REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
DE LA FUERZA ARMADA
NUCLEO ZULIA

SEMICONDUCTORES

Elaborado por:
Alexander Soto
C.I.15927599
Nerio Hernández
C.I.17833691
Micheilys Bracho
C.I. 14136733
SECCIÓN: TCN-5A
 Introducción

Los semiconductores son uno dispositivo fabricado de un material cuya

capacidad de permitir el paso de la corriente eléctrica disminuye al aumentar la
temperatura, y cuerpo cuyas propiedades eléctricas tienen un valor intermedio
entre el de los metales y los aislantes: cable semiconductor. También los
semiconductores se usan en la fabricación de transistores.

Los dispositivos de estado sólido son elementos pequeños pero versátiles que
pueden ejecutar una gran variedad de funciones de control en los equipos
electrónicos. Al igual que otros dispositivos electrónicos, son capaces de
controlar casi instantáneamente el movimiento de cargas eléctricas.

Se los utiliza como rectificadores, detectores, amplificadores, osciladores,

conmutadores, mezcladores, moduladores, etc.
Su peso y tamaño son reducidos, son de construcción sólida y muy resistente
mecánicamente lo que los hace libres de microfonismos y se los puede fabricar
de manera que sean inmunes a severas condiciones ambientales.
Semiconductores

Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como

aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo
eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre.

Se tienen dos tipos de semiconductores los puros y los extrínsecos:

Los Semiconductores Puros ó Intrínsecos tienen enlaces covalentes pero

difíciles de romper y su conducción de corriente se lleva acabo por los
portadores de carga (hueco y electrón) producidos en el momento que cierta
energía externa excita los átomos del material y produce pares electrón-hueco.
Los mejores semiconductores que son el silicio y el germanio, cada uno con 4
electrones en su última capa de energía.

Los Semiconductores Extrínsecos son materiales como el silicio y el germanio

solo que cuando a estos materiales se les añaden impurezas como lo son
átomos de fósforo, arsénico, antimonio, el Semiconductor resultante de
denomina Tipo N y las impurezas se denominan donantes.
Estos donantes proporcionan electrones de sobra al semiconductor, ya que
tienen 5 electrones en su ultima capa.
Por otra parte si las impurezas con las que es bombardeado el material son
aluminio, galio, indio, el Semiconductor se denomina Tipo P y las impurezas se
denominan aceptantes.
Los átomos de estos materiales poseen en su ultima capa 3 electrones que
añaden huecos positivos al semiconductor.

De aquí que los tipos también se les conozca como portadores mayoritarios
pues es aquel que resulta después de la contaminación ya sea hueco ó
electrón deduciéndose la formula para calcular el portador mayoritario.

Donde:

densidad de portadores intrínsecos y

= Carga del electrón
= Movilidad del hueco
= Movilidad del electrón
=densidad de portadores donadores
la ecuación anterior proviene de la movilidad electrónica definida por
, la movilidad del electrón es mas alta que la del hueco y es
por esto que en la electrónica se prefiere el uso de los materiales Tipo N los
cuales tienen como portador mayoritario al electrón ya que por su alta
movilidad tienen aplicaciones en los circuitos de alta frecuencia o de alta
velocidad de conmutación dando origen ala recombinación que es el proceso
por el cual se ocupa el espacio de un hueco por un electrón y viceversa
también proviene de la densidad de portadores de carga en función de la
temperatura que es:

Donde:
= Densidad de portadores intrínsecos
= temperatura
= energía requerida para romper enlaces covalentes que a su vez
donde =a
la energía necesaria para romper enlaces covalentes a una temperatura de
referencia y c es un
coeficiente de variación de rompimiento para los enlaces covalentes.
A = Constante

e = 2.1717

Que es la constante de Boltzman .

Materiales semiconductores

Los primeros semiconductores utilizados para fines técnicos fueron pequeños

detectores diodos empleados a principios del siglo 20 en los primitivos
radiorreceptores, que se conocían como “de galena”. Ese nombre lo tomó el
radiorreceptor de la pequeña piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que
hacía la función de diodo y que tenían instalado para sintonizar las emisoras de
radio. La sintonización se obtenía moviendo una aguja que tenía dispuesta
sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y
escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie
conocía que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas.

