Transistor CapII

caEln`no lI : polARlzAclótl Dm TR»isISTOR
EL TRANSISTOR
Introducción
Los dispositivos de tres terminales son los compon.entes básicos de los

amplificadores, de los que existen de dos tipos, 'denominados: `transistores bipolares y
transistores unipolares, los trans.tstores se caracterizan por la compos.rción de las
com.entes en sus terminales, es:qes.ir, que en los bipolares ias corrientes están
fomados por el movimiento de dos tipos de portadores los electrones (n) y los hiiecos
(p), en cambio en los unipolares las corrientes están formacios únicamente por el
movimiento de un solo tipo de portador los electrones (n) Ó los huecos (p). Además los
transistores bipolares y unipolares se diferencia por el control de las corrientes en su
Terminal de salida: En le transistor bipolar la corriente de salida se controla por la
corriente de entrada y en el transistor unipolar la corriente de salida se controla por una
tención en el circuito de entrada. Ambos transistores constituyen la base de los
amplificadores, por lo que estudiaremos cada uno de ellos por separado a fin de
establecer las topologías básicas de su aplicación, los parámetros con que aportan estos
componentes en los circuitos, deteminando los parámetros de los amplificadores en los
que trabajan los transistores.
Para un mejor comprensión y análisis de los transistores es recomendable utilizar

analogías, como estos dispositivos son de tres terminales, esa es la primera analogía a
ser establecida, en el transistor bipolar a sus terminales se designa como Emisor (E),
Base (8), Colector (C); en el transistor unipolar a sus terminales se designa como
Fuente (S), Compuerta (G), Drenador (D), en este caso el emisor es análogo a la
fuente (E=S), Ia base es análoga a la compuerta (B=G), el colector es análogo al
drenador (C=D); Ia segunda analogía a establecer se refiere a las corrientes en cada
teminal, la corriente en el emisor se representa Por iE, en la fuente Por is (iE=is), la
Corriente en la base Se representa por iB, en la CompIlerta por iG (iB=iG), Ia Corriente en
el colector se representa por ic, en el drenador por jD (ic=iD), la tercera analogía a Ser
establecida se refiere a las tensiones entre terminales por ejemplo entre colector y base
VcB, entre drenador y Compuerta vDG la analogía es VcB=vDG, de manera Similar Para
los otros terminales, la cuarta analogía a ser establecida se refiere a las topologías en
que se usan los transistores en el bipolar Base común (BC), Emisor común (EC) y
Colector común (CC), para el unipolar Fuente común (SC), Compuerta común (GC) y
Drenador común (DC), las analogías en esta caso son BC=GC, EC=SC y CC=DC.
Detallaremos primero a los transistores bipolares y luego a los unipolares. .
' CAP.2-1
.1-1-'.. `¿`. r-,_
` `' 1,11`
CAplmo lI\ : POIÊÌZ^Cló!l Z>EL TEÀNsla"R
Trahsistores Bi pola res
` LoS transistores bipolares sop dispositivos de ü.es capa§ y se foman por la unión
de tres semiconductores de Gehanio (Ge) Ó Silicio (Si), disponiéndose una capal de
tipo N, entre dos de tipo P ó Úná capa de tipo P entre do`s de tipo N; en el primer
Caso se consigue una estructura PNP y en e!'segundo una NPN. A estos d¡spositlyos
se denomina transistores, su estructura se compone de dos junturas llamadas
:T§i:otB(,J,E)eymfso::C!:;(yJc!..,:g:srdt:¡si¥::ti:::n£=á:sr£is|3|e.sdánboaTein::Es:
::ís,¿fiL=g,ra::za,.á::nmfocro+g:,=#bes#prrepso::g=do::::onr:raá:::e,=coy:£nj#ó:
` de impurezas en los semiconductores que representan a las tres capas del transisto+ tal
como se aprecja en la figura 2.1, existe un de§.equilibrlo entre el em¡sor y colector
respecto a la-b'ase debido a que el emisor prov`€e'.|9s portadores que se difunden e
Puaá:fi#gacnü`.a:dc.o'esdeor,d:£zbc'::iei:'apac:r#r.esdeffsci::esdoáetestftea:se,sste:rii."bTi
concentraciones. NA del emisor y colector, nc; `tiènen porque ser simétricas, existen
muchas caracte`n'sticas distintas dé concentraci.onés respecto a la base. [
Jg Jc ,
i..) ,`-..J':. Y '+ `Figura 2.i concentradóA de lmpiJrezas.
EmcTBÓNlcll
'.:" J` :'
•.::`j,,:..+.:i:_:.:.
•.,. 1 ,,.,-
CAPITULO II 2Aclóz. óE;i "SI8"
Vamos a ref?rirnos a los tran¡ .1de difusión tuven el elemento

básico, en ,este transistor se tiene due ié.(ip;;a`¡ que `rjñ,ye
fta:rirdq uñá'` c-ói`Fi'e'nte en emisor iE
i o±d._ ._ `'.
::e:botet:ag:`sístn:rcq°::¡ésnetbe;:¡á:reenoe:t::'eerf6="quqeú::¥8jieu:át[eí`j;ed£á£T|S::;j:it:::"d::
em¡sor, polarizada en forma directa aparezca en la región ,del colector, donde la ].untura
está.polarizada en forma inversa (se pretende, que`àmbas ¿orrientes sean de igual
valor). Significa que los portadores han pasado de. una región./,de baja resistencia que
es la juntura emisora (JE) (polarizada en forma directa), a una :región de alta resistencia
que es la juntura de colector (Jc) (polarizada en forma inversa).` -' `
Si bien éste mecanismo nos permite transpor[ar la misma ¿orriente de. emisor ,a
colector, se ha conseguido que f]uya dicha corriente en dos medios resistivos de
:;f:-:,eÑráge-:a,':r?aE::qíJec,',ot::,:nsde.::S:::aa::,r:::Fed;£:),oe:a:i,s.ti::oh:ev:oriaqdu.e,:
niyelés -de potencia. La topología de ésta conexión particular dei dispositivo, se
d-enomina de base común (BC), es decir el terminal de base es común al circuito de
eritráda y salida.
=== ===
JE _- Jc JEJc
F¡gura 2.2 Trafüistor PNP y NPN.
Én ia flgura 2.2 éi circuito de entrada (emisor, t)ase) y ei de saiida (colector,

base) éstán conectados a través de un elemento común que es la t)a§e. Esta es una de
ias formas de utiiizar ai transistor, yá que ia corriente que entra:'en emisor (iE), es ia
misma que sale en colector (Ic) sin inyectar prácticamente nada en la base.
Para polarizar el diodo PN en forma directa se debe aplicar el polo negativo de la

bateri'a a la base y el positivo al emisor reduciendo así, Ia barrera de energi'a potencial
para los portadores mayoritarios en un valor proporcional a la tensión externa aplicada;
para polarizar el diodo NP en forma inversa se debe aplicar el polo positivo a la base y
el negatlvo al colector, aumentando la barrera de energía potencial, para los portadores
mayoritarios en un valor proporcional a la tensión externa apl!cada, tal como` se indica
en la figura 2.3.
ELECIRÓNICA
CAP . 2 - 3
-
-
CmlTullo 11 : ppnamclóN Dn "N8]S" EE
U
•`"ota.- En am6ó-s- tipos de po,arización no Sé ProduFe efec[o alguno Coh la V
i` variación de la barrera de energía. p.otenclal para los portadbres
F¡gìra 23 a) Poladzadón do la ]LmbTa de colect®i7 b) Polarizadón de la ]unq.ra.emls®ra; c) Polarizadón del

translstor PNP y NPN.
Si ahora se jv,ntan los dos diodos polarizados de la manera indicaqa, ta

¢onstituya un sisté`ria ¡ndivisible laìdea básica es la siguiente: Úna
portadores .mayoritarios '(en este caso huecos), que pasa dé la.'.re9ión P emiso
base N (figura 2.3E)',. estos portadores del emisor, se difii`nden en l!ne
pasa al colector yla otra.se `re'combina. en la base con los electrones que ',Són
EuC-cAl
CAP.2-,
cAplri ll pó¡AnlzAcló!l Dm mANsls"
portadores mayoritarios £h esb región y que se encuentran pgr;debajo de la barrera de

energía .pptenciaL e_n,tóñé€.s ia fuente de tensión que poiariza. ia juntura es ia que
endega los electronés."éri. reposic!Ón de.Ios-portaciórés .pérdidos por la recombinación en
la base.
En foma análoga Pára los transistores NPN, e5_dec¡r uhá corriente de portadores-
mayorltarios (en este caso electrones), que pasa de la región N emisor a la base P
(figura 2.3c), estos portadores del emisor, se' diftinden en la basé una parte. pasa al
colector 'y la otra se recombrna en la base `con los hueco'S,`,qúé son los portadores
mayo,ritarios en esta región y que se encuenúan por debajo.dé ia barrera de energía
potencia], entonces la fuente de tensión que po,Iariza la juptura es la que entrega los
huecos en reposición de los portadores perdidos por la recornbinaclón en la base. Ès
deci.r.Si de alguná manera se logra que los portadores que se dífunden en la base no se
rétóübinen se logra` el efecto deseado que ic=iE ya que iB `és pequeña; como ésta
cóíh.énte `éstá cohdi¿iónáda al número de portadores que se recombinan en la báse,
llegándo at.'colectór iá..:hayor cantidad de portadores (huecos en PNP y eiectrones¢`'en
NPN):
Para' evitar las ''.1

el ancho de la .base.nw", debe ser pequeña para
dismi"ir \ia recomb¡náción y- así' posibititar que una mayor ftntidad dé ``. portadores
puèda llegar al colector; es[decir que el mayor número posib|e de portadores ¡nyecbdos
dé la región del em¡sor Ìleguen al colector (sin qiie se hayan,,recombinado en la base
perdiéndose, en cuyo cast cobía importancia la corriente 1B). . Hacer que el anch6`de la
base sea peqiieño es cohL respecto al parámetro natural d? 19S, portadores que es la
longitud de difusión (L), es decir que "Wn debe ser pequeño con te5pecto a la longitud
de d.ftslón, parámetro qiie es proporclonal a la recombinación de portadores, portanto
si W es pequeño con re'specto a Ln ó Lp, no habría recombina'ción en la base y todos (o
casi todos) Ios portadorés-pasari'an a la región de colector.
Parámetro de los transistores bípolares
El parámetro natural que se d-efine-bara estudiar a los istores ,bipolares, es el

parámetro eficiencia dé corrienté y se. io iiama aFB (F=fordward, B=base) def¡nido
como: La rclación eiit+é lá variación de la corriente de cóiéc€or a la coniente
de emisor, mantehiendo iá tensión de colector constanté.
\`.'
-,ta,.
El ¿omportamiento de este dispositivo de tres capas.(l.]amado transistoF) será
EL-CA
CAP . 2-5
CAPITUI® 11 : POIJüIZAcló!i DEI. "NSIS"
1
tomar é`ñ cuenta una constante de integración, pór tanto tendremos: i
;Co`:diD[iEc:o]°e°siacorr,entequecircuiaeneicoieftor,formadadepoúdorL
miròritarios del colector y la base, €s la corriente en la juntura del colectpr
cuando no se inyecta portadores del emisor (IE=0). (
E=
-
Estrtictura de bandas del transistor ` \\,
-
La figura 2.4 muestm la JE polarizada en forma directa y la Jc en forma inveia,
u
así como las concentraciones respectivas de pori?dores mayoritarios y m¡noritar¡o
U
cada semicond-üctor del transistor PNP. Debido-a la pólarizacióh directa entre el em U
y la base el nivel de Fem de la base sube con F§specto` a`la del emisor (disminuye
J
la barrera de energía potencial), por lo tanto sube Ja banda de valencia y de conduc( iE
de la base con res'pecto a la del emisor, permitienc]o el ,pasq de .pSrtadores mayoritarips
(eiectr.ones) de N'i,`.a P (de ia base ai-ém¡sor), p'éro 'simùltán?ámente ios portado
mayoritarios (huécos) dei emisor pasan a ia base de`P a N. Ahora estos portado
(huetos) son los que se transportan en la base y se difunden (difusión
í=íb°u¥ódn°rj:
minoritarios en la-/base),' 'por efectos de recombinación en la base la distribución qe
huecos. (inyectados del emisór) disminuye en esta región, próximo a ¡a Jc, dado que
todo portador en las prox¡mldades de Jc es atrapado por el co|ector y este flujo tle
portadores establece la corriente de colector.
es,e:.coan:£edmeT:sj:s:;g|Óen.iá:':o:eu:o:,.':s±a::,aa:,faed:a::::ir:aymceonn,::ceció:::eb#
crea una gran barréra de emergi'a potencial para los portadores mayoritarios,
que dichos portadores Puedan difund.irse de la base al c.olector y del colector a 1
ÍHEHE
:::a£::::g:í:á,egofttnad¡:::::;:Tu:o::sti:Lneonr¡nf:¡go:Lhe:::oosddee;::::aeta:=oígn:¡.y
En' la región de la óase, por los efectos de recombinación la corriente de difusibn
resulta:
Ipe - qADpVp
Dond_e::==á::an`£#ejá:táíf:
de difusión de huecos
ELECúla
u
u
cAEIITt7Io lI :. 'póij`RlzAcl6ll z>BL mA!tsls"
V p= gradiente de la concentración p (en la base)
•``:;'``.Ó _ .,-. `_-, P I-Í```:`.': ..,.i'.. P -' -h , '.
11;
BC,
=,,- npc
LLLLLLLLL"
nlx d - 8% qo'c+V)
ONINcrN)
**
EF
EF
. . 2, Jt
•Jc
JE Zona de _BV
BV .BV ' trancisión
Zona de
Ppcy- P,lb.
trmcisión
',g
•f
Flgura 2A Dlagrama de bandas déi d?`nsisbr PNP c®n ia juntLira emisora poiarizada é'n forma dirécta, y ia iuntura
` de colectorpolarizada enbma lmmrsa. .
El gradiente es la relación del desequilibrio en la longituq.dé base. Para calcqlar la

corriente de diflisión, lo únicó que se tiene que hacer es determihar el `gradiente' de la
concentración en el origeh-, Supon¡endo que sea iineai, el gradiente no es más que una
pencllente, o sea :
`.', Desequilíbrio _Abm
•.Longituddelabasé W
' `r'.`,
El desequilibrio es cónocido porque .corresponde a un diodo bolarizado en -forma

directa (se inyectan portadores p dei emisor a ia base en un tránsistor PNP), por lo
tanto:
•r-qADp#(e#-l)
En equilibrio, cuando la JE no esta polarizada los porta-dgres del é`misor

a la base son compensados Con los portadores que pasàh d ai . é.-rhisor,
EuC-a
CAP.2-7
•¡,,-.,,
•-,,.. `-.
CApi"O II .1 POIArilzAclóN `Dm T"SIS+OR
:;¥ §í§:í;¡¡::Í¡T=:ní:orr:Í:rí§o:, e:n:,e::;Íe:s:,r:coonndduu:oorr t:ppoo : |

` Apálogamente para los portadores n (electrones) que pasan de la base al emisor
se calcula la componente lnb como en un diodo común, los portadores se. difundr
u
u
normalmente er! la región del emisor.
-
I.b, -qADn
-'
LJ
u
Ya tenemos +as expresiones de las corrientes lp® e lnb. La suma de lpe Con 1 U
nos da la corriénte total de emisor IE=Ipc+Inb. J
EI
EE
estcLo°nsd:c?oFnaí::eosn:eieu:rpan::!:n(¥:#:cdo°nsd:ed:arRa)S:eab¡eeem=°rrmn:y":g:onda:pca°::stcirÁ
respecto al .emisQr. . U
EE
EE
sere:g#,:#odn°rseosnq]::::ed¡,i:::|era:nc:,:iao:,a;:r(|oU:Cu°es,:n::#:edn°t:ddee':oT:S::)r:i: u
formada. tpor los portadores inyectados del emisor, esto impone que el semicondu
EI
del emsor debe estar muy dopado con respecto a la base, si aÉB=1, se logran'a que
EEZ
toda la corriente que entra por emisor sea la misma que sale por Colector. Esto nbs
u
dice que :si lnyectamos corriente a un cierto nivel .de resistencja en la'entrada (la JE e
polarizada diréqtamente) y sacamos la misma corriente a un nivel de resistencia en
J
+.
salida distinto al de ientrada (la Jc está polarizada inversamente), algo se ha ganado fn
el medió, .hemos ganado potencia; si entra IE y sale lc que es prácticamente u
EE
(IE=Ic)`; es decir,lá diférencia entre estas corrientes es muy peqúeñ'a (1B), por ta
`-
para que esté en aquilibrio debe ser: IE=Ic+IB
EI
EI
sein;:áo:fig:£cÍ::e:n::iaed:,:::tararasigaosree;':ed:bb,:es:ec:Túe|(.:fe)á::íaecLr,sq|: EE
cantidad de portadores, manteniendo ia base común a ios circuitos de entráda y saiicla. `1'
Si Fambiamos la configuración del dispositivo por ejemplo a emisor común (EC),.,de bl `J
maL`nera qiie sF inyecta una pequeña corriente iB por la base (la correspondiente á la qe
U
recombinación), para obtener IE=Ic, manteniendo el emisor común a lqs circuitos de
E=
entrada`-y sa`lida, es decir aue inyecta una pequeña corriente én ia PLase V circuláLporíel
V
ELEC:TRÓNICA
u
".2-8 -'
V
ih,:;,;:i:*fi't`,.,
CFiHTtno ii : EaLARÍzAcióN bEL =miisIstoR
dispositivo una aita corrié.nte (eqtr_e emi`sor.y coiector). De manera simiiar corresponde
-' £.__,__1.__', .` -.--.,. ` 1., .`-_
(CC), manténiendo el cólector

::mftú:C:9nbasm:#u9;t:§::,£¿n:fi#::¡°;nstcT°t#Í`;é.£::: u.n! p?qùeñá corriente .iB `-por ra
h--a •.`` , _,_,-\T--` ---. `--`.`--O`r--l 1\\
base,i..Lpara
_LL_.._._ ` `__ T`:+.' i. ..
obtener ur}a.j¢orFien'te `-'`. ._T_ .
por`,-e`r e-ñisor'.ic=iÉ,` tenem.os a.sí üna ganancia. de
com.enté'` este disbositiüp-ftincíbna en base a cofrientes.
' icálculo de ia cqrrieiite icBor ,;La co'rriente inversa de sátüración estabiecida por
• ;, . `.\
el `ñovimlento de ios portadores minóritan.os dei coiector a P báse,.si `se desconecta el

emjsor ,'al. estar` la `Jc Pólarizada en iwersa, contlnúa clrculandó,una...cQrriente reducida
por el rnovimiento de portadores minoritarios .por el .colector, i.a córriente de colector en
condiciones nomales está dada por:
Ic = UFB[E + ]CBO
Para d)lculár icBo se utiliza la condición de corriente nula en el emisor (IE±O).``' Si

Se elimina VE es decir no se polariza la JE, con la ecuación del diodo se puede calcular
la coú.énte de saturaFióri iceo en función de ios portadores minoritarios.
.,`
n¥it?.Dp#(,-„
Donde : (
Ac= área de Ja ju,htüra..qel colector. Í
Ac= área de la juntúra 'del emlsor.
El primer sumando es lá corriente de saturación invers? de.'colector. El segundo
es la corriente que proviepe de admltir qiie está presente la JE, b?ro que no conduce es
decir que no circula corrie.hte. `-'
' Si y=i ia ecuációri d.e ia corriente inversa dei.transistor es`Lsirhiiaf 'a ia ecuación de
1.' `
la c'orriente inversa déi cií-ódo, pero puesto que y es aproximadaíh.ehté igua] a +1 y no

T=1-. La presencia de-la .JE hace que la corriente inversa (Cugn.¢ó n,ó clrcula coFrlente
por emisor) no sea ¡guai` a la calculada en un diodo porqú.F.i.lós `,Portadores que Se
difunden en la región de la base también podn'an ir a pára`r a ``la. Íegión emlsora.
Evidentemente la juntuFa está presente, .no la podemos eLlmhar y. lós portadores se
enteran porque físicaménte eiios se difunden en cua[quier región y en Particuiar se van
a la región de emisor.
El transistor en lt)\s \circüitos

