos, en es-
pecial el CO2. Esto es especialmente importante para aguas de alta pure-
za, con concentraciones bajas de gases y sustancias ionizables. Para evi-
tar esto se debe tener una atmósfera inerte de nitrógeno o helio sobre la
muestra.

 Sustancias no disueltas o materiales que precipiten lentamente en la

muestra, pueden causar ensuciamiento en la superficie de los electrodos y
causar lecturas erróneas.
 El ensuciamiento por sustancias orgánicas, bioensuciamientos y corrosión
de los electrodos, causan lecturas inestables o erróneas.
 El factor de correlación para obtener los valores cuantitativos de los sóli-
dos totales disueltos solo es válido cuando la muestra tiene un pH entre 5
y 8, a valores mayores o menores de pH, los resultados no serán confia-
bles. Se tendrá que ajustar el valor del pH a cerca de 7.0 utilizando un áci-
do o una base débil según sea necesario.

3. DESCRIBA LAS CARACTERISTICAS DE LOS CONDUCTORES

IONICOS,ELECTRONICOS, SUPERCONDUCTORES,
SEMICONDUCTORES,
DESCRIBA LAS PROPIEDADES DIELECTRICAS DE LOS MATERIALES
COMO SE FORMAN LAS UNIONES PN Y NP EN UN CRISTAL,
DESCRIBA LAS PROPIEDADES INTRINSECA Y EXTRINSECAS DE
ESTOS MATERIALES

PROPIEDAD INTRÍNSECA

Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado

puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro
de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los
electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual
a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda
de conducción.

Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento

semiconductor intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y
varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la
atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos electrones
libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de
la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se
estimule con el paso de una corriente eléctrica.

Estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta solamente

por átomos de silicio (Si) que forman una celosía. Como se puede observar
en la ilustración, los átomos de silicio (que sólo poseen cuatro electrones en
la última órbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente
para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor.
En esas condiciones el cristal de silicio se comportará igual que si fuera un
cuerpo aislante.

PROPIEDAD EXTRÍNSECA

Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le

introduce cierta alteración, esos elementos semiconductores permiten el
paso de la corriente eléctrica por su cuerpo en una sola dirección. Para hacer
posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los
átomos de silicio o de germanio con pequeñas cantidades de átomos de
otros elementos o "impurezas".

Generalmente los átomos de las “impurezas” corresponden también a

elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones
en su última órbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco
electrones también en su última órbita [como el antimonio (Sb) o el arsénico
(As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en
semiconductores “extrínsecos” y serán capaces de conducir la corriente
eléctrica.

En la actualidad el elemento más utilizado para fabricar semiconductores

para el uso de la industria electrónica es el cristal de silicio (Si) por ser un
componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada
para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los
materiales más abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria
el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20
y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo. Ver figura a
continuación.

4. DESCRIBA EL FUNCIONAMIENTO DE UN SEMICONDUCTOR

A un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o

corriente eléctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por
el movimiento de electrones libres que saltan a la “banda de conducción” y
otro por el movimiento de los huecos que quedan en la “banda de valencia”
cuando los electrones saltan a la banda de conducción.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina

del elemento semiconductor, notaremos que mientras los electrones se
mueven en una dirección, los huecos o agujeros se mueven en sentido
inverso. Por tanto, el mecanismo de conducción de un elemento
semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un
sentido y cargas positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto.
Ese mecanismo de movimiento se denomina "conducción propia del
semiconductor", que para las cargas negativas (o de electrones) será
"conducción N", mientras que para las cargas positivas (de huecos o
agujeros), será "conducción P".

5. QUE ES CRISTALOGRAFIA, ESTADOS CRISTALINOS, DESCRIBA LOS

ELEMENTOS DE LA CRISTALOGRAFIA O SIMETRIAS,COMO SE DA LA
CRISTALIZACION DE LOS SOLIDOS, Y SUS REDES CRISTALINAS,
DESCRIBA ESTOS SISTEMAS CRISTALINOS Y EJEMPLIFIQUE

Es la ciencia que se dedica al estudio y resolución de estructuras cristalinas.

La mayoría de los minerales adoptan formas cristalinas cuando se forman en
condiciones favorables. La cristalografía es el estudio del crecimiento, la
forma y la geometría de estos cristales.
La disposición de los átomos en un
cristal puede conocerse por
difracción de los rayos X.

