Universidad Tecnológica Nacional

Facultad Regional Córdoba

Ingeniería Electrónica

ELECTRONICA DE POTENCIA
5R1

TRABAJO PRACTICO Nº5

Fuente conmutada aislada de medio puente

Huerga, Manuel 73072

Mallada, Fernando 73573

Milani, Ignacio 72072

Morales Giosa, Alvaro 73503

Profesor: Ing. Avramovich, Javier Alejandro

Septiembre 2020
Electrónica de potencia

1 de 20
Electrónica de potencia

Índice
1. Introducción 3
1.1. Especicaciones requeridas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3

2. Diseño 4
2.1. Etapa de entrada o alimentación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2.1.1. Filtro EMI . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2.1.2. Proteccion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4

2.1.3. Recticación (puente de diodos) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.1.4. Filtro . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5

2.1.5. Resultado de simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

2.2. Etapa de conmutación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

2.2.1. Generador de PWM para driver de transistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

2.2.2. Driver de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

2.2.3. Resultado de simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2.3. Etapa de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2.3.1. Transistores de Potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2.3.2. Resultado de simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.3.3. Transformador de potencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9

2.3.4. Capacitor de acoplamiento . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2.3.5. Red Snubber en primario . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10

2.4. Etapa de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

2.4.1. Diodos recticadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

2.4.2. Inductor de salida Choke . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11

2.4.3. Capacitor de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

2.4.4. Resultado de simulación . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12

3. Conclusión 13

4. Especicaciones 14

2 de 20
Electrónica de potencia

1. Introducción
Una fuente de alimentación CC es todo circuito electrónico que convierte una tensión alterna de entrada

en una tensión continua estable de salida, con el n de proveer de energía de forma segura a otros circuitos.

Un convertidor DC/DC o fuente conmutada puede denirse como un dispositivo electrónico que trans-

forma energía eléctrica de características constantes (corriente continua) de una magnitud en otro nivel

de magnitud por medio de la acción de transistores en conmutación. Básicamente, trabajan en períodos

de tiempo, gracias a la acción de un ciclo de trabajo, durante el cual se toma energía por un período de

tiempo mientras la señal está a la salida y luego en el tiempo restante se la libera de forma de establecer

un ujo prácticamente continuo de energía hacia la carga. Estos convertidores surgen como alternativa

a sus contra partes (fuentes) lineales, ya que éstas últimas presentan una gran cantidad de desventajas

funcionales y constructivas a medida que la potencia de salida se incrementa.

En el presente informe se procede al diseño e implementacion de una fuente conmutada con las siguientes

caracteristicas

Tension de salida: 24V

Corriente de salida: 2,5A

Potencia de salida: 50W

Se adjuntarán imágenes de las simulaciones para corroborar que el resultado es el deseado y por último

se incluirán conclusiones al respecto.

1.1. Especicaciones requeridas

Convertidor medio puente bidireccional.

Línea de alimentación: 200 a 240VRM S , 50 Hz.

Frecuencia de conmutación: 80KHz.

Salida: 24V, 2,5A, límite de corriente 3,5A.

Salida: Ripple de 400mVpap , regulación en línea y carga +/- 1 %.

Circuito de protección contra sobrecorriente.

3 de 20
Electrónica de potencia

2. Diseño
2.1. Etapa de entrada o alimentación

Figura 2.1: Circuito de alimentación

2.1.1. Filtro EMI

La interferencia electromagnética es la perturbación que ocurre en cualquier circuito, componente o

sistema electrónico causada por una fuente de radiación electromagnética externa o interna. Al tener

las fuentes conmutadas un circuito de conmutación, se genera interferencia eléctrica por conducción o

radiación en la red de modo común y modo diferencial por las interrupciones en la corriente. Estas

interferencias pueden causar fallas o mal funcionamiento en otros equipos conectados a la red. El ltro

de línea tiene como objetivo absorber dichas interferencias generadas.

