MosqueraVarelaAndrés 2

Estudio de la mejora de la eficiencia en el diseño de
amplificadores de potencia para transmisores de

UAVs.
Andrés Mosquera Varela
Trabajo de fin de grado

Escuela de Ingeniería de Telecomunicación
Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación
Tutora
Mónica Fernández Barciela
2020
Escuela de Grado en Ingeniería de Mención: Sistemas de
Ingeniería de Tecnologías de telecomunicaciones.
Telecomunicaciones Telecomunicación
Estudio de la mejora de la eficiencia en el

diseño de amplificadores de potencia para
transmisores de UAVs1.
Autor: Andrés Mosquera Varela

Tutora: Mónica Fernández Barciela
Curso: 2019-2020
1: UAV: Vehículo aéreo no tripulado (del inglés Unmanned Aerial Vehicle).

I. Introducción.
La creciente demanda de dispositivos electrónicos con mayor autonomía y movilidad, por parte
de los usuarios, ha promovido el desarrollo de nuevos componentes con mejores prestaciones
y menor tamaño. En el contexto de los sistemas de comunicaciones, la responsabilidad ha
correspondido al sector de las telecomunicaciones, sector que con ese objetivo ha destinado un
gran esfuerzo a nivel global al trabajo de investigación en amplificadores de potencia (Power
Amplifier, PA).
Los sistemas de comunicaciones inalámbricos de radiofrecuencia (radiofrecuencia, de ahora en

adelante, RF) cuentan en el transceptor con una etapa analógica más externa, habitualmente
llamada cabezal de RF, que a su vez puede disponer de una rama receptora y otra transmisora.
En la rama receptora, se reciben las señales externas que portan la información a través de una
antena. Estas señales son amplificadas por el amplificador de bajo ruido (Low Noise Amplifier,
LNA), dada la atenuación sufrida por las mismas al propagarse por el canal de transmisión para
luego ser filtradas. A continuación, se realiza lo que se conoce como “bajada en frecuencia”,
mediante el uso de una o varias etapas de mezclador, que permite devolver la señal paso banda
a banda base con la ayuda de un oscilador local. En la rama transmisora se envían al canal, a
través de la antena, las señales de comunicaciones generadas desde el interior del sistema. Para
ello, previamente se modula la señal banda base sobre una portadora de RF, se amplifica usando
el PA, y se filtra. En el contexto de los vehículos aéreos no tripulados, la función de este
transceptor es la de realizar las comunicaciones con el dron.
Figura 1. (a) Frontal analógico de un sistema de comunicaciones inalámbrico genérico. (b)

Diagrama de bloques de un PA simplificado.
El PA es el componente que más energía consume de todo el transceptor. Esta consideración

convierte el diseño del PA en algo crítico para la autonomía del sistema. Así pues, han sido
propuestos diseños muy diversos del amplificador de potencia de RF a lo largo de los años. Las
necesidades de los UAVs requieren PAs muy eficientes, que realicen esta tarea consumiendo
lo mínimo posible de una batería. El compromiso existente entre estabilidad, linealidad,
consumo y otras prestaciones (ganancia, potencia RF, adaptación…) dificulta este tipo de
diseños. Los amplificadores de potencia de microondas pueden estar formados por una o varias
etapas amplificadoras, cada una de las cuales puede constar de uno o varios transistores, con
sus correspondientes redes de polarización y adaptación tanto de entrada como de salida. A
veces, resulta necesario añadir una red de estabilización con el objetivo de evitar que el
amplificador oscile. En la figura 1 (b) se puede ver un esquema simplificado de las partes más
1
Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicaciones.
Telecomunicación
Telecomunicación
significativas de un PA que integra una sola etapa amplificadora. A continuación, se presenta

un resumen de los tipos clásicos de amplificadores de potencia y sus características.
A. Amplificador de potencia en clase A
El punto de polarización de un amplificador de potencia en clase A se corresponde con una

corriente DC (Direct Current, DC de ahora en adelante) en el terminal de drenador, igual a la
mitad de la corriente máxima que soporta el transistor, en ausencia de señal. La clase A es, de
todas, la más sencilla y la que proporciona mayor potencia RF, pero también la menos eficiente.
Los PAs en clase A consumen mucha corriente continua, especialmente en el terminal drenador
(alternativamente, potencia disipada, calculada en (1)); independientemente de si tienen señal
en la entrada o no. Esto se traduce en un ángulo de conducción (𝛼) de 2𝜋, es decir, conducen
durante todo el periodo de la señal. El aspecto positivo que surge de todo esto es su elevada
linealidad y ganancia de potencia (2), dado que el ciclo de conducción se corresponde con el
periodo completo. Un parámetro muy relevante es la eficiencia de drenador, que se va a
optimizar en los diseños que se proponen en este trabajo; esta relaciona la potencia RF generada
y la DC en la ecuación (3). Las características de esta clase acotan su eficiencia de drenador a
un máximo teórico de 𝜂 = 50%, aunque valores más realistas serían un 40-35% [1].
𝑃𝐷𝐶 = 𝑉𝐷𝐶 · 𝐼𝐷𝐶 = 𝑉𝐷𝑆0 · 𝐼𝐷𝑆0 (1)

𝑅𝐹 (𝑑𝐵𝑚) 𝑅𝐹 (𝑑𝐵𝑚)
𝐺𝑃 (𝑑𝐵) = 𝑃𝑂𝑈𝑇 − 𝑃𝐼𝑁 (2)
𝑅𝐹
𝑃𝑂𝑈𝑇 (𝑊)
𝜂 = 100 · (3)
𝑃𝐷𝐶 (𝑊)
Otro parámetro importante en los PA es la eficiencia de potencia añadida o PAE (del inglés,
Power Added Efficiency), que está estrechamente ligada a la ganancia de potencia y a la
eficiencia; como se muestra en (4).
𝑅𝐹 𝑅𝐹
𝑃𝑂𝑈𝑇 − 𝑃𝐼𝑁 1
𝑃𝐴𝐸 = · 100 = 𝜂 · (1 − ( )) (4)
𝑃𝐷𝐶 𝐺𝑃
Otra manera de evaluar la ganancia de potencia es usando la potencia disponible en la fuente

(𝑃𝐴𝑉𝑆 ) en lugar de la potencia RF entregada a la entrada del amplificador (5), denominada
ganancia de transducción. Esta ganancia lleva a una nueva definición de la PAE (6).
𝑅𝐹 (𝑑𝐵𝑚) 𝑅𝐹 (𝑑𝐵𝑚)
𝐺𝑇 (𝑑𝐵) = 𝑃𝑂𝑈𝑇 − 𝑃𝐴𝑉𝑆 (5)
𝑅𝐹 𝑅𝐹
𝑃𝑂𝑈𝑇 − 𝑃𝐴𝑉𝑆 1
𝑃𝐴𝐸′ = · 100 = 𝜂 · (1 − ( )) (6)
𝑃𝐷𝐶 𝐺𝑇
B. Amplificador de potencia en clase B
Los amplificadores en clase B se polarizan de modo que la tensión entre el contacto de puerta
y fuente del transistor alcanza el valor umbral, 𝑉𝑇𝐻 , de la palabra inglesa threshold, para el cual
la corriente DC de drenador es casi nula en ausencia de señal RF a la entrada. La tensión de
2
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polarización y la señal de entrada se disponen de manera que sólo hay corriente RF en el

terminal de drenador (salida) durante un semiciclo de la señal de entrada. Esto se traduce en un
ángulo de conducción 𝛼 = 𝜋. Su consumo es mucho menor que en clase A debido a que
únicamente conduce en la mitad del periodo, lo que le permite alcanzar una eficiencia teórica
de 𝜂 = 78.5 %, aunque, llevado a la práctica, un valor más realista sería un 60% [1].
Figura 2. Forma de onda de la corriente RF de salida en un PA en clase B (idealizado) y

recta de carga dinámica.
El precio que hay que pagar en esta clase es la baja linealidad, dado que se pierde un semiciclo
en la corriente RF de salida, lo que lo convierte en un modo con distorsión. Dos de los métodos
empleados para reducir la distorsión son la arquitectura push-pull (también denominada salida
en contrafase, en castellano) y el uso de una terminación armónica.
La configuración de salida en contrafase dispone en paralelo otro amplificador en clase B que