J~
La .apiicacióp de ios .transistores en los Fircu¡tos elecqóniéós. radica en...utilizar

adecuadamente las característ`cas y limitaciones eléctricas què nós Provee- el fabricante
EuC-a
J
-! , ',. .' , `fJ,
-
J
•-".`, '!\-
cri,± ' ` II : E.ozJ\RlzACIÓ!l eEb mANsls"
u
u'
::m;aus:stho°:Japsar:é::}:esntedse'dec°iTnpti°nnuean::'am=Ú¿:f:reT:C:::¡stdo:`pac:m:o:::n±:,ó#
para éòrriehté` de aitema (parámetros de!.Lítransistor como ampiifica,dor) y
J`J
limitaci'o.nes` ó vaiores máximos que no se qeb'en sobre pasar para una utiiizac¡
correcta`-, del transistor, esta informacjón esta` dispon¡b!e como tablas y/o gráficos
caracte+ísticas tensión corriente. Para esta apiicación el transistor'se representa por
símbolo.' en los ciréuitos como |os indicados én la fig.ura 2.5, |as flechas en e
símbolo`s r€presentan 'el sentido de la corr¡ente en caso de polarización directa e
juntu`ra corresp`ònd¡ente.
Flgup 2.5 Síii`bolo de los tranilsbres PNP y NPN.
Características tensión corriente
La aplicación de los transistores en los circuitos electrónicos radica en utilizar

adecuadamente las ' cara.cten`sticas tens¡ón-corriente (V-I), caracterísb.cas que nos
provee el fábricahte en las hojas técnicas del componente, de no disponer de é#
infomación se pue.de obtener en laboratorio con el auxilio de un multímetro, fuente
tensión, resistenc¡as y potenciómetros implementando un circuito. sencillo para
[e
propósito Ó por medlo de un relevador de parámetros para. tñnsistores bipolares
unipolares y en cualquíer tópologi'a.
Los transistores bipolares existen dos tipos (PNP y NPN) que son similares
principios y que difieren en la polaridad de las tensiones aplicadas y la
sentido de las. corrientes que fluyen en sus terminales, realizaremos un análi§is
generalizado para las características V-I y los diferenciaremós con los .Signos
correspor`dient.es ep €ada c!so, para el análisis aplicaremos la ecuació.n fundamental de
:oosm¥snes;rg:::.,é~:&sú.#¡:s¿;:oEr:S¡s:¡rp:,oa:eúsn¥EE;,,eá:,£,:zraéoe:ú:etsctco,:o,ogías,bás¡ds •„,(
ELEcriICA
ü.2-lo
En lá topología BC el tehTiinal d.e base es común al circm\ó de entrada y salida, la
stñalse?P.li:.:n.:!ìÁg?#inplde,imi¥É:&Sy.I:sali¿qas?_obtieneenelterminaldecoledor.
Á,.._`\ ,,
En la topología EC ei {teminai dé éhiisor és 'común ài cijcuito d.e ~entraáa y saiida,

la señal,se aplica:EnLel temihal de base y.+la :salida se obtiene en el terminal de
colector. ~' ,
Ên Lla topología CC el terminal de colec[or.Es común,al .circuito de entrada y SaJida,
la-se'ñal se aplica en ei terminai de base y ia`saiida se obtiené en ei teminarde`.emisor.
Estas topologías de aplicación del transistor se muestran en la figura Z.6,
T-+
lE VEB vco
`+`-ic i0 +
-
viRE
ru RcVOlvc'``
tiB
lvFf
1
_'1
Floura 2:6 ,Cahfiguraa.ones o topologías bás¡cas del trahs¡stor PNP y NPN
T) Configuración base ¿qrhún (BC)

' , ' .. _ - . `J-.`
ap„ffi:afTe:::sT:etmúnns:%:rdpe¥ecpoenárnaubaaj=r,a:::u;::aT:eníFp:Toor£:p:¡::£o¡ase]E:e::
inversa la Jc y ia fuénté de señái a ser amplificada se deb? Gór)ectár éh ei circúito de
E"CTRÓNICA
CAP.2-11
• , lí.,i:,`,,`r.
LJ
--I..
`. `
=
t
.'-Y:
_ '
. . -
J
: eri=ti- == , poLAmzLhci6N Dm ~sisTbR -
entrada..;tal como se muestra en la figura 2.6, s[ determinamos las tensiones de ambas
-
EE
junturas y las corrientes que se establecen en |os teminales del dispositivo, la rela
grafica de dichas corrientes y tenslónes en un S¡stema de ejes ortogonales representan #i -
`J
ù
-
J
funciones, qiie expresa las variables dependientes en función de las independientes: U
ic = fi(VcB.iE)
U
VEB+±2(VcBiíE)
U
u
J
Las corrlentes y tenslones en estas funciones tal como se estableció en el diodo,
están formadas por componentes de continua y alterrà, resultando: -
Ic + ic = fi(Vcp + Vci. IE + ic )
VEB + Vcü = f2 0/cB + VcÜ [E + íc)
En aplicacióp del principio de superposición pueden ser separados pan el análiiis

cort£spondlente en la.parte de continua y altem ,
Parte de continua:
`c = f,O'cB,IE) 1
VEa = f2WcB.IE) '
Pafte de alterna:
i.-f,(v:,i.) ,
Vcb = 'f2(Vcü.ic)
En 'este uriidad solo consideraremos las componentes de contihua resultando: Í
I`c=fivcB.[E)
VEB = f20/CB.[E) !
En, los circuitos normalmente se toman para las tensiones polaridades relativas.tal
•.`.
::::|qeune'::,ceu,amdir#l::mr3f.ei:ea:pajet:rsm|ná'a:::u;n,::::r::i,tnoa:e:::treaf:ayd.st;!-d:,,,!:
EBBcricA
•,`,'r.3.,-?fí,_
i:`PE-, -. _ :-: : . :.*-`:{.:
:¡..
`,:-± `. :.- i.ff{...,,.i_:¡
: , t,,.
CAplerió ZI : E"ARIZAC16ll I>ri "AelsISoot`
son posltivos; para ,laé conient'es se `toman como positivos ia dirección y sentido
::e#an:íhtae',dTeie#g±9im::i.esb;i:i.Cdeard:assr::¡:sdedr:st,'a:Stevn-s:o::,'°,:tdTr::gó°nre;
sentido dé lastóírientés.
-..Re€-ordaremo;. áúe una corriente es positiva cuando 'este.toj'ncide con ia direccióh
y.`§entido dei imovímiento de ios portadores p,ositivo6 {ñüeé.o,s) Ó es opuesta a ia
:i#ectóohst.£:tidde°áeisrst°ovr¡eTs¡eb?::,:re:°;pPN°prByf£=i)na:=#a#e::g°anneás,};¡sCp°amm°,::
-transistores PNP y dejaremos indicados en gráficos y ecuaciQnes para los. transistores
NPN que el lector puedé deducir a manera de repaso. Pará €l`ánálisis tomemos como
referencia la figura 2.7 en la que`se represema el transistot,v?n la €onfiguración BC
£í,r£Sfdnóti,%::rm:,:,::e:oTmoaff£nddoosl,:ssss:gmn¡o:ntd+u%o=smqaureá,:o:oemnp:anse:e%s:onheóstm;
com.entes Són las``.qué se determinan en el análisis.
Eh los`` ci`rcúitos de la figura 2.6 se ve que las polaridádes de ras tensiones, la

direc¢ión `y^ sentido de las corrientes se adoptaron de. la representación de los
cuadripoios,' es`.d-é¢ir``.qüe estas son reiativas, ias tensiones positivas respecto ai tem¡nai
comúh y las -corrieriS:.`positivas entrantes al cuadripolo.\ Veremos detalladamente
juntura porjuntura éi.casoldé las corrientes y tensiones. -
; a) ]untura ÉniíÉóri (JE)
Esta juntura forbaéa por ei emisor (tipo `P) y !a basé.,(tipo `N)restá poiarizada
directamente por aplicáción de la tensión O/EE) posiwo al ehisqr y ne-gativo a la base
resultando: .^ , c ` .j .
•:i¡nn:=í#:°d::!::úti=:B::a:ri:d:a%;o3(:+i:V::n(s?::¡Yv°EEa)'::'£r,ayri#y°p:r'a,obaqs:!
-_''_'_'''.__ rl__ l-EP __.,,r-T._'-\ . ,.
• , La poiarización,,/,`qiréfta. disminuye ia barrera de éri?r`Éi'á para 'Os
portadores mayoqtariós huecos en el emisor y electrónes.,èn base, en estas
la base -y los
:#S¡:::Sde't£-`b!§`:C(°nsnb;::ea%igdren(E:ec)¡ase:ed#s3,`!.'é.ñihdí c ión y el sentido
déi mov¡miento:a.é ids'.huécós coincide ccin ia dirécéióñ,}, Sénd.`do' ,de. ia corriente
de emisor (IÉ)-bóir lo dué esta es positiva (+), asiriisFn.o la .`direéción y sentido
mayoritarios' qúe` son electrones, él exceso para la fe¢opibinaéióh son exüai'dos

E=
mc-m
U
EE
•._!
ul
/` -'\,``-v
• cJpi#o ii : PO¡J\RIzn±ó}l D=L TRANSISTPR
` ,,
J
Eq
¢e la fuente de polarización (VEE), estos e!qctrpnes Se desplazan en la mís
direccióp y sentidó que la corriente de P?S?.'(IB) por lo que esta corriente u
negawa(`). `.``~.
vcE :..; +
¡EE I .IEIE
-\,- IF. T '
IDt
Figura 2.7 Translstor polar¡2ado como amplificador, deterrninación de i)olaridades de las tensloncs, direcdón yl
sentldo de las corr¡entes en cl trarG.¡stor.
b) Juntvra Colectora (Jc) u

Esta juntura formada por ei colector (tipo P) y la base (tipo N) está polarizada
J
EE
inversamente por aplicación de la tensión O/cc) negatjvo al colector y positivo a 1? base
-`
resultando:
Ii
EIJ=CTRÓÑICA
CAP . 2 -14
.~`.
•,, +..t „ h .
"'1\
€ rl -`` Ca,Plrino l1 : mmrilzh,CIÓN Ori TmNSIseoR
• La polaridad rélativa marcáda \pari] VcB (poslt¡vo al coléctor y negativo a ``la base)
bo coincide` CQ.,# ;las poiaridádes_~de la tensión (Vcc), por lo que concluimos que
• -:\ . `r1
Barrera de eneÉi'á potenciai para ios
#:::ss,my%3[¡%;[¡:=á:sthdueec::sju:o.,j::3,P,#:::e:,`:.g:a#sriE:¡::jduent,uara:a::
\cambio los LportaàpTés 'minoritariós''huecos``de la'base`;y`'£lectrones del colector se
' / difunden Jibréniéhte a través de `la .juntuñ,,<por lo'``qué también los portadores
inyectados dei -éüisor (huecos) c]uE se difiinden en ia.`base y no se recombinaron
Pasan , libremehte la :`jüntüri'.; ,toLectora ^tporque en`Ja.:.`base los huecos `son
portadores' minórita`rios `.yJ3 ,polarkación `, inversa no prSducé acción.,aiguna para
g|:d#eftsa;ocr:n_:,,á!:óg#:::-::-g:ái?|ent::,g:ií::#iy:e#g:e.n.t:#:,oegi:
.::re::8::iut;,{a:t):::r¡¡::'ted:ec:ò::ro;.ec±:::r`:aqduae;:yco°|C:Unyt::::,:=:oC:r:::::
\lr)yectados' del.'èmisor, esté hecho nos hace concluir ,que.el semiconductor` del
episgr sé gépé.,`dòbar con`muchas impurezas y la basé se debe dopar con` huy
J pbcas .imp
ureza's demás si la base 'está- muy poco dQpada la recombinac¡ón es
reducida `F}.9r 1 e`la corriente de base (Ib) es muy pequeña.
. ht,Finairhenté 'S éi ,Temkor 'no-.¿ sé .,inyecta .portadores ,-., 'es ,.decir los :t€rminales de
entrada están :`éñ¥.cir€üito.^``'abieriD y la Jc está , polarizadà, iwèrsamente; ípor íesta
• juntura` solo `flúy,en ,.,los ` portadores minoritar.ros €lect[9hes-/ `deL `.colector , ha'cia la
'::,Soep:rheie:%Sv¡#nat;?a:e,¿hsa;;arb?::r°::g3:oer#r%estip€onf:,isgu:Teastca°:j:r#nt:C:g
de un valor muy\ réducido del orden de los m¡croáhperids (úA) en el Ge.

nanoamperios (`hA) .en el Sj. y como ésta corriente coincide cori la dirección
sentido de los electrones y opuesto a la de los hu?cos, por lo que conclúimos
que esta es ne9ativá (-).
De lo expuesto a cóntinuación se presenta un resumen:
Para transfstóres`PNP
(.) (-) (+)
Ic=fi(VcB.IE)
(+) (-) (+) ,

VEE=f2(VcB.]E) `
El transistor PNP tiene el siguiente resumen de signos para ÉS corrien`tes y

tensiones:
IE(+)/ IC(-)Í 18(-)/ ICBO(-)/ VÉB(+)í VCB(-)í VCE(-).

•!_
EmcTRÓNza
CAP.2-15
cflpITtAo 11 : pozARlzAcló!l DBz, mANslseoR
I!ri
Pára transistores NPN
í'c}-f,(ú':,Í-:)
(-) (+) (-)
Víb=f2(VcDilE)
El .transistor NPN tiene el siguiente resuhien de signos para las corrientes y

tehsiones:
iE(-), ic(+), iB(+), icSO(+), vEB(-), vca(+), vCE{+).
Estabiec¡das ias poiaridades para ias tensíonEs, ia dirección y sentido reaies pa}á
las corrientes',.las. funciones fi y f2 representan las características V-I de salida y EI
entrada del transistor en la topologi'a BC. -'
EE
Cadcfc/x'stl.Éas dc c»fxj)da,- En la función f2 s! mantenemos como parámedo `_`
VcB y producimos variaciones de VEB (por polarización c!ireéta), para pequeñas
variaciones de VEB se producen grandes variaciohes en la corriente IE recordar que |a --
relaéión entre estos es exponenciai porque corresponde a un diodo poiarizado én
directo, por lo que la característica de entrada del transistor co.incide con la de un diodo
en el'`pn.mer cuadrante, éúal.quier variación de VcB (por polarización inversa) no produce
¡nfluenc¡a notable en la caraderística de entrada.
VY. ' VEBsai VEB

--+,
` :..`r F[gm 2e camcteristica;V-Meemtdaysa"aen BC.
Emc-cA
C».2-16
.,`
`_=._-" . -: -`!+i;..
El .. ! :. . I ` '_ •:`!;j`'':-.:`::,,'.,-:.:,;..-.-`.`...`..'-.-r`:l`
u -,.-.-,i.',.'``.'..'.
` ,> . _
EI ;,"v,, . CJLPI II : EelARIzicldlt DÍL mAÑSI§'ooR
L
u Cbmcfg»'st7.aas.dé isí)//.¢a.- En ja ftJnción fi si manteriemos como parámetro IE
E=`
u
ZE
u FÍíjn:i:j,s::isia,E:,:;Ó:ñduíánv:iií`:i:rrieEi:ií;ji,i'r;::;:i:'!,i;::á:o;:ii:ie:;:ofer;:jio:n::Ícn:ts:
conTa~ diferencia de la~\9¡flisiód.dé popdores'`del...emisor quE>.,llgan al colector, por lo
EE=
tanto para cada'valor.diferente.de li. se, produceùna corriente,de colector simiLar al-de .
u emisor. -'Cuando la `com.ente. de emisor es .0 .(IÉ=O) `1a ccmri'ente de colector. toma èl
'valor establec¡do .por el movimiénto -de los : portadores ni.lnodta,rios' yr`èste Tecibe el
u nombré de corrien\te inversa de saturación (ic=icBo). Estas.`caracten'sticas V-i -son
EE representadas en la figura 2.8.
El=
E=
hnsi=:Édq°use{=;r::per:':ítisceo#on:re'ac¡°nadasPorlaecuaciónfundamentaideios
r.
EI IC = dFE)[E + [CBO
Y Vereniós que lá-;écuación fundamental del transistor es única para las corrientes
EE
` en:-direccjón y sentidó,. óára esto realizaremos umanálisis porrseparado para transistores
EEZ
E=
PNP y NPN, y. cómñiétaremos 'ei detaiie para ias ,tres corrientes en Jas `terminaies dei
` Üansistor:
U
E= Transistor PNP en BC
ZI
(.) (,) (.)
E= ic = aiE+ icBO
-ic = -aFBiE -icBO
Cambiando los signos en ambos miembrós de la ecuación se obtiene:
ic = aFBiE + icBO
Para las corrientés en los teminales de los transistores resulta:

(t) (-) (-)
IE+Ic+IB -0
IE - Ic - 18 = 0
EI
E=
Por tanto:
E=
IE - Ic + 18
u
E=
tLECT"a
CZLP . 2 -17
1.
EE
`...` í `` ,...., J :.,¥J`:tf, `..
CAÍplmo lI : EeLmzAclóN DSL riÉU9SIsri

1
Transistor NPN én BC \\i
í:'-ul`-:+Ig
+Éi
Cambiando lós signos en ambos miembros qe la ecuación se obtiene:

1
i¿-=aFBiE+!cBo
Pára ias corrientes en ios terminaies de ios transistores resulta:
(-) (+) (+)
h+ Ic+ ID -0
-IE + Ic + `8 = 0
Por tanto: 1
1
IE='C+'B ,
Las ecuaciones de corrientes de ambos transistores son iguales, esto facilitara

aplicación de l?s ecuaciones fundamentales de los transistores en lo`s circuitos.
Completaremos el análisis del transistor realizando las tensiones entre terminales

de los transistores,. puesto-que estos dispositivos representan üna malla cerrada, por|lo
que la suma de las tensiones entre terminales debe ser igual a ceio: ! 1
Transistor pNp en`BC \ '-i\`
(-) (+) (-)

VcB = VEB + VCE
•VcB = VEB - VCE
VcB = VcE - VEB +
Transis€or NPN en BC
(t) (-) (+) -
VcB = VEB + VCE
VCB = -VEB + VcE
VcB=VcE-VEB '
En las ca`racterísticas V-I dg los transistores, claramente se` distingue tres regio+es
denominadas región: activa, de saturación. y de corte, " i
ELEC"óNICA
CAP . 2 -18
• , t.,;, .: .+, í_Á,.i. .-3Í;..*=

- cAE.ITOIO II : PalARIZAcló!l l)Eb mAllsISooR
• Acg».ó» acz/-y¡?.- La corriente de colector depende proporcionalmente de `la
a±Iñ:rn::::':í¥ii:.i:ÉeeLg!.í#ñL#;£p:#e.:rÉ::p:o,i'nt:n:so:f::.Ti£.?jna£:.:T;
' : está `.Comprendidaidesde IE=O `(iÉ=Icbo) ,hasta` Vca±O ,es ,d.ec.m. e| eje de corriente
• . ac)`y el eje de tensiohesLffcB),_.el comportam¡ento delúans¡storenèsta, regjón es
lineal.
`. . A¿¿/.o'A dc sa£zÍ«¿x.ó».-.,- Lá torriehte de coTector deperide.exponenc¡aimente de ia

ténsión colector báse,-.és' décir que ia JE y Jc.`se polarizan di'rectamente; es la zona
de la caracten'stica...compren.dida entre el eje de corn.ente.de.colector.y la porción
izquierda dei FjE.'`Úe`tehsión coiector base a partir dé,VcB=o, en.esta `regién éi
tiansistgr tiene i)n cómportamiento totalmente alineai y se d¡ce que trabaja éomo
un con-hutadóf cérrado.
• Regjóh de corte.r La corriente de colector es nula, es decir que la

'polarizah inversahénte, es la zona de la caracten'Stica comprendida entre .IE=0
-(Ic=icBo) y la pá*£ inferior a,partir de ic=o dei eje de corriénte de coiector, en
•,esta `.región,el 'trari.sistor tiene un \comportamiento totalrriente alineal y.se dice que
'trabaja como u`n córim.utadór abierto.
T+ Configuracióh Emisor común (EC) . jL.

