Clase 6 Dispositivos

IGBT Red Snubber
Mosfet
Dispositivos de Potencia
ELECTRONICA DE POTENCIA 1
IGBT Red Snubber
Mosfet
El Transistor Mosfet de Potencia

El nombre de MOSFET, viene dado por las iniciales de los
elementos que lo componen:
Una fina película metálica (Metal - M).
Oxido de silicio (Óxido - O);
Región semiconductora (Semiconductor - S)
El mosfet es un dispositivo unipolar, la conducción sólo es debida a un tipo de portador.
Canal N: Conducción debido a electrones
Canal P: Conducción debido a huecos
IGBT Red Snubber
Mosfet

Las aplicaciones más típicas de los transistores de potencia MosFet se
encuentran en la conmutación a altas frecuencias, troceadores, sistemas
inversores para controlar motores, generadores de altas frecuencia para
inducción de calor, generadores de ultrasonido, amplificadores de audio,
trasmisores de radiofrecuencia, etc.
De los dos tipos existentes de MOSFET

(decremental y incremental), para aplicaciones
de elevada potencia únicamente se utilizan los
MOSFET de incremental, preferiblemente de
canal N.
Como se puede observar en la figura el Mosfet

de canal N conduce cuando VGS>0
IGBT Red Snubber
Mosfet
Las características más importantes que distinguen a los MOSFET de otros

dispositivos son las siguientes:
Alta velocidad de conmutación, llegando a MHz.
No presentan el fenómeno de segunda ruptura por lo que el área de trabajo

seguro (SOA) mejora con respecto del BJT
El control se realiza mediante la tensión aplicada entre los terminales de

puerta y fuente (VGS), lo que reduce considerablemente tanto la complejidad
como la potencia de los circuitos de disparo.
Las tensiones máximas de bloqueo son relativamente bajas en los MOSFET

de alta tensión (< 1000V) y las corrientes máximas moderadas (< 500A).
IGBT Red Snubber
Mosfet

El modo de funcionamiento de un MOSFET de potencia es análogo al de pequeña
señal. Aplicando las tensiones apropiadas entre la puerta y la fuente (VGS) del
dispositivo se controla el ancho del canal de conducción y en consecuencia se
puede modular el flujo de portadores de carga que atraviesa el semiconductor.
En modo de conmutación, se aplican pulsos de tensión durante el estado ON y

se retiran (o se aplican con polaridad contraria) en el estado OFF.
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Aislante (Si O2)
TRANSISTOR MOSFET - canal N
Puerta Fuente
Drenador (Gate) (Source) Substrato
(Drain) (Substrate)
N N
SECCIÓN
P
Canal
(Channel)
VISTA SUPERIOR
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Mosfet
TRANSISTOR MOSFET - canal N
D G S
Substrato
N N NOTAR QUE EN
P PRINCIPIO ES UN
DISPOSITIVO
SIMÉTRICO
NOTAR:
D De momento, vamos a olvidarnos
del substrato.
METAL
OXIDO Posteriormente veremos que hacer
SEMICONDUCTOR Substrato con este terminal "inevitable" para
que no afecte a la operación del
G dispositivo.
SÍMBOLO ¡¡Que no moleste!!

S
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CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET DE CANAL N

En principio necesitamos conocer 3
IG = f(VGS, VDS) Característica de entrada tensiones y 3 corrientes:
ID
ID, IS, IG
+ +
VDG
VDS, VDG, VGS
- VDS En la práctica basta con conocer solo

IG 2 corrientes y dos tensiones.
+
VGS
IS
- Normalmente se trabaja con ID, IG,
- VDS y VGS.
Por supuesto las otras dos pueden

obtenerse fácilmente:
ID = f(VDS, VGS) Característica de salida IS = ID + IG
VDG = VDS - VGS
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PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N
VGS = 0
D
G S Substrato
N N
P
Situación de partida.
No es posible la conducción en ningún sentido
IGBT Red Snubber
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VGS = 5
D G
+++++ +++++ S Substrato
-----------
N N
P
Por atracción electrostática la zona bajo la puerta (CANAL) se

enriquece de cargas negativas (minoritarios de la zona P).
El CANAL, así enriquecido, se comporta como una zona N (CANAL N)

IGBT Red Snubber
Mosfet
VGS = 20
D
G S
+++++ +++++ Substrato
-----------
N ----------- N
P
Al aumentar la tensión de puerta (VGS), aumenta el canal.
La situación es parecida al JFET, solo que ahora vamos aumentando

el canal a medida que polarizamos positivamente la puerta (G)
IGBT Red Snubber
Mosfet
MOSFET DE CANAL N (Característica real de salida)
ZONA COMPORTAMIENTO
D FUENTE DE CORRIENTE
ID
VGS[V]
Substrato
+15
G +10
S
+5
0
VDS
ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO
COMO ANTES, LA TENSIÓN DE PUERTA (VGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.
PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.

