UNIDAD 4

FUENTES ÓPTICAS.

Las fuentes ópticas son componentes activos en un sistema de comunicaciones por

fibra óptica, cuya función es convertir la energía eléctrica en energía óptica, de
manera eficiente de modo que permita que la salida de luz sea efectivamente
inyectada o acoplada dentro de la fibra óptica. Las fuentes ópticas en esencia sólo hay
dos dispositivos que se usan con frecuencia para generar luz en sistemas de
comunicaciones con fibra óptica: diodos emisores de luz (LED) y diodos de láser de
inyección (ILD, de injection laser diode). Ambos dispositivos se fabrican con
materiales semiconductores.

1.1. Materiales intrínsecos y extrínsecos.

 Semiconductores Extrínsecos

Para mejorar las propiedades de los semiconductores, se les somete a un proceso

de impurificación (llamado dopaje), consistente en introducir átomos de otros
elementos con el fin de aumentar su conductividad. El semiconductor obtenido se
denominará semiconductor extrínseco. Según la impureza (llamada dopante)
distinguimos:

- Semiconductor tipo P: se emplean elementos trivalentes (3 electrones de

valencia) como el Boro (B), Indio (In) o Galio (Ga) como dopantes. Puesto
 que no aportan los 4 electrones necesarios para establecer los 4 enlaces
covalentes, en la red cristalina éstos átomos presentarán un defecto de
electrones (para formar los 4 enlaces covalentes). De esa manera se originan
huecos que aceptan el paso de electrones que no pertenecen a la red cristalina.
Así, al material tipo P también se le denomina donador de huecos (o aceptador
de electrones).

- Semiconductor tipo N: Se emplean como impurezas elementos pentavalentes

(con 5 electrones de valencia) como el Fósforo (P), el Arsénico (As) o el
Antimonio (Sb). El donante aporta electrones en exceso, los cuales al no
encontrarse enlazados, se moverán fácilmente por la red cristalina
aumentando su conductividad. De ese modo, el material tipo N se denomina
también donador de electrones.

1.1. Uniones P-N.

Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los componentes

electrónicos comúnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y
transistores BJT. Está formada por la unión metalúrgica de dos cristales,
generalmente de Silicio (Si), aunque también se fabrican de Germanio (Ge), de
naturalezas P y N según su composición a nivel atómico. Estos tipos de cristal se
obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas,
normalmente con algún otro metal o compuesto químico.
 La unión P-N la conocemos en los diodos, cuando aplicamos un voltaje a la unión
P-N los electrones y los huecos se mueven respectivamente hacia la unión de los dos
materiales porque polaridades del mismo signo se repelen, el voltaje positivo que se
aplica al material tipo P repele los huecos y estos cruzan la unión hacia el material
tipo N, y así cada hueco encuentra un electrón y de esta forma las cargas se
neutralizan, por otro lado los electrones cruzan la unión hacia el material tipo P y
sucede lo mismo, los electrones y huecos que se neutralizan son remplazados por mas
electrones y huecos que entran en la unión P-N.

Entonces si se aplica el voltaje positivo al material tipo P y el voltaje negativo al

tipo N la corriente fluye y es lo que nosotros llamamos polarización directa. Cuando
invertimos este voltaje los huecos y electrones son atraídos a cada terminal y se alejan
de la unión, lo que hace que las partículas cargadas no puedan pasar la unión y de esta
forma el flujo de corriente se anula, esto es lo que conocemos como polarización
inversa. Esta propiedad de dejar pasar o bloquear la corriente en un semiconductor de
unión P-N no solo se usa en los diodos sino también en los transistores.

4.2.3 Bandas de energía directa e indirecta.

- Polarización Directa de la Unión P-N

En este caso, la batería disminuye la barrera de potencial de la zona de carga

espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a través de la unión; es
decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad.
 Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unión P -
N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:

 El polo negativo de la batería repele los electrones libres del cristal n, con lo
que estos electrones se dirigen hacia la unión p-n.

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones de valencia del cristal p,

esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unión p-n.

 Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batería es mayor que

la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energía suficiente para saltar a los huecos del cristal p,
los cuales previamente se han desplazado hacia la unión p-n.