' Esta es la top`ó.lógía ,.de .mayor. aplicación del transistor en los circultos, el
comportamlento del tra.nsistor es similar a la de BC ya analizada pero tiene diferencias

cual¡tativas y cuant¡tatlvas que hacen lmportante a esta topología.
Las funciones que se establecen es este caso son:
ic-f,(vcl.¡B)
`VBE = f2 (Vc£ . iB)
Las comentes y tensiones en 'estas funciones tai có`mò se. éstabieció 'én la
topología base común, están fomadas. por componentes de continua y alterna,
resultando:
c+í.=f,o,c¡+vae.,.+í.,
VoE+Vt.=fzO/cE+Vce.]8+¡b)
En aplicación dei `pÍ¡hcipio de superposición pueden ser sebarados para el anállsis

correspondiente én la parte de continua y alterna: `;.
mBC-CA
Cm.2-19
-
EEZ
CApletno l1 : pazARzz^clóN DEL TRANSIS" U

J
La componente de continua resulta: -'
Ic = fiwcE.lB) --
VBE=f20/CE.]B)
Párte dé aitema:
ic'=fi(Vcc.i6)
Vbc=f2(Vco.íb)
Tal como ya fue establecido en este unidad solo considerare,mos las componentes
de continua resultando:
Ic=f,0'cE,18)
VoE=f20/cE.Ia)
Previamente al desarrollo de ias características V-i realizaremos un análi§is

resumldo de las polaric|ades de las tensiones, las direcciones y sentidos de las
corrientes, en esta topólogi'a, el circuito resulta el indicado en la figura 2.9:
Figura 2.9 TrarB¡stor c®mo amplifiador en EC.
En esta topologi'a sé inyecta unos pocos portadores en la base para compensarlla

recombinación y controlar un. flu].o grande de .portadores entre emisor y colector que iel
lector podrá verificar fácilmente, la dirección y sentido (signo) de' las corrientes en los
terminales y la polaridad de las tensiones entre terminales se derivan de la figura 2.7
considerando el transistor en emisor común. resultando el siguiente resumen.:
Transistor PNP en EC
(J) (-) ' (-)
IC =f|(VCEilB) ' L -`'- L
ELE:CERÓNICA
".2-20
u
-,,^ ; -.-. =
``..1-` ..
•,-.., '-.:,' '.'`T -.J'¿ `.. '¿-. _
U CAPITolo l1 : z]olmlzAclóN DÉ mANslsooR

u (.)
U VDE=f2(V=,Í:) '
ì-- . `,-..`f _',
Res¿uita`ndó baía .éi transi`stor i.É`ÑP ei .Sigüiente-:.`:Fiesume.n

U corrientes y tensiones: - '.,,
El
IE(+)/ IC(-)/ 18(-)/. ICEO(-)/ VBE(-)í VCE(--)/ VCB(-).
u
u Para transistores NPN
EI
EIZ í+c)=fi(ú+±,í+B))
EEI
` (+) (+) (+) ',`,)
U VBE = f2 (VCE .18 ) '

E= •.```'' ,_ , ._r.
`:.`?^Resultando,'para el transistor NPN el siguiente resumen de signos pari las

U
U corrientes y tensiones:
` ` 'IE(-)t IC(+)t 18(+)/ ICEO(+)t VBE(+)t VCE(+)i VCB(+).
u
u Én. la topologi'a ,EC, la corriente de colector` se controla por la corriente de base, Ia
u ecuaéión fundamenta'l del transistor establecido; para la topoLogía BC,` se modificará
para esta configùración (EC),.-` en Leiia '.`se mostrará ia diferencia. cuáiitativa y.cuantitativa
•del \ transistor por cahbio. de topólogía, para esto` partamos de la ècuacjón fundamental
u
ya demostrada como única.para transistores .PNP y NPN
lc = alE + `CBo
Como la corriente de emisor es: IE=IB+Ic reemplazando resulta:
ic = aaD + ic) + icBO + ic = aiB + aic + icBO
Ic(1-a)=alo+I"+.c=T=]O+]®
Si llamamos:
p=T=+±=Pti
Por tanto
lc = PIB +(P +l)ICBo
Para valores típicos de a=0,90 a 0,995, resultan para P=9 a 199 'como. se ve
ELECTBómcA
cnp.2-21
EE
U
CAPITtJio ii : POI^fÌZACIÓI. Dzb mANSIS" u
U
una gran dlspersión en esta topología. -
11'
-
Carad;erísticasdeentradaysalida.\`.,
-
Fh#b!ecidgs las polaridades para las tens¡one;, La dirección y sentido reales PaLa
u
las corrientes y la ecuación fundamental del tr?nsistor en ]a .Eónflguración EC, lbs U
funcionés fi- y f2 determinan ias caracteri.stjcas V-i de saiida y entiada. La ù
caracteh'stica q? entrada es ia rn¡sma que ia obtenido`én ia topó.io'gi'a BC, en cambio en U
las salida existé diferencia cualitativa y cuantitativa que se establece a partir de la
ecuación funda'hental, que el lector podrá deducir ádecuadament?, estas caractéri'sticas
-
EI
están 'representadas en ia figura 2.io. `.Á
-
u
U
U
EI
U
EE'
U
U
-
EE
U
U
VY VBEsai VBE
J
U
FfgLira 2.10 úracterlstlcas V- I en EC
En forma simiiar a ia topoiogi'a BC también se observa las tres zonas de trabájo

del transistor, el 'lector a manera de repaso puede realiz.ar las analogías
correspondientes.
En las caracteri'sticas de salida en EC también se grafica la potencia disipada en el

transistor, ut]Iizando la sjgulente relación:
Disipación
PD = VcBlc
+.
La tensión. colector base resulta
vcD =vá`+-v=J +.
EüCTRÓÑ=CA
CAP . 2-22
' .,, r,`l....],j,
•;,ÉS;jt;*.,.#r.i_.::.:::..
CZIE)ITOIO 11 : PonRIZAclólr Dm "ZlriISTof`
Como = Vc£ , resulta:
PD=Y=I`.r..,
• . ,` -,--.,. `. ).,¿ ,.,.,...,,, _ { `-., ( . -
` Qiie representa u.pá hipérboia en ia caracten'stica V-i de.-Sá[ida del transistor.

'.
De . las 'caracte`n'sticas`W-i ,dei transistor ` se èstableéen`:`--valórés ``.tp,icos. de ~ las

tensiones entre sus terminales,. que Son, importantes al mome.ntó`de .análizar.o`diseñar
los 'circuitos. Como la topología EC,` es \.la más utilizadq/,..'..dEtallaremos .para está
configuración:
• rGAS/.o'A arc a«aAg«e` yr=. Es`la mínima ten;ión de F}olarización directa aplicada
a la JE para el que la corriente de entrada deja de valer cero`ó sea apreciable.
-,r re»Sr.o'n ¢C ao¢g c» /a c»f7ada l/Éi£cÜA- Es la mínima tensión de polarización
r-,;``` inversa aplicada. a la JE para el que la corriente de entrada toma valor cero
`'. .(IE=0) o lá `éórriente de coiector tome el vaior de ia corriente inversa de
. ' .,saturación
`.;. (ic±icBO) /a c»f7i?da yÉzfm Es la tensión de polarización directa
rcAs/.ó» acz/1ij:Gn
-. T apiicada à ia eñLt'rada para .ei que ei transistor traba].a 'en Ja zona iineai como
a'mplificador. .:?
` . 7£AS/o'» `de jñáfz//ac/-o'» V4fsb¢ l/cE5a®-Es la máxima ,ten6-ón ,aplicada L en la
entrada o mínimá. ténsión' aplicada en la salida `del *ransistor,,-para -,el.,,que las
corrientes en sus`terminales tomen el máximo valor.
Los vaiores carácten'sticas de estas tensiones en ios-transistores de Silicio ó

Gemanio se resumen éh ei siguiente ciiadro (estos vaiores púeden variar en ei entorno
indicado).
Transistor VcÉ3á.W] VBEsat[V] VBEactN] v,N] VBEcor[[V]

:,0
Silicio 0 3 0,8 0,7 0,6
Gemanio 0 r 0,4 0,3 0,2
•, 0,1
La ecuación fundahental dèi trans.Lstor en ia topofógía BC _éstábiece: cuan`do la

corriente de emisor torha ,el valor cero (IE=0), la corriente~ de colector es igual a la
corn.ente inversa de sátvráción (ic=icBo), análogamente en l.a configTracióp EC cuando
ia corriente de base tcima éi vaior cero (iB=o), ia corriente de coi?ct.o,r es iguai a ia
corriente inversa de 5atúración (Ic=ICEo=(B+1)ICBo) qué ep esté.caso es mucho
mayor que en la topología BC, tal como se vio en el diodo, la corriente inversa de
saturación es se`nsible á las variaciones térmicas, desplazando las cáracterísticas V-I de
salida del transistor.\ Análogamente la tensión base emisor WBE) ès sensible` a las
variaciones térmicas, despiazando ias características V-i de entradá.
EGCTRÓNICA
CAP.2-23
u
-
J cAPI"e l1 : PomRzzAclóll t>m "NSIS" -
Se puede afimar que:
-
El
Ic`Bo Se dvp!lca por cada 10°C de aumento de la tehiperatura (Ge sO/o/°C, Si -
6°/o/°C) q.doptaremos un vaior intermedio de 7°7o/°C de var¡ac'i'ón de la -
te.mperatvra.- u
V;£ dismi.húye eh -2,5mv por cada oC de aumerito de la temperatura, -
P úria` cph. la temperatura y ei fabricante,` la máyor variación se debe a la J
clispersión.del fabricanté. -
Resuitando ias siguientes reiaciones par ias variaéiones térm¡cas U
-
[cEOT, = Icm¡9T!-" :Cpn k=0,07/°C
-
U
VBET¡ = VBET. -kq2' -T;+) COP k=2,5/°C
-
=1
La dispersión.,de'P es de 3:1 hasta 6:1.
3;) Configuración colector común (CC).-

-
V
Esta topologi'a es similar en todos los detalles a la topologi'a EC, razón por la que
u
`+
el análisis de este podré ser realizado por ei iector.
u
`+
Transistor.como:amplificador
U
\'
Si con§ideramos al transistor como dos junturas, Ia èntrada polarizada €n foma
directa (baja resistencia) y.la de salida polarizada en forma inversa (alta resistencia),,si
-
E=
en los terminales de entrada se produce un incremento de la tensión-, esto ocasiona
aumento de la corriente de emisor y por el efecto transistor se produce la mis
J
variación en la corriente de colector. La variación. de la corriente de emisor (AIE) circula -'
por una ba].a resistencia en la entrada (JE polar¡zada en forma directa) y la variación de
la corri,ente de colector (Alc) circula por el paralelo de una alta resístencia en la salida
(Jc polarizada en forma inversa) y la resistencia de carga (RL) como RL es menor que la
resistencia de la juntura, el paralelo resulta ser RL y a su vez-este és mucho mayor que
la resistencia der,entraqa (JE en directa), entonces se.produce una 'ganancia de tensión,
es deéir:
1
Si en la entrada se produce un incremento en la tensión (Avi) ocasionando ún

increhento' en la corriente de emisor (AIE), por el efecto transistor presenta iin
incremento en la comente`de colector (Alc), resultando:
Alc=CLAIE '
•.',. `,..?t. I
Corio .Avi=reAiE, `con re ia`.-resistentiá.~dei d.iodo de entrada y 'ia tensión de saiida
EmcTRÓNIcn
CAP.2-2a
•'1\ -, ' ',
CZP±`TÜLO II ÉolARlzACIÓ]i Dz;z, mANsls"R
AVL= RiAlc resulta la relación de tensiones:
A=.,`±I l . `l`,r.`!:;.LJ,.'``'.
Avi
A=ffi reAIE
A=±
r.
Como: a=q,90 a O,995,-,resulta que la 'ganancia .de tensión da valores

apreciables por que es el cociente de una resistencia .grande (RL) y una de valor
reducido (ri).
:.S'
IE
El transistor co'n señal y Polarizado
-. , Los transistores`. bipolares para su utilización en los.circuítos electrónlcos seJ debe
'apiicar una tensión dé '`¿ont!nua para poiarizar ia juntura de entEda.en forma directa y
ia .]-untura de saiida en` iorma jnversa (fijar, un punto de trabajo.en éus`.caracten'Sticas V-
i) /.además se debe ..aplicár .un -.generador de+.aitema en Ja.-Ljunturá ,de` ,entrada para
àprovechar el efecto tránsistor y``+producir amplificación linéat., al rededor del ,punto de
trabajo. El tratamiento dél. transistor en un circuito se lo réaliza-`médiante ras variables

totales, es dec¡r las tensiones y corrientes tienen componentes de continua y alterna, el
circuito de aplicación se muestra en la figura 2.11.
Flgura 2.11. Circìlto con traRs]stor efi EC p®Iarizad® y cen señal de a]tema
'
EucTR6ma
CAP . 2-25
-
-
CAE'ITUO II : POZJ"ZJICIÓ}f DE:L "^ÑSI8" EE
u
En el C¡rcii}to de la figura 2.ii las tensiones y corri?ntes utilizan la notación de EI
variables totalés, reprFséntindo ias tensiones y corrierites con l?tra minúscula seguida -
de subíndices mayús¿uiás, ios componehtes de Lcontinua con letra mayúscúia séguida J
de subíndjces mayúscuiás, ios componentes de aiterna con letra minúscula segulda de u
subíndiées minúsculas, ios componentes máximas de la alterna y ?ficaces se representa
-
con létra` mayúscuia seguido de subíndice minúscuia resuitando:
-
VcE = VcE + Vcc EI
U
VBg = VB£ + Vbc
VcB.'=VcB+Vcb
ic - Ic + ic
iB = 18 +ib
iE = IE +ic
vT = VoB + Vi
Vi = Vimcos®t
En\ Ia malla base emisor y colector emisor del circuito de la figura 2.11 se tiene:
VT = iBRo + VBE
Vcc = icRc + VcE
EXF;resando en sus componentes de continua y alterna en la malla de entrada:
vBB + V¡ = ¢B + i,)RB + a7BE + Vb.>
Separando la parte de continua y alterna:
VBB = IBRa + VBE
V¡ = ibRa.+ Vtc
Despejamos las corrientes
Parte cor`tinua`
`, `,`.~: !`_.
EmcTRÓNICA
CAP.2-26
C"ITolo lI : ÉolÁRlzzlcI&t DEI. TRAl.slsroR
•8-¥
Parte .de alterna
ib-¥
Como la característica V-i de entrada del,transistor esìdéntlco.a `la del diodo y la
dependencia tensiónr\ coriiente es .exponencial; pequeñas .variaciones de tensión
EE
U producen grandes variácionés de corriente en polarización directa,^ por:esta.:condición Ja
tensión de alterna basé\t.ehisor (vbe) en la ecuación anterior se 'desprecia (además en la
EEZ
región activ? desqe la tensión de arranque a ~Ia saturación'en .la entrada es de O,2V)
resultando:¢`
U +. (',
ib-±+ib-¥cos"
z, Expresando en ,§us compones de continua y alterna en el circuito de salida:
vCC=ac+ic)RC+o/C£+V.)
Separando ia parte`dé continua y aiterna:
Vcc = ICRc + VcE
0 = icRc + Vcc
Despejando las corrientes
Parte de continua
Vcc - VCE
Rc
Parte de alterná
ic--¥
La separación en ias ecuaciones de maiia en sus componentés de continua y

alterna, también significa la separación del circuito en continua y alterna, que
representa la aplicación del principio de superposición (para cohtinua los componentes
de aitema son cero, para aiterná ias componentes de continua son cero).
ELECTRáNim
u
•` , ` .J..`-.,i-':.'--``.`,
-
cApiTtno ii : poiARizAciáN DD TBANsis" -
-
`J
-`J
E=
-'
Fioura 2.12 arailtos de Cont)nua y "tema -
V
Con las ecuacíones de continua se traza la recta de carga en las caracteri'sticas de
U
entrada. y salida, con las ecuaciones de alterna se traza la recta de carga de altema en
u
las características de entrada y salida, que para este caso ambas rectas de carga tienen
-
ia misma pendi£nte. La intersección de ias rectas dé carga y ias características dei
-
transistor determnan él punto de trabajo (Q) del transistor en ias características de
entra a'Ty salida, ambos puntos están relacionados por. la ecuación fundamental del -
EI
EE
Para construir la recta de carga se parte de las ecuaciones de continua de la
siguiente manera:
u
EE
En .el circuito de entrada U

VDB - VDg
RB
i. si vBE=o resuiti iB =¥
2. si iB=o resuita vBE =vBB
Con estos dos` puntos se construye la recta de carga en las características de

entrada tal como se indica en la figura 3.13
En el circuito de. salida

• : ...-.. :.±` . 3
ELÍC±CA
CAP.2-28
cAplTUIO II : POIARIZAclósl Om "!l§ISOOR
1;-¥ `,,
1. Si vcE=O resuIG lc =¥
U 2. Si lc=o resL]lta VcE =Vcc
E=
\Con estos dos puntos se 'construye la recta de carga en las características de
saiida ta] como se indica`èn ia figurá 3.i3
u
EIZ Con `las ecuaciones de altema se determ¡nan los puntos A y 8 sobre .las
U caracten'sti?ás dél tráhsistor y ias rectas de carga con un procedmento similar al
reaiizado pára .ia réctá Jde continua.
J] puHto de trabajo en el circuito de entra esta defin¡do como: Q=f{IB,VBE} y en

et .€ircuito de saiida está definido como: Q=f(i® iB,VcE), en cada caso se debe coiocar
` paTa' las corrientes y lás tensiones el.signo_ que comesponde.
'i'
VY VBEQ
Figura 2.13 Recta de carga de cDntlnua y altema

/
En esta unidad estudiaremos el comporbmiento del transistor'a las componentes
de continua, es decir, la polarizac.¡Ón y en la siguiente trataremos el comportamiento del
transistor a las componentes de alterna.
gIEicTRÓNICA
CAP.2-29
E=
-
CAEIITtn:O 11 : Potl"ZAcló}l DEZ, mN§IS" -
-
Factores de estabilidad -
EE
-
j.'
Pára ,porarizar un tránsistor existen úés circuitos básicos' con diferéhtes

caractÉrísticas que los hacen ve.htajosas en unas aplicaciones y en otras no. De esta -
§:r,:e::i:::s:i':,ntpí!:i:ao::aóan:::::::oa.dde::d,F=b|escoere:nuTaét:::erdme,n::TP:;:::ócTóndey'i:
S
Po|arizar un transistor significa determinar las corrientes de continua de la base,

emisor y colector adecuadas para una aplicación eD particular y como estas.corrientes
(18,' IÉ e ic) están relacionadas por la écuad.ón fundamental del transistor
(Ic=PIB+(P+1)ICBo) y due los téminos de esta ecuación son variables que depehde
del circüito de aplicación, las tensiones de polarización, las resistencias y del transistor,
a través del co-mponente activo de las variaciones de temperatura, tal como se analizó
para el caso de lcBo y VBE, el perámetro ganancia .de corriente (P) del transistor es
variable con la temperatura, pero la mayor variación está e`n la dispersión del fabricante
del transistor, 'puesto que este parámetro para un rnismo componente y del mismo
fabricante tiene una variación de 3 a 1 o más. Las variaciones de los parámetros de la
ecuación fundámental pro-qucen variaciones dei punto de trabajo del transistor llevando
a este a saturación y prqduciendo distorsión en el amplificador, es decir, que de
amplificador I]neai pasa á ser aiineai y esta es una desventaja en cuaiquier apiicación.
De lo expuesto se conclüye que se debe mantener estable el punto de trabajo

fijado por ias éomponentes de continua y evitar las distórs¡ones en ios amplificadores
para las componentes de alterna, además se püeda comparar la eficiencia de los
circuitos-de polarización en diferentes topologi'as y aplicaciones, para los que se
establece algunos factores de estabilidad para eí punto de trabaj.o, el análisis de la
estabilidad se .centrará a.,Ias variaciones de las corrientes de colector y base por
varlación de la temperatu+a, se establece que la estabilidad del circuito es ideal cuando
el desptazam¡ento'de !a corriente o la estabilidad es cero para variación de la
temperatura. Para este análisis adoptemos la siguiente función:
Ic = qcBo, IB,P)
Como:
18 -WBE)
Por lo tanto, .la corriente del colector resulta
Ic = fflcBo!
ELECTRÓNICA
C».2-30
¡
CAPITrio lI` :. Poiîlziclól! DE TF`f`llsIS"
La Variación de ia Corriente de coiector Por iasTvariaciones de icBO, vBE, p con ia

temperatura se puede expresar:
•,`,.?.-..1 5 ,,,. „
ff:,,'=#A.cmT#
` Como` las variacion?S. se produceh simültáneamente complicafidó:`la.Qbtención de
los 'parámetros de está ecuación, pára fac¡iitar ei anáiisis, `y'`.ia -.dedúcción de .las
ectiaciqnes, adoptaremos la parametrización-,.de la ecuación -`~manteniendo dos
parámeú.os constantes y expresando la variacjón de una sola, de esta manera se tiene:
Sb _EJI
LCED .9ICBO
Vü-ctDe®m.
b-J-'
'` Resuitando ia eciúáción.de dispersión.
Alc = SbAlcBo +,SvdAVBÉ + SpAP
De la ecuación Sé concluye, para que el incremento de`corriente `de colector sea

nulo (Alc=0) debe Suceder que AlcBo, AVBE y AP sean nulo§ Q que (os factorps de
estabilidad (SicBo, SvBE,` Sp) seah nulos, es impos¡ble qJe lá primera condición se
cumpla porque depeúde. de los ,parámetros ñsicos intn'nsecos ál transistor, en cambio
:sr:udeo=o:ed:p=nb:::a:es,io:ueí:nenatporsoá,eT:,rrcau!:ocá::irci::aieti:Fnrs:=roveremos,
Posteriormente demostraremos que si se garantiza` |a estabilidad para las
varlaciones de lcBo, aütomáticamente queda estabilizada pará las várjà¿lones de la VBE
y P, por está condicióh a continuacjón estableceremos la ecuación Sicbó y que además
nos seiá útil para conipárar diferentes circuitos de poian.zación. Para ia deducción
partiremos de la ecuación fundamental.
Ic=PIB+®+,)Icm
Derivo está ecuación respecto a lc
EÉCTSÉNIO
...+.,.'`,1
`J. í,,Ú?( `,+ .-_
•``
cApi"o ii : poiiÈì=^ciáN DEL m^Nsiri
#-1-P#+(P+1,¥
có`mo: ,
dlcBo
qc
'<. S,cm`
Remplazando en la ecuación
•-B#+(P+l,±
Dgpejando SicBo resulta :
I+P
-
EEI
La ecuación SicBo será utilizado para comparar las diferentes topologías para la u
polarización que son utilizados en los amplificadores, cuando este parámetro no sea
Jl
optimo, es dec¡r resulte..de un valor elevado, no analizaremos ios otros parámetros u
(Svi]E, Sp), en caso de que SicBo sea lo más pequeño ppsible, en este caso U
analizaremos los otros parámetros (SvBE, SB) a fin .de determinar las condic¡ones
circuitáies para ei qúe ia estabiiidad sea ia más reducida posibie.
EE
u
Características del Transistor J
u
P?.ra poiarizar un transistor es recomendábie conocer aigunos parámetros dei
componÉnte, que el fabricante nos informa en la hoja técnica del dispositivo, alguno de
estos valores se indican en iá siguiente iista:
Transistor AC127:
Para seleccionar el valor de la tensión dé polarización de .Ia juntura de salida.
VcBona] = 32V; VcEomx = 12V
Para seleccionar la corriente del colector ó la protección de colector (Rc).
Ic," = 500nA
ParaJevitarel.é`-§éá'pe+térmico.
-c-a
CAP.2-32
ts+--±`:`.i):i:::.:!.._}
cApiTt7IO 11 : EIomEÌZAclóll DB mAlrsIsm
PD=340mw;0*`=`110°C/w
1 ';',`1-,,1_
Pár: dé`duciria e'SÉibiiidad. --h-`:' `. `-'`'.;
•icBO'=i5ú;hri=p±160tipico
Para seleccionar Ja corriente de base o la p+otección de base (Re)
[Bda* = 25mA
poiarización
` En er,Sentidó m,ás.ampiio, ei transistor se utiiiza como un ámpiificador o cómo-m
• ` ` -.,
cónmutado`r. El que.désempeñe una u otra de estas funciones dependen esenc¡alme.nte

