PRACTICA 1

Redes pasa alto y pasa bajo

Objetivos:

1. Diseñar circuitos RC pasa altos y pasa bajos.

2. Graficar la curva de respuesta en frecuencia de los circuitos diseñados.
3. Identificar las frecuencias de corte en las curvas de respuesta en frecuencia.
Diagramas circuitales.

Vi ~ R Vo

Figura 1. Red pasa alto

Vi ~ C Vo

Figura 2. Red pasa bajo

Red pasa alto o adelanto.

Resultados:
100 Hz 1 KHz 10 KHz
Vo 872mV 980mV 1,36V
Vi 1,38 V 1,38 V 1,38 V
ganancia - 4 dB - 3 dB - 0,05 dB
 desfasaje 84° 45° 5,71°

Cálculos:

1 1
R= = =1,6 Ω
2 πfC 2 π 1 k 100 μ

872 m
AV (100 Hz)= =0,63
1,38

| AV |dB=20 log AV =−4 dB

θ=arc sin ( ab )=84,28 °

980 m
AV (1 kHz) = =0,71
1,38

| AV |dB=20 log AV =−3 dB

θ=arc sin ( ab )=45°

1,36
AV (10 kHz)= =0,98
1,38

| AV |dB=20 log AV =−0,05 dB

θ=arc sin ( ab )=5,71 °

Red pasa bajo o atraso.

Resultados:
5 KHz 50 KHz 500 KHz
Vo 2,31 V 1,66 V 0,23 V
Vi 2,36 V 2,36 V 2,36 V
 ganancia - 0,18 dB - 3 dB - 20 dB
desfasaje - 5,76° 45° - 84°

Cálculos:

1 1
R= = =3,18 Ω
2 πfC 2 π 50 k 1 μ

2,31
AV (5 kHz) = =0,98
2,36

| AV |dB=20 log AV =−0,18 dB

θ=arc sin ( ab )=−5,78 °

1,66
AV (50 kHz)= =0,70
2,36

| AV |dB=20 log AV =−3 dB

θ=arc sin ( ab )=−45°

0,23
AV (500kHz )= =0,097
2,36

| AV |dB=20 log AV =−20 dB

θ=arc sin ( ab )=82,7 °

Cuestiones
Comente las formas de las curvas obtenidas, indicando los puntos en que aparecen las frecuencias
de corte, las pendientes de la curva, etc.
PRACTICA 2

Respuesta en frecuencia de un amplificador BJT

Objetivos:

1. Diseñar un amplificador de una etapa en base a un transistor bipolar de unión para una
frecuencia de corte inferior específica.
2. Trazar la curva de respuesta en frecuencia experimental para el circuito diseñado.

Diagrama circuital

Vcc

Rc
R2 C1
C2 +
Q
Rl
V1 ~ R1
Re Vc

Método de diseño.

Mida el valor de Hfe del transistor que utilizará. Este valor lo aproximaremos al de ᵦ y lo
utilizaremos en el diseño.

β=439

Se adopta Rc = Rl. Por tanto, Rc = 10KΩ

Para resolver el valor de Re se trata, en primer lugar, con la forma corta de la ecuación para Av.

−( Rc /¿ R L ) −( 10 k /¿ 10 k )
AV = = =500 Ω
RE −10

R E=500 Ω
Se necesita encontrar Hib para ver si se justifica la ecuación en forma corta. Primero se encuentran
la resistencia del lazo colector-emisor bajo condiciones de cd, Rcd, y la resistencia del lazo
colector-emisor bajo condiciones de ca, Rca.

Rca =5.5 k Ω

Rcd =10.5 k Ω

Se calcula ahora la corriente del colector en reposo necesaria para colocar el punto Q en el centro
de la línea de carga de ca, para máxima excursión.

V cc
I CQ = =750 μA
R cd + Rca

Para verificar la validez de la ecuación en forma corta para Av, deterninamos el valor de Hib como
sigue:

26 mV
hib = =34,66 Ω
|I CQ|
A partir de la condición establecida para la resistencia de entrada del amplificador, Ren, se obtiene
el valor de Rb, la resistencia de base a tierra del modelo equivalente de Thévenin del circuito base-
emisor.