se encarga del ciclo opuesto al primero. A continuación, las salidas de ambas etapas se
combinan para proporcionar la salida total del amplificador [2]. La disposición push-pull puede
acarrear el problema de la distorsión cruzada o crossover distortion; consistente en una banda
plana que se forma en la unión de las curvas de transferencia de ambas etapas. Esto se debe a
una mala sincronización entre los dos transistores; uno entra en corte antes de que el otro
empiece a conducir, lo que provoca un instante en el que ambos no conducen.
La terminación armónica consiste en cortocircuitar los armónicos pares; a mayor número de

armónicos suprimidos, menor distorsión. Puede realizarse bien con un circuito resonante LC
paralelo sintonizado a la frecuencia fundamental (que atenuaría todos los armónicos), o bien
utilizando líneas de transmisión sintonizadas a cada armónico.
El compromiso existente entre ganancia-linealidad-eficiencia clasifica esta topología como una

de baja ganancia y linealidad, y alta eficiencia, si se la compara con la clase A.
C. Amplificador de potencia en clase F [3]
Se trata de uno de los modos de amplificación con más eficiencia y potencia RF de salida pico
de los existentes. Una vez más, hay que pagar el coste añadido de una menor linealidad y de
una ganancia aún más baja que en la clase B, generalmente. Los PA en clase F buscan un ángulo
de conducción 𝛼 = 0. Para ello, la forma de onda de la tensión de drenador debe de ser
cuadrada, en lugar de sinusoidal. Mientras que la forma de onda de corriente debe permanecer
como en la clase B. La idea es cortocircuitar los armónicos pares (al menos a la salida) y dejar
en circuito abierto los impares a la salida y así conseguir las formas de onda deseadas en el
3
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drenador. Cuanto mayor sea el número de armónicos impares sintonizados, mayor será el
parecido a la onda cuadrada. Usando este tipo de formas de onda se consigue maximizar la
eficiencia y la capacidad de entregar mayor potencia RF de salida en los amplificadores clase
F [4].
Figura 3. Forma de onda de la tensión RF de salida en un amplificador clase F (idealizado) y

recta de carga dinámica.
En clase F conviene buscar una tensión de polarización de puerta, en el transistor, que provoque
que la corriente de drenador para el tercer armónico tienda a cero. Este “punto óptimo” se
conoce en el léxico anglosajón como sweet spot [5]. La clase F alcanza una eficiencia de
drenador teórica de 𝜂 = 100%, pero la realización experimental trunca este rendimiento a
valores cercanos al 70% [1], dependiendo de la tecnología del transistor.
D. Tecnología pHEMT en GaAs2.
El elemento primordial de cualquier amplificador de RF es uno o varios transistores. En este

proyecto, se ha optado por la tecnología FET (Field Effect Transistor o transistor de efecto de
campo, en castellano) de alta movilidad de electrones en sustrato de Arseniuro de Galio (HEMT
de GaAs). Dependiendo de la potencia RF requerida, cuando esta es elevada, se puede utilizar
la tecnología de Nitruro de Galio (GaN), capaz de proporcionar una potencia mucho mayor en
la carga. Por otro lado, es una tecnología menos madura que el GaAs, lo que hace que los
transistores presenten problemas adicionales, dificultando las tareas de diseño. En la aplicación
de este proyecto, se podrían utilizar ambas tecnologías, dependiendo del alcance deseado en las
comunicaciones. Para facilitar el proceso de diseño y fabricación, se ha optado por usar GaAs.
La particularidad de los FETs es que utilizan tan solo un tipo de portadores de carga (bien
huecos, bien electrones); es por esto que se les conoce como unipolares. Estos portadores
atraviesan el canal semiconductor que se forma entre el drenador y la fuente; siendo modulado
en anchura por el campo electromagnético existente entre la puerta y la fuente. Supone un
problema el hecho de que los electrones se vean afectados por las impurezas existentes en el
canal dopado. El canal de los HEMT se forma en presencia de una hetero-unión de dos
semiconductores. La capa donadora, gruesa y altamente dopada, libera electrones que fluyen
hacia la capa fina no dopada, realizada con el otro semiconductor. En la interfase, debido a la
diferencia de banda prohibida entre ambas, se crea un pozo cuántico, que confina los electrones
en la segunda. En esta capa no existen impurezas y, por tanto, los electrones adquieren una
movilidad mayor. Los pHEMT son una variante de los HEMT, y se llaman pseudomórficos
porque los dos semiconductores presentan cierto desajuste en la red cristalina. Para solventar
este problema, se utiliza una capa sumamente fina de uno de los materiales, forzando el ajuste
4
Telecomunicación
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entre las redes cristalinas. Este método permite la fabricación de transistores con diferencias de
anchos de banda prohibida entre los dos semiconductores aún mayores que en los HEMT,
haciéndolos aún mejores en GaAs, al proporcionar más ganancia y potencia RF. En la figura 4
se muestra un esquema simplificado de las capas de un pHEMT genérico.
Figura 4. Estructura de capas simplificada de un pHEMT genérico con sustrato de GaAs [6].
II. Objetivos
El principal objetivo de este trabajo es estudiar cómo mejorar las prestaciones de los
amplificadores de potencia, en particular su eficiencia energética, en aplicaciones de UAVs.
Concretamente, son objeto de estudio dos de las clases de PA de mayor eficiencia pico, B y F.
Para obtener este objetivo, se procederá al diseño y la fabricación de estos dos tipos de PAs en
tecnología híbrida (HybridMIC), y se compararán sus prestaciones. Así pues, se parte de un
diseño en clase B sin linealizar, como estudio teórico preliminar, hasta llegar a los diseños en
clase B y F completos. Posteriormente, se procederá a la fabricación y caracterización de un
prototipo de cada uno de ellos.
Entre las herramientas utilizadas en este trabajo, destaca el uso del simulador comercial de
circuitos de microondas, el Advanced Design System (de ahora en adelante, ADS) de Keysight
Technologies. También serán utilizadas las correspondientes librerías de componentes
comerciales de microondas para hacer las simulaciones (transistores y componentes pasivos).
Para la fabricación de los prototipos PA, se utilizarán placas de circuito impreso (Printed
Circuit Board, de ahora en adelante, PCB) FR4 (Anexo II: Sustrato FR4 [7]), los componentes
SMD (elementos planares soldados a la PCB o Surface Mounted Device), así como una
insoladora y accesorios para el procesado químico y montaje. Para la caracterización
experimental de los circuitos se utilizará instrumentación electrónica de microondas (analizador
de redes, analizador de espectro, fuentes de alimentación, fuentes de señal, polímetro…etc.).
III. Resultados
En la descripción del trabajo se seguirá la siguiente metodología: se describe primero el diseño
preliminar del PA en clase B sin supresión de armónicos, luego el diseño de los PA en clase B
y F y, finalmente, la fabricación y medida de dos prototipos PA. Para ello, se ha propuesto
utilizar el FET ATF-34143 de Avago cuyas hojas características están disponibles en [8]. Se
trata de un pHEMT adecuado para la banda ISM (Industrial, Scientific and Medical) [9] y, en
particular, para la frecuencia 2.4 GHz; frecuencia central (𝑓0 ) usada en el diseño de los PA. Para
este pHEMT, la tensión de polarización para el drenador recomendada por el fabricante es
𝑉𝐷𝑆 = 4 𝑉. Y la tensión umbral para este FET se obtiene para 𝑉𝐺𝑆 en torno a 𝑉𝑇𝐻 = −0.884 𝑉,
5
Telecomunicación
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cómo se puede observar en la figura 5 (a). En todos los diseños realizados, se partirá de la
estructura general de un PA como la indicada en la introducción; a la que se le irán incluyendo
mejoras.
El proceso de diseño de cada PA implica un diseño preliminar con líneas de transmisión ideales
para, posteriormente, sustituirlas por líneas de transmisión microstrip y optimización. Para no
extender esta memoria, los resultados que se muestran a continuación son los obtenidos en
simulación usando ya las líneas microstrip. Independientemente, puede visualizarse como sería
un circuito con líneas ideales en la figura 5 (b).
Figura 5. (a) Tensión umbral para el ATF- 34143. (b) Circuito PA con líneas de transmisión ideales.
A. Metodología de diseño utilizando ADS
A.1. Diseño I: FET polarizado en clase B con carga óptima y adaptación a 50 Ω para
la señal fundamental.
Este diseño incluye todos los bloques básicos indicados para un PA: red de estabilización a la
entrada, redes de polarización y redes de adaptación, tanto a la entrada como a la salida. En la
fig. 8 puede visualizarse el esquema del circuito completo microstrip. En este caso, ha sido
necesario mover la tensión de alimentación de puerta hasta 𝑉𝐺𝑆 = −1.2 𝑉.
Inicialmente, se estudia la estabilidad del transistor a bajas y altas frecuencias, para detectar
cualquier posible tendencia a la oscilación. Para que el amplificador sea estable a bajas
potencias, su factor de estabilidad debe presentar en la banda estudiada un valor superior a uno.
Con este objetivo, se ha diseñado la red de estabilización, que en este caso es extremadamente
sencilla. Consta de una resistencia en serie de 15 Ω y, en paralelo otra resistencia (301 Ω) en
serie con una bobina (10 nH). En la figura 6 se puede visualizar el factor de estabilidad (Rollet)
en función de la frecuencia.
Figura 6. Factor de estabilidad versus frecuencia.
6
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El siguiente paso es el diseño de las redes de polarización de entrada (puerta) y de salida