de la polarización o .S-9.[ección del `punto de funcionamiento estático y de la amplitud'de
la señal deènúada. -No obstante; para lograr la amplificación, es necesar.ro.poíarizaf \el
Úansistor en la regiónL~activa (JE en directa y Jc en inversa) definiendo un punto Q de
Úabajo,\que determlna `1os valores lc, 18 y VcE, estudlaremos en detalle varios aspectos
dé`Ìás redes de polar:izációh `de +los amplificadoTes para esto.veremos: cómo estabJecer
un `punto de: traba].o.'.:dado y``có'mo determinar una red `qué:mantenga el punto de
trabajo estable a pe5ar 'de-.1ás.variac¡ones de los parámetros dé+.tranststor.
Las redes de polarizació\n dé los' amplificadores deben diéeñLarse apropiadahiente

para' evltar dos deflclehclas. de los trans¡stores. Pn.me,ro qvè los parámetros
incrementales de uTi, transist.or (para las componentes` `.'d,e alterna) yarían
aprec¡ablemente con. la temperatura. . Segundo que entré tiánsistor£s que ll€Van el
mismo número qu?. se subonen exactamente iguales se producèn variaciones
sustanciaies de ios paÉmetrós de ios transistores de ia mismá 'fahiiiia. Por ejempio, en
los. transistores bipoláre.s él 8 puede tener una dispersión de tíés.áùnó o más e`n una
serig de fabricación-,de ùpidades que se suponen exactáüen!é Íiúuaies; de'`èsta
cons.ideración podemc;s deducir que tenemos dos problemas. .,Elégir un púnto Q=f(Ic,
18, VcE) específico pór medio de un circuito de polan.zació-n ádecuádo. Mantener el
puntò Q fijo no obstante los efectos de la temperatura, ei énv€jécimiento y ante
cambios de transistorés.
Para que un tranáistor trabaje como ampiificador, se debe ;poiárizar ia JE en

directa y la Jc en inversa, para conseguir esta condición se débe utlli2ar dos fuen.tes de
tensión continua de vaiórés adecuados para no sobrebasar ias éohdiciones ii'mites de
tensión, comente y potencia de qislpación en cada juntura, 3simismo se debe tratar de
obtener una buena po.Iárización y estabilldad en base a resistencias.
EUCTRÓMCA
Cm.2.33
CAPITt7IO II ! E®Ij"ZÁC16!l Dm TR»l§I§"
Para analizar los circuitos de poiarización de los transistores adoptaremos la

configdiación EC por #r ia topoiogía de mayor üti.li~zación, luego mostraremos las
variantés para !a.S otras topo!ogías (BC, CC-).
Pqiarizacián fua en emisor común
EI Circuito de polarización de un amplificador con el transistor en la conflguración

EC, se reaiiza mediante una` résistencia RB conectada entre ei terminai de base dei
transistor y e[ tér'mína! positivo dé una fuente de. tensión continua (VBB) parg polarizar
la JE en direct? y `quc sumiristre a ia base dei tránsistQr ia cQrrìente de continuá iB
requerida, mientra-s` què al coléctor del transistor se con§cta una re'sístencia Rc y este al
terminal positivo dé .«à fuente de tensión de cqntinua (Vcc) p.ar! pglarizarla en inversa
la Jc y suministre`|a 'corriente de continua (ic) requ€rí.da, como:,?n ambas junturás la
poiaridad de ia 'fuénté de tensión de continua esL iarmisma, esta¿;condición nos indica
que se puede ytilizár uria única fuente de tensión de cohtinua (Vcc), este circuito esta
indicado en ia Figurá 2.i¢ L
+ .¿ ..---. q,`
ELBCTRÓNICA
CAP . 2 -34
C^PITuo l1 : pcd:AE`±z^clóN DEn TEÀNSI8"
` En este circuitd..l.á torriente de base es constante veamos porque:
En,'el.circuito. da y salid
Vcc = IBRB +VBE '
Vcc = ICRc + VcE
Despejando las corrientes de base y colector
•a-¥
•c-¥
wiorf:Ta°'::an¥:En=d°e'`:¥n:.:ue;iSc:)°a'pi¡:and:'af:¡'r:u=t°o:¥:'r°,ro6q::ns:eguuec|de°3ef:::::¡`::
en la ecuación de la éórriente de base.
•8-¥
~ De esta ecuación` proviene .ei,,nombre dei circuito de poiqr¢ación; ya .que ta ténsión
de la fuente de continiia Véc y RÉ son constantes, por lo tanto,.la éorriente de base es
fija. Para determinar ia estabiiidad del punto de trabajo déj cir¿uitó es suficiente
establecer la derivada de la corriente de base respecto de la corriente de colector
resultando en este casó:
IB-¥+#-o
•'Por tanto, reempia'zando esta derivada en ia ecuación de SiéBo sé obtiene
Slcp-P+1
Como ei factor dé estabiiidad SicBÓ dei circuito de poiarización fija es P+i. De
tf=,r='u,:ücdoomfeonntc:u:T:.:,g:eorp:aTr,,:o#íavr:ac:i:,advea::=Ó:ni::oTénssti:irr,p::#:cÉo;n'
resulta SicBo=51, Io cuat i'mplica qué lc se incrementa mucho más qué` ICBo. Un valor
de SicBo tan grande produce una fuga térmica con este circuito (desplazamiento del
punto Q de trabajo) o`distorsión en el amplificador. Con las eéùaciories de corrientes
de base y colector se traza las rectas de carga en las caracteri'sticas V-I del transistor y
E*C-a
CAP.2-35
c]üIT`7Io II : polARlzACIóll DSL mANSIS"
observar gráficamente ias variaciones dei punto de trabajo por variación de la

temperatura ó cambio dei transistor, es decir, iá variación de P:
VwÁ--VC!£ Vüh VcE = VCC VcE
Elgura 2.15 Recta de carga.
Polarízación cK)lec€or base
Como es lógico si en un circuito la resistencia es constante y varía la tensión

aplicada como consecuencia varía la corriente .que circula por el circuito y está es
proporcional a l-a úariación c!e la tensión. Si con este principio observamos el circuito de
polarización fija en especiai en ia figura 2.i5 de la recta de carga én ias caracteri'sticas
V-I de salida, se ve que cuando la temperatura aumenta incrementa lcBo, Con lo que
se incrementa P+i vecés ia corr¡ente de coiector,. reduciendo ia tensión coiector
emisor. .De manera simiíár súcede que si el factor P ga'náncia de corriente aumenta por
variación térmica ó cambio de transistor, ocasiona un aumento de la com.ente de
colector, reduciendo la tensión colector emisor.
De esta observación se concluye que una mejora en la estabilidad se .obtiene si la

resistencia RB del circuito anterior es retornada al teminal del colector, en vez que al
terminal de la baten'a; tal conexión se indica en la figura 2.16
EmcriNICA
CAP.2-36
::A'`íÍ-!;~'f:ií,''?.`í+``)í ` ' '-
Á.,.1 `
Czpl
'\
-.,. F¡9Lira`216 CFtc`Jlto de polaT¡zadón dlector a base
' Calcularemos el r factor` estabiüdad .SicBo para el ,circuito,ide`.polarización 'c6lector
base,` para esto aplicahdo la ley de tensión de `Kirchoff (l{VL) al circuito de la figura
2.16
vCC = aB + ic)RC + iBRB + vB£
Despejamos ia éórriente de base
Vcc -ICRc -VBE

Rc + RB
Tal como se estableció en la ecuación SicBo realizamos la derivada de la cor:Íiente

de base respecto de colector:
EII==IÉ=
dlc Rc+RB
Reemplazando la derivada en la ecuación de SicBo
ÍL-C^
CÍLPITt}io ii : pOIÁRZZAclóN OEL mANsis"
l+P
+ Stctp -
Rc
En base a la ecuación obtenida de SicBo reaiizaremos un anáiisis numérico ei que

permite- determlriar los parámetros del c¡rcuito de po!arizaclón colettor base que mejore
la estabilid?d, a fin de establecer algunos criterios d.é diseño c]él circuito. Para esto
veamos ,o que §uced9 Fon ,a res¡Stenc,a RB y Rc, subongamos\áue e, trans¡stor t¡ene
un fáctor P=50.
• Si en la ecuación SicBo consideramos que ri=-RB, Qbteniéndose,

_J.,
Rc .-RB + !,®
sl-=#=lp
• S~i en ia ecuáción de SicBo consideramos que Rc=2RB (Rc>RB), obteniéndose
R€=2RB+Sim=¥
i
sl--#-148
• Si en la ecuación S]cBo consideramos que RB=2Rc (RB>Rc), obtenemos
RB=2Rc+S,.=¥
s,--T#=2,88
• Si en la ecuación SicBo hacemos que RB=0, obtenemos
RB-o-S,®-#
S,cm = 1 -
EL=C"óNICA
CAP . 2 -38
CAPITOIO I| . :L ÉOzl"ZA¿Iól¡ I>n
• Si en la ecuación:S]cBo hacemos que Rc=0, obtenemos
Rc éü+Sh =~+i`+`P, `` '..;::r`
Sb -5l
De los resultados niiméricos se concluye:
1. Cuando Rc>RB la èstabilidad se aproxima al jdeal práctico `(S[cBo=1)

2, Cuando Rc<kB la estabilided se aleja del ideal práctico (SicBo>1)
::E:::á:¥::`,aie;=bj:i:daaddt:sm,aaeLYsaLoar:::i:aead'e?rc#:,:.(ÍecBpo.:alrizac,ón|
(SicBo=1+B). ,
todos los casos se tiene buena estabilidad respecto de lcBo excepto cuan
Rc±P resuíta SicBo= 1J+P
En base al aná[i5is realizado se puede establecer algunas aproximaciones en

ecuacióh de la estabilidad, para esto .procesemos la ecuación:
1+P,
Slceo - + S,cí- -`( 1 + P)Ütc + RB)
Rc, (1 + P)Rc + RB
Si (1 +P)Rc >> RB la ecuación de estabilidad resulta:
Rc + RB
SlcBo -
Rc
-sb-l+¥
Si Rc>RB resulta \ S,®, = 1
Tai como se ve en iáé ecuaciones, sí se cumpie ia condició,n de (i+P)Rc>>RB,

estabilidad es optima éstá éondición impone que el transistor`tenga P elévado (caso
un buen transistor) ó 'qué Rc sea elevado o ambos a la yéz`; hacér Rc de un va
elevado significaría qüe también se debe cuidar la selección de la tensión
polarización O/cc); debemos recordar la condición establecida ((1+P)Rc>>RB) Pue
que también se nos presentará en otros parámetros de estabilidad.
Como ya se obtuvo buena estabilidad, es decir, variaciones pequeñas de

corriente de colector para las variacjones de lcBo, corresponde ahora analizar con
variaciones de P y la VóE del transistor en la polarización colec[or a base.
EmcricfL
m'2r
cAPIT`Jlo II ; E.ozÁRlzzlcló)r DEI. "z`slslsTOR
Estaülidad re,specto de G de la polarización colector a base

-*_ -- ._: _ ',_ ,-- " _ ., `.-::_,
Anàiizaremos ia .respue:ta dei circu'itó dé p`Óiarización para ei despiazamiento.de'i

punto de trabájo frente a variaciones de p, paraL.,£stp partiremos de ia ecuación
fundaméntai de! transistor en ia topoiogi'a EC.
Ic -= PIB + (P + 1)ICBo
Del circuito de la figura 2.16 se determina la co.rriente de base
•± Vcc -ICRc -VBE

8 Rc+RB
Reémpla2ando la corriente de base en la ecuación fundamental
Vcc - ICRc - VBE

Ic=P +(1+P)ICBo
Rc + RB
Prócesando la ecuación despejamos la corriente de colector para esto

consicleíamos que P>>|. -
Cfwa-.]CRC-v:)+L(i+p)i®atc+RB}
Rc + RB
ic (RC + RB) = porcc -icRC -vBE ) + ( i + p)icBO (RC + RB )
ic[(i+p)RC+RB]=porcc-vBE)+(i+p)icBO(RC+RB)
pr/CC--vBE + icBoa`C + RB)]

Ic=.
BRc + RB
De la ecuación 'se observa para que está sea independiente de P se debe cumplir
que Pkc>>RB. La desigualdad propuesta no siempre se puede realizar en todos los
circuitos prácticos, Por lo \tánto, notar que aún cuando Rc es tan pequeño (Rc=RB/P)
la sensibiljdad para `las variaciones en P es ta mitad que si se usara bolarización fija
(iB=constante).
Estabilidad respecto de la VBE en la polarización colector a base
Veremos ahóra el ,comportamiento del circuito de polarizacióh colector a base
í::n::r:La:t¥oa;ri%:o[Fé¥;,;e;,ad¥,B¡;aT:¡±coorT:nseáeea,:za€oco:a,:t:#ípej#oasdcdoen,£rn¥t:£::
EmcriICA
CAP.2-40
CAPITóúO II .+ Poriaic16Ñ Dm TEÀZ.SIsrit`
::i=í:Sia(:e::¡óyn E!sty er::i#.rem°S 'a derivada de la com.ente de cotector c

•,: ,.,-. ü.-.;..,:-;.'''!i .
±dh.a`C + RB)}
svm-#--
PRc + RB
En esta ecuación vemos para que la dispersión de la corriente de colector s

reducida se debe cumplir la condición BRc>>RB.
ques?::,:£'=sn:iea,';uee=bi:i:aed,:::ár::i:oRcd,e£oL::i=:iaóner£:::=::bt:esnees:ncao:fjek:
estabilidad,i:ès décir, `.düé éi punto de trabajó pÉcticamente no van'a con ios cambios
temperaturá ni dei tnhsistor. El circuito de poiarización es deficiente cuanto Rc es
uh vaior réducidó.' Ei..i.néremento de .ia estabiiidad dei circufto de poiarización Lcoiec
base`sobre .el de la Polarización fija se debe a-la.realimentación desde e]
sali,da (colector) hacfS `,el terminal de entrada (base) a través.de RB. La ganancia qe
volÉÜ.e de corrién.te `Laitema de ios ampiificadores 'reaiimentado5 Lès menor qüe si
fueran` realimentados.`' Así, si increménta el voltaje de la señar.de entrada, se.prod
::s:t:::eyni:aeonmti::Tt:ndt:,,:ecob:;eeátécdt:e:::eaq::c:Fdee¥:e:::'íBqdi:J:ní=
opon'iéndose a ia corr,ie,hte déi gerierador de excitación.
Por tanto, el caih6io neto de ia corriente de base es mencir due el que tendn'amos
si RB fuera conectadó a ün botericial fijo antes que al témLnal de colector.
degeneración en la gánánda de la s?ñal puede ser evitada ciividiendo RB en dos
y conectando la uniórr`-dé éstas re§lstencias a tierra a través de un capacitor C cobo
indica la figura 2.i6. [El valór dé C debe ser tal que a láé frec'uencias más
reprgducir por el amplificador sea un corto circiiito. Notar que si .Ia impedancia de sa
de l.a. fuente de señál. es pedueña comparada con la Íesi`sténcia i de entrada
transistor, entonces el `'tipacitor C no es necesaria -Porque :la corriente
realimentación en Rb .és d-erivada a tierra a través de lá impedahcia del generador
señales y no contribúye a lá corriehte de base.
Curva de Poiariiáái¿n
1
Si los valores dé .lós,tcomponentes del circuito de poiarizacióh coiéctor base e#n

especificados, el punto estático de trabajo se detemina como siéue:
mcTRáNicA
u am.2r41
Fzi
u
CALE.Inno il : POI."ZAcló]i DZL mANsisTOR
-
El=
S¢bre la qira¢en'stica V-I de salida del transistor para cada valor de 1B dado se
-
Eg
Calcula iél voltaje`€olector emisor tomando cohio VeE=O,6V o O,2V dependiendo del
PE
transistór (Si ó` Gé) con la sigüiente ecuación detem!nada dél circuito.
-
'`
EE
vé£=ioRB.+vBE
EE
El :,.lugar geométriéo de ios puntos VcE a iB dibujados sobre ia caracten'Stica dei V
emisor común se dénomina "cum de poiariza¿ión". La intersección de la recta de
carga y de la curva de polarización determina el punto estático.
Circui6o AutopoJarizado
Del análisis del circuitp de.poiarización coJector base se estableció que la estabilidad
del punto de trabajQ ?s deficier`te si la resistenc!a qe'carga Rc es muy pequeña, coho
por ejemplo, en un circu¡to ácoplado a transfomador al colector, por lo tanto para
valores reduc¡dos de Rc ho hay mejora en la estabilización del circuito de polarización
coiector base sobr§ ei \circuito de poiarización fija. un circuitó iéi cuai puede ser usado
aún si hay una resistencia (Rc) igual a cero en serie con el terminal del colector es la
configuración de ,autopalarización, pos[eriomente justificaremos el nombre del circuito,
el circuito esta representado en la figura 2.17.
1
En el ci+cuito de la.figura 2,17 para polarizar la juntura de 'entraqa en forma directa:
• Se ha colocado un divisor de tensión res¡stivo compuesto por Ri y R2 puesto

ehtre el term¡nal de base del transistor, el teminal positivo de la fuente de
tensión Vcc y el común del circuito.
• Se ha colocado una resistencia RE entre .el terminal de emisór y el común del

circl,ito.
Para polarizar la juntura de Salida en lnversa:
• Se ha colocado uná resistencia RE entre el term¡nal de ehisor y el común del

circuito. Esta resistencia conjuntamen.te con la'resistehcia puesta en el colector
Rc protegen al transistor en el circuito de salida y además determinan la recta de -
carga en las características V-I de salida.
Para analizar ei,circuito de poiarización es.conveniente apiicar Thebenin pára ei divisor

de entrada obteniendo la tensión VBB y resistencia RB equivalente entre el terminal de
base.y el común del circuito.
-R2Vcc '
R2 + R,
•RB-#
EmcriICA
CAP.2-42
í¿Jp...:::-!??,:}?:..,f.r=
•:..-`T `--
--= _ ,t-,
c»I- }1 `!
` Figura z.17 araiftode atbopolar¡zadón . .
El circuito modificadó se muestra en la figura 2.18 b). Cón` esta nueva estrucbJ
anallzaremos como funciona el circuito.
Flgiiia 2.18 araitee gtieep®larizad® modlficado en aplicadón de Thebei`fn en el drculto de ®nhda. .
"c-cJl
+`
ü.2l«
EZ
1` --->s.-
•-. +.1`-.,_.::`.,:
qapiqpo ii : f.OI^RIZ^ClólT DEL mAst9IS"R
LE Corrlente de emisor IE (IE =Ic+IB) que clrcula por la resistencla RE Produce

una cáída de potencial sobre está resistencia ¢'on una polar¡dad tal que polariza en
inversa la JE, por otra parte.la tensión de Theb?;nin (VBB) polariza directamente esta
juntura, esto `significa que la JE ?sta polarizada'`pgr una diferencia de potencial Q/BB -
VRE) y'.esta debe ser pgsitiva para polárizar en ,di,récta dicha juntura, de esta manera se
tiene lás coridíciones de polaíización para un ámpiificador. Tai como se observa dei
circuito`1a caída de potencial en RE es:
VRB = 'gRE
como iE =ic+iB
vRE = ac + iB>RE
Como se-;.observa de la ecuación, VFu es función .de la corrjente de colector (Ic); si

recordamos de la ecuación fundamental del transistor esta corriente también esta
compuesta de.ICBo por io que cuaiquier variacjón de éstá comente son Teproduc¡dos en
Viu, Io cual ocasiona una variación de la polarización de la JE. De manera similar -la
variación de ia tensión base emiéor WBE) con ia temperatura ócasiona un aumento de
iB, produciendo' un aumento de VRE, variando también la.polárización de JE.
Veamos lo .afirmado con detalle, si la temperatura`,de las junturas del transistor

sube, esto. ocasiona que lcBo se incrementa, por' la ecuación fundamental
(Ic=PIB+(P+1)ICBo), P veces lcBo se incremem la corriente de colector, en este valor
crece ei potenciai de VRE, io que significa que proporcionaimenté a este vaior disminuye
la polarización directa q/BB-VRE) de la JE, con lo qué se reduce ia'éórriente de base del
transistor y por la ecuación fundamental del t`ransistor disminúye la corri.ente de
colector compensando el incremento inicial de esta corriente, produciendo una mejora
en la estabilidad[SicBó' debido a lcBo.
Como se podrá `óbs€rvar del anáiisis realizado la mejora de la .esiabilidad se logra

por aplicación del principió de rea]imentaclón negativa a través de la. RE, y que en el
proceso detalLado no intervjene la resistencia puesta en .el coleétor (Rc), este hecho
podrá ser verificado posteriormente.
También veremos. que para mejorar la estabilidad Ri y/o R2 deben ser elegidos
tan pequeños como sea posible. La razón física para un mejoramiento en la estabilidad
Con RB es la sjguiente.
Si lc tiende a incrementarse, porque lcBo crece, como resultado de un aumento

