Universidad Nacional de Ingeniería

Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

UNIVERSIDAD NACIONAL
DE INGENIERÍA
FACULTAD DE
INGENIERÍA MECÁNICA
ELECTRONICA DE
POTENCIA (ML839)

INFORME DE LABORATORIO N. °02

DISPARO DE UN TIRISTOR CON
CIRCUITOS INTEGRADOS UJT Y PUT

PROFESOR:

-Ing. Arévalo Macedo, Robinson Doiling

ALUMNOS:

- ARTEAGA MELENDEZ, Marcel 20140264E

- BERRIOS ROJAS, William 20140004C

- LÓPEZ RUMRRILL, Jorge 20144052B

- MUÑOZ RUIZ, Moisés 20140119E

SECCIÓN:

-“A”

2017
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

1. OBJETIVOS

- Diseñar circuitos de disparo de tiristores usando circuitos integrados UJT y

PUT.
- Usando los circuitos diseñados disparar un tiristor que activa una carga.
- Comparar los valores teóricos con los valores reales obtenidos en la
experiencia.

2. FUNDAMENTO TEORICO

 El transistor de Unijuntura (UJT)

Este dispositivo se utiliza como generador de pulsos de disparo SCR y
TRIACs. El UJT es un componente que posee tres terminales: dos bases y
un emisor, tal como se muestra en la figura 1.

Figura 1.Transistor de unijuntura

En la figura se puede apreciar la constitución de un UJT, que en realidad

está compuesto solamente por dos cristales. Al cristal P se le contamina con
una gran cantidad de impurezas, presentando en su estructura un número
elevado de huecos; sin embargo, al cristal N se le dopa con muy pocas
impurezas, por lo que existen muy pocos electrones libres en su
estructura. Esto hace que la resistencia entre las dos bases R BB sea muy alta
cuando el diodo del emisor no conduce. Para entender mejor el circuito se
muestra la figura 2.
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

Figura 2. Constitución de un UJT

RB1 y RB2 equivalen a la resistencia de los tramos de cristal N comprendidos

entre los terminales de las bases. El diodo equivale a la unión formada por
los cristales P-N.

Mientras el diodo del emisor no entre en conducción, la resistencia entre las

bases es igual a:

R BB=RB 1+ R B 2

Si existe una tensión entre las bases V BB, entonces la tensión que aparece
entre el emisor y la base será V1 y se cumplirá que:

RB1
V 1=V BB ( + RB2)
R BB

Si llamamos “n” a RB1/RBB, la ecuación queda como:

V 1=nV BB

El término n representa la relación intrínseca existente entre las tensiones V 1

y VBB.

Así, por ejemplo, si un UJT posee una relación intrínseca característica igual
a 0.85 y queremos determinar la tensión que aparecerá entre el terminal de
emisor y la base 1. Al aplicar una tensión de 12 V entre bases, bastará con
operar de la siguiente manera:
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

V 1=0.85 ( 12 )=10.5 V

Al valor V1 se le conoce como tensión intrínseca y es aquella que hay que

aplicar para que el diodo comience a conducir. En nuestro ejemplo, si
aplicamos una tensión superior a 11.2V (los 10.5V de V1 más 0.7V de la
tensión de barrera del diodo), el diodo comenzará a conducir, produciéndose
el disparo o encendido del UJT. En resumen, para lograr que el UJT entre en
un estado de conducción es necesario aplicar al emisor una tensión superior
a la intrínseca.

El diodo una vez que queda polarizado, comienza a circular una corriente
entre el emisor y la base 1. Esta corriente inyecta en la zona de la
resistencia RB1 una corriente de portadores (huecos). La nueva
concentración de portadores en esa zona hace que la resistencia R B1
disminuya haciendo a su vez que baje el voltaje V 1, con lo que aumentará la
intensidad por el emisor. De esta manera, se creará una zona de resistencia
negativa inestable.

Mientras la corriente de emisor sea superior a la de mantenimiento (I v), el

diodo permanecerá en conducción como si de un biestable se tratase. Esta
corriente se especifica normalmente en las hojas de características y suele
ser del orden de 5mA.