La mayoría de los circuitos AC/DC incorporan ltros EMI en el interior del gabinete para suprimir los

ruidos e interferencias. Estos dispositivos se basan en sencillos circuitos inductivos que trabajan básica-

mente en modo diferencial, junto a capacitores que se colocan en paralelo con la linea de alimentación

de red. Los circuitos más elaborados, de mayor calidad y costo, incorporan ademas capacitores referidos

a masa que tienen la propiedad de ltrar los ruidos y poseen una operación denominada en modo co-

mún. Mas allá de las características funcionales del ltro EMI su aplicación es consecuencia directa de

normas de diseño nacional e internacional para dispositivos que utilicen conmutación o sean susceptibles

de generar interferencia hacia otros dispositivos.

2.1.2. Proteccion

Se seleccionó un fusible estándar de 500mA, que se destruya ante una eventual elevación constante de

corriente, pero que pueda soportar el pico máximo de corriente de arranque por poco tiempo sin destruirse.

Cuando se enciende la fuente de alimentación con los capacitores de ltrado descargados, se genera un

pico de corriente bastante elevado hasta que estos se cargan. Esta corriente de arranque, puede dañar al-

gunos componentes. Una manera de afrontar este problema es mediante la utilización de termistores NTC

(negative temperature coecient), los cuales disminuyen su resistencia a medida que se eleva su tempe-

ratura. Si colocamos un termistor en serie en la entrada del circuito, este se encontrará a temperatura

ambiente con un valor de resistencia elevado.

4 de 20
Electrónica de potencia

Al encender la fuente, el NTC limitará el paso de la corriente durante un breve periodo de tiempo,

pero debido al efecto joule éste elevara su temperatura y disminuirá su resistencia a un valor pequeño,

permitiendo el paso de toda la corriente demandada por el circuito. calculamos el valor de este dispositivo

de la siguiente manera:

√
Vin(max) 240V · 2
NTC = = = 6, 78Ω (2.1)
IF SM 50A

2.1.3. Recticación (puente de diodos)

Por especicaciones de diseño, se sabe que la potencia de salida de la fuente deberá ser de 50W. Esto

quiere decir que la etapa de entrada debe ser capaz de aportar esta potencia teniendo en cuenta un

rendimiento (η) menor al 100 %. Considerando η=80 %=0,8 se puede deducir la corriente de esta etapa

de la siguiente forma:
Pout
Pin = = V · I = 62, 5W (2.2)
0, 8
62, 5W
I= = 312mA (2.3)
Vminima
Considerando un margen de seguridad se propone el uso del puente de diodos 2W10

Vreverse = 1000V (2.4)

If orward = 2A (2.5)

2.1.4. Filtro
La etapa de ltrado dispondrá de dos capacitores en serie de igual valor de capacitancia; el punto medio

entre ellos estará conectado a un divisor resistivo compuesto de dos resistores del mismo valor, por lo que

ambos capacitores se cargaran a la mitad de la tensión pico máxima de la señal recticada. La entrada

del transformador de potencia (el primario) estará conectado en el mismo punto. La tensión allí será

entonces: √
Vrectif icada 2
Vprimario = = Vrms · (2.6)
2 2
Para el cálculo de estos capacitores se debe denir la tensión ripple (pico a pico) que admitirá la salida

del ltro y la corriente que se entregará al transformador de potencia. Este último será igual a la corriente

I calculada anteriormente y considerando un ripple máximo de 10Vpap se obtiene:

I 312mA
C1 = C2 = = (2.7)
frect · ∆V 2 · 50Hz · 10V

C1 = C2 = 312µF ≈ 330µF (2.8)

Se eligen entonces capacitores comerciales de 330µF / 200V.

5 de 20
Electrónica de potencia

2.1.5. Resultado de simulación

Figura 2.2: Salida del recticador

2.2. Etapa de conmutación

2.2.1. Generador de PWM para driver de transistores
Las señales PWM que se emplearán para la conmutación de los transistores de potencia se obtendrán

haciendo uso del integrado TL494. Este tiene una salida con dos transistores con emisor y colector abiertos,

cuyas bases se pueden excitar en conguración única o complementaria para generar dos señales PWM.

