La estructura física de los sólidos es consecuencia de la disposición de

los átomos

INDICE
2.1 Cristales y su estructura……………………………………………………………………………..3

2.2 Materiales semiconductores………………………………………………………………………...8

2.3 Materiales intrínsecos y materiales extrínsecos…………………………………………………..9

2.4 Modelos de bandas de energía……………………………………………………………………..10

2.5 Distribución de Fermi-Dirac y distribución de Maxwell-Boltzman……………………………….11

2.6 Nivel de Fermi en materiales intrínsecos y extrínsecos………………………………………….13

2.7 Efecto fotoeléctrico……………………………………………………………………………………18

2.8 Materiales tipo n………………………………………………………………………………………24

2.9 Materiales tipo p………………………………………………………………………………………25

2.10 Propiedades de la unión p-n en el estado de equilibrio…………………………………………25

2.11 Polarización directa y polarización inversa……………………………………………………….29

2.12 Dispositivos opto-electrónico. ……………………………………………………………………..32

1
2.1 Cristales y su estructura
La estructura física de los sólidos es consecuencia de la disposición de los átomos, moléculas o
iones en el espacio, así como de las fuerzas de interconexión de las partículas.

Los metales, las aleaciones y determinados materiales cerámicos tienen estructuras cristalinas.

Cristales.

•      Son granos pequeños y no son observables claramente. En minerales traslucidos se pueden

apreciar mejor. La cristalografía es el estudio científico de los cristales y su formación.

•      Ejemplos: celestita(SrSO4) pirita(FeS2) amatista(SIO2)

Sólidos.
Estado amorfo: las partículas componentes del solido se agrupan al azar

•      Estado cristalino: Los átomos (moléculas o iones) que componen el sólido se disponen según
un orden regular. Las partículas se sitúan ocupando los nudos o puntos singulares de una red
espacial geométrico tridimensional.

Los átomos que pertenecen a un sólido cristalino se pueden representar situándolos en una red
tridimensional, que se denomina retículo espacial o cristalino. Este retículo espacial se puede
definir como una repetición en el espacio de celdas unitarias. La celda unitaria de la mayoría de las
estructuras cristalinas son paralelepípedos o prismas con tres conjuntos de caras paralelas Según
el tipo de enlace atómico, los cristales pueden ser de tres tipos:

a) Cristales iónicos: punto de fusión elevado, duros y muy frágiles, conductividad eléctrica baja y
presentan cierta elasticidad. Ej: NaCl (sal común)

b) Cristales covalentes: Gran dureza y elevada temperatura de fusión. Suelen ser transparentes

quebradizos y malos conductores de la electricidad. No sufren deformación plástica (es decir, al
intentar deformarlos se fracturan). Ej: Diamante

c) Cristales metálicos: Opacos y buenos conductores térmicos y eléctricos. No son tan duros como
los anteriores, aunque si maleables y dúctiles. Hierro, estaño, cobre, ...

Según la posición de los átomos en los vértices de la celda unitaria de la red cristalina existen:

a) Redes cúbicas sencillas. Los átomos ocupan sólo los

vértices de la celda unida.

b) Redes cúbicas centradas en Los átomos, además de

el cuerpo (BCC). ocupar los vértices, ocupan el

2
 centro de la celda. En este
caso cristalizan el hierro y el
cromo.

c) Redes cúbicas centradas en Los átomos, además de

las caras (FCC). ocupar los vértices, ocupan el
centro de cada cara de la
celda. Cristalizan en este tipo
de redes el oro, cobre,
aluminio,
plata, ..
.                                               

d) Redes hexagonales La celda unitaria es un prisma

compactas (HC). hexagonal con átomos en los
vértices y cuyas bases tiene
un átomo en el centro. En el
centro de la celda hay tres
átomos más. En este caso
cristalizan metales como cinc,
titanio y magnesio.

CONSECUENCIA EN LAS PROPIEDADES.

Según el tipo de enlace atómico

•      Cristales iónicos: punto de fusión elevado, duros o muy frágiles, conductividad eléctrica baja y
presentan cierta elasticidad

•      Cristales covalentes: gran dureza y elevada temperatura de fusión, suelen ser transparentes,
quebradizos y malos conductores de electricidad

•      Cristales metálicos: suelen ser opacos, buenos conductores eléctricos, no son tan duros como
los anteriores, aunque si maleables y dúctiles. 

ESTRUCTURA CRISTALINA.

Estructura cristalina cubica Estructura cristalina centrada Cristales amorfos

centrada en las caras en el cuerpo

3
 La estructura cristalina tiene
muchos materiales que
tengan una celdilla de unidad
geométrica, con los átomos
ubicados en los vértices del
cubo.
Esta estructura también tiene Se les llama así porque no
los átomos en los vértices y presentan una estructura fija,
una unidad en el centro pueden ser tanto solidos
como líquidos

DEFECTOS DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA

•      A. Vacancias: son puntos de la red vacíos

•      B. Átomos sustanciales: es cuando uno de esos átomos es diferente a los demás y recibe el
nombre de átomo sustituciones

•      Defecto de superficie

Son defectos en el área de la superficie de los cristales

•      Defectos lineales

 son mal formaciones de los cristales al momento de solidificarse

MATERIALES METÁLICOS.

Los Materiales Metálicos son metales transformados mediante procesos físicos y/o químicos, que
son utilizados para fabricar productos.
La gran mayoría de los metales los podemos encontrar en la naturaleza mezclados con otros
elementos, es por eso que necesitamos someterlos algún proceso de limpieza antes de su
utilización. Algunos de los procedimientos de trabajo más habituales sobre los materiales
metálicos son: fundición y moldeo, deformación, corte y mecanizado.

