Defectos en sólidos

defecto = perturbación estructural aperiódica

sólido real = sólido ideal + defectos

 afectan a una fracción muy pequeña de los átomos del sólido

 influyen en las propiedades físicas
efectos significativos y control de ciertas propiedades

propiedades del propiedades del propiedades de

= +
sólido real sólido ideal los defectos
?

Tipos de defectos
¿en qué consisten? criterio dimensional
¿cómo se dan? criterio termodinámico
¿qué efectos producen? estados localizados / resonancias
Criterio dimensional
vacantes
intrínsecos
autointersticiales
puntuales
impurezas sustitucionales
extrínsecos
hetrointersticiales

lineales dislocaciones

superficies / interfases

bidimensionales fronteras de grano / subgrano

defectos de apilamiento / maclas

Criterio termodinámico
estables (en equilibrio) vacantes / intersticiales
inestables dislocaciones
Defectos puntuales
metales

vacantes intersticiales

iónicos
Vacantes
defectos termodinámicamente estables: nv(T)equilibrio  0
ΔG = ΔH - T ΔS pV  cte  ΔF = ΔU - T ΔS

entalpía de formación
Hv  0 ruptura de enlaces

ΔH = n v ΔH v ΔH v  ΔH v (n v )
entropía de formación
S  0 entropía configuracional

(N + n v )!
ΔS = k B ln
N! n v!

(N + n v )!
ΔG = n ΔH v - k B T ln
N! n v!
x >>  ln x!  x ln x - x
ΔH v
ΔG nv -
equilibrio  
  0 n v << N  e k BT
n v N
Intersticiales
ΔHi
ni -
2 k BT
n i << N, N i  12
 e
(N n i )

mayor entalpía de formación que las vacantes

vacante: Hv  1 eV
Intersticial: Hi  4 eV

menor concentración en equilibrio

Cu
T 300 800 1300 K
nv/N 10-17 10-7 10-4
ni/N 10-67 10-25 10-15
Estudio de vacantes
producción de vacantes
estados de no equilibrio nv > nv, equil. supersaturación
templado: T1  T0 (t <<)
irradiación
deformación
caracterización ΔH v
  -
medidas térmicas: Δc v  (n v ΔH v )  (ΔH v e k BT )
T T
medidas dimensionales
nv Δl Δa
3( - )
N l a
medidas eléctricas fuera del equilibrio
ρ = ρT + ρD ρ D = ρ D (n v )
nv 1
Δρ Τ0  
 Τ ln ρ   ΔH v
N T1
microscopía electrónica
de emisión de campo
Influencia en las propiedades físicas
efectos electrónicos
impurezas sustitucionales
control de la conductividad eléctrica en semiconductores
coloración en cristales iónicos centros de color
efectos atómicos  n
difusión atómica ley de Fick j = - D n  j=-D
x
D = D0 e-Q k BT activado térmicamente
difusión atómica en sólidos  movimiento de vacantes / intersticiales
Q = Hf + Hm
Q  2,5 eV vacantes
5 eV intersticiales Cu Qexp  2 eV
formación de aleaciones

conducción iónica
 Conducción iónica
U - eE a/2
p   exp [- ]
k BT
U + eE a/2
p   exp [- ]
k BT
n
j = e (p - p )
N
eE a << k B T j σ E σ  exp [- Q/k BT]
alta temperatura
conductores superiónicos (electrolitos sólidos)

-Ag I
T < 146 ºC
Q  Hm  < 0,1 eV
Deformación de los sólidos
F ΔL
σ=  ε=
S L
L, S 1
ε= σ (σ < σ e )
E
e límite elástico

 E módulo de Young  1011 Pa

F

σ < σ e deformación elástica

lineal, reversible

σ < σ e deformación plástica  deslizamiento irreversible

deformación plástica  deslizamiento macroscópico

G/30  2,5ꞏ109 Pa G
Cu σ e  10-3
e  0,5ꞏ106 Pa 30
“paradoja del límite elástico”

dislocación modelo teórico

 línea de dislocación
dislocación  defecto lineal
vector de Burgers

dislocación en arista dislocación helicoidal

circuito de Burgers
densidad de dislocaciones
L
N= m -2 (cm -2 ) número de intersecciones/área
V

energía de una dislocación

b E disl
corteza: r > 2b  deformación elástica σ  G b2
2π r L
núcleo: r < 2b E n  10 % E disl

Edisl  4 nJ m-1 termodinámicamente inestable

N  1011 cm-2
Si: N  103 - 106 cm-2
Observación de dislocaciones

figuras de ataque (decoración) microscopía electrónica

Defectos bidimensionales
fronteras de grano
zonas de transición y acoplamiento de 2 redes desorientadas

 < 10º fronteras de débil desorientación  dislocaciones

  1º  D  50 b
Defectos de apilamiento
alteración de la secuencia de apilamiento en estructuras compactas
fcc … ABCABC …
hcp … ABABAB …

macla en fcc defecto intrínseco