 Una vez que un electrón libre de la zona n salta a la zona p atravesando la

zona de carga espacial, cae en uno de los múltiples huecos de la zona p
convirtiéndose en electrón de valencia. Una vez ocurrido esto el electrón es
atraído por el polo positivo de la batería y se desplaza de átomo en átomo
hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo
conductor y llega hasta la batería.
 De este modo, con la batería cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo
electrones de valencia de la zona p, aparece a través del diodo una corriente eléctrica
constante hasta el final.

- Polarización Inversa de la Union P-N

En este caso, el polo negativo de la batería se conecta a la zona p y el polo

positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensión en
dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensión de la batería, tal y como se
explica a continuación:

 El polo positivo de la batería atrae a los electrones libres de la zona n, los

cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se
desplazan hasta llegar a la batería. A medida que los electrones libres
abandonan la zona n, los átomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse
desprendidos de su electrón en el orbital de conducción, adquieren estabilidad:
8 electrones en la capa de valencia, y una carga eléctrica neta de +1, con lo
que se convierten en iones positivos.

 El polo negativo de la batería cede electrones libres a los átomos trivalentes de

la zona p. Recordemos que estos átomos sólo tienen 3 electrones de valencia,
 con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los átomos de
silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrón que falta
el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por
la batería entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los
átomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de
valencia) y una carga eléctrica neta de -1, convirtiéndose así en iones
negativos.

 Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial eléctrico que la batería.

En esta situación, el diodo no debería conducir la corriente; sin embargo, debido

al efecto de la temperatura se formarán pares electrón-hueco a ambos lados de la
unión produciendo una pequeña corriente (del orden de 1 μa) denominada corriente
inversa de saturación. Además, existe también una denominada corriente superficial
de fugas de cual, como su propio nombre indica, conduce una pequeña corriente por
la superficie del diodo; ya que en la superficie, los átomos de silicio no están
rodeados de suficientes átomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios
para obtener estabilidad.

Esto hace que los átomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la
p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin
dificultad a través de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de
saturación, la corriente superficial de fugas es despreciable.

1.2. Fotón y generación de la luz

Es la partícula portadora de todas las formas de radiación electromagnética Luz

ultravioleta Rayos gamma Rayos X Luz visible Luz infrarroja Microondas Su aspecto
de partícula está relacionado con su momento lineal su existencia como partícula y la
presión que ejerce sobre la materia adyacente. Su cuantificación está relacionada con
su momento angular constante, y su energía cuantificada forma dos espectros
diferentes de cuerpo negro e ionizante.

Los fotones no viajan a través del espacio, ni tienen una estructura fibrosa. Son
globulares y son creados y destruidos al momento. Efecto foto-eléctrico. Son emisión
de electrones por un material cuando se hace incidir sobre la radiación
electromagnética. A veces se incluyen en el término otros tipos de interacción entre la
luz y la materia. Fotoconductividad Efecto fotovoltaico Aumento de la conductividad
eléctrica en diodos provocada por la luz. Transformación parcial de la energía
luminosa en energía eléctrica

1.3. Tipos de Fuentes Ópticas

 Diodo laser LED

Se usan universalmente como fuentes luminosas en los sistemas de

comunicaciones ópticas, debido a que ningún otro tipo de fuente óptica puede
modularse directamente a las altas velocidades de transmisión requerida, con tan baja
excitación y tan baja salida. Para anchos de banda grandes y largos enlaces, el láser
ofrece un mejor rendimiento. Para distancias cortas y medias con anchos de banda
escasos, en donde la baja potencia de salida, la respuesta en frecuencia o la gran
anchura espectral no sean factores limitativos, se suele escoger el LED.

 Diodo emisor de luz (LED) (Light Emitting Diode).

Las fuentes de luz LED son una unión p-n polarizada que emiten radiación óptica
de acuerdo con la intensidad eléctrica que se haga pasar por la misma.
 En general, los LED suelen tener mejor eficiencia cuanto menor es la corriente
que circula por ellos, con lo cual, en su operación de forma optimizada, se suele
buscar un compromiso entre la intensidad luminosa que producen (mayor cuanto más
grande es la intensidad que circula por ellos) y la eficiencia (mayor cuanto menor es
la intensidad que circula por ellos).

Un diodo LED común se compone de las siguientes partes:

1. Extremo superior abovedado de la cápsula de resina epoxi, que hace también

función de lente convexa. La existencia de esta lente permite concentrar el haz
de luz que emite el chip y proyectarlo en una sola dirección.
2. Cápsula de resina epoxi protectora del chip.