La frecuencia se ajusta con un capacitor (Ct ) en el pin 5 y un resistor (Rt ) en el pin 6 haciendo uso de

la siguiente ecuación tomada de la hoja de datos:

1, 1
fo = (2.9)
Rt · Ct
Fijando el capacitor Ct = 3, 9nF y sabiendo que la frecuencia de conmutación es de 80KHz se obtiene :

1, 1
Rt = = 3, 52KΩ (2.10)
fo · Ct
Se opta por colocar un potenciómetro de 5KΩ en serie con un resistor de para ajustar el valor de 1KΩ
frecuencia con mayor precisión.

El ciclo de trabajo se establece por medio del pin 3 (FeedBack) ajustando el nivel de tensión del mismo

entre 0,5V y 3,5V por medio de un divisor resistivo, el cual también dispondrá de un potenciómetro para

permitir una mejor precisión. El ciclo de trabajo que se debe emplear tendrá que ser menor al 50 % para

evitar que los transistores de conmutación se encuentren en el mismo estado de conducción. A demás se

deben considerar los tiempos de encendido y apagado de los mismos. El tiempo total de conmutación por

lo general ronda en valores menores a , el cual representa un 8 % del periodo de la señal PWM propuesta,

por lo que se propone un ciclo de trabajo del 40 % para evitar convenientes.

6 de 20
Electrónica de potencia

Se congura entonces el circuito integrado como lo muestra la siguiente imagen:

Figura 2.3: Generador de PWM

2.2.2. Driver de potencia

Los transistores de potencia serán controlados por IR2110, un dispositivo de potencia diseñado para el

control de transistores IGBT y MOSFET que dispone de un canal otante con referencia alta y baja

independientes. El lado alto del canal de salida opera con un riel de alto voltaje de hasta 500V. El

suministro otante se deriva del suministro jo empleando la técnica de Bootstrap. La conguración del

driver se presenta a continuación:

Figura 2.4: Circuito driver

En la etapa de bootstraping, el uso de un diodo de recuperación rápida es recomendado para disminuir el

consumo potencia; además debe ser capaz de soportar el voltaje de la línea, por lo que se elige el MUR160,

con un VRRM = 600V . El capacitor de esta misma etapa se puede calcular de la siguiente forma (hoja de

datos del IR2110):

QG
Cbs > 2 · (2.11)
(VCC − VD1 − VDS )

Donde QG es la carga total de compuerta del transistor de potencia usado, VD1 es la tensión directa del

diodo de recuperación rápida y VDS es la tensión drenador-surtidor debido a la corriente de fuga interna

7 de 20
Electrónica de potencia

cuando el transistor del lado bajo se encuentra encendido. El fabricante del IR2110 recomienda el uso de

un capacitor de 0.1µF , el cual es un valor muy típico entre aplicaciones con frecuencias de conmutación

superiores a los 5kHz.

2.2.3. Resultado de simulación

Figura 2.5: PWM

2.3. Etapa de potencia

2.3.1. Transistores de Potencia
La elección del transistor de potencia se debe hacer considerando la condición de máxima exigencia de la

fuente. La primera de ellas es la corriente máxima de drenador. Teniendo en cuenta el cálculo realizado

en la etapa de alimentación y que el ciclo de trabajo de cada transistor sera del 40 % (D=0,4) del periodo

de la señal PWM, la corriente a considerar es:

I 312mA
IDmax = = = 780mA (2.12)
D 0, 4

La segunda condicon es la tensión máxima drenador-surtidor que deberán soportar los MOSFETS. Este

valor es el valor máximo de la señal de línea, por lo que si suponemos 240VRM S a la entrada, la VDSmax
será:

√
VDS(max) = VRM S · 2 ≈ 340V (2.13)

