COMPARACIÓN ENTRE BJT Y JFET
BJT
Controla el paso de la corriente al aplicar
corriente en la base.
Es un dispositivo bipolar, el cual aumenta o
disminuye la zona agotamiento, al aplicarle
corriente en la base.
El valor de la corriente del emisor esta
directamente relacionada con el valor de la
corriente en la base.
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Producen mayor ruido que los JFET.
Puede alterarse su funcionamiento al
exponerse a grandes variaciones de
temperatura.
Presentan mayor complejidad en su
fabricación porque necesita de más pasos.
El paso de corriente es limitado.
Poca sensibilidad ante toques eléctricos
como la electricidad estática del cuerpo, etc.
El JFET presenta una menor resistencia, por
lo tanto puede circular una mayor corriente
y potencia.
No presenta mayor capacidad en
comparación a los JFET.
https://www.cartagena99.com/recursos/electronica/apuntes/Electronica%20Basica%20Para
%20Ingenieros.pdf
JFET
Controla el paso de la corriente al aplicar
voltaje positivo entre la puerta y la fuente.
Es un dispositivo unipolar, el cual controla la
conductividad de un canal P, aumentando o
disminuyendo la región de agotamiento.
El valor de la corriente de drenaje, esta
directamente relacionada con el valor del
voltaje en la compuerta y en la fuente.
Tiene ganancias de corriente indefinidas, y
ganancias de voltaje menores.
Impedancia de entrada muy elevada.
Tiene un comportamiento más estable con
la temperatura que los BJT.
Permite integrar mas des estos dispositivos
en un circuito integrado, por su fácil
fabricación.
Pueden disipar mas potencia, y permitir el
paso de corrientes grandes.
Son muy sensibles a la corriente eléctrica.
Pueden funcionar como resistencias para
valores pequeños de voltaje drenaje-fuente.
Presentan una alta capacidad de entrada.