` de la temperatura. . La corriente en Ri dismjnuye y como consecuenc,ia el incremento
de VRE en RE ia.,~cò¿ífiéh¿é de b.ase dism¡nuye por lo que ia.,t,E..ie, poi?riza meno5 en
E:mcTRÓNlcA
CAP.2-éa
\
•';,`;ñ.`,,,_
CAPITPIÁ) II : polllR±zAcl6N Dm mANsls

`+'`
directa:\ ' Por este efécto lc se ihcrementa nlenos que si no'.tuviéramos el resistor
autopoian.zación
•`&.,'- 1 -
-`-:*,. .
pre+ú'iárié`nte á-:.Ilá,.t-áeducción de las ecuacione`; de ,esta-b€ilidad del cmto

autopolaí¡zado deteminaremos lasècuaciones de las rectasode carga en el circuito e
-r ` ::-
t sal¡da`yL+.-èntiaqa y la-€urva` de `,poiarkacíón.`. bara~1a recta,:de carga en el Circuito e ` ,.:.^-.`
salida, planteamos la ècuación de`tensiones de la !matta de-salida.
Vcc = ICRc + VcE + IERE
como iE=ic+iB resuita:
Vcc = ICRc + ICRÉ + IBRE + Vc£
Despejamo; la corriente de colector
vtc-IBRE •VcE
c ..Rc+RE,
La ,ecuación fundamental del transistor en EC es:
[c=PZB+(P+1)ICEx)
' Supongamos por'él momento lcBo=O
lc-PIB-IB-É
Por lo que 1B es``bequeña, Ia cai'da de tensión IBRE es despreciabie frente a lc

en 'la ecuación de tensiones en la malla de sálida, por lo tanto, 'Ia corriente de cole
es:}
Vcc - VCE
Ic=
Rc + RE
i, Si el transistor está en saturación VcE = 0 + Ic =

Rc + RE
2. Si el transistor esta en Corte lc = o + VcE = Vcc
Para la recta de carga en el circuito de entrada, planteámos la ecuación

tensiones de la hialla de entrada.
VBB = IBRB + Vi3E + IERE
Emc-Q
ü'?í45,
r-í.
U
U
C^PITüio lI ; ;OnFÌZAcló]l DÍB. "Z`ÑSIsm -
como iE=iJìB resuita : -u
-`
vri = iBRB + vBB + aB + ic>RE

EE
Corio IC=PiB J
vD;.=iBRB+vBE+aB+piD)RE
-
u
EI
Despejando la corriente de base
VBB - VEm
8 RB+(l+P)Rg
i. si ia vBE = o +-iB =
RB + (l + B)RE
2. si ia iB = o + vBE = vBB
Para la curva de polarización si se conocen los componentes del circuito es fácil

determinar la eciiación que permita trazar la curva de polarización y la intersección con
la recta de carga determina el punto de trabajo. Para esto a partir de la ecuación de
tensiones de la malla de salida se obtiene.
Vcc = PIBRc + PIBRE + IDRE + VcE

J
u
'-.
VcE = Vcc -IB[PRc + (P + 1 )RE ]
En `la ecuación de la tensión colector emisor, adoptando la corriente de base de

-u
las cara¢eríst.cas V-I de salida se calcula la VcE., por este valor obtenido se traza una
perpendi'cuiar hastá interceptar con ia curva de iB, uniendo ios puntos así obtenidos se
-•-
tiene la curva de polarización, que interceptadó con la recta de carga determina el
punto de trabajo.
J
`J
Estabil.idad frente a lcBo

-J
Eq
Para el circuito de autopolarización deduciremos la .expresión anali'tica para el u
factor de estabilidad SicBo para esto utilizaremos el circuito de le figura 2.18 el que
tiene dos mallas relacionadas, planteamos la ecuación de tensiones para. la malla de
entrada,
VBB = IBRa + VBE + IERE
como iE=ic+iB resuita:
EmcTRÓNlcA
CAP . 2 -a 6
•. }-,'t. ` .'..+_.?.
_¡\
cAf.I"e lI : ElcmAEÌz^cióN Dm mAlrsl
vm = iBRB + vaE ¿+ aB + ic)R£
Desp¢andolacrientedebase ¿'+++ \+` p „ i
•8=¥
`De la ecuación de. estabilidad+de la ft respecto. de bo ise debe.realizar la deriva
de La 1B respecto de lc,+ eonsiderando 'a La VBE y ¢ .constames obteniéndose:
H-T RE
dlc RB+RE
Sustitq.yendo esti derivada en la ecuación de SicBo, resulta:

úì
1+Í) l+P
Sb +Sb- RE
;:.1-P# '_'- 1+P
J~ ' dlc
RE + RB
Procesando la ecuación :
(1 + P)a\E + RB)
Sb= + S,ci- -
RE + RB + PRE
A partir de la ecuación de S]cBo, realizaremos un análi§is humérico que p?n

deteminar los parámetró; del circuito de autopolarización que mejóre la estabilida
fin de establecer algunos criterios de diseño del circulto. Para esto veamos lo
sucede con las resistehcias RB y RE, para éste análisis suponemos que el transi
tiene un factor P=50.
• S¡ en la ecuacióñ SiéBo consideramos que RE=F`B, obteniéndosé.
RE=RBish=¥
sb-#-,,9
• Si en la ecuación de SicBo consideramos que RE=2RB (RE>RB), obtenléndose
-
Emc-CA
J"
El=
í.`
cAplttBo 11 : pol^ÍLlzAclólt DEL TRJ`!lsIseon
RE = 2RB + Sicn _1+P
ip
s,®-5#-l,48
• Si en la ecuación SicBo consideramos que RB=2RE (RB>RE), obtenemos
RB=2REisb=¥
sb=#-2,8!
• Si en la ecuación SicBo hacemos que RB=0, obtenemos
RB-o+Stp-#
S,ctp -l
S,-
• Si en la ecuación SicBo hacemos que RE=0, obtenemos
R: = 0 + S,m - 1 + P
S(c" - 5 l
De,.Ios resuitados numéricos se conciuye: `
1. Cuando RE>RB la estabilidad se aproxima al ideal práctico (SícBo=1)

2.`.Cuando RE<RB la estabilidad se aleja del ideal práctico (SicBo>1).
3. Cuando RB=O la estabilidad toma el valor del ideal práctico ((S]cBo=1).
4. Cuando RE=O la estabijidad es la misma que la del circuito de polarización fija
(SICBo=1+P).
EE
En todos los casos se tiene buena estabilidad respecto de lcBo excepto cuando ù
RE=O resulta S]cBo=1+P. En el circuito de autopolarización la estabilidad es
J
independiente del valor de la resistencia puesto en el colector (Rc). En base al análisis
J
realizado se puede establecer algunas aproximaciones en la ecuación de la estabilidad,
para esto procesem.os la ecuación:
-
u'
EEZ
U
J
ELEcmóNIcjl u
CAP.2-48
-
u
CaEII"O li : ióLrizA%Ìóll Dm TE"SI§
l+P
Sb=
RE
+Sb= (l + P)alE + RB)
(l+P)R£
•.,..- :Jít.-:
Si (i.+B)RE >> RB -!a §cuación de estab¡iidád resuita:
s--¥-§--,+¥
Si RE>Ra resulta S[ép = 1
' Para evitar la reduccióp de la ganancia para los componentes de álterna debid
la realimentación introducida por RE, debe colocarse en pararelo' cóP esti resistencia
capacitor, (mayor a JioiiF) tal que su reactancia a la frecuencia más baja
n=próduce el amplificadór sea muy pequeña.
Como ya se obtiivo buena estabilidad, es decir, variaciones Pequeñas de

corriente de colector para las variaciones. de lceo, corresponde ahori analizar con
variaciones de P y la VeE del trar6istor en la polan.zación.
Estabiiización fréhte á ias variaciones de la VEfi
La variación de la.VBE con la tehperatura tiene un eféc6o mü-y imborinte sob

estabilidad de la polar¡zatió'n. Pára un transistor de Si. la V5É es de alrededor de
ELEc±Cn
-u
•,tl u
J
czLPIT`7Io =z : EolARlzAcl6ll t]Eb mA»szs" EE
EE
t=í;:=:::j=:hTLL=y,apj=#h#.a6###vL#coáTkLg#t: U
u
como Para el Si.
-
Pára h] deducción de b estabiiidad de ia ic con respecto a ias variaciones de b u
VBE, se`Suporè Constantes lcBo y 8, quedando la f`mclón resum¡da a: U
Ié -WBE)
J
U
Esta relación se conoce como característica de transférencia del translstoi.. De la U
ecuación del circ"o de entrada se tiene:
vBB = iBRB + vBE + aB + icRE
Despejando h corriente de base
IB=#L
De la ecuación del transistor
lc -PIB +® +l)ICBo
Réémplazando La coriente de base con la ecuación fundamentai del transistor.
ic=Pvm±¥=±:cRE+(iti)i"
PO'Ba -VBg -ICRE) + (1 +P)(CBoqlB+RE)

RB + RE
ic@B + RE} = p(vBD -vBÉ -icRE ) + (i + D)L aà + RE )
ic[(i + pmE + RB ] = poJBB -vaE) + ( i + p)icBo a`B + RE)
|C=prvBB-vBE+icBoa`C+"
BRE + RB
Está caracterffica de transferencia se representa en b figura 2.19
La característica de transferencia se desplaza hacia b izquíerda a razón de

2,5mv/°C (ICBo constante) para temperatura creciente. Examirúremos en detalle el U
-'
3i#am#d#:hLi#::£:;S::#bi;w¥L=FLyaradon®dei"" U
J
u
EmcTRÓNlcA
C».2-50
-
U
. ?__r.
--. -'.
' ,,,í .T._ .^, ;
• `` `-.` +
cFIE.I"IO I= : EoiaRIZZIC16tf DEL fRAlisz8
vOE=vBB+a`B+RE)#i®- RB + RE(l + P)
. F]gt[ra 2.19 Caractirís6ca de.tbnsferenda

\.
Está ecuación rebíésenta una .recta de carga en ei sistema -de ejes ortogonalés C,
VBE y está representado en la figura 2.ig en está gráfica se ha tomado como:
v-a-E,#I-
Si P>>1 resulta
v' = a`B + RE)icBO
Luego la intersección de la recta de carga sobre el ejé VBE es ijná función de

temperatura porque lcBo se incrementa con T. La pendiente de la recta de carga es:
RB + RE (l + B)
De esta ecuación se-vé que o sé incrementa con ia teh.bératura (+) por que P Se
incrementa con T o con el cambio del transistor, la caracteri'stica de trarisferencia p
una temperatura T=T2>Ti se desplaza a la izquierda porque la VBÉ disminuye Con
aumento de temperatúra y la lc aumenta. La intersección dé [á recta de carga con
"cTRÓNI®
Cm.2rsi
ul
•,..,-..,, : .,..,.-:.,
-
CAE.ITUIO 11 : POIARIZACIÓ[l DEI, mAitsism J
caracten'stica de transferencia detemina la corr¡ente de polarlzación del trans¡Stor lc.
J
Veamos que lci Para T2 es mayor que lci para Ti porque lcBo, P y V®E Van'an todos
U
ù
con la temperatura.
-,
Deduciremos ahora la ecuación del factor de estabilidad de la variación de lc Con u
respecto a la VBE definido Por: EE
-
sv--# •J
lceo-clc;Biciu! U
U
Donde lcBo como P son consideradas constantes. De la ecuac¡ón de la VBE `=
deducido anteriormente, derivamos respecto de la lc se òbtiene:
J
-J
SvBg
R.B+RE(1+P)
Procesando esta ecuación se obtiene:
-vm
S"=- 1+P+¥,
Si aplicamos la misma condición que se teni'a para mejorar la estabilidad de la

corriente de colector ftente a la variación de lcBo.
®l+,,==¥yp=>1
La ecuación de SvBE se reduce a:
1
sv-=-F
De esta ecuación se establece que si seleccionamos para el circuito de

autopolarización un valor elevado de RE se tiene una variación muy reducida de la
corriente de colector frente a las variaciones de la VBE con la temperatura.
Si Procesamos la ecuación de SvBE para tenerlo como función de SicBo, Podremos

afirmar que si mejorámos la estabilidad para lcBo también se me].ora para la VBE,
. partimos recordando la ecuación de SicBo
ELEcriNICA
cm.2-52
• ,._,.: ..,.'`.'j
CAP..tllo 11 : pol.hRlzhclóll Dn mnÑSIS
l+P
Sh-
RE +RB
Procesando resulta
(l + P)atE Slc.
Slcb =
(1 + P)RE + R; (1+B)0È+RB) (1+P)RE+RB
Como:
SvBE
RB + RE(1 + P)
~\:
Reemplazando el denominador se obtiene:
(l + B)GE + RB)
` De esta ecuación se ve que si SicBo es reducido, SvBE es aún más reducido q
SicBo y esto también se demuestra por la condición de ((P+1)RE>RB) es la mis

para ambas ecuaciones.
Esm\bilidad fren€e a variaciones de P

• La variación de la corriente de colector con respecto a P esta dada por el factor
estabilidad de S? definido por:
se=#,b-vq-c
Donde tanto loo como VBE son consideradas constantes. Si derivamos

ecuación de la lc con respecto a P y procesando se obtiene:
SD- Jíi
P(l + P) .
',,¥-.:
Por los términos que componen está ecuación se presenta una dificultad en
L''l'
cálculo de Sp problema que no se presenta con SicBo y SvBE. Para evitar este proble
en la varlaclón de la lc debido a un cambio en P es que se procede a determina
ecuaci.Ón Sp aplicando el método de los incrementos, tal como se ve a continuación.
mcTBómcA
am.Zf,
í CAPITÜLO II : POIJ`RIZJ`CIÓN DSI. "ANSIS"
_ Alc _ Ic2 -Icl

S6
AP P2-Pl
•c,-#
Para aplicar este método recordemos ia ecuación de ia.'corriente de éolector
;+
Para b riberatura T2
P2n'DB -V
1~-
•C2 (|+P2)Rg+RD
Para la temperatura Ti
8, nrDD - vBE + vT
E+RB
Procesando ambas ecuaciones:
pzrvBB -vBE + vT
(1+P2&+Rb
p. nrBB : vBE + v]
(l + P')RE + RB
P2[(l+Pi)RE+R8] i ` Ic2-[ci P2[(l+Pi)RE+RB]-Pi[(l+P2)RE+RB]
E= P,[(1+P2)R£+RB] -' Ici P.[(l+P2)RE,tRD]
Se establece para Ía ecuación de la estabilidad de la lc respecto de las variaciones

del parámetro P del rinsistor.
Ic,S,=z
s:
1 = éE£
AP P,(1+P2)
Donde:
1+P2
RE
SicBo2 gs el valor del factor de estabilidad SicBo para P=P2, es decir, P a la
::.T.P_f.r_a_t¥i:, |.? {o :,É,m.6.ig de tT?Sistori E¥ fl.aro..9_e ,5[a ,h?Cuaci9+n _de._SB, ,qre

minihizandó'. Sié`Bo2:Íü.hbién se mihimiza SD. Estó"significa Ué lá Tazón RB/RE.debe
EIECTRÓNICA
CAP . 2 -5a
+
f- `1 .-.,
cApiTt7ioi` ii : pomEu:mciáN DEL TRz\Nsi
ser pequeña. Del ahálisis realizádo para los tres factores.de`.:estabilidad
:Ued::¡:,P:unédia'av[::i:g¡#:Pi:
;?pnadic¡íans€í=ec::ie£.É.==r:nna±e±stn.eon:¡saa::ne#io°rrd¥c::pgrroa:íseo.C°m°Seaprád
S¡ `,recordamos la-. ecuación .`general de 'la dispersión de`.``ta lc¿ con``Tespecto a
variaclón témica, se tiene:
Alc = Si®AlcBo +SvBE4VBE + SpAP
Esta ecuación des?rroílañio; á~lrededor del punto de trabájo resultando
hlc •sv-¥+spf
Si `reemplazamos ]as ecuaciones obtenidas para los factores de estabili d
observarem'os que .él, circuito de autopolarización tiene mej.or estabilidad cua 0
seleccionamos una m`,ayor caída.'de/ potencial en RE (RE lc),`.por :lo que se concluye e
Ia ` estabilidad, en este:circuito. +de ,polarización se.J basa ren eL``principio de rèalimentaci n
desarrollada èn )a resistencia puesta en e[ emisor. Un resumen de.los.`:factores
estabilidad desarrolladós se`.presente a continuación :
sh-#=#-sl-4±=4±+¥¥
sv--#=#-sv-¥=-#
so-#=#+¥=(„
Ei factor domina`nte en ia e`stabiiización contra variaciones dé icBo, VBE y 8 eS ia
caída de potenciai eh. RE a mayor caídá en RE mayor estabiiidad. De io expuesto
resumiremos algunos critérios que se siguen para 1? selección -d,e cohiponentes del
circuito de autopoiarizáqió,n, se recomienda no usar todas ias apro`x.¡T7iaciones en Un
.F`
mispo circuito, si no qüe debe agotarse previamente todas la§ ecuaciones de cálculo de
los componentes ciue sé obtiene del c¡icuito.
ir°) |R2=XIB \
Donde x>1 por ejemplo IA2= 10Ip
EmcTRÓNzm
".2-§5
•..:::..t:=tírt::=.::.ú`-:.-,:`Fi`...f-l J
J
cAplmno 11 : ponRlz^clóel DED "AÑSIS"
-J
Vcc --
J
-
-J
F]gura 2.20 Crlteriós para el c¡rcLiltoautopo[arlzado.
Tb®)\aFtiNcxlY
Dónde y>1 por ejemplo:
ÌCRE=¥(10%dev«),cuandovccesdevalorreducido
lcRE = 3 o 4V , Cuando Vcc es de un valor aprec¡able
3r°) De ias condiciones de estabilidad
p+,>¥comop=1
portintop,E
¡
PRE>RB Para establecer la igualdad un factor de 10 es un buen criterio.
PRE -10RB
Con Pmln
PminRE
RB
10
4to) (P+1)RE>10R82 Este criterio se aproxima al 1"
\L_¿:'y..,,-.`1---..'
ELEC"ÓNICA
1.. ; . " 1 . lí- ` ' .. lfi :.` .,

1 ``1 r-`./`~ ` ,
EI
u CApiTt]io ii : pohRizmió]i DD mAÑsis"
1 .,`,
Escape Térmico .
'`,}
' .,t. .'

-.)+:` . --`` .-J-`.::.-`?:, ¡ ::-:-+=`.--
Los` rinsistores ` bipolares prodúcen próéeso; i'`de :'áutotáieritáhiiento por sóbre

elevación de temperatura €n sús juhturas y esta variación térmica ocasiona incremento
de ìa ric y como . co.hsecuehci'a `,prodLf£e.increménto`de. ia `.temperatura en sus junturas,
paia tomar en cuenta\ esto's-i` eféctos`t' lo's fabricantes~:de `ti.anststores nos i.especmcan la
potencla de dis¡pación 'máxima idéi dk;pQsit¡vo ,y ei rango de+.témperatura'.èn ia que el
componente tiené un.compòrtamiénto iprevisible.
• -La potencia de disipación está limitada
P=°:g:adteeT:eoú:U£a25qouce;apaJrcerGe!:
soportar. Para transis!ore§ de-Si.~.-están en el
)_
:enmT;e:oiá::::ec..,e:1i::Ée.Tcmáudst:::iuu[:::enstüLni:rnet:epn.?eie££o.adeqs::i[::
La máxima+,,disip?cién está esbecificada usualmente a temperatura ambiente de 25
El problema de autocálentamiento que se menciona resulta de la potencia dislpada
la juntura ó;colectorá,+. estableciéndose la siguiente secuencia de sobre .elevación
temperatura.
Tt+icBot+i¿.~`f+acvc£>tjpDtiTtiicBot+ict...
iR£sistE!ncia Térhicá
Entre la potencia disipada por los transistores y la sobre :elevación de temperatdra
d=¡£:duen:e:°¿nm=::ed:Ft£rn°s:=r::°yn:':d,aadc:::e::¡Ódne:°:i:aac¡;rñesí=c::C:i£:¡|=,ndi
sobre elevación de temperatura. 1
AT=T,-TA =OPD `' '
. o= resistenc¡á térhiica [ocM]
infoma en la hoja técnica la potencia de colector Pc permisible ;para una op :r¡#!a;

segura, para una tempera,tura mayor esta potencia dismihuye, tál es así que para! la
máxima temperatura .de fusión de la juntura esta potencia dismihuye hasta cero,
perdiendo su eflciencia el transistor, este efecto se muestra en. la figura 2.21. Í
EüC.RÓNICA
J
u
CAEIITÜIO 11 : E.OIJ\RizAcló!t DEL TRAN§I§OOR
u
J
?.ioc 125°C Toc

_ Flgura 2.21-Potencla versus temperatL)ra
Consideraciones :obre el punto de trabajo
Los procesos de Sobre elevación de temperatura expuestas en las secciones

previas, establecieron un desplazamiento del punto de trabajo sobre las caracten'sticas
V-I de salida del transistor, analizaremos este desplaz?miento con respecto a las
gráficas de potencia de disipación constante que puede tambiérwepresentarse sobre las
características V-I de salida.
V c,Í:r2 V cÍ: VcE
Figura 2.22 Recta de carga e hlpérbolas d® d¡s¡paclón.
poten:¡ia'ac::g:ñ::,Fs9ergpau::etr:b¥et;::eenntee,ia`.Uq¥edee,'pa:n::Pirrep:`:ans9::c¡da¡Sí::::ó£ndÉ
ELECTRÓN=O
CAEr.2-5e
::...::J. :.. lffi¡.