Si se disminuye la tensión VEB1, entonces la intensidad por el emisor

disminuirá. Cuando el dispositivo alcance un valor inferior a la corriente de
valle, Iv aumentará el valor de VEB1 pasando a polarizar el diodo en sentido
inverso.La secuencia de trabajo con UJT se puede comprender mejor con la
figura 3.
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

Figura 3. Secuencia de trabajo del UJT

Aplicaciones del UJT

Una de las aplicaciones del UJT más conocida es como generador de pulsos
en diente de sierra. Estos pulsos resultan muy útiles para controlar el disparo
de la puerta de TRIACs y SCR. En la figura 4 se muestra un esquema de
este circuito.

Figura 4. Generador de pulsos en diente de sierra mediante UJT

Se sabe que el circuito presenta un circuito serie R-C, formada por la

resistencia variable RS y el condensador CS. El funcionamiento es el
siguiente: como este condensador está conectado al emisor, cuando se
supere la tensión intrínseca, el UJT entrará en conducción. Debido a que el
valor óhmico de la resistencia R 1 es muy pequeño, el condensador se
descargará rápidamente, y en el terminal de B 1 aparecerá un impulso de
tensión. Al disminuir la corriente de descarga del condensador, sobre el
emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, éste se desceba y
comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador. Así, se
consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una señal pulsante en
forma de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de
disparo de un SCR o de un TRIAC. El condensador se carga a través de la
fuente hasta alcanzar un valor que depende de la constante de tiempo
aproximada del circuito, T, el cual se puede hallar de la siguiente manera:
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

T =R s C s

La resistencia R2 se incluye para mejorar la estabilidad del UJT frente a la

temperatura. En la mayoría de los casos, el valor de esta resistencia puede
ser calculado aproximadamente utilizando la siguiente expresión:

R2=0.15 R BB

En la figura 5, se muestra una típica aplicación del generador de pulsos de

diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este
circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo
de carga: estufas, lámparas, etc.) gracias a la regulación de la corriente que
realiza sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor,
basta con modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra

Figura 5. Control de velocidad de un motor mediante SCR Y UJT

 El transistor de Unijuntura Programable(PUT)

El Transistor de Unijuntura Programable es un dispositivo compuesto de 4

capas semiconductoras, similar a un SCR. Sin embargo, el disparo del
mismo es respecto del ánodo en vez del cátodo. Mediante un divisor de
tensión resistivo se establece precisamente la tensión de disparo (tensión de
pico, Vp, del PUT). Los PUTs se utilizan casi exclusivamente para control de
fase en circuitos de rectificación controlada, y en algunos casos, se los utiliza
como osciladores. Por lo tanto, el PUT permite variar sus propios parámetros
y; por consiguiente, se pueden obtener periodos de mayor duración
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

El PUT tiene 3 terminales, un ánodo (A), un cátodo (K) y una compuerta (G).
El símbolo eléctrico del PUT y su correspondiente circuito equivalente se ven
en la figura 6.

Figura 6. Transistor de Unijuntura Programable

En la figura puede verse que el PUT es como un SCR disparado por ánodo,
esto es, si la compuerta se hace negativa respecto del ánodo, el dispositivo
pasará del estado de bloqueo (o de corte) al estado de conducción.

En la figura 7 se puede observar que este dispositivo presenta una

característica interesante el cual es que tiene una región o zona de trabajo
de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo, V ak, supera
a la tensión de pico Vp (la cual es programada mediante el divisor resistivo;
R1, R2), el dispositivo entra en conducción, con lo cual cae la tensión V ak y
aumenta la corriente. Esto ocurre hasta que se llega a la tensión de valle
(Vv), el cual es un punto estable de operación. De esta forma, se obtiene la
región de resistencia negativa, delimitada entre los puntos de pico y de valle.

Figura 7. Funcionamiento del PUT

 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

Una de las aplicaciones típicas de este dispositivo es en un oscilador de

relajación, como el de la figura 8.

Figura 8. Uso típico del PUT

Para analizar más fácilmente como funciona este circuito, es

conveniente hablar del equivalente de Thevenin para la fuente de tensión
externa y el divisor resistivo, aplicado en la compuerta. Estos parámetros
quedan definidos:

R1 R 2 R1V 1
RG = V G=
R 1+ R 2 R1 + R2

Las corrientes de pico, Ip, y de valle, Iv, dependen de la impedancia

equivalente en la compuerta, R G, y de la tensión de alimentación Vs. Por lo
tanto, la curva característica del PUT es sensible respecto de variaciones en
RG y Vs.