Los metales tienen muchas características, pero las más importantes son: buena conductividad
eléctrica y térmica, opacidad, brillo, fusibilidad, plasticidad, dureza, etc.

Ahora bien, podemos subdividir a los materiales metálicos en dos grupos importantes: los ferrosos
y los no ferrosos.

4
METALES FERROSOS.

Los materiales férricos son aquellos que en su composición tienen principalmente hierro, como el
acero (mezcla de hierro con un poco de carbono) o el hierro puro.

En la imagen podemos observar bobinas de acero empleadas para la chapa de los automóviles.
Sólo con este uso, ya nos podemos imaginar la demanda tan elevada que hay de este material. Si
además tenemos en cuenta que el motor del coche está fabricado básicamente por hierro,
sumamos y sumamos.

La gran ventaja de este material es su precio relativamente bajo y la capacidad de unirse con otros
elementos para mejorar sustancialmente sus propiedades. Veremos el caso del acero.

Hemos representado un tipo de acero (la estructura cristalina, o sea, como se colocan los átomos
en el material)

Las bolas grises representan los átomos de hierro y las azules los de carbono.

Al formarse la estructura (hierro en el horno) el átomo de hierro está moviéndose libremente.

Cuando baja la temperatura es como la diana de los metales (hay que formar filas) y los átomos de
hierro se agrupan de forma que generan ese cubo de la imagen. Como hemos añadido un poquito
de carbono (sobre el 1%), los átomos de este no metal se “cuelan” en la formación del cubo (red
cristalina) creando una aleación con unas propiedades mecánicas mejores.

CLASIFICACIÓN.

Hierro Dulce, con carbono <0.1%. Se oxida muy fácilmente, en cuestión de horas se forma una
capa marrón que va destruyendo el material. Es un material blando y magnético, por ello se suele
emplear en piezas de electroimanes

Fundiciones, cuando el carbono es mayor del 2% y menor del 5%. A mayor carbono, mayor dureza,
pero la ductilidad y tenacidad empeoran. Funden a temperaturas menores y son apropiados para
fabricar piezas complicadas (se adaptan muy bien al molde). Su uso va desde los motores a las
rejillas de alcantarillas.

ESTRUCTURA CRISTALINA. La mayoría de los elementos metálicos cristaliza siguiendo únicamente

tres tipos de estructuras:

Cúbica Centrada en el Interior Cúbica Centrada en las Caras Hexagonal Compacta (HC).
(CCI). (CCC).

5
 Metal Estructura Rango de Diferentes formas
cristalina temperatura, ºC alotrópicas de
algunos elementos
Cobalto HC < 477 metálicos, y su
CCC 477 - 1490 correspondiente
rango de
Estaño Tipo diamante < 13 temperaturas.

TCI 13 - 232

Hierro CCI < 911

CCC 911 - 1392

CCI 1392 - 1539

Titanio HC < 882

CCI 882 - 1668

Zirconio HC < 862

CCI 862 - 1852

Uranio Romboédrica < 663

TCI 663 - 764

CCI 764 - 1130

NO FERROSOS.

Los metales no ferrosos aquellos que incluyen elementos metálicos y aleaciones que no se basan
en el hierro

Tienen una gran importancia en la fabricación de gran cantidad de productos;

ü  Por el bajo peso específico,

ü  la resistencia a la oxidación en condiciones ambientales normales y a la corrosión atmosférica

ü  la fácil manipulación y mecanizado,

ü  la elevada resistencia mecánica en relación a su peso de algunas aleaciones;

ü  la gran conductividad térmica y eléctrica

6
Los metales no ferrosos son blandos y tienen poca resistencia Mecánica; para mejorar sus
propiedades se alean con otros metales. Atendiendo a su densidad se clasifican en tres grupos:

· Pesados: son aquellos metales cuya densidad es igual o mayor de 5 kg/dm³; tales como: estaño,
cobre, zinc, plomo, cromo, níquel, wolframio y cobalto.

 · Ligeros: son los metales cuya densidad está comprendida entre 2 y 5 kg/dm³, como el aluminio y
el titanio.

· Ultraligeros: su densidad es menor de 2 kg/dm³; como el magnesio y el berilio.

Las aleaciones de productos no ferrosos tienen gran cantidad de aplicaciones: monedas

(fabricadas con aleaciones de cobre, níquel y aluminio), filamentos de bombillas (de wolframio),
material de soldadura de componentes electrónicos (estaño-plomo), recubrimientos (cromo,
níquel, cinc), etcétera.

2.2 Materiales semiconductores.

Los semiconductores pueden ser intrínsecos o extrínsecos. Los semiconductores intrínsecos (que
también se conocen como semiconductores extremadamente puros) son cristales que, a través de
enlaces covalentes entre los átomos, desarrollan una estructura de tipo tetraédrico A temperatura
de ambiente, estos cristales tienen electrones que absorben la energía que necesitan para pasar a
la banda de conducción, quedando un hueco de electrón en la banda de valencia.

Los semiconductores extrínsecos, por su parte, son semiconductores intrínsecos a los que les
agregan impurezas para lograr su dopaje (así se conoce el resultado del proceso que se lleva a
cabo para modificar las propiedades eléctricas de un semiconductor).