(drenador). Su función es clara; se trata de proporcionar al FET, en los terminales de entrada y
salida, la tensión DC adecuada para el punto de polarización deseado. Por simple que parezca
este objetivo, su diseño no lo es tanto; pues deben proporcionar DC a ambos terminales del FET
sin que las señales de RF fluyan hacia las redes de polarización, disminuyendo la ganancia.
También es necesario aislar la DC de la entrada y salida RF del amplificador empleando, para
ello, los condensadores de desacoplo. En la fig. 8 se pueden apreciar las redes de polarización
y en el Anexo III se explica con más detalle el diseño de las mismas.
A continuación, se sintetiza la carga óptima a la salida del pHEMT que proporciona máxima
potencia RF de salida, calculada mediante el análisis load-pull. Se trata de variar la impedancia
que ve el transistor a su salida y, de esta forma, encontrar la que proporciona la mayor potencia
de salida. Este análisis se realiza para una potencia RF de la fuente en la que la ganancia
1𝑑𝐵
disminuye 1 dB respecto a la máxima (de ahora en adelante, 𝑃𝐴𝑉𝑆 ). En la figura 7 se puede ver
el resultado de este análisis, que ha devuelto un valor de 𝑍𝑂𝑃𝑇 = 24.1 − 𝑗15.6 Ω. Hay más
información disponible sobre esta técnica en el Anexo V.
Figura 7. Contornos de potencia RF resultantes de la simulación Load-Pull.
Es necesario que el pHEMT vea esta impedancia compleja cuando realmente va a ser conectado
a terminales de 50 Ω; para ello se sintetiza una red de adaptación de salida. Esta estará
constituida, principalmente, por una línea de transmisión y un stub en circuito abierto, que se
diseñan con la ayuda de las herramientas del simulador ADS, SmithChart y LineCalc, y luego
se conectan al resto del circuito usando uniones en T. Se explica más detalladamente en el
Anexo VI.
La metodología del diseño es muy importante, pues en el diseño de PAs cualquier variación de
los elementos puede desajustar las adaptaciones o cambiar la impedancia que el transistor ve en
la carga. Finalmente, se procede a realizar la adaptación en el terminal de entrada. En este caso,
lo que se busca es la denominada adaptación conjugada, para maximizar la transferencia de
potencia en la entrada. Ésta consiste en que el FET vea hacia el generador la impedancia que se
ve (en la entrada) hacia el transistor, pero conjugada. Nuevamente, el uso de una línea de
transmisión y un stub en circuito abierto resulta más que suficiente para alcanzar dicho
7
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propósito y a la vez tener adaptación a la terminación de 50 Ohm. Con este último paso se
completarían los bloques necesarios para este diseño; el circuito final se muestra en la siguiente
figura.
Figura 8. Esquema del PA completo. En aguamarina redes de polarización, en bronce redes

de adaptación y en gris, red de estabilización. Condensadores de desacoplo entre las redes de
polarización y adaptación.
La adaptación de entrada se caracteriza mediante el parámetro Γ𝐼𝑁 (7), que es equivalente al

𝑆11 pero evaluado en gran señal (P1dB), y sus correspondientes pérdidas de retorno (8). En este
diseño se obtienen unas pérdidas 𝑅𝐿𝐼𝑁 = −12.956 𝑑𝐵.
𝑍𝐼𝑁 − 50
Γ𝐼𝑁 = (7)
𝑍𝐼𝑁 + 50
𝑅𝐿𝐼𝑁 = 20 · 𝑙𝑜𝑔10 (|Γ𝐼𝑁 |) (8)
𝑅𝐹
La simulación de este diseño presenta los resultados de GT, 𝑃𝑂𝑈𝑇 y eficiencia que se muestran
1 𝑑𝐵
en la fig. 9; evaluados en el 𝑃𝐴𝑉𝑆 . Se ha evaluado la eficiencia energética pico de este PA
mediante los dos criterios para evaluar la PAE. Se puede observar que ambas PAE se
maximizan cuando la ganancia se comprime 4 dB. Sin embargo, estas predicciones de eficiencia
no son realistas cuando se considera que la corriente simulada DC en el drenador diverge mucho
de la que se mide en el FET en un punto de polarización similar. Esto se debe a la falta de
precisión del modelo para ADS que proporciona el fabricante de este FET.
8
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𝑅𝐹
Figura 9. (a) 𝑃𝑂𝑈𝑇 y GT. (b) η, PAE y PAE’.
Lo que resta, sería comprobar el nivel de armónicos a la salida del amplificador (también en el
1 𝑑𝐵
𝑃𝐴𝑉𝑆 ) y las formas de onda en el tiempo. Para ello, se va a comprobar la amplitud de las
componentes espectrales a la salida del amplificador, así como las formas de onda y la recta de
carga dinámica en el drenador (figura 13). La diferencia entre la portadora de 2.4 GHz y el
segundo armónico es de casi 28 dB. El cuarto armónico presenta una amplitud 2 dB mayor que
el segundo, proporcionando una diferencia de 26 dB, aproximadamente. La recta de carga
dinámica presenta una forma algo distorsionada, lo cual es lógico viendo las formas de onda de
tensión y corriente en el drenador.
Figura 11 (a) Formas de onda de tensión y corriente en el drenador. (b) Recta de carga dinámica en
el drenador. (c) Componentes espectrales de la señal RF de salida del amplificador.
A.2. Diseño II: Amplificador en clase B.
No es preciso denominar PA en clase B al diseño I, ya que únicamente se realizó adaptación

para la señal fundamental y no se han cortocircuitado los armónicos pares. El diseño de este
apartado incluye los bloques básicos del diseño I, además, dos estructuras adicionales para la
supresión de los armónicos. Según Cripps [10], la manera más sencilla de cortocircuitar el
𝜆
segundo armónico es con un stub en cortocircuito de longitud eléctrica 0⁄4 a la frecuencia
fundamental 𝑓0 . Dados los problemas de fabricación que suponen los stubs en cortocircuito, se
han implementado stubs en circuito abierto que realizan la misma función. Se han incorporado,
𝜆
con este propósito, dos stub en circuito abierto de longitud eléctrica 0⁄8 (uno en la entrada y
9
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𝜆
otro en la salida) [11] y otro de 𝜃 = 0⁄12 en la salida. Los primeros se encargan del segundo
armónico y el último cortocircuita el cuarto.
Figura 12. En aguamarina, estructuras para el control de armónicos. En gris, red de estabilización.
Una vez realizadas estas modificaciones, se ha comprobado de nuevo la estabilidad del diseño;
obteniéndose que el factor de estabilidad supera la unidad. Por tanto, no ha sido necesario
modificar la red correspondiente. Por otra parte, la impedancia óptima en compresión 1 dB si
ha variado: 𝑍𝑂𝑃𝑇 = 26.35 + 𝑗5.3 Ω. Ha sido necesario reajustar las adaptaciones de entrada y
salida; presentando ahora unas pérdidas de retorno simuladas en la entrada de 𝑅𝐿𝐼𝑁 =
−21.852 𝑑𝐵. El punto de compresión 1dB en la potencia de entrada está situado en 13.4 dBm,
la GT para este punto es de 8.86 dB y los parámetros de eficiencia son los que se muestran en
la figura 13.
𝑅𝐹
Figura 13. (a) 𝑃𝑂𝑈𝑇 y GT. (b) 𝜂, PAE y PAE’.
A continuación, se han evaluado las formas de onda en el tiempo en el drenador y la recta de