RB
Ren = =16.02 Ω
β ( hib + R E )

La tensión equivalente de Thévenin Vbb es igual a:

V BB =V BE + ( Rβ + R )=1.1V
E
E

Con Rb y Vbb determinados, se pueden encontrar los valores para las resistencias R1 y R2, a partir
de las ecuaciones:

RB
R 1= =17.06 k Ω
V BB
1−
V VV

V CC
R2=R E =174.7 k Ω
V BB

Para establecer el punto Q de este amplificador solo queda por calcular el valor de Vceq
V CEQ =V CC −( RC + R E ) I CQ =4.125 V

Para obtener la frecuencia baja de corte establecida, adoptaremos el método por el cual el polo
del circuito de colector refleja toda la caída de 3dB y se coloca el polo del circuito de entrada una
década más abajo. Por tanto,

1
C 1= =20 nF
2 πf ( R C + RL )

1
C 2= =265.4 nF
f
2π ( )R
10 en

Re R1 R2 Icq Vceq Av Rent Ro Desfasaje

Calculado 500Ω 17,06kΩ 174,7kΩ 0,75mA 4,12V -10 15kΩ 10kΩ 180°
Usado 500Ω 18kΩ 147,7kΩ 10kΩ

Cálculo de la ganancia de tensión en dB:

F(Hz) Vo Vi Av
40 500mV -4
100 1V 1,73
200 2,1V 8,2
300 2,9V 10,8
400 3,3V 12
600 4V 14
1k 4,3V ≈ 800mV 14,88
3k 4,6V 15,34
4k 4,71V 15,37
200k 5,5V 16,2
520k 4,3V 14,6
720k 3,5V 12,5
920k 2,6V 10,8
PRACTICA 3

Amplificador de potencia. Amplificador Clase A

Objetivos:

1. Diseñar un amplificador clase A en comfiguración Darlintong, en base a especificaciones.

2. Evaluar el rendimiento del modelo del amplificador diseñado.

Enunciado del problema

Diseñar un amplificador clase A en colector común con un par de transistores montados en

configuración Darlintong; vea el circuito en diagrama circuital, utilizando para T1 un transistor
BC549 y para T2 un BD135. El amplificador debe excitar una carga de 22Ω, Rent= 3kΩ y una
frecuencia de corte de 40Hz. Utilice Vcc = 12V.

a) Determine el valor de los componentes del circuito. Recuerde que debe adoptar valores
comerciales.

b) Monte el circuito y realice el procedimiento necesario para obtener la información requerida en

las tablas.

Diagrama circuital.
 Vcc

R2
C2 C1
T1 +
+
T2
Vs R1 Rl Vo
Re
- -

Método de diseño

Mida el valor de HFE de los transistores que utilizará. Este valor lo aproximaremos al ß y lo
utilizaremos en el diseño.

Transistor BC 549 – ß1 = 270

Transistor BC 135 – ß2 = 141

Se adopta RE = RL. Por tanto, RE = 22 Ω

El valor de Ren se determina como sigue:

Ren =RB /¿ β 1 β2 ( 2 hib 2+ R E /¿ R L )

Conociendo Ren y despreciando hib2 (Icq es muy pequeña), calcule Rb a partir de:

Ren =RB /¿ β 1 β2 ( R E /¿ RL )=3.02 k Ω

El punto Q está en:

V CC
I CQ = =363.63mA
R ca + Rcd

Utilice las ecuaciones de polarización para encontrar Vbb y los resistores de polarización R1 y R2:
V BB =8.72 V

RB
R 1= =10.97 k Ω
V BB
1−
V CC

V CC
R2=R B ( )
V BB
=4.12 k Ω

La ganancia de corriente está dada por:

RB RE
Ai = .
RB RE+ RL
+2 hib 2+ R E /¿ R L
β1 β2

Utilice la aproximación anterior (despreciar hib2) y calcule Ai como sigue:

RB RE
Ai = . =136.28
RB RE+ RL
+ R E /¿ R L
β1 β2

Calcule C1 notando que la resistencia total en el trayecto de descarga del capacitor es Re + Rl, y
entonces:

1
C 1= =90.4 μF
2 πfL ( R E + RL )

Sugerencia: para determinar el valor del capacitor C2, ubique su frecuencia de corte una década
debajo de la frecuencia de corte inferior especificada para el amplificador.