Existen numerosos datos de gran interés acerca de los semiconductores como son los siguientes:
-La primera vez que se considera que se comenzó a hablar y a hacer uso de los mismos fue en la
década de los años 20. En los conocidos como radiorreceptores, también llamados “de galeno”,
fue donde se emplearon los mismos y eran unos detectores diodos de reducidas dimensiones.
-En la década de los años 40, más exactamente en 1947, fue cuando varios investigadores de los
Laboratorios Bell llevaron a cabo el desarrollo del primer semiconductor de germanio. A este le
dieron en llamar transistor y pasó a ser un elemento fundamental dentro del mundo de la
electrónica desde ese mismo momento.
-Para poder conseguir aumentar de manera más o menos notable lo que es la conductividad de un
elemento semiconductor lo que hay que hacer es aumentar su iluminación, elevar de manera clara
su temperatura o bien realizar lo que se da en llamar dopaje. Este es un procedimiento que
consiste básicamente en introducir impurezas en lo que es la estructura cristalina de aquellos.
-Hay determinados semiconductores que, a pesar de ser reconocidos como tal, cuentan con una
serie de características a medio camino entre conductores y aislantes que les lleva al final a tener
dudas sobre si colocarlos en un lugar o en otro. Nos estamos refiriendo en concreto al citado
germanio, al silicio y al selenio.
-Además de todos los mencionados, otros importantes semiconductores son el cadmio, el boro, el
indio, el galio…

7
Todos los elementos químicos se califican como conductores, aislantes o semiconductores.
Mientras que las conductores tienen baja resistencia a la circulación de la corriente eléctrica y los
aislantes, alta, los semiconductores se ubican entre ambos ya que permiten el paso de la corriente
sólo en ciertos casos. La temperatura, la presión, la radiación y los campos magnéticos pueden
hacer que un semiconductor actúe como conductor o como aislante según el contexto.

Entre los semiconductores más empleados en el ámbito de la industria, se encuentran el silicio,

el azufre y el germanio. Estos elementos se utilizan para la producción de chips y transistores,
entre otros productos.

2.3 Materiales intrínsecos y materiales extrínsecos

Los semiconductores son elementos que tienen una conductividad eléctrica inferior a la de
un conductor metálico pero superior a la de un buen aislante. El semiconductor más utilizado es el
silicio, que es el elemento más abundante en la naturaleza, después del oxígeno. Otros
semiconductores son el germanio y el selenio.

Los átomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con sólo cuatro
electrones, denominados electrones de valencia. Estos átomos forman una red cristalina, en la que
cada átomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro átomos vecinos, formando
enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente
energía calorífica para librarse del enlace covalente y moverse a través de la red cristalina,
convirtiéndose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les
somete al potencial eléctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.

                            

Cuando un electrón libre abandona el átomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un
hueco, que con respecto a los electrones próximos tiene efectos similares a los que provocaría
una carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrón pero con signo positivo.

El comportamiento eléctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenómenos: 

8
Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de la pila.

Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila.

Al conectar una pila, circula una corriente eléctrica en el circuito cerrado, siendo constante en
todo momento el número de electrones dentro del cristal de silicio.

Los huecos sólo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior sólo
circulan los electrones que dan lugar a la corriente eléctrica.

Semiconductores P y N

Para mejorar la conductividad eléctrica de los semiconductores, se utilizan impurezas añadidas

voluntariamente. Esta operación se denomina dopado, utilizándose dos tipos:

• Impurezas pentavalentes. Son elementos cuyos átomos tienen cinco electrones de valencia en
su orbital exterior. Entre ellos se encuentran el fósforo, el antimonio y el arsénico.

• Impurezas trivalentes. Son elementos cuyos átomos tienen tres electrones de valencia en su
orbital exterior. Entre ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.

Materiales semiconductores

Estos materiales se comportan como aislantes a bajas temperaturas pero a temperaturas más

altas se comportan como conductores. La razón de esto es que los electrones de valencia están
ligeramente ligados a sus respectivos núcleos atómicos, pero no lo suficiente, pues al añadir
energía elevando la temperatura son capaces de abandonar el átomo para circular por la red
atómica del material. En cuanto un electrón abandona un átomo, en su lugar deja un hueco que
puede ser ocupado por otro electrón que estaba circulando por la red.
Los materiales semiconductores más conocidos son: Silicio (Si) y Germanio (Ge), los cuales poseen
cuatro electrones de valencia en su último nivel. Por otra parte, hay que decir que tales materiales
forman también estructura cristalina. Hay que destacar que, para añadir energía al material
semiconductor, además de calor, también se puede emplear luz. 

2.4 Modelos de bandas de energía.

El modelo de banda de energía se usa para describir los estados de energía de los portadores de
carga en un cristal como en el silicio. Se basa en varios niveles de energía definidos que pueden ser
comparados con capas de electrones del modelo atómico de Bohr.

Los portadores de carga en el modelo de banda de energía pueden ser negativos (electrón) o
positivos (electrón hueco). Los electrones "faltantes" (es decir, huecos) se comportan exactamente
de la misma manera que los portadores de carga.

Los estados de energía relevantes para el campo de la ingeniería eléctrica son los que están en la
banda de valencia (el nivel de energía completamente ocupado final) y la banda de conducción (la
primera banda que no está completamente ocupada).

Si hay un número de portadores de carga en la banda de conducción pero no está completamente

llena, el material en cuestión es un conductor.

9
En el caso de un conductor metálico, hay una transición directa entre el conductor y las bandas de
valencia. En el caso de los semiconductores y no conductores, estas bandas están separadas, por
lo que se referiren como bandas prohibidas o espaciamiento de energía/banda. Para que los
portadores de carga entren en la banda conductora, estas primero deben recibir energía (por
ejemplo, en la forma de calor). Esto explica la conductividad en incremento de los
semiconductores a altas temperaturas.

En el caso de los aislantes, el espaciamiento de banda es tan grande que incluso el suministro

energía imposibilita que los portadores de carga se muevan a la banda conductora.