Se opta por elegir entonces dos transistores MOSFETS IRF830 que posee las siguientes características:

Tipo VDSS RDS ID

IRF830 500V <1, 5Ω 4, 5A

8 de 20
Electrónica de potencia

Figura 2.6: Transistores de potencia

2.3.2. Resultado de simulación

Figura 2.7: Tensión Gate-Surtidor MOSFET

2.3.3. Transformador de potencia

La función del transformador de potencia es proveer aislación entre la etapa de entrada conectada a

la red alterna y la etapa de salida. El tamaño de este es inversamente proporcional a la frecuencia

de funcionamiento del mismo y directamente proporcional a la potencia que puede transferir entre sus

devanados

Para la construcción del transformador utilizaremos una cazoleta con núcleo de ferrita con las siguientes

características:

Nucleo Material Area Frecuencia de trabajo

2
E-I- 33/23/13 3C90 1, 18cm 15KHz < f < 120KHz

9 de 20
Electrónica de potencia

Se elige a partir la de la temperatura de trabajo un campo magnético de B = 200mT , ya que el µ en ese

punto es bastante estable.

La relación de transformación es la relación entre la tensión ecaz del primario y la del secundario. El

primero será la mitad de la tensión recticada en la etapa de entrada, teniendo en cuenta que es una

señal periódica con un ciclo de trabajo del 80 % (D=0,8). La segunda es un valor superior a la tensión de

salida especicada en el diseño (25V) para solventar perdidas y caídas de tensión en la etapa de salida,

recordando además que es un trasformador de punto medio. La relación entre primario y secundario

queda:

√
Vprimario 220V 2
= · · 0, 8 = 2, 07 (2.14)
Vsecundario 2 · 30V 2

2.3.4. Capacitor de acoplamiento

Este capacitor es el encargado de desacoplar la tensión de continua sobre el primario del transformador

de potencia. El mismo se calcula se la siguiente manera:

I
C= · ∆t (2.15)
∆V
La corriente empleada aquí es la misma que circula por los transistores:

I = 312mA (2.16)

∆t es el tiempo que en el cual se carga el capacitor:

D
∆t = 2 · = 10µs (2.17)
80KHz
∆V es la variación de la tensión en los bornes del capacitor, que se considerara entre el 10 % y el 20 %

de la mitad de tensión de entrada:

√
2
∆V = 0, 15 · VRM S · (2.18)
2

∆V ≈ 23V (2.19)

Entonces el capacitor tendrá que ser:

C = 135, 6nF (2.20)

El valor de capacitancia comercial mas cercano al requerido es de 120nF / 250V

2.3.5. Red Snubber en primario

Es necesario agregar una red snubber en paralelo al primario para reducir o evitar los picos de tensión

que se generan durante el apagado de los MOSFETS debido a alguna energía residual en el primario

del transformador. La red entonces provee un camino de circulación de corriente para disipar cualquier

remanente de energía en el transformador. El capacitor se calcula de la siguiente forma:

∆t 1µs
Cs = ·I = √ · 312mA (2.21)
∆V 220V · 0, 5 · 2

10 de 20
Electrónica de potencia

Cs = 2, 20nF (2.22)

∆t es el tiempo en el que se busca deshacer el valor de tension ∆V con una descarga de corriente I; tendrá

que ser menor al tiempo en el que se encuentran apagado los transistores. La resistencia del snubber debe

ser de un valor que no permita valores de corriente por debajo de los 312mA para asegurar el tiempo ∆t
de descarga, por lo que deberá ser un valor relativamente bajo, se elige Rs = 150Ω .

Figura 2.8: Red snubber

2.4. Etapa de salida

2.4.1. Diodos recticadores
Serán los encargados de recticar la señal proveniente del transformador de potencia para obtener la señal

de salida deseada. Los parámetros a tener en cuenta para la elección de estos diodos son los siguientes:

Tiempo de recuperacion inversa: la frecuencia de trabajo de cada diodo será la mitad de la

frecuencia del secundario. Este ultimo opera a 160kHz debido a que ambos transistores conmutan
1
una vez por ciclo de la PWM. Cada diodo tendrá entonces aproximadamente
2·80KHz segundos
para recuperarse.El trr tendrá que ser menor a 6,25uS.