Cuando las condiciones son favorables, cada elemento o compuesto químico

tiende a cristalizarse en una forma definida y característica. Así, la sal tiende
a formar cristales cúbicos, mientras que el granate, que a veces forma
también cubos, se encuentra con más frecuencia en dodecaedros o
triaquisoctaedros. A pesar de sus diferentes formas de cristalización, la sal y
el granate cristalizan siempre en la misma clase y sistema.

En teoría son posibles treinta y dos clases cristalinas, pero sólo una docena
incluye prácticamente a todos los minerales comunes y algunas clases nunca
se han observado. Estas treinta y dos clases se agrupan en seis sistemas
cristalinos, caracterizados por la longitud y posición de sus ejes. Los
minerales de cada sistema comparten algunas características de simetría y
forma cristalina, así como muchas propiedades ópticas importantes

LOS ELEMENTOS DE SIMETRIA:

CONCEPTOS DE PUNTOS DE EQUIVALENCIA

Son puntos equivalentes de la materia cristalina aquellos que presentan una
misma posición, ara un observador inmóvil en relación con los puntos veci-
nos. Cuando la materia realiza sucesivos giros reflexiones. Los puntos equi-
valentes están interrelacionados entre si por medio de ejes, centros y planos
de simetría,-elementos que son, en consecuencia, utilizados en el estudio de
la ordenación de los elementos químicos en la materia.

EJES DE SIMETRÍA DE ROTACIÓN SENCILLA

Son unos ejes ideales que hacen que, a partir de puntos ordenados de la
materia cristalina, se obtengan otros equivalentes. Implican operaciones de
giro de puntos ordenados alrededor de esos ejes. Al final de todos los gi.ros,
cuando un punto ordenado vuelve a coincidir consigo -mismo, ha tenido que
recorrer 360? En la naturaleza cristalina solo existen ejes monarios. Binarios.
Ternarios. Cuaternarios y senarios.

PLANO DE SIMETRÍA

Es un plano ideal que goza de la característica de que si cortamos un cristal

según el y colocásemos una de las mitades sobre un espejo (apoyándolo so-
bre el plano del corte).entre la Imagen real y la reflejada va--riamos el cristal
completo. En general, llamamos plano principal al perpendicular a un eje de
orden superior a dos y secundarlo a los perpendiculares a los ejes binarios o
monarios. Los planos principales se suelen representar por H y los secunda-
rios por p. ver ejemplo a continuación:

CENTRO DE SIMETRÍA
Es un punto ideal del centro de un cristal, que goza de la propiedad de que
toda recta que pase por el une puntos equivalentes, siendo equidistantes
esos puntos del centro.
Cuando en un cristal existe centro, todas las caras son paralelas dos a dos.
El centro se representa mediante una C. Si se desea estudiar una cristalo-
grafía mas completa a los elementos de simetría descritos hay que unirles
ejes de reflexión y de inversión. Estos son de ordenes 1,2,3, 4 y 6,como los
ya mencionados.

6. DESCRIBA LOS INDICES DE MILLER Y LAS REDES DE BRAVAIS,

EJEMPLIFIQUE,ESTRUCTURA DEL SÓLIDO
CRISTALINO,ESTRUCTURAS MÁS SIMPLES, DEFINICIÓN RED DE
BRAVAIS Y REDES DE BRAVAIS EN 2D,REDES DE BRAVAIS EN 3D,
CELDAS, BASE Y ESTRUCTURA,ESTRUCTURAS IMPORTANTES.
QUE ES UN ESPACIO RECÍPROCO,DE UNA DEFINICIÓN RED
RECÍPROCA,BASE RECÍPROCA Y PLANOS DE RED

INDICES DE MILLER

En el interior de un sólido cristalino existe una estructura cristalina formada

por una red espacial, en cada punto de la cual se sitúan grupos de átomos
idénticos en composición y orientación (base).
La geometría de la red espacial debe permitir que se llene todo el espacio de
átomos sin dejar huecos, característica que hace que sólo existan 14 tipos de
redes posibles (redes de Bravais), caracterizadas por una celda unitaria cada
una, que, a su vez viene definida por una serie de parámetros (a, b, c y α , β ,
γ).

Para identificar los diferentes planos y direcciones en un cristal se usan los

índices de Miller (para planos (hkl), para direcciones [hkl ]).