3. Chip o diodo semiconductor emisor de luz.

4. Copa reflectora. En el interior de esta copa se aloja el chip emisor de luz.

5. Base redonda de la cápsula de resina epoxi. Esta base posee una marca plana
situada junto a uno de los dos alambres de conexión del LED al circuito
externo, que sirve para identificar el terminal negativo ( – ) correspondiente al
cátodo del chip.

6. Alambre terminal negativo ( – ) de conexión a un circuito eléctrico o

electrónico externo. En un LED nuevo este terminal se identifica a simple
vista, porque siempre es más corto que el terminal positivo.

7. Alambre terminal positivo (+) correspondiente al ánodo del chip del diodo,
que se utiliza para conectarlo al circuito externo.

8. Alambre muy delgado de oro, conectado internamente con el terminal positivo

(+) y con el ánodo del chip.
 Estructura interna del chip de un diodo LED. En esta ilustración el chip se
compone de nitruro de galio (GaN) como elemento semiconductor. Aquí la corriente
de electrones “I” que parte del polo negativo ( –) de la batería “B”, penetra en el
diodo LED por el cátodo (negativo), correspondiente a la región “N”.

Cuando a este chip se le aplica un voltaje adecuado que lo polarice de forma

directa, los electrones adquieren la energía extra necesaria que les permite circular y
atravesar las dos regiones que lo componen. Desde el mismo momento que la batería
“B” suministra a los electrones la energía suficiente para vencer la oposición que les
ofrece a su paso la barrera de potencial que se crea en el punto de unión o juntura que
limita las dos regiones del diodo, estos pueden pasar a ocupar los huecos existentes
en la región “P” (positiva). Acto seguido los electrones continúan su recorrido por esa
otra parte del diodo, circulan por el circuito externo, atraviesan la resistencia
limitadora de corriente “R” y alcanzan, finalmente, el polo positivo (+) de la batería o
fuente de energía de corriente directa, completando así su recorrido por todo el
circuito.

Una vez que los electrones comienzan a circular por el interior del diodo, en el
mismo momento que cada uno de ellos atraviesa la barrera de potencial y se une a un
hueco en la región “P”, el exceso de energía extra previamente adquirida procedente
de la batería la libera en forma de fotón de luz. En el caso del diodo LED de este
ejemplo, la luz emitida será ultravioleta (UV), invisible al ojo humano, por ser nitruro
de galio (GaN) el componente químico del material semiconductor que compone este
chip.
 UNIDAD 5
LANZAMIENTO Y ACOPLE DE POTENCIA.

1. Uniones fibra a fibra.

Los enlaces de comunicaciones ópticas tienen en común con cualquier otro tipo
de transmisión unos requerimientos para la unión entre cables y para la terminación
de la línea. La cantidad de conexiones entre fibras para un enlace bipunto dependerá
de la longitud del enlace (entre repetidores), de la longitud que tengan los rollos de
cables y de la longitud máxima de cable que sea manejable para tirar una línea.

Aunque se sea capaz de producir de forma contínua un rollo de 1000Km de fibra

va a ser difícil que podamos instalar un enlace de 1000Km sin partir la fibra, los
trozos tan grandes de fibra tan sólo servirán para enlaces marítimos. Actualmente los
enlaces están en el rango de los 100Km para velocidades de transmisión entre 1GHz
y 50GHz, y dado el gran desarrollo de la fibra como componente, lógicamente debe
venir acompañada por el resto de los componentes necesarios para hacer posible la
transmisión, describiremos dos tipos que son:

 Empalmes de fibra. Son uniones permanentes o semipermanentes, son útiles

para red de telecomunicaciones en las líneas de alto tráfico.

 Conectores de fibra. Son uniones desmontables que permiten el conexionado

y desconexinado rápido, similar a los conectores BNC o a un enchufe
eléctrico.