IGBT Red Snubber
Mosfet
MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)

D
G S Substrato
canal
N N
P
D Se observa que los diodos juegan un papel

secundario en la operación del dispositivo.
Canal.
Substrato Debemos asegurar que nunca entren en operación.
Aparece entre D y S
en paralelo a los S EL SUBSTRATO se conecta al punto mas negativo del
diodos iniciales circuito.
Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S).
En los circuitos integrados se conectará el

SUBSTRATO a la alimentación negativa
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Se une con S
D
G S
Substrato
canal
N N
P
D D
G
S S
S
¡¡¡ AHORA YA NO ES UN DISPOSITIVO SIMÉTRICO !!!
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COMENTARIO:
D D
Aunque a veces se dibuje el símbolo
con un diodo, tener en cuenta que NO
ES UN COMPONENTE APARTE.
ID UGS[V]
G G
=+15 V
S =+10 V
S
=+5 V
=0V
Diodo parásito
VDS
(Substrato - Drenador)
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MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)
La puerta (G) es muy sensible.

D
Puede perforarse con tensiones

bastante pequeñas (valores ID
típicos de 30 V).
No debe dejarse nunca al aire y

debe protegerse adecuadamente. - 30 V + 30 V VGS
G
S
CAUTION, ELECTROSTATIC SENSITIVE !!!
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La curva característica aporta información acerca de cómo varía la corriente del Dreno, ID
para una tensión dreno - fuente, VDS que se mantiene fija, variando la tensión aplicada entre
la puerta y fuente Vgs.
Región Óhmica.
Esta región se utiliza cuando actúa el Mosfet

como una resistencia dependiente de VGS en
estado encendido. En esta región el valor de
VDS será:
Una definición de la región óhmica, parte de la

característica que satisface la condición que
Esta región tiene una baja resistencia entre el

dreno – fuente, RDS(ON) un valor típico para un
Mosfet de potencia trabajando a 500V y 10A es
de 0.5 Ω
IGBT Red Snubber
Mosfet
En funcionamiento como interruptor, las pérdidas de potencia durante la conducción son:
IGBT Red Snubber
Mosfet
En funcionamiento como interruptor,
las pérdidas de potencia durante la
conducción son:
IGBT Red Snubber
Mosfet
Región Activa (Saturación de Canal)
En esta región el Mosfet funciona como amplificador. Para un valor de VGS, que será
como mínimo VGS(th) se produce el paso de corriente entre el dreno y la fuente.
En la región activa el valor de la tensión

entre puerta y fuente, VGS controla la
magnitud de la corriente de dreno, ID así
como la tensión entre el dreno y fuente VDS.
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Región de Corte
Si se cierra el circuito exterior, esto no significa que se cambie el estado del dispositivo,
si la tensión aplicada entre Puerta - fuente es inferior a Vth, el dispositivo continuará en
la región de corte. En esta región la corriente que circula por el dreno es prácticamente
nula. En los Mosfet de potencia Vth suele ser algo mayor que 2 V.
Para esta región se cumplen las siguientes condiciones:
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Mosfet
CIRCUITOS DE EXCITACIÓN PARA MOSFET
El Mosfet es un dispositivo controlado por tensión, que resulta relativamente simple de

activar y desactivar, lo cual es una ventaja respecto al transistor bipolar de unión.
El estado de conducción se consigue cuando la tensión puerta-fuente sobrepasa de

forma suficiente la tensión umbral, lo que fuerza al MOSFET a entrar en la región de
trabajo óhmica.
Normalmente, la tensión puerta-fuente del MOSFET para el estado activado en

circuitos conmutados está entre 10 y 20 V.
El estado desactivado se consigue con una tensión menor que la tensión umbral.1
Las corrientes de puerta para los estados de encendido y apagado son muy bajas. Sin
embargo, es necesario cargar la capacidad de entrada parásita para poner al MOSFET
en conducción, y descargarla para apagarlo. Las velocidades de conmutación vienen
determinadas básicamente por la rapidez con que la carga se puede transferir hacia y
desde la puerta.
IGBT Red Snubber
Mosfet

CIRCUITOS DE EXCITACIÓN PARA MOSFET
PARA BAJAS FRECUENCIAS: τ ON = (R1 + R2 )CGS τ OFF = R2CGS

PARA BAJAS FRECUENCIAS:
El circuito de excitación Tótem-Pole de la figura mejora al elemental. El Totem-Pole consiste
en un par de transistores bipolares NPN y PNP acoplados. Cuando la tensión de excitación
de entrada está a nivel alto, T1 conduce y T2 está apagado, haciendo conducir al MOSFET.
Cuando la señal de excitación de entrada está a nivel bajo, T1 está al corte y T2 conduce,
eliminando la carga de la puerta y apagando el MOSFET.
IGBT Red Snubber
Mosfet
IGBT Red Snubber
Mosfet