Corriente: por especicaciones de diseño, la corriente máxima de salida es de 3,5A. Por lo tanto,
y debido a que el ciclo de trabajo de salida es aproximadamente 50 % (D=0,5), la corriente a través

de cada diodo será 1,75A en las peores condiciones.

Tensión inversa: la tensión inversa que deberá soportar cada diodo será de unos 60V, este valor
es el que se consideró en el diseño del transformador de potencia para solventar posibles pérdidas

y caídas de tensión en la etapa de salida.

Se seleccionaron diodos de recuperación rápida MUR460 con trr = 50ns , VRRM = 600V y IF = 4A.

2.4.2. Inductor de salida Choke

El valor de inductancia que se busca es aquel que permita almacenar la energía necesaria para que la

corriente se mantenga dentro de los valores requeridos por la carga, durante el tiempo en que ambos

transistores de potencia están apagados (tof f ). Este tiempo equivale al 20 % del periodo de la señal en el

secundario, osea:

0, 2
tof f = = 1, 25µs (2.23)
160KHz

11 de 20
Electrónica de potencia

El inductor se calcula con la siguiente ecuación, suponiendo una variación del 20 % de la corriente de

salida:

∆t 1, 25µs
L= · Vo = · 25V = 44, 64µH (2.24)
∆Io 0, 2 · 3, 5A

2.4.3. Capacitor de salida

Similar al inductor, el capacitor deberá tener un valor el cual permita mantener el nivel de tensión en

la salida durante el tiempo tof f . La tensión de ripple que admitirá en sus bornes deberá ser menor a

400mV por especicaciones de diseño. El capacitor será entonces:

∆t
C= · Io = 10, 93µF (2.25)
∆Vo

Figura 2.9: Filtro de salida

2.4.4. Resultado de simulación

Figura 2.10: Tensión y corriente en el inductor

12 de 20
Electrónica de potencia

Figura 2.11: Tensión, corriente y potencia de salida

3. Conclusión
A través del desarrollo del diseño de una fuente conmutada, en donde realizamos la comprobación a partir

de simulaciones se ha comprendido el funcionamiento de los bloques de conmutación para lograr el apagado

y encendido de los transistores, conceptos relacionados a la conformación del núcleo del transformador y

ademas se logro comprender la optimización de cada uno de los componentes para obtener un rendimiento

grande a la salida de nuestra fuente.

Decidimos separar en bloques cada parte de la fuente como se demostró en las anteriores secciones,

debido a que es mas fácil observar errores de esta forma, ademas de disminuir los tiempos de simulación y

convergencia del Pspice. Si bien la fuente no ha podido ser implementada, esta base numérica planteada

en el informe es de mucha utilidad, ya que es comprobada con la simulación, la cual utiliza componentes

que se aproximan a la realidad por sus diversos parámetros. Esto simplica mucho el proceso para una

posterior implementación.

La fuente conmutada cuenta con un diseño mucho mas complejo que el de una fuente lineal, esto se debe

a que su eciencia y potencia son mucho mayores, uno de los parámetros mas importantes a trabajar es la

conformación del transformador, ya que una pequeña saturación en el núcleo puede llegar a desequilibrar

el funcionamiento de dicho dispositivo y así provocar un gran distorsión a la salida.

13 de 20
Electrónica de potencia

4. Especicaciones

14 de 20
Electrónica de potencia

15 de 20
Electrónica de potencia

16 de 20
Electrónica de potencia

17 de 20
Electrónica de potencia

18 de 20
Electrónica de potencia

19 de 20
Electrónica de potencia

Referencias
[Apunte Electronica de Potencia 2019- Ing. Oros.]

20 de 20