TRANSITOR MPS5179

Este dispositivo está diseñado para su uso en amplificadores UHF / VHF de bajo ruido
con corrientes de colector en el rango de 100 µA a 30 mA en común emisor o modo de
funcionamiento de base común, y en baja frecuencia osciladores UHF de deriva y
salida alta. Procedente del Proceso 40.
Símbolo Valor Unidad
Voltaje de colector a base V CBO 20 V Vdc
Voltaje de colector a V CEO 12 V Vdc
emisor

Voltaje del emisor a la V EBO 2.5 V Vdc

base
Corriente colector Ic 50 mA mAdc
Disipación total del PD 200 W
dispositivo @ TA = 25 ° C 1.14 Mw/°C
Reducir por encima de 25
°C
Disipación total del PD 300 W
dispositivo @ TC = 25 ° 1.17 Mw/°C
C
Reducir por encima de 25
°C
Rango de temperatura de Tstg -55 ° a +150°c °C
almacenamiento

Las tensiones que superen las clasificaciones máximas pueden dañar el dispositivo.
Las condiciones de funcionamiento recomendadas pueden afectar la confiabilidad
del dispositivo
SIMULACION

XSA1
L4 C1

310nH
50pF
IN T

C2

Q1 175pF
L2
L1 MPS5172
25nH
1mH

C4
C3
1000pF
R1 1000pF L3
1mH
2.2kΩ

VDC5 VDC4

-12V 12V
TRANSISTOR 2N3019

El 2N3019 es un transistor de silicio complementario de 80V NPN, corriente de

colector 1A, encapsulado TO-39, diseñado principalmente para aplicaciones de
amplificación y conmutación. El transistor NTE128 presenta altos voltajes de ruptura,
bajas corrientes de fuga, baja capacidad y una versión beta útil en un rango de
corriente extremadamente amplio. Diseñado para amplificador de alta corriente y alta
frecuencia solicitud. Presenta alta ganancia y baja saturación voltaje