Así:

1
C 2= =13.2 μF
fL
2π ( )R
10 en

La potencia de salida es:

1
P0= ( I CQ )2 R L =1.45W
2

La potencia suministrada por la fuente de alimentación es:

 V 2cc
Pcc =I CQ V cc + =4.36 W
R1 R 2

La eficiencia del amplificador es:

P0
n= 100 %=33.22 %
PCC

La máxima excursión simétrica sin distorsión en la tensión de salida es:

1.8
V 0= =7.2 V
I CQ
RE /¿ R L

Resumen del diseño:

ß1ß2 Re R1 R2 C1 C2 Ai Po n Vomax
38070 3k 10k 4k 90,47µF 13,2µF 136,28 1,45W 33,22% 7,2V

Evaluación del modelo diseñado.

Realice las mediciones indicadas por las tablas y complétalas.
Tabla 1: Condiciones de reposo del amplificador clase A en configuración Darlintong
Icc Icq Vbe Vce
380mA 380mA 1,43V 4,5V

Tabla 2: Condiciones de reposo del amplificador clase A en configuración Darlintong.

Tabla 3: Magnitudes medidas en el amplificador clase A

Po Pcc Av n
0,5W 4,44W 0,04 31,40%
Conclusiones:
Según las tablas de datos vemos que el amplificador en la configuración Darlintong proporciona
ganancia de corriente y potencia mucho mayor que el amplificador de un transistor.

Además tiene una alta impedancia de entrada y baja impedancia de saoida. La desventaja de esta
configuración es que la corriente de fuga a Q1 también es amplificada por Q2.

PRACTICA 4

Amplificador clase B. Simetría complementaria

Objetivos:

1. Diseñar un amplificador en simetría complementaria Clase B, en base a especificaciones.

2. Calcular el rendimiento del modelo del amplificador diseñado.

Enunciado del problema.

Diseñe un amplificador en simetría complementaria clase B compensado por diodos, para un

amplificador de audio con respuesta en frecuencia de 60Hz a 20KHz y una potencia de salida de
0,5W en un altavoz de 8,2Ω.
Utilice el par de transistores complementarios BD135 y BD136, el diodo 1N4007 cuya resistencia
en directo es 100Ω y una fuente de alimentación de 12V.

a) Determine el valor de los componentes del circuito.

b) Monte el circuito y realice el procedimiento necesario para completar las tablas.

Diagrama circuital.

+ Vcc
R1
Q1
C1 D1 C2

D2
Vi Q2 Vl
R2

Método de diseño

Mida el valor de ß (Hfe) del transistor BD135 que utilizará ß = 140

El capacitor C1 forma parte de la trayectoria de la corriente para un transistor cuando el otro está
en corte. Por tanto, el capacitor se carga durante la conducción de Q1 y se descarga durante la
conducción de Q2. La respuesta de la etapa en baja frecuencia depende de la capacidad de C1 y de
la resistencia de la carga Rl.

El punto de media potencia o de 3dB especifica la frecuencia más baja de corte ω = 1/(RlC1). De
aquí, para la frecuencia inferior especificada de 60Hz, determine el valor de C1.

C 1=323.64 μF

Determine el valor de Icmax necesario para lograr la potencia especificada en la carga a partir de la
relación:

I 2cmá x R L
P L=
2

I cmá x =0.34 A

Determine el valor de la máxima corriente de base:

 I cm á x
I bp= =2.42 mA
β

En el diseño de este amplificador de potencia es necesario conocer la resistencia en directo del

diodo, que suele ser inferior a 100Ω. También es importante que la corriente de polarización del
diodo sea bastante grande para mantener los diodos en la porción lineal de su región de
polarización directa para todas las tensiones de entrada. La máxima corriente pico negativa a
través del diodo debe ser menor que la corriente de polarización en directo. Esto es, el
componente de cd de corriente debe ser mayor que el de ca, de modo que cuando se añade al
componente de cd, la corriente resultante no se vuelva negativa. Si esto no fuera cierto, el diodo
se polarizaría inversamente. Esta restricción se establece como:

I D >| I DP| I DP =I BP+ I R 1

Donde Idp es la amplitud del componente de ca de la corriente del diodo.