La red RC compuesta por RT y CT controla la frecuencia de oscilación junto

con R1 y R2. El periodo de oscilación T está dado en forma aproximada por:

1 Vs R2
T = =RC ln
f (
V s−V P )
=RC ln (1+ )
R1
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

3. EQUIPOS Y MATERIALES
- Multímetro digital
- Osciloscopio digital
- 01 Protoboard
- 02 Potenciómetros de 100K para 2W
- 01 Tiristor BT151
- 01 UJT 2N2646
- Resistencias de 1, 2, y 10kΩ 2W
- 02 Condensador electrolítico de 0.22uF
- 01 PUT 2N6027
- 01 Foco monofásico

Figura 9.Multimetro digital

Figura 10. Osciloscopio

Figura 11. Protoboard Figura 12. Potenciómetro de

2W
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

Figura 13. Tiristor BT151 Figura 14. 2N2646

Figura 15. Resistencias Figura 16. Condensadores cerámicos

de 2W

Figura 17.PUT 2N6027 Figura 18. Foco monofásico

 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

4. CUESTIONARIO

4.1 ¿Qué sucede con la lámpara cuando aumenta el valor de C en ambos

circuitos?

Teóricamente si el valor de C llega a ser muy grande existe la posibilidad

que el circuito de disparo tanto con el UJT como con el PUT no dispare, por
tanto no se observara el cambio de estado del foco. Esto debido a que si la
constante de carga( τ=RC ) aumenta, el tiempo de carga del condensador
también aumenta y si este superase los 8.33ms (180°) del tiristor, este no
se dispararía. En nuestra experiencia no se observó este caso ya que no
contábamos con valores de condensadores muy altos.

4.2 Según su opinión cuál de los circuitos integrados de disparo es el

recomendable ¿Por qué?

El PUT es más flexible que el UJT ya que la compuerta se conecta a un

divisor de tensión que permita variar la frecuencia del oscilador sin
modificar la constante de tiempo RC. Además es más fácil de encontrar en
el mercado este tipo de dispositivos.

4.3 ¿Qué dificultades encontró para realizar este experimento? Sugiera

que cambios se podrían hacer para mejorarlo.

Como principal dificultad para realizar la experiencia fueron que no se tuvo

el suficiente cuidado al elaborar el diseño de los circuitos, por ello se
esperó a culminar la teoría para luego efectuar un correcto diseño.
Asimismo se recomienda efectuar el diseño en base al datasheet del
integrado que se está utilizando y verificar la correcta conexión de estos, ya
que en nuestro caso al no contar con el suficiente cuidado, se conectó
erróneamente el UJT y este se quemó.
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

5. CALCULOS Y RESULTADOS

 DISEÑO DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO CON CIRCUITOS

INTEGRADOS UJT

Figura 19. Circuito de disparo para el UJT

Datos obtenidos del datasheet del UJT 2N2646:

- n ϵ [ 0.56−0.75 ]
- I v =4 mA , I p =5uA
- R BB=[ 4.7−9.1 k ]
- V v =3.5V

Para V s =30 V

1. V p=n . V s +V D , tal que V D =0.5 V

Sin ϵ [ 0.56−0.75 ] → V P =[17.3−23V ]

2. V v =3.5 v

V S −V V V S−V P
< R<
IV IV

30−3.5 30−23
−3
< R< → 6.625 K < R <1.4 M
4∗10 5∗10−6

∴ Escogemosun R p=200 k
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

104
3. R2=
n∗V s

Sin ϵ [ 0.56−0.75 ] → R2=[0.44−5.92 K ]

∴ Escogemos R2 =0.5 k

4. R1 <100

∴ Escogemos R1 =47 Ω

Datos N°1:

- Rp = 65.7 KΩ
- R2 = 500 Ω
- R1 = 47 Ω
- C = 0.242 uf

1 1
T = =RC ln
f 1−n ( )
1 1
T = =67.9 K∗0.242 μ∗ln
f 1−n ( )
T =[ 13.49 ,22.78 ] ms

Figura 20. Gráfica de onda regulada mediante UJT para los datos N°1
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

La cual tiene un periodo de 14.84 ms ∈ [ 11.756 ,18.787 ] ms. Por tanto, se verifica
el diseño y adicionalmente se puede hallar el valor exacto de “n” de nuestro
UJT.