carga dinámica. Se puede observar que la corriente de drenador conforma una semisinusoide
mucho más definida (fig. 14 (a)) que en el caso anterior. Por otra parte, se han evaluado los
armónicos a la salida del amplificador. En este caso, la diferencia entre la frecuencia
fundamental y el segundo armónico es de unos 55 dB y de más de 70 dB con el cuarto.
10
Telecomunicación
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Figura 14. (a) Formas de onda en el tiempo de tensión y corriente en el drenador. (b) Recta de carga
dinámica en el drenador. (c) Componentes espectrales de la señal a la salida del PA.
A.3. Diseño III: Amplificador en clase F.
Inicialmente, se deseaba utilizar el punto de polarización correspondiente al sweet spot

mencionado en la introducción. Se hizo un intento de búsqueda del mismo utilizando ADS.
Desafortunadamente, el modelo de este transistor proporcionado por el ADS no es lo
suficientemente preciso y no ha sido posible ubicar este valor de la tensión de puerta. Se ha
procedido a utilizar la misma polarización que en diseños anteriores; ajustando la tensión de
alimentación de puerta a -1.2 V en simulación microstrip.
Los PA en clase F producen una mejora de la eficiencia con respecto al clase B. Para ello, se
busca adicionalmente sintetizar una onda cuadrada en la tensión de drenador, que se consigue
presentando a los armónicos impares un circuito abierto, mientras que los pares permanecen
cortocircuitados, como en clase B. La técnica usada es, nuevamente, aplicar terminaciones
armónicas adecuadas. De esta manera, se ha mantenido la estructura del terminal de puerta que
utilizada en el diseño II y se ha diseñado una nueva para el drenador. La nueva configuración
𝜆 𝜆 𝜆
consta de varios stub de longitudes 0⁄8 , 0⁄12 y 0⁄16 , las correspondientes líneas de
transmisión intermedias y conexiones en cruz necesarias para conectar los elementos. El
funcionamiento de esta red es similar al de la utilizada en el drenador del diseño anterior, solo
que, además, presenta alta impedancia en el tercer armónico [12]. La figura 15 muestra la
disposición de los elementos de esta estructura.
11
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Figura 15. En aguamarina, estructuras para el control de armónicos; en el terminal drenador del
diseño III.
En este caso se ha reubicado la red de polarización de salida, más cerca del FET, con el fin de
evitar pérdidas debido a las líneas de transmisión. Del mismo modo, como el diseño era muy
estable, se han modificado los valores de las resistencias de la red de estabilización; con el
objetivo de mejorar las prestaciones de ganancia sin perder la estabilidad. Los nuevos valores
de resistencias se pueden visualizar también en la figura 15. Todos estos cambios introducidos,
para optimizar el diseño, han implicado recalcular, una vez más, la impedancia óptima de carga;
que ahora vale 𝑍𝑂𝑃𝑇 = 24.4 + 𝑗15.9 Ω . De igual modo, se ha procedido a rediseñar las
adaptaciones de salida y entrada, obteniendo unas pérdidas de retorno simuladas a la entrada de
-11.941 dB.
Tras realizar la simulación del PA completo, se ha comprobado que el punto en el que la

ganancia cae un dB desde el máximo se obtiene para una potencia disponible de la fuente de
11 𝑑𝐵. Siguiendo este criterio para evaluar la ganancia, se obtiene una GT de 8.992 dB. Estos
valores implican una eficiencia de drenador de casi un 36%; mientras que las dos versiones de
la PAE se mueven sobre valores cercanos al 31%. De todas formas, como ya se comentó con
anterioridad, la verosimilitud de estas predicciones es baja debido a los valores simulados de la
corriente de drenador.
𝑅𝐹
Figura 16. (a) 𝑃𝑂𝑈𝑇 y GT. (b) 𝜂, PAE y PAE’.
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Al evaluar el nivel de los armónicos (fig. 17 (c)), se ha descubierto una diferencia de más de 55
dB entre la señal fundamental y el segundo armónico. Por otra parte, el cuarto se encuentra a
60 dB de la fundamental. En la figura 17 (a) se muestran las formas de onda en el tiempo de la
tensión y corriente en el drenador. La tensión, en este punto del circuito, ha adquirido una forma
semejante a la de una onda cuadrada y la corriente mantiene un perfil semisinusoidal. La figura
17 (b) muestra la recta de carga dinámica obtenida a partir de estas formas de onda.
Figura 17. (a) Formas de onda de tensión y corriente en el drenador. (b) Recta de carga dinámica en
el drenador. (c) Componentes espectrales de la señal de salida del PA.
B. Fabricación de los prototipos y medida
Los diseños II y III se han utilizado en la fabricación de dos prototipos de PA. El primer paso
fue obtener los layouts o diseños físicos (patrón de metalización de la placa PCB) a partir de
los diseños simbólicos o esquemas; con ayuda de ADS. Para esto fue necesario conocer las
huellas de todos los componentes (activos y pasivos) y prever la disposición espacial de los
mismos. A continuación, se imprimió la máscara (exportada del ADS en formato Gerber) en
papel de acetato y este se acopló a la placa PCB para ser insolada, esto se conoce como
fotolitografía. La PCB insolada por una cara fue expuesta a una disolución de sosa cáustica y,
consecutivamente, a otra disolución de ácido clorhídrico (proceso de grabado químico). El
resultado de este proceso produce, de la forma deseada, la capa superior de metalización de las
líneas de transmisión, stubs y demás estructuras, así como el plano inferior de tierra o los pads
para las vías de conexión. Finalmente, se soldaron los componentes SMD, los conectores y se
realizaron las medidas correspondientes. Este proceso se ha repetido para ambos prototipos y
en esta sección se muestra un resumen de ambas realizaciones.
B.1 Prototipo I: Amplificador en clase B, con supresión de armónicos
En la figura 18 se muestra el layout o patrón de la metalización de la capa superior de la PCB,

necesario para el prototipo I, que incluye algunos componentes de los que se disponía su huella.
En otros casos, como el de la inductancia o el transistor, ha sido necesario ver sus dimensiones
en sus hojas características y diseñar las líneas para ubicarlos correctamente. Se ha conservado
una fotografía de este layout impreso acetato, está disponible en la figura 31 del Anexo VII.
Tras atacar la placa químicamente se ha obtenido la placa procesada con las metalizaciones que
se puede observar en la figura 18 (b).
13
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Figura 18. (a) Layout del prototipo I. (b) Fotografía de la PCB procesada.
El siguiente paso ha consistido en hacer vías de conexión al plano inferior de la placa, con la
ayuda de un taladro y una broca de 0.6 mm. El motivo de hacer tantas perforaciones es, entre
otros, que cada vía presenta una pequeña inductancia parásita (de, aproximadamente, 1 nH). En
el caso de las utilizadas en la fuente de los transistores, éstas disminuirán la ganancia del
dispositivo. La manera de minimizar este efecto es dividiendo el valor de esa inductancia
colocando tantas vías en paralelo como sea posible. Tras realizar las vías, se dispone a soldar
los elementos SMD, los conectores de RF y los cables de conexión a las fuentes de alimentación
y a tierra. El resultado es el circuito mostrado en la figura 19.
Figura 19. Prototipo I finalizado.
Con el objetivo de hacer las medidas, ha sido necesario, previamente, calibrar el analizador de
redes y mantener estable la temperatura del laboratorio, para que esta calibración perdurase.
Una vez hecha la calibración se han medido los parámetros S más relevantes del PA (en
condiciones de pequeña señal). De esta manera, se ha obtenido 𝑅𝐿@2.4 𝐼𝑁 = 20(log(|𝑆11 |) =
@2.4
−23.65 𝑑𝐵 y 𝑅𝐿𝑂𝑈𝑇 = 20(log(|𝑆22 |) = −7.03𝑑𝐵. En el Anexo VII hay imágenes (figuras
32 y 33) de las capturas realizadas en el analizador de redes. Mejorando los valores simulados.
Para evaluar tanto la eficiencia de este prototipo como la potencia RF de salida y la ganancia,
ha sido necesario hacer medidas de potencia RF con un sintetizador de frecuencia y un
analizador de espectro de banda ancha. Para hacer estas mediciones, ha sido necesario mover
la tensión de alimentación de puerta a -0.9 voltios, debido al desplazamiento de la tensión
14
Telecomunicación
Telecomunicación
umbral en el transistor real. Estas medidas, que están disponibles en la figura 34 del Anexo VII,
han permitido generar las gráficas que se muestran en las figuras 20 y 21.
90
80
70
60
η, PAE, PAE' [%]
50
40
30
20
10
0
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20
PAVS [dBm]
Figura 20. En aguamarina, eficiencia de drenador (η). En bronce, PAE. En gris, PAE’.
25
20
15
PoutRF [dBm]
10
GT [dB]
-5
-10
-30 -25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20
PAVS [dBm]
Figura 25. En aguamarina, potencia RF de salida. En bronce, GT.
Como se ha demostrado, el rendimiento pico real de este amplificador es mejor que el que se
predecía en simulación. Se ha comprobado que en ocasiones la corriente DC de drenador
15
Telecomunicación
Telecomunicación
medida llega a ser la mitad que la simulada en ADS. Esto arroja una potencia DC disipada
mucho menor, parámetro que se encuentra en el denominador de todas las definiciones de
eficiencia. Por otra parte, el punto de compresión de 1 dB también se ha desplazado a una
potencia de la fuente de 17 dBm. Se resumen los parámetros más importantes, evaluados en
este punto, a continuación:
𝑅𝐹
𝑃𝑂𝑈𝑇 𝐺𝑇 𝜂 𝑃𝐴𝐸 𝑃𝐴𝐸 ′
22.7 dBm 5.7 dB 66.50 % 56.03% 48.60%
Tabla 1. Parámetros de potencia y eficiencia del prototipo I.
Las medidas indicadas en de esta sección han sido realizadas con los equipos que se muestran
en el Anexo VIII, y que están disponibles en la figura 34 del Anexo VII.
B.2. Prototipo II: Amplificador en clase F
En este prototipo se han seguido exactamente los pasos descritos en el apartado anterior.
Primeramente, se ha generado el layout del PA, para ser utilizado en el procesado de la PCB.
En la figura 22 se muestran el layout del PA en clase F y la PCB tras ser procesada.
Figura 22. (a) Layout del prototipo II. (b) Fotografía de la PCB procesada.
Tras perforar las vías en la PCB y soldar todos los componentes necesarios, se ha obtenido el
prototipo, similar al PA mostrado en la figura 19. El prototipo sido conectado al analizador de
redes y se han medido sus parámetros S en pequeña señal. Se han medido en pequeña señal
(figura 35, Anexo VII) las siguientes pérdidas de retorno en la entrada 𝑅𝐿@2.4
𝐼𝑁 = − 9.309 𝑑𝐵.
Seguidamente, se ha conectado el PA a un al sintetizador de frecuencias y al analizador de
espectro para hacer las medidas de potencia; cómo se puede ver en la figura 23.
16
Telecomunicación
Telecomunicación
Figura 23. Prototipo II conectado a un generador y a un analizador de espectro. Se observan,