Las Fibras Intercomunicadas en un sistema de fibra óptica es otro factor muy

importante. Estas interconexiones deben ser de baja pérdida. Estas interconexiones se
producen en:
  La fuente óptica
 El Fotodetector
 Dentro del cable de donde se conectan dos fibras
 Punto intermedio en un enlace donde se conectan dos cables

Todas las técnicas de unión están sujetas a diferentes niveles de pérdida de energía
en la unión. Estas pérdidas dependen de diferentes parámetros como:

 Distribución de energía de entrada a la unión

 Longitud de la fibra entre la fuente y la unión
 Características geométricas y de guía de onda de los dos extremos de la unión
 Cualidades del extremo de la fibra

La potencia óptica que se puede acoplar de una fibra a la otra se limita por el
número de modos que pueden propagarse en cada fibra. Una fibra con una capacidad
de 500 modos conectada con la fibra de la capacidad de 400 modos sólo puede
acoplar 80% de la potencia.

2. Desalineamientos mecánicos.

Alineación mecánica es el principal problema cuando se unen dos fibras teniendo

en cuenta su tamaño microscópico. Un núcleo de la fibra multimodo GIN estándar es
50 – 100μm de diámetro (grosor de un cabello humano) La fibra monomodo tiene
diámetro de núcleo de 9μm. Las pérdidas por radiación se producen porque el cono
de aceptación de la fibra emisora no es igual al cono de aceptación de la fibra
receptora. La magnitud de la pérdida de la radiación depende del grado de
desalineación. Pueden producirse tres tipos diferentes de desalineación.

a) Separación longitudinal
b) Desalineación angular
 c) El desplazamiento axial o desplazamiento lateral

3. Pérdidas relacionadas a la fibra.

La pérdida o atenuación de señal en la fibra se mide en decibelios (dB). La

atenuación de la fibra aumentará con cada conector o empalme. Normalmente l
pérdida de empalme es de unos 0,2 dB por empalme. No obstante, las terminaciones
deficientes pueden aumentar esa cifra. La estimación de pérdida de fibra compara la
pérdida real con la estimada (o pérdida aceptable) según el número de empalmes en el
canal. Para medir esta pérdida, debe utilizarse un medidor de potencia y una fuente de
luz.

Se encuentran dos tipos de atenuación en cables de fibra óptica: intrínseca y

extrínseca. La atenuación intrínseca es inherente a la fibra y se introduce durante el
proceso de fabricación. Un ejemplo serían las impurezas o irregularidades dentro del
vidrio. Ello provoca que las señales luminosas sean absorbidas o dispersadas y es el
motivo por el que algunas fibras admiten mayores distancias de aplicación que otras.
Los avances en fabricación han introducido una nueva calidad de fibra multimodo
conocida como fibra optimizada para láser.

Esta fibra incorpora dos mejoras de fabricación esenciales. La primera es la

eliminación de las anomalías mencionadas anteriormente, reduciendo impurezas en el
núcleo de la fibra.
 La segunda es un mayor control del índice de refracción, lo que reduce la
dispersión de modo asegurando que lleguen todos los modos al receptor básicamente
al mismo tiempo. La combinación de esas mejoras aumenta mucho la capacidad de
ancho de banda de la fibra, cuyo resultado es la compatibilidad con aplicaciones de
mayor velocidad, incluyendo transmisiones a 10 Gb/s, así como distancias de
transmisión más largas.

La atenuación extrínseca se introduce durante la manipulación de cables. Ejemplos

serían pequeñas tensiones mecánicas (micro-torcimientos) o vulneraciones del radio
de curvatura (macro-torcimientos) y el resultado es que la luz se refracta fuera del
núcleo. Hay que respetar los límites de radio de curvatura especificados por el
fabricante en todas las instalaciones de fibra.

En la fibra, las señales y los pulsos deben ser entendidos por el receptor en cada
extremo. Hacer un tendido demasiado largo de un canal de fibra puede causar errores,
como pueden hacerlo excesivos empalmes, poca calidad de la fibra y una instalación
deficiente. Cualquier anomalía que impida que un receptor registre los pulsos
equivaldrá a un error binario.
 4. Empalmes: Técnicas de empalme.

4.1.Empalmes.

Para la instalación de sistemas de fibra óptica es necesario utilizar técnicas y

dispositivos de interconexión como empalmes y conectores. Los conectores son
dispositivos mecánicos utilizados para recoger la mayor cantidad de luz. Realizan la
conexión del emisor y receptor óptico.