SIMULACION: MOSFET DE POTENCIA EN CONMUTACION
OBJETIVOS
Conocer las condiciones de trabajo del MOSFET cuando éste opera en corte y
saturación, así como algunos criterios para asegurar el funcionamiento en estas regiones
de trabajo.
Estudiar el comportamiento del MOSFET en conmutación con carga resistiva e

inductiva.
Protección del MOSFET en conmutación con carga inductiva.
Estudiar y medir los tiempos de retardo del MOSFET trabajando en conmutación.
Observar los efectos negativos que producen.
Calcular la potencia de pérdidas disipada por el MOSFET debido a los tiempos de

conmutación.
IGBT Red Snubber
Mosfet

TIEMPOS DE CONMUTACIÓN
SALIDA
ENTRADA
Podemos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de

apagado (toff).
IGBT Red Snubber
Mosfet

90%
SALIDA
ton
ENTRADA 10%
Podemos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo

de apagado (toff).
IGBT Red Snubber
Mosfet

SALIDA 10%
toff
90%
ENTRADA
Podemos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y tiempo de

apagado (toff).
IGBT Red Snubber
Mosfet

90%
10%
SALIDA
tr
td
10%
ENTRADA
ton
Tiempo de retardo (td; Delay time)

Tiempo de subida (tr; Rise time)
IGBT Red Snubber
Mosfet

90%
10%
SALIDA
tr
td
10%
ENTRADA
ton

IGBT Red Snubber
Mosfet

90%
10%
SALIDA
tr
td
ENTRADA
10% ton = td + tr
ton

IGBT Red Snubber
Mosfet

SALIDA
10%
ts
tf
90%
ENTRADA
toff
Tiempo de almacenamiento (ts; Storage time)

Tiempo de caída (tf; Fall time)
IGBT Red Snubber
Mosfet

90%
SALIDA
ts
tf
90%
10%
ENTRADA

IGBT Red Snubber
Mosfet

90%
SALIDA
10%
ts
tf
toff = ts + tf
ENTRADA
toff

IGBT Red Snubber
Mosfet

Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será siempre mayor que el tiempo
de encendido (ton).
Los tiempos de encendido y apagado limitan la frecuencia máxima a la cual puede conmutar el
transistor de tal forma que:
1
f MAX =
tON + tOFF
IGBT Red Snubber
Mosfet

Cálculo de potencia disipada con
carga resistiva
Si el MOSFET trabaja con pulsos de frecuencia

y amplitud constantes, podemos hallar la
energía disipada en cada ciclo para luego
hallar su valor medio mediante integración
La potencia disipada en cada instante por el

MOSFET (potencia instantánea) viene dada
por el producto de la corriente de dreno y por
la tensión dreno-fuente, es decir:
P(t ) = iD (t )vDS (t )
w(t ) = ∫ iD (t )vDS (t )dt
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MODELO UTILIZADO EN PSPICE:
.model IRFP460 NMOS(Level=3 Gamma=0 Delta=0 Eta=0 Theta=0 Kappa=0.2 Vmax=0 Xj=0
+ Tox=100n Uo=600 Phi=.6 Rs=2.041m Kp=20.65u W=1.9 L=2u Vto=3.248
+ Rd=.2303 Rds=2.222MEG Cbd=5.156n Pb=.8 Mj=.5 Fc=.5 Cgso=1.947n
+ Cgdo=135.8p Rg=1.556 Is=96.3p N=1 Tt=670n)
* Int'l Rectifier pid=IRFC460 case=TO3P
* 88-08-26 bam creation
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Conmutación del Mosfet ante una carga Resistiva

VGS
R2
200
V2
R1 200
IRFP460
V1 = 0 ID M1
V2 = 15 V1 10
TD = 45u
TR = 0.5u
TF = 0.5u
PW = 45u
PER = 100u
0
VDS
Frecuencia: 10Khz Vdc: 200V Rl: 200Ω
IGBT Red Snubber
Mosfet

Conmutación del Mosfet ante una carga Resistiva

VGS
R2
200
V2
R1 200
IRFP460
V1 = 0 M1
V2 = 15 V1 10
TD = 45u
TR = 0.5u
TF = 0.5u
PW = 45u Pd
PER = 100u
0
Frecuencia: 10Khz Vdc: 200V Rl: 200Ω
IGBT Red Snubber
Mosfet