en la pantalla superior, las componentes espectrales de la señal de salida cuando el
generador inyectó una señal de 13 dBm a 2.4GHz.
𝑅𝐹
Las medidas de 𝑃𝐼𝑁 en el punto de compresión 1 dB, 13 dB, han proporcionado los resultados
de GT y eficiencia que se muestran a continuación:
𝑅𝐹
𝑃𝑂𝑈𝑇 𝐺𝑇 𝜂 𝑃𝐴𝐸 𝑃𝐴𝐸 ′
21.14 dBm 8.14 dB 73.87 % 65.47% 62.537%
Tabla 2. Parámetros de potencia y eficiencia del prototipo II.
Las dos fig. 24 y 25 muestran las gráficas de estos parámetros haciendo un barrido de potencias
el generador.
17
Telecomunicación
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90
80
70
60
η, PAE, PAE' [%]
50
40
30
20
10
0
-20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20
-10
PAVS [dBm]
Figura 24. En aguamarina, eficiencia de drenador (η). En bronce, PAE. En gris, PAE’.
25
20
15
PoutRF [dBm]
10
GT [dB]
-5
-10
-30 -25 -20 -15 -10 -5 0 5 10 15 20
PAVS [dBm]
Figura 25. En aguamarina, potencia RF de salida. En bronce, GT.
Estas medidas están disponibles en la tabla de la figura 36; en el Anexo VII.
18
Telecomunicación
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IV. Conclusiones
Este proyecto se inició con el objetivo de evaluar estrategias para mejorar la eficiencia en
amplificadores de potencia para UAVs. Para ello, se realizó el diseño de varios tipos de PA, de
clase B y F, llegando a la fabricación de dos prototipos, con el fin de evaluar y comparar los
resultados. En un primer momento, los resultados de las simulaciones con el ADS no fueron
muy alentadores. La razón ha sido que se pudo comprobar la reducida precisión en DC del
modelo matemático de este transistor que proporciona el fabricante. Tras la fabricación de los
prototipos y la realización de las medidas se observó que la corriente DC consumida simulada
en el drenador llegaba a duplicar la medida.
1𝑑𝐵
En el PA en clase B se obtuvo una eficiencia energética de pico del 66.5% (para 𝑃𝐴𝑉𝑆 ), mientras
que en el prototipo en clase F se alcanza casi un 74% (76% a 2 dB de compresión en la
ganancia). Se ha comprobado que el valor de la eficiencia pico se incrementa considerablemente
cuando los amplificadores de potencia trabajan con ondas cuadradas. Esto se debe a disminuir
el solapamiento de las formas de onda de corriente y tensión, resultando una menor potencia
disipada. No se trata de un beneficio exclusivo de la clase F, también sucede con las clases E,
F-1 y J. Es por ello, que el control de las impedancias presentes para los armónicos se convierte
en una práctica indispensable cuando se busca una eficiencia pico elevada en este tipo de
amplificadores.
Finalmente, se ha estudiado un rediseño del PA en clase F, para mejorar sus prestaciones, que
está disponible en el Anexo IX. Como tarea futura se plantea la fabricación y medida de este
nuevo diseño y la evaluación de sus prestaciones en comparación con el diseño anterior.
V. Bibliografía
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Ingeniería de Telecomunicaciones, Electrónica y Fotónica de comunicaciones, Universidade
de Vigo.
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tutorials.ws/amplifier/amp_7.html
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Loaded and Overdriven RF Power Amplifier,” IEEE Transactions on Electron Devices Vol.
ED-14, No. 12, December 1967.
[4] Anna Rudiakova and Vladimir Krizhanovski, “Maximally Flat Waveforms Operation of
Class-F Power Amplifiers,” Radioengineering Vol. 10, No. 1, April 2001.
[5] Chris Roff, Johannes Benedikt, Paul J. Tasker, “Design Approach for Realization of Very
High Efficiency Power Amplifiers,” Cardiff School of Engineering, 2007.
[6] Mónica Fernández Barciela, Enrique Sánchez and Paul J. Tasker “Tema VI: Dispositivos
Activos,” Grado en Ingeniería de Tecnologías de Telecomunicación, Circuitos de Microondas,
Universidade de Vigo.
19
Telecomunicación
Telecomunicación
[7] “FR4 Data Sheet” disponible en: https://www.farnell.com/datasheets/1644697.pdf
[8] “ATF-34143 Low Noise Pseudomorphic HEMT a Surface Mount Plastic” disponible en:
https://www.broadcom.com/site-search?q=atf%20-%2034143
[9] “ISM Frequency Bands” disponible en: https://www.everythingrf.com/community/ism-

frequency-bands
[10] Steve C. Cripps, “RF Power Amplifiers for Wireless Communications,” Microwave
Magazine, IEEE. 1. 64-6410.1109/MMW.2000.823830, 2000.
[11] Barakat, A., Thian M., and Fusco, V., “Analysis of the Second Harmonic Effect on Power
Amplifier Intermodulation Products,” IEEE MMT-S International Microwave and
Optoelectronics Conference (IMOC), 2005.
[12] Sadegh Abbasian and Thomas Johnson, “Effect of Second and Third Harmonic Input
Impedances in a Class F Amplifier,” Progress in Electromagnetics Research C, Vol. 56, 39-
53, 2015.
[13] Mónica Fernández Barciela, “Communications Transceiver PA Design,” MMCAD:

Communications transceiver PA Design Guide, MMCAD, Universidade de Vigo, 2018.
[14] S. Gaol, P. Butterworth, A. Sambell, C. Sanabria, H. Xu, S. Heikman, U. Mishra and R.