En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubrió que si a

ciertos cristales se le añadía una pequeña cantidad de impurezas su
conductividad eléctrica variaba cuando el material se exponía a una fuente de
luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoeléctricas o
solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador también de los
Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer
dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron “transistor” y
que se convertiría en la base del desarrollo de la electrónica moderna.
Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se),
por ejemplo, constituyen elementos que poseen características intermedias
entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni
una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos
elementos permiten la circulación de la corriente eléctrica en un sentido, pero
no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente
alterna, detectar señales de radio, amplificar señales de corriente eléctrica,
funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrónica digital, etc.

Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla

Periódica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para
fabricar diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos
integrados y microprocesadores.

Los átomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro
o cinco electrones en su última órbita, de acuerdo con el elemento específico al
que pertenecen. No obstante, los elementos más utilizados por la industria
electrónica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro
electrones en su última órbita. En este caso, el equilibrio eléctrico que
proporciona la estructura molecular cristalina característica de esos átomos en
estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los
átomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces
covalentes y no permiten que la corriente eléctrica fluya a través de sus
cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente eléctrica.
En esas condiciones, al no presentar conductividad eléctrica alguna, se
comportan de forma similar a un material aislante.

Tabla de elementos semiconductores

Número Nombre del Grupo en la Tabla Electrones en la Números de

Categoría
Atómico Elemento Periódica última órbita valencia
48 Cd (Cadmio) IIa Metal 2 e- +2
5 B (Boro) Metaloide 3 e- +3
13 Al (Aluminio)
IIIa
31 Ga (Galio) Metal
49 In (Indio)
14 Si (Silicio) 4 e- +4
IVa Metaloide
32 Ge (Germanio)
15 P (Fósforo) No metal 5 e- +3, -3, +5
33 As (Arsénico) Va
Metaloide
51 Sb (Antimonio)
16 S (Azufre) 6 e- +2, -2 +4, +6
No metal
34 Se (Selenio) VIa
52 Te (Telurio) Metaloide

Incremento de la conductividad en un elemento semiconductor

La mayor o menor conductividad eléctrica que pueden presentar los materiales
semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el
caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al
paso de la corriente también aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo
contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su
temperatura aumenta, la conductividad también aumenta.

En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar

aplicando uno de los siguientes métodos:

Elevación de su temperatura
Introducción de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina
Incrementando la iluminación.
Con relación a este último punto, algunos tipos de semiconductores, como las
resistencias dependientes de la luz (LDR – Light-dependant resistors), varían
su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben.

Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida también como foto resistor o

célula fotoeléctrica. Posee la característica de disminuir el valor de su
resistencia interna cuando la intensidad de luz que incide sobre la superficie de
la celda aumenta. Como material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de
cadmio (CdS) y su principal aplicación es en el encendido y apagado
automático del alumbrado público en las calles de las ciudades, cuando
disminuye la luz solar.

En dependencia de cómo varíen los factores de los puntos más arriba

expuestos, los materiales semiconductores se comportarán como conductores
o como aislantes.

Estructura atómica

Existen materiales capaces de conducir la corriente eléctrica mejor que otros.

Generalizando, se dice que los materiales que presentan poca resistencia al
paso de la corriente eléctrica son conductores.

Analógicamente, los que ofrecen mucha resistencia al paso de esta, son

llamados aislantes. No existe el aislante perfecto y prácticamente tampoco el
conductor perfecto.

Lo que diferencia a cada grupo es su estructura atómica.

Los conductores son, generalmente, metales esto se debe a que dichos

poseen pocos átomos en sus últimas órbitas y, por lo tanto, tienen tendencia a
perderlos con facilidad. De esta forma, cuando varios átomos de un metal, se
acercan los electrones de su última órbita se desprenden y circulan
desordenadamente entre una verdadera red de átomos. Este hecho (libertad de
los electrones) favorece en gran medida el paso de la corriente eléctrica.

Los aislantes, en cambio, están formados por átomos con muchos electrones
en sus últimas órbitas (cinco a ocho), por lo que, no tienen tendencia a
perderlos fácilmente y a no establecer una corriente de electrones. De ahí su
alta resistencia.

También existe otro tipo de materiales, que cambia en mayor o menor medida
la característica de los anteriores, los semiconductores. Su característica
principal es la de conducir la corriente sólo bajo determinadas circunstancias, y
evitar el paso de ella en otras. Es, precisamente, en este tipo de materiales en
los que la electrónica de estado sólida está basada. La estructura atómica de
dichos materiales presenta una característica común: está formada por átomos
tetravalentes (es decir, con cuatro electrones en su última órbita), por lo que les
es fácil ganar cuatro o perder cuatro.