En caso de que los núcleos no se empalmen perfecta y uniformemente, una parte

de la luz que sale de un núcleo no incide en el otro núcleo y se pierde. Por tanto las
pérdidas que se introducen por esta causa pueden constituir un factor muy importante
en el diseño de sistemas de transmisión, particularmente en enlaces de
telecomunicaciones de gran distancia.
 Los empalmes son las uniones fijas para lograr continuidad en la fibra.

En las fibras monomodo los problemas de empalme se encuentran principalmente

en su pequeño diámetro del núcleo Dn = 10μm, esto exige contar con equipos y
mecanismos de alineamiento de las fibras con una mayor precisión. Las pérdidas de
acoplamiento se presentan en las uniones de:

Emisor óptico a fibra, conexiones de fibra a fibra y conexiones de fibra a

alineación lateral, mala alineación de separación, mala alineación angular, acabados

de superficie imperfectos y diferencias ya sea entre núcleos o diferencia de índices,
como los indicados en la figura.
 Para realizar un empalme deben tenerse presente las siguientes consideraciones:

a) Sus pérdidas pueden contribuir en forma considerable con el balance de

potencia del sistema (menor alcance).

b) Deben realizarse en el campo, no han de incluir partes delicadas difíciles de

manejar o procedimientos complejos (Empalmes económicos confiables y de
calidad).

c) Las pérdidas se clasifican en intrínsecas (homogeneidad y composición de la

fibra) y extrínsecas (proceso de empalme, desalineación).

4.2.Técnicas de empalme.

Existen fundamentalmente 2 técnicas diferentes de empalme que se emplean para

unir permanentemente entre sí fibras ópticas. La primera es el empalme por fusión
que actualmente se utiliza en gran escala, y la segunda el empalme mecánico.

4.2.1. Empalme por Fusión

Consiste en la unión permanente de las fibras mediante la fusión y unión de las

mismas.

 Anterior a la fusión de las fibras se calientan previamente para eliminar ciertas

impurezas, evitar la formación de burbujas.

 El empalme se realiza cuando las fibras a unir llegan a una temperatura

suficientemente alta como para fundirse.
  La duración del proceso puede estar en un minuto. Luego se protege la zona
del empalme con manguito (termocontractil) el cual se le recubre con un
tubito de acero (rigidez).

 Técnica de muy altas prestaciones, se logran atenuaciones de 0,03-0,05dB

(fibras monomodo).

 También existen empalmadoras por fusión para multifibras las cuales reducen
el tiempo de empalme por fibra. Tienen el mismo principio descrito, pero las
fibras a empalmar se alinean con un elemento alineador multifibra de ranuras.

4.2.2. Empalme Mecánico

Consiste en un tubo dividido horizontalmente, la parte de abajo es una base tipo V

y la de arriba una tapa plana. El espacio entre ambas se llena de un gel adaptador, se
insertan las fibras cortadas de longitud determinada) y luego se cierran con unas
grapas de presión que empujan las fibras hasta juntarlas. Existen versiones para
conexiones multifibrasplanares.
 5. Conectores: Tipos, conectores para fibras monomodo. Pérdidas por
retorno.

5.1. Conectores.

Los cables de fibra óptica se unen con conectores especiales o se empalman entre
sí. Los conectores de fibra óptica están hechos de un casquillo, un cuerpo conector y
un mecanismo de acoplamiento. El casquillo es un cilindro delgado que sostiene la
fibra óptica en su centro ahuecado.

Los conectores de fibra óptica pueden fabricarse con metal, plástico o cerámica.
El cuerpo del conector está hecho de plástico o metal. Este sostiene el casquillo y
conecta con la funda exterior del cable. Los conectores desmontables tienen una
mayor complicación ya que deben mantener una mínima atenuación en numerosas
conexiones y desconexiones. Por tanto el diseño del conector debe permitir la
conexión y desconexión sin problemas de alineamiento, este proceso mecánico es
fácil ver que puede llevar a la degradación de la unión.
 Para mantener características óptimas los conectores también deben proteger a los
extremos de las fibras del daño que pueden sufrir al manejarlos, debe ser insensible a
factores ambientales (como humedad o polvo) y debe soportar la tensión del cable.
También debe (idealmente) ser un componente de bajo costo (no es cierto) y permitir
la conexión de forma simple. Tras todo esto cabe afirmar que hay que analizar a los
conectores de fibra bajo una triple perspectiva.

 El punto de conexión, que ha de proteger el extremo de la fibra.