El circuito equivalente en ca se muestra en la figura 1, donde Ib es la corriente en ca de la base del

transistor y Vl es la tensión en ca a través de la carga, Rl + jXc1, a baja frecuencia.

IR2
Bib
R2
ib
id +
RF
ient +
RF RL vl
vl
-
R2

La siguiente ecuación proporciona la corriente directa Id a través del diodo:

V CC
−0.7
2
I D= =5.09 mA
R2

La señal de corriente pico a través del diodo en dirección inversa Idp es:
 V lp
i dp=i bp +
R2

La segunda ecuación se deriva notando que la ganancia de tensión es unitaria para el amplificador
seguidor de emisor. Esto es, la tensión en ca a través de R2 es igual que la tensión del emisor a
tierra, Vl'.

Igualando Id con Idp se encuentra la condición limitante para la operación del diodo en la región
de polarización directa. A partir de esto, R2 se puede encontrar como sigue:

V CC I 2−0.7−V LP
I D=
ibp

R2=1.04 k Ω

Como el amplificador es un seguidor de emisor, Vi ≈ Vl'. A frecuencias medias, la tensión a través

de C1 es cero. Por lo que Vl' = Vl, y su máximo valor, visto desde la base es igual a:

V LP=R L β ibp =R L i cp

V ' LP=2.77V

La resistencia de entrada se determina del circuito equivalente de la figura 2 para la condición Zl =

Rl a frecuencias medias del amplificador donde Xc1=0. Nótese que el capacitor es un cortocircuito
para operación a frecuencias medias, Rl se refleja como ßRl, las resistencias en directo e inverso
del diodo son, respectivamente Rf y Rr.

+ ien t +

RF RF v d1
-
Vi
R2 R2 BZL= BRL
a m edia
- Icia

La resistencia de entrada se encuentra de la figura como sigue:

R f + R2
Ren = =0.41 k Ω
R2
Rf +
β RL

Sugerencia: determinar el valor del capacitor C2 ubicando su frecuencia de corte una década
debajo de la frecuencia inferior especificada para el amplificador.
C 2=64.72 μF

La ganancia de corriente se puede determinar utilizando división de corriente. La tensión a través

de D1 con Q1 en conducción es:

VL
V D 1=R f i bp+( R2 )
=0.5 V

V D 1 +V L
i D 1= =2.87 mA
R f + R2

V D 1+ V L VL
i en= +i bp + =7.97 mA
Rf + R2 2

Ib
Ai = β =42.61
ien

La potencia desarrollada por la fuente en cd se divide entre el transistor y los resistores del circuito
de polarización. La señal de la fuente de ca añade una cantidad de potencia adicional
insignificante, ya que las corrientes de base son pequeñas en relación a las corrientes de colector.
Parte de la potencia dirigida al transistor va a la carga y la otra parte se disipa en el transistor
mismo.

La potencia de entrada es Pcc = Vcc Idc

Donde Idc es la corriente media extraída de la fuente de poder por parte del transistor en el
circuito.

T
12 ❑ I
I DC = ∫ I C 1 ( t ) dt= Cmax
T 0 π

V cc I cmax
Pcc = =1,29 W
π

La potencia de salida en ca, suponiendo que la entrada sea senoidal, es:

I 2cmax R L
P L= =0,47 W
2
La potencia total en cd proporcionada a la etapa es la suma de la potencia en el transistor y la
potencia en el circuito de polarización y compensación:
P V cc I cmax V 2cc
cc= +
π 2 R f +2 R2

Si se resta la potencia en la carga de la potencia de la ecuación se encuentra la potencia que se

disipa en los transistores. Como esta potencia se comparte en forma equitativa entre los dos
transistores, la potencia disipada por un solo transistor es un medio de este valor. Entonces:

2
1 V cc I cmax I cmax R L
Pc =
2 π [ −
2
=0,4 W ]
La eficiencia del amplificador es la relación de la potencia de salida a la potencia suministrada al
transistor:

PL
n= 100 %=36,43 %
P cc

El diseñador de este amplificador debe especificar el manejo de potencia del transistor.