2.5 Distribución de Fermi-Dirac y distribución

La Distribución de Fermi-Dirac

La distribución de Fermi-Dirac se aplica a los fermiones, partículas

con espín semientero, que obedece el principio de exclusión de Pauli. Cada tipo
de función de distribución tiene un término de normalización multiplicando el
denominador del exponente, que puede ser dependiente de la temperatura. Para
el caso de Fermi-Dirac, ese término se suele escribir:

Índice
La importancia de la energía de Fermi se ve más claramente estableciendo T=0.
En el cero absoluto, la probabilidad es =1 para energías menores que la energía
Conceptos
de Fermi y cero para energías mayores que la energía de Fermi. Se puede
de
imaginar todos los niveles hasta la energía de Fermi llenos, pero ninguna partícula
Estadística
tiene una energía mayor. Esto es totalmente coherente con el principio de
Aplicada
exclusión de Pauli, donde cada estado cuántico no puede tener más que una sola
partícula.

Funciones de Distribución Ejemplo Numérico

10
 Nivel de Fermi en los Sólidos Nivel de Fermi en la Teoría de Banda en Sólidos

Detalles de Fermi-Dirac

2.6 Nivel de Fermi en materiales intrínsecos y extrínsecos

SEMICONDUCTORES INTRINSECOS

Los materiales semiconductores, según su pureza, se clasifican de la siguiente forma:

11
Intrínsecos

Extrínsecos

Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, es decir,  no

contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. Pero al crecer la
temperatura, algún enlace covalente se puede romper y quedar un e- libre para moverse dentro
de la estructura cristalina figura 2.1

Figura 2.1 Estructura Cristalina del Silicio

La estructura cristalina de un semiconductor intrínseco, compuesta solamente por átomos de

silicio (Si) que forman una celosía. Como se puede observar en la figura 2.2, los átomos de silicio
que sólo poseen cuatro electrones en la última órbita o banda de valencia, se unen formando
enlaces covalente para completar ocho electrones y crear así un cuerpo sólido semiconductor.

Figura 2.2 Representación de un átomo se Silicio

12
También se puede observar en la figura 2.3 que para un átomo aislado de silicio los dos primero
niveles (E1 y E2) se acomodan 2 y 8 electrones estos electrones están ligados al átomo y no
pueden ser perturbados.

En el tercer nivel  E3 restan 4 electrones y son llamados electrones de valencia y pueden ser
fácilmente liberados de sus posiciones para formar enlaces.

Figura 2.3 Átomo se Silicio número atómico 14

Entonces cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor

intrínseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la
banda de valencia se liberan de la atracción que ejerce el núcleo del átomo sobre los mismos. Esos
electrones libres saltan a la banda de conducción y allí funcionan como “electrones de
conducción”, pudiéndose desplazar libremente de un átomo a otro dentro de la propia estructura
cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente
eléctrica. El modelo de bandas de energía para un material semiconductor intrínseco se muestra
en la figura 2.4.

Figura 2.4 Modelo de Bandas Semiconductor Intrínseco

Se observa en la figura 2.5 que la concentración de electrones y huecos son iguales.

13
 Figura 2.5 Conducción Intrínseca

Por lo que:

                                      n=p=ni                    (Ecuación 2.1)  

Donde:

n= Número de electrones (por unidad de volumen) en la banda de conducción.

p= Número se huecos (por unidad de volumen) en la banda de valencia.

ni= Concentración intrínseca de portadores.

La ecuación (2.1) la veremos a detalle más adelante.

SEMICONDUCTORES EXTRINSECOS

Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso de

impurificación (llamado dopaje), consistente en introducir átomos de otros elementos con el fin de
aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se denominará semiconductor extrínseco.
Según la impureza (llamada dopante) distinguimos:

Semiconductor tipo P: Se emplean elementos trivalentes (3 electrones de valencia) como el Boro

(B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto que no aportan los 4 electrones necesarios para
establecer los 4 enlaces covalentes, en la red cristalina éstos átomos presentarán un defecto de
electrones (para formar los 4 enlaces covalentes). De esa manera se originan huecos que aceptan

14
el paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina. Así, al material tipo P también se le
denomina donador de huecos (o aceptador de electrones).

Figura 2.6 Semiconductor tipo P

Se puede observar en la figura 2.6 que existe un número insuficiente de los electrones para
completar los enlaces covalentes de la red recién formada. La vacante resultante se llama hueco y
se representa por medio de un signo positivo o un círculo pequeño que se debe a la ausencia de
una carga negativa. Dado que la vacante resultante aceptara fácilmente un electrón libre:

“Las impurezas difundidas que cuentan con tres electrones  de valencia se denominan átomos
aceptores”[2].

Entonces a ese hueco se pueden mover otros electrones que dejaran a su vez otros huecos en la
banda de valencia, y quedara cargado negativamente ya que p>>n.

Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos pentavalentes (con 5 electrones e

valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el Antimonio (Sb). El donante aporta electrones en
exceso, los cuales al no encontrarse enlazados, se moverán fácilmente por la red cristalina
aumentando su conductividad. De ese modo, el material tipo N se denomina también donador de
electrones.

15
 Figura 2.7 Semiconductor tipo N

Se puede observar en la figura 2.7 que los cuatro enlaces covalentes permanecen presentes; sin
embargo existe un quinto electrón libre que proviene del átomo de impureza el cual se encuentra
disociado de cualquier enlace covalente en particular. Este átomo sobrante se encuentra
relativamente libre para moverse dentro del material tipo N recién formado. Dado que el átomo
de impurezas se insertó, cedió un electrón relativamente  “libre” a la estructura:

“Las impurezas difundidas que cuentan con cinco electrones de valencia se denominan átomos
donadores ".