Semiconductor de silicio TIPO-N

Como ya conocemos, ni los átomos de silicio, ni los de germanio en su forma

cristalina ceden ni aceptan electrones en su última órbita; por tanto, no
permiten la circulación de la corriente eléctrica, por tanto, se comportan como
materiales aislantes.

Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la

dopamos añadiéndole una pequeña cantidad de impurezas provenientes de
átomos de un metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento
perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla
Periódica, con cinco electrones en su última órbita o banda de valencia), estos
átomos se integrarán a la estructura del silicio y compartirán cuatro de sus
cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los átomos de silicio o de
germanio, mientras que el quinto electrón restante del antimonio, al quedar
liberado, se podrá mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De
esa forma se crea un semiconductor extrínseco tipo-N, o negativo, debido al
exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del
material semiconductor.

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o

corriente eléctrica en sus extremos, los electrones libres portadores de cargas
negativas contenidos en la sustancia impura aumentan. Bajo esas condiciones
es posible establecer un flujo de corriente electrónica a través de la estructura
cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia o
corriente eléctrica.

No obstante, la posibilidad de que al aplicárseles una corriente eléctrica los

electrones se puedan mover libremente a través de la estructura atómica de un
elemento semiconductor es mucho más limitada que cuando la corriente fluye
por un cuerpo metálico buen conductor.

Semiconductor de silicio TIPO-P

Si en lugar de introducir átomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio
lo dopamos añadiéndoles átomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga)
(elemento perteneciente al Grupo IIIa de la Tabla Periódica con tres electrones
en su última órbita o banda de valencia), al unirse esa impureza en enlace
covalente con los átomos de silicio quedará un hueco o agujero, debido a que
faltará un electrón en cada uno de sus átomos para completar los ocho en su
última órbita. En este caso, el átomo de galio tendrá que captar los electrones
faltantes, que normalmente los aportarán los átomos de silicio, como una forma
de compensar las cargas eléctricas. De esa forma el material adquiere
propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrínseco
dopado tipo-P (positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que
provoca la falta de electrones en los huecos o agujeros que quedan en su
estructura cristalina.

Mecanismo de conducción de un semiconductor

Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial

o corriente eléctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por
el movimiento de electrones libres que saltan a la “banda de conducción” y otro
por el movimiento de los huecos que quedan en la “banda de valencia” cuando
los electrones saltan a la banda de conducción.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina

del elemento semiconductor, notaremos que mientras los electrones se
mueven en una dirección, los huecos o agujeros se mueven en sentido inverso.
Por tanto, el mecanismo de conducción de un elemento semiconductor consiste
en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas
(huecos o agujeros) en sentido opuesto.

Ese mecanismo de movimiento se denomina "conducción propia del

semiconductor", que para las cargas negativas (o de electrones) será
"conducción N", mientras que para las cargas positivas (de huecos o agujeros),
será "conducción P".

Himno de la UNEFA
 Coro
A tus aulas cual rico panal
hoy venimos tu miel a beber
de la ciencia anhelante soldados
bajo luz de sapiencia y de fe.

Primera Estrofa
En tus venas discurre la sabia
de la patria, de estudio farol,
y en tu surco levanta la espiga,
juventud del esfuerzo creador.

Segunda Estrofa
Adalid que en tu paso adelante
vas sembrando semillas de anhelos,
orientando las mentes a cumbres
de ilusión, esperanzas y ensueños.

Tercera Estrofa
Con batuta de luz encaminas
los hombres por sendas de sol,
el deber de tu voz de campanas,
que en el alba despierta tu honor.

Letra: Coronel (GN) Guillermo Parra García.

Música: Edgar Jesús Arteaga.

Conclusión
Tenemos entonces que los semiconductores son un material aislante es aquel
que, debido a los electrones de sus átomos están fuertemente unidos a sus
núcleos, prácticamente no permite sus desplazamientos y, por lógica, el paso
de la corriente eléctrica cuando se aplica una diferencia de tensión entre dos
puntos del mismo.( Material no conductor que, por lo tanto, no deja pasar la
electricidad).

Un semiconductor es aquel que actúa como conductor o como aislante pero

esto depende de determinadas circunstancias. Un ejemplo de estas es la
temperatura.

El dispositivo semiconductor mas simple es el diodo, está hecho por la unión de

un material semiconductor de tipo N y otro de tipo P. Nos ocuparemos solo de
los diodos de Silicio. Hay diodos construidos de otros materiales tales como el
Germanio y el Arseniato de Galio, pero su forma de operar es esencialmente la
misma.