 El alineamiento entre fibras para conseguir un acoplamiento óptico óptimo.
 La carcasa, que mantiene la conexión y el alineamiento de las fibras, protege
la parte desnuda de las fibras del ambiente y proporciona rigidez a la unión.

El uso de algún material con el índice de refracción del núcleo entre las dos fibras
puede ser de ayuda ya que elimina la atenuación por reflexión Fresnel y mantiene los
extremos de la fibra limpias de polvo ambiente.

5.2. Tipos, conectores para fibras monomodo.

5.2.1. Conectores de proximidad.

Los más utilizados son los de proximidad. Vamos a describir brevemente

losconectores de camisa concéntrica (Cylindrical ferrule connectors). Es el conector
más simple, la fibra desnuda está pegada (con resina) a una ferrula (cilíndro metálico)
cuyo agujero central tiene el diámetro de la fibra. Una vez fijada la fibra (estos
conectores son macho) se introducirán en un cilíndro guía de precisión que permite
que los extremos de las fibras estén pegados. Una vez colocado el conector se fija
mediante un mecanismo de retención que puede ser un muelle. Para este tipo de
conector es muy importante que los extremos de las fibras sean suaves y
perpendiculares al eje de la fibra. Para conseguir esto se puede hacer de varias
formas:
 a) Clivando la fibra antes de introducirla en la ferrula.
b) Introducir la fibra en la ferrula y clivandola después, justo en el final de la
ferrula.
c) Utilizar cualquiera de los métodos anteriores y después pulir la fibra hasta que
quede justo en el extremo de la ferrula.

Figura 6.9: Conectores de camisa concéntrica: (a)estructura de un conector

básico; (b) estructura de un conector con salidade precisión

Figura 6.10: Esquema simplificado del funcionamiento de un conector de haz

expandido.
 El último sistema es el que da mejores resultados pero es el más tedioso y
complicado, sobre todo en campo abierto.N Los errores de alinemiento del sistema
hacen que las pérdidas estén en el orden de 1 a 2dB con fibras multimodo abruptas.
 UNIDAD 6:
FOTO DETECTORES.

Un fotodetector es un sensor que genera una señal eléctrica dependiente de la luz

u otra radiación electromagnética que recibe. Algunos están basados en el efecto
fotoeléctrico, otros en el fotovoltaico, otros en el fotoelectroquímico y otros en la
fotoconductividad.

Los tipos de fotodiodos que se emplean son el fotodetector PIN y avalancha

(APD). La responsividad de un fotodiodo de avalancha es mayor que la de un
fotodector PIN. Sin embargo, el primero es más sensible a los cambios de
temperatura y más caro que el segundo. El detector PIN se usa más comúnmente en
enlaces de corta distancia y el APD es muy útil en transmisiones de larga distancia,
donde la señal óptica de llegada es muy débil y se requiere altaresponsividad. Por lo
que se refiere a la velocidad de respuesta, ambos fotodiodos pueden trabajar
actualmente a velocidades muy altas de transmisión digital.

6.1 Principios físicos: Fotodetectores PIN y de Avalancha.

6.1.1 El fotodiodo PIN

Es uno de los fotodetectores más comunes, debido a que la capa intrínseca se

puede modificar para optimizar su eficiencia cuántica y margen de frecuencia, siendo
así un material intrínseco semiconductor. Viene dado por tres parámetros
característicos:

 Eficiencia cuántica.
 Velocidad de respuesta.
 Ruido del dispositivo.
 Están formados por una juntura p-n con una capa de material intrínseco
separando los materiales p y n. Puede operarse en las mismas configuraciones que los
fotodiodos p-n y ofrecen las siguientes ventajas:

 Región de vaciamiento más ancha, lo que incrementa el área disponible para

capturar luz.
 Capacitancia de juntura más baja, lo que se logra por el incremento en la
región de vaciamiento, reduciendo la constante RC del circuito.

Con estos dispositivos es posible obtener tiempos de respuesta de decenas de ps

(BW»50 GHz).

6.1.2 Fotodiodos de avalancha.

Los fotodiodos de avalancha (APDs) son fotodetectores que se pueden

considerar como el equivalente semiconductor de los fotomultiplicadores. Aplicando
un alto voltaje en inversa (típicamente 100-200 V en silicio), los APD muestran un
efecto interno de ganancia de corriente (aproximadamente 100) debido a laionización
de impacto (Efecto avalancha).