Entonces con muy poca energía (solo la térmica 300°k) el 5° electrón se separa del átomo y pasa a
la banda de conducción  y quedara ionizada o cargada positivamente lo cual aumenta
enormemente  la conductividad debida a los electrones. Y se puede decir que n>>p.

Sin embargo en la práctica nos interesa controlar la concentración de portadores en un

semiconductor (n o p), ya que de este modo se pueden modificar las propiedades eléctricas como
la  conductividad en el material, para ello se procede al proceso de dopado que como se había
mencionado es un pequeño porcentaje de átomos que se  sustituyen por átomos de otro
elemento (impurezas o dopantes).

Al introducir impurezas al cristal podemos formar enlaces y de este modo favorecer la aparición de
electrones Semiconductores Tipo N donde n > p y favorecer la aparición de huecos
Semiconductores Tipo P donde p>n.

2.7 Efecto fotoeléctrico.

El efecto fotoeléctrico

El objetivo de la práctica simulada es la determinación del valor de la constante h de Planck. Para

ello, dispondremos de un conjunto de lámparas que emiten luz de distintas frecuencias y placas de
distintos metales que van a ser iluminadas por la luz emitida por esas lámparas especiales.

La emisión de electrones por metales iluminados con luz de determinada frecuencia fue observada
a finales del siglo XIX por Hertz y Hallwachs. El proceso por el cual se liberan electrones de un
material por la acción de la radiación se denomina efecto fotoeléctrico o emisión fotoeléctrica. Sus
características esenciales son:

Para cada sustancia hay una frecuencia mínima o umbral de la radiación electromagnética por
debajo de la cual no se producen fotoelectrones por más intensa que sea la radiación.

16
La emisión electrónica aumenta cuando se incrementa la intensidad de la radiación que incide
sobre la superficie del metal, ya que hay más energía disponible para liberar electrones.

En los metales hay electrones que se mueven más o menos libremente a través de la red cristalina,
estos electrones no escapan del metal a temperaturas normales por que no tienen energía
suficiente. Calentando el metal es una manera de aumentar su energía. Los electrones
"evaporados" se denominan termoelectrones, este es el tipo de emisión que hay en las válvulas
electrónicas. Vamos a ver que también se pueden liberar electrones (fotoelectrones) mediante la
absorción por el metal de la energía de radiación electromagnética.

Denominamos φ la energía mínima necesaria para que un electrón escape del metal. Si el electrón
absorbe una energía E, la diferencia E-φ, será la energía cinética del electrón emitido.

Ek=E-φ

La teoría de la fotoemisión explica el significado correcto de φ, es preciso conocer la estructura de

las bandas de valencia de los metales cátodo (emisor) y del ánodo (receptor) cuando se conectan y
se establece una diferencia de potencial entre los mismos

Einstein explicó las características del efecto fotoeléctrico, suponiendo que cada electrón absorbía
un cuanto de radiación o fotón. La energía de un fotón se obtiene multiplicando la constante h de
Planck por la frecuencia f de la radiación electromagnética.

E=hf

Si la energía del fotón E, es menor que la energía de arranque φ, no hay emisión fotoeléctrica. En
caso contrario, si hay emisión y el electrón sale del metal con una energía cinética Ek igual a E-φ.

Por otra parte, cuando la placa de área S se ilumina con cierta intensidad I, absorbe una energía en
la unidad de tiempo proporcional a IS, basta dividir dicha energía entre la cantidad hf para obtener
el número de fotones que inciden sobre la placa en la unidad de tiempo. Como cada electrón
emitido toma la energía de un único fotón, concluimos que el número de electrones emitidos en la
unidad de tiempo es proporcional a la intensidad de la luz que ilumina la placa

17
Mediante una fuente de potencial variable, tal como se ve en la figura medimos la energía cinética
máxima de los electrones emitidos.

Aplicando una diferencia de potencial V entre las placas A y C se frena el movimiento de los

fotoelectrones emitidos. Para un voltaje V0 determinado, el amperímetro no marca el paso de
corriente, lo que significa que ni aún los electrones más rápidos llegan a la placa C. En ese
momento, la energía potencial de los electrones se hace igual a la energía cinética.

eV0=hf-φ

Variando la frecuencia f, (o la longitud de onda de la radiación que ilumina la placa) obtenemos un

conjunto de valores del potencial de detención V0. Llevados a un gráfico obtenemos una serie de
puntos (potencial de detención, frecuencia) que se aproximan a una línea recta.

V0=he−φeV0=he−φe

18
La ordenada en el origen mide la energía de arranque en electrón-voltios φ/e. Y la pendiente de la
recta es h/e. Utilizando el valor de la carga del electrón e= 1.6 10-19 C, obtendremos el valor de la
constante de Planck, h=6.63 10-34 Js.

No es posible disponer de lámparas que emitan a todas las frecuencias posibles, solamente existen
lámparas hechas de materiales cuya emisión corresponde a unas determinadas líneas del
espectro. Algunas de las líneas de emisión son muy débiles y otras son brillantes.

En las tablas que vienen a continuación se proporcionan los espectros de emisión de metales y
gases. La longitud de onda se da en angstrom (10-10 m). Los números en negrita indican las líneas
de mayor brillo. La mayor parte de las líneas se encuentran dentro del espectro visible.