V 2cc
Pcmax = 2 =1.39W
4 π RL

La selección del transistor debe satisfacer los siguientes requerimientos:

BV CEO ≥V cc I 2

PTOTAL ≥ Pcmax

I cmax ≥ V cc I 2 R L

Observación: Al montar el modelo del circuito diseñado, es posible que se observe distorsión por
cruce en el funcionamiento en ca. Esta distorsión se puede reducir fácilmente colocando pequeños
resistores en serie con los diodos para hacer que Icq se encuentre ligeramente por encima de cero.
Si se le presenta esta situación, utilice un potenciómetro de 500Ω para detectar el menor valor de
resistencia que subsana el problema.

Tablas.
Tabla 1: Condiciones de reposo del amplificador en simetría complementaria.

Icc Vce1 Vbe1 Ve1 Vce2 Vbe2 Ve2

Tabla1.1 8mA 5,95V 0,58V 5,9V 5,9V 0,61V 5,94V
Tabla1.2 4.4mA 6V 0,6V 5,91V 5,92V 0,6107V 5,92V

Tabla 2: Características del amplificador en simetría complementaria.

Icc(para VImax) Vi Forma de onda Vo Forma de

 onda
Tabla2.1 129,7 mA 1,98 Vpp 940 mVpp
Tabla2.2 104,1 mA 860 mVpp 0,6 Vpp

Observación: Las tablas 1.1 y 2.1 corresponden a las mediciones realizadas con la salida del
amplificador afecatada por la distorsión por cruce. Luego de solucionar el problema, repita las
mediciones para completar las tablas 1.2 y 2.2.

Tabla 3: Características del modelo estudiado (sin distorsión por cruce)

Ai Av Ap Pcc Pl n
62,22 1 62,22 65,6W 6,66W 10,15%

Cuestiones.

1. Realice una recopilación bibliográfica sobre la “falla térmica” y los circuitos típicos que se
utilizan para solucionar el problema.

La “falla térmica” puede producirse si los dos transistores complementarios no tienen la misma
característica o si una Vbe descompensada se reduce por las altas temperaturas. Esto conduciría a
una corriente de colector mayor que origina disipación de potencia y calentamiento adicionales.
Este proceso continua hasta que el transistor se sobrecalienta y falla.

Este problema se reduce colocando pequeñas resistencias en serie con los emisores (Fig.1)

2. Realice una recopilación bibliográfica sobre la “distorsión por cruce” y los circuitos típicos
que se utilizan para solucionar el problema.

La “distorsión por cruce” se refiere al hecho que durante el cruce de la señal de + (positivo) a –
(negativo) o viceversa hay cierta no linealidad en la señal de salida. La operación del circuito no
brinda una conmutación exacta de un transistor en corte a otro en saturación en la conducción de
voltaje a cero.

Ambos pueden estar en corte o conduciendo de manera parcial por lo que el voltaje de salida no
sigue exactamente a la entrada y ocurre la distorsión.

Esta distorsión se puede reducir fácilmente colocando pequeños resistores en serie con los diodos
para hacer que Pca se encuentre ligeramente por encima de cero, esto, a su vez provoca que
ambos amplificadores amplifiquen la señal de entrada en ca de manera simultánea en la región de
paso, compensando así la baja amplificación individual en esa región.

Apéndice A

Información técnica sobre el transistor BD135

Material Tipo Vceo Vcbo Vebo Ic Icm Ptot Hfe Vce(sat)
Silicio NPN 60V 60V 5V 1,5A 2A 8W a 40- 500mV máx
más más máx máx más 70° 250 Ic=0,5

Diagrama del encapsulado

BD135 BD136

ECB ECB