1
T =14.84 ms=67.9∗0.242 μ∗ln ( 1−n )
1
T =14.84 ms=61.6 K∗0.242 μ∗ln ( 1−n )
1
ln ( 1−n )=0.99549
n=0.63

Dato N°2:

- Rp = 46.182 KΩ
- R2 = 500 Ω
- R1 = 47 Ω
- C = 0.242 uf

1 1
T = =RC ln
f 1−n ( )
1 1
T = =48.382∗0.242 μ∗ln
f 1−n ( )
T =[ 9.18 , 15.49 ] ms

Figura 21. Gráfica de onda regulada mediante UJT para los datos N°2
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

La cual tiene un periodo de 11.58 ms ∈ [ 9.18 , 15.49 ] ms. Por tanto, se verifica el
diseño y adicionalmente se puede hallar el valor exacto de “n” de nuestro UJT.

1
T =11.58 ms=48.382∗0.242 μ∗ln ( 1−n )
1
T =11.58 ms=48.382∗0.242 μ∗ln ( 1−n )
1
ln ( 1−n )=0.9888
n=0.629
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

 DISEÑO DE LOS CIRCUITOS DE DISPARO CON CIRCUITOS

INTEGRADOS PUT

Figura 22. Circuito de disparo para el PUT

Para V s =30 V

1. R s <100

∴ Escogemos R1 =50

2. Sea R2=30 k , R1=5 K

R2
n= =0.867
R 1+ R 2

R 1. R 2
3. RG =
R 1+ R 2

RG =4.286 K

4. V P=n . V S

V p=25.71V
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

R1=5 K Ω , R 2=30 K Ω R=2.2 KΩ C=0.22uF V s=30 V

Entonces:
R2
η= =0.867
R1 + R 2

V p=n .V S=25.71 V

 Para Rp=35.7KΩ

Figura 23. Gráfica de onda regulada mediante PUT

Vs
T =( R p + R ) C ln ( )
V s−V p

30
T =( 35.7+2.2 ) x 0.22 x ln ( )
30−25.71

T =16.2167 ms

Error:
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

8.4712−16.13
%error= x 100 %=90.4099 %
−8.4712

 Para 26.92KΩ

Figura 24. Gráfica de onda regulada mediante PUT

Vs
T =( R p + R ) C ln( )
V s−V p

30
T =( 26.92+2.2 ) x 0.22 x ln ( )
30−25.71

T =12.4599 ms

Error:
12.7253−12.4599
%error= x 100 %=2.0856 %
12.7253
 Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

6. CONCLUSIONES

- Se diseñó exitosamente los circuitos de disparo de un tiristor con un UJT y

un PUT calculando las resistencias necesarias con los conocimientos
obtenidos en clase.
- Se disparó exitosamente nuestro tiristor con nuestros circuitos de disparo
diseñados. El tiristor tuvo como carga a un foco de 25W.
- El porcentaje de error encontrado en los cálculos para la experiencia 2 con el
PUT nos demuestra que esta es muy próxima a los valores teóricos, al igual
que nuestro circuito con el UJT.

7. OBSERVACIONES

- En la experiencia se observó que en el regulador UJT, cuando se le colocó

un valor muy pequeño de C (en el orden de nF) la señal de la onda regulada
no era estable y presentaba curvas superpuestas. Esto es debido a que el
tiempo de carga se hace muy pequeño y no le daba el tiempo al
condensador de cargarse, por lo que terminaban superponiéndose las
curvas de carga y descarga, generando el voltaje regulado inestable. Aun
así, el foco se observaba prendido.
- Se observó en la implementación de laboratorio que el PUT permitía una
mejor regulación que el UJT, a pesar de usarse el mismo potenciómetro para
regular ambos circuitos. Sin embargo se debe aceptar que el cálculo de
diseño de un disparador de pulsos por UJT es más liviano.
- Se observa que el valor de los tiempos de descarga τ 2 son muy pequeños
con respecto al tiempo de carga en ambos circuitos. Esto resulta en una
onda regulada cortada casi verticalmente y en la verificación teórica τ 1 ≫ τ 2.
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

ANEXOS
Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

Datasheet del tiristor BJT151

Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

Datasheet del PUT

Universidad Nacional de Ingeniería
Facultad de Ingeniería Mecánica Electronica de Potencia (ML839)

Datasheet del UJT2646