Cobre ( Cinc (
Mercurio (lá Sodio 
Aluminio  arco en Cadmio ( arco
mpara de (en
(arco) el arco) en el
arco) llama)
vacío) vacío)

3126 3261

3131 3404 3036

3248
3083 3650 3466 3072
3274
3093 4047 3611 3345
4023
3944 4358 3982 4680
4063
3962 4916 5890 4413 4722
5105
4663 4960 5896 4678 4811
5153
5057 5461 4800 4912
5218
5696 5770 5086 4925
5700
5723 5791 5338 6103
5782
6152 5379 6332

6232 6438

Argón Helio Hidrógeno Neón Nitrógeno

3949 3889 4102 4538 5754

4044 4026 4340 4576 5803

4159 4221 4341 4704 5853

4164 5016 4861 4709 5904

19
 4715

4789

4182 5331
5957
4190 5341
6012
4191 5358
6068
4198 5401
6251
4201 5853
5876 6321
4251 5882
6678 6563 6393
4259 5965
7065 6467
4266 6143
6543
4272 6266
6622
4300 6383
6703
4334 6402
6787
4335 6506

7174

7245

Fuente: Koshkin N. I., Shirkévich M. G.. Manual de Física Elemental. Editorial Mir 1975., págs. 213-
214

Actividades

Para realizar la práctica que simula el efecto fotoeléctrico se han de seguir los siguientes pasos:

Se elige el material de la placa metálica con el que experimentar el efecto fotoeléctrico, en el

control titulado Cátodo.

Se pulsa en el botón titulado Nuevo

Se selecciona el espectro de emisión del metal o gas en el control de selección titulado Espectro de

emisión. La longitud de onda se puede cambiar actuando en la barra de desplazamiento o
introduciendo otro valor en el control de edición. Si no hay emisión, elegir una línea de emisión de
menor longitud de onda (mayor frecuencia).
La frecuencia f=c/λ=2997.9/λ, la longitud de onda λ se expresa en unidades de 10-9 m y la
frecuencia f en 1014 Hz. c=2.9979·108 m/s es la velocidad de la luz en el vacío.

Se introduce la intensidad de la radiación un número mayor que cero, en el control

titulado Intensidad luz. Comprobamos que cuando mayor sea la intensidad mayor es el número de

20
fotones, mayor es el número de electrones emitidos y mayor es la intensidad de la corriente lo que
se muestra en la desviación del de la aguja del amperímetro.

Se modifica el potencial variable de la batería, introduciendo otro valor en el control titulado d.d.p.

(V), hasta conseguir que el electrón llegue justo a la placa opuesta, el amperímetro deja de marcar
el paso de corriente, o empieza a marcar el paso de corriente.

Se pulsa en el botón titulado  ►  

1
Cátodo:              Intensidad luz:  
Cobre 510
Espectro de emisión (·10-9m):                       
0.55
d.d.p.(V):  

Se realiza la experiencia

Metal: Cesio

Longitud de onda Potencial V0

510 0.55

515 0.53

521 0.50

570 0.29

578 0.26

>> f=(2.9979*10^3)./[510,515,521,570,578];

>> V=[0.55,0.53,0.50,0.29,0.26];

>> plot(f,V,'ro','markersize',4,'markeredgecolor','r','markerfacecolor','r')

>> grid on

>> xlabel('f*10^{14} Hz')

>> ylabel('V')

>> title('Efecto fotoeléctrico')

En el menú seleccionamos Tools/Basic Fitting, aparece un cuadro de diálogo donde marcamos la

casilla linear en Plot fits. A continuación, pulsamos la flecha hacia la derecha --> para mostrar los
coeficientes p1 y p2 del polinomio (recta) y=p1*x+p2 de ajuste.

21
Se obtiene la energía de arranque de los electrones del metal leyendo la ordenada en el origen de
la recta trazada, parámetro p2=1.9328 eV

La pendiente de la recta es el valor del parámetro p1=0.42273 y mide el cociente entre las

constantes fundamentales h/e

Para obtener el valor de la constante h de Planck, se debe tener en cuenta que el eje horizontal es
la frecuencia de la radiación electromagnética en unidades 1014 Hz. La carga del electrón es
1.6·10-19 C. Por tanto, el valor de h se obtiene multiplicando la pendiente p1 por la carga e y
dividiendo por el factor 1014.

h=p1·1.6 10-19/1014=p1·1.6 10-33 Js

>> 0.42273*1.6e-33

ans = 6.7637e-34

Energía de arranque: φ=1.9 V

Constante de Planck: h=6.76·10-34 J·s

22
2.8 materiales tipo n
Semiconductores tipo N

Un semiconductor tipo N se obtiene añadiendo un cierto tipo de átomos al semiconductor para

aumentar el número de portadores de cargas. Los átomos que se añaden son átomos
pentavalentes (5 electrones en el orbital de valencia), como el arsénico, antimonio y el fósforo.

El átomo pentavalente estará rodeado de cuatro átomos de silicio, que compartirán un electrón
con el átomo central, pero en este caso quedará un electrón adicional. Como en el orbital de
valencia sólo pueden situarse cuatro electrones, el electrón libre queda en un orbital mayor
(orbital de conducción) por lo que se trata de un electrón libre.

Como el número de electrones es mayor que el de huecos, los electrones reciben el nombre
de portadores mayoritarios, y los huecos portadores minoritarios.

23
2.9 Materiales tipo P

Semiconductores tipo P

Se produce igual que en el caso anterior pero añadiendo una impureza trivalente (átomos con tres
electrones en la capa de valencia, como el aluminio, el boro o el galio).

Cada uno de estos átomos comparte uno de sus electrones de valencia con la impureza. Así,
tendremos siete electrones en el orbital valencia, lo que significa que aparece un hueco en el
orbital de valencia de cada átomo trivalente. A un átomo trivalente se el denomina también
impureza aceptadora porque cada uno de los huecos que contribuye puede aceptar un electrón
libre durante la recombinación.