U
EI
CZIPITUO 11 :' PólARIZZIclóÑ DaL TRZ`risIS
sobre el eje de tensiones la mitad del valor de la fuente de 'polarización de Ìa Jc
:#a:q:;:rñddee:i:az}a€m;éonítppr`:bFeamm:rs.€:|hp¡:::::te9,:p:annt::3:¡ati¥:a]Soe:.gep?arp;:;¡r:TteaTt£
característica de menor disipación, por lo que se.concruye que.este punto de trabajo
o uno qu'é signifique` úna nienor tensión colecto`r emisor-debe .5eír.el seleccionado.
`' -Los problemas de `seleccibnar el\.Punto 'deL-, trab@o en las.,x:ohdiciones `ánál.rzadas se
3::s:,rebmpc,:a::oe,'a.ar:i::n;c::pi::¥n::np:rleúfta:rsfi::mdaed:,n(T,,:'::Teuysérgg::itdoosceont|:
figura 2.22) a la carga efectiva.
Lo anaiizado podemos resumir-á ia siguiente rnanera:
tra`bájo es Qi
IctipD+ `
Si el p-hnto de tr;bajo es Q2
Ic,t+PD`t
Por tanto:
Si
vG<¥+Ict-DJ
Si
va>¥+Ict+PDt
Cohdiciones pará é:£abilidad térmica
Tenemos dos parámetros dei transistor reiacionados con iá sòbre eieyación

temperatura, estos son lá potencia disipada y la potencia dé ti.ansfomació
continua en altema, en todo sistema para eyitar cualquier` 9eneración de` s
elevación se debe cunibl'ir que la veiócidád de transformación ti?.né que ser menor
i-á-á6a-c¡d-a-d -dé disipáción' referido ai parámetro físico, en cásó qé éer ia reiac!ón ioii:!;
opuesta se produce Sobre elevaclón del parámetro físico en nuestró caso de
temperatura, expresado matemáticamente esta condición representa:
EBCTRÓNZCA
U
• c ., [,--:.,1Ú
u
C:AE}ZTtJIO II : POI^R=ZAclótl DEL TtÀNSIstÒR
U
EEl
#S#(nosepresenúsobreelevación)
#,#
A`T
(se presenta sobre elevación)
Si recorc!amos la ecuación de la disipación que se represent?ba por:
pD-#
Derivando está ecuación respecto al parámetro fi'sico se obtiene.
E_l
dTJ0
Reemplaz?ndo en la relación que no representa sobre evaluación del parámetro

ffsico resulta.
±<1
dT,0
Esta es la relación matemática y física que debe cump[ir para que en los
transistores y en especial en los circuitos de polarización no se presente el corrimiento U
térmico. Relacionamos está condición matemática y física con el circuito de polarización U
empleada, en este caso usaremos el circuito autopolarizado, representado en la figura u
2.23. u
Figura 2.23 Clrcuito autopolarizado
La potencia generada en el transistor se expresa como:
PC = {CVCD _ . .`',L
ELECTRÓNICA
CAP.2-60
cAplmo l1 : mlARIZAclóN DE mNsls+oR
Pero la tenslón€ólector base esta representado por `
VcB`=Va-VÉ-`,¢úttJ;--`'-~ `* a . \. .?{.,.?r.,.`t`..\,.
La VEB es O,.6Y o O,2V para transistores de Si. o Ge. , Por lo tanto,..la

genera.dá para el circuito autopolarizado es:
Pc = IcVcB D lcvcE
Del circuito para el punto de trabajo deteminamos la VcE
Vcc=Ic@c+R[)~+,VcE -'` -~ -
vCE = vCC -ica`C + R[)
Reempiazando iá vcE en ia ecuación de ia potencia generada en coiector se tiene:

L`.`
pc = i¿vcE = icv:c -iácq`c + RE)
b ecuación que, eviú la deriva térmiü parametrizamos respecto de la corrieite

de colector resulta: -``.` ,
#<á+##<á tL l
u derivada parcial de la potencia generada en colector con respecto a la corriehte
de tolector se obtiene.
¥=Vcc-2ICQc+RE)
Reemplazando en la écuación parametrizada i
N-c-RE,]#<á 1
La derivada de la lc con respecto la temperatura esta relacionada coníla
estibiiidaddeipuntodetmbajoyaanaliadaconmspeftoalosparámeüosdelToÍ
VoE y P del transistor, estableciéndose: .
#-sb#+sv"#+sp#
Emc.RÓNla
CAP.2r61
u
'J
``1
CJPI.`JIO J:I : POIARizAcldl DEb "AÑSIS"
J
EI
Rel anális!s de la estabilidad real¡zada en apartados anter¡ores se estableció qiie si
-
se obtiéne ia-s condicíonés circuitaies para tener una buena estabiiidad de ia corriente
-
de cole.Ftor frente a variaciones de lcBó,.. automát-icamente todos l,as otras varia¿iones
-
quedaBán estabiiizadas por io tanto:
-
Eì`factor predominante es lceo (Igo=7®/o/°C) u
. i¢'_ `J
[V,
-2Ic(Rc+RE)]##<¿ -
-
-
Tal como §e estap|eció que lcBo tanto como para Ge como Si se incrementa
alrededor del 7oÁ;/oc `^. -
-
y#-o'o7I- EE
#-s-,® -
ZI
Sustituyendo estas relaciones resulta :
1\
EE
rv"ca`.+REns,_o,on®<á
u
11
Recordanclo que SicBo e lcso son positivos, vemos que la des,igualdad se satisface
J
si la cantidad entre corchetes es negativa.
u
U
[Vcc -2Ic(Rc + RE)] < 0 i Vcc < 2Ic(Rc + RE)
Por tanto
Ic>
2atc + RE)
->J i--->
Reempiazando én esta ecuación ia corrfente de coiector resuita./
Rc+RE 2(Rc+RE) Rc+RE Rc+RE 2(Rc+RE)
-VQ'¥-Vcci-VcE'-¥+Vft<¥
Con lo que queda demostrado ei anáiis¡s que se reaiizó sobre ei puhto de trabajo
para evitar el escape térmico.
EH=C"ICA
Cm.2-62
¡i;,+;.-
c,¢ul.-!-._r,,¿?
cApiTtzEo` ii : poii\nizlciá]i DEB TRANsis"
Diseñó con amditud de señal espedfic%da a la 3qlida

`: --.. ¡: '.-.,
,---. i¡ f .í ,
-_ ,.`
Enmuchasap,icaéione;ae,os`:átí^Éí.;fiáá`.óíésse,.sue,e-é;pe;ificare,,ái.Séñrodel
circufto de polarización en funcióh de la ampl.md máxima dé~.señal a ia;salida. La
especi.ficación viené á `sé'r. io L.msmo ;qüe, detaiiar ,.ios . vaiorés miíxLmos y_``mínhos `de
corriente o tensión `sóbre las .caracterfficas `V-i de salida`;'.\:'PeFo -será necesario un
pequeño análisis pará `éstablecer La reiación entre estos`parámeFos. -
•-La corriente totai dei coiector ic debe 'ser s¡empre?ináyor due cero a ,fin de
mantener ei tra'nsistor fuera dei corie, èsto-además noé, impone que la tensión
instantánea totai del cólécior vcE debe ser siempre mayor. que O,5V
aproximadámente para mantener el transistor ftiera de Saturación.
• De eíios Iì'mites y de la amplitud de salida especificada podemos establecer la

corri.énte de coléctor máxima y mínima.
•?`.'`
Determinemos iás consecuencias dei ii'mite impuesto a ic, suponiendo que las
señales son sinusoidales la intens¡dad de colector esta- compuesto de dos compcmentes.
'\ 1.-ic>o para má,ntener fuera dei corte -el tiansistor
\'-'`_ t
Vo = Va = -icRL
ic--¥
¡c = Ic ± Icsina)t
En esta ecuación réemplazahios la cohiente máxima séno¡dai dei colector en

función de la tensión máxima de señal Vo y teniendo en cuenta .la restricción ¡mpuesta
a ic se tiene:
• ic = ac ± Icsina>t) > o
Así obtenemos una expresión para la. c.orriente continua míninia'de polarización en
ftmc¡ón de la amplitud de la señal de salida.
Sish®t=1+Ic2¥
Estos conéeptos se pueden representar gráflcamente én las caracteri'Sticas. de

salida EC en dos üsós: 1) la recta de carga de continua coincide con la recb de car9a
de altema y 2) cuando no coinciden, es decir se cortan en un punto.
EIJ=CTRÓNICA
Chp.2-63
.,-
•.--, ' `, h U
• r-+. r I
EE
czlpltuLo '11 : poaARlzAclóti Dm mANSISTOR
u
-
E=
u
-
EI
`-
U
-
EEZI
-
-
u
Vci=Vc£Nc£ EE
u
Flgura 2.24 Recta de arga a y b
J
EE
Ern la figura 2.24a RE=O. De la geometn'a de la figura queda claro que Para el -
-
punto de trabajo Q ajustado como se indica la corriente de polarización debe ser tal
que. -
u
'-
•¿2¥ EI
En el caso de la figura 2.24b la ecuación que relaciona la corriente continua de

colectorès.
vCE = vCC -icatL + RE)
Que nos indica que ,a recta de caréa tiene una pend,enté. de -1/(RE+RL),
mientras que la pendiente de la recta de carga para señales es -1/RL.
2.-vcE >0,5V para mantener fuera de saturación
Pasemos ahora a la limitación de la corriente de continua del colector impuesto

por la restricción:
vcE > 0,5V
En el caso de .señales sinusoidales la tensión de colector esta constituido por dos

componentes. ,~ ,.,`
-,.+j.` L '.
ELBcmóNlcA
CAP.2-6L
:.,,`:.;,..`-,`..J:;-`,,,,,,.,.,J.,..i-.--.:..:-:.,
CÊ.Iptflo II` : POLrizjLclóll È,B TEÀ!tsIS
Vc£ = VcE ± Vosin`bt .

`_,`
pará ei cámdició.-.;a'.h€é de lavcE>,o.--.,`.,._`-ií.

'\-\
Si Sim}t=1, tomando el peor caso que corresponde cuando la-señal toma ,\su máxj
E= negatlvo resulta
u
. VcE -Vo > 0,5 + VcE > 0, 5 + Vo
E=
Del circuito del amblificador deduzcamos la ecuación de.la VcE.
El=
EE vCE =vCC-ica`Lt=RE-)` -`
Impoggamosalaanteriorecuaciónlacondiciónanalizada-
vcc-i-éa`L+RE.)>ò,5+voivcc-(o,5+vo>>ic@L+R.>
` Esta c¿ndición `se` traduce en una restricción ¡mpuesta a la intensidad continua

coiector deépejando ;ic resulta.
Vcc -Oo + Oi5)

Ic<
RL + RE
Resulta útil visualizar ,con ,.una construcción gráfica „de ta recta .de carga
condición impuesta.
a VcgQ Vcg=Vccvci b Vc£o vG=VT

F]gura 2.25 Recta de caqa con llmltadón d® e]tema en la sallda.
EiBCTRáNicA
".2Í"
`
u
PomRlzAclóli Db "NSI§" J
-
Resumiendo en los problemas de diseño. qe pgl?rización en los que la máxima
tenslóri de señal Vo a la salida. sea uno de los parámetros especlficados, las
-
E=
corresBòndientes restricciones impuestas a ,i?.-¡ntérsidad máxima y mi'nima ` qe, lá
U
corriente de colector son:
J
IÉ,n=¥elc-=Vcc -(Va + 0,5)
-
E=
RL + RE
-U
Trans.istore§ Unipolares
Eáe dispqs¡tivo a. ¢)ferencia -de ios -transistores bipoiares; ` para su funcionamiento

no depénde dei .pásó"6é ios pomdores por ias junturas, qúe creá-n barreras de en?rgía
::tednoc;aa']íee=:|::h:ep#+:.:t:u=r::ec;rdd:fe,raesnc:::r;eun¥:Cia|:S:¡?c':,:npri::}P¡:,:oE:¡C::
consecùenc¡a ia ri.anüfañ]ra misma dei dispositivo. es ,muy difer?nte. Ei transistor de
efecto de campo es un','dispositivo que para el contro| de la cgrriente depende de un
campo:leléctrico (campo..eléctrico creado por la polarización, pero que no -acelera tos
portadorès por lo`tanto 'no se creàn corrientes de conducción por campo). Hay dos
tipos .de transistores de 'éfécto de campo:
• É transistor de efedo de campo de unión denominado FET que deriva del

npmbre inglés Field Effect Transistor.
• El transistor .de efecto de campo de compuerta aislada (IGFET), denominado

usualmente MOSFET (Metal Oxide Sem¡conductor Field Effect Transistor).
Esté dispositivo está fabricado en base a una barra semiconductora tipo N ó tipo
P, si la barra es de un-material tipo` N, Ios portadores mayoritarios son electrones, y si
la barra es de un material tipo P los portadores mayoritarios rso-n huecos, este
mov¡mlento de por[adores es controlado por un campo eléctrico creado por
polarización. Al igual. que los transistores bipolares éste aispositivo tiene tres
terhináies, ia notación de igs terminaies de ios transistores dé-.'efecto de campo es
estándar.
Descripción del FET
Los teminales de este dispositivo se denominan: Fuente (S), Drenador, (D) y

Compuerta (G).
Fuente; \.Origgnr ó` fuénte..:(S) es-:èi ,tèrmina! a través dei , cuai ,ios póriadores
mayoritarios entran-a ia barra. Convencionaimente ie corrienté que entra por` este
EmcTRÓNICA
C».2-66
IÓN DED ~818
tem¡nai se designá bor ié.
¥és.'-:de], cu?i ios `pp

mayh¿::e:Po::3:;mD,[áÉnbáajrera.(D¿onevs:n+:;o+;f£,=j #ié'ñté én'el teminal se
por:Li-D.` -La--tèhs.Íón, eri b--y §-se -désigna` pór...yDs.`y es`.positiva, si D es más posiñi
ques. .
i \' CompiJerta: En ambos bdoá de ia barri tipo N (p) se foman uniones
Ovhtura`s), por aleaclóh, difusión o por..obo -procedimie`n`tò de fabricación. E
regiones:de tipo P (N) con impurezas aceptores (donoras) son llamadas compuerta. .
i Canal: La r?giór` tipo N (P) del materiaL, entne 'las dos compuertas de tipo P (
es`€l,canal a través del cual se mueven los portadores-,hayoritarios, de la ,fuente
drenador; Q=Sea de S a D.
'` En el '..tinal ..tipo';'Ñ (P) |as dos reg¡ones P (N) están conectadas eléctricari`
_,
g:nmá|fo:Td:iíhe,'ee,'a¥oonqaoddee::Tsi:i:Fáj:::c'fóo:md:::n,tarojlusnetur:a,":aneens:a::gii!:
•cJnal; estudiaremos.t.éi` mecanismo de conducción, utiiizando. :ei modeio
idéa!lza'do repre'sentádó en la-figura 2,26 en el que se han defomado ,las dimepsj

relativas: el canares, ál'' menos diez veces más largo que ancho, pudiendo .llegar a t
una'longitud de varios. ciFntos de veces la anchura. ,
ñóura 2.26 EstniébiTa bás¡ca del FETÓJFETde cabai N. '
El canal N está dóbádo con una cantidad muy reducidà de imburezas donoras
respecto a la compuéü 'de tipo P que está fuer[emente,..dopado con impure
aceptoras, esta relación'.de dopajes' produce una mayo+ bènébaéióñ.de la zona de
g,:Sn¡:¡¡°ind¥:,mcaen'aF#a:sti:°seNgúynusnea¡::í:C¡edna,:efi|geu#C#g:°eir:ri',:h:óTe?Uc:=,,::#;
el ancho de la zona de transición sobre N es W. En la figura 2.26 Puede
Emc-CJl
. C 1, . , ` cüiTúo ii : PO|^RIZAcló!f DEI, mA!.8ISom
djspositivo en equilibrio cuando la zona de transición es uniforme a lo largo del Canal.
Cg>ando circula corriente de S a D ía peheq?€¡ón d\e la zona de trapslción sób;e el

Canal \r!'p es uniforme tar` éomo se indica en la'`fp.u'ra. 2.27. La penetración-no uniforrhe
de la zóna de trinsición en el canal se debe a qy'e Ía ,qiferencia de potencial compuerta
fuente es menó.r en ,as prox¡m¡dades de ,a. fuen{é:\y``mayor a med¡da que se aprpx¡ma a,
drenador. El transistor FET fünciona nomalmente cón las uniones de compuerta fuente
y coh`Puerta drenador polarizadas ihversamente. Para esta polarización, en la
estructura de canal N que estámos considerando VG debe ser negativa respecto dé Vs y
VD.
Là acción de contrgl en este transistor tiene lugar al aumentar la polarización

inversa de las uniones, la zona de transición penetra más profundamente en el cañal,
reduéien¢o asi' en 2W'.el ancho efectivo del canal, disminuyendo la conductancia entre
:arefingaud:r;Y2f7U:#:`#eui¡:sn±3.deestamaneralacorrientedesaDtaicomoseveen
Para mayor sencillez, despreciaremos las caídas de tensión en las regiones tipo N
exterióíiés al carial estrecho (zona comprendida entre los semiconductores que trabajan
como compuerti]).
VDO RD
F¡gura 2.27 Zonas de trans¡ción difundldas en el canal.
La zona de trans\ición se produce totalmente en la zona N porque este está poco

dopado con respecto á ia compuerta de tipo P. Se considera ia barra tipo N,,'por el
¿ dopaje como un resistor dado por la siguiente ecuación:
ELECTRÓNICA
. '_ ..:.+,.*..,J ,,.,,., h..^,.;,'C. ,.: .,., #_Iì-;

L
u
R=l=
.Ps •tm.ND*(!-?W)
`..`.!;"i.Á ',. f` q,,i:!;ii`,,'.L-:.I-`,` :1 , ..
'Artálisis dèt fumci.;;amient; del FET

:- .^.- .s ,
- Analizaremos el Compottamiehtcj del canal que .es una bama semiconductora ti

0 ..'.-
N, !cúahdo se àplica','una ténsión entre D y ,S WDs). 'i.'..SüPo-rigamos .que G

cqrtocircuitada a S Wés=0) y VDs es menor que el potenciál.-.dé,.contacto Vc. . AJ apli r
uná '.te-nsión entre , D, y S circuiará. una corriemte compt+éstá.-.`tpor ios.-,portad S
mayoritários (electrohés), .que van de S a D, en `.estas condiciones J,el .d-isposmvo
canal) `se comporta com'ó un resistor y por lo tanto`se'verifica '`la ley~.de ohm. ` Pero
guí::;d:Pa¥ednec¡::tne°n:¡:fe:n,¡afi:Tr:;:+?d'aadr::::'D:::';yoa.É:::C:=tdeens:Ó=Ér#i:
uriiformem`¡nte de S a D poiarizárá en inveisa ia juntura formada por ei semicondu
del canal (Ñ). y l.a .cóhpuérta' (P) en forma variable, dandó como resultado que
cLÍ:fe:T:e:;i::dc::rá;:::d::::,:¥',:inT.:en:#:Ea':.ia:ig:;mn:g.í:7Tp;ar:;:iti:::de::i
de` VDs en la cual s-e`cümple la ley Ohm, pero.a medida que a+uménta VDs-, el canalse
estrecha hasta manténer la corriente a túvés del canal en` unJ,.válór 'constante.
•que ise incremente `Vbs,,` por lo tantot este efecto `se réflejarar`€n,`.1as< ;Oc:==t:l,::::l
-salida como una .zoha.dÉ,,corriente. constante para diferentes yalores `de ,Vos, èsta zo
se llama de saturación'....Én la f¡gura 2.28 se indica lo analizado, L `
Flaüra Z.28 Canceerisücas VDs-ID del FET.
Hd=CTÑómcjl
m.2-69
`cApimno ii : POIARIZAclótr DeL T"si8"
Si incrementamos VDs hasta que sea lgu?l o mayor que el potencial de contacto
í:ee'eirg.tdee.:ia'inc::ó:oxÍ:-|:Tu)nin:pá39mr::L|.::,::md:n=riEif|ScT:ná':fanz:::nd:
transic-!ón W aumenta; por io tanto ei áreá dèi resistor disminuye, ya no habrá reladón
lineal éntre VDs e ID. A medida que aumenta el valor de la tensjón, Ia resistenc¡a
equiJaiente también aumenta. . ` : ,L.`
\Sí.continua aumentando VDs, habrá un valor para el cual la reg¡ón de agotamjento
ó de transición superior entra en contacto con lá lhferior. El canal se estrangula; en el

punto en el cuál'se únen las dos regiones, en est! condición se cumple que W=d/2. A
la tensón VDs qlie produce el estrangulamientó, del canal se denomina VDss (potencial
aplica,dó entre S y D que produce la unión `dé las dos regiones de agotamiento) la
tensióh Vpss es conocida con el nombre de la tensión de Pinchoff (Vp). La segunda S
significa sátura'ción, la ecuación de VDss es.
VDss=¥-Vc
Incrementando VDs, la zona de contacto se va ensanchando hacia el D tal como

se muestra en la figura 2,29. En el momento de alcahzaÉ`!a región de saturación, la
corriente por el canal no aumenta más.
vop RD
'¿>,t
Figura 2.20 Zona dq esbnouiarniénto del canal'.:.'
ELECTRÓNla
CAP.2-70
• .: i.,.i? .il/ :,+.`, . :` `.(`: ¥: ,.,,
•,:'?í'ü`..+. •f=-'.``:i,'l`,.;,:Í.?.'`:;,,::7il,.:,..,,,:',,;;,
:;t`¥#i` !í!t¥-? `;`1
`,
'' - ''`1 ciéírtiio ii i.m:âizhci

Dm -SIS
Nota.- En elLpunto de unión de las 'dos zona; de agotamiento se foma
g::,:Écáa:ctj:;i:,ee's::e==i:;Árá,a'ymaf:::'::o£ii::táuaeu:.e:tean:uavn.dsoa:m':
un`.`Po'¿o ia corriénte, es decir ia caracten'stica noès córhpietamente horizon
` `sin6 tien`de ?L subir,, esto se expl¡ca tonsiderando que el potencial fijo
t. `` menclonahos anteriormente no es del todo`fijo; sino que se desplaza ,levem

` hacia el teminal de D, a .medlda que aumenta la VDs, de mod® que la longitu(
canal disminuye y por ende La resistencia aumentando la com.ente.