Conmutación del Mosfet ante una carga RL

L2
VGS
200uH
R2
200
V2
R1 200
IRFP460
V1 = 0 ID M1
V2 = 15 V1 10
TD = 45u
TR = 5u
TF = 5u
PW = 45u
PER = 100u
0
Frecuencia: 10KhzVVdc: 200V Rl: 200Ω

DS
Mosfet Red Snubber
IGBT
Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT
El Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT “Insulate Gate Bipolar Transistor” combina
las ventajas de los BJT y los Mosfet. Tiene una impedancia de entrada elevada, como los
Mosfet y bajas perdidas en conmutación, como los BJT, por lo que puede trabajar a
elevada frecuencia y con grandes intensidades.
Los IBGT fueron desarrollados hace relativamente poco

tiempo, pero su evolución ha sido rápida debido a que
han demostrado tener una resistencia en conducción muy
baja y una elevada velocidad de conmutación (la
transición desde el estado de conducción al de bloqueo
se puede considerar de unos dos microsegundos, y la
frecuencia puede estar en el rango de los 50KHz),
además de una elevada tensión de ruptura.
Mosfet Red Snubber
IGBT
Transistor Bipolar de Puerta Aislada, IGBT
G
E
Combinación de MOSFET y transistor

Bipolar que aúna las ventajas de los dos:
La facilidad de gobierno del MOSFET
El buen comportamiento como interruptor

de BIPOLAR
Dispositivo reciente muy importante en

Electrónica de Potencia
Inventado por H.W. Becke y C.F. Wheatley en 1982
Mosfet IGBT
Red Snubber

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El Transistor Mosfet de Potencia

Una fina película metálica (Metal - M).

Oxido de silicio (Óxido - O);

Región semiconductora (Semiconductor - S)

El mosfet es un dispositivo unipolar, la conducción sólo es debida a un tipo de portador.

Canal N: Conducción debido a electrones

Canal P: Conducción debido a huecos

El Transistor Mosfet de Potencia

De los dos tipos existentes de MOSFET

Como se puede observar en la figura el Mosfet

El Transistor Mosfet de Potencia

Las características más importantes que distinguen a los MOSFET de otros

Alta velocidad de conmutación, llegando a MHz.

No presentan el fenómeno de segunda ruptura por lo que el área de trabajo

El control se realiza mediante la tensión aplicada entre los terminales de

Las tensiones máximas de bloqueo son relativamente bajas en los MOSFET

El Transistor Mosfet de Potencia

En modo de conmutación, se aplican pulsos de tensión durante el estado ON y

TRANSISTOR MOSFET - canal N

SÍMBOLO ¡¡Que no moleste!!

CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET DE CANAL N

- VDS En la práctica basta con conocer solo

Por supuesto las otras dos pueden

ID = f(VDS, VGS) Característica de salida IS = ID + IG

VDG = VDS - VGS

PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N

No es posible la conducción en ningún sentido

PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N

Por atracción electrostática la zona bajo la puerta (CANAL) se

El CANAL, así enriquecido, se comporta como una zona N (CANAL N)

PAPEL DE LA PUERTA (G) EN UN MOSFET DE CANAL N

Al aumentar la tensión de puerta (VGS), aumenta el canal.

La situación es parecida al JFET, solo que ahora vamos aumentando

MOSFET DE CANAL N (Característica real de salida)

ZONA DE COMPORTAMIENTO RESISTIVO

COMO ANTES, LA TENSIÓN DE PUERTA (VGS) JUEGA EL PAPEL DE LA CORRIENTE DE BASE.

PODEMOS DECIR QUE ES UN DISPOSITIVO CONTROLADO POR TENSIÓN.

MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)

D Se observa que los diodos juegan un papel

Para un solo transistor, se conecta a la FUENTE (S).

En los circuitos integrados se conectará el

MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)

MOSFET DE CANAL N (¿ Que pasa con el substrato?)

MOSFET DE CANAL N (precauciones con la puerta)

La puerta (G) es muy sensible.

Puede perforarse con tensiones

No debe dejarse nunca al aire y

Esta región se utiliza cuando actúa el Mosfet

Una definición de la región óhmica, parte de la

Esta región tiene una baja resistencia entre el

En la región activa el valor de la tensión

El Transistor Mosfet de Potencia

Para esta región se cumplen las siguientes condiciones:

El Transistor Mosfet de Potencia

CIRCUITOS DE EXCITACIÓN PARA MOSFET

El Mosfet es un dispositivo controlado por tensión, que resulta relativamente simple de

El estado de conducción se consigue cuando la tensión puerta-fuente sobrepasa de

Normalmente, la tensión puerta-fuente del MOSFET para el estado activado en

El Transistor Mosfet de Potencia

PARA BAJAS FRECUENCIAS: τ ON = (R1 + R2 )CGS τ OFF = R2CGS

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