Ahora los huecos se denominan portadores mayoritarios, porque superan en número a los

electrones libres y éstos se denominarán portadores minoritarios.

2.10 PROPIEDADES EN LA UNION P-N EN EL ESTADO.

ECUACIONES FUNDAMENTALES

Las ecuaciones básicas que gobiernan el comportamiento microscópico de los semiconductores

son:

Densidad de corriente de electrones

24
Densidad de corriente de huecos

Ecuaciones de continuidad para electrones y huecos, respectivamente

Teorema de Gauss. Conservación de la carga

En todas ellas, q, es el valor numérico de la carga del electrón y εs es la constante dieléctrica
absoluta del semiconductor.

Las movilidades y constantes de difusión cumplen las relaciones de Einstein

El parámetro U representa la relación de recombinación, es decir, el número de portadores

recombinados por unidad de volumen y tiempo, y su expresión más sencilla, en el caso de que no
exista generación de portadores, es:

Siendo \(\mathfrak{J}_n \; y \; \mathfrak{J}_p\) los tiempos de vida medios y n0 y p0 las

concentraciones de electrones y huecos en el equilibrio termodinámico.

Suele resultar útil introducir en el sistema de ecuaciones dado los seudoniveles de Fermi junto al
potencial electrostático, Ψ como nuevas variables en sustitución de p, n y \(\vec{\varepsilon}\). La

25
relación entre estas variables y las anteriores es:

Siendo Øn y Øp los potenciales correspondientes a los seudoniveles de Fermi y ni la densidad
intrínseca de portadores que es una constante del semiconductor para una temperatura dada:

Donde Ego es la anchura de la banda prohibida extrapolando al cero absoluto.

DEFINICIONES

Una unión p-n consiste en un semiconductor con una región de tipo p (exceso de huecos) y otra de
tipo n (exceso de electrones) separadas por una región relativamente delgada de transición de un
tipo a otro y que puede tener de 10-6 a 10-4 cm de espesor según sea el método de obtención de
la unión.

Las características más importantes de una unión p-n pueden estudiarse mediante una
aproximación que llamaremos unión unidimensional. En dicha unión, todas las magnitudes
consideradas sobre planos perpendiculares a una dirección determinada son uniformes.

Una unión unidimensional queda determinada si conocemos sus dimensiones lineales y la

distribución de impurezas.

El plano N(x) = 0 de separación de las regiones p y n se llama unión metalúrgica y los planos donde
terminan las regiones p y n forman contactos metalúrgicos.

En el caso real, la función N(x) suele ser más o menos complicada; sin embargo, existe un caso

26
sencillo denominado unión p-n abrupta cuya distribución viene dada por las ecuaciones:

Cuando ND = NA tenemos una unión abrupta simétrica y, en caso contrario, asimétrica.

Una unión asimétrica en la que ND > NA se denomina unión pn+ y en el caso NA > ND unión p+n.

UNIÓN p-n EN EQUILIBRIO

Una unión p-n se encuentra en equilibrio termodinámico cuando se encuentra a una temperatura
uniforme y no actúan sobre ella factores externos que aporten energía.

En este caso las corrientes de electrones y huecos deben anularse en cada punto del
semiconductor y, desde un punto de vista termodinámico, el nivel de Fermi ha de ser el mismo
para ambos tipos de portadores. Con ello tendremos:

Antes de producirse el equilibrio y desde el instante del contacto, existen unas corrientes de
difusión producidas por la variación del gradiente de portadores a cada lado de la unión.

Este desplazamiento de portadores alrededor de la unión metalúrgica hace que aparezca en dicha
zona, llamada zona de transición o de carga espacial, una densidad de carga eléctrica debida a las
impurezas ionizadas inmóviles, negativa en la región P y positiva en la región N, que origina un
campo eléctrico en la zona de transición y cuya dirección se opone al movimiento por difusión de
los portadores móviles. De ese modo se llega al equilibrio cuando el valor de este campo eléctrico
que actúa sobre los portadores móviles compensa el efecto debido a la difusión.

La presencia de este campo eléctrico en la zona de transición conllevará la aparición de una

diferencia de potencial electrostático entre las regiones P y N, que recibe el nombre de potencial

27
de contacto de la unión y cuyo valor, en equilibrio, permite que el nivel de Fermi sea constante a
través de la unión.

Las ecuaciones básicas para un estudio cuantitativo de una unión P-N en equilibrio son:

Y teniendo en cuenta las densidades de portadores:

Donde hemos tomado el origen de potenciales en el potencial Ø correspondiente al nivel de

Fermi.
Conocida la distribución de impurezas, N = ND – NA, la integración de esta ecuación, junto con la
condición de neutralidad eléctrica para la unión, nos permite obtener todos los parámetros
necesarios para resolver el problema.

En el caso de una unión unidimensional, la ecuación anterior toma la forma:

Que, en general, no puede resolverse exactamente en forma explícita.

2.11 Polarización directa y polarización inversa.

Polarización directa

Si el terminal positivo de la fuente está conectado al material tipo p y el terminal negativo de la

fuente está conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarización Directa".

La conexión en polarización directa tendría esta forma:

28
En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que
los electrones libres y huecos fluyan hacia la unión. Al moverse los electrones libres hacia la unión,
se crean iones positivos en el extremo derecho de la unión que atraerán a los electrones hacia el
cristal desde el circuito externo.

Así los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el
extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del
electrón.

Lo que le sucede al electrón: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por el
extremo derecho del cristal. Se desplaza a través de la zona n como electrón libre.

En la unión se recombina con un hueco y se convierte en electrón de valencia. Se desplaza a través

de la zona p como electrón de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al
terminal positivo de la fuente.