La orientación de una superficie de un cristal plano se puede definir

considerando como el plano corta a los ejes cristalográficos principales del
sólido. La aplicación de un conjunto de reglas conduce a la asignación de los
índices de Miller (hkl); un conjunto de números que cuantifican los cortes y
que sólo puede usarse para identificar un plano o una superficie.
El siguiente procedimiento que permite asignar índices de Miller está
simplificado y sólo sirve para el sistema cúbico (con celda unitaria de
dimensiones a x a x a ).
Para ilustrar el procedimiento, consideremos la siguiente superficie /plano:

Paso 1: identificar las intersecciones con los ejes x, y, z.

En este caso la intersección con el eje x tiene lugar en x=a y la superficie es
paralela a los ejes y, z  (consideramos que los corta en ∞). Los cortes son a,
∞, ∞.

Paso 2: especificar los cortes en coordenadas fraccionarias.

Las coordenadas se convierten en fraccionarias dividiéndolas por la
dimensión de la celda unidad. Por ejemplo un punto (x,y,z) en una celda
unidad de dimensiones a x b x c, tiene las coordenadas fraccionarias (x/a,
y/b, z/c).
En nuestro caso (celda cúbica), las coordenadas fraccionarias serán: a/a, 
∞/a,  ∞/a, es decir 1,∞, ∞.

Paso 3: obtener los recíprocos de las coordenadas fraccionarias

Este paso final genera los índices de Miller que, por convención, han de
especificarse sin estar separados por comas. Los índices se encierran entre
paréntesis () cuando se especifica una única superficie como en este
ejemplo.
Los recíprocos de 1 y ∞, son 1 y 0, respectivamente, lo que nos conduce a
(100). Por tanto el plano del dibujo es el (100) del cristal cúbico.
LAS REDES DE BRAVAIS

Son una disposición infinita de puntos discretos cuya estructura es invariante

bajo cierto grupo de traslaciones. En la mayoría de casos también se da una
invariancia bajo rotaciones o simetría rotacional. Estas propiedades hacen
que desde todos los nodos de una red de Bravais se tenga la misma
perspectiva de la red. Se dice entonces que los puntos de una red de Bravais
son equivalentes.

7. INDIQUE COMO SE DA DIFRACCIÓN POR UN CRISTAL, QUE ES

RELACIÓN DE BRAGG, Describa LA FORMULACIÓN DE LAUE, LOS
LAUEGRAMAS,EQUIVALENCIA DE LAS FORMULACIONES DE BRAGG
Y LAUE, CUALES SON MÉTODOS EXPERIMENTALES: DE LAUE,
CRISTAL GIRATORIO Y DEBYE-SCHERRER, INDIQUE EL FACTOR DE
ESTRUCTURA

Es la deformación que experimentan las ondas cuando encuentran un

obstáculo en su camino. Por ejemplo, las olas del mar se difractan si
encuentran una isla en su recorrido. Las olas son también ondas y se
“doblan” cuando algo interrumpe su paso. Cuando hay varios obstáculos hay
interferencia de ondas. A veces interferencia y difracción de rayos x se
utilizan indistintamente.
Los rayos x se pueden difractar, los minerales actúan como redes de
difracción para los rayos x, ya que el interior de los minerales son infinitos
obstáculos periódicamente dispuestos, y lo más importante para entender la
difracción de los rayos x por los minerales, la separación entre esos
obstáculos es muy parecida a la longitud de onda de los rayo x. ver figura a
continuación.
En los cristales la luz visible se refracta, es decir, en su interior la luz cambia
de velocidad. Sin embargo los rayos x no cambian de velocidad en el interior
de los cristales, al menos apreciablemente. Es decir no se refractan.
Tampoco los rayos x son reflejados por la superficie de los cristales pero si
que se absorben en función del mineral que sea. Por ello los cristales
antirradiacion tiene lomo en su composición para que la radiación no llegue e
sus personas .

En la adquisición de un diagrama de difracción de un determinado material,

este se encuentra fijo durante la exposición, siendo iluminado con el espectro
continuo del tubo de rayos X utilizado. El hecho de utilizar el espectro
continuo, implica que la longitud de onda no sea única sino que exista todo
un rango continuo de longitudes de onda que van a poder interferir con las
periodicidades d (distribuciones atómicas) que se encuentren en el material
estudiado. La red asociada al material seleccionará el ángulo theta con el
que saldrá difractado cada uno de los haces de rayos X que interfieran
constructivamente.