A. York, “Microwave Class-F and Inverse Class-F Power Amplifiers Designs using GaN
Technology and GaAs pHEMT,” Proceedings of the 36th European Microwave Conference,
April 2009.
[15] Q. Lu, S. Danaher, Z. Ghassemlooy, E. Korolkiewicz and A. Sambell, “Design of High

Efficiency Class E Power Amplifiers,” NCRLab, School of Computing Engineering and
Information Sciences, 2010
[16] Mohsen Hayati and Sepehr Zarghami, “Design of a Compact 2.4 GHz Class-F Power
Amplifier with High Power Added Efficiency,” IETE Journal of Research, July 2019
[17] Ahmad Ismail, Nabeek A. Abduljabbar and Raed Abd-Alhameed, “A 2.45-GHz class-F
power amplifier for CDMA systems,” Conference Paper, September 2015
[18] Kenle Chen, “A 3.1 GHz Class-F Power Amplifier With 82% Power-Added-Efficiency,”
IEEE Microwave and Wireless Components Letters, Vol. 23, No. 8, August 2013
[19] Óscar Román Rivero and Jordi Berenguer i Sau, “Laboratorio indoor de ensayos y medida
de drones,” Trabajo Final de Grado, Grado en Ingeniería de Aeropuertos, Universitat
Politècnica de Catalunya, July 2016
20
Telecomunicación
Telecomunicación
Anexo I: Estado del arte

Existen en la actualidad diversas propuestas de amplificadores de potencia de RF de alta
eficiencia pico. Las más convencionales son las que se corresponden con las clases C, F, F-1 y
J. Todos ellos están basados en la búsqueda de un bajo ángulo de conducción y la manipulación
de las formas de onda en el tiempo de la corriente y/o tensión. Se describirán brevemente los
tipos no considerados en la introducción de esta memoria.
Los amplificadores en clase C se polarizan más profundamente en corte que en clase B, es decir,
la tensión 𝑉𝐺𝑆 está por debajo de 𝑉𝑇𝐻 . Esto supone un ángulo de conducción menor que 𝜋
convirtiéndose en un modo con bastante distorsión, pero con una elevada eficiencia teórica;
entre el 78 y el 100%.
Los amplificadores en clase F-1 también alcanzan una eficiencia ideal del 100%. Se trata de un
modo de operación muy similar a la clase F, en el que los armónicos son tratados de manera
opuesta al F y las formas de onda resultantes de tensión y corriente están intercambiadas. Así,
se cortocircuitan los armónicos impares y se presenta alta impedancia a los pares; la forma de
onda de corriente se convierte en una señal cuadrada, mientras que la de tensión en una
semisinusoide.
Los amplificadores en clase J tienen un funcionamiento similar a los de la clase F. A diferencia

de estos últimos, el tratamiento de los armónicos resulta más simple, relajándose algunas de las
condiciones de carga, por lo que no se consigue una onda cuadrada en la tensión RF del
drenador. Así se obtienen dos semisinusoides en las formas de onda en el tiempo. Esto permite
igualmente evitar el solapamiento y, por ello, reducir la potencia disipada consiguiendo valores
de eficiencia muy elevados.
A continuación, se muestran algunos ejemplos de diseños realizados en los últimos años usando
estos modos de operación y sus prestaciones; en algún caso usando el transistor ATF-34143.
Frecuencia Clase Transistor Ganancia Potencia RF PAE* Ref.

central de salida
2 GHz F GaN HEMT 10 dB 36 dBm 50.4 % [14]
2.45 GHz F-1 ATF-34143 14 dB 22.6 dBm 63% [14]
2 GHz E ATF-34143 N./A. N./A. 63.7-76.4 % [15]
2.4 GHz F ATF-34143 13.65dB 23.65 dBm 83% [16]
2.45 GHz F GaAs FET 12.5 dB 28.8 dBm 72% [17]
3.1 GHz F CreeCGH40010F 15 dB 10 W 82% [18]
Tabla 3. Referencias de diferentes PA diseñados recientemente.

*
En algunos casos, se desconocen los criterios particulares utilizados para evaluar la PAE
(nivel de compresión, ganancia de potencia utilizada)
Todas estas clases de operación permiten obtener una alta eficiencia pico, sin embargo, en las
comunicaciones que utilizan señales moduladas con envolvente no uniforme (como las que usa
OFDM), esto no es suficiente, ya que la eficiencia promedio puede ser muy baja. En estos casos,
una posible solución sería utilizar la arquitectura de PA denominada Doherty. Los
amplificadores Doherty utilizan dos ramas desfasadas 90º. En una de ellas se encuentra el
22
Telecomunicación
Telecomunicación
amplificador principal y en la otra el auxiliar, que solo se activa a altas potencias.

Posteriormente, las salidas de ambas ramas se combinan para obtener la señal total del
amplificador; de esta forma se conserva una alta linealidad y eficiencia promedio. Es común
utilizar la combinación de amplificadores clase B y C.
En el contexto de las comunicaciones con drones, se usan frecuencias de la banda ISM;

frecuencias habituales son: 2.4 GHz y 5.8 GHz [19]. El uso de una u otra suele depender de si
los UAVs soportan la trasmisión de vídeo o no. Esto se debe a que esta señal multimedia
requiere un mayor ancho de banda para ser transmitida y por tanto su difusión es más
conveniente en la banda de 5.8 GHz. Actualmente, hay usuarios que se han decidido posicionar
en la de 5.8 GHz, independientemente de la funcionalidad de su dispositivo, ya que con el paso
del tiempo la banda de 2.4 GHz se fue colapsando.
Anexo II: Sustrato FR4 [7].

El sustrato FR4 se denomina así por Flame Retardant, que hace alusión a su capacidad ignífuga.
Es un material compuesto por capas de fibra de vidrio y resina epoxi. Sus capacidades
dieléctricas han permitido la utilización del FR4 como sustrato en PCBs. Las propiedades del
sustrato utilizado en este trabajo son [13]:
- Permitividad eléctrica: 𝜀𝑟 = 4.6

- Espesor del dieléctrico: 𝐻 = 0.508 𝑚𝑚
- Espesor del metal: 𝑇 = 35 𝜇𝑚
- Factor de disipación: 𝛿 = 0.025
- Rugosidad de la superficie del metal: 𝑅𝑜𝑢𝑔ℎ = 10 𝜇𝑚
Esto parámetros influyen cuantitativamente en la longitud física y la anchura de las líneas de

transmisión resultantes de buscar obtener una longitud eléctrica (𝜃) e impedancia característica
(𝑍0 ) determinadas. Así pues, una línea de transmisión tiene una longitud física menor para una
longitud eléctrica, cuanto mayor es su 𝜀𝑟 . De la misma forma, cuanto menor sea 𝐻, menor será
el ancho de la línea de transmisión para obtener una impedancia característica concreta.
Figura 26. Declaración del sustrato en ADS.
23
Telecomunicación
Telecomunicación
Anexo III: Redes de polarización de entrada y de salida

El diseño de las redes de polarización, tanto de puerta como de drenador, es una de las claves
para los amplificadores de potencia. La idea principal es conseguir polarizar el transistor en el
punto DC requerido, pero a la vez impedir que la señal RF se desvíe por estas ramas hacia tierra.
De ser así, se perdería toda la ganancia. Por ello, resulta esencial que el coeficiente Z11 de la
red, mostrada en la figura 27, se maximice a la frecuencia fundamental.
Las líneas de transmisión que unen la red de polarización con la rama principal del circuito;
están dispuestas de tal forma que entre las “conexiones T” inferiores y los consecutivos stubs
𝜆
radiales haya una distancia eléctrica 0⁄4 a la fundamental. Estas líneas se pueden ver en las
figuras 27 y 28 recuadradas en color aguamarina. Esto supone una alta impedancia para las
señales de entrada y salida del transistor, lo que impide que se desvíen hacia las redes de
polarización de puerta y drenador, respectivamente. Esta red, además, atenúa un poco el
segundo armónico, efecto beneficioso en este tipo de diseños.
Asimismo, se ha de prestar especial atención a la disposición de condensadores necesarios para

filtrar/limpiar los voltajes DC que polarizarán el transistor. Estos condensadores se encargarán
de eliminar las señales indeseadas que provengan de las fuentes de alimentación, permitiendo
solo el paso a la DC. Este requerimiento surge debido al desconocimiento del tipo de fuente de
alimentación que se conectará, y con ella, las fluctuaciones que pueda añadir a las tensiones de
polarización. La idea es utilizar condensadores que vayan aumentando su capacidad
𝜆
(aproximadamente) en múltiplos de 10; de forma que el más cercano a la línea 0⁄4 sea el que
tenga la menor impedancia en 𝑓0 . Este condensador, que es el más crítico, puede ser sustituido
por un stub radial, con el objeto de conseguir un mayor ancho de banda para el Z11 en la
frecuencia fundamental. El aumento de ancho de banda permitirá, que, si el pico de transmisión
se desvía un poco a la hora de la fabricación, la red siga realizando su función principal.
Los condensadores remarcados en color bronce siguen la disposición 180 𝑝𝐹, 1𝑛𝐹 𝑦 10 𝑛𝐹;
dado que el stub radial sustituye al primer condensador de impedancia mínima a 𝑓0 , de 18 𝑝𝐹.
En el Anexo IV se remarcan las consideraciones que se han tenido en cuenta para la elección
de estos condensadores. Por último, las resistencias señaladas en gris, son dos resistencias de
100 Ω. En el caso de la red de puerta, sirve para crear una constante de tiempo y así proteger el
transistor de posibles transitorios o de una posible polarización en directa de la unión puerta-
fuente por efecto de autopolarización.
Siguiendo estas directrices se han diseñado ambas redes y a continuación se muestran dos
esquemas de ambas redes y sus respectivos Z11.
24
Telecomunicación
Telecomunicación
Figura 27. Red de polarización de puerta y gráfica de su Z11.
Figura 28. Red de polarización de drenador y gráfica de su Z11.
Anexo IV: Condensadores de desacoplo