Polarización inversa

Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal

negativo de la batería conectado al lado p y el positivo al  n, esta conexión se denomina
"Polarización Inversa".

En la siguiente figura se muestra una conexión en inversa:

El terminal negativo de la batería atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones
libres, así los huecos y los electrones libres se alejan de la unión y la z.c.e. se ensancha.

29
A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexión deja de aumentar
cuando su diferencia de potencial es igual a la tensión inversa aplicada (V), entonces los electrones
y huecos dejan de alejarse de la unión.

A mayor la tensión inversa aplicada mayor será la z.c.e.

Existe una pequeña corriente en polarización inversa, porque la energía térmica crea
continuamente pares electrón-hueco, lo que hace que halla pequeñas concentraciones de
portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se recombina con los mayoritarios pero los
que están en la z.c.e. pueden vivir lo suficiente para cruzar la unión y tenemos así una pequeña
corriente.

La zona de deplexión empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la izquierda, se crea así
una la "Corriente Inversa de Saturación"(IS) que depende de la temperatura.

Además hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las impurezas del cristal y
las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente depende de la tensión de la pila (V ó
VP).

Entonces la corriente en inversa (I ó IR) será la suma de esas dos corrientes:

30
2.12 Dispositivos opto-electrónico
Fotodetectores:

Detectan cambios de energía fotónica, transformándolos en energía eléctrica

Celdas solares:

Transforman energía lumínica en eléctrica

LED / Diodos Laser:

Transforman energía eléctrica en energía lumínica

Optoacopladores

Conclusión:

Los cuerpos cristalinos tienen diferentes comportamientos, dependiendo de sus estructuras

pueden ser conductores, semiconductores o aislantes, también ambos a la vez con la aplicación
de una corriente. A partir de estos se han generado un sinfín de materiales y circuitos casi
inteligentes que sirven para llevar a cabo diferentes funciones con corrientes o luz solar,

31
ayudándonos a mejorar nuestros circuitos y procesos con la aplicación de sensores sensibles a
diferentes parámetros.

Bibliografía:

https://definicion.de/semiconductor/

https://www.google.com/search?
rlz=1C1CHBD_esMX890MX890&ei=c1xtXviXC8LwsAWpzaOwCA&q=Dispositivos+opto-electr
%C3%B3nico&oq=Dispositivos+opto-electr%C3%B3nico&gs_l=psy-
ab.3..0i10j0i5i10i30l2.26021.26763..27775...0.2..0.465.1309.0j2j1j1j1......0....1..gws-
wiz.......0i71.GzyheiZXRfc&ved=0ahUKEwi4nbK_g5voAhVCOKwKHanmCIYQ4dUDCAs&uact=5

https://www.google.com/search?
rlz=1C1CHBD_esMX890MX890&ei=ClxtXoymLo7YsQXdk5_IDg&q=2.12+Dispositivos+opto-electr
%C3%B3nico&oq=2.12+Dispositivos+opto-electr%C3%B3nico&gs_l=psy-
ab.3..33i160j33i21.2321.2321..3558...0.1..0.295.295.2-1......0....2j1..gws-
wiz.......0i71.1QQidFjGZzY&ved=0ahUKEwiM08yNg5voAhUObKwKHd3JB-kQ4dUDCAs&uact=5

https://www.google.com/search?rlz=1C1CHBD_esMX890MX890&ei=DVttXompLsKAsQWy2b-
oCQ&q=2.11+Polarizaci%C3%B3n+directa+y+polarizaci%C3%B3n+inversa.&oq=2.11+Polarizaci
%C3%B3n+directa+y+polarizaci%C3%B3n+inversa.&gs_l=psy-
ab.12...3892.3892..6855...0.1..0.339.339.3-1......0....2j1..gws-
wiz.......0i71.Y9L0vZmHYOg&ved=0ahUKEwjJ4_qUgpvoAhVCQKwKHbLsD5UQ4dUDCAs

https://www.google.com/search?
rlz=1C1CHBD_esMX890MX890&ei=bVhtXvHmLMS0sQXwgafQAw&q=2.10+Propiedades+de+la+uni
%C3%B3n+p-n+en+el+estado&oq=2.10+Propiedades+de+la+uni%C3%B3n+p-
n+en+el+estado&gs_l=psy-ab.3...3411.3411..6266...0.1..0.165.165.0j1......0....2j1..gws-
wiz.......0i71.hMo0slEJtUw&ved=0ahUKEwix0cHU_5roAhVEWqwKHfDACToQ4dUDCAs&uact=5

https://www.google.com/search?
rlz=1C1CHBD_esMX890MX890&ei=IANtXujXDsKgsQXqvqf4BQ&q=2.8+Materiales+tipo+n.&oq=2.8
+Materiales+tipo+n.&gs_l=psy-ab.3..33i22i29i30l2.3045.3045..4266...0.1..0.309.309.3-
1......0....2j1..gws-
wiz.......0i71.GNbX6ChIZ8s&ved=0ahUKEwjo58qnrproAhVCUKwKHWrfCV8Q4dUDCAs&uact=5

https://www.google.com/search?
rlz=1C1CHBD_esMX890MX890&ei=NwJtXp7lDYSGsAWN9K6IAw&q=2.7+Efecto+fotoel
%C3%A9ctrico.&oq=2.7+Efecto+fotoel%C3%A9ctrico.&gs_l=psy-
ab.3..33i160l2.3711.3711..4599...0.1..0.398.398.3-1......0....2j1..gws-
wiz.......0i71.qNz_tiBk9QE&ved=0ahUKEwje3Ly4rZroAhUEA6wKHQ26CzEQ4dUDCAs&uact=5

32