Operan por medio de la conversión de cada fotón detectado en una cascada de

pares de portadores móviles (amplificación de corriente). El par electrón-hueco
generado por un fotón acelera bajo los efectos del campo eléctrico; si el electrón o el
hueco alcanzan una energía mayor que la correspondiente a la banda prohibida, se
generará otro electrón (hueco) que contribuirá a la foto-corriente. Dado que el
proceso depende de la aceleración de los portadores de carga, estos dispositivos
funcionan como fotodiodos polarizados fuertemente en inversa.

Parámetros característicos:

 Ganancia:

donde k es la razón o cociente de ionización (coeficiente de probabilidad de

impacto de ionización de huecos entre el de electrones), w es el ancho de la capa de
multiplicación y ae el coeficiente de ionización de electrones. Para k=1 G se calcula a
partir de la ecuación diferencial con lo que se obtiene G=1/(1-aew).

 Sensibilidad y foto-corriente:

 Tiempo de respuesta:

Además de las limitantes comunes en los fotodiodos (tiempo de distribución,

difusión y constante RC) se presenta otro tiempo característico llamado tiempo de
construcción de avalancha. Este tiempo es bajo para dispositivos de silicio, por lo que
los tiempos de respuesta son similares a los de los fotodiodos p-i-n.
 6.2 Ruido en el fotodetector: Fuentes de ruido. Relación señal a ruido.

La corriente real generada en un fotodiodo es de carácter aleatorio, cuyo valor

fluctúa entre el valor promedio definido por la foto-corriente:

Dichas fluctuaciones se consideran como ruido y se caracterizan utilizando la

desviación estándar

Para un valor medio de corriente igual a cero, la desviación estándar es igual al

valor medio cuadrático (rms) de la corriente, i.e.:

Las fuentes de ruido inherentes al proceso de detección de fotones son:

 Ruido de fotones: asociado con el arribo aleatorio de los fotones al detector

(generalmente descrito por una distribución de Poisson).
 Ruido foto-electrónico: para un foto-detector con η<1, un fotón tiene una
probabilidad η de generar un par foto-electrón-hueco, y una probabilidad 1-η
de fallar en la conversión. Dado que esto es de carácter aleatorio, contribuye
como fuente de ruido.
 Ruido de ganancia: cada fotón detectado genera un número aleatorio G de
portadores, i.e., el proceso de amplificación es de carácter aleatorio.
  Ruido del circuito receptor: contribución de los componentes del circuito
utilizado en el receptor óptico.

Los parámetros para caracterizar el desempeño de un receptor óptico son:

 Razón de señal a ruido (SNR): definida en términos de la corriente como
22iiSNRσ=.
 Señal mínima detectable: valor medio de la señal (i) requerido para obtener
SNR=1.
 Sensibilidad del receptor: señal requerida para obtener una SNR determinada
(SNR0). Generalmente SNR0 se elige mayor que 1 para asegurar un valor
aceptable de exactitud, e.g. SNR0=10 a 103 (10 a 30 dB).

6.3 Respuesta en tiempo del detector.

En la respuesta temporal del fotodiodo, hay que considerar, en primer lugar, la

respuesta intrínseca, que tiene que ver con los parámetros del material y del
dispositivo, y corresponde al tiempo que tarda la fotocorriente en establecerse al
iluminar instantáneamente el diodo. Por otra parte, hay que considerar la respuesta de
circuito, ligada al hecho de que el diodo tiene cierta capacidad y está en un circuito
eléctrico que incluye una resistencia de carga.

En la respuesta intrínseca, a su vez, hay que tener en cuenta dos tiempos:

a) Tiempo de vida medio de los portadores minoritarios, que determina el

establecimiento y desaparición de la concentración de portadores minoritarios
en la zona P.
b) Tiempo de tránsito, que es el tiempo que tardan los portadores en atravesar la
zona de carga de espacio. En una aproximación lineal, y con el diodo en
condiciones de polarización inversa, podemos obtener un valor aproximado
del campo medio dividiendo la tensión aplicada por la anchura de la zona de
 agotamiento E=V/W. La velocidad de los portadores será: v =μE, y, por tanto,
el tiempo de tránsito será:

En cuanto al tiempo de circuito, τC , dado que el diodo tiene cierta capacidad,

que viene dada por:

(donde A es el área del diodo), su tiempo de carga y descarga será idéntico a la

de un condensador en serie con la resistencia RL a la que se conecta el diodo:

(Hay que señalar que tanto el tiempo de tránsito como el de circuito disminuyen
al aumentar la tensión de polarización inversa).