Los condensadores de desacoplo son también un elemento crucial en un PA, pues evitan que la
corriente continua usada para polarizar el transistor fluya hacia el exterior del amplificador.
Haciendo uso de que, en DC los condensadores constituyen un circuito abierto, se trata de
buscar un valor para el cual la impedancia a 𝑓0 = 2.4 𝐺𝐻𝑧 sea mínima, afectando lo menos
pasible a la ganancia del PA a esa frecuencia.
25
Telecomunicación
Telecomunicación
Siguiendo estos principios, se ha encontrado que el condensador de las librerías disponibles

AVX que cumplía estas expectativas era el sc_avx_AQ_CDR11BP_F_19960828 de 𝐶 = 18 𝑝𝐹.
En la siguiente figura se incluye el esquema ADS y la gráfica del coeficiente de reflexión S11
que toma el valor 𝑆11 = −55.862 𝑑𝐵 @ 2.4 𝐺𝐻𝑧 . Esto significa, claramente, que este
elemento discreto permite el paso de la RF de 𝑓0 = 2.4 𝐺𝐻𝑧, dado que tiene una reflexión
extremadamente baja.
Figura 29. Esquema y gráfica del parámetro S11 del condensador de desacoplo.
Anexo V: Uso de la técnica Load-Pull para localizar la impedancia de carga

óptima
La naturaleza no lineal de los amplificadores de potencia convierte en inservible el teorema de
superposición. En un PA, la potencia RF de salida y la eficiencia dependen del valor de la
impedancia de carga. La técnica Load-Pull permite modificar la impedancia de carga hasta
encontrar la impedancia (𝑍𝐿 = 𝑍𝑂𝑃𝑇 ), que proporciona en el punto de compresión 1 dB las
mejores prestaciones de potencia o eficiencia, cuando las aproximaciones lineales no son
efectivas. Se entiende en este trabajo como impedancia óptima, aquella que permite obtener la
mayor potencia RF de salida en el PA.
Su funcionamiento es muy simple: Se le muestra al DUT (dispositivo en pruebas, del inglés,

𝑅𝐹
Device Under Test) diversas impedancias complejas de salida, evaluando 𝑃𝑂𝑈𝑇 en cada una de
ellas. Prevalecerá el valor que maximice este parámetro. La ejecución del algoritmo Load-Pull,
implementado usando una template del ADS, devuelve una gráfica sobre carta de Smith en la
que se pueden observar los contornos con diversos valores de 𝑍𝐿 para los cuales la potencia es
constante. Cada contorno más alejado del centro supone un conjunto de impedancias de salida
26
Telecomunicación
Telecomunicación
𝑅𝐹
que entregan 1 dB o varios dB menos de 𝑃𝑂𝑈𝑇 con respecto al máximo. La gráfica obtenida de
una de las simulaciones Load-Pull realizadas en este trabajo se muestra en la fig. 7
Anexo VI: Redes de adaptación de entrada y de salida

El protocolo a seguir al diseñar las redes de adaptación de impedancias resulta siempre muy
sistemático.
OMN (red de adaptación de salida, del inglés, Output Matching Network

En un primer momento se trata de adaptar a 50 Ω la impedancia óptima de carga, que
generalmente es compleja, haciendo uso de la herramienta “Carta de Smith” del ADS. De esta
forma, se calculan las longitudes eléctricas de las líneas o elementos discretos necesarios para
realizar la adaptación. A continuación, haciendo uso de la herramienta LineCalc, en la que se
introducen todas las características del sustrato a utilizar; se calculan las dimensiones físicas de
estas líneas en tecnología microstrip. Estas líneas permitirán sintetizar 𝑍𝐿 = 𝑍𝑂𝑃𝑇 en la salida
del transistor a partir de las terminaciones externas del PA de 50 Ω.
Figura 30. Herramientas Smith Chart y LineCalc. A la izquierda, se muestra la adaptación a 2.4 GHz
de una impedancia 𝑍 = 23 + j15 Ω mediante una línea de transmisión y un stub en circuito abierto. A
la derecha, se muestra el cálculo de las dimensiones de una línea de transmisión de longitud eléctrica
𝜃 = 12.131𝑜 , e impedancia característica 𝑍0 = 50 Ω en sustrato FR4.
IMN (red de adaptación de entrada, del inglés, Input Matching Network)
En la entrada del amplificador, el propósito es conseguir adaptación conjugada, esto es, se trata
de que el FET vea hacia la fuente la impedancia que se ve hacia la entrada del transistor
(impedancia de entrada 𝑍𝐼𝑁 ), pero conjugada. Para ello, se calcula siguiendo la fórmula:
𝑍𝑠 ≝ 𝐼𝑚𝑝𝑒𝑑𝑎𝑛𝑐𝑖𝑎 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑓𝑢𝑒𝑛𝑡𝑒
𝑉𝐼𝑁 ∗
𝑍𝐼𝑁 = ; 𝑍 = 𝑍𝐼𝑁
𝑖𝐼𝑁 𝑆
27
Telecomunicación
Telecomunicación
Luego se diseña una red que sintetiza este valor de 𝑍𝑆 , a partir de una impedancia externa de 50
Ω. Por ello, se busca minimizar el coeficiente de entrada (Γ𝐼𝑁 ) al PA, lo que conlleva una baja
reflexión de entrada a la frecuencia deseada.
El orden es el descrito anteriormente: primero se adapta la salida, para establecer las

prestaciones de potencia y eficiencia en el FET, y después la entrada, para mejorar la ganancia,
dado que 𝑍𝑆 puede variar ligeramente al sustituir la red que adapta 𝑍𝑂𝑃𝑇 , por 50 Ω.
Por otra parte, en este trabajo para diseñar las redes de adaptación se han utilizado solamente
líneas de transmisión y stubs en circuito abierto. Las motivaciones principales son tres:
- A la hora de la fabricación, los stub en cortocircuito supondrían la necesidad de, al

menos, una vía al plano de tierra cada uno. Esto se traduce en hacer perforaciones
en la placa, aumentando el riesgo de estropearla y consumiendo tiempo.
- Los elementos discretos SMD, como condensadores o inductancias, son como su

propio nombre indica, discretos. Se obtienen en una serie de valores predefinidos.
Esto supone, por ejemplo, que si fuera necesario un condensador con una capacidad
𝐶 = 16.7 𝑝𝐹 solo se dispondría del valor más cercano. Además, tienen un cierto
grado de tolerancia.
- Por último, estos dispositivos presentan comportamientos parásitos en alta

frecuencia, pudiendo generar resonancias indeseables.
Anexo VII: Imágenes de los prototipos
Figura 31. Capas del formato Gerber del prototipo I impresas en papel de acetato.
28
Telecomunicación
Telecomunicación
Figura 32. Parámetro 𝑆11 medido experimentalmente en el prototipo I.
Figura 33. Parámetro 𝑆22 medido experimentalmente en el prototipo I.
29
Telecomunicación
Telecomunicación
Figura 34. Medidas realizadas en el prototipo I. Resaltado en amarillo el punto de ganancia máxima
y en rojo el punto de compresión 1 dB.
Figura 35. Parámetro 𝑆11medido experimentalmente en el prototipo II.
30
Telecomunicación
Telecomunicación
Figura 36. Medidas realizadas en el prototipo II. Resaltado en amarillo el punto de ganancia máxima
y en rojo el punto de compresión 1 dB.
Anexo VIII: Instrumentos de medida