Los portadores en movimiento (cuando se ].untan las zonas de tran6ición) ci
por el canal igual que en un transistor, es decir como si estuvieran suberando
barr€ra'de energía potencial o mediante el efécto túnel.
Caract¿üsticas`.del FET
Ahora.;',,.pole.r.}zanjo5 .externamente la compueh tal como se anal¡zó ene

anterior, sü'pongamqs,.primero que VDs es mucho menor que VGs+Vc la zon
transición se despláza,''uhiformemente hacia el canal y en prqporción reducida.ha
G,'\disri.muyendo ei ánEho efectivó dei' canai,-iógicamente ia corriente que circula
canal "será mehor ' cuando no se polariza la compuerta.fuente con una te
L cohstante, debido
el dispositivo.ve reducida su sección.`nomal del canal por upa
polarización inicial nte tal cómo se indica .en la figura 2,30.`
Flgura23oZonadeOánslcióndmrid¡dasobreeicarialconprep®larizac]óndePiiertaFuenee.
Si se aumenta ,úD3 (VGs=constante), hasta alcanzar el.va!p_r .d.?.VGs+_Y:i_LS_:

La zona de transición difundida en el ca
produce
r' el _efécto
__-__ _-__ _ __ indiÉdq.en la figm 2.31.
se ensancha hacia ei b h]ásta est-ranguiarse, fomándose un Éotenciai fijo en el ca
Si aumenta VDs, la región del D se ensancha aún más.
El potencial VDis; `due. próduce la satuTación cuando VGs es .diferente .de c
EmcTRÓNzm
Cap . 2
. `, c»Itknlo 1I : POI^RZZAclóN Dn "Nsis"
resu'ta.
V"=¥-Vc-VGS
En esta ecuación se observa que si la polarización inversa de la compuerta a la

fuente VGs' se incrementa, ésta polar¡ziación`.produce una dismlnución de VDss,
as!mis.mo en lá figura 2.32 se observa que para Válores grandes de VDs se producirá la
ruptura por ávalancha, y ia corriente de D a.umenta considerablemente hasta la
destrucción del dispositivo.
• VD0 RD
Figura 2JI Circtilto de polarlzaclón del FET y zona de trahslclón dlfundlda en el canal.
[DSS'
: Vc,s-O
i i:¡
VGS--lv
Vcls--2:N
Vcs=-3V
:(
V cjFN "FFN p
:
VDSS VDs_ VDS
F¡gura2.32Caractedstic.stenslóncorientedelFET®oncanal`¿,ü+!lLepzado,
E=czRáNicA
CAP.2-72
CflpITtno l1 ` : .E.OIARIZZ\CÍóN DED "»f
Las caracterí?.és.aé b eo La con,exión tde Sc 'para u'n LÉh típicó de 'cana
;:r::eí:bs:nhf:::¡#B:dseáí¥::ncían mostraaa..en
e].emplo el caso VGs`±q: . `.§i -h=q el .canal eriri las uniones``':de'pueü fuente y ,
`drehado_r-testá' tomÉtg.taüe'n`te .?bi€fta.. . Si se :a`p|ica una. tepsj`Óri`, VDs`pequeña, ' la
tipoN.secom`porta'com.Ó`.,u-na`re;isténciasemiconductoranoErial,y*aÍ-corriénteiD
l€___'____L_ __ _ ,, ,`,
iineaimente con vDS.
`.Conforme ia éorriente aumehta,,`la caída :de tensióri '€nri\ la' .§
invérsamente la unión,-(c9p`p.uerta-fuente) y la, parte conductora delca`naJ`` comie

•Como Ja- ca
estrecharse (por increp.?nto vde :-1_a:~2ÓnaTqe-transición
-_. _ _ _ _
'en lá-iûntrira).
_ _ -
+
___ __ +-._---_,_ _-_ -------
tensión ès \a`'io iargQ~}aéi, cahai, :ei éstrechamiento no es..Üniforme sino que e
:mn:íesecocna#:':atigh,:inad:s:ecsonm=y:tré.L':%n::iautnean::óhnsi:np:#gen,:a:::,l|el
`.'
conientelitseaproximáaunvalorconstinte.
:gp, . ,í,.
En pr-ificipio} naturalmente, no es posibte que el canal se cierre completame
Ió=0, ,porqiie'Si ' estó,``pcürriese, la cai'da de tensión necesaria `para polarizar.em inv
la. juntüra compue desaparecen'a. . Obsérvese que 'cada cijtva caracterí
presenta una regió valores~pequeños de -VDs en la cual Ì`D es proporcional
También aparece eri` éadá úna``dé'.eii'as una región de 'corrieh[e constanté (saturaci
para valores grandes Vb`s; `€nla cual ID apenas depende de VDs
Si se aplica 'unahsión de.`G con respecto de S (VGs) de tal `sentido que polar
inversamente la un¡óñ; la éontracción o¢urrirá para valorés de VDs más pequeños y
ID máxima será inferior. '.
La tensión qu e puede aplicarse .entre dos temnalES cualesquiera del

es la tensión para el .qúe aparece la ruptura por avalancha 'dé la bárra de
drenador.
para un vaior eiévá:do de `VGs, ei dispositivo se pón_?.,ai `corte. y

corrie'nié-(i;s reai¿nes dé. transicíón--éntran én conta,cto éstrérchío éoio` `bór ta
de VGs), ésto si6nifica`átié no hay rTòvimiento de pórtadores,en eL c\áhai. Ei vaior
VGs que estrangula totalhente al canai para ei cual iD=o sé dénomina potencial
estrangulación ó Pinchooff (Vp=VDss).
Transistor de efé:¿bq de cámpo de compueria aisbda `MOSFET
El desarrollo de la tecnòlogi'a a establecido dos tipos de trahsistores unipolares de

compuerta aislada, los -ídosFET de inducción (enriquecimiento) Ó canal inducidó y OS,
EaLECTRáNicA
m.2r
•- ,;i ¿.
-j.-, CAPITt7IÁ] 11 : ELOIARIZAclól¡ DEZ. msisi§TOR
fT:asoFFmiedn:o ddee:`::¡uónno d:eemstp:sbrft=í=¡¡;:tr°é)s, desarrollaremos los detaiies de

` .P.'
.`` .J,.
E!í:funcionamiento dei trensistor dèb efedo -dé éa`mpo de puerta aisiada (iGFET` ó
MOSFF) es similar al funcionamiento del FET q.ue se estudió en la anterior sección.
Sin emt-!argo, háy aigunas diferencias básicas qüe dan al MOSFET una-capacida`d y una
impeda.ncia de entrada más elevada que lá del[ET.
MOSFET de inducción.-
*
En la figura 2.33 se puede ver la estructura='`fi'sica de un transistor MOSFET de
induccién canai N. Estos t.ra'n.Sistores se constr++y_eri to`n tecnoio§ía de difusión u otros
mecanrsmos afines.
Este aisposit.p{p.cg.nsiste en un substrato tipo P, Iigeramente'dopado en el qúe +se `

djfunden dos regiori.és -huy dopadas tipo N. A conti"ación se,``foma una capa de
bióxido'de Silicio` á través 'de toda la superficie del semiconductor y en esta capa de
óxido se practican véntanas sobre ias regiones tipo .N para ` reaiizar ios contactos
eiéctricos de S y D. Pòr .últihio se deposita una peli`cula metálica sobre la región tipo P,
est? peli'cula metál¡ca §e co.nstituirá en el terminal eléctrico llama¢o G.
Para jlustrar |a estructura con claridad es necesario increme'ntar las dimensiones

reiativá`é`. En rea.iidadèi árealtota' dei substrató ocupadó pór .un transistor MoSFET es
del orden de 150üm?-(H=micras). ` Las regiones qe` fuente y drenador tienen
proftindidades-de entre 5 y ioim y están separadas solamente 'entre 10 y 20LLm (L ,
en la figúra 2.33.), la capa de óxido suele tener un' espesor de O,|pm.
E"C-a
CJP_2-7a
:,-`1+` -ri.`` i,il ,`
!.1-
`'. -CAP'|Lrino l| ! PóliRIZACIóll Om mmslri
El conjiinto, metal dieléctiica Si02 y el semiconductor del canal en la G,foman

capaci.[or`Plan,?.„S.:
:P Fargas p`9`f#?S Y,Tegativas en l.?: Car?:. T . L`
1 -.,.. _ ..` --' .. .
cu-ár`Ááá éi té.riinái`\`^d`; compuéria esté en circuito abte'`fto'',èri-tp S ,y` D no 'hábti

canal cohductor, `é!', '`ü,atén'ai dei substrato ènbe estas regib,he§,'`Jtiene una resistivid
eieva`da+ pero rrnitá;`.`f-.}á-.;:`+egióñ ¡ntemedia èntre -.S 'y :` D.` sé`L¿!.:á`¢ó`¢ia`n .r`á .qpvés dE :i:
juntüras: Aplicando..'uña-tensión entré S y,' D dé"alquier -po'lá.ridád, ,por' Jo``mems una
de las junturas estarí pótarizada en inversa impiqiendo así la conducción,
é::::;n:::::F:Tfi:c:::one:s;;;i,,:u::-::át,:Í::'::o::;t;:;,ánfeía:e:m:o,;Eopi::ei#;:n:,t:e:
bajo el terminal,.de` q Se crea.`ú campo eléctrico dirigldo de la carga positiva+a la
negativad#`semicon,qufiordelsubstrato..
4i_l ` .,..
' Si VGs`.-es pequffa` las cargas negativas necesarias pam compehsar las ca
pósltlvas lúiucidá.s. por.: la polarización, son suministradas por los.`átomos de impur

àceptoras idnizadosie`n ?1 material del.substrato tipo P.
proáuscievuGnspaau=edne??';::Sricnaep:?dsefijasss::icst"nd:uáa:::,:;;P#::::=,=Ópnu:dj:--
compensar el ¡ncremÉpto.`.:bródvéido, de` cargas.,positivas.déi'J:a.. compu .-i;`.':Por e#e
efecto .ei canai `coniie`n±.á-^á..irenáfse; d.e poridorésL de corriente `(eie.rirónes)
mayor es VGs mayor §.er'á-.`-ei ñú'Üiéró` de Portadores en ei éariái...Éntóhces,' se forma! io
due se llama un caná'l in.dúcido (enriquecido). Si ahora se áblicá una VDs tendrerhos
un flujo de corriente entre los téminales de S y D a través dél. Cánál ihd.ücido.
Variando VGs, Varla núrneri de portadores, por tanto vá`ri'a la ¿ónductividad del
saturándose la corrienté á.partir de una vDs. i
Líneas de cambg J éléctrico se establecen entne el meFl ``.} Sem`!conduF!or>p

potencial aplicado a la coü.puerta``(para pequeños potenciares): Si e| b és más óosi
que la S se genera un cahpo eléctrico dirigido del D á Ig G, oÉ)ue,sto al campo c|ue
induce el canal tendiendó.' a elimihar Jos portadores, por lo qüe:él .caná! disminuye
esa región. Para :.ívál.óres cr?cientes de VDs, predomiria -ei: campo opue
:e#:a,#:redn°d:',aüpp#:#U::mveGnst,es::.ar::duen:a.::%:nd:ea:a:ai:;n,Tec:i:`:
próximas a N resuitandó éómo dos diodos en oposición por lo du.é no háy conduc¢ión|
Eld=CTRÓNICA
¿ h` J. CAPITtno l1 : EÒ¡^f`=ZACI6ll OzdL "AltsIsmR
Polaridad invertida
G + _C -
• ++++++++
+ + +_*+-+ 1 +
.,',',
_ `++++++++
++++++++
++++++++
•-++++++++
N P N N Pr- N
Canal inducido
Cañal inducido
•liH
Figura234Canal!nduclqo,?de!.MOSFEr,CafmldelMOSFETdei]cpl;dón.a)Canalephquecido.b)Canalen
polaridad lnvertlda. -
Del análisis realizado se establece las características V-i del MOSFET de

inducción, resultando:
Flgura 235 CáTacten`sticas de teiis¡Ón coTTiebte. a) De salida. 1)) De entrada del MOSFET.
En las caracten'sticas, se observa que. VGST=Tur-on (conducción) valor a partir del

cual comienza a conducir en forma apreciable. El fabricante nos informa en la hoja
técnica VGST e ' IDss, por ej.emplo: VGST =1V, IDss=10mA. De lo analizado se ve
.claramente que este MOSFET funciona con una sola' polaridad.de V¿s: Los transistorés
-,'+'.-.`.`
tuen#Ó!:~redseFCTmyó-:Mé°i§Fn=:8v¡an;gumc¡C:!#d~:q:rueep:,"£¿es:'ÉETd.ed:ncdauncac'¡oFnndeece:;:ar£
ELECTRáNicA
CAP.2-76
.,.i:`_.:,.l_..,:+.:.,`1,. •`:.:::::..:;`:,:;::.::,`.;i:..`
L CAPÍTtno lI : t.OLARiz^ció!i E>EL _gIsh
utillza una tensión .,€e compuerta .Jpositiva. Tamblén, la `proporcional¡dad `.entre
ino::d::Ói,dn:#d:ae:na::iig?::Í:|sGÍ::í.e:in:;?eu,eadTd::s:if:e:r:náe;.igái-i:'EenTe:,'Maá::,n#;
conductitidad del h'i;:mó: ` .
-:--,¡ .` ,.' .
MoSFET de Depiáxi¿n+
corriente
N) las ca re£ sunpoFSTj:::nedbuec¡:::Sh::eid::ensosm::::ti::{e:'eciai:r:iapac:r#:nTea:ee|8
disminuye qanto más neg?tivo es VGs. La redistribución de cargas en el canal prod(
uha deplex!ón o ernpobrecimiento de portadores mayoritarios de doride procede
nombre de-.MOSFET ,de deplexión ó empobrecimiento, obsérvese-este caso en la fig
2.36 las 'característica§ tensión corriente del MOSFET de deplexión son slmilares a
déi FET de uni`ón. '`
Flgura 236 Esqiiertia del MOSFET de deplexión.
' Un MOSFET de deplexión puede trabajar también en éÌ -\mc)dó de acumulación,
a los poridores de ia, Zoriá dei canal, es decir el disposltivo fuhciohará por agotámiehto
del canal.
EmcTRóm®
CAP . 2+77
PI
u
Cri}gtqo lI : PonRIZACIóll DE1 "^NSIS" -
E=
-`-
u
-
-
Vcs
Flgvra2.37Caraceeristlcasdctransterenclaygel|d.de"oSFET.
Símbolos: Es posib[e sacar al exterior la conexión del substrato, teniendo así un

dispositivo Con cuat'ro termina|es.. Sin embargo la mayoría de los MOSFET son de tres
teminales, conectándose intérnamente el substrato a la fueht?, en la figura 2.37 se
muestian los distintos símbolos utilizados por los fabricentes. A19unas veces también se
utiliza \el mismo .símbolo d.e los FET de unión pará `representar el MOSFET de
deplexión, entendiéndose que SS (G2) va conectado internamente a S.
En la figura 2.38 se indica los si'mbolos, el sentido de la flecha en la puerta del

FET y de los MOSFETs indica el sentido en el que circulan'a la corriente de puerta si se
polarizá directamente dichá unión.
Polarización de lo: transistores unipolare`s.-
Como se establec¡ó e`n secciones anteriores.~e}üsten do.s-..tipos de transistores

unipolares: los de efecto de campo de unión FET, y lc)s de efecto de campo de puerta
aislada MOSFET y ambos son de canal N o P, del MOSFET existen dos tipos, los de
deplexión o emppbrecimiento (tienen canal físico), y los de inducción o enriquecimlento
ó acumulación (no tiené canai físico). Estos transistores tienen diferencias físicas en su
funcionamiento y control, pero se los útiliza como un amplificador o un conmutador, el
que desempeñe una u otra de estas fimciones depende esencialmente de la
polarización ó puntó-de.funcionamiento estático y de la amplitud de la -señal de entrada,
Eáapá:iotrdaen:Ett:j:z:::edsee':actcjomn.::sne,,e:e'ap::,:::inueti?,:Í:;fauss:i:am::rí#|;r::::
EIEC-CA
CAP.2-,a
'¿Lr.\L '
!Q¡jiiñízA,cióiT
'
t>EB, miìisisbf`
Ios c¡[cuitos de polarizacióh de iós pa`ns.istores bipoiares cón ,liriÉS- mod¡ficacíones pbr
el he¿ho de las d¡fe+ehcias en su cohtrol.
'-1` \ . _1
FET Cáml N ` FET Cmal P
MOSFET de Deplexión cana] N MOSFET de Deplexión canal p
MoSFETdc inducción cenai N MoSFET de inducéíón cmai p
'` '- Ü
-. ` Figura 23® Símbolos de los banslsbres unlpolares. /
1.
de los transistores bipora,,res, ei punto Q de trabajo se m,antiéhé estabie dént'ro ide

valores apropiados paíá `las váriaciones témicas, por la concprréhciá simultánea de dos
eféctos en la zona dél `canal, en camb¡o la `dispersión éñ' los parámetros de 'Ios
tran`sistores de la mismá famllia y fabrlcante están presentes, por esto q
:eJáe:
tiatamiento de la estabilidad del punto de trabajo no es necesario realizarlo, si no más
bien utilizar circuitos d.é polarización que apliquen la realimentación pára compensat la
dispersión de los paráhetros del transistor. . '
En los transistores unipolares el control de Ja corriente de drenador en el circu¡to

de' saiida .es por ia a¿ción de una éénsión en ei c¡rcu¡to de ehtrada, .esta reiación " es
linea`l debido al térhihó :cu!drático en la ecuación dé Shotkley qlie controla a llos
transistores FET y MoSFET dé depiexión o empobrec¡miento,
BLECTRÓNlm
CAP.2-79
U
-
-
_` ` }--?_
cAJ?IrtJio ii : POIAHZAclóll DEL TRANslsTOR

-
V
-
E=
n los transistores MOSFET de inducción' o enriquecimiento (acumulación) la