6.4 Ruido de multiplicación de avalancha.

Como se ha comentado arriba, existe un ruido debido al proceso de

multiplicación con una ganancia M, y se denota por F(M). Puede expresarse como:
 donde K es la relación entre la velocidad de ionización por impacto de los
agujeros respecto a la de los electrones. Es deseable tener una gran asimetría estos
dos factores, con el propósito de minimizar F(M), ya que F(M) es uno de los factores
principales que limita la resolución de energía que puede obtenerse.

6.5 Efecto de la temperatura en la ganancia de avalancha.

Aumenta la tensión inversa y con ella la z.c.e.. Ocurre lo siguiente dentro del
diodo: Justo en el límite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los
electrones. Y estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces
covalentes. Choca el electrón y rebota, pero a VRuptura la velocidad es muy grande y
por ello la Ec es tan grande que al chocar cede energía al electrón ligado y lo
convierte en libre.

El electrón incidente sale con menos velocidad que antes del choque. O sea, de
un electrón libre obtenemos dos electrones libres. Estos 2 electrones se aceleran otra
vez, pueden chocar contra otro electrón de un enlace covalente, ceden su energía... y
se repite el proceso y se crea una Multiplicación por Avalancha. Y ahora IR ha
aumentado muchísimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (-100 mA).
Con esta intensidad el diodo se estropea porque no está preparado para trabajar a esa
IR.

6.6 Comparación de fotodetectores.

En electrónica, como ya se ha explicado un diodo de avalancha es un diodo que

está diseñado para ir a través de ruptura por avalancha en un voltaje de polarización
inversa especificado. La unión de un diodo de avalancha está diseñada para evitar
concentración de corriente en los puntos calientes, de modo que el diodo no está
dañado por la descomposición. La ruptura por avalancha es debido a los portadores
minoritarios acelerado suficiente para crear ionización en la red cristalina,
produciendo más portadores que a su vez crean más ionización. Debido a que la
ruptura poravalancha es uniforme a través de toda la unión, el voltaje de ruptura es
más casi constante con la corriente cambiante en comparación con un diodo de
avalancha.

El diodo Zener exhibe un efecto aparentemente similar, además de disrupción

de Zener. Ambos efectos son realmente presentes en cualquier diodo, pero por lo
general se domina la otra. Diodos de avalancha se optimizan para el efecto avalancha
por lo que exhiben pequeña pero significativa caída de tensión en condiciones de
descomposición, a diferencia de diodos Zener que es mantener siempre una tensión
superior a la avería.

Esta característica proporciona una mejor protección contra sobretensiones que

un simple diodo Zener y actúa más como un reemplazo del tubo de descarga de gas.
Diodos de avalancha de tener un pequeño coeficiente de temperatura positivo de la
tensión, donde diodos basándose en el efecto Zener tienen un coeficiente de
temperatura negativo.

Parámetros genéricos de operación para fotodiodos pin:

Parámetro Símbolo Unidades Si Ge (Arceniuro

(Silicio) (Germanio) de indio y
galio)
Longitud de λ nm 400-1100 800-1650 1100-1700
onda (rango)
Sensibilidad R A/W 0.4-0.6 0.4-0.5 0.75-0.95
Corriente de ID nA 1-10 50-500 0.5-2.0
oscuridad
Tiempo de r ns 0.5-1 0.1-0.5 0.05-0.5
subida
Ancho de B GHz 0.3-0.7 0.5-3 1-2
banda
Voltaje de VB V 5 5-10 5
polarización
 Parámetros genéricos de operación para APDs:

Parámetro Símbolo Unidades Si Ge InGaAs

Longitud de nm 400-1100 800-1650 1100-1700
onda (rango)
Ganancia de G - 20-400 50-200 10-40
avalancha
Corriente de ID nA 0.1-1 50-500 10-50
oscuridad
Ganancia x GB GHz 100-400 2-10 20-250
Ancho de
banda
Voltaje de VB V 150-400 20-40 20-30
polarización