En las mediciones de los parámetros S, en pequeña señal se ha utilizado la unidad 8510C
Network Analyzer de Hewlett Packard, como analizador vectorial de redes; que tiene un ancho
de banda de 45 MHz a 110 GHz. En estas mismas medidas se hizo uso de la unidad 83650B
Series Swept Signal Generator de Hewlett Packard como generador de funciones; que tiene un
ancho de banda de 10 MHz a 50 GHz.
Figura 38. Fotografía, midiendo los parámetros S del prototipo I, del analizador de redes lineal
(VNA) 8510C y su generador 83650B.
31
Telecomunicación
Telecomunicación
En las medidas de potencia se ha utilizado el equipo N9000A CXA Signal Analyzer de Agilent
Technologies como analizador de espectro; que tiene un ancho de banda de 9 KHz a 26.5 GHz.
Y también se ha requerido el uso del generador vectorial de funciones E4438 ESG Vector Signal
Generator de Agilent Technologies; que tiene un ancho de banda de 250 KHz a 6 GHz.
Figura 37. Fotografía visualizando el espectro en el prototipo II para 𝑃𝐴𝑉𝑆 de 9 dBm; con los equipos
N900A y E4438C.
Anexo IX: Rediseño del PA diseño III.

Una vez analizado el diseño previo III del PA, se propuso un rediseño del mismo en el ADS
intentando mejorar todavía más sus prestaciones. Este caso, se ha tratado de buscar una
impedancia de carga que optimice mejor la eficiencia del diseño realizado anteriormente,
aunque pudiera implicar una reducción en la potencia de salida. Se ha comprobado su
estabilidad, resultando estable en el ancho de banda considerado (figura 39).
Figura 39. Gráfica del factor de estabilidad.
32
Telecomunicación
Telecomunicación
La impedancia óptima que optimiza la PAE en el punto de compresión 1 dB se ha localizado

para 𝑍𝐿 = 24.3 + 𝑗16.1 Ω, cómo se puede comprobar en la figura inferior.
Figura 40. Contornos de PAE constante resultantes de la simulación Load-Pull.
En este caso, tras sintetizar la nueva impedancia de carga con la red de adaptación de salida y
realizar la adaptación conjugada en la entrada, y la red de adaptación correspondiente, se han
simulado unas pérdidas de retorno en gran señal de 𝑅𝐿𝐼𝑁 = −21.71 𝑑𝐵
Tras hacer la simulación del circuito con todos los bloques, se ha obtenido una potencia RF de
1 𝑑𝐵
salida de 19.87 dBm para una potencia en la fuente de 𝑃𝐴𝑉𝑆 = 10.6 dBm. La diferencia de
ambas produce una ganancia de transducción de 9.27 dB.
Figura 41. Gráficas de ganancia de transducción, potencia RF de salida y parámetros de eficiencia.
33
Telecomunicación
Telecomunicación
Finalmente, se procede a evaluar los niveles de potencia de los armónicos a la salida del
amplificador. Se encuentra una diferencia entre la señal fundamental y el segundo armónico de
54 dB, y 60 dB con el cuarto.
Figura 42. Espectro de la señal de potencia RF de salida del amplificador.
Tras realizar la simulación de este rediseño se ha comprobado que se ha mejorado tanto la

ganancia de transducción como la eficiencia de drenador y, por tanto, las dos versiones de la
PAE. Por otra parte, las pérdidas por reflexión en la entrada han disminuido casi 10 dB. La
amplitud de los armónicos con respecto a la señal fundamental se ha mantenido estable,
obteniendo unas formas de onda de drenador similares a las del diseño III.
34

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Estudio de la mejora de la eficiencia en el diseño de

amplificadores de potencia para transmisores de

Andrés Mosquera Varela

Trabajo de fin de grado

Estudio de la mejora de la eficiencia en el

Autor: Andrés Mosquera Varela

1: UAV: Vehículo aéreo no tripulado (del inglés Unmanned Aerial Vehicle).

Los sistemas de comunicaciones inalámbricos de radiofrecuencia (radiofrecuencia, de ahora en

Figura 1. (a) Frontal analógico de un sistema de comunicaciones inalámbrico genérico. (b)

El PA es el componente que más energía consume de todo el transceptor. Esta consideración

significativas de un PA que integra una sola etapa amplificadora. A continuación, se presenta

A. Amplificador de potencia en clase A

El punto de polarización de un amplificador de potencia en clase A se corresponde con una

𝑃𝐷𝐶 = 𝑉𝐷𝐶 · 𝐼𝐷𝐶 = 𝑉𝐷𝑆0 · 𝐼𝐷𝑆0 (1)

Otra manera de evaluar la ganancia de potencia es usando la potencia disponible en la fuente

B. Amplificador de potencia en clase B

polarización y la señal de entrada se disponen de manera que sólo hay corriente RF en el

Figura 2. Forma de onda de la corriente RF de salida en un PA en clase B (idealizado) y

La configuración de salida en contrafase dispone en paralelo otro amplificador en clase B que

La terminación armónica consiste en cortocircuitar los armónicos pares; a mayor número de

El compromiso existente entre ganancia-linealidad-eficiencia clasifica esta topología como una

C. Amplificador de potencia en clase F [3]

Figura 3. Forma de onda de la tensión RF de salida en un amplificador clase F (idealizado) y

D. Tecnología pHEMT en GaAs2.

El elemento primordial de cualquier amplificador de RF es uno o varios transistores. En este

A. Metodología de diseño utilizando ADS

Figura 6. Factor de estabilidad versus frecuencia.

El siguiente paso es el diseño de las redes de polarización de entrada (puerta) y de salida

Figura 7. Contornos de potencia RF resultantes de la simulación Load-Pull.

Figura 8. Esquema del PA completo. En aguamarina redes de polarización, en bronce redes

La adaptación de entrada se caracteriza mediante el parámetro Γ𝐼𝑁 (7), que es equivalente al

𝑅𝐿𝐼𝑁 = 20 · 𝑙𝑜𝑔10 (|Γ𝐼𝑁 |) (8)

A.2. Diseño II: Amplificador en clase B.

No es preciso denominar PA en clase B al diseño I, ya que únicamente se realizó adaptación

A continuación, se han evaluado las formas de onda en el tiempo en el drenador y la recta de

A.3. Diseño III: Amplificador en clase F.

Inicialmente, se deseaba utilizar el punto de polarización correspondiente al sweet spot

Tras realizar la simulación del PA completo, se ha comprobado que el punto en el que la

B. Fabricación de los prototipos y medida

B.1 Prototipo I: Amplificador en clase B, con supresión de armónicos

En la figura 18 se muestra el layout o patrón de la metalización de la capa superior de la PCB,

Figura 19. Prototipo I finalizado.

Figura 25. En aguamarina, potencia RF de salida. En bronce, GT.

Tabla 1. Parámetros de potencia y eficiencia del prototipo I.

B.2. Prototipo II: Amplificador en clase F

Figura 23. Prototipo II conectado a un generador y a un analizador de espectro. Se observan,

Tabla 2. Parámetros de potencia y eficiencia del prototipo II.

Figura 25. En aguamarina, potencia RF de salida. En bronce, GT.

Estas medidas están disponibles en la tabla de la figura 36; en el Anexo VII.

[2] “Crossover Distortion in Amplifiers” disponible en: https://www.electronics-

[7] “FR4 Data Sheet” disponible en: https://www.farnell.com/datasheets/1644697.pdf

[9] “ISM Frequency Bands” disponible en: https://www.everythingrf.com/community/ism-

[13] Mónica Fernández Barciela, “Communications Transceiver PA Design,” MMCAD:

[14] S. Gaol, P. Butterworth, A. Sambell, C. Sanabria, H. Xu, S. Heikman, U. Mishra and R.

[15] Q. Lu, S. Danaher, Z. Ghassemlooy, E. Korolkiewicz and A. Sambell, “Design of High

Anexo I: Estado del arte

Los amplificadores en clase J tienen un funcionamiento similar a los de la clase F. A diferencia

Frecuencia Clase Transistor Ganancia Potencia RF PAE* Ref.

Tabla 3. Referencias de diferentes PA diseñados recientemente.

amplificador principal y en la otra el auxiliar, que solo se activa a altas potencias.

En el contexto de las comunicaciones con drones, se usan frecuencias de la banda ISM;

Anexo II: Sustrato FR4 [7].

- Permitividad eléctrica: 𝜀𝑟 = 4.6