En la técnica de Laue los parámetros que varían en un análisis típico son la

distribución de longitudes de onda de la fuente de rayos X y los ángulos
existentes entre el haz directo y las familias de planos existentes en el cristal.
8. DESCRIBA LA DINÁMICA DE LA RED CRISTALINA, LA ECUACIÓN DE
MOVIMIENTO DEL CRISTAL, LAS CADENAS MONOATÓMICA Y BI-
ATÓMICA, ASI COMO LAS VIBRACIONES DE UN CRISTAL
TRIDIMENSIONAL.COMO SE DA LA DIFRACCIÓN EN CRISTALES
DINÁMICOS

La red cristalina está formada por iones de signo opuesto, de manera que
cada uno crea a su alrededor un campo eléctrico que posibilita que estén
rodeados de iones contrarios.

Los sólidos cristalinos mantienen sus iones prácticamente en contacto

mutuo, lo que explica que sean prácticamente incompresibles. Además,
estos iones no pueden moverse libremente, sino que se hallan dispuestos en
posiciones fijas distribuidas desordenadamente en el espacio formando
retículos cristalinos o redes espaciales. Los cristalógrafos clasifican los
retículos cristalinos en siete tipos de poliedros llama sistemas
cristalográficos. En cada uno de ellos los iones pueden ocupar los vértices,
los centros de las caras o el centro del cuerpo de dichos poliedros. El más
sencillo de éstos recibe el nombre de celdilla unidad.

Uno de los parámetros básicos de todo cristal es el llamado índice de

coordinación que podemos definir como el número de iones de un signo que
rodean a un ion de signo opuesto. Podrán existir, según los casos, índices
diferentes para el catión y para el anión.

El índice de coordinación, así como el tipo de estructura geométrica en que

cristalice un compuesto iónico dependen de dos factores:
• Tamaño de los iones. El valor del radio de los iones marcará las distancias
de equilibrio a que éstos se situarán entre sí por simple cuestión de cabida
en el espacio de la red.
• Carga de los iones. Se agruparán los iones en la red de forma que se
mantenga la electro-neutralidad del cristal. Ver figura ejemplo de red cloruro
de cesio
La ecuación de movimiento del cristal vibrando debido a la acción de una
fuerza externa dependiente del tiempo es.

9. A.DETERMINAR LOS ÍNDICES DE MILLER DE UNA CARA DEL CUBO.

Sea un cristal dado y un conjunto dado de planos cristalográficos de ese

cristal.
1) Considere un plano de ese conjunto y desde el origen de referencia. El
origen estará centrado en algún átomo.
2) Determine un plano cristalográfico paralelo al anterior que sea el mas
próximo al origen pero sin pasar por este ultimo. Este plano podría ser
el mismo plano original.
3) Calcule ordenadamente las intersecciones del plano determinado en 2)
con cada uno de los ejes de referencia.
4) Calcule los inversos de los números anteriores y póngalos entre
paréntesis. Genéricamente denominados (hkl)

B. REPRESENTAR EN EL ESPACIO DEL SISTEMA CÚBICO, LOS

PLANOS CUYOS ÍNDICES DE MILLER SON
(103), (111) Y (101) Y LAS DIRECCIONES [1,0,3], [1,1,1] Y [1,1,0].

Superficie 103

Superficie 111
 Superficie 101

C. CALCULAR Y COMPARAR LAS DENSIDADES ATÓMICAS LINEALES

DE LAS DIRECCIONES: [1, 0,0] , [1,1,0] Y [1,1,1] EN LA RED FCC Y EN
LA RED BCC.
DENSIDAD FCC BCC
1.0.0 1/a 1/a
1.1.0 2/2√2 1/2√2
1.1.1 1/a√3 2/a√3

D.CALCULAR Y COMPARAR LAS DENSIDADES ATÓMICAS

PLANARES DE LAS PLANOS CUYOS ÍNDICES DE MILLER SON: (100),
(110) Y (111) EN LA RED FCC Y EN LA RED BCC.
DENSIDAD FCC BCC
1.0.0 2/a2 1/a2

1.1.0 2/a2√2 √2/a2

1.1.1 4/√3/2 √3/6a2

E. CALCULAR EL FACTOR DE EMPAQUETAMIENTO PARA UNA CS, BCC,

FCC Y HCP.

FEA = 0.52 (CS); 0.68 (BCC); 0.74 (FCC Y HCP)