`-
ecua¿ión de aontrol es: -
'']D = ko/GS . VT)2
-
EE
Con k -
ID encendido
orcsencendido-VT)2
J
EI
En los trehsistores unipolares por la estructi;ra física y el tipo de polarización de U
las junturas se aplica normalmente la siguiente condición: J
-'
1¢ = 0 e ID = Is
U
En base a las ecuaciones de transferencia él análisis de la poiarización será un
J
enfoque gráficg y anali'tico, tomaremos básicamente la .configuración fuente común y al J
finalizar haremos referencia a otras topologías. V
J
Polarización del FET J
J
EEZ
Pára fi].ar un puno' de trabajo en ia zona lineai de ias características V-i y que el
transistor trabaje como amplificador se debe polarizar en forma inversa la juntura J
fomada por G y S, aplicar una tensión positiva al D con respecto a S en los U
transistores de canal N y negativo al D con respecto a S en los de canal P. J
J
Polarización fiúa`compueria fuen€R.- EI
J
El ,circuito de polarizaclón simple y de fácil cálculo de sus cgmponentes es el de u
`J
polarización fija, el circuito utiliza dos fuentes de tensión de``continua, VGG Para
polarizar en foma inversa la G con respecto S y la ótra VDb para permitir un flujo de -
corriente de drenador hac¡a la fuente, el circuito esta representadó en la figura 2.39.
Para las componentes de continua (f=0) los capacitores se comportan como circuitos
abiertos, la resistencia RG en el circuito es de un valor elevado para posibilitar que la
señal de alterna pueda estar presente en el terminal de compuerta del transistor, Como
la corriente de continua de la compuerta toma el valor cero (IG=0) porque la juntura
._+ cohpuerta fuente esta pglarizado en inversa por VGG pór lo que .representa un C¡rcuito
abl?fto,.P9rJo;,tantgm.ocircula c,orpente 9e continuapor RG. ,,i!,.b. [ ., .
Ei4!c"áNicA
C».2-eo
-,.,. :i.in.-
_1
?.`.€~,t,-:.={` ,.., r,:..? --,, ' u :, ,.ííw t , ,-t.h .,,-.. !.
czipirtno ii-` :`. %ÉffiízñcióN Dm mz`Ñsism

`.` " ` ,` ,--. i+ ` -'.,`
` Figuri 239 Cir\culto de polar¡zac¡Ón fija del FET
VGc+t.GRG+VGs\=°
i` Como lc=O resúíta `para la tensión compuerta fuente.
VGs = -VcÑ
• ` `. -'De :está ecuacióñ.:` Sé conciuye que ia ,tensión 'compúerta /.fü'ente-ès .de-`qn vaJor
constante O/GG) y por ésto ei circuito se denomina de poiarizáción fija,.normaimente del
FET a ser polarizado sé conoce la tensión de Pinchoff (Vp=VDss), nos infoma el valor
de esta tensión el fabricahte en la ho].a técnica o en la5 caracteh'sticas V-I ademá§' de la
corriente IDss corriente -máxima entre drenador y fuente cüandó no se polariza la
juntiira compuerta `fuente, .por lo que, detérmjnando VGs se caicuia ia ¿orriente de
drenador (ID) que impóne el circuito de bolarización mediante la ecuatión de Shockley.
D-ID+¥)!
Recordemos que para ios FET de cahai N VGs y Vp soh nééativos, en cambio para
los de canal P son positivos. Con Jos valores de ID y VGs quéda qet€rhinado el, pupto
de trabajo estático del ci`fcuito de polarización, recondemos qué la resistencia puesta Fn
§:r::n:a:d:o:r::c:r,:#±uuea:c::;:irr::S{:=nesn:C;ay6odred:PT:c:::C:,:o:Xd:::aq;;iüi::eud:::¡:e:Íi::c:;'ní#e:
va'ores.
EmcTBstcA
cAP.2J01
u
'
-'-
B}PITULO 11 : POIARIZAclóN Z>EI, mAmi§"
-
•VDD = ioRD + VDs
-',<
-
E=
•.Esta ecuación tiene dos componentes una de continua y otra de altema que
f,- EE
resulta'n:
EEi
yDD = ap + id )RD + wDS + V8.t

u'
vDD = iDRD + vOS (componente de continua) -

`-
o = idRD +vds (componente de aiterna)
`-
Con la ecuación de continua se traza ia rectá de Garga sobre ias características.V-I
de salida, de la misma manera como se hizo en los transistores bipolares. --'
El circuito de poiarización anaiizado también se puede resoiver gráfieamente EE
construyendo sobre la cuiva de transferencia determinada por la ecuación de Shockley U
una recta de carga, para graficar la curva de.transferencia del transistor es suficiente
conocer IDss que representa el punto de intersección de la curva con el eje de
J
E=1
corrientes (iD) y la tensión Vp que también es la interseccióñ de ia curva con el eje de
-tensiones (VGs). Es decir, determinando cuatro puntos de la curva de transferencia Con
los siguientes valores de la corriente de drenador ID=IDss; ID=IDss/2; ID=IDss/4;
ID=O .Jse calculan los valores de VGs con la ecuacióh d? Shockley, por los puntos así
deterúinados se traza. la tcurJa de transferencia cón el valor de VGs calculada del
circuitó de polarización se traza a una línea perpendi¿úlar 'al eje de tens¡ones hasta
interceptar, con la curva de 'transferencia con este punto se determina la corriente ID
de polarización,
En el circuito de polarizacjón fija se usa dos fuentes de tensión de continua, esto

constitu,ye una desventaja de este circuito de polarización, para resolver este problema
se usa el circuito de autopolarización. .
Ausobolarización del FET
La topología circui'tal de autopolarización del FET es la misma que el circuito de

autopolarización del transistor bipolar, por lo que las ventajas analizadas anteriormente
de este circuito para ei transistor bipoiar se epiican ai trans¡stor unipoiar con áigunas
variantes recordemos que los transistores un!polares no tienen los problehas témicos
de los bipolares, por lo que se requiere estabilizar solo la dispersión de IoS
parámetros del transistor, además la juntura compuerta fuente tiene que` estar
polarizado en invérse y la`corriente de compuerta (iG) es cero. Con esta consideración
el.c,ircuito de autobolari.zación para,Jun ,FET de canal N es: .,
=LEC"ICA
CAP.2-02
''í''.
•,., _.. cAP±rio.IÍ
--'..i-._ s-
Cpmo en el circúto autopolarizado para los trarBistores bibolares, en el circuito del

FET sé :aplica ,"evÉ`hih entre el TerTninal de compverta y el común al circuito
J. -,` -..-. r .-,-- k .'-, :'.-,fí
resultando: ` ` +.`'í`''.
R2
R,R2
RG
R, + R2
tEns¡oE::r::¡:;cr¡:::¡'t:rüt:es::edpare`S§nbenlafiguG2.40,Planteemoslaecuaciónde
V® =á!aR¢ + VGs + ISRs
.,^
` Como~Ié=O e lD=Is, y despejamos vGs
Vc¢ = .V¢s + IDRs
Vcs = VcG -IDRs .
`'-En esta ecuación :VéG. es positivo,` como ia juntura de.-entrada ..compuerta fuente
debe estar polarizada. jnversamente, se `concluye que la teipión lbRsi`debe-ser.'.`mayor

'que VGG, es decir `que la polarización depende de la corriente`del drenador (Ib) y VGG.Í
Con la ecuación de la tensión compueh fuente VGs) y conociéndo del FET la

caracten'stica V-I de trahsferencia se traza la recta de carga para el circuito de entrada,
en la jntersecclón de esta recta y la curva de transferencia Se determina el punto de
trabajo y los valores de lD, Vcs, para esto: .
L |.-S¡ |o = 0 + VC; = VCC
2.-Siv¢s=O+ID=¥
En muchas aplicaciqhes se reemplaza el divisor de tensión resist.Vo del circuito de
in2=¿a,=;u=st#rir::i:e£:,EuevstG::3Ú;liacoffmupa::óftnaáéel,:ermm:ñ:'á:meúnná::]soé
transfoma en.
VGs = -IDRé
8L=C-CJl
CP.2-8J
-
+
cApietno lI : Eòi^nizAcidi DE& "NS18"
-
EE
-
EE
U
VDD9 -
• R, RD +iRO
u
iR,ic
'
11
-_ yD+VDS
Cg i=-
Vos- +-k
- T
R, RD+'RD
F2-.,-Rs
T
1
J=is Jt+L
11Cg Vd,
úiR=+
Vg, h
R2
Rs
T
Flgura 2.40 arcLilto autopeladzadg para el FET.

'-
J
En este caso el potencial IDRs se encarga de polarizar en inversa la juntura de u
entrada, es .decir, que [a polarización depende de la corriente de drenador ID, ù
reemplazando la ecuación de VGs en la de Shockley se obtiene la solucióh matemática U
del punto de trabajo determinando la corriente de drenador (ID) y la tensión compuerta
fuente (VGs) la ecuación resulta.
ELEC"NICA
CAP.2-e4
CaE.Imo 11 : pomRlzAclóN Dm "AÑSIstóR
ID-IDSS
ID-I-(,-¥,2,
ID.Ims("¥)!
Figura 2Al a) Recta d® carga oon divlsor de vo]ta].e b) Recta de Carga cuando Vcc = 0
Procesando resulta :
JPÉ=vp2+2VplDRs+I;R¡
IDSS
I;+(2¥-#)ID+¥-o
ResoMendo ,a e¿uación sé determina e, va,or de ,e corriente de drenador que
el punto de trabajo ó el valor de la resistencia Rs que permite fíjar el punto de trab
adecuado
Emc"ICA
CAP.2L85
Cjolmo ii : f.OIARIZAcló!l DEb q"sIS"
En ambos circuitos de autopolarización planteamos la ecuac¡ón de tensiones en la

malla de salida para trazar la recta de carga sobre !as caracteri'st¡cas V-I de salid'a deL
transistor resu lta ndo :
VDD = IDRD + Vos + I;Rs

?.¿Jítr`-.?. . .
.`. :.!f`` ,.. '
como es is=iD
VDD - VDS
RD + Rs
Para la recta de carga
1) Si ID = 0 + VDs = VDD
2)Siv--o-ID-¥
[D•DQ
IDSS
i vGsj, :
!
'!!1ii!!¡L
\Q V:£
to viQ
Figura 2.42 Recta de carga en el circuito de sallda.

\ !!:
1 i v[
Tal como se indico veremos ahora .Ia condición física por la que no se prodiice
desplazamiento en el punto de trabajo por variaciones térmicas, a esta polarización
realizada utilizando el efecto físico de la variación de corriente que circula en el canal se
cop.oce .con é!...noTbre de poia[!z!ciLón para derlva nula.
•`,-_.`+~
Emc-CA
CAP_2t86
CApzmo 11 : ponRlzAc.Ió!l tm mANSI8"
Polaririción para deriva nula
`si 'éri' .ios trári4Sistóré;`\' FET rebresentamos io; .?fiéctos de ia vari?ción. de iá`s
u_ carac[en'stcas de tihsferencia con ia tehperatura ènconñremo; que iD disminuye
` -.coh. elLaJumento de`l.a temp`ératura, bz zona.`de .úÉnsición ,del. canal disminuye confome
u`
a.uTnentá'. Ia ternperatwa y esto produce .un .-aumento.de la iD. Aciáremos como sucede i . . :.,` .,..`,-;;'`.;;`. `
EE+
estos .dos eféctos:
` ``-` 1.' Cuando auménta la temperatura en. ei semiconductor produce vibraciones de l'os
u'
` pórtadores en` el retículo cristalino, < disminuyendo la movilidad,.?.('iJ) de 'Ios
` portadores, c.ohio la corrienü en eJ .semiconductor es diredamente,',proporcional
a la .movilidad, entonces p.a'ra ,un campo \Elécbico .dado ,la.-!ielocidad `dél portador
dism¡+?uye y estó réduce la corriente. Se verifica que` la ;educción de la corriente
es de-un O,7%/qc.
2. Cuan`do aumentá- la temperatura dismlnuye la anchura de la zona de transición
auméntando ei,anchó dei canai, con io que aumenta ia corriente de drenador, se
ha vérificado que ei aumento de ia 'corriente de drenador 'equivale a una
variación de J2,2mv/°C de la tensión.compuerta fuente (V¢s).
` Sj representamós estos eféc[os en -las caracten'Sticas`'de transferencia, .se
•detemina que existe `ün. ipunto de íntersección de las 'caracten'sticas r.en .Ia :que
concurren los dos efectos.Y la corriente de dr€nador no varía;`..tal.como tse\indica en la
figura 2.43.
Vcs
Figura 2.43 CaractÉ!"ca de trahsferenda.
EmcTRáHai
CAP.2-87
LJ'
• ,`tj,:'.
J
cAplTtn[o I1 .: mARlzAcldN oEI, TR»lslstoR
+
¢omo una variación AVGs provoca una variación AID, la condlción de deri\m nula,
J
-.
es decir, en la que se complementan el lncremento y la reducción de la corriente de
ZE
drenador es: , ;Lí. .`
J
o,oo7lIDl = o,oo22gm -`-
5i recordamos de la ecuación de Shockley y del parámetro de transconductancia -
.';í. del trá;nsistor. -'
'L.
J
EI
EE
ZE
gm-gmo(1-¥) -
U
= -2LE
movp V
u`
Procesando la condición de deriva nula V
E\1
0,0022 U
M07|ID|=0.0022gm+#=
0,007 U
EI=
fl-o,314 U
gm
Reemplazando de la ecuación de Shockley y del parámetro resulta:
1"(¥)2
=O,314+|Vp|-|VGs|=2(0,514)
Vp - VGS
Vp 1 Vp
|Vp|-|VGs|=0,63
Como se conoce el transistor FET a polarizar, por lo que también se conoce el

valor de Vp, y Con la ecuación anterior se calcula VGs, y utilizando la ecuación de
`t Shockley se determina la corriente de drenador ID, con lo que .se establece el punto de
trabajo del transistor en las condiciones de deriva nula. L`.``,'.
ELECTR6Nicn
CAP.2-ee
cZLplflno lI : POIARIZAclóN DEZ. mANSISTOR
F],olarización del MOSFET de deplexión
La éaracten'Sti`ca V-i de transferehcia e5ta deterhiináda ;2`bor ia ecuációh de

Shock]ey, para el transistor` MOSFEt de deplexión o' empo.Precimiento se usa los
. `.` tircuitos',. qe polarizacün :y. lasL'probiedades de!_`FET ,,.,solo.>``jsériresenta una pequeña
` 7 ,variant'e, Por el hecho,.de.que este.trahsistorLpuede,operar£cgn.'hi`v'eles.'de€orriente de ' ' ``-t. '
• drenador que exceden-de IDss y,con itensiones T)egativas y.ijosiüvas' de polarlzación de
la compuerta-fuente.L,. ' icon .[a ,infomación Lder `fabricante\,t,o .ton -.el análisis de Jos
princípios físicos de éu funcionamientó se dibuja ia curva ide,.`transferencia de ~este-
transistor,~ por lo' éxpüesto. no. haremos'-más 'rEférencia de los `,£ircuitos de .polar.Lzación,
en la figura 2.44. se m\üestra la .cüfva 'de transferencia y un` circuito de polarización, el
lector puede, establecer toda la semejanza con el FET.
Flgura 2A® aocìlto dé polaiizac¡ób del MoSFET dc deplexlón y característica v-i de transferencla.
Polarización del MOSFET de ind.ucción
El control de la corriente de drenador de este transistor es li!é.ramente diferente

del FET y MoSFET.de -depiexión, tai como se estableció cuando ánalizamos las
caracteri'sticas V-i de transferencia de este componente, adehás [a ecuación de
control, es diferente a la ecuación de Shockley ya que en este dispositivo la ecuación de
transferencia es:
glÉCTRÓNICA
-U CAP.2-89
Jll
J
CAPITUO II : E.OZARIZAcldl OEL tEt"SISTOR
J
[D = kc/Gs -VT)2
-
`-'
En está ecuación VT representa la tensión de umbral, es decir, que para tensiones

Compuerta fuente mayores a VT la corriente de drenador es diferente de cero y crece
con una ley cuadrática que depende de la tensión aplicada entre compuerta y fuente
O/Gs), Para tens!ones menores o iguales a VT la corriente de drenador es cero, k
representa el parámetro que nos indica la condición extrema de la tensión aplicada
entre compuerta y fuente para el que la corriente de drenador se hace diferente de
cero y esta definido como:
Ihccqdido
WCscnccndido-VT)2
FiguTa 2.45 Caractcrístjca de trarisferenda del MOSFET de lnducción.
Para la polar¡zación de este transistor MOSFET de indu.cción de canal N, la

tensión compuerta fuente debe ser necesariamente pos¡tivo, por esto básicamente se
utilizan dos clrcuitos de polarización que toma en cuenta la dispersión de los
parámetros del componente, Ios que se denominan como polarización drenador` a
compuerta y el de autopolarización con divisor de tensión en el circuito de entrada, Ios
circuitos se muestran en la figura 2.46:
El análisis de estos circuitos de polarización se deja al lector puesto que son

slm¡lares a los realizados con transistores bipolares, para deducir las e€uaciones no
oMdar que en los MOSFET [a corriente de compuerta es cero (IG=0) y que la com.ente
de drenador es la misma que la de fuente (ID=Is).
EmcriICA
CAP.2-90

Transistor CapII

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caEln`no lI : polARlzAclótl Dm TR»isISTOR

Los dispositivos de tres terminales son los compon.entes básicos de los

Para un mejor comprensión y análisis de los transistores es recomendable utilizar

Detallaremos primero a los transistores bipolares y luego a los unipolares. .

CAplmo lI\ : POIÊÌZ^Cló!l Z>EL TEÀNsla"R

Trahsistores Bi pola res

i..) ,`-..J':. Y '+ `Figura 2.i concentradóA de lmpiJrezas.

CAPITULO II 2Aclóz. óE;i "SI8"

Vamos a ref?rirnos a los tran¡ .1de difusión tuven el elemento

F¡gura 2.2 Trafüistor PNP y NPN.

Én ia flgura 2.2 éi circuito de entrada (emisor, t)ase) y ei de saiida (colector,

Para polarizar el diodo PN en forma directa se debe aplicar el polo negativo de la

F¡g`ira 23 a) Poladzadón do la ]LmbTa de colect®i7 b) Polarizadón de la ]unq.ra.emls®ra; c) Polarizadón del

Si ahora se jv,ntan los dos diodos polarizados de la manera indicaqa, ta

portadores mayoritarios £h esb región y que se encuentran pgr;debajo de la barrera de

Para' evitar las ''.1

Parámetro de los transistores bípolares

El parámetro natural que se d-efine-bara estudiar a los istores ,bipolares, es el

El ¿omportamiento de este dispositivo de tres capas.(l.]amado transistoF) será

tomar é`ñ cuenta una constante de integración, pór tanto tendremos: i

V p= gradiente de la concentración p (en la base)

•``:;'``.Ó _ .,-. `_-, P I-Í```:`.': ..,.i'.. P -' -h , '.

El gradiente es la relación del desequilibrio en la longituq.dé base. Para calcqlar la

El desequilibrio es cónocido porque .corresponde a un diodo bolarizado en -forma

En equilibrio, cuando la JE no esta polarizada los porta-dgres del é`misor

CApi"O II .1 POIArilzAclóN `Dm T"SIS+OR

:;¥ §í§:í;¡¡::Í¡T=:ní:orr:Í:rí§o:, e:n:,e::;Íe:s:,r:coonndduu:oorr t:ppoo : |

(CC), manténiendo el cólector

el `ñovimlento de ios portadores minóritan.os dei coiector a P báse,.si `se desconecta el

Para d)lculár icBo se utiliza la condición de corriente nula en el emisor (IE±O).``' Si

la c'orriente inversa déi cií-ódo, pero puesto que y es aproximadaíh.ehté igua] a +1 y no

El transistor en lt)\s \circüitos

La .apiicacióp de ios .transistores en los Fircu¡tos elecqóniéós. radica en...utilizar

cri,± ' ` II : E.ozJ\RlzACIÓ!l eEb mANsls"

Flgup 2.5 Síii`bolo de los tranilsbres PNP y NPN.

Características tensión corriente

La aplicación de los transistores en los circuitos electrónicos radica en utilizar

En la topología EC ei {teminai dé éhiisor és 'común `ai cijcuito d.e ~entraáa y saiida,

la-se'ñal se aplica en ei terminai de base y ia`saiida se obtiené en ei teminarde`.emisor.

Estas topologías de aplicación del transistor se muestran en la figura Z.6,

Floura 2:6 ,Cahfiguraa.ones o topologías bás¡cas del trahs¡stor PNP y NPN

T) Configuración base ¿qrhún (BC)

VEB + Vcü = f2 0/cB + VcÜ [E + íc)

En aplicacióp del principio de superposición pueden ser separados pan el análiiis

VEa = f2WcB.IE) '

En 'este uriidad solo consideraremos las componentes de contihua resultando: Í

CAplerió ZI : E"ARIZAC16ll I>ri "AelsISoot`

y.`§entido dei imovímiento de ios portadores p,ositivo6 {ñüeé.o,s) Ó es opuesta a ia

Eh los`` ci`rcúitos de la figura 2.6 se ve que las polaridádes de ras tensiones, la

; a) ]untura ÉniíÉóri (JE)

mayoritarios' qúe` son electrones, él exceso para la fe¢opibinaéióh son exüai'dos

b) Juntvra Colectora (Jc) u

€ rl -`` Ca,Plrino l1 : mmrilzh,CIÓN Ori TmNSIseoR

Barrera de eneÉi'á potenciai para ios

de un valor muy\ réducido del orden de los m¡croáhperids (úA) en el Ge.

(+) (-) (+) ,

El transistor PNP tiene el siguiente resumen de signos para ÉS corrien`tes y

IE(+)/ IC(-)Í 18(-)/ ICBO(-)/ VÉB(+)í VCB(-)í VCE(-).

Pára transistores NPN

El .transistor NPN tiene el siguiente resuhien de signos para las corrientes y

iE(-), ic(+), iB(+), icSO(+), vEB(-), vca(+), vCE{+).

VY. ' VEBsai VEB

EI ;,"v,, . CJLPI II : EelARIzicldlt DÍL